JP2897840B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、Coを
主体とした強磁性金属薄膜を蒸着により非磁性基体に支
持させた水平記録型の磁気記録媒体に関する。
<従来の技術> 近年磁気記録媒体はますます高密度化しており、中で
もCoを主体としNi等を添加した強磁性金属薄膜を用いた
磁気記録媒体は、飽和磁束密度が大きくしかも保磁力が
高いので、盛んに研究されている。
この型の磁気記録媒体は種々の変更で製造されるが、
特に優れた方法としては、非磁性基体上に斜め蒸着法に
より強磁性金属薄膜を2層以上積層して多層構造とする
ことが提案されている。斜め蒸着法においては、強磁性
金属薄膜各層は、蒸着等の気相法により強磁性金属の蒸
気を非磁性基体の表面に特定の角度で差し向け、これに
より強磁性金属の柱状結晶粒を他の強磁性金属薄膜の柱
状結晶粒の成長方法と交差した特定の方向に成長させる
(特公昭56−26891、56−42055、63−21254および60−3
7528、特開昭54−603、54−147010、56−94520、57−32
33、57−30228、57−13519、57−141027、57−41028、5
7−141029、57−143730、57−143731、57−147129、58
−14324、58−50628、60−76025、61−110333、61−187
122、63−10315、63−10315、63−13117、63−14317、6
3−14320および63−39127号公報等)。これにより保磁
力その他の電磁変換特性、あるいは機械特性が向上する
が、なお不十分であった。
本発明者らは、これらのうちの水平記録用の磁気記録
媒体を種々の点から検討したところ、各強磁性金属薄膜
における柱状粒子の成長方向およびそれらの相互関係、
厚さおよびそれらの相互関係の検討が充分でなく、電磁
変換特性および耐久性が不充分であったことを見出し
た。
このような問題点を解決するために本出願人は柱状粒
子の成長方向が交差する2層のCo−Ni系強磁性金属薄膜
を有する磁気記録媒体において、上層を薄く下層を厚く
することにより電磁変換特性および耐久性を改善し、さ
らに走行性を改善した(特開昭63−9015号公報)。
しかし、このものは走行性と耐久性は向上するもの
の、電磁変換特性の向上が不十分である。
また、他の試みとして、同様な2層型磁気記録媒体に
おいて最小入射角(各強磁性金属薄膜の最終蒸着部分に
おける金属粒子の入射方向と非磁性基体の法線とのなす
角度)を調整することにより、電磁変換特性と耐久性を
向上させることを提案した(特開昭63−10314号公
報)。
しかし、上層の最小入射角が比較的大きいことおよび
2層であることにより耐久性とくに高温高湿下の耐久性
に劣り、また電磁変換特性が十分でなかった。
さらに、3層以上の強磁性金属薄膜を有する斜め蒸着
型の磁気記録媒体では、各強磁性金属薄膜の厚さの検討
がなくまた金属粒子の入射角が大きすぎるために充分な
電磁変換特性を得ることができなかったり、あるいは耐
湿耐温度性に劣る問題があり(特開昭56−134317号公
報)、各層がほぼ同一の500〜700Åの厚さを有すると共
に強磁性金属の入射角が各層とも22〜72度と大きい角度
を有するために耐食性に劣る問題があったり(特開昭53
−60205号公報)、最上層の強磁性金属薄膜を酸化して
酸化物にして耐久性を増すと、酸化物による電磁変換特
性の低下が生じる問題などがある(特開昭63−39127号
公報、特開昭63−10315号公報)。
<発明が解決しようとする課題> 本発明はこのような事情からなされたものであり、多
層の強磁性金属薄膜を有する斜め蒸着型磁気記録媒体で
あって、高い電磁変換特性と高温高湿下での耐久性を共
に満足する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
<課題を解決するための手段> 上記目的は、下記(1)〜(4)の本発明により達成
される。
(1)非磁性基体上に斜め蒸着法により形成されたCoを
主成分とする磁性層を有し、この磁性層が少なくとも2
層の強磁性金属薄膜から構成されている磁気記録媒体で
あって、 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体
表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最大値
をθmax、入射角の最小値をθminとすると、 最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜
蒸着時のθmaxより小さいθmaxにおいて蒸着されてお
り、 最上層蒸着時および最下層蒸着時のθminがそれぞれ2
0〜60度および10〜50度であり、 最上層蒸着時および最下層蒸着時のθmaxがそれぞれ8
0〜90度および31〜89度である磁気記録媒体。
(2)非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性
層を有し、この磁性層が少なくとも2層のCoを主成分と
する強磁性金属薄膜から構成されている磁気記録媒体で
あって、 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体
表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最大値
をθmax、入射角の最小値をθminとすると、 最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜
蒸着時のθminより大きいθminにて、また 最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜
蒸着時のθmaxより小さいθmaxにて蒸着された磁気記録
媒体。
(3)最上層の強磁性金属薄膜蒸着時のθmaxとθminと
の合計が、最下層蒸着時のθmaxとθminとの合計よりも
大きい上記(1)または(2)の磁気記録媒体。
(4)強磁性金属が入射する方向が前記非磁性基体の法
線を挟んで交差するように蒸着された2層の強磁性金属
薄膜を有する上記(1)〜(3)のいずれかの磁気記録
媒体。
斜め蒸着型の磁気記録媒体の強磁性金属薄膜形成にお
いては、回転する円筒状の冷却ドラム表面に非磁性基体
を添わせて搬送しながら、定置された強磁性金属源に電
子ビーム等を照射して蒸着を行なう。
このとき、強磁性金属が入射する方向と非磁性基体表
面の法線とがなす角度を入射角と呼び、通常、蒸着開始
から終了まで入射角が漸減するように蒸着する。従っ
て、非磁性基体上に形成された強磁性金属薄膜中の柱状
結晶粒子は、非磁性基体側ではほぼ非磁性基体表面と平
行であり、非磁性基体表面から離れるに従って弧状に成
長している。
蒸着時の入射角の最大値および最小値を、それぞれ最
大入射角θmaxおよび最小入射角θminと称する。なお、
θmaxは90度以下であり、蒸着効率はθmaxからθminに
かけて増大する。
磁性層が面内方向に磁化される水平記録型の磁気記録
媒体では、θmaxは90度に設定される。これは、θmaxが
大きいほうが非磁性基体表面に対する柱状結晶粒子の平
行傾きが小さくなり、強磁性金属薄膜面内方向のHcが向
上するためである。
しかし、本発明の第1の態様では、最下層、すなわち
最も非磁性基体に近い強磁性金属薄膜が、最上層蒸着時
のθmaxよりも小さいθmaxにて蒸着される。すなわち、
最下層はθmax90度未満にて蒸着されている。
この理由は下記のとおりである。
非磁性基体は通常、酸素や水分を含み、これらが基体
表面から強磁性金属薄膜中に侵入する。このため、強磁
性金属薄膜は非磁性基体側から腐食が進行し易い。
本発明者らは実験を重ねた結果、θmax90度付近、す
なわち非磁性基体表面と平行に強磁性金属が入射した部
分では蒸着効率が低いため、柱状結晶粒子の径が小さく
なって各粒子間に空隙が生じていることを見いだし、こ
の空隙から非磁性基体中の酸素や水分が侵入し、腐食が
進行することを知見した。
そこで、本発明は、最下層を上記のようなθmaxにて
蒸着することにより前記空隙の発生を抑え、耐食性が極
めて良好な磁気記録体を得るものである。また、空隙が
減少するので薄膜中の強磁性金属の充填率が向上し、高
い飽和磁化が得られる。
しかも、本発明では2層以上の強磁性金属薄膜を蒸着
しているので、例えばHi−8規格のビデオ記録のように
低域信号(0.75MHzの色信号)と高域信号(7.0MHzの輝
度信号)とが重畳記録される場合、通常、最下層には主
として低域信号が記録されるため、最下層を小さいθma
xにて蒸着してHcが低くなった場合でも、かえって低域
信号に関する電磁変換特性は向上する。
さらに、最上層蒸着時のθmaxは最下層蒸着時のθmax
より大きくなるので、最上層のHcが向上し、高域信号の
電磁変換特性が向上する。従って、全域において高い電
磁変換特性が得られ、しかも高い耐食性が実現する。
また、本発明の第2の態様では、最上層の強磁性金属
薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸着時のθminより大
きいθminで蒸着されている。
θminも柱状結晶粒子の傾きに関与し、θminが大きい
と柱状結晶粒子の平均傾きは小さくなるのでHcが向上す
る。一方、θminが小さいと平均傾きは大きくなり、ま
た、柱状結晶粒子の大部分が高い効率で蒸着されるので
柱状結晶粒子の径が均一に近くなり、各柱状結晶粒子間
に空隙が生じにくくなって緻密な膜が得られる。
このため、本発明では最上層のHcを高くでき、さらに
最下層のHcを相対的に低くできるため、全域に亙って電
磁変換特性を向上させることができ、しかも最下層の耐
食性を向上させることができる。
さらに、この場合、最下層蒸着時のθmaxと最上層蒸
着時のθmaxとが上記した関係であれば、電磁変換特性
および耐食性は極めて高いものとなる。
そして、上記各場合において、最上層の強磁性金属薄
膜蒸着時のθmaxとθminとの合計が、最下層蒸着時のθ
maxとθminとの合計よりも大きい場合、より高い電磁変
換特性および耐食性が実現する。
<具体的構成> 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。
[非磁性基体] 本発明で用いる非磁性基体の材質に特に制限はなく、
強磁性金属薄膜蒸着時の熱に耐える各種フィルム、例え
ばポリエチレンテレフタレート等を用いることができ
る。
また、特開昭63−10315号公報に記載の各種材料が使
用可能である。
[磁性層] 非磁性基体上に形成される磁性層は、Coを主成分と
し、斜め蒸着法により形成される2層以上の強磁性金属
薄膜から構成される。
本発明の第1の態様では、最下層の強磁性金属薄膜
が、最上層の強磁性金属薄膜蒸着時のθmaxより小さい
θmaxにて蒸着されている。
このような構成により耐食性および電磁変換特性が共
に向上する。
この場合、最上層蒸着時のθmaxは80〜90度、特に85
〜90度であることが好ましく、最下層蒸着時のθmaxは3
1〜89度、特に60〜84度であることが好ましい。
また、本発明の第2の態様では、最上層の強磁性金属
薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸着時のθminより大
きいθminにて蒸着されている。
このような構成によっても耐食性および電磁変換特性
が共に向上する。
この場合、最上層蒸着時のθminは20〜60度、特に31
〜60度である最下層蒸着時のθminは10〜50度、特に10
〜30度である。
なお、第1の態様の構成と第2の態様の構成とを共に
備えていることが好ましい。
また、上記各場合において、最上層の強磁性金属薄膜
蒸着時のθmaxとθminとの合計が、最下層蒸着時のθma
xとθminとの合計よりも大きいことが好ましい。
この場合、最上層のθmaxとθminとの合計は100〜150
度、特に116〜150度であることが好ましく、また、最下
層のθmaxとθminとの合計は41〜139度、特に70〜114度
であることが好ましい。
さらに、本発明では、強磁性金属が入射する方向が前
記非磁性基体の法線を挟んで交差するように蒸着された
2層の強磁性金属薄膜を有することが好ましい。この場
合、これら2層では、強磁性金属の柱状結晶粒子の成長
方向が、非磁性基体表面の法線を挟んで交差することに
なる。
このような構成とするには、非磁性基体の走行方向を
逆にして斜め蒸着すればよい。
この場合の2層としては、最上層およびその隣接層で
あるか、あるいは最上層および1層挟んで最上層と隣接
する層であることが好ましい。
このような構成とすることにより、最上層および他の
1層を、それぞれ高域信号記録および低域信号記録に好
適なHcとすることができ、全域に亙って電磁変換特性が
向上する。
強磁性金属薄膜の積層数に特に制限はなく、目的に応
じて2層、3層あるいは4層上の構成を選択すればよ
い。
3層以上の多層構成とする場合、最上層と最下層との
間に存在する中間層は、記録信号の周波数帯域や各層の
厚さなどの各種条件を考慮して、最適なHcや耐食性が得
られるように蒸着時のθmax、θmin、厚さ、柱状結晶粒
の成長方向等を適宜設計すればよい。
例えばHi−8規格のように低域信号と高域信号とが重
畳記録される場合、各層に主として記録される信号の周
波数帯域を考慮して上記各条件を決定すればよい。
磁性層を構成する各強磁性金属薄膜は、Niを含有する
Co−Ni合金であることが好ましく、特にモル比でCoを約
80%、Niを約20%含有する合金が好適である。
また、必要に応じてCrを10%以下含有していてもよ
く、特開昭63−10315号公報等に記載されている各種金
属やその他の金属成分を含有していてもよい。
さらに、必要に応じて少量の酸素を表面層に含有さ
せ、耐食性を向上させることができる。
各強磁性金属薄膜の厚さは、約400〜1000Åであるこ
とが好ましい。最上層の厚さが400Åより薄くなると、
例えば7.0MHz程度の高域信号の記録が十分にできなくな
り出力が低下する。一方1000Åよりも厚くなると雑音が
増えて信号対雑音比が低下する。
なお、磁性層全体の厚さは、2000Å以上であることが
好ましい。これにより例えば0.75MHz程度の低域におけ
る出力を十分に大きくすることができる。
また、低域および高域の双方で高出力を得るために、
最上層から下層に向けて厚さが増加していることが好ま
しい。
各強磁性金属薄膜は、それぞれ斜め蒸着法により形成
される。斜め蒸着装置および方法は、前掲した各種の文
献に記載されているのでそれらのうちから任意のものを
採用すればよい。
斜め蒸着法は、例えば、供給ロールから繰り出された
長尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却ドラムの表
面に添わせて送りながら、一個以上の定置金属源から斜
め蒸着をし、巻き取りロールに巻き取るものである。こ
の場合、入射角は蒸着初期のθmaxから最終のθminまで
連続的に変化し、非磁性基体表面にCoを主成分とする強
磁性金属の柱状結晶粒子を弧状に成長させ、整列させる
ものである。
磁性層を多層構成とする場合は、この工程を繰り返し
て行なう。
そして、強磁性金属が入射する方向が非磁性基体の法
線を挟んで交差するような2層の強磁性金属薄膜を形成
する場合、非磁性基体の走行方向を逆にして斜め蒸着を
行なえばよい。
本発明の磁気記録媒体の磁性層上には、磁性層の保護
および耐食性向上のために公知の種々のトップコート層
が設けられることが好ましい。また、テープ化したとき
の走行性を確保するために、非磁性基体の磁性層と反対
側には公知の種々のバックコート層が設けられることが
好ましい。
本判明の磁気記録媒体は、高密度記録が必要とされる
各種磁気記録に好適であるが、Hi−8規格のビデオ記録
のように高域信号と低域信号とが重畳記録される場合に
特に高い効果を発揮する。
<実施例> 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに
詳細に説明する。
[実施例1] 10-4TorrのAr雰囲気中で、供給ロールから厚さ7μm
のポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを繰り
出して回転する円筒状冷却ドラムの周面に添わせて移動
させ、20at%Ni−Co合金を斜め蒸着して強磁性金属薄膜
を形成し、巻き取りロールに巻き取った。
次いで、この巻き取りロールを供給ロールとし、PET
フィルム表面の法線方向を挟んで上記斜め蒸着時の入射
方向と交差する入射方向にて強磁性金属を斜め蒸着し
て、2層構成の磁性層を有する磁気記録媒体を得た。
上層および下層の強磁性金属薄膜の蒸着時のθminお
よびθmaxを変え、下記表1に示す各サンプルを得た。
各サンプルの上層の厚さは900Å、下層の厚さは1100Å
とした。
これらのサンプルをスリッタにて裁断してテープ化
し、Hi−8規格のビデオカセットとした。
各サンプルについて下記の評価を行なった。
結果を表1に示す。
(1)発錆 60℃・90%RHの環境で1週間保存後、テープの磁性層
側の変色度を目視で判定した。
評価基準は下記のとおりとした。
◎:変化なし ○:薄い黄色に変色 △:黄色に変色 ×:青色に変色 (2)カッピング 60℃・90%RHにて1週間保存した後、テープを平面上
に載置し、テープ幅方向端部のソリ高さhを測定した。
評価基準は下記の通りとした。
◎:|h|=0 ○:0<|h|≦0.2mm △:0.2<|h|<0.5mm ×:|h|≧0.5mm なお、カッピングはテープ幅方向の変形の度合いを示
す指標であり、カッピングが大きいとテープと磁気ヘッ
ドとのスペーシングが一定に保てなくなり、出力変動を
生じる。
(3)電特(7MHzでの電磁変換特性) Hi−8規格VTRのSONY EV−S900を用い、7MHzの単一信
号を記録したときのRF出力を基準テープのRF出力と比較
し、下記の評価基準により判定した。
◎:(RF出力)≧2.0dB ○:0dB≦(RF出力)<2.0dB △:−1.0dB≦(RF出力)<0dB ×:(RF出力)<−1.0dB なお、測定の際の磁気ヘッドの相対的移動方向は、上
層の柱状結晶粒子の成長方向をPETフィルム表面に投影
した方向とした。
(4)ΔBm 60℃・90%RHにて1週間保存後の最大磁化Bmを測定
し、初期のBmに対する増加率を求めた。
(5)D0(ドロップアウト)経時変化 50℃・80%RHにて1週間保存後のドロップアウトを測
定し、初期のドロップアウトに対する増加率を求めた。
なお、出力減少16dB以上が15μsec以上続いたものを
ドロップアウトと判定した。
(6)走行摩擦経時変化 50℃・80%RHにて1週間保存後の動摩擦係数μを測定
し、初期のμに対する増加率を求めた。
なお、サンプルNo.101、102および105は比較用のリフ
ァレンスサンプルであり、上層と下層との形成条件を全
く同一に設定している。
表1に示される結果から、本発明の効果が明らかであ
る。
下層のθmaxが上層のθmaxより小さい本発明のサンプ
ルNo.1では、下層のθmax以外の全ての入射角が同じで
あるサンプルNo.101に比べ耐食性が著しく向上し、ま
た、上層のθmax以外の全ての入射角が同じであるサン
プルNo.105に比べ電磁変換特性が著しく向上している。
また、上層のθminが下層のθminより大きいサンプル
No.2では、上層のθmin以外の全ての入射角が同じであ
るサンプルNo.101に比べ電磁変換特性が著しく向上し、
また、下層のθmin以外の全ての入射角が同じであるサ
ンプルNo.102に比べ耐食性が著しく向上している。
そして、これら両条件を満足するサンプルNo.3では、
耐食性および電磁変換特性のいずれもが極めて高い。
[実施例2] 実施例1に準じて、下記表2に示される3層の強磁性
金属薄膜から構成される磁性層を有する磁気記録媒体サ
ンプルを作製した。
ただし、上層、中間層および下層の厚さは、それぞれ
700Å、700Åおよび700Åとした。
また、表2に示す各層の蒸着方向(柱状結晶粒子の成
長方法)は、その方向をテープ表面に投影したときの方
向がテープに対する磁気ヘッドの相対的移動方向と同方
向のとき+と表示し、逆方向のとき−と表示した。
表2に示す各サンプルについて、実施例1と同様な評
価および下記評価を行なった。結果を表2に示す。
(7)電特(0.75MHzで電磁変換特性) Hi−8規格VTRのSONY EV−S900を用い、0.75MHzの単
一信号を記録したときのRF出力を基準テープのRF出力と
比較し、下記の評価基準により判定した。
◎:(RF出力)≧2.0dB ○:0dB≦(RF出力)<2.0dB △:−1.0dB≦(RF出力)>0dB ×:(RF出力)<−1.0dB 表2に示される結果から、本発明の効果が明らかであ
る。
すなわち、3層構成の磁性層においても、本発明の構
成とすれば耐食性が向上する。
また、電磁変換特性は、低域および高域のいずれに関
しても著しく向上する。
<発明の効果> 本発明の磁気記録媒体は耐食性が極めて良好である。
このため磁気特性の経時変化が極めて少なく、また、こ
のためカッピングの発生が抑えられるので媒体と磁気ヘ
ッドとのスペーシングの経時変化が極めて少ない。さら
に、ドロップアウトやテープ化したときの走行性の経時
変化も極めて少なく、耐久性、信頼性に優れる。
しかも、本発明の磁気記録媒体は低域信号から高域信
号の全域に亙って電磁変換特性が極めて良好である。こ
のため、周波数範囲の広い記録に特に好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 5/66

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】非磁性基体上に斜め蒸着法により形成され
    たCoを主成分とする磁性層を有し、この磁性層が少なく
    とも2層の強磁性金属薄膜から構成されている磁気記録
    媒体であって、 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体表
    面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最大値を
    θmax、入射角の最小値をθminとすると、 最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸
    着時のθmaxより小さいθmaxにて蒸着されており、 最上層蒸着時および最下層蒸着時のθminがそれぞれ20
    〜60度および10〜50度であり、 最上層蒸着時および最下層蒸着時のθmaxがそれぞれ80
    〜90度および31〜89度である磁気記録媒体。
  2. 【請求項2】非磁性基体上に斜め蒸着法により形成され
    た磁性層を有し、この磁性層が少なくとも2層のCoを主
    成分とする強磁性金属薄膜から構成されている磁気記録
    媒体であって、 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体表
    面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最大値を
    θmax、入射角の最小値をθminとすると、 最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸
    着時のθminより大きいθminにて、また 最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸
    着時のθmaxより小さいθmaxにて蒸着された磁気記録媒
    体。
  3. 【請求項3】最上層の強磁性金属薄膜蒸着時のθmaxと
    θminとの合計が、最下層蒸着時のθmaxとθminとの合
    計よりも大きい請求項1または2の磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】強磁性金属が入射する方向が前記非磁性基
    体の法線を挟んで交差するように蒸着された2層の強磁
    性金属薄膜を有する請求項1〜3のいずれかの磁気記録
    媒体。
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