JPH0434715A - 磁気テープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は蒸着により形成された磁性層を有する磁気テー
プに関し、特に、カーリングやカッピングの少ない磁気
テープに関する。

〈従来の技術〉 近年磁気テープはますます高密度化しており、中でもＣ
Ｏを主体としＮｉ等を添加した強磁性金属薄膜を用いた
磁気テープは、飽和磁束密度が大きくしかも保磁力が高
いので、盛んに研究されている。

この型の磁気テープは種々の方法で製造されるが、特に
優れた方法としては、非磁性基体上に斜め蒸着法により
強磁性金属薄膜を２層以上積層して多層構造とすること
が提案されている。　この方法では、強磁性金属薄膜各
層は、蒸着等の気相法により強磁性金属の蒸気を非磁性
基体の表面に特定の角度で差し向け、これにより強磁性
金属の柱状結晶粒を他の強磁性金属薄膜の柱状結晶粒の
成長方向と交差した特定の方向に成長させる（特公昭５
６−２６８９１．５６−４２０５５．６３−２１２５４
および６０−３７５２８、特開昭５４−６０３．５４−
１４７０１０．５６−９４５２０．５７−３２３３．５
７−３０２２８．５７−１３５１９．５７−１４１０２
７．５７−４１０２８．５７−１４１０２９．５７−１
４３７３０．５７−１４３７３１．５７−１４７１２９
．５８−１４３２４．５Ｂ−５０６２８，６０−７６０
２５，６１−１−１０３３３，６１−１８７１２２，６
３−１０３１５，６３−１０３１５，６３−１３１１７
，６３−１４３１７，６３−１４３２０および６３−３
９１２７号公報等）。

磁気テープの非磁性基体としては、通常、ポリエチレン
テレフタレート等の樹脂フィルムが用いられている。

このような樹脂フィルム上に蒸着により磁性層を形成す
ると、磁性層内部の残留応力のために基体にカーリング
やカッピングが生じるため、記録・再生時に良好なヘッ
ドタッチが得られなかったり、巻き乱れが生じるなどの
問題があった。　なお、カーリングとは磁気テープ長手
方向の変形であり、カッピングとは、磁気テープ幅方向
の変形である。

このため、ある程度の熱収縮率をもつ樹脂フィルム基体
を用い、磁性層蒸着時の熱や蒸着後の熱処理により基体
を収縮させ、磁気テープのカーリングやカッピングを緩
和ないし補正する提案がなされている（特開昭５４−１
５５０１１号公報、特開昭５５−１７８５１号公報、特
開昭５５−７３９２６号公報）。

〈発明が解決しようとする課題〉 上記各公報に記載されている提案は、いずれも磁性層形
成前の基体の熱収縮率に関するものである。

しかし、磁性層形成直後にカーリングやカッピングが発
生していなくても、高温、高温条件下で使用ないし保存
されるとカーリングやカッピングが生じてしまう、　そ
して、このようなカーリングやカッピングは、基体が薄
いほど顕著である。

本発明はこのような事情がらなされたものであり、高温
、高温条件下で使用ないし保存された場合でも、カーリ
ングやカッピングの発生が極めて少ない磁気テープを提
供することを目的とする。

〈課題を解決するための手段〉 上記目的は、下記（１）〜（６）の本発明により達成さ
れる。

（１）長尺の非磁性基体上に斜め蒸着法により形成され
た少なくとも２層の強磁性金属薄膜がら構成される磁性
層を有し、この強磁性金属薄膜がＣｏおよびＮｉを主成
分とするか、またはＣ０１ＮｉおよびＣｒを主成分とし
て含有する磁気テープであって、 前記非磁性基体が、厚さ８−以下で熱収縮率０．５％以
下であることを特徴とする磁気テープ。

（２）前記非磁性基体のヤング率が６００ｋｇｆ／ｍｍ
”以上である上言己（１）に記載の磁気テープ。

（３）磁性層形成前の非磁性基体の熱収縮率が２％以下
である上記（１）または（２）に記載の磁気テープ。

（４）最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率が最上層の
強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低い上記（１）ない
しく３）のいずれかに記載の磁気テープ。

（５）蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性
基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最
大値をθｍａＸ　、入射角の最小値をθ！Ｉｉｎとする
と、 最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸
着時のθ＋ｍａｘより小さいθＩＩＩａｘにて蒸着され
たものである上記（１）ないしく４、）のいずれかに記
載の磁気テープ。

（６）蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性
基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最
大値をｅＩｆｌａＸ　ｓ入射角の最小値をθｓｉｎとす
ると、 最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸
着時のθｍｉｎより大きいθａｋｉｎにて蒸着されたも
のである上記（１）ないしく５）のいずれかに記載の磁
気テープ。

く作用〉 本発明の磁気テープは、ＧｏおよびＮｉを主成分とする
か、またはＣ０１ＮｉおよびＣｒを主成分として含有す
る２層以上の強磁性金属薄膜から構成される磁性層を非
磁性基体上に有する。

このような強磁性金属薄膜は、斜め蒸着法により形成さ
れる。　斜め蒸着法では、回転する円筒状の冷却ドラム
表面に非磁性基体を添わせて搬送しながら、定置された
強磁性金属源に電子ビーム等を照射して蒸着を行なう。

このとき、強磁性金属が入射する方向と非磁性基体表面
の法線とがなす角度を入射角と呼び、通常、蒸着開始か
ら終了まで入射角が漸減するように蒸着する。　このた
め、強磁性金属薄膜を構成する柱状結晶粒子は、非磁性
基体側ではほぼ非磁性基体表面と平行であり、非磁性基
体表面から離れるに従って弧状に成長することになる。

蒸着により形成された強磁性金属薄膜には残留内部応力
が存在するため磁気テープにはカーリングやカッピング
が発生するが、所定の熱収縮率を有する非磁性基体を用
いて蒸着時の熱などにより基体を収縮させすることによ
りカーリング等の変形を緩和し、平面性の良好な磁気テ
ープを得る。

しかし、製造直後に変形していない磁気テープも、高温
、高温環境で使用ないし保存されると変形が生じる。

本発明者らは、このような変形が、やはり非磁性基体の
熱収縮に関係することを見出した。

そこで、本発明では、磁気テープとした後の非磁性基体
の熱収縮率、すなわち、いわゆる残−習熟収縮率を０．
５％以下とする。　このため、高温・高温環境で磁気テ
ープが使用ないし保存された場合でも、非磁性基体の熱
収縮に起因する磁気テープの変形が殆ど生じない。

そして、非磁性基体の厚さが小さくなるほど磁気テープ
の変形は著しくなるため、厚さ８−以下の非磁性基体を
用いる長時間テープに本発明を適用した場合、極めて高
い効果が得られる。　また、このような長時間テープに
おいて非磁性基体のヤング率を６００　ｋｇｆ／ａｍ”
以上とすると、基体変形はさらに少なくなる。　さらに
、このようなりフグ率とすることにより、ＶＴＲのロー
ディングポストなどの部材と接触する際の破損が防止さ
れる。

本発明の磁気記録媒体製造に用いる非磁性基体の熱収縮
率、すなわち磁性層形成前の熱収縮率は２％以下である
ことが好ましい。

なお、この２％以下という熱収縮率は、特開昭５４−１
５５０１１号公報、特開昭５５−１７８５１号公報に記
載されている好ましい熱収縮率範囲に比べ低いものであ
るが、本発明者らは、本発明の磁気記録媒体のように２
層以上の多層磁性層とする場合、特に柱状結晶粒子の成
長方向が交差するような２層を有する場合に、このよう
な熱収縮率の非磁性基体を用いることにより磁性層形成
直後のテープ変形が極めて少ないことを見出したもので
ある。

また、本発明者らは、磁気テープのカッピングが強磁性
金属薄膜の酸化によって加速されることに着目した。

強磁性金属薄膜はＣｏを主成分とするため極めて酸化さ
れ易く、特に、非磁性基体側から腐食が進行し易い、　
これは、非磁性基体が、通常、酸素や水分を含み、これ
らが基体表面から強磁性金属薄膜中に侵入するからであ
る。　そして、このようにして生じる酸化により強磁性
金属薄膜中に応力が発生し、磁気テープにカッピングが
生じる。

このようなテープ形状の経時変化を抑えるために、最下
層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率を最上層の強磁性金属
薄膜のＣｏ含有率よりも低く構成することが好ましい、
　　Ｃｏ含有率が低ければ、すなわち、Ｎ１、またはＮ
ｉおよびＣｒの含有率が高ければ、高い耐酸化性が得ら
れ、カッピングはさらに低減される。

しかも、この場合、広い周波数帯域に亙って良好な電磁
変換特性が得られるようになる。

この理由は下記のとおりである。

磁気テープの磁性層には、一般に低域信号はど深くまで
記録され、高域信号は浅い領域に記録される。　例えば
、Ｈｉ−８規格のビデオ記録のように低域信号（０，７
５ＭＨｚの色信号）と高域信号（７，０ＭＨｚの輝度信
号）とが重畳記録される場合、通常、最下層には主とし
て低域信号が記録される。

そして、Ｃｏを主成分とする強磁性金属薄膜は、Ｃｏ含
有率が低いほど保磁力Ｈｃは低下する。

従って、最上層のＣｏ含有率を最下層のＣ。

含有率よりも高くすれば、最上層において高いＨｃが得
られるので高域信号の電磁変換特性が良好となり、最下
層において低いＨｅが得られるので低域信号の電磁変換
特性が良好となる。

ところで、強磁性金属薄膜蒸着時の入射角の最大値およ
び最小値を、それぞれ最大入射角θｍａｘおよび最小入
射鋼θｓｉｎと称する。　なお、θ５ｔａｘは９０度以
下であり、蒸着効率はθＷａＸからθｍａｉｎにかけて
増大する。

磁性層が面内方向に磁化される水平記録型の磁気テープ
では、θ■ａｘは９０度に設定される。　これは、θ■
ａＸが大きいほうが非磁性基体表面に対する柱状結晶粒
子の平均傾きが小さ（なり、強磁性金属薄膜面内方向の
Ｈｃが向上するためである。

本発明において、最下層の強磁性金属薄膜を、最上層蒸
着時のθｍａｘよりも小さいθｍａｘにて蒸着すれば、
すなわち、最下層をθｍａＸ９０度未満にて蒸着すれば
、耐食性はさらに向上し、従ってカッピングが低減され
る。

この理由は下記のとおりである。

本発明者らは実験を重ねた結果、θｍａｘ９０度付近、
すなわち非磁性基体表面と平行に強磁性金属が入射した
部分では蒸着効率が低いため、柱状結晶粒子の径が小さ
くなって各粒子間に空隙が生じていることを見いだし、
この空隙から非磁性基体中の酸素や水分が侵入し、腐食
が進行することを知見した。

そこで、最下層を上記のようなθＷａＸにて蒸着するこ
とにより前記空隙の発生を抑え、耐食性が極めて良好な
磁気テープを得るものである。　また、空隙が減少する
ので薄膜中の強磁性金属の充填率が向上し、高い飽和磁
化が得られる。

しかも、最下層を小さいθＷａＸにて蒸着すれば低いＨ
ｃが得られ、主として最下層に記録される低域信号に関
する電磁変換特性は向上する。

さらに、最上層蒸着時のθｍａｘは最下層蒸着時のθｍ
ａｘより太き（なるので、最上層では高いＨｅが得られ
、高域信号の電磁変換特性が向上する。　従って、カッ
ピングの低減という本発明の効果はさらに向上し、しか
も広い帯域において高い電磁変換特性が得られることに
なる。

また、最上層の強磁性金属薄膜を、最下層の強磁性金属
薄膜蒸着時のθｍｉｎより大きいθｍｉｎで蒸着した場
合でも、本発明の効果はいっそう向上する。

θｍｉｎも柱状結晶粒子の傾きに関与し、θｍｉｎが大
きいと柱状結晶粒子の平均傾きは小さ（なるのでＨｃが
向上する。　一方、θｌｌｌ１ｎが小さいと平均傾きは
大きくなり、また、柱状結晶粒子の大部分が高い効率で
蒸着されるので柱状結晶粒子の径が均一に近くなり、各
柱状結晶粒子間に空隙が生じにくくなって緻密な膜が得
られる。

このため、最上層蒸着時および最下層蒸着時のθｍｉｎ
を上記関係とすれば、最下層の耐食性を向上させること
ができ、しかも、最上層のＨｃを高くでき最下層のＨｃ
を相対的に低（できるため、広い帯域に亙って電磁変換
特性を向上させることができる。

さらに、この場合、最下層蒸着時のθｍａｘと最上層蒸
着時のθｍａｘとが上記した関係であれば、耐食性およ
び電磁変換特性はさらに高いものとなる。

そして、上記各場合において、最上層の強磁性金属薄膜
蒸着時のθｍａｘとθｍｉｎとの合計が、最下層蒸着時
のθｍａｘとθｍｉｎとの合計よりも大きい場合、より
高い耐食性および電磁変換特性が実現する。

〈具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。

［非磁性基体］ 本発明の磁気テープの非磁性基体は、熱収縮率が０．５
％以下、好ましくは０．４％以下である。　熱収縮率が
前記範囲を超えると本発明の効果が不十分となる。

本発明における熱収縮率とは、１００℃の湯に３０分間
浸漬したときの収縮率である。　磁気テープとした後に
非磁性基体の熱収縮率を測定する場合、磁性層を剥さず
に湯に浸漬し、十分に乾燥した後に測定する。

なお、熱収縮率は一般に正の値であり、非磁性基体は加
熱により収縮するが、場合によっては膨張することもあ
る。　この場合、熱収縮率の値にはマイナスの符号がつ
くので、本明細書における熱収縮率とは、熱収縮率の絶
対値を意味するものとする。

また、非磁性基体は、ヤング率を高めるためや熱収縮率
の調整のために、通常、長手方向や幅方向に１軸ないし
２軸延伸が施されているので、基体長手方向と幅方向と
で熱収縮率が異なる場合がある。　そして、磁性層形成
後もこのような異方性が存在する場合がある。　しかし
このような場合でも、本発明では基体長手方向および幅
方向のいずれにおいても熱収縮率を前記範囲とする。

非磁性基体の熱収縮率の下限は特にないが、磁性層の酸
化によるテープ変形を防止するためには、０．１％以上
の熱収縮率が残留するようにしてもよい。

このような熱収縮率とするためには、磁性層形成前にお
ける非磁性基体の熱収縮率、磁性層の組成、磁性層の厚
さ等の各種条件を適宜設定すればよい、　また、磁性層
形成後に適当な熱処理を施すことにより、熱収縮率を調
整することも好ましい。

なお、磁性層形成前における非磁性基体の熱収縮率は、
磁性層の構成やその形成条件を考慮して適当な値を選択
すればよいが、本発明では２％以下、特に１．５％以下
であることが好ましい、　磁性層形成前の基体の熱収縮
率が前記範囲を超えると、磁性層の内部応力に対して熱
収縮による基体の変形が大きすぎる傾向となり、このた
め磁性層に応力が加わってクラックが発生することがあ
る。

また、磁性層形成前の熱収縮率の下限は特にないが、磁
性層の内部応力による磁気テープの変形を抑えるために
は、通常、０．１％以上の熱収縮率を有する非磁性基体
を用いればよい。

本発明の磁気テープはカセットハーフに収納されて８ミ
リビデオなどに適用されるが、長時間記録を行なうため
には非磁性基体の厚さを薄くする必要がある。　ところ
が、非磁性基体の厚さが８−以下となると基体の熱収縮
によるテープ変形が著しく増大する。　しかし、磁性層
形成後の熱収縮率を上Ｅ範囲とすれば、基体の厚さが８
−以下であっても高温・高温環境でのテープ変形は殆ど
生じなくなる。

また、非磁性基体のヤング率は、長手方向および幅方向
のいずれにおいても６００　ｋｇｆ／ｍｍ２以上、特に
７００　ｋｇｆ／ａｍ”以上であることが好ましい、　
ヤング率が前言己範囲未満であると、磁性層形成後およ
び高温・高温での保存後に基体が変形し易く、これは特
に８−以下の厚さの場合に顕著である。

また、基体長手方向のヤング率と幅方向のヤング率との
合計は、３０００　ｋｇｆ／ｍｍ”以下であることが好
ましい、　ヤング率の合計が前記範囲を超えると、良好
なヘッドタッチが得られにくく、また、磁気ヘッドの偏
摩耗が生じることがある。

なお、ヤング率は長手方向と幅方向とで同一である必要
はなく、目的や用途に応じて異方性をもたせてもよいこ
とは勿論である。

本発明で用いる非磁性基体の材質に特に制限はなく、強
磁性金属薄膜蒸着時の熱に耐え、前記した熱収縮率やヤ
ング率とすることができる各種樹脂フィルムを用いれば
よい。　このような樹脂フィルムとしては、例えば、ポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナ
フタレート（ＰＥＮ）　、全芳香族ポリエステル、ポリ
アミド、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサルフォン、ポリエーテルイミド等が挙げられる。

　これらのうち、前記した熱収縮率やヤング率が得易い
ことなどから、ＰＥＴまたはＰＥＮを用いることが好ま
しい。

【磁性層］ 非磁性基体上に形成される磁性層は、斜め蒸着法により
形成される少なくとも２層の強磁性金属薄膜から構成さ
れる。　そして、強磁性金属薄膜は、ＧｏおよびＮｉを
主成分とするが。

またはＣｏ、ＮｉおよびＣｒを主成分とし、柱状結晶粒
子から構成される。

本発明では、最下層の強磁性金属薄膜のＣ。

含有率を最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低
く構成することが好ましい。

この場合、最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率は、７
０〜８５ａｔ％、特に７４〜８０ａｔ％であることが好
ましい、　Ｃｏ含有率が前記範囲未満となると最下層に
必要とされる保磁力が得られに＜＜、前記範囲を超える
と最下層に必要とされる耐食性が得られにくい。

最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率は、７５〜９０ａ
ｔ％、特に７９〜８５ａｔ％であることが好ましいｅ　
　Ｃｏ含有率が前記範囲未満となると最上層に必要とさ
れる保磁力が得られに（＜、前記範囲を超えると最上層
に必要とされる耐食性が得られにくい。

強磁性金属薄膜のＣＯ以外の主構成元素は、Ｎｉである
か、またはＮｉおよびＣｒであるが、特開昭６３−１０
３１５号公報等に記載されている各種金属やその他の金
属成分が必要に応じて含有されていてもよ（、また、成
膜雰囲気中に含まれるＡｒ等が含有されていてもよい、
　これらの元素の含有率は、強磁性金属薄膜の５ａｔ％
以下であることが好ましい。

ＮｉとＣｒとの含有比率に特に制限はなく、目的に応じ
て適宜設定すればよいが、強磁性金属薄膜中のＣｒ含有
率は１０ａｔ％以下とすることが好ましい。

さらに、必要に応じて少量の酸素を表面層に含有させ、
耐食性を向上させることもできる。

また、最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属
薄膜蒸着時のθｍａｘより小さいθＷａＸにて蒸着され
ていることが好ましい。

これにより耐食性および電磁変換特性が共に向上する。

この場合、最上層蒸着時のθｍａｘは８０〜９０度、特
に８５〜９０度であることが好ましく、最下層蒸着時の
θｍａｘは３１〜８９度、特に６０〜８４度であること
が好ましい。

また、最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属
薄膜蒸着時のθｍｉｎより大きいθｍｉｎにて蒸着され
ていることが好ましい。

このような構成によっても耐食性および電磁変換特性が
共に向上する。

この場合、最上層蒸着時のθｍｉｎは２０〜６０度、特
に３１〜６０度であることが好ましく、最下層蒸着時の
θｍｉｎは１０〜５０度、特に１０〜３０度であること
が好ましい。

さらに、上記各場合において、最上層の強磁性金属薄膜
蒸着時のθｍａｘとθｓｉｎとの合計が、最下層蒸着時
のθ■ａｘとθｍｉｎとの合計よりも大きいことが好ま
しい。

この場合、最上層のθ＠ａｘとθｍｉｎとの合計は１０
０〜１５０度、特に１１６〜１５０度であることが好ま
しく、また、最下層のθ＠ａｘとθｍｉｎとの合計は４
１〜１３９度、特に７０〜１１４度であることが好まし
い。

また、強磁性金属が入射する方向が前記非磁性基体の法
線な挟んで交差するように蒸着された２層の強磁性金属
薄膜を有することが好ましい、　この場合、これら２層
では、強磁性金属の柱状結晶粒子の成長方向が、非磁性
基体表面の法線を挾んで交差することになる。

このような構成とするには、非磁性基体の走行方向を逆
にして斜め蒸着すればよい。

この場合の２層としては、最上層およびその隣接層であ
るか、あるいは最上層および１層挟んで最上層と隣接す
る層であることが好ましい。

このような構成とすることにより、最上層および他の１
層を、それぞれ高域信号配録および低域信号記録に好適
なＨｃとすることができ、全域に亙って電磁変換特性が
向上する。

強磁性金属薄膜の積層数に特に制限はなく、目的に応じ
て２層、３層あるいは４層以上の構成を選択すればよい
。

３層以上の多層構成とする場合、最上層と最下層との間
に存在する中間層は、記録信号の周波数帯域や各層の厚
さなどの各種条件を考慮して、最適なＨｃや耐食性が得
られるように蒸着時のθｍａｘ　、θｌ１ｉｎ、厚さ、
柱状結晶粒の成長方向等を適宜設計すればよい。

例えばＨｆ−８規格のように低域信号と高域信号とが重
畳記録される場合、各層に主として言己録される信号の
周波数帯域を考慮して上ｌ己各条件を決定すればよい。

各強磁性金属薄膜の厚さは、約４００〜１０００人であ
ることが好ましい、　最上層の厚さが４００人より薄く
なると、例えば７．０ＭＨｚ程度の高域信号の配録が十
分にできなくなりａカが低下する。　一方１０００人よ
りも厚くなると雑音が増えて信号対雑音比が低下する。

なお、磁性層全体の厚さは、２０００Å以上であること
が好ましい、　これにより例えば０．７５ＭＨｚ程度の
低域における出力を十分に大きくすることができる。

また、低域および高域の双方で高出力を得るために、最
上層から下層に向けて犀さが増加していることが好まし
い。

各強磁性金属薄膜は、それぞれ斜め蒸着法により形成さ
れる。　斜め蒸着装置および方法は、前掲した各種の文
献に記載されているのでそれらのうちから任意のものを
採用すればよい。

斜め蒸着法は、例えば、供給ロールから繰り出された長
尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却ドラムの表面
に添わせて送りながら、個以上の定置金属源から斜め蒸
着をし、巻き取りロールに巻き取るものである。　この
場合、入射角は蒸着初期のθｍａｘから最終のθ＠ｉｎ
まで連続的に変化し、非磁性基体表面にＣｏを主成分と
する強磁性金属の柱状結晶粒子を弧状に成長させ、整列
させるものである。

磁性層を多層構成とする場合は、この工程を繰り返し行
なう。

強磁性金属が入射する方向が非磁性基体の法線を挟んで
交差するような２層の強磁性金属薄膜を形成する場合、
非磁性基体の走行方向を逆にして斜め蒸着を行なえばよ
い。

本発明の磁気テープの磁性層上には、磁性層の保護およ
び耐食性向上のために公知の種々のトップコート層が設
けられることが好ましい。　また、テープ化したときの
走行性を確保するために、非磁性基体の磁性層と反対側
には公知の種々のバックコート層が設けられることが好
ましい。

〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げ１本発明をさらに詳
細に説明する。

［実施例１］ 下記表１に示される磁気テープサンプルを作製した。

非磁性基体としては、厚さ７−のポリエチレンナフタレ
ート（ＰＥＮ）フィルムを用いた。

表１に、磁性層形成前の熱収縮率（熱収縮率Ａ）、磁性
層形成後の熱収縮率（熱収縮率Ｂ）およびヤング率を示
す、　熱収縮率は、１００℃の湯に３０分間浸漬した後
の収縮率であり、磁性層形成後の熱収縮率は、８ｍｍ幅
の磁気テープを長さ１００ｍｍに切断して測定用サンプ
ルとし、これを１００℃の湯に３０分間浸漬し、十分に
乾燥させ後、測定した。

なお、熱収縮率Ｂを所望の値とするために、磁性層形成
後、必要に応じて熱処理を施して熱収縮率を変化させた
。　熱収縮率Ｂは、この熱処理後の値である。

各サンプルの磁性層は２層構成とし、上層および下層は
、下記のようにして形成した。

１０−’ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気中で、供給ロールからＰ
ＥＮフィルムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラム
の周面に添わせて移動させ、強磁性金属を斜め蒸着して
下層を形成し、巻き取りロールに巻き取った。

次いで、この巻き取りロールを供給ロールとし、ＰＥＮ
フィルム表面の法線方向を挟んで上記斜め蒸着時の入射
方向と交差する入射方向にて強磁性金属を斜め蒸着して
上層とした。

各サンプルの上層の厚さは９００人、下層の厚さは１１
００人とし、上層および下層の組成はいずれも８０ａｔ
％Ｃｏ−Ｎｉとした。　また、上層および下層蒸着時の
θｍｉｎはいずれも３０度、θｍａｘはいずれも９０度
とした。

これらのサンプルをスリッタにて裁断してテープ化し、
Ｈｉ−８規格のビデオカセットとした。

各サンプルについて、下記の評価を行なった。　結果を
表１に示す。

（１）カッピング ７０℃・８０％ＲＨにて１週間保存した後、テープを平
面上に載置し、テープ幅方向端部のソリ高さｈを測定し
た。　評価基準は下記の通りとした。

Ｑ：　　ｈｌ＝０ ０：０＜ｌｈｌ≦０．２ｍｍ △：０．２＜Ｉｈｌ＜０．５ｍｍ Ｘ：　＋ｈｌ≧０．５ｍｍ なお、カッピングはテープ幅方向の変形の度合いを示す
指標であり、カッピングが大きいとテープと磁気ヘッド
とのスペーシングが一定に保でな（なり、出力変動を生
じる。

上記表１に示される結果から、本発明の効果が明らかで
ある。

すなわち、磁性層形成後の熱収縮率が０．５％以下であ
る本発明のサンプルはカッピングがきわめて少ない。　
そして、基体のヤング率６００　ｋｇｆ／＋＋ｕ＋＋”
以上である場合、カッピングはさらに少なくなっている
。

［実施例２］ 上層および下層の組成を下記表２に示されるものとした
他は表１に示されるサンプルＮｏ。

１−１と同様にしてサンプルを作製した。

なお、表２に示されるサンプルＮｏ、２−３は、サンプ
ルＮｏ、１−１と同一のサンプルである。

これらの各サンプルについて、実施例１と同様なカッピ
ング測定および下記評価を行なった。　ただし、カッピ
ング測定における保存条件は、７０℃・８０％ＲＨにて
１０日閘とした。

（２）発錆 ６０℃・９０％ＲＨの環境で１週間保存後、テープの磁
性層側の変色度を目視で判定した。　評価基準は下記の
とおりとした。

０：変化なし Ｏ：薄い黄色に変色 △：黄色に変色 ×：青色に変色 （３）電磁（０，７５ＭＨｚおよび７　ＭＨｚでの電磁
変換特性） Ｈｉ−８規格Ｖ　Ｔ　Ｒ（７）　５ＯＮＹ　ＥＶ−３９
００を用い、０．７５ＭＨｚの単一信号および７　ＭＨ
ｚの単一信号を記録したときのＲＦ比出力基準テープの
ＲＦ比出力比較し、下記の評価基準により判定した。

０：　　（ＲＦ比出力≧２．０ｄＢ Ｏ：ＯｄＢ≦（ＲＦ比出力＜２．０ｄＢ△ニー１．０ｄ
Ｂ≦（ＲＦ比出力＜０ｄＢＸ：（ＲＦ比出力＜−１，０
ｄＢ なお、測定の際の磁気ヘッドの相対的移動方向は、上層
の柱状結晶粒子の成長方向なＰＥＴフィルム表面に投影
した方向とした。

なお、上記表２に示されるサンプルＮｏ。

２−１および２−３は比較用のリファレンスサンプルで
あり、上層と下層との組成を全く同一に設定している。

上記表２において、最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有
率を最上層の強磁性金属薄膜のＣ。

含有率よりも低く構成したサンプルＮｏ、２−２では、
耐食性が高くなってカッピングがさらに減少し、しかも
、低域および高域のいずれにおいても高い電磁変換特性
が得られている。

このようなサンプルＮｏ、２−２に対し、上層および下
層のいずれもがＣｏ含有率の低い比較サンプルＮｏ、２
−１では、耐食性は良好であるが７　ＭＨｚにおける特
性が低い。

また、上層および下層のいずれもがＣｏ含有率の高い比
較サンプルＮｏ、２−３では、耐食性が低く、また、０
．７５ＭＨｚにおける電磁変換特性が低い。

［実施例３］ 上層および下層の強磁性金属薄膜の蒸着時のθ■ｉｎお
よびθｍａｘを変え、上記表３に示す各サンプルを得た
。　なお、サンプルＮｏ、３−１は、表１に示されるサ
ンプルＮｏ、１−１と同じであり、他のサンプルのθｍ
ｉｎおよびθｍａｘ以外の構成は、サンプルＮｏ、３−
１と同じとした。

これらの各サンプルについて、実施例２と同様な評価を
行なった。

結果を表３に示す。

上記表３において、サンプルＮｏ、３−１．３−５およ
び３−８は比較用のリファレンスサンプルであり、上層
と下層との形成条件を全く同一に設定している。

下層のθｍａｘが上層のθｍａｘより小さいサンプルＮ
ｏ、３−２では、下層のθ１ａａＸ以外の全ての入射角
が同じであるサンプルＮｏ、３−１に比べ耐食性が向上
してカッピングが減少し、また、上層のθｍａｘ以外の
全ての入射角が同じであるサンプルＮｏ、３−８に比べ
電磁変換特性が著しく向上している。

また、上層のθｌｌｌ１ｎが下層のθｍｉｎより大きい
サンプルＮｏ、３−３では、上層のθｍｉｎ以外の全て
の入射角が同じであるサンプルＮｏ。

３−１に比べ電磁変換特性が著しく向上し、また、下層
のθｍｉｎ以外の全ての入射角が同じであるサンプルＮ
ｏ、３−５に比べ耐食性が向上してカッピングが減少し
ている。

そして、これら両条件を満足するサンプルＮｏ、３−４
では、耐食性が良好でカッピングが極めて小さく、電磁
変換特性も極めて高い。

なお、表３に示す各サンプルの下層を、実施例２のサン
プルＮｏ、２−２と同じ組成として上記と同様な評価を
行なったところ、耐食性がさらに向上し、０．７５ＭＨ
ｚでの型持もさらに向上した。

［実施例４］ 実施例１．２および３に準じて、３層の強磁性金属薄膜
から構成される磁性層を有する磁気テープサンプルを作
製した。

これらの各サンプルについて、上記各実施例と同様な評
価を行なったところ、非磁性基体の物性、各層の組成、
θｍｉｎおよびθｍａｘに応じて、上記各実施例と同等
の効果が得られた。

また、各層の蒸着方向（柱状結晶粒子の成長方向）が、
上層、中間層、下層の順で＋十−のものと十−十のもの
の双方について実験を行なった結果、はぼ同等の特性が
得られた。　なお、この場合の＋とは、柱状結晶粒子の
成長方向をテープ表面に投影したときの方向がテープに
対する磁気ヘッドの相対的移動方向と同方向のときであ
り、−とは逆方向のときである。

さらに、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金からなる多層磁性層を有
する磁気テープにおいても、上記各実施例と同等の効果
が認められた。

〈発明の効果〉 本発明の磁気テープは、非磁性基体の熱収縮率を所定範
囲とするため、高温・高温での使用や保存に際し、カー
リングやカッピング等の変形が極めて少ない。

このため、磁気ヘッドとのスペーシングの経時変化が極
めて少なく、ヘッドタッチも良好となるので、耐久性、
信頼性に優れる。

また、磁性層の組成や形成条件を所定のものとすること
によりテープ変形はさらに減少し、しかも、低域信号か
ら高域信号までの広い帯域に亙って極めて高い電磁変換
特性が得られる。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）長尺の非磁性基体上に斜め蒸着法により形成され
   た少なくとも２層の強磁性金属薄膜から構成される磁性
   層を有し、この強磁性金属薄膜がＣｏおよびＮｉを主成
   分とするか、またはＣｏ、ＮｉおよびＣｒを主成分とし
   て含有する磁気テープであって、 前記非磁性基体が、厚さ８μｍ以下で熱収縮率０．５％
   以下であることを特徴とする磁気テープ。
2. （２）前記非磁性基体のヤング率が６００ ｋｇｆ／ｍｍ＾２以上である請求項１に記載の磁気テー
   プ。
3. （３）磁性層形成前の非磁性基体の熱収縮率が２％以下
   である請求項１または２に記載の磁気テープ。
4. （４）最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率が最上層の
   強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低い請求項１ないし
   ３のいずれかに記載の磁気テープ。
5. （５）蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性
   基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最
   大値をθｍａｘ、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、 最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸
   着時のθｍａｘより小さいθｍａｘにて蒸着されたもの
   である請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気テープ
   。
6. （６）蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性
   基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最
   大値をθｍａｘ、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、 最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸
   着時のθｍｉｎより大きいθｍｉｎにて蒸着されたもの
   である請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気テープ
   。