JPS60202524A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS60202524A JPS60202524A JP5885884A JP5885884A JPS60202524A JP S60202524 A JPS60202524 A JP S60202524A JP 5885884 A JP5885884 A JP 5885884A JP 5885884 A JP5885884 A JP 5885884A JP S60202524 A JPS60202524 A JP S60202524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- magnetic
- vapor deposition
- nonmagnetic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録媒体に関する。
背景技術とその問題点
近年、磁気記録の高密度化の目的で磁性薄膜型の磁気記
録媒体即ち非磁性基体上に真空蒸着、スパッタリング等
の方法によりＣｏ、 Ｐａ、 Ｎｉ或はこれらの合金に
よる強磁性薄膜を形成させた磁気記録媒体についての研
究が盛んである。
録媒体即ち非磁性基体上に真空蒸着、スパッタリング等
の方法によりＣｏ、 Ｐａ、 Ｎｉ或はこれらの合金に
よる強磁性薄膜を形成させた磁気記録媒体についての研
究が盛んである。
このような磁性薄膜型の磁気記録媒体において、面内方
向に高い抗磁力Ｈｅを得るには、強磁性金属材を非磁性
基体に対して斜め蒸着して（所謂斜め蒸着法で）磁性層
を形成する方法、或は非磁性基体上にＣｒを下地として
基体温度を３００℃以上でｃｏを蒸着して磁性層を形成
する方法等が提案されている。
向に高い抗磁力Ｈｅを得るには、強磁性金属材を非磁性
基体に対して斜め蒸着して（所謂斜め蒸着法で）磁性層
を形成する方法、或は非磁性基体上にＣｒを下地として
基体温度を３００℃以上でｃｏを蒸着して磁性層を形成
する方法等が提案されている。
しかし乍ら、前者の斜め蒸着法の場合には蒸着効率が数
％と低く生産性に問題があった。また後者の方法の場合
には基体温度を高くする必要があるため、ポリエチレン
テレフタレートの如き耐熱性に劣る高分子フィルムより
なる非磁性基体が使用できないという欠点があった。
％と低く生産性に問題があった。また後者の方法の場合
には基体温度を高くする必要があるため、ポリエチレン
テレフタレートの如き耐熱性に劣る高分子フィルムより
なる非磁性基体が使用できないという欠点があった。
発明の目的
本発明は、上述の点に鑑み、磁気特性に優れると共に、
作製条件が改善される磁気記録媒体を提供するものであ
る。
作製条件が改善される磁気記録媒体を提供するものであ
る。
発明の概要
本発明は、非磁性基体上にＳｒ＋層と金属磁性層を連続
して蒸着、スパッタリング等の気相メッキにより形成し
て成る磁気記録媒体である。
して蒸着、スパッタリング等の気相メッキにより形成し
て成る磁気記録媒体である。
この発明の磁気記録媒体では、高い抗磁力及び角形比が
得られ、且つ低い基体温度での磁性層の形成が可能とな
り、磁気記録媒体の作製条件が改善される。
得られ、且つ低い基体温度での磁性層の形成が可能とな
り、磁気記録媒体の作製条件が改善される。
実施例
以Ｆ本発明の詳細な説明する。
本発明においては、非磁性基体上に蒸着、スパッタリン
グ等の所謂気相メッキによりてＳｎ層と金属磁性層とを
連続して形成して磁気記録媒体を得る。
グ等の所謂気相メッキによりてＳｎ層と金属磁性層とを
連続して形成して磁気記録媒体を得る。
非磁性基体としては、例えばポリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等の高
分子フィルムを用い得る。
ト、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等の高
分子フィルムを用い得る。
下地のＳｎ層は非磁性基体上に蒸着或はスノくツタリン
グ等の気相メッキによって被着するもので、その厚さは
５０人〜５００人に選定される。金属磁性層は５ｎｌＷ
上に蒸着或はスパッタリング等の気相メッキによってＣ
ｏ、 Ｆｅ、 Ｎｉのいずれか、或はその合金を１００
人〜１０００人の厚さに被着することによって形成し得
る。また、Ｓｎ層及び金属磁性層の気相メッキ時の非磁
性基体の基体温度は室温〜基体が許す上限温度に選び得
る。
グ等の気相メッキによって被着するもので、その厚さは
５０人〜５００人に選定される。金属磁性層は５ｎｌＷ
上に蒸着或はスパッタリング等の気相メッキによってＣ
ｏ、 Ｆｅ、 Ｎｉのいずれか、或はその合金を１００
人〜１０００人の厚さに被着することによって形成し得
る。また、Ｓｎ層及び金属磁性層の気相メッキ時の非磁
性基体の基体温度は室温〜基体が許す上限温度に選び得
る。
図は本発明に適用される蒸着装置である。
この蒸着装置＋１）は真空チャンバー（２）内に金属キ
ャン（３）が設けられ、これを繞って例えば非磁性基体
（４）が供給リール（５）及び巻取リール（６）間に走
行するようになされる。一方金属キャン（３）に対向し
てＳｎ蒸着源（７）と金属磁性層の蒸着源例えばＣＯの
蒸着源（８）が配置される。（９）は蒸着源（７）及び
（８）よりの各金属蒸気流を相互に遮蔽する遮蔽板で、
両蒸着源（７）及び（８）間から金属キャン（３）の前
方に渡って設けられる。Ｑｌは各蒸着源（７）及び（８
）と金属キャン（３）との間に配置されたシャッターで
ある。尚、蒸着源（７）及び（８）は、例えば図示しな
いが電子銃からの電子ビームの衝撃によって蒸着材が蒸
発するようになされる。この装置では、非磁性基体（４
）の走行途上において先ずＳｎ蒸着源（７）からＳｎの
蒸着をなして基体（４）上にＳｎ蒸着膜を形成し、引き
続いてこれの上に例えばＣＯ蒸着源（８）からのＣＯを
蒸着して金属磁性層を被着形成するようになす。
ャン（３）が設けられ、これを繞って例えば非磁性基体
（４）が供給リール（５）及び巻取リール（６）間に走
行するようになされる。一方金属キャン（３）に対向し
てＳｎ蒸着源（７）と金属磁性層の蒸着源例えばＣＯの
蒸着源（８）が配置される。（９）は蒸着源（７）及び
（８）よりの各金属蒸気流を相互に遮蔽する遮蔽板で、
両蒸着源（７）及び（８）間から金属キャン（３）の前
方に渡って設けられる。Ｑｌは各蒸着源（７）及び（８
）と金属キャン（３）との間に配置されたシャッターで
ある。尚、蒸着源（７）及び（８）は、例えば図示しな
いが電子銃からの電子ビームの衝撃によって蒸着材が蒸
発するようになされる。この装置では、非磁性基体（４
）の走行途上において先ずＳｎ蒸着源（７）からＳｎの
蒸着をなして基体（４）上にＳｎ蒸着膜を形成し、引き
続いてこれの上に例えばＣＯ蒸着源（８）からのＣＯを
蒸着して金属磁性層を被着形成するようになす。
実施例１
上記蒸着装置（１１を使用し、真空下でポリイミドフィ
ルムよりなる非磁性基体（４）を供給リール（５）から
巻取リール（６）へと金属キャン（３）を繞って走行さ
せ、このとき非磁性基体（４）の温度を室温となして蒸
着源（７）よりＳｎを１００人の厚さに蒸着し、続いて
蒸着源（８）よりＣＯを１５０人の厚さに蒸着してＳｎ
下地層上にＣＯ磁性層を被着した。このようにして得た
磁気記録媒体を実施例１とした。
ルムよりなる非磁性基体（４）を供給リール（５）から
巻取リール（６）へと金属キャン（３）を繞って走行さ
せ、このとき非磁性基体（４）の温度を室温となして蒸
着源（７）よりＳｎを１００人の厚さに蒸着し、続いて
蒸着源（８）よりＣＯを１５０人の厚さに蒸着してＳｎ
下地層上にＣＯ磁性層を被着した。このようにして得た
磁気記録媒体を実施例１とした。
実施例２
非磁性基体（４）の温度を１１０℃とした以外は実施例
１と同じにした。このようにして得た磁気記録媒体を実
施例２とした。
１と同じにした。このようにして得た磁気記録媒体を実
施例２とした。
比較例１
非磁性基体（４）の温度を１１０℃とし基体（４）上に
直接Ｃｏを１５０人の厚さに蒸着した（Ｓｎ下地層なし
）以外は実施例１と同じにした。このようにして得た磁
気記録媒体を比較例１とした。
直接Ｃｏを１５０人の厚さに蒸着した（Ｓｎ下地層なし
）以外は実施例１と同じにした。このようにして得た磁
気記録媒体を比較例１とした。
上記各側の磁気記録媒体についての磁気特性を測定した
結果を表１に示す。
結果を表１に示す。
表 １
冨＝
表１から明らかなように、非磁性基体（４）上に直接Ｃ
ｏ層を被着形成した比較例１の場合は抗磁力Ｈｃが１０
００ｓ以下であるのに対し、Ｓｎを下地に用いた実施例
１，２の場合には抗磁力Ｈｃが向上し、また角型比も８
０％以上と高い、そして、低い基体温度で膜作製ができ
、このため非磁性基体としては耐熱性に劣る高分子フィ
ルム特にポリエチレンテレフタレートフィルムの使用が
可能となる。
ｏ層を被着形成した比較例１の場合は抗磁力Ｈｃが１０
００ｓ以下であるのに対し、Ｓｎを下地に用いた実施例
１，２の場合には抗磁力Ｈｃが向上し、また角型比も８
０％以上と高い、そして、低い基体温度で膜作製ができ
、このため非磁性基体としては耐熱性に劣る高分子フィ
ルム特にポリエチレンテレフタレートフィルムの使用が
可能となる。
またＳｎ層及びＣｏ層がほぼ垂直蒸着で形成されるので
、抗磁力Ｈｃ及び角型比Ｒｓは膜面内で異方性はなく等
友釣であった。
、抗磁力Ｈｃ及び角型比Ｒｓは膜面内で異方性はなく等
友釣であった。
尚、金属磁性層は一層に限られるものではなく上述のＳ
ｎ下地層を介在させた多層構造とすることもできる。
ｎ下地層を介在させた多層構造とすることもできる。
また、上側ではＳｎ層及び金属磁性層を蒸着で形成した
がその他スパッタリング等にても形成できる。
がその他スパッタリング等にても形成できる。
発明の効果
上述した本発明によれば、非磁性基体上にＳｎ層を介し
て金属磁性層を形成することにより、高い抗磁力Ｈｃを
得、また＾い角型比Ｒｓを得ることができる。
て金属磁性層を形成することにより、高い抗磁力Ｈｃを
得、また＾い角型比Ｒｓを得ることができる。
そして、下地層のＳｎ層が低融点金属であり低い基体温
度での膜作製ができるので、非磁性基体として耐熱性に
欠ける＾分子フィルムの使用が可能となる。
度での膜作製ができるので、非磁性基体として耐熱性に
欠ける＾分子フィルムの使用が可能となる。
また、垂直方向の気相メッキで金属磁性層が形成される
ので、金属磁性層のバッキングが密になり磁束密度が轟
くなる。また斜め蒸着法に比して垂直蒸着であるので蒸
着効率が高く生産性が向上する。さらに磁気的に面内等
方性の磁性層であるためテープ、ディスク等応用範囲が
極めて広い。
ので、金属磁性層のバッキングが密になり磁束密度が轟
くなる。また斜め蒸着法に比して垂直蒸着であるので蒸
着効率が高く生産性が向上する。さらに磁気的に面内等
方性の磁性層であるためテープ、ディスク等応用範囲が
極めて広い。
図は本発明に適用される蒸着装置の例を示す構成図であ
る。 （２）は真空チャンバー、（３）は金属キャン、（４１
は非磁性基体、（５）、 １６）はリール、＋？）はＳ
ｎ蒸着源、（８）は金属磁性材の蒸着源である。
る。 （２）は真空チャンバー、（３）は金属キャン、（４１
は非磁性基体、（５）、 １６）はリール、＋？）はＳ
ｎ蒸着源、（８）は金属磁性材の蒸着源である。
Claims (1)
- 非磁性基体上にＳｎ層と金属磁性層が連続して気相メッ
キにより形成されて成る磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5885884A JPS60202524A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5885884A JPS60202524A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202524A true JPS60202524A (ja) | 1985-10-14 |
Family
ID=13096398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5885884A Pending JPS60202524A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60202524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63255362A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜の製造装置 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP5885884A patent/JPS60202524A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63255362A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜の製造装置 |
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