JP3491778B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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JP3491778B2
JP3491778B2 JP32415694A JP32415694A JP3491778B2 JP 3491778 B2 JP3491778 B2 JP 3491778B2 JP 32415694 A JP32415694 A JP 32415694A JP 32415694 A JP32415694 A JP 32415694A JP 3491778 B2 JP3491778 B2 JP 3491778B2
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【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性薄膜を磁性層とす
る磁気記録媒体、特に高い電磁変換特性とスチル特性、
耐久性をともに満足できる磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体はますます高密度化
しており、それに伴い、磁気記録媒体の薄膜化が行なわ
れている。薄膜化が進むと、スチル、耐久性が劣るもの
となり、又低密度領域の再生出力が小さくなる。従来か
ら、電磁変換特性、スチル特性、耐久性及び耐食性を上
げるために、種々の磁気記録媒体が提案されている。例
えば高分子成形物を基材とし、その基材の表面に金、
銀、銅のうちいずれかひとつの材料からなる蒸着層を形
成し、その上に酸素親和性の大きい材料からなる蒸着層
を形成し、さらにその上に磁性層を形成したことを特徴
とする磁気記録媒体(特開昭54−14550号公
報)、基体上に下地膜を形成し、該下地膜の上に、強磁
性金属材料を斜め蒸着させて成膜した磁性層を有する磁
気記録媒体において、上記下地膜は、アルミニウム、ク
ロム、チタン、銅のうちより選ばれる少なくとも1種の
元素を含む金属もしくは合金からなり、上記磁性層はコ
バルトもしくはコバルトを主成分とする強磁性金属材料
からなり、かつ上記基体の法線に対して傾斜した柱状磁
性粒子の集合体からなることを特徴とする磁気記録媒体
(特開平1−124115号公報)、非磁性基体上に、
モース高度5以上の材料をペーパーデポジションするこ
とにより形成された非磁性下地層を有し、該下地層上
に、軟磁性層を介するか、または介さずに、磁気記録磁
性層が設けられていることを特徴とする薄膜型磁気記録
媒体(特開平2−68712号公報)、非磁性基体上に
強磁性金属薄膜を形成してなる磁気記録媒体であって、
前記非磁性の基体と強磁性金属薄膜との間にチタンから
なる下地層を有し、さらに、強磁性金属薄膜の表面にチ
タン層とダイヤモンド状硬質炭素被膜層とを積層して成
る磁気記録媒体(特開平2−179917号公報)、高
分子フィルム基体の表面に薄膜堆積法により形成された
Co酸化膜を有し、さらにその上に薄膜堆積法により形
成された強磁性金属の磁気記録層を有することを特徴と
する磁気記録媒体(特開昭61−294635号公
報)、非磁性基体に酸素含有量の異なる多層の蒸着磁性
層を積層して成る磁気記録媒体(特開平1−20872
0号公報)、非磁性基体上に斜め蒸着法により形成され
た磁性層を有し、この磁性層が少なくとも2層の強磁性
金属薄膜から構成され、この強磁性金属薄膜がCoおよ
びNiを主成分とするか、またはCo、NiおよびCr
を主成分として含有する磁気記録媒体であって、最下層
の強磁性金属薄膜のCo含有率が最上層の強磁性金属薄
膜のCo含有率よりも低いことを特徴とする磁気記録媒
体(特開平4−26914)などが知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の磁気記録媒体、例えば特開昭54−145505号
公報記載の記載の磁気記録媒体、特開平1−12411
5号公報記載の磁気記録媒体、特開平2−68712号
記載の磁気記録媒体および特開平2−179917号公
報記載の記録媒体では、スチル特性、耐久性を上げるた
めに、非磁性基体と強磁性薄膜の間に下地層を設けて、
磁性膜の接着、強度を上げる試みがなされているが、下
層に非磁性膜を設けているために、低密度における再生
出力が低下するものであった。また、前記特開昭61−
294635号記載の磁気記録媒体、特開平1−208
720号公報記載の磁気記録媒体及び特開平4−269
14号公報記載の磁気記録媒体では、強磁性薄膜を多層
化することにより、スチル特性、耐久性及び低密度から
高密度にわたっての再生出力を上げる試みをしている
が、薄層単層に比べると多層化によって高密度における
出力の低下が生じていた。したがって、低密度から高密
度にわたり再生出力の低下がなく、且つスチル特性、耐
久性の満足できる磁気記録媒体の出現が望まれている。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決すべく、鋭意研究の結果、磁気記録媒体におい
て、磁性層が斜め蒸着法によって形成された2層の強磁
性薄膜からなり、最下層及び最上層の強磁性薄膜がそれ
ぞれ特定の飽和磁化、保磁力、膜厚を有し、かつ薄膜の
カラムの成長方向の傾き角度を特定のものとすることに
より、該課題が解決できることを見出し、本発明に到達
した。即ち、本発明は(1)非磁性基体上に斜め蒸着法
により形成された磁性層を有し、この磁性層が2層以上
の強磁性薄膜から構成される磁気記録媒体であって、最
下層の強磁性薄膜の飽和磁化が300emu/cc以下
で、且つ保磁力が1000Oe以下の磁気特性を有し、
最上層の強磁性薄膜の飽和磁化が300emu/cc以
上で、且つ保磁力が1000Oe以上の磁気特性を有
し、最下層の強磁性薄膜の膜厚が300Å乃至1500
Åであり、最上層の強磁性薄膜の膜厚が400Å乃至1
500Åであり、さらに最下層の強磁性薄膜を構成する
柱状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす角度の平均
値θが50度乃至70度の範囲であり、最上層の強磁性
薄膜を構成する柱状結晶粒子の成長方向と基体主面との
なす角度の平均値θが30度乃至50度の範囲であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体、および(2)最下層の強
磁性薄膜がコバルト、ニッケル、鉄の単体、或いはそれ
らの合金と酸素を含有し、酸素の含有率が15原子%以
上であり、最上層の強磁性薄膜がコバルト、ニッケル、
鉄の単体、或いはそれらの合金と酸素を含有し、酸素の
含有率が15原子%以下である上記(1)記載の磁気記
録媒体に関する。
【0005】本発明では斜め蒸着により形成された2層
の強磁性薄膜からなる磁性層を有する。そして最下層の
強磁性薄膜の飽和磁化が300emu/cc以下で、且
つ保磁力が1000Oe以下の磁気特性を有し、最上層
の強磁性薄膜の飽和磁化が300emu/cc以上で、
且つ保磁力が1000Oe以上の磁気特性を有するもの
である。最下層の強磁性薄膜の飽和磁化及び保磁力が前
記の範囲にあるときに特に短波長における電磁変換特性
が優れ、スチルが良い。この飽和磁化が300emu/
ccを超え、保磁力が1000Oeを超えるものでは短
波長における電磁変換特性が劣下し、スチルが悪く、好
ましくない。又、最上層の強磁性薄膜の飽和磁化及び保
磁力が上記の範囲にあるものでは電磁変換特性が優れた
ものとなる。この飽和磁化が300emu/cc未満で
あり、保磁力が1000Oe未満のものは電磁変換特性
が全ての周波数帯域において劣下する。
【0006】さらに本発明では最下層の強磁性薄膜を構
成する柱状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす角度
の平均値θが50度乃至70度の範囲であり、最上層の
強磁性薄膜を構成する柱状結晶粒子の成長方向と基体主
面とのなす角度の平均値θが30度乃至50度であるこ
とを特徴とするものである。該最下層及び最上層の強磁
性薄膜を構成する柱状結晶粒子の成長方向と基体主面と
のなす角度の平均値θが上記の範囲内にあるものは電磁
変換特性及びスチル耐久性に優れたものとなる。この強
磁性薄膜を構成する柱状結晶粒子の成長方向と基体主面
とのなす角度の平均値θが最下層において50度未満の
場合は長波長における電磁変換特性が劣下すると同時
に、スチル耐久性も悪くなり、70度を超えるものでは
短波長の電磁変換特性が悪くなる。又最上層において、
30度未満の場合はスチルが悪くなると同時に成膜効率
が低下し、50度を超えるものは短波長の電磁変換特性
が悪くなる。本発明の強磁性薄膜の膜厚は、最下層では
300Å乃至1500Å、最上層では400Å乃至15
00Åである。非磁性基体としては、通常のものが用い
られ、強磁性金属薄膜蒸着時の熱に耐える各種フィルム
が用いることができる。例えばポリエステル、ポリイミ
ド、アミラド、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテル
ケトン(PEEK)、等のフィルムであり、ポリエチレ
ンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレー
ト(PEN)のフィルム等が用いられる。
【0007】本発明の強磁性薄膜からなる複数層の磁性
層は、例えば非磁性基体フィルムを回転する円筒状冷却
ドラムの周囲上に這わせて移動させ、強磁性金属を酸素
雰囲気下で斜め蒸着して強磁性薄膜を形成し、ロールに
巻き取り、この強磁性薄膜を形成した磁性上に強磁性金
属を酸素雰囲気下で再度斜め蒸着する。そして最下層及
び最上層の磁性層における所望する飽和磁化、保磁力、
薄膜のカラムの成長方向の面内からの角度、膜厚、酸素
量等を調整した強磁性薄膜を形成する。飽和磁化は蒸着
源に用いた材料組成及び導入酸素流量により、又保磁力
は同様に蒸着源に用いた材料組成及び導入酸素流量によ
って調整することができる。又、強磁性薄膜の成長方向
の面内からの角度は成膜時における蒸発粒子の入射方向
を遮蔽板等によって限定することで調整することができ
る。本発明の強磁性薄膜はコバルト、ニッケル、鉄の単
体、或いはそれらの合金であることができ、他にクロ
ム、硼素、炭素、窒素等の元素を含有していてもよい。
最上層の金属強磁性薄膜の組成としては、Coまたは、
Coを主成分とする合金が望ましい。Coを主成分とす
る合金としては、Co−Ni,Co−Fe,Co−C
r,Co−Ni−Cr,Co−Pt−Cr,Co−C
u,Co−Sm,Co−P等が用いられ、Co−Ni合
金が好ましく、特にモル比でCoを約80%以上、Ni
を20%以下含有するものが好ましい。最下層の金属強
磁性薄膜の組成としては、Coまたは、Coを主成分と
する合金、或いは、Niまたは、Niを主成分とする合
金が望ましい。Coを主成分とする合金としては、Co
−Ni,Co−Fe,Co−Cr,Co−Ni−Cr,
Co−Cu,Co−P等が用いられる。Niを主成分と
する合金としてはNi−Co,Ni−Fe等が用いられ
る。又、最上層の金属強磁性薄膜の酸素の含有率は15
原子%以下であることが好ましく、最下層の金属強磁性
薄膜の酸素の含有率は15原子%以上であることが好ま
しい。
【0008】
【作用】非磁性基体上に斜め蒸着法により2層の強磁性
薄膜からなる磁性層を形成し、該磁性層の最下層の強磁
性薄膜の飽和磁化を300emu/cc以下で、保磁力
を1000Oe以下とし、最上層の強磁性薄膜の飽和磁
化を300emu/cc以上、保磁力を1000Oe以
上の磁気特性を有するものとなし、最下層の強磁性薄膜
を構成する柱状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす
角度の平均値θが50度乃至70度であり、最上層のそ
れが30度乃至50度の範囲である磁気記録媒体によ
り、高い電磁変換特性とスチル特性、耐久性を共に満足
できるものとすることができる。
【0009】
【実施例】以下に実施例を説明する。なお、磁気記録テ
ープの特性測定は以下の方法によった。 (1)発錆 60℃90%RHの環境で1週間保存後、テープの磁性
層側の変色度を目視で判定した。評価基準は下記のとお
りにした。 ◎:変化無し ○:薄い黄色に変色 △:黄色に変色 ×:青色に変色 (2)カッピング 60℃90%RHの環境で1週間保存後、テープを平面
上に設置し、テープ幅方向端部のそり高さhを測定し
た。評価基準は下記のとおりとした。 ◎:h=0 ○:0<h<=0.2mm △:0.2<h<0.5mm ×:h>=0.5mm (3)電特 Hi8規格のVTRのSONY EV−S900を用
い、0.75MHzの単一信号及び7MHzの単一信号
を記録したときのRF出力を基準テープのRF出力と比
較し、下記の評価基準により判定した。 ◎:RF出力>=2.0dB ○:0dB<=RF出力<2.0dB △:−1.0dB<=RF出力<0dB ×:RF出力<−1.0dB (4)スチル耐久性 Hi8規格のVTRのSONY EV−S900を用
い、温度0℃の条件下で出力が6dB低下するまでの時
間を求めた。 ◎:スチル=>60min ○:30<=スチル<60min △:10<=スチル<30min ×:スチル<10min (5)θ測定方法 柱状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす角度の平均
値θは、下記のようにして測定する。まず、磁気記録媒
体を柱状結晶粒子の成長方向を含む平面(通常、媒体主
面に垂直で磁気ヘッドの走行方向を含む平面)で切断す
る。その断面には、各強磁性金属薄膜を構成する柱状結
晶粒子の断面が弧状に現れる。この断面に現れた柱状結
晶粒子の側面(隣り合う柱状結晶粒子の境界線)と基体
主面のなす角度を各強磁性金属薄膜ごとに少なくとも柱
状結晶粒子100個について測定し、各強磁性金属薄膜
におけるそれらの平均値を求める。これら、各平均値を
各強磁性金属薄膜における柱状結晶粒子の成長方向と基
体主面とのなす角度とし、さらにこれらの平均値を求め
てθとする。なお、θの測定位値は強磁性金属薄膜の厚
さ方向の中間点である。
【0010】実施例1〜27、比較例1〜12 10~4TorrのAr雰囲気中で、供給ロールから厚さ
6μmのポリエチリンテレフタレート(PET)フィル
ムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの周囲に這
わせて移動させ、強磁性金属を酸素雰囲気下で斜め蒸着
して、強磁性薄膜を形成し、巻き取りロールに巻とっ
た。次いで、この巻取りロールを別のロールに巻き直
し、このロールを供給ロールとして強磁性金属を酸素雰
囲気下で再度斜め蒸着して、強磁性薄膜を形成し、2層
構成の磁性層を有する磁気記録媒体を得た。上層形成お
よび下層形成に用いた強磁性金属の種類、強磁性薄膜の
飽和磁化、保磁力、酸素量、膜厚、θを変えて、下記表
1に示すサンプルを得た。
【0011】
【表1】
【0012】
【表2】
【0013】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は低密度から高密
度にわたって優れた電磁変換特性を有し、特に高密度に
おける再生出力の低下が小さく、また、スチル、耐久性
ともに極めて良好な特性を得ることができる。従って、
高記録密度用の媒体としては非常に好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 康二 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−17110(JP,A) 特開 平5−62146(JP,A) 特開 平5−342553(JP,A) 特開 平4−259909(JP,A) 特開 平4−102223(JP,A) 特開 平3−185623(JP,A)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】非磁性基体上に斜め蒸着法により形成され
    た磁性層を有し、この磁性層が2層以上の強磁性薄膜か
    ら構成される磁気記録媒体であって、最下層の強磁性薄
    膜の飽和磁化が300〜70emu/ccで、且つ保磁
    力が1000〜100Oeの磁気特性を有し、最上層の
    強磁性薄膜の飽和磁化が300〜460emu/cc
    で、且つ保磁力が1000〜1600Oeの磁気特性を
    有し、最下層の強磁性薄膜の膜厚が300Å乃至150
    0Åであり、最上層の強磁性薄膜の膜厚が400Å乃至
    1500Åであり、さらに最下層の強磁性薄膜を構成す
    る柱状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす角度の平
    均値θが50度乃至70度の範囲であり、最上層の強磁
    性薄膜を構成する柱状結晶粒子の成長方向と基体主面と
    のなす角度の平均値θが30度乃至50度の範囲である
    ことを特徴とする磁気記録媒体。
  2. 【請求項2】最下層の強磁性薄膜がコバルト、ニッケ
    ル、鉄の単体、或いはそれらの合金と酸素を含有し、酸
    素の含有率が15原子%以上であり、最上層の強磁性薄
    膜がコバルト、ニッケル、鉄の単体、或いはそれらの合
    金と酸素を含有し、酸素の含有率が15原子%以下であ
    る請求項1記載の磁気記録媒体。
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