JPH0123853B2 - - Google Patents
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- JPH0123853B2 JPH0123853B2 JP55046083A JP4608380A JPH0123853B2 JP H0123853 B2 JPH0123853 B2 JP H0123853B2 JP 55046083 A JP55046083 A JP 55046083A JP 4608380 A JP4608380 A JP 4608380A JP H0123853 B2 JPH0123853 B2 JP H0123853B2
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Description
本発明は高密度磁気記録用として好適な金属薄
膜形の磁気記録媒体及びその製造装置に関する。 高密度磁気記録技術は、磁気記録装置における
記録再生方式、走行系、磁気ヘツドおよび磁気記
録媒体等の改良により、近年、急速に進歩しつつ
ある。その中で、磁気記録媒体においては、主
に、保磁力を大きくすること、残留磁束密度を大
きくして媒体の厚さを極力薄くすること等によ
り、高密度磁気記録の要求に応えてきた。しか
し、従来実用化されている強磁性粉末と有機バイ
ンダから成る磁気記録媒体では、残留磁束密度を
3000〜4000ガウス以上に大きくすることは不可能
に近く、磁気記録密度の高度化に限界を生じてい
た。そこで、有機バインダを含まない金属薄膜形
の磁気記録媒体が最近注目され始めている。この
金属薄膜形の磁気記録媒体は、鉄族元素の単体、
合金もしくは鉄族以外の第三元素を含んだ合金等
を、真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イング、イオンビーム蒸着あるいは電気化学的方
法等で粒子化して非磁性の基体上に付着させ、金
属薄膜を形成することによつて得られる。これら
の方法の中で、工業規模で、均一な長尺の磁気記
録媒体を得る技術としては、真空蒸着方法が最も
先行している。真空蒸着方法で保磁力を高め、角
型性を向上させる方法として、 (イ) 斜め蒸着 (ロ) 磁場中蒸着 (ハ) 下地材料による制御 (ニ) 熱処理による結晶成長 等が提案されている。これらの方法のうちで最も
効果的で、実用的な方法は、特公昭41−19389号
公報に開示された斜め蒸着方法が挙げられる。こ
の方法は、第１図に示すように、金属粒子１を、
基体２の面における法線３に対して、入射角θで
斜めに付着させて金属薄膜を形成する方法であ
る。この方法において、入射角θを一定に保つた
まま多層化した場合には、各層間の金属粒子が同
一方向に異なつて、見掛け上の長さが延び、形状
異方性が大きくなるため、保磁力が増大する。 しかし、金属薄膜を多層化し、保磁力を高めよ
うとすると、その層数に応じて真空蒸着を繰返し
行なわなければならないため、生産性が悪く、製
造コストが高くつくという欠点がある。この欠点
を避けようとすれば、金属薄膜の層数を減少させ
なければならず、必然的に磁気特性、電磁変換特
性が低下してしまう。 本発明は上述する従来の欠点を除去し、斜め蒸
着による金属薄膜形磁気記録媒体を能率よく製造
する装置を提供し、併せて磁気特性および電磁変
換特性の優れた磁気記録媒体を実現することを目
的とする。 上記目的を達成するため、本発明は、基体上に
金属薄膜を有する磁気記録媒体において、前記金
属薄膜は、鉄またはコバルト−ニツケル系合金の
何れかでなり、前記基体の面に対して同一方向に
傾斜するように成長させた複数の金属粒子が連続
して一連に連なつていて、各金属粒子の成長方向
と前記基体の面における法線とのなす角が前記基
体から離れた金属粒子ほど漸次大きくなる層と、
前記基体の面に対して同一方向に傾斜するように
成長させた複数の金属粒子が連続して一連に連な
つていて、各金属粒子の成長方向と前記基体の面
における法線とのなす角が前記基体から離れた金
属粒子ほど漸次小さくなる層との積層によつて構
成されおり、前記金属薄膜の全体の厚みＤは、
0.07〜0.4μｍであり、前記２つの層の金属粒子で
構成される金属粒子列は、前記金属薄膜の全体の
厚みをＤ、前記基体の長さ方向で見た前記金属粒
子列の距離をＬとして、 0.7≦Ｄ／Ｌ≦1.4 を満足することを特徴とする。 上記構成になる磁気記録媒体は、金属粒子が成
長方向を変えながら磁性に寄与し、しかも、見か
け上の長さが延び、形状異方性が高くなり、磁気
特性及び電磁変換特性が向上すると共に、生産性
が高くなる。 また、本発明に係る磁気記録媒体製造装置は、
真空雰囲気内に、キヤンの円形外周面に沿つて移
動する基体と、強磁性材料を蒸発母材とする蒸発
源とを対向して配設し、前記蒸発源からの蒸気流
を前記キヤン上の前記基体に斜めに入射させるよ
うにした装置において、前記蒸発源１個に対し前
記キヤンは２個設けられ、前記２個のキヤンは前
記蒸発源からの中心軸の高さが互いにほぼ等し
く、かつ、互いにほぼ平行となるように配置し、
前記基体は前記第１のキヤンの外周面に沿つて移
動した後、第２のキヤンの外周面に沿つて移動す
るように配置し、前記２個のキヤンと前記蒸発源
との間には前記キヤン毎の蒸気流通過用のスリツ
トを設けた仕切板を配置し、前記キヤンに対する
前記蒸発源及び前記スリツトの位置を、前記基体
に対する前記蒸発源からの蒸気流の入射が、第１
のキヤンでは低入射角より始まり、第２のキヤン
では高入射角より始まるように設定したことを特
徴とする。 上記製造装置によれば、本発明に係る磁気記録
媒体を能率良く製造できる。 以下実施例たる添付図面を参照して本発明の内
容を具体的に説明する。 第２図は本発明に係る磁気記録媒体の製造装置
の一実施例における概略正面断面図である。図に
おいて４は真空雰囲気を形成するための真空槽で
ある。該真空槽４の内部は仕切板５によつて２室
６，７に分割されている。仕切板５のほぼ中央部
には、蒸気流の流入路となるスリツトd1，d2を設
けてある。 この仕切板５によつて仕切られた上室６内に
は、ポリエステルフイルム等の非磁性かつ長尺の
基体８を走行させる走行系９が設けられている。
走行系９は、基体８の捲取軸１０、繰出軸１１、
２個の円筒状キヤン１２，１３およびローラ１４
等で構成され、繰出軸１１から導出された基体８
は、キヤン１２の円形外周面→ローラ１４→円筒
状キヤン１３の円形外周面に順次連接して、巻取
軸１０に導かれ、巻取軸１０、繰出軸１１のａ方
向またはｂ方向への回転につれて、同方向に所定
の速度で移動できるようになつている。 前記キヤン１２，１３の各々は、中心軸の高さ
が互に等しく、かつ互に平行であるようにして、
極力近接するように設けられている。 また、仕切板５の下方に設けた下室７内には、
前記２つのキヤン１２，１３から等しい距離に、
１個の蒸発源１５を配設してある。この蒸発源１
５に関してはその種類は問わないが、この実施例
では電子ビーム方式を模式的に示した。すなわ
ち、水冷銅ハース１６内の蒸発母材１７を、電子
発生源１８を動作させたとき発生する加速電子ビ
ームにより加熱し、これを気化させるものであ
る。前記蒸発母材１７としては、コバルト、ニツ
ケルまたは鉄等の鉄族元素の単体、合金もしくは
鉄族以外の第三元素を含んだ合金等によつて構成
される。 なお、図中１９，２０は排気口である。 上記構造の装置において、蒸発母材１７からの
蒸気流は、仕切板５のスリツトd1，d2を通つて、
キヤン１２，１３の外周面に沿つて移動する基体
８上に入射し、金属粒子として付着する。蒸発源
１５からスリツトd1，d2を見込んだ平面角度を
α1，α2とすると、蒸気流はこの角度α1，α2の広が
りをもつてキヤン１２，１３上の基体８に入射し
付着するから、キヤン１２，１３上の基体８に
は、角度α1，α2に応じた中心角β1，β2の蒸気流付
着領域が生じる。 基体８がキヤン１２，１３上を矢印ａ方向に移
動する場合、まず第１のキヤン１２では、基体８
が蒸発源１５からの蒸気流に晒され始める点P1
において、基体８の法線Ｎに対する蒸気流の入射
角θが最も小さく、基体８がａ方向に移動するに
つれて入射角θは次第に大きくなる。 一方、第２のキヤン１３では、基体８が再度蒸
気流に晒され始める点P2において、入射角θが
最も大きく、基体８がａ方向に移動するにつれて
入射角θは次第に小さくなる。したがつて、この
装置によつて得られる磁気記録媒体の金属薄膜Ｍ
は、第３図に例示するように、基体８の面に対し
て同一方向に傾斜するように成長させた複数の金
属粒子Ｑが連続して一連に連なつていて、各金属
粒子Ｑの成長方向と基体８の面における法線Ｎと
のなす角θが、基体８から離れた金属粒子Ｑほど
漸次大きくなる層M1と、基体８から離れた金属
粒子Ｑほど漸次小さくなる層M2とを積層した構
造となる。 金属薄膜Ｍの全体の厚みＤは、0.07〜0.4μｍの
範囲に設定する。また、２つの層M1，M2の金属
粒子Ｑによつて構成される金属粒子列は、金属薄
膜Ｍの全体の厚みをＤ、基体８の長さ方向で見た
金属粒子列の距離をＬとして、 0.7≦Ｄ／Ｌ≦1.4 を満足するように形成する。厚みＤ及び比（Ｄ／
Ｌ）は、第２図の製造装置において、キヤン１
２，１３の周速、蒸気流の入射角及び膜形成速度
を調整することによつてコントロールできる。基
体８の面における法線Ｎに対する金属粒子Ｑの成
長方向角度θも、これらの関係を満足するように
設定される。 第４図は金属薄膜の厚みＤに対する保磁力
（Oe）及び磁束密度（Gauss）の関係を示すグラ
フで、曲線Ａが保磁力特性を示し、曲線Ｂが磁束
密度特性を示している。このデータは（Ｄ／Ｌ）
を約１としたときのデータである。データを得る
に当つては、厚みＤを変化させたとき、（Ｄ／Ｌ）
が約１となるように、距離Ｌも同時に調整した。 第４図のデータから明らかなように、金属薄膜
の厚みＤがＤ＜0.07μｍとなる範囲では、磁束密
度が900（Gauss）以下に急激に低下している。こ
のことは、Ｄ＜0.07μｍでは、感度が鈍くなり、
記録信号が充分に記録できなくなることを意味す
る。この磁束密度の低下は、金属薄膜Ｍが薄くな
り過ぎ、金属薄膜中の酸素濃度が高すぎて、粗な
膜になること、磁化成分の絶対量が不足してしま
うこと等に起因しているものと推測される。ま
た、データには示されていないが、Ｄ＜0.07μｍ
の範囲では、金属薄膜形成時の結合エネルギーが
小さくなつて膜強度が低下するという欠点も生じ
る。 次に、0.04μｍ＜Ｄの範囲では、磁束密度が高
くなる方向であるのに対し、保磁力が急激に小さ
くなる方向であるため、磁束密度特性と保磁力特
性のバランスが著しく崩れる。このことは、磁気
記録再生時にノイズが増えることを意味する。ま
た、結晶径が大きくなつて膜が緻密にならないこ
と、膜強度が低下し、膜のクラツク、ケズレが起
き易くなること、金属薄膜と磁気ヘツドとの摩擦
が高くなること、カツピングが大きくなること
と、耐蝕性が低下すること、更に、製造に要する
時間が長くなりコスト高になること等の欠点を生
じる。 金属薄膜の厚みＤを0.07〜0.4μｍの範囲となる
ように設定すると、第４図のデータに示す如く、
バランスのとれた高い磁束密度及び保磁力が得ら
れ、しかも物性的に優れた金属薄膜が得られるの
で、上述の問題点を回避できる。 また、上述の厚み0.07〜0.4μｍ内で、見かけ上
の形状異方性を高くし、磁気特性及び電磁変換特
性を向上させると共に、生産性を高めるため、 0.7≦Ｄ／Ｌ≦1.4 を満足するように設定する。比（Ｄ／Ｌ）が0.7
よりも小さくなると、保持力が低下し、磁気特性
及び電磁変換特性が悪くなり、また、1.4を超過
すると生産性が悪くなる。 このような構造であると、磁気特性、電磁変換
特性の優れた磁気記録媒体が得られることがわか
つた。これは、金属粒子Ｑが方向を連続的に変え
ながら一連に連なつて磁性に寄与し、また、見か
け上の長さが延び、形状異方性が高くなるためと
考えられる。 さらに、２個のキヤン１２，１３により、一工
程で２層の金属薄膜を形成できるから、金属薄膜
形成効率をキヤン１個の場合の２倍程度まで向上
させることができる。 次に、本発明に係る装置を用いて得られた磁気
記録媒体の具体例について、実施例をあげて説明
する。実施例においては、円筒状キヤン１２，１
３の径、蒸発源１５の種類、キヤン１２，１３と
蒸発面との位置関係を種々変えてみた。 実施例 １ 第２図の装置において、次の条件に設定する。 基体：厚み12μｍのポリエステルフイルム 蒸発母材１７：CO／Ni＝80／20（重量比） 上室６の圧力：１×10-2〜１×10-3Torr 下室７の圧力：１×10-5〜１×10-6Torr 膜形成速度：2000Å／分 ただし基体６の走行速度＝０とした場合 基体走行速度：40cm／分 基体の移動方向：ａ方向 キヤンの温度：70〜80℃ キヤン１２に入る蒸気流の最小入射角θが60゜
になるように、仕切板５をセツトした。キヤン１
３には蒸気流が流入しないように仕切板５をセツ
トした。こうして得られた磁気記録媒体をサンプ
ルA1とする。 次にキヤン１２の仕切板５はそのままとし、キ
ヤン１３に対する蒸気流の入射角θが60゜となる
ように仕切板５をセツトして、サンプルB1の磁
気記録媒体を得た。得られたサンプルB1の
（Ｄ／Ｌ）は約１である。 実施例 ２ 蒸発母材を鉄Feの単体とした他は、実施例１
と同一の条件、サンプル作成手順に従つた。得ら
れた磁気記録媒体のサンプルを実施例１に做つて
A2、B2とする。 上記実施例１、２におけるサンプルA1、A2、
B1、B2の特性値を表１に示す。
膜形の磁気記録媒体及びその製造装置に関する。 高密度磁気記録技術は、磁気記録装置における
記録再生方式、走行系、磁気ヘツドおよび磁気記
録媒体等の改良により、近年、急速に進歩しつつ
ある。その中で、磁気記録媒体においては、主
に、保磁力を大きくすること、残留磁束密度を大
きくして媒体の厚さを極力薄くすること等によ
り、高密度磁気記録の要求に応えてきた。しか
し、従来実用化されている強磁性粉末と有機バイ
ンダから成る磁気記録媒体では、残留磁束密度を
3000〜4000ガウス以上に大きくすることは不可能
に近く、磁気記録密度の高度化に限界を生じてい
た。そこで、有機バインダを含まない金属薄膜形
の磁気記録媒体が最近注目され始めている。この
金属薄膜形の磁気記録媒体は、鉄族元素の単体、
合金もしくは鉄族以外の第三元素を含んだ合金等
を、真空蒸着、スパツタリング、イオンプレーテ
イング、イオンビーム蒸着あるいは電気化学的方
法等で粒子化して非磁性の基体上に付着させ、金
属薄膜を形成することによつて得られる。これら
の方法の中で、工業規模で、均一な長尺の磁気記
録媒体を得る技術としては、真空蒸着方法が最も
先行している。真空蒸着方法で保磁力を高め、角
型性を向上させる方法として、 (イ) 斜め蒸着 (ロ) 磁場中蒸着 (ハ) 下地材料による制御 (ニ) 熱処理による結晶成長 等が提案されている。これらの方法のうちで最も
効果的で、実用的な方法は、特公昭41−19389号
公報に開示された斜め蒸着方法が挙げられる。こ
の方法は、第１図に示すように、金属粒子１を、
基体２の面における法線３に対して、入射角θで
斜めに付着させて金属薄膜を形成する方法であ
る。この方法において、入射角θを一定に保つた
まま多層化した場合には、各層間の金属粒子が同
一方向に異なつて、見掛け上の長さが延び、形状
異方性が大きくなるため、保磁力が増大する。 しかし、金属薄膜を多層化し、保磁力を高めよ
うとすると、その層数に応じて真空蒸着を繰返し
行なわなければならないため、生産性が悪く、製
造コストが高くつくという欠点がある。この欠点
を避けようとすれば、金属薄膜の層数を減少させ
なければならず、必然的に磁気特性、電磁変換特
性が低下してしまう。 本発明は上述する従来の欠点を除去し、斜め蒸
着による金属薄膜形磁気記録媒体を能率よく製造
する装置を提供し、併せて磁気特性および電磁変
換特性の優れた磁気記録媒体を実現することを目
的とする。 上記目的を達成するため、本発明は、基体上に
金属薄膜を有する磁気記録媒体において、前記金
属薄膜は、鉄またはコバルト−ニツケル系合金の
何れかでなり、前記基体の面に対して同一方向に
傾斜するように成長させた複数の金属粒子が連続
して一連に連なつていて、各金属粒子の成長方向
と前記基体の面における法線とのなす角が前記基
体から離れた金属粒子ほど漸次大きくなる層と、
前記基体の面に対して同一方向に傾斜するように
成長させた複数の金属粒子が連続して一連に連な
つていて、各金属粒子の成長方向と前記基体の面
における法線とのなす角が前記基体から離れた金
属粒子ほど漸次小さくなる層との積層によつて構
成されおり、前記金属薄膜の全体の厚みＤは、
0.07〜0.4μｍであり、前記２つの層の金属粒子で
構成される金属粒子列は、前記金属薄膜の全体の
厚みをＤ、前記基体の長さ方向で見た前記金属粒
子列の距離をＬとして、 0.7≦Ｄ／Ｌ≦1.4 を満足することを特徴とする。 上記構成になる磁気記録媒体は、金属粒子が成
長方向を変えながら磁性に寄与し、しかも、見か
け上の長さが延び、形状異方性が高くなり、磁気
特性及び電磁変換特性が向上すると共に、生産性
が高くなる。 また、本発明に係る磁気記録媒体製造装置は、
真空雰囲気内に、キヤンの円形外周面に沿つて移
動する基体と、強磁性材料を蒸発母材とする蒸発
源とを対向して配設し、前記蒸発源からの蒸気流
を前記キヤン上の前記基体に斜めに入射させるよ
うにした装置において、前記蒸発源１個に対し前
記キヤンは２個設けられ、前記２個のキヤンは前
記蒸発源からの中心軸の高さが互いにほぼ等し
く、かつ、互いにほぼ平行となるように配置し、
前記基体は前記第１のキヤンの外周面に沿つて移
動した後、第２のキヤンの外周面に沿つて移動す
るように配置し、前記２個のキヤンと前記蒸発源
との間には前記キヤン毎の蒸気流通過用のスリツ
トを設けた仕切板を配置し、前記キヤンに対する
前記蒸発源及び前記スリツトの位置を、前記基体
に対する前記蒸発源からの蒸気流の入射が、第１
のキヤンでは低入射角より始まり、第２のキヤン
では高入射角より始まるように設定したことを特
徴とする。 上記製造装置によれば、本発明に係る磁気記録
媒体を能率良く製造できる。 以下実施例たる添付図面を参照して本発明の内
容を具体的に説明する。 第２図は本発明に係る磁気記録媒体の製造装置
の一実施例における概略正面断面図である。図に
おいて４は真空雰囲気を形成するための真空槽で
ある。該真空槽４の内部は仕切板５によつて２室
６，７に分割されている。仕切板５のほぼ中央部
には、蒸気流の流入路となるスリツトd1，d2を設
けてある。 この仕切板５によつて仕切られた上室６内に
は、ポリエステルフイルム等の非磁性かつ長尺の
基体８を走行させる走行系９が設けられている。
走行系９は、基体８の捲取軸１０、繰出軸１１、
２個の円筒状キヤン１２，１３およびローラ１４
等で構成され、繰出軸１１から導出された基体８
は、キヤン１２の円形外周面→ローラ１４→円筒
状キヤン１３の円形外周面に順次連接して、巻取
軸１０に導かれ、巻取軸１０、繰出軸１１のａ方
向またはｂ方向への回転につれて、同方向に所定
の速度で移動できるようになつている。 前記キヤン１２，１３の各々は、中心軸の高さ
が互に等しく、かつ互に平行であるようにして、
極力近接するように設けられている。 また、仕切板５の下方に設けた下室７内には、
前記２つのキヤン１２，１３から等しい距離に、
１個の蒸発源１５を配設してある。この蒸発源１
５に関してはその種類は問わないが、この実施例
では電子ビーム方式を模式的に示した。すなわ
ち、水冷銅ハース１６内の蒸発母材１７を、電子
発生源１８を動作させたとき発生する加速電子ビ
ームにより加熱し、これを気化させるものであ
る。前記蒸発母材１７としては、コバルト、ニツ
ケルまたは鉄等の鉄族元素の単体、合金もしくは
鉄族以外の第三元素を含んだ合金等によつて構成
される。 なお、図中１９，２０は排気口である。 上記構造の装置において、蒸発母材１７からの
蒸気流は、仕切板５のスリツトd1，d2を通つて、
キヤン１２，１３の外周面に沿つて移動する基体
８上に入射し、金属粒子として付着する。蒸発源
１５からスリツトd1，d2を見込んだ平面角度を
α1，α2とすると、蒸気流はこの角度α1，α2の広が
りをもつてキヤン１２，１３上の基体８に入射し
付着するから、キヤン１２，１３上の基体８に
は、角度α1，α2に応じた中心角β1，β2の蒸気流付
着領域が生じる。 基体８がキヤン１２，１３上を矢印ａ方向に移
動する場合、まず第１のキヤン１２では、基体８
が蒸発源１５からの蒸気流に晒され始める点P1
において、基体８の法線Ｎに対する蒸気流の入射
角θが最も小さく、基体８がａ方向に移動するに
つれて入射角θは次第に大きくなる。 一方、第２のキヤン１３では、基体８が再度蒸
気流に晒され始める点P2において、入射角θが
最も大きく、基体８がａ方向に移動するにつれて
入射角θは次第に小さくなる。したがつて、この
装置によつて得られる磁気記録媒体の金属薄膜Ｍ
は、第３図に例示するように、基体８の面に対し
て同一方向に傾斜するように成長させた複数の金
属粒子Ｑが連続して一連に連なつていて、各金属
粒子Ｑの成長方向と基体８の面における法線Ｎと
のなす角θが、基体８から離れた金属粒子Ｑほど
漸次大きくなる層M1と、基体８から離れた金属
粒子Ｑほど漸次小さくなる層M2とを積層した構
造となる。 金属薄膜Ｍの全体の厚みＤは、0.07〜0.4μｍの
範囲に設定する。また、２つの層M1，M2の金属
粒子Ｑによつて構成される金属粒子列は、金属薄
膜Ｍの全体の厚みをＤ、基体８の長さ方向で見た
金属粒子列の距離をＬとして、 0.7≦Ｄ／Ｌ≦1.4 を満足するように形成する。厚みＤ及び比（Ｄ／
Ｌ）は、第２図の製造装置において、キヤン１
２，１３の周速、蒸気流の入射角及び膜形成速度
を調整することによつてコントロールできる。基
体８の面における法線Ｎに対する金属粒子Ｑの成
長方向角度θも、これらの関係を満足するように
設定される。 第４図は金属薄膜の厚みＤに対する保磁力
（Oe）及び磁束密度（Gauss）の関係を示すグラ
フで、曲線Ａが保磁力特性を示し、曲線Ｂが磁束
密度特性を示している。このデータは（Ｄ／Ｌ）
を約１としたときのデータである。データを得る
に当つては、厚みＤを変化させたとき、（Ｄ／Ｌ）
が約１となるように、距離Ｌも同時に調整した。 第４図のデータから明らかなように、金属薄膜
の厚みＤがＤ＜0.07μｍとなる範囲では、磁束密
度が900（Gauss）以下に急激に低下している。こ
のことは、Ｄ＜0.07μｍでは、感度が鈍くなり、
記録信号が充分に記録できなくなることを意味す
る。この磁束密度の低下は、金属薄膜Ｍが薄くな
り過ぎ、金属薄膜中の酸素濃度が高すぎて、粗な
膜になること、磁化成分の絶対量が不足してしま
うこと等に起因しているものと推測される。ま
た、データには示されていないが、Ｄ＜0.07μｍ
の範囲では、金属薄膜形成時の結合エネルギーが
小さくなつて膜強度が低下するという欠点も生じ
る。 次に、0.04μｍ＜Ｄの範囲では、磁束密度が高
くなる方向であるのに対し、保磁力が急激に小さ
くなる方向であるため、磁束密度特性と保磁力特
性のバランスが著しく崩れる。このことは、磁気
記録再生時にノイズが増えることを意味する。ま
た、結晶径が大きくなつて膜が緻密にならないこ
と、膜強度が低下し、膜のクラツク、ケズレが起
き易くなること、金属薄膜と磁気ヘツドとの摩擦
が高くなること、カツピングが大きくなること
と、耐蝕性が低下すること、更に、製造に要する
時間が長くなりコスト高になること等の欠点を生
じる。 金属薄膜の厚みＤを0.07〜0.4μｍの範囲となる
ように設定すると、第４図のデータに示す如く、
バランスのとれた高い磁束密度及び保磁力が得ら
れ、しかも物性的に優れた金属薄膜が得られるの
で、上述の問題点を回避できる。 また、上述の厚み0.07〜0.4μｍ内で、見かけ上
の形状異方性を高くし、磁気特性及び電磁変換特
性を向上させると共に、生産性を高めるため、 0.7≦Ｄ／Ｌ≦1.4 を満足するように設定する。比（Ｄ／Ｌ）が0.7
よりも小さくなると、保持力が低下し、磁気特性
及び電磁変換特性が悪くなり、また、1.4を超過
すると生産性が悪くなる。 このような構造であると、磁気特性、電磁変換
特性の優れた磁気記録媒体が得られることがわか
つた。これは、金属粒子Ｑが方向を連続的に変え
ながら一連に連なつて磁性に寄与し、また、見か
け上の長さが延び、形状異方性が高くなるためと
考えられる。 さらに、２個のキヤン１２，１３により、一工
程で２層の金属薄膜を形成できるから、金属薄膜
形成効率をキヤン１個の場合の２倍程度まで向上
させることができる。 次に、本発明に係る装置を用いて得られた磁気
記録媒体の具体例について、実施例をあげて説明
する。実施例においては、円筒状キヤン１２，１
３の径、蒸発源１５の種類、キヤン１２，１３と
蒸発面との位置関係を種々変えてみた。 実施例 １ 第２図の装置において、次の条件に設定する。 基体：厚み12μｍのポリエステルフイルム 蒸発母材１７：CO／Ni＝80／20（重量比） 上室６の圧力：１×10-2〜１×10-3Torr 下室７の圧力：１×10-5〜１×10-6Torr 膜形成速度：2000Å／分 ただし基体６の走行速度＝０とした場合 基体走行速度：40cm／分 基体の移動方向：ａ方向 キヤンの温度：70〜80℃ キヤン１２に入る蒸気流の最小入射角θが60゜
になるように、仕切板５をセツトした。キヤン１
３には蒸気流が流入しないように仕切板５をセツ
トした。こうして得られた磁気記録媒体をサンプ
ルA1とする。 次にキヤン１２の仕切板５はそのままとし、キ
ヤン１３に対する蒸気流の入射角θが60゜となる
ように仕切板５をセツトして、サンプルB1の磁
気記録媒体を得た。得られたサンプルB1の
（Ｄ／Ｌ）は約１である。 実施例 ２ 蒸発母材を鉄Feの単体とした他は、実施例１
と同一の条件、サンプル作成手順に従つた。得ら
れた磁気記録媒体のサンプルを実施例１に做つて
A2、B2とする。 上記実施例１、２におけるサンプルA1、A2、
B1、B2の特性値を表１に示す。
【表】
表１からわかるように、本発明に係るサンプル
B1、B2は、従来の１キヤン方式によるサンプル
A1、A2に比べて、金属薄膜の塗膜厚さが、約２
倍になつており、効率が２倍も向上している。ま
た保磁力、残留磁束密度等の磁気特性も、サンプ
ルB1、B2の方がサンプルA1、A2より著るしく向
上しており、磁気特性が改善されていることがわ
かる。特に、塗膜厚みがフアクタとならない残留
磁束密度において、サンプルB1、B2が、サンプ
ルA1、A2より優れていることは、本発明による
磁気特性向上の効果を、最も端的に示している。 さらに、市販カセツトレコーダを用いた電磁変
換特性においては、ノイズレベル（バイアスノイ
ズ比較、テープ速度4.75cm／ｓ、Highポジシヨ
ン）で、サンプルB1、B2はサンプルA1、A2に比
べて、それぞれ2.0dB、1.5dBも向上しており、
また333Hzの感度でも、それぞれ３・0dB、2.0dB
も良くなつている。 以上述べたように、本発明は、基体上に金属薄
膜を有する磁気記録媒体において、前記金属薄膜
は、鉄またはコバルト−ニツケル系合金の何れか
でなり、前記基体の面に対して同一方向に傾斜す
るように成長させた複数の金属粒子が連続して一
連に連なつていて、各金属粒子の成長方向と前記
基体の面における法線とのなす角が前記基体から
離れた金属粒子ほど漸次大きくなる層と、前記基
体の面に対して同一方向に傾斜するように成長さ
せた複数の金属粒子が連続して一連に連なつてい
て、各金属粒子の成長方向と前記基体の面におけ
る法線とのなす角が前記基体から離れた金属粒子
ほど漸次小さくなる層との積層によつて構成され
おり、前記金属薄膜の全体の厚みＤは、0.07〜
0.4μｍであり、前記２つの層の金属粒子によつて
構成される金属粒子列は、前記金属薄膜の全体の
厚みをＤ、前記基体の長さ方向で見た前記金属粒
子列の距離をＬとして、 0.7≦Ｄ／Ｌ≦1.4 を満足することを特徴とするから、金属粒子が成
長方向を変えながら磁性に寄与し、しかも、見か
け上の長さが延び、形状異方性が高くなり、磁気
特性及び電磁変換特性に優れ、しかも生産性の高
い磁気記録媒体を提供できる。 また、本発明に係る磁気記録媒体製造装置は、
真空雰囲気内に、キヤンの円形外周面に沿つて移
動する基体と、強磁性材料を蒸発母材とする蒸発
源とを対向して配設し、前記蒸発源からの蒸気流
を前記キヤン上の前記基体に斜めに入射させるよ
うにした装置において、前記蒸発源１個に対し前
記キヤンは２個設けられ、前記２個のキヤンは前
記蒸発源からの中心軸の高さが互いにほぼ等し
く、かつ、互いにほぼ平行となるように配置し、
前記基体は前記第１のキヤンの外周面に沿つて移
動した後、第２のキヤンの外周面に沿つて移動す
るように配置し、前記２個のキヤンと前記蒸発源
との間には前記キヤン毎の蒸気流通過用のスリツ
トを設けた仕切板を配置し、前記キヤンに対する
前記蒸発源及び前記スリツトの位置を、前記基体
に対する前記蒸発源からの蒸気流の入射が、第１
のキヤンでは低入射角より始まり、第２のキヤン
では高入射角より始まるように設定したことを特
徴とするから、本発明に係る磁気記録媒体を能率
良く製造し得る磁気記録媒体製造装置を提供でき
る。
B1、B2は、従来の１キヤン方式によるサンプル
A1、A2に比べて、金属薄膜の塗膜厚さが、約２
倍になつており、効率が２倍も向上している。ま
た保磁力、残留磁束密度等の磁気特性も、サンプ
ルB1、B2の方がサンプルA1、A2より著るしく向
上しており、磁気特性が改善されていることがわ
かる。特に、塗膜厚みがフアクタとならない残留
磁束密度において、サンプルB1、B2が、サンプ
ルA1、A2より優れていることは、本発明による
磁気特性向上の効果を、最も端的に示している。 さらに、市販カセツトレコーダを用いた電磁変
換特性においては、ノイズレベル（バイアスノイ
ズ比較、テープ速度4.75cm／ｓ、Highポジシヨ
ン）で、サンプルB1、B2はサンプルA1、A2に比
べて、それぞれ2.0dB、1.5dBも向上しており、
また333Hzの感度でも、それぞれ３・0dB、2.0dB
も良くなつている。 以上述べたように、本発明は、基体上に金属薄
膜を有する磁気記録媒体において、前記金属薄膜
は、鉄またはコバルト−ニツケル系合金の何れか
でなり、前記基体の面に対して同一方向に傾斜す
るように成長させた複数の金属粒子が連続して一
連に連なつていて、各金属粒子の成長方向と前記
基体の面における法線とのなす角が前記基体から
離れた金属粒子ほど漸次大きくなる層と、前記基
体の面に対して同一方向に傾斜するように成長さ
せた複数の金属粒子が連続して一連に連なつてい
て、各金属粒子の成長方向と前記基体の面におけ
る法線とのなす角が前記基体から離れた金属粒子
ほど漸次小さくなる層との積層によつて構成され
おり、前記金属薄膜の全体の厚みＤは、0.07〜
0.4μｍであり、前記２つの層の金属粒子によつて
構成される金属粒子列は、前記金属薄膜の全体の
厚みをＤ、前記基体の長さ方向で見た前記金属粒
子列の距離をＬとして、 0.7≦Ｄ／Ｌ≦1.4 を満足することを特徴とするから、金属粒子が成
長方向を変えながら磁性に寄与し、しかも、見か
け上の長さが延び、形状異方性が高くなり、磁気
特性及び電磁変換特性に優れ、しかも生産性の高
い磁気記録媒体を提供できる。 また、本発明に係る磁気記録媒体製造装置は、
真空雰囲気内に、キヤンの円形外周面に沿つて移
動する基体と、強磁性材料を蒸発母材とする蒸発
源とを対向して配設し、前記蒸発源からの蒸気流
を前記キヤン上の前記基体に斜めに入射させるよ
うにした装置において、前記蒸発源１個に対し前
記キヤンは２個設けられ、前記２個のキヤンは前
記蒸発源からの中心軸の高さが互いにほぼ等し
く、かつ、互いにほぼ平行となるように配置し、
前記基体は前記第１のキヤンの外周面に沿つて移
動した後、第２のキヤンの外周面に沿つて移動す
るように配置し、前記２個のキヤンと前記蒸発源
との間には前記キヤン毎の蒸気流通過用のスリツ
トを設けた仕切板を配置し、前記キヤンに対する
前記蒸発源及び前記スリツトの位置を、前記基体
に対する前記蒸発源からの蒸気流の入射が、第１
のキヤンでは低入射角より始まり、第２のキヤン
では高入射角より始まるように設定したことを特
徴とするから、本発明に係る磁気記録媒体を能率
良く製造し得る磁気記録媒体製造装置を提供でき
る。
第１図は基体と金属粒子の入射角との関係を示
す図、第２図は本発明に係る磁気記録媒体製造装
置の概略正面断面図、第３図は第２図に示した装
置によつて得られた金属薄膜形磁気記録媒体の構
造を示す図、第４図は金属薄膜の厚みに対する保
磁力（Oe）及び磁束密度（Gauss）の関係を示
すグラフである。 ４……真空槽、１２，１３……キヤン、５……
仕切板、１４……ローラ、８……基体、１５……
蒸発源、９……走行系、１７……蒸発母材、１０
……巻取軸、M1，M2，Ｍ……金属薄膜、１１…
…繰出軸、Ｑ……金属粒子、Ｎ……法線、θ……
入射角。
す図、第２図は本発明に係る磁気記録媒体製造装
置の概略正面断面図、第３図は第２図に示した装
置によつて得られた金属薄膜形磁気記録媒体の構
造を示す図、第４図は金属薄膜の厚みに対する保
磁力（Oe）及び磁束密度（Gauss）の関係を示
すグラフである。 ４……真空槽、１２，１３……キヤン、５……
仕切板、１４……ローラ、８……基体、１５……
蒸発源、９……走行系、１７……蒸発母材、１０
……巻取軸、M1，M2，Ｍ……金属薄膜、１１…
…繰出軸、Ｑ……金属粒子、Ｎ……法線、θ……
入射角。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体上に金属薄膜を有する磁気記録媒体にお
いて、前記金属薄膜は、鉄またはコバルト−ニツ
ケル系合金の何れかでなり、前記基体の面に対し
て同一方向に傾斜するように成長させた複数の金
属粒子が連続して一連に連なつていて、各金属粒
子の成長方向と前記基体の面における法線とのな
す角が前記基体から離れた金属粒子ほど漸次大き
くなる層と、前記基体の面に対して同一方向に傾
斜するように成長させた複数の金属粒子が連続し
て一連に連なつていて、各金属粒子の成長方向と
前記基体の面における法線とのなす角が前記基体
から離れた金属粒子ほど漸次小さくなる層との積
層によつて構成されおり、前記金属薄膜の全体の
厚みＤは、0.07〜0.4μｍであり、前記２つの層の
金属粒子によつて構成される金属粒子列は、前記
金属薄膜の全体の厚みをＤ、前記基体の長さ方向
で見た前記金属粒子列の距離をＬとして、 0.7≦Ｄ／Ｌ≦1.4 を満足することを特徴とする磁気記録媒体。 ２ 真空雰囲気内に、キヤンの円形外周面に沿つ
て移動する基体と、強磁性材料を蒸発母材とする
蒸発源とを対向して配設し、前記蒸発源からの蒸
気流を前記キヤン上の前記基体に斜めに入射させ
るようにした装置において、前記蒸発源１個に対
し前記キヤンは２個設けられ、前記２個のキヤン
は前記蒸発源からの中心軸の高さが互いにほぼ等
しく、かつ、互いにほぼ平行となるように配置
し、前記基体は前記第１のキヤンの外周面に沿つ
て移動した後、第２のキヤンの外周面に沿つて移
動するように配置し、前記２個のキヤンと前記蒸
発源との間には前記キヤン毎の蒸気流通過用のス
リツトを設けた仕切板を配置し、前記キヤンに対
する前記蒸発源及び前記スリツトの位置を、前記
基体に対する前記蒸発源からの蒸気流の入射が、
第１のキヤンでは低入射角より始まり、第２のキ
ヤンでは高入射角より始まるように設定したこと
を特徴とする磁気記録媒体製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608380A JPS56143519A (en) | 1980-04-08 | 1980-04-08 | Magnetic recording medium and manufacturing device |
| US06/246,672 US4387136A (en) | 1980-04-08 | 1981-03-23 | Magnetic recording medium and apparatus for preparing the same |
| DE19813113559 DE3113559A1 (de) | 1980-04-08 | 1981-04-03 | Magnetisches aufzeichnungsmedium und vorrichtung zur herstellung desselben |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608380A JPS56143519A (en) | 1980-04-08 | 1980-04-08 | Magnetic recording medium and manufacturing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56143519A JPS56143519A (en) | 1981-11-09 |
| JPH0123853B2 true JPH0123853B2 (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=12737087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4608380A Granted JPS56143519A (en) | 1980-04-08 | 1980-04-08 | Magnetic recording medium and manufacturing device |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4387136A (ja) |
| JP (1) | JPS56143519A (ja) |
| DE (1) | DE3113559A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57141027A (en) * | 1981-02-24 | 1982-09-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS57143731A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5961013A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS5961014A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS5961105A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS5968815A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-18 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59119532A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59119531A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59119534A (ja) * | 1982-12-26 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59198524A (ja) * | 1983-04-25 | 1984-11-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59198526A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| US4599280A (en) * | 1983-04-25 | 1986-07-08 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
| JPS59203238A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6059536A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁性薄膜作製装置 |
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