JPH07192245A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH07192245A JPH07192245A JP33414393A JP33414393A JPH07192245A JP H07192245 A JPH07192245 A JP H07192245A JP 33414393 A JP33414393 A JP 33414393A JP 33414393 A JP33414393 A JP 33414393A JP H07192245 A JPH07192245 A JP H07192245A
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- Japan
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- thin film
- ferromagnetic thin
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電磁変換特性、スチル特性に優れ、発錆が少な
く、耐久性のある磁気記録媒体を提供する。 【構成】非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁
性層を有し、この磁性層が２層以上の強磁性薄膜から構
成される磁気記録媒体であって、最下層の強磁性薄膜が
コバルトを主体とし、鉄及び酸素を含有し、鉄のコバル
トに対する含有量（Ｆｅ／Ｃｏ）が３原子％乃至３０原
子％の範囲にあり、且つ、酸素の含有率が全体の１０乃
至３０原子％の範囲にあり、最上層の強磁性薄膜がコバ
ルトを主体とし、ニッケル及び酸素を含有し、ニッケル
のコバルトに対する含有量（Ｎｉ／Ｃｏ）が３原子％乃
至１５原子％の範囲にあり、且つ、酸素の含有率が全体
の１０乃至３０原子％の範囲にあることを特徴とする磁
気記録媒体。 【効果】電磁変換特性、スチル特性、カッピングにおい
て優れ、且つ発錆が少なく、耐久性の高いものである。
く、耐久性のある磁気記録媒体を提供する。 【構成】非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁
性層を有し、この磁性層が２層以上の強磁性薄膜から構
成される磁気記録媒体であって、最下層の強磁性薄膜が
コバルトを主体とし、鉄及び酸素を含有し、鉄のコバル
トに対する含有量（Ｆｅ／Ｃｏ）が３原子％乃至３０原
子％の範囲にあり、且つ、酸素の含有率が全体の１０乃
至３０原子％の範囲にあり、最上層の強磁性薄膜がコバ
ルトを主体とし、ニッケル及び酸素を含有し、ニッケル
のコバルトに対する含有量（Ｎｉ／Ｃｏ）が３原子％乃
至１５原子％の範囲にあり、且つ、酸素の含有率が全体
の１０乃至３０原子％の範囲にあることを特徴とする磁
気記録媒体。 【効果】電磁変換特性、スチル特性、カッピングにおい
て優れ、且つ発錆が少なく、耐久性の高いものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性薄膜を磁性層とす
る磁気記録媒体に関し、特に電磁変換特性、スチル性及
び耐久性をともに満足する磁気記録媒体に関する。
る磁気記録媒体に関し、特に電磁変換特性、スチル性及
び耐久性をともに満足する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体はますます高密度化
しており、それに伴い、磁気記録媒体の薄膜化が行なわ
れている。従来から、強磁性金属層を磁性層とする磁気
記録媒体の強磁性金属としてコバルトを主体とする強磁
性金属を用いる幾つかの磁気記録媒体が提案されてい
る。例えば、基体上に、強磁性金属薄膜層の組成が鉄に
対するコバルトの原子数比（Ｆｅ／Ｃｏ）で０．１〜１
の範囲内にあり、かつ酸素に対する鉄とコバルトの原子
数比〔Ｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）〕で０．０５〜０．５の範囲
内にある強磁性金属薄膜層を設けたことを特徴とする磁
気記録媒体（特開昭６１−２１４１２０号公報）、非磁
性基板上にＣｏとＦｅと酸素またはＣｏとＮｉとＦｅと
酸素を主成分とし、かつ磁化容易軸が膜面の注線に対し
て傾斜している第２の磁性層を形成したことを特徴とす
る磁気記録媒体（特開平４−２０６０１７号公報）等が
知られている。
しており、それに伴い、磁気記録媒体の薄膜化が行なわ
れている。従来から、強磁性金属層を磁性層とする磁気
記録媒体の強磁性金属としてコバルトを主体とする強磁
性金属を用いる幾つかの磁気記録媒体が提案されてい
る。例えば、基体上に、強磁性金属薄膜層の組成が鉄に
対するコバルトの原子数比（Ｆｅ／Ｃｏ）で０．１〜１
の範囲内にあり、かつ酸素に対する鉄とコバルトの原子
数比〔Ｏ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）〕で０．０５〜０．５の範囲
内にある強磁性金属薄膜層を設けたことを特徴とする磁
気記録媒体（特開昭６１−２１４１２０号公報）、非磁
性基板上にＣｏとＦｅと酸素またはＣｏとＮｉとＦｅと
酸素を主成分とし、かつ磁化容易軸が膜面の注線に対し
て傾斜している第２の磁性層を形成したことを特徴とす
る磁気記録媒体（特開平４−２０６０１７号公報）等が
知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の磁気記録媒体は、コバルト合金、例えばコバルト−
ニッケル合金の斜方蒸着膜を形成するものであるが、ス
チル、耐久性が充分でなかった。そして、前記コバルト
−鉄合金を用いる特開昭６１−２１４１２０号公報では
摩擦係数の経時変化を小さくし、走行性を向上させる試
みがなされているが、膜の磁気特性、特に保磁力が劣化
してしまい、高密度の出力が減少する。又、前記コバル
ト−鉄膜とコバルト−ニッケル膜を重層する特開平４−
２０６０１７号公報では、高記録密度特性と耐久性を向
上させる試みがなされているものの、コバルト−鉄の下
層に高い飽和磁化をもたせるために、酸素量を少なくす
る必要があり、経時変化は劣化してしまう。また、保磁
力も小さくなるために、高記録密度における出力も減少
してしまう。したがって、高い電磁変換特性とスチル、
耐久性をともに満足する磁気記録媒体が要望されるとこ
ろである。
来の磁気記録媒体は、コバルト合金、例えばコバルト−
ニッケル合金の斜方蒸着膜を形成するものであるが、ス
チル、耐久性が充分でなかった。そして、前記コバルト
−鉄合金を用いる特開昭６１−２１４１２０号公報では
摩擦係数の経時変化を小さくし、走行性を向上させる試
みがなされているが、膜の磁気特性、特に保磁力が劣化
してしまい、高密度の出力が減少する。又、前記コバル
ト−鉄膜とコバルト−ニッケル膜を重層する特開平４−
２０６０１７号公報では、高記録密度特性と耐久性を向
上させる試みがなされているものの、コバルト−鉄の下
層に高い飽和磁化をもたせるために、酸素量を少なくす
る必要があり、経時変化は劣化してしまう。また、保磁
力も小さくなるために、高記録密度における出力も減少
してしまう。したがって、高い電磁変換特性とスチル、
耐久性をともに満足する磁気記録媒体が要望されるとこ
ろである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決すべく、鋭意研究の結果、強磁性薄膜を磁性層と
する磁気記録媒体において、強磁性薄膜からなる磁性層
を複層とし、該強磁性薄膜の最下層及び最上層の強磁性
金属をコバルトを主体とする特定の組成のものとするこ
とにより、該課題が解決することを見出し、本発明に到
達した。即ち、本発明は（１）非磁性基体上に斜め蒸着
法により形成された磁性層を有し、この磁性層が２層以
上の強磁性薄膜から構成される磁気記録媒体であって、
最下層の強磁性薄膜がコバルトを主体とし、鉄及び酸素
を含有し、鉄のコバルトに対する含有量（Ｆｅ／Ｃｏ）
が３原子％乃至３０原子％の範囲にあり、且つ、酸素の
含有率が全体の１０乃至３０原子％の範囲にあり、最上
層の強磁性薄膜がコバルトを主体とし、ニッケル及び酸
素を含有し、ニッケルのコバルトに対する含有量（Ｎｉ
／Ｃｏ）が３原子％乃至１５原子％の範囲にあり、且
つ、酸素の含有率が全体の１０乃至３０原子％の範囲に
あることを特徴とした磁気記録媒体、（２）最下層の強
磁性薄膜のカラムの成長方向が面内から５０度乃至７０
度の範囲で傾いており、最上層の強磁性薄膜のカラムの
成長方向が面内から３０度乃至５０度の範囲で傾いてい
ることを特徴とする上記（１）記載の磁気記録媒体、及
び（３）最下層の強磁性薄膜の膜厚が５００Å乃至１５
００Åであり、最上層の強磁性薄膜の膜厚が５００Å乃
至１５００Åであることを特徴とする上記（１）記載の
磁気記録媒体に関する。
を解決すべく、鋭意研究の結果、強磁性薄膜を磁性層と
する磁気記録媒体において、強磁性薄膜からなる磁性層
を複層とし、該強磁性薄膜の最下層及び最上層の強磁性
金属をコバルトを主体とする特定の組成のものとするこ
とにより、該課題が解決することを見出し、本発明に到
達した。即ち、本発明は（１）非磁性基体上に斜め蒸着
法により形成された磁性層を有し、この磁性層が２層以
上の強磁性薄膜から構成される磁気記録媒体であって、
最下層の強磁性薄膜がコバルトを主体とし、鉄及び酸素
を含有し、鉄のコバルトに対する含有量（Ｆｅ／Ｃｏ）
が３原子％乃至３０原子％の範囲にあり、且つ、酸素の
含有率が全体の１０乃至３０原子％の範囲にあり、最上
層の強磁性薄膜がコバルトを主体とし、ニッケル及び酸
素を含有し、ニッケルのコバルトに対する含有量（Ｎｉ
／Ｃｏ）が３原子％乃至１５原子％の範囲にあり、且
つ、酸素の含有率が全体の１０乃至３０原子％の範囲に
あることを特徴とした磁気記録媒体、（２）最下層の強
磁性薄膜のカラムの成長方向が面内から５０度乃至７０
度の範囲で傾いており、最上層の強磁性薄膜のカラムの
成長方向が面内から３０度乃至５０度の範囲で傾いてい
ることを特徴とする上記（１）記載の磁気記録媒体、及
び（３）最下層の強磁性薄膜の膜厚が５００Å乃至１５
００Åであり、最上層の強磁性薄膜の膜厚が５００Å乃
至１５００Åであることを特徴とする上記（１）記載の
磁気記録媒体に関する。
【０００５】本発明の磁気記録媒体は、斜め蒸着法によ
って形成された強磁性薄膜からなる複数層の磁性層を有
するものである。本発明では磁性層の最下層の強磁性薄
膜がコバルトを主体とし、鉄及び酸素を含有するもので
ある。そして鉄のコバルトに対する含有量（Ｆｅ／Ｃ
ｏ）が３原子％乃至３０原子％の範囲にあり、且つ、酸
素含有率が全体の１０乃至３０原子％の範囲にあるもの
である。最下層の強磁性薄膜が上記のコバルト、鉄及び
酸素の含有率の範囲にあると、電磁変換特性、スチル耐
久性及びカッピングが良好で、発錆が少ないものとする
ことができるのである。即ち、磁性層の最下層の強磁性
薄膜が前記本発明の組成範囲外であると、例えばコバル
トに対する鉄の含有量が３原子％未満であると発錆、ス
チル特性及びカッピングが悪くなり、３０原子％を超え
ると短波長における電磁変換特性が劣下する。又、酸素
含有率が全体の１０原子％未満であると、短波長におけ
る電磁変換特性が劣下すると同時に、カッピング、スチ
ルも悪くなり、３０原子％を超えるとカッピング、スチ
ルが悪くなる。
って形成された強磁性薄膜からなる複数層の磁性層を有
するものである。本発明では磁性層の最下層の強磁性薄
膜がコバルトを主体とし、鉄及び酸素を含有するもので
ある。そして鉄のコバルトに対する含有量（Ｆｅ／Ｃ
ｏ）が３原子％乃至３０原子％の範囲にあり、且つ、酸
素含有率が全体の１０乃至３０原子％の範囲にあるもの
である。最下層の強磁性薄膜が上記のコバルト、鉄及び
酸素の含有率の範囲にあると、電磁変換特性、スチル耐
久性及びカッピングが良好で、発錆が少ないものとする
ことができるのである。即ち、磁性層の最下層の強磁性
薄膜が前記本発明の組成範囲外であると、例えばコバル
トに対する鉄の含有量が３原子％未満であると発錆、ス
チル特性及びカッピングが悪くなり、３０原子％を超え
ると短波長における電磁変換特性が劣下する。又、酸素
含有率が全体の１０原子％未満であると、短波長におけ
る電磁変換特性が劣下すると同時に、カッピング、スチ
ルも悪くなり、３０原子％を超えるとカッピング、スチ
ルが悪くなる。
【０００６】又、本発明では最上層の強磁性薄膜がコバ
ルトを主体とし、コバルトに対するニッケルの含有量
（Ｎｉ／Ｃｏ）が３原子％乃至１５原子％の範囲にあ
り、且つ酸素の含有率が全体の１０乃至３０原子％の範
囲にあるものである。最上層の強磁性薄膜が上記のコバ
ルト、鉄及び酸素の含有率の範囲にあると、電磁変換特
性、スチル耐久性及びカッピングが良好で、発錆が少な
いものとすることができる。磁性層の最上層の強磁性薄
膜が前記本発明の組成範囲外であると、例えばコバルト
に対するニッケルの含有量が３原子％未満であると発錆
及びカッピングが悪くなり、１５原子％を超えると短波
長の電磁変換特性が劣下する。又、酸素含有率が全体の
１０原子％未満であると、電磁変換特性、発錆、カッピ
ング、スチル全てにおいて悪くなる。３０原子％を超え
ると電磁変換特性及びスチルが劣下する。そして、本発
明では、最下層の強磁性薄膜のカラムの成長方向は面内
から５０度乃至７０度の範囲で傾いており、また、最上
層の強磁性薄膜のカラムの成長方向は面内から３０度乃
至５０度の範囲で傾いていることが好ましい。強磁性薄
膜のカラムの成長方向が前記の範囲内にあるものは電磁
変換特性、特に短波長における特性の点で更に好ましい
ものとなる。また、最下層の強磁性薄膜の膜厚が５００
Å乃至１５００Åであり、最上層の強磁性薄膜の膜厚が
５００Å乃至１５００Åであることが好ましい。これら
の範囲にあると電磁変換特性、特に短波長における特性
の点で更に好ましいものとなる。
ルトを主体とし、コバルトに対するニッケルの含有量
（Ｎｉ／Ｃｏ）が３原子％乃至１５原子％の範囲にあ
り、且つ酸素の含有率が全体の１０乃至３０原子％の範
囲にあるものである。最上層の強磁性薄膜が上記のコバ
ルト、鉄及び酸素の含有率の範囲にあると、電磁変換特
性、スチル耐久性及びカッピングが良好で、発錆が少な
いものとすることができる。磁性層の最上層の強磁性薄
膜が前記本発明の組成範囲外であると、例えばコバルト
に対するニッケルの含有量が３原子％未満であると発錆
及びカッピングが悪くなり、１５原子％を超えると短波
長の電磁変換特性が劣下する。又、酸素含有率が全体の
１０原子％未満であると、電磁変換特性、発錆、カッピ
ング、スチル全てにおいて悪くなる。３０原子％を超え
ると電磁変換特性及びスチルが劣下する。そして、本発
明では、最下層の強磁性薄膜のカラムの成長方向は面内
から５０度乃至７０度の範囲で傾いており、また、最上
層の強磁性薄膜のカラムの成長方向は面内から３０度乃
至５０度の範囲で傾いていることが好ましい。強磁性薄
膜のカラムの成長方向が前記の範囲内にあるものは電磁
変換特性、特に短波長における特性の点で更に好ましい
ものとなる。また、最下層の強磁性薄膜の膜厚が５００
Å乃至１５００Åであり、最上層の強磁性薄膜の膜厚が
５００Å乃至１５００Åであることが好ましい。これら
の範囲にあると電磁変換特性、特に短波長における特性
の点で更に好ましいものとなる。
【０００７】非磁性基体としては、通常のものが用いら
れ、強磁性金属薄膜蒸着時の熱に耐える各種フィルムが
用いることができる。例えばポリエステル、ポリイミ
ド、アミラド、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテル
ケトン（ＰＥＥＫ）、等のフィルムであり、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）のフィルム等が用いられる。本発明の強磁
性薄膜からなる複数層の磁性層は、例えば非磁性基体フ
ィルムを回転する円筒状冷却ドラムの周囲上に這わせて
移動させ、先ず所望する組成のコバルト−鉄合金を酸素
雰囲気下で斜め蒸着して強磁性薄膜を形成し、ロールに
巻き取り、この強磁性薄膜を形成した磁性上に強磁性金
属を酸素雰囲気下で斜め蒸着する。そして最上層の磁性
層として所望する組成のコバルト−ニッケル合金を酸素
雰囲気下で斜め蒸着して強磁性薄膜を形成する。コバル
ト−鉄及びコバルト−ニッケルの含有率は蒸着源に用い
た合金原料の組成比を変えることによって調整すること
ができ、又酸素の含有率は、成膜時に導入する酸素流量
によって調整することができる。
れ、強磁性金属薄膜蒸着時の熱に耐える各種フィルムが
用いることができる。例えばポリエステル、ポリイミ
ド、アミラド、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテル
ケトン（ＰＥＥＫ）、等のフィルムであり、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）のフィルム等が用いられる。本発明の強磁
性薄膜からなる複数層の磁性層は、例えば非磁性基体フ
ィルムを回転する円筒状冷却ドラムの周囲上に這わせて
移動させ、先ず所望する組成のコバルト−鉄合金を酸素
雰囲気下で斜め蒸着して強磁性薄膜を形成し、ロールに
巻き取り、この強磁性薄膜を形成した磁性上に強磁性金
属を酸素雰囲気下で斜め蒸着する。そして最上層の磁性
層として所望する組成のコバルト−ニッケル合金を酸素
雰囲気下で斜め蒸着して強磁性薄膜を形成する。コバル
ト−鉄及びコバルト−ニッケルの含有率は蒸着源に用い
た合金原料の組成比を変えることによって調整すること
ができ、又酸素の含有率は、成膜時に導入する酸素流量
によって調整することができる。
【０００８】
【作用】非磁性基体上に斜め蒸着法により２層以上の強
磁性薄膜からなる磁性層を有し、該磁性層の最下層の強
磁性薄膜がコバルトを主体とし、鉄及び酸素を含有し、
鉄のコバルトに対する含有量が（Ｆｅ／Ｃｏ）で３原子
％乃至３０原子％、且つ、酸素の含有率が全体の１０乃
至３０原子％の範囲であり、最上層の強磁性薄膜がコバ
ルトを主体とし、ニッケル及び酸素を含有し、ニッケル
のコバルトに対する含有量が（Ｎｉ／Ｃｏ）で３原子％
乃至１５原子％で、且つ酸素の含有率が全体の１０乃至
３０原子％の範囲である磁気記録媒体により、高い電磁
変換特性とスチル耐久性がすぐれ、発錆の少ないものと
することができる。
磁性薄膜からなる磁性層を有し、該磁性層の最下層の強
磁性薄膜がコバルトを主体とし、鉄及び酸素を含有し、
鉄のコバルトに対する含有量が（Ｆｅ／Ｃｏ）で３原子
％乃至３０原子％、且つ、酸素の含有率が全体の１０乃
至３０原子％の範囲であり、最上層の強磁性薄膜がコバ
ルトを主体とし、ニッケル及び酸素を含有し、ニッケル
のコバルトに対する含有量が（Ｎｉ／Ｃｏ）で３原子％
乃至１５原子％で、且つ酸素の含有率が全体の１０乃至
３０原子％の範囲である磁気記録媒体により、高い電磁
変換特性とスチル耐久性がすぐれ、発錆の少ないものと
することができる。
【０００９】
【実施例】以下に実施例を説明する。
【００１０】なお、磁気記録テープの特性測定は以下の
方法によった。 （１）発錆 ６０℃９０％ＲＨの環境で１週間保存後、テープの磁性
層側の変色度を目視で判定した。評価基準は下記のとお
りにした。 ◎：変化無し ○：薄い黄色に変色 △：黄色に変色 ×：青色に変色 （２）カッピング ６０℃９０％ＲＨの環境で１週間保存後、テープを平面
上に設置し、テープ幅方向端部のそり高さｈを測定し
た。評価基準は下記のとおりとした。 ◎：ｈ＝０ ○：０＜ｈ＜＝０．２ｍｍ △：０．２＜ｈ＜０．５ｍｍ ×：ｈ＞＝０．５ｍｍ （３）電特 Ｈｉ８規格のＶＴＲのＳＯＮＹ ＥＶ−Ｓ９００を用
い、０．７５ＭＨｚの単一信号を記録したときのＲＦ出
力を基準テープのＲＦ出力と比較し、下記の評価基準に
より判定した。 ◎：ＲＦ出力＞＝２．０ｄＢ ○：０ｄＢ＜＝ＲＦ出力＜２．０ｄＢ △：−１．０ｄＢ＜＝ＲＦ出力＜０ｄＢ ×：ＲＦ出力＜−１．０ｄＢ （４）スチル耐久性 Ｈｉ８規格のＶＴＲのＳＯＮＹ ＥＶ−Ｓ９００を用
い、温度０℃の条件下で出力が６ｄＢ低下するまでの時
間を求めた。 ◎：スチル＝＞６０ｍｉｎ ○：３０＜＝スチル＜６０ｍｉｎ △：１０＜＝スチル＜３０ｍｉｎ ×：スチル＜＝１０ｍｉｎ （５）θ測定方法 柱状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす角度の平均
値θは、下記のようにして測定する。まず、磁気記録媒
体を柱状結晶粒子の成長方向を含む平面（通常、媒体主
面に垂直で磁気ヘッドの走行方向を含む平面）で切断す
る。その断面には、各強磁性金属薄膜を構成する柱状結
晶粒子の断面が弧状に現れる。この断面に現れた柱状結
晶粒子の側面（隣り合う柱状結晶粒子の境界線）と基体
主面のなす角度を各強磁性金属薄膜ごとに少なくとも柱
状結晶粒子１００個について測定し、各強磁性金属薄膜
におけるそれらの平均値を求める。これら、各平均値を
各強磁性金属薄膜における柱状結晶粒子の成長方向と基
体主面とのなす角度とし、さらにこれらの平均値を求め
てθとする。なお、θの測定位値は強磁性金属薄膜の厚
さ方向の中間点である。
方法によった。 （１）発錆 ６０℃９０％ＲＨの環境で１週間保存後、テープの磁性
層側の変色度を目視で判定した。評価基準は下記のとお
りにした。 ◎：変化無し ○：薄い黄色に変色 △：黄色に変色 ×：青色に変色 （２）カッピング ６０℃９０％ＲＨの環境で１週間保存後、テープを平面
上に設置し、テープ幅方向端部のそり高さｈを測定し
た。評価基準は下記のとおりとした。 ◎：ｈ＝０ ○：０＜ｈ＜＝０．２ｍｍ △：０．２＜ｈ＜０．５ｍｍ ×：ｈ＞＝０．５ｍｍ （３）電特 Ｈｉ８規格のＶＴＲのＳＯＮＹ ＥＶ−Ｓ９００を用
い、０．７５ＭＨｚの単一信号を記録したときのＲＦ出
力を基準テープのＲＦ出力と比較し、下記の評価基準に
より判定した。 ◎：ＲＦ出力＞＝２．０ｄＢ ○：０ｄＢ＜＝ＲＦ出力＜２．０ｄＢ △：−１．０ｄＢ＜＝ＲＦ出力＜０ｄＢ ×：ＲＦ出力＜−１．０ｄＢ （４）スチル耐久性 Ｈｉ８規格のＶＴＲのＳＯＮＹ ＥＶ−Ｓ９００を用
い、温度０℃の条件下で出力が６ｄＢ低下するまでの時
間を求めた。 ◎：スチル＝＞６０ｍｉｎ ○：３０＜＝スチル＜６０ｍｉｎ △：１０＜＝スチル＜３０ｍｉｎ ×：スチル＜＝１０ｍｉｎ （５）θ測定方法 柱状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす角度の平均
値θは、下記のようにして測定する。まず、磁気記録媒
体を柱状結晶粒子の成長方向を含む平面（通常、媒体主
面に垂直で磁気ヘッドの走行方向を含む平面）で切断す
る。その断面には、各強磁性金属薄膜を構成する柱状結
晶粒子の断面が弧状に現れる。この断面に現れた柱状結
晶粒子の側面（隣り合う柱状結晶粒子の境界線）と基体
主面のなす角度を各強磁性金属薄膜ごとに少なくとも柱
状結晶粒子１００個について測定し、各強磁性金属薄膜
におけるそれらの平均値を求める。これら、各平均値を
各強磁性金属薄膜における柱状結晶粒子の成長方向と基
体主面とのなす角度とし、さらにこれらの平均値を求め
てθとする。なお、θの測定位値は強磁性金属薄膜の厚
さ方向の中間点である。
【００１１】実施例１〜１０、比較例１〜２０ １０~4ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気中で、供給ロールから厚さ
６μｍのポリエチリンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの周囲に這
わせて移動させ、強磁性金属を酸素雰囲気下で斜め蒸着
して、強磁性薄膜を形成し、巻き取りロールに巻とっ
た。次いで、この巻取りロールを別のロールに巻き直
し、このロールを供給ロールとして強磁性金属を酸素雰
囲気下で再度斜め蒸着して、強磁性薄膜を形成し、２層
構成の磁性層を有する磁気記録媒体を得た。上層形成お
よび下層形成に用いた強磁性金属の種類、酸素量、膜
圧、θｍｉｎを変えて、下記表１に示すサンプルを得
た。
６μｍのポリエチリンテレフタレート（ＰＥＴ）フィル
ムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの周囲に這
わせて移動させ、強磁性金属を酸素雰囲気下で斜め蒸着
して、強磁性薄膜を形成し、巻き取りロールに巻とっ
た。次いで、この巻取りロールを別のロールに巻き直
し、このロールを供給ロールとして強磁性金属を酸素雰
囲気下で再度斜め蒸着して、強磁性薄膜を形成し、２層
構成の磁性層を有する磁気記録媒体を得た。上層形成お
よび下層形成に用いた強磁性金属の種類、酸素量、膜
圧、θｍｉｎを変えて、下記表１に示すサンプルを得
た。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は電磁変換特性、
スチル特性、カッピングにおいて良好であり、且つ発錆
が少なく、耐久性の高いものである。
スチル特性、カッピングにおいて良好であり、且つ発錆
が少なく、耐久性の高いものである。
Claims (3)
- 【請求項１】非磁性基体上に斜め蒸着法により形成され
た磁性層を有し、この磁性層が２層以上の強磁性薄膜か
ら構成される磁気記録媒体であって、最下層の強磁性薄
膜がコバルトを主体とし、鉄及び酸素を含有し、鉄のコ
バルトに対する含有量（Ｆｅ／Ｃｏ）が３原子％乃至３
０原子％の範囲にあり、且つ、酸素の含有率が全体の１
０乃至３０原子％の範囲にあり、最上層の強磁性薄膜が
コバルトを主体とし、ニッケル及び酸素を含有し、ニッ
ケルのコバルトに対する含有量（Ｎｉ／Ｃｏ）が３原子
％乃至１５原子％の範囲にあり、且つ、酸素の含有率が
全体の１０乃至３０原子％の範囲にあることを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項２】最下層の強磁性薄膜のカラムの成長方向が
面内から５０度乃至７０度の範囲で傾いており、最上層
の強磁性薄膜のカラムの成長方向が面内から３０度乃至
５０度の範囲で傾いていることを特徴とする請求項１記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】最下層の強磁性薄膜の膜厚が５００Å乃至
１５００Åであり、最上層の強磁性薄膜の膜厚が５００
Å乃至１５００Åであることを特徴とする請求項１記載
の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33414393A JPH07192245A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33414393A JPH07192245A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192245A true JPH07192245A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18274016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33414393A Pending JPH07192245A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07192245A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007055338A1 (ja) * | 2005-11-11 | 2009-04-30 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂成形材料 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33414393A patent/JPH07192245A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007055338A1 (ja) * | 2005-11-11 | 2009-04-30 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂成形材料 |
| JP4957554B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2012-06-20 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂成形材料 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011126 |