JPS6043915B2 - 真空蒸着方法 - Google Patents

真空蒸着方法

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Publication number
JPS6043915B2
JPS6043915B2 JP4717480A JP4717480A JPS6043915B2 JP S6043915 B2 JPS6043915 B2 JP S6043915B2 JP 4717480 A JP4717480 A JP 4717480A JP 4717480 A JP4717480 A JP 4717480A JP S6043915 B2 JPS6043915 B2 JP S6043915B2
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JP
Japan
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evaporation
magnetic
vacuum
tape
gap
Prior art date
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Expired
Application number
JP4717480A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56142869A (en
Inventor
龍司 白幡
和行 益金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Priority to DE19803046564 priority patent/DE3046564A1/de
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Publication of JPS6043915B2 publication Critical patent/JPS6043915B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、移動する高分子成形物などの可撓性テープ状
基体に磁性膜などを真空蒸着して磁気記録体などを製造
するための真空蒸着方法に関する。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性基体上にT−F
e2Oa、CoをドープしたT−Fe2O3、Fe。
O。、CoをドープしたFe。o4、T−Fe。03と
Fe3o4のベルトラード化合物、Coをドープしたベ
ルトラード化合物、Cr0。
等の酸化物磁性粉末あるいはFe、Co、Ni等を主成
分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−
酢酸ビニル共’−Λ、L−4、、j イれ、・ツー、ノ
ー14− A ずギ土シ樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめ、塗布、乾燥させる塗布
型のものが広く使用されてきている。近年高密度磁気記
録への要求の高まりと共に、真空蒸着、スパッタリング
、イオンプレーテング等の方法により形成される強磁性
金属薄膜はバインダーを使用しない、いわゆる非バイン
ダー型の磁気記録媒体として注目を浴びており実用化へ
の努力が種々行なわれている。
これらの中でも磁性金属の蒸発ビームを基体表面に対し
斜めに入射させて蒸着する斜方入射真空蒸着法は、工程
、装置機構も比較的簡単であると同時に、良好な磁気特
性の膜が得られるため実用化上すぐれている。従来の斜
方入射真空蒸着法では直線状にあるいはシリンダー状キ
ヤンの周面に沿つて曲線状に移動するテープ状基体上に
1個の蒸発源からはただ1度のみ所定の入射角あるいは
入射角範囲て強磁性体物質等が蒸着されるが、基体面が
蒸発源に対して斜めに位置している為に、基板面が蒸発
入射フビームに対して直角(入射角零に相当)の場合と
比較して入射角の余弦(coslne)倍の蒸着膜厚と
なり、入射角が大となるに従つて蒸着効率は著しく劣つ
てくる。その上テープ状基体と蒸発源の幾何学的配置の
関係から入射角が大となるに従つて7基体面と蒸発源の
距離が大きくならざるを得ず、これも蒸着効率低下の原
因となつていた。さらに蒸着型磁気テープの場合には、
磁気特性の改良、カールの防止、ノイズの低減化のため
に磁性膜と磁性膜の間に非磁性中間層を設ける場合が多
々有るが従来の真空蒸着法では装置が大型化したり工程
が複雑に成つたり実用的では無かつた。
本発明の目的は、従来の方法よりも蒸着効率を高め実用
上すぐれた斜方入射真空蒸着方法を提供することにある
さらに本発明の目的は斜方入射蒸着膜に中間層を介在さ
せた多層構成蒸着膜を容易に作製することのできる真空
蒸着方法を提供することにある。すなわち本発明は、真
空雰囲気内でシリンダー状キヤンの周面に沿つて移動す
るテープ状基体に真空蒸着法において、少なくとも2個
のシリンダー状キヤンを極く狭い隙間を介して隣接せし
め、該シリンダー状キヤンを同方向に回転させつつ該隙
間を通してテープ状基体を移動させ、該隙間下方に配置
された蒸発源より該テープ基体上に斜方入射蒸着を行な
うと共に、該隙間上方に別のシリンダー状キヤンおよび
蒸発源を配設せしめて斜方入射蒸着膜に対して中間層を
形成せしめるようにした事を特徴とする真空蒸着方法で
ある。
第1図は、本発明による真空蒸着方法の実施態様を示し
たものである。
第1図は、真空室の内部を示し真空室の壁、真空排気孔
等は図示していない。真空室1内には2個のシリンダー
状キヤン2,3が、極く狭い隙間4が形成されるように
配設されている。キヤン2,3の回転により可撓性テー
プ状基体5がキヤン2,3の周面に沿つて搬送されるが
、隙間4の所ではキヤン2に沿つて可撓性テープ状基体
5は下から上へ移動し、キヤン3に沿つては可撓性テー
プ状基体は上から下へ移動する。隙間4は互いに逆方向
に移動する可撓性テープ状基体5の表面に形成された蒸
着膜がこすれ合わない程度の間隔は有している。キヤン
2,3間の隙間4の下方には蒸発源6が配設されており
、キヤン2,3の周面に沿つて移動する可撓性テープ状
基体5の上にマスク7,8を介して斜方入射蒸着が行わ
れる。さらに本発明においては、隙間4の上方に別のシ
リンダー状キヤン9および蒸発源10が配設されており
、キヤン2からガイドローラー11を経てキヤン9に沿
つて移動する可撓性テープ状基体5の上に蒸発源10よ
り蒸着が施される。
こうして蒸着された可撓性テープ状基体5はガイドロー
ラー12を経てキヤン3へ向かう。蒸発源10から蒸発
ビームが不要な所に到達しないように防着板13が設け
られている。本発明によれば、蒸発源6からの蒸発ビー
ムがキヤン2に沿つて移動する可撓性テープ状基体5お
よびキヤン3に沿つて移動する可撓性テープ状基体5の
両方に蒸着されるために効率が良い。
蒸発源6からの蒸発分布はCOSn分布を示すが、電子
ビーム加熱によつて磁性金属材料等を蒸発させる楊合に
はnは2〜3の値で、蒸発源上方により多くの蒸発ビー
ムが放出される。本発明によれば蒸発源6上方に放出さ
れる蒸発ビームを有効に利用できるもので実用化上も大
きな利点を有する。さらに本発明によれば、キヤン2,
3に沿つての斜方入射蒸着膜に中間層を介在させた多層
構成蒸着膜を容易に作製することができるもので、装置
としても非常にコンパクトに成る。さらに特開昭52−
1294的号に開示されている如く、斜方入射蒸着によ
る磁気記録媒体の製造の際、基体面の法線に関して対称
な方向から交互に斜方入射蒸着を行なつて多層構造とす
ることが有効であるが本発明の真空蒸着方法によれば容
易に実施することができる。
本発明の真空蒸着方法によつて磁気記録媒体を製造する
場合、磁性薄膜を形成させるための強磁性金属としては
Fe,CO,Ni等の金属あるいはFe・−CO,Fe
−Ni,CO−Ni,Fe−CO−Ni,Fe一Rh,
Fe−Cu,CO−Cu,CO−Au,CO−Y,CO
一Ll,CO−Pr,CO−Gd,CO−Sm,CO−
Pt,Ni−Cu,Mn−Bi,Mn−Sb,Mn−A
l,Fe−Cr,CO−Cr,Ni−Cr,Fe−CO
−Cr,Fe−CO−Ni−Cr等のような強磁性合金
が用いられる。
磁性膜の厚さは、磁気記録媒体として充分な出力を与え
得る厚さおよび高密度記録の充分行なえる薄さを必要と
することから一般には約0.02μmから5.0μm1
好ましくは0.05μmから2.0PTr1,である。
また中間層を構成する材料としてはCr,Si,A],
Mn,Bi,Ti,Sn,Pb,In,Zn,Cuある
いはこれらの酸化物、窒化物等が用いられる。可撓性基
体としてはポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
ポリアミド、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリ
カーボネート、ポリエチレンナフタレートのようなプラ
スチックベース、あるいはAl,Al合金、Ti,Ti
合金、ステンレス鋼のような金属帯が用いられる。第2
図は、本発明の真空蒸着方法によつて製造される磁気記
録媒体の一実施例を示している。
可撓性テープ状基体5としてポリエチレンテレフタレー
トフィルム等の高分子材料基体21を用い、第1図に示
す方法によつて真空蒸着を施す。蒸発源6にはCO,N
i,Feあるいはそれらの合金を主体とする磁性材料を
チャージし、高分子材料基体21がキヤン2に沿つて移
動する際に磁性材料が斜方入射蒸着され磁性膜22が形
成される。蒸発源10には.Al,Cr,Cu等の非磁
性金属をチャージし、高分子材料基体21がキヤンに沿
つて移動する際に非磁性材料より成る中間層23が形成
される。次に高分子材料基体21がキヤン3に沿つて移
動する際に磁性材料が斜方入射蒸着され磁性膜24が形
成される。この際磁性膜24の斜方入射の方向は磁性膜
22の斜方入射の方向と逆に成つている。こうして本発
明によれば、斜方入射磁性膜に中間層を介在させた多層
構造の磁気テープが容易に製造することができる。本発
明における蒸発源加熱方法としては抵抗加熱法、レーザ
ービーム加熱法、高周波加熱方法、電子ビーム加熱法等
いずれの方法も用いうる。
蒸発物質の供給方法として線状材料を加熱源に送り出す
方法も使用てきる。さらに第1図に示した蒸着系を数段
設けて磁性層と中間層の積層を繰返し蒸着するようにし
ても良い。
また中間層の形成に当つても単なる真空蒸着では無くイ
オンプレーテングにより形成できるようにしても良い。
以上のように本発明の真空蒸着方法によれば、従来の方
法よりも蒸着効率良く斜方入射蒸着が行えると共に多層
構成の蒸着が容易で、例えば蒸着型磁気記録媒体を製造
する上でその産業性は大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による真空蒸着方法の実施態様を示し、
第2図は本発明の真空蒸着方法によつて゛製造される磁
気記録媒体の1実施例を示している。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 真空雰囲気内でシリンダー状キヤンの周面に沿つて
    移動するテープ状基体に真空蒸着を行なう方法において
    、少なくとも2個のシリンダー状キヤンを極く狭い隙間
    を介して隣接せしめ、該シリンダー状キヤンを同一方向
    に回転させつつ該隙間を通してテープ状基体を移動させ
    、該隙間下方に配置された蒸発源より該テープ状基体に
    斜方入射蒸着を行なうと共に、該隙間上方に別のシリン
    ダー状キヤンおよび蒸発源を配設せしめて斜方入射蒸着
    膜に対して中間層を形成させるようにした事を特徴とす
    る真空蒸着方法。
JP4717480A 1979-12-10 1980-04-10 真空蒸着方法 Expired JPS6043915B2 (ja)

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JP4717480A JPS6043915B2 (ja) 1980-04-10 1980-04-10 真空蒸着方法
DE19803046564 DE3046564A1 (de) 1979-12-10 1980-12-10 "verfahren und vorrichtung zur vakuum-bedampfung"

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JPS56142869A JPS56142869A (en) 1981-11-07
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6349658A (ja) * 1986-08-20 1988-03-02 Takagi Ind Co Ltd 暖房用等の放熱系統を備えた浴槽給湯追焚装置

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JP2007273210A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜の製造装置及びこの装置を用いた薄膜の製造方法

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