JPH04372709A - ディジタル記録用磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、斜め蒸着法により形成
された柱状結晶粒子からなる強磁性金属薄膜を磁性層と
して有する面内記録型のディジタル記録用磁気記録媒体
に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＨＤＴＶの実用化に向けて、膨大なディ
ジタル画像信号を小型カセットへ記録するために、高密
度記録が可能な磁気テープが要求されている。

【０００３】これを実現するため、テレビジョン学会技
術報告ｖｏｌ．１３，Ｎｏ．　５９，　ＰＰ１９−２４
（１９８９）　には、メタル磁性粉を用いた塗布型の磁
気テープを用いたディジタル画像記録の実験結果が報告
されている。

【０００４】また、電子情報通信学会技術研究報告（信
学技報）ＰＰ３９−４４　ＭＲ９０−１５では、Ｃｏ−
Ｃｒ蒸着タイプの垂直磁気テープを用いて実験が行なわ
れている。

【０００５】他方、Ｃｏを主体とし、さらにＮｉ等を含
有し、斜め蒸着法によって形成した強磁性金属薄膜を磁
性層とする磁気テープは、飽和磁束密度が大きく、しか
も保磁力が高く、すぐれた電磁変換特性を示す。斜め蒸
着法では、蒸着等の気相法により強磁性金属の蒸気を非
磁性基体の表面に特定の角度で入射させ、柱状結晶粒子
からなる強磁性金属薄膜を形成する。

【０００６】信学技報ＰＰ４３−４９　ＭＲ９０−７で
は、この斜め蒸着タイプの磁気テープを用い、孤立再生
波を調べるために矩形波を記録して走行方向依存性等の
実験とその解析を行ない、その記録機構について考察を
行なっている。この報文では、その第４３ページ図１に
示されるように、１方向から斜め蒸着して１方向に柱状
結晶粒子を成長させた単層の蒸着膜を磁性層として用い
ている。

【０００７】この結果、この報文では、正方向および逆
方向で孤立波信号を最適記録電流にて記録し、その各々
につき、正方向および逆方向での４種の孤立再生波形を
観察すると、第４５ページ図４に示されるように、ゼロ
クロス点からピーク点の時間と、ピーク点からゼロクロ
ス点の時間との比は、１／５以下、あるいは５倍以上と
きわめて大きく、再生波形の非対称性がきわめて大きい
。

【０００８】このように孤立再生波形が非対称であると
、実際の記録再生ではエラー率が増大してしまう。特に
民生用の規格では、帯域圧縮が使用されるなどエラー訂
正に関する余裕が小さいため、エラー率減少は重要な課
題である。

【０００９】また、再生波形が非対称であると、エラー
率を低く抑えるために単位波形あたりの幅（ウインドー
マージン）を広くとる必要が生じ、高密度記録が不可能
となってしまう。また、サンプリング周波数を高くでき
なくなるため、高Ｓ／Ｎが得られない。

【００１０】なお、再生波形の非対称性は等化回路によ
って補正することもできるが、非対称性が著しいと等化
が極めて困難ないし不可能となる。また、塗布型メタル
テープとの互換性がとれなくなってしまう。塗布型メタ
ルテープは磁化容易軸が磁性層面内方向に存在するため
、再生波形の対称性が良好だからである。

【００１１】また、ディジタル記録用磁気記録媒体には
、このような再生波形の対称性の他に、高出力も要求さ
れる。出力が低いとエラー率が高くなってしまう。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、孤立再生波形の非対称性が
低く、しかも高い出力が得られるディジタル記録用磁気
記録媒体を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（４）の本発明により達成される。

【００１４】（１）　　斜め蒸着法により形成された柱
状結晶粒子からなる強磁性金属薄膜を有する磁性層が基
体表面に形成されており、前記磁性層が、少なくとも１
層の強磁性金属薄膜からなる下層と、少なくとも１層の
強磁性金属薄膜からなる上層とを有し、前記下層におけ
る柱状結晶粒子の平均成長方向と前記上層における柱状
結晶粒子の平均成長方向とが前記基体の法線を挟んで交
差しており、前記下層の厚さが前記上層の厚さの１．２
〜５．０倍であって、前記上層における柱状結晶粒子の
成長方向側に相対移動する磁気ヘッドによりディジタル
記録が行なわれることを特徴とするディジタル記録用磁
気記録媒体。

【００１５】（２）　　正および負の孤立波信号を最適
記録電流にて記録して再生したとき、再生信号のゼロク
ロス点からピーク点までの時間が、ピーク点からゼロク
ロス点までの時間の０．５〜１．５倍である上記（１）
に記載のディジタル記録用磁気記録媒体。

【００１６】（３）　　半値巾５０〜５００ｎｓｅｃ、
波長０．３５〜０．８０μｍ　の信号にてディジタル記
録が行なわれる上記（１）または（２）に記載のディジ
タル記録用磁気記録媒体。

【００１７】（４）　　前記磁性層面内における保磁力
が８００　Ｏｅ　以上であり、かつ残留磁束密度が２５
００Ｇ　以上である上記（１）ないし（３）のいずれか
に記載のディジタル記録用磁気記録媒体。

【００１８】

【作用】図１に示されるように、本発明のディジタル記
録用磁気記録媒体１の磁性層３は、下層３１における柱
状結晶粒子の平均成長方向と上層３２における柱状結晶
粒子の平均成長方向とが基体２の法線を挟んで交差して
おり、記録および再生時における磁気ヘッド１０の相対
移動方向は、上層３２における柱状結晶粒子の成長方向
側である。

【００１９】このような構成において、下層３１の厚さ
の上層３２の厚さに対する比率を上記範囲とすることに
より、孤立再生波形の対称性が向上し、しかも十分な出
力が得られる。このため、エラー率が低くなり、また、
単位波形あたりに必要とされるウインドーマージンが狭
くて済むので高密度ディジタル記録が可能となり、サン
プリング周波数を高くできて良好なＳ／Ｎを得ることが
可能となる。さらに、等化が容易となり、あるいは等化
を省略することもでき、塗布型メタルテープとの互換性
も向上する。

【００２０】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００２１】本発明のディジタル記録用磁気記録媒体は
、斜め蒸着法により形成された柱状結晶粒子からなる強
磁性金属薄膜を有する磁性層が基体表面に形成されてい
る。この磁性層は、少なくとも１層の強磁性金属薄膜か
らなる下層と、少なくとも１層の強磁性金属薄膜からな
る上層とを有し、基体、下層、上層の順に積層されてい
る。

【００２２】図１に本発明のディジタル記録用磁気記録
媒体の好適実施例を示す。図１に示されるディジタル記
録用磁気記録媒体１は、基体２上に磁性層３を有する。 磁性層３を構成する下層３１および上層３２はそれぞれ
１層の強磁性金属薄膜からなり、下層３１における柱状
結晶粒子３１１の平均成長方向と、上層３２における柱
状結晶粒子３２１の平均成長方向とが、基体２の法線を
挟んで交差している。

【００２３】なお、下層および／または上層が複数の強
磁性金属薄膜から構成される場合も、上記と同様である
。すなわち、下層に属する全ての強磁性金属薄膜それぞ
れの柱状結晶粒子の平均成長方向が、上層に属する全て
の強磁性金属薄膜それぞれの柱状結晶粒子の平均成長方
向と、基体２の法線を挟んで交差している。

【００２４】このように、下層および／または上層を複
数の強磁性金属薄膜から構成することにより、各強磁性
金属薄膜の柱状結晶粒子の粒子径を小さくすることがで
き、良好なＳ／Ｎを得ることが可能となる。

【００２５】図１において、記録および再生時における
磁気ヘッド１０の相対移動方向は、上層３２における柱
状結晶粒子の成長方向側である。柱状結晶粒子の成長方
向側とは、柱状結晶粒子の成長方向を基体２主面に投影
した方向（図中に矢印で示す方向）とほぼ一致する方向
であり、磁気テープ化して通常のヘリカルスキャン記録
を行なう場合には、前記投影した方向を中心とし、基体
主面内において±１０°以下程度の範囲内に収まる。

【００２６】下層３１の厚さは、上層３２の厚さの１．
２〜５．０倍、好ましくは１．５〜４．０倍とする。磁
気ヘッドが前記した方向に相対移動する場合、両層の厚
さをこのような関係とすることにより再生波形の対称性
が臨界的に向上する。具体的には、半値巾５０〜５００
ｎｓｅｃ、記録波長０．３５〜０．８０μｍ　程度の例
えば矩形波の正および負の孤立波パルス信号列を記録し
た場合、その再生波形のゼロクロス点からピーク点まで
の時間（立ち上がり時間）を、ピーク点からゼロクロス
点までの時間（立ち下がり時間）の０．５〜１．５倍、
特に０．８〜１．２倍程度に収めることができる。この
場合の立ち上がり時間と立ち下がり時間との比は、最適
記録電流（最大出力が得られる記録電流）におけるもの
である。

【００２７】なお、下層の厚さが上層の厚さの１．２倍
未満であると上記した効果が不十分であり、５．０倍を
超える場合、上層の厚さが不十分となって強度が不足し
、また、出力も不十分となる。

【００２８】磁性層全体の厚さは、１０００〜３０００
Ａ　、特に１５００〜２５００Ａ　とすることが好まし
い。 磁性層の厚さが前記範囲未満であると磁性層全体の強度
が不十分であり、信頼性が低くなる。また、前記範囲を
超えると記録磁化が回転モードを形成し、再生出力が低
下してしまう。

【００２９】なお、下層および／または上層が複数の強
磁性金属薄膜から構成される場合、各強磁性金属薄膜の
厚さは特に限定されず、磁性層全体の厚さと積層数に応
じて適宜設定すればよい。

【００３０】各強磁性金属薄膜の柱状結晶粒子の傾きは
特に限定されず、要求される面内方向保磁力や残留磁束
密度、あるいは、その強磁性金属薄膜の磁性層内での位
置等に応じて適当な傾きを選択すればよいが、高保磁力
かつ高残留磁束密度を得るためには、柱状結晶粒子の平
均成長方向と基体主面とのなす角度θを、４０〜８０°
、特に５０〜７０°とすることが好ましい。なお、下層
および／または上層が複数の強磁性金属薄膜から構成さ
れる場合、同一の層に属する強磁性金属薄膜の平均成長
方向は一致している必要はなく、信号パターンの記録深
さなどに応じて各薄膜における角度θを異なるものとし
てもよい。

【００３１】柱状結晶粒子の平均成長方向と基体主面と
のなす角度θは、以下のようにして求める。まず、柱状
結晶粒子の成長方向を含み基体主面に垂直な平面で媒体
を切断する。その断面には、各強磁性金属薄膜を構成す
る柱状結晶粒子の断面が弧状に現われる。この断面に現
われた柱状結晶粒子の側面（隣り合う柱状結晶粒子の境
界線）と基体主面とのなす角度を、各強磁性金属薄膜毎
に少なくとも柱状結晶粒子１００個について測定し、各
強磁性金属薄膜におけるそれらの平均値を求める。そし
て、これら各平均値を、各強磁性金属薄膜における柱状
結晶粒子の平均成長方向と基体主面とのなす角度θとす
る。なお、θの測定位置は強磁性金属薄膜の厚さ方向の
中間点である。

【００３２】角度θは、斜め蒸着法における強磁性金属
の入射方向に依存し、特に最小入射角θｍｉｎ　に依存
する。

【００３３】磁性層を構成する強磁性金属薄膜はＣｏを
主成分として含有するＣｏ基合金であることが好ましく
、強磁性金属薄膜中のＣｏ含有率は、６０原子％以上で
あることが好ましい。Ｃｏ基合金としては、Ｃｏおよび
Ｎｉを主成分とするか、またはＣｏ、ＮｉおよびＣｒを
主成分とする合金が好ましい。Ｃｏ以外の各元素の含有
率は、要求される磁気特性や耐食性に応じて適宜選択す
ればよい。

【００３４】磁性層の磁気特性は特に限定されず、磁性
層の組成や柱状結晶粒子の平均成長方向などを適宜選択
して目的とする磁気特性を得ればよいが、高密度ディジ
タル記録を行なうためには、磁性層面内における保磁力
Ｈｃ　を８００　Ｏｅ　以上、残留磁束密度Ｂｒ　を２
５００Ｇ　以上、最大磁束密度Ｂｍ　を３０００Ｇ　以
上とすることが好ましい。なお、通常、Ｈｃ　は１７０
０　Ｏｅ　程度以下、Ｂｒ　は５０００Ｇ　程度以下、
Ｂｍ　は７０００Ｇ　程度以下である。

【００３５】各強磁性金属薄膜は、それぞれ斜め蒸着法
により形成される。斜め蒸着装置および方法に特に制限
はなく、通常のものを用いればよい。

【００３６】斜め蒸着法は、例えば、供給ロールから繰
り出された長尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却
ドラムの表面に添わせて送りながら、一個以上の定置金
属源から斜め蒸着をし、巻き取りロールに巻き取るもの
である。この場合、入射角は蒸着初期の最大入射角θｍ
ａｘ　から最終の最小入射角θｍｉｎ　まで連続的に変
化し、基体表面に柱状結晶粒子が弧状に成長する。下層
の上に上層を形成する際には、下層形成時の巻き取りロ
ールを供給ロールとして、基体の走行方向を逆にして蒸
着を行なえばよい。

【００３７】θｍａｘ　およびθｍｉｎ　は、目的とす
る磁気特性等に応じて適宜決定すればよいが、通常、θ
ｍａｘ　は８０〜９０°程度、θｍｉｎ　は１０〜６０
°程度とすることが好ましい。

【００３８】なお、斜め蒸着の際の雰囲気中に酸素ガス
を導入して、保磁力向上や酸化に対する安定性を向上さ
せることが好ましい。

【００３９】本発明で用いる基体は非磁性であればその
材質に特に制限はなく、強磁性金属薄膜蒸着時の熱に耐
える各種フィルム、例えばポリエチレンテレフタレート
等を用いることができる。また、特開昭６３−１０３１
５号公報に記載の各種材料が使用可能である。

【００４０】本発明で用いる基体の表面には、微小な突
起が設けられることが好ましい。磁性層は蒸着膜であり
極めて薄いため、基体表面の性状が磁性層表面に直接的
に現われる。従って、基体表面に微小な突起を設ければ
磁性層表面にも微小な突起を出現させることができる。 磁性層表面の突起は磁性層の摩擦を低下させてテープ化
したときの走行性を向上させ、また、媒体の耐久性を高
める。

【００４１】基体表面の微小な突起の性状および形成方
法は特に限定されないが、突起の配設パターンや突起形
成後の基体の表面粗さが磁性層の磁気特性、特に保磁力
に影響を与えるので、本発明では微細粒子を基体表面に
配設することにより突起を設けることが好ましい。

【００４２】使用される微細粒子としては、粒状、特に
ほぼ球形のものが好ましく、例えば、ＳｉＯ２　、Ａｌ
２　Ｏ３　、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＭｇＣＯ３　、ＣａＣＯ
３　、ＣａＳＯ４　、ＢａＳＯ４　、ＴｉＯ２　等の酸
化物、硫酸塩、炭酸塩等、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂ
ａ、Ｚｎ、Ｍｎ等の金属の酸化物あるいは酸塩等の１種
以上を含む無機粒子、あるいはポリスチレン、ポリエス
テル、ポリアミド、ポリエチレン等の１種以上の有機化
合物球状粒子などが好ましい。これら微細粒子は、磁性
を有していても有していなくてもよい。

【００４３】微細粒子の平均粒子径は１００〜１０００
Ａ　、特に３００〜６００Ａ　であることが好ましい。 平均粒子径が前記範囲未満であると摩擦低減効果が小さ
く、耐久性向上効果も不十分である。また、平均粒子径
が前記範囲を超えると磁性層の表面粗さが大きくなって
後述する中心線平均粗さＲａ　とすることが困難となり
、保磁力が低下する他、高周波特性が不十分となる。

【００４４】微細粒子の配設密度は、１ｍｍ２　あたり
１０万個〜１億個、特に１００万個〜７０００万個であ
ることが好ましい。配設密度が低すぎると微細粒子を設
けることによる効果が不十分となる。また、配設密度が
高すぎても効果の向上はみられず、後述する連鎖比率と
することが困難となる。

【００４５】微細粒子はできるだけ均一な分布で配設さ
れることが好ましい。粒子同士が凝集したり極度に接近
したりすると、これらは見掛け上大きな粒子（二次粒子
）として挙動することになり、好ましくない。微細粒子
間の接近度を、本明細書では連鎖比率で定義する。すな
わち、基体の表面に配設された粒子の平均直径をＲとし
、隣接する粒子間の距離をｄとしたとき、連鎖比率＝（
ｄ＜Ｒを満足する粒子の単位面積あたりの個数）×１０
０／（単位面積あたりの粒子の個数）で定義される（単
位は％）。なお、粒子間距離ｄおよび粒子の個数は電子
顕微鏡写真にて測定する。

【００４６】本発明では、このような連鎖比率が７０％
以下、特に０〜６０％であることが好ましい。連鎖比率
が前記範囲を超えると微細粒子が二次粒子としての挙動
を示すため、柱状結晶粒子の成長方向が揃いにくくなっ
て保磁力が低下する。また、磁性層形成後、磁性層表面
に現われる突起の径および高さが著しく大きくなり、磁
性層の表面性が低下してスペーシングロスにより電磁変
換特性が低下する。

【００４７】微細粒子配設後の基体の中心線平均粗さＲ
ａ　は、４０Ａ　以下、特に３０Ａ　以下であることが
好ましい。Ｒａ　が前記範囲を超えると柱状結晶粒子の
成長方向が揃いにくくなり、保磁力が低下する傾向にあ
る。なお、Ｒａ　が低すぎると摩擦低減効果が不十分で
耐久性も低くなるため、Ｒａ　は１０Ａ　以上とするこ
とが好ましい。

【００４８】微細粒子を基体表面に配設する方法は特に
限定されないが、例えば、合成樹脂を溶剤に溶解した薄
いバインダに微細粒子を分散したものを基体に塗布する
方法、あるいはこのようなバインダを塗布した上に微細
粒子を付着させる方法などが好ましく用いられる。

【００４９】本発明の磁気記録媒体の磁性層上には、磁
性層の保護および耐食性向上のために公知の種々のトッ
プコート層が設けられることが好ましい。また、テープ
化したときの走行性を確保するために、基体の磁性層と
反対側には公知の種々のバックコート層が設けられるこ
とが好ましい。

【００５０】本発明の磁気記録媒体に対してなされるデ
ィジタル記録再生の方式は特に限定されず、例えば、前
記の各種報文等に従い各種フォーマットでディジタル記
録再生を行なえばよいが、通常、半値巾５０〜５００ｎ
ｓｅｃ、記録波長０．３５〜０．８０μｍ　程度でディ
ジタル記録を行なう。

【００５１】なお、本発明のディジタル記録用磁気記録
媒体は、通常、テープ化されて各種用途に用いられる。

【００５２】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００５３】［実施例１］ 微細粒子としてＳｉＯ２　（平均粒子径３００Ａ　）０
．１５重量％を、バインダとしてメチルセルロース０．
２重量％およびシランカップリング剤〔Ｎ−β（アミノ
エチル）−γアミノプロピルメチルジメトキシシラン〕
０．０２重量％を、残部溶剤として水を含有する配合物
を十分に混合分散させ、得られた懸濁液を厚さ７μｍ　
のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基体表面に塗
布し、乾燥した。

【００５４】乾燥後の微細粒子の配設密度は１千万個／
ｍｍ２　、連鎖比率は５０％、基体表面のＲａ　は３０
Ａ　であった。

【００５５】次いで、基体表面に強磁性金属薄膜を蒸着
した。

【００５６】供給ロールから基体を繰り出して、回転す
る円筒状冷却ドラムの周面に添わせて移動させ、強磁性
金属を斜め蒸着することにより強磁性金属薄膜を形成し
て下層とし、巻き取りロールに巻き取った。

【００５７】次いで、この巻き取りロールを供給ロール
とし、基体表面の法線方向を挟んで上記斜め蒸着時の入
射方向と交差する入射方向にて強磁性金属を斜め蒸着す
ることにより強磁性金属薄膜を形成して上層とし、磁気
記録媒体サンプルを得た。

【００５８】なお、上層および下層をそれぞれ形成する
際には、ＡｒガスとＯ２　ガスとの混合ガスを真空槽内
に流し、真空槽内の圧力を１０−４Ｔｏｒｒに保った。 また、混合ガスは、最小入射角付近で蒸着される部分の
基体に吹き付けるように流した。また、各層形成の際の
最大入射角θｍａｘは９０°、最小入射角θｍｉｎ　は
３５°とした。

【００５９】各サンプルの上層形成および下層形成には
、Ｃｏ８０原子％、Ｎｉ２０原子％の組成を有する強磁
性金属を用いた。

【００６０】上層厚さに対する下層厚さの比率を変えて
、複数のサンプルを作製した。なお、各サンプルの下層
および上層における柱状結晶粒子の平均成長方向と基体
主面とのなす角度θは、それぞれ５５°であった。角度
θは、前述した方法により測定した。柱状結晶粒子の測
定数は１００個とした。また、各サンプルの下層と上層
の合計厚さは、２０００Ａ　とした。

【００６１】各サンプルをスリッタにて８ｍｍ巾に裁断
してテープ化し、テープに対する磁気ヘッドの相対移動
方向が上層の柱状結晶粒子の成長方向側となるようにビ
デオカセットに装填した。次いで、各カセットを、ＭＩ
Ｇヘッドを搭載したビデオデッキ（ソニー社製　　Ｓ９
００）に装填し、１ＭＨｚ　の正負孤立矩形波を記録し
、孤立再生波のゼロクロス−ピーク時間ＴＬ　、ピーク
−ゼロクロス時間ＴＲ　を測定した。記録電流とＴＬ　
／ＴＲ　との関係を図２に示す。

【００６２】また、各サンプルに１０ＭＨｚ　のサイン
波を記録し、再生出力を測定した。記録電流と再生出力
との関係を図３に示す。

【００６３】図２および図３に示される結果から、本発
明の効果が明らかである。すなわち、下層の厚さと上層
の厚さとが等しい比較サンプルに対し、下層の厚さが上
層の厚さの１．２〜５．０倍の範囲にある本発明のサン
プルでは、ＴＬ　／ＴＲ　がより１に近く、最適記録電
流（−１０ｄＢｍ　）ではＴＬ　／ＴＲ　が１〜１．２
程度であり、孤立再生波形の対称性が良好であることが
わかる。 そして、ＴＬ　／ＴＲ　が０．８〜１．５に収まる記録
電流範囲が−２０〜−７ｄＢｍ　と極めて広いので、回
路設計の自由度が高く、また、互換性の点で非常に有利
であることがわかる。なお、ｄＢｍ　は電力レベルを表
わし、１ｍＷの電力が０ｄＢｍ　である。また、本発明
のサンプルは、比較サンプルとほぼ同等の再生出力が得
られている。

【００６４】なお、各サンプルの磁性層面内方向の保磁
力Ｈｃ　は約１２００　Ｏｅ　、残留磁束密度Ｂｒ　は
約４５００Ｇ　、角形比は約０．７８であった。

【００６５】また、上記各サンプルのエラー率を、改造
したディジタルオーディオテープレコーダ（ＤＡＴ）に
て測定したところ、本発明のサンプルは比較サンプルに
対しエラー率が２桁以上低かった。

【００６６】

【発明の効果】本発明のディジタル記録用磁気記録媒体
は、再生波形の対称性が良好で、しかも十分な出力が得
られるので、エラー率が低い。また、単位波形あたりの
ウインドーマージンが狭くて済み、短波長記録が可能と
なるので、高密度記録ができ、高Ｓ／Ｎが得られる。ま
た、等化が容易ないしは等化が不要となるので、塗布型
メタルテープなどとの互換性が高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のディジタル記録用磁気記録媒体の好適
実施例を部分的に示す断面図である。

【図２】記録電流とＴＬ　（孤立再生波のゼロクロス−
ピーク時間）／ＴＲ　（ピーク−ゼロクロス時間）との
関係を表わすグラフである。

【符号の説明】

１　　ディジタル記録用磁気記録媒体 ２　　基体 ３　　磁性層 ３１　　下層 ３１１　　柱状結晶粒子 ３２　　上層 ３２１　　柱状結晶粒子 １０　　磁気ヘッド

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　斜め蒸着法により形成された柱状結晶
   粒子からなる強磁性金属薄膜を有する磁性層が基体表面
   に形成されており、前記磁性層が、少なくとも１層の強
   磁性金属薄膜からなる下層と、少なくとも１層の強磁性
   金属薄膜からなる上層とを有し、前記下層における柱状
   結晶粒子の平均成長方向と前記上層における柱状結晶粒
   子の平均成長方向とが前記基体の法線を挟んで交差して
   おり、前記下層の厚さが前記上層の厚さの１．２〜５．
   ０倍であって、前記上層における柱状結晶粒子の成長方
   向側に相対移動する磁気ヘッドによりディジタル記録が
   行なわれることを特徴とするディジタル記録用磁気記録
   媒体。
2. 【請求項２】　　正および負の孤立波信号を最適記録電
   流にて記録して再生したとき、再生信号のゼロクロス点
   からピーク点までの時間が、ピーク点からゼロクロス点
   までの時間の０．５〜１．５倍である請求項１に記載の
   ディジタル記録用磁気記録媒体。
3. 【請求項３】　　半値巾５０〜５００ｎｓｅｃ、波長０
   ．３５〜０．８０μｍ　の信号にてディジタル記録が行
   なわれる請求項１または２に記載のディジタル記録用磁
   気記録媒体。
4. 【請求項４】　　前記磁性層面内における保磁力が８０
   ０　Ｏｅ　以上であり、かつ残留磁束密度が２５００Ｇ
   　以上である請求項１ないし３のいずれかに記載のディ
   ジタル記録用磁気記録媒体。