JPS60140542A - 磁気記録媒体の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気記録媒体、特に非磁性基体上に金属磁性薄
膜を被着したいわゆる金属薄膜型磁気記録媒体の製法に
係わる。

背景技術とその問題点 従来一般に普及されている磁気記録媒体は、針状の磁性
粉と高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を非磁性基体
上に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体で
ある。

これに比し、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等の磁性金属、或いはこ
れらの合金を真空蒸着、スパッタリング、或いはイオン
シレーティング等のいわゆるフィジカル・ベー・母−・
デポジション技術によって非磁性基体上に形成する金属
薄膜型の磁気記録媒体は、その磁性層中に非磁性の結合
剤が混入されていないために著しく高い残留磁束密度を
得ることができること、また磁性層を極めて薄く形成す
ることができるために高出力且つ短波長応答性にすぐれ
ているという利点を有する。

しかしながら、この種の薄膜型の磁気記録媒体において
、そのＣＯ等の磁性金属を単に非磁性基体上に、例えば
蒸着しただけでは充分高い抗磁力Ｈｃを有する磁性層を
得ることは困難である。このような薄膜型磁気記録媒体
において、高い抗磁力Ｈｅを有する磁性層を得る方法と
しては非磁性基体に対して、上述の磁性金属の蒸発粒子
を斜めに入射させる斜め蒸着法が提案されている。とこ
ろがこのような斜め蒸着法による場合、蒸着効率が低く
生産性に劣るという欠点がある。

発明の目的 本発明は斜め蒸着法によることなく、非磁性基体上に高
い抗磁力を有し、その面内で磁気特性が等方向とされた
金属磁性薄膜型の磁気記録媒体を得ようとするものであ
る。

発明の概要 本発明は第１図に示すように、非磁性基体（１）、例え
ばポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリアミ
ドイミド、ポリイミド等の高分子フィルム上に、凝固時
に体積が膨張する金属、例えばＢｉ。

Ｇａ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｉ或いはこれら金属の合金５ｉ−
Ｃｕ。

Ｓｉ　−Ａｕ　、　Ｇｅ−Ａｕ　＋　Ｇｅ−Ｉｎ等の下
地層（２）を、例えば□　３０〜３００Ｘの厚さに蒸着
し、これの上にＣｏ　＊　Ｆｅ　＋Ｎｉ或いはこれらの
合金よ構成る金属磁性薄膜（３）を５０〜１００ＯＸ　
、好ましくは１００〜３００Ｘの厚さに蒸着する。そし
てこれら下地層（２）及び金属磁性薄膜（３）の蒸着時
における基体温度は低い温度の例えば８００未満の常温
に選定する。そしてこれら下地層（２）及び金属磁性薄
膜（３）の蒸着後にアニール処理、すなわち熱処理を行
う。この熱処理は８０ｃ以上、好ましくは１０００以上
とし、その後例えば空気中で放置冷却する。

このように、基体（１）上に対する下地層（２）及び金
属磁性薄膜（３）の蒸着を低い温度の例えば常温程度で
行うときは、基体（１）の構成材料として比較的耐熱性
の低い高分子フィルム、例えばポリエチレンテレフタレ
ートを用いた場合においてもその蒸着時の加熱によって
基体（１）に「しわ」などの変形を生じさせたり脱ガス
、脱水に伴う真空度の低下に伴う磁気的特性の低下を回
避できることになる。

しかしながら、との蒸着に当っての基体温度を低めると
、第３図にこの蒸着時の基体温度と抗磁力Ｈｅとの関係
を示すところから明らかなように高い抗磁力が得られな
い。しかるに上述したように、蒸着後に熱処理を行うこ
とによって最終的に高い抗磁力を得ることができた。

尚、表１に上述した下地層（２）としての各金属の液体
から固体に変化したとき、すなわち凝固時の体積膨張率
ΔＶ／Ｖ　（ここに、■は液状時の体積、ΔＶはその固
化による体積変化分を示す）と、融点ｍ＠ｐを示したも
のである。

表１ 実施例 第２図は本発明製法を実施する蒸着装置の一例を示す構
成図で、この場合、真空槽（４）内にフィルム状の非磁
性基体（１）の供給用リール（５）および巻取り用リー
ル（６）が配され、非磁性基体（１）が図中矢印ａで示
される方向に走行するようになされている。

この真空槽（４）中の非磁性基体（１）の下方には下地
層の蒸発源（７）と磁性金属の蒸発源（８）が配される
。（９）は両蒸発源（７）及び（８）間の遮蔽板、α〔
及び（１１１はそれぞれ真空吸引手段である。このよう
な構成において、図示はしないが、電子ビーム加熱、抵
抗加熱法等による下地金属及び磁性金属をそれぞれ蒸発
させ、移動する非磁性基体上に下地層および磁性金属薄
膜を順次被着形成する。尚第２図の例では、下地金属及
び磁性金属を移動する長尺ものの非磁性基体上に形成し
ているが、これは回転している板状基体の上に順次形成
してもかまわない。また本発明においては、斜め蒸着法
を用いなくても高い抗磁力を有する磁性薄膜を一形成す
ることが出来るが斜め蒸着法を用いても本発明の効果が
損なわれることはなく、この場合は非磁性基体を円筒状
の回転キャンの外周に沿って走行させながら、金属磁性
薄膜を形成することもできるし、蒸発原子流に対して斜
めに非磁性基体を走行させながら金属磁性薄膜を形成す
ることもできる。

尚、下地層及び磁性薄膜の蒸着は高真空雰囲気、たとえ
ば１０−５〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒで行うとか少量の酸素を
含む雰囲気で行う。

実施例１ 第２図で説明した真空蒸着装置によってフィルム状の非
磁性基体（１）を矢印ａに示すように移行させながら蒸
発源（力からＢｉを蒸着して下地層（２）を形成し、続
いてこれの上に蒸発源（８）がらＣｏ　−（３０原子％
）Ｎｉ合金を蒸着して金属磁性薄膜（３）を形成しその
後熱処理する。Ｂｉ下地層（２）及びＣｏ−Ｎｉ金属磁
性薄膜（３）の蒸着時の基体（１）の温度は、２０〜３
０Ｃで、Ｂｉ下地層（２）の厚さは８０Ｘとし、Ｃｏ−
Ｎｉ金属磁性薄膜（３）の厚さを５０〜２５０Ｘに変化
させた各試料を作成し、夫々に対し熱処理を行った。こ
の熱処理は、第２図に示すように真空槽（４）の基体（
１）の配置部に設けられた加熱ラン７６（１ｚによる加
熱によって槽（４）内で、２５０１：、　３時間の第１
の加熱処理をなし、その後、放置冷却した。この加熱処
理前と、加熱処理後の各抗磁力Ｈｃを、金属磁性薄膜（
３）の厚さとの関係で測定した結果を、夫々第十図中曲
線０１）及び（３つで示す。更にこの熱処理後において
、真空槽（４）内で２８００．３時間の第２の加熱処理
を行い、更に抗磁力Ｈｃを測定した結果を第４図中曲線
＠に示す。これよシ明らかなように熱処理によって抗磁
力が高められる。

実施例２ 実施例１と同様の方法によって磁気記録媒体を得たが、
この場合蒸着時の基体温度を２００Ｃとし金属磁性薄膜
（３）のＣｏ−Ｎｉの蒸着厚を１２０Ｘとした。

これに対し、初期の抗磁力Ｈｅ　（処理回数Ｏのときの
Ｈｅ）と、実施例１における第１及び第２の加熱処理を
夫々行い、更に同様の第１及び第２の加熱処理を、第３
及び第４の加熱処理として行った場合のＨｅの測定結果
を第５図に示す。

第４図及び第５図よシ明らかなように、熱処理によって
抗磁力Ｈｃの向上がはかられるが、熱処理が充分高い時
は、熱処理回数、したがって熱処理時間による抗磁力の
変化は殆んどみられなくなってくる。しかしながら、前
述した加熱時の基体への影響、特性への影響を考慮して
、また、順次長尺ものを巻とシながら作製する場合の温
度の均一化を考慮してこの加熱温度は８００以上、好ま
しくは１２０Ｃ以上であってもできるだけ低温長時間の
熱処理とすることが望ましい。

また、加熱処理後の冷却は、放置冷却のほか液体窒素な
どによる冷却を適用することもできる。

また、金属磁性膜は一層に限られるものではなく上述の
下地層を介在させた多層構造とすることもできる。また
、上述した下地層（２）は、基体（１）上に直接的に被
着される場合に限られるものではなく、Ｓｉ　、　５ｉ
０２の非晶質層を介在して形成することもできる。

発明の効果 上述したように本発明によれば斜め蒸着によらずに高抗
磁力、磁気記録媒体が得られる。これは下地層（２）と
してその凝固時に体積膨張の生じる層を配したことＫよ
ってこの凝固時の膨張によってこれの上に金属磁性薄膜
が斜め蒸着によらずとも微細化されて高い抗磁力が得ら
れると共に、下地層の例えばＢｉがこれの上の金属薄膜
の例えばＣｏ−Ｎｉ合金層に拡散してこれの結晶のより
微細化がはかられることに因るものと思われる。そして
この拡散及び結晶の微細化は下地層及び金属薄膜の蒸着
を低温で行っても、その後の熱処理でこのような現象が
助成されて抗磁力Ｈｅの向上がはかられるものと思われ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気記録媒体の一例の路線的断面
図、第２図は蒸着装置の一例の構成図、第３図ないし第
５図は抗磁力曲線図である。 （１）は非磁性基体、（３）は金属磁性薄膜、（２）は
下地層である。 第４図 刀可［ｉ！Ｊｉ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性基体上に、凝固時に体積が膨張する金属よシ成る
   下地層と金属磁性薄膜とを順次蒸着して後、熱処理する
   ことを特徴とする磁気記録媒体の製法。