JP2558770B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP2558770B2 JP2558770B2 JP62334536A JP33453687A JP2558770B2 JP 2558770 B2 JP2558770 B2 JP 2558770B2 JP 62334536 A JP62334536 A JP 62334536A JP 33453687 A JP33453687 A JP 33453687A JP 2558770 B2 JP2558770 B2 JP 2558770B2
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- magnetic
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録再生に適する強磁性金属薄
膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術 従来、磁気記録層として広く実用に供されているもの
は、γ−Fe2O3,Coをドープしたγ−Fe2O3,CrO2或いは鉄
等の強磁性金属又は合金微小粉末磁性材料を塩化ビニ
ル，酢酸ビニル共重合体，エポキシ樹脂等の有機バイン
ダ中に分散させて、高分子フイルム等の基板上に塗布乾
燥させた塗布型磁性層である。
は、γ−Fe2O3,Coをドープしたγ−Fe2O3,CrO2或いは鉄
等の強磁性金属又は合金微小粉末磁性材料を塩化ビニ
ル，酢酸ビニル共重合体，エポキシ樹脂等の有機バイン
ダ中に分散させて、高分子フイルム等の基板上に塗布乾
燥させた塗布型磁性層である。
しかし、かかる塗布型磁性層の飽和磁束密度は上限に
近ずいてきており、厚みも均一に薄くできないことか
ら、短波長記録再生でのC/Nに限界がでてきたため、こ
の限界突破のため、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする
磁気記録媒体の実用化に期待が強まってきている［アイ
イーイーイートランザクションズ オン マグネティク
ス（IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS）,Vol.MAG−2
1,NO.3,P.P.1217〜1220（1985）参照］。
近ずいてきており、厚みも均一に薄くできないことか
ら、短波長記録再生でのC/Nに限界がでてきたため、こ
の限界突破のため、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする
磁気記録媒体の実用化に期待が強まってきている［アイ
イーイーイートランザクションズ オン マグネティク
ス（IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS）,Vol.MAG−2
1,NO.3,P.P.1217〜1220（1985）参照］。
とりわけ膜面に垂直な方向に磁化する、いわゆる垂直
磁化膜は原理的にも短波長域での損失が小さいことから
Co−Cr膜を中心に活発に改良が進められている。一方、
短波長域での損失はスペーシング損失が支配的であり、
耐久性を改良するために、SiO2,TiC,SiC,Al2O3,Au,Rh,P
d等の保護層を配する［特開昭50−104602号公報，特開
昭58−130437号公報，特開昭53−40505号公報，特開昭5
7−176537号公報等参照］ことで出力低下がおこること
から、Co−CrにGe,Ti等を添加する等材料面からの改良
と、製法面からの改良［例えば、特開昭62−208413号公
報，同62−214521号公報等参照］でのC/N改善が続けら
れている。
磁化膜は原理的にも短波長域での損失が小さいことから
Co−Cr膜を中心に活発に改良が進められている。一方、
短波長域での損失はスペーシング損失が支配的であり、
耐久性を改良するために、SiO2,TiC,SiC,Al2O3,Au,Rh,P
d等の保護層を配する［特開昭50−104602号公報，特開
昭58−130437号公報，特開昭53−40505号公報，特開昭5
7−176537号公報等参照］ことで出力低下がおこること
から、Co−CrにGe,Ti等を添加する等材料面からの改良
と、製法面からの改良［例えば、特開昭62−208413号公
報，同62−214521号公報等参照］でのC/N改善が続けら
れている。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、耐熱性高分子フイルムを用い、十分脱
ガス処理し、Co−Cr,Co−Cr−Nb,Co−Cr−Ti,Co−Cr−G
e等の垂直磁化膜をスパッタリング法，電子ビーム蒸着
法等で形成しても、保護膜を200Å程度配すると、ビッ
ト長が0.3μｍをきると、C/Nが不足してくるといった問
題があり改善が望まれていた。
ガス処理し、Co−Cr,Co−Cr−Nb,Co−Cr−Ti,Co−Cr−G
e等の垂直磁化膜をスパッタリング法，電子ビーム蒸着
法等で形成しても、保護膜を200Å程度配すると、ビッ
ト長が0.3μｍをきると、C/Nが不足してくるといった問
題があり改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、短波長
域でC/Nの優れた磁気記録媒体を提供するものである。
域でC/Nの優れた磁気記録媒体を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記した問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒
体は、Co系合金垂直磁化膜を構成する柱状微粒子が一体
構造に構成され、磁気的に厚み方向に副成分元素の高濃
度層で分離されているようにしたものである。
体は、Co系合金垂直磁化膜を構成する柱状微粒子が一体
構造に構成され、磁気的に厚み方向に副成分元素の高濃
度層で分離されているようにしたものである。
作用 本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、磁区が
微細化するので雑音が改善されるのと、磁化は垂直方向
に揃うのでC/Nが改善されるのと、一体構造であること
から多層化して類似の効果を狙ったものに比べて、機械
強度も強く、保護膜厚を小さくしてスペーシング損失に
よる出力低下もおさえることができるので、総合的にC/
N改善作用は大きいものがある。
微細化するので雑音が改善されるのと、磁化は垂直方向
に揃うのでC/Nが改善されるのと、一体構造であること
から多層化して類似の効果を狙ったものに比べて、機械
強度も強く、保護膜厚を小さくしてスペーシング損失に
よる出力低下もおさえることができるので、総合的にC/
N改善作用は大きいものがある。
実施例 以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例の磁気
記録媒体について説明する。図は本発明の磁気記録媒体
の拡大断面図で、図で１はポリエチレンテレフタレート
フイルム，ポリエチレンナフタレートフイルム，ポリイ
ミド等で、内在粒子による突起か、微粒子を塗布した突
起かのいずれかの突起を適当密度配したものが好まし
い。平均粗さは10Åから50Å，最大粗さは50Åから250
Åまでが好ましい。２はCo−Cr,Co−Ta,Co−Ti,Co−W,C
o−Mo,Co−Cr−Nb等の垂直磁化膜を構成する柱状微粒子
である。
記録媒体について説明する。図は本発明の磁気記録媒体
の拡大断面図で、図で１はポリエチレンテレフタレート
フイルム，ポリエチレンナフタレートフイルム，ポリイ
ミド等で、内在粒子による突起か、微粒子を塗布した突
起かのいずれかの突起を適当密度配したものが好まし
い。平均粗さは10Åから50Å，最大粗さは50Åから250
Åまでが好ましい。２はCo−Cr,Co−Ta,Co−Ti,Co−W,C
o−Mo,Co−Cr−Nb等の垂直磁化膜を構成する柱状微粒子
である。
3,4は副成分、即ちCo−CrであればCr,Co−Cr−Nbであ
ればCr又はNbの高濃度層で、磁気的分離層の役目を果た
すもので、スパッタリング法で形成する場合は例えばフ
イルムの移動方向に沿ってターゲットを順次Co−Cr,Cr,
Co−Cr,Cr,Co−Crと面積比を最適に選択すればよいし、
電子ビーム蒸着法，イオンプレーテイング法等の場合
は、Crイオン注入と組み合わせればよい。
ればCr又はNbの高濃度層で、磁気的分離層の役目を果た
すもので、スパッタリング法で形成する場合は例えばフ
イルムの移動方向に沿ってターゲットを順次Co−Cr,Cr,
Co−Cr,Cr,Co−Crと面積比を最適に選択すればよいし、
電子ビーム蒸着法，イオンプレーテイング法等の場合
は、Crイオン注入と組み合わせればよい。
図には示してないが、公知の保護膜，潤滑剤層を配す
るのは当然であり、磁気テープ，磁気デイスクのいずれ
で実施してもよい。
るのは当然であり、磁気テープ，磁気デイスクのいずれ
で実施してもよい。
以下、更に詳しく本発明の実施例について比較例との
対比で詳しく説明する。厚み10μｍで、内在粒子の形成
する突起が５ケ／（μｍ）２の密度で、高さ100Åのポ
リエチレンテレフタレートフイルムを用い、直径50cmの
円筒キヤンに沿わせ、曲率半径28cmのターゲットを配置
した。周方向にCo−Cr（Cr20.2wt％）を20cm,Crを0.6c
m,Co−Cr（Cr:20.2wt％）を20cm,Crを0.6cm,Co−Cr（C
r:20.2wt％）を20cmとなる条件で配置し、13.56（MHz）
の高周波グロー放電によるスパッタリング法で0.2μｍ
の垂直磁化膜を形成した。この垂直磁化膜は、平均370
Åの柱状微粒子から成り、厚み方向に、表面より600Å,
1300Åの位置に約55ÅのCrの高濃度層である非磁性層が
配された構造をもつものである。垂直磁化膜上にイオン
ビームスバッタ法でグラファイトよりダイアモンド状硬
質炭素薄膜を85Å配し、更に潤滑剤としてパーフルオロ
オクタン酸を55Å配し８ミリ幅の磁気テープとした。
対比で詳しく説明する。厚み10μｍで、内在粒子の形成
する突起が５ケ／（μｍ）２の密度で、高さ100Åのポ
リエチレンテレフタレートフイルムを用い、直径50cmの
円筒キヤンに沿わせ、曲率半径28cmのターゲットを配置
した。周方向にCo−Cr（Cr20.2wt％）を20cm,Crを0.6c
m,Co−Cr（Cr:20.2wt％）を20cm,Crを0.6cm,Co−Cr（C
r:20.2wt％）を20cmとなる条件で配置し、13.56（MHz）
の高周波グロー放電によるスパッタリング法で0.2μｍ
の垂直磁化膜を形成した。この垂直磁化膜は、平均370
Åの柱状微粒子から成り、厚み方向に、表面より600Å,
1300Åの位置に約55ÅのCrの高濃度層である非磁性層が
配された構造をもつものである。垂直磁化膜上にイオン
ビームスバッタ法でグラファイトよりダイアモンド状硬
質炭素薄膜を85Å配し、更に潤滑剤としてパーフルオロ
オクタン酸を55Å配し８ミリ幅の磁気テープとした。
一方、比較例は、同じベースフイルムを用いて、高周
波スパッタリング法によりCo−Cr（Co:79.8wt％）垂直
磁化膜を700Åずつ形成し、３層構成の垂直磁化膜を構
成し、その上にダイアモンド状硬質炭素薄膜を85Å，パ
ーフルオロオクタン酸を55Å配したものを比較例Ａと
し、ダイアモンド状硬質炭素薄膜を150Å，パーフルオ
ロオクタン酸を55Å配したものを比較例Ｂとした。
波スパッタリング法によりCo−Cr（Co:79.8wt％）垂直
磁化膜を700Åずつ形成し、３層構成の垂直磁化膜を構
成し、その上にダイアモンド状硬質炭素薄膜を85Å，パ
ーフルオロオクタン酸を55Å配したものを比較例Ａと
し、ダイアモンド状硬質炭素薄膜を150Å，パーフルオ
ロオクタン酸を55Å配したものを比較例Ｂとした。
３種類の８ミリテープを改造した８ミリビデオによ
り、ギャップ長0.11μｍのメタルインギャップ型のセン
ダストヘッドにより、ビット長0.18μｍの短形波を記録
し、帯域10（MHz）のC/Nを比較した。比較例ＡをＯ（d
B）とすると、比較例Ｂは−2.4（dB），実施例は＋1.9
（dB）で、スチル状態でのヘッド出力の低下は、実施例
が−0.8（dB/h）比較例Ａは−2.1（dB/h），比較例Ｂは
−0.9（dB/h）で、実施例は、耐久性もC/Nも良好であ
り、特にノイズが低いのは、Crの高濃度層形成が更にそ
の上に成長するCo−Crの結晶性を改良することからきて
いると考えられるものである。
り、ギャップ長0.11μｍのメタルインギャップ型のセン
ダストヘッドにより、ビット長0.18μｍの短形波を記録
し、帯域10（MHz）のC/Nを比較した。比較例ＡをＯ（d
B）とすると、比較例Ｂは−2.4（dB），実施例は＋1.9
（dB）で、スチル状態でのヘッド出力の低下は、実施例
が−0.8（dB/h）比較例Ａは−2.1（dB/h），比較例Ｂは
−0.9（dB/h）で、実施例は、耐久性もC/Nも良好であ
り、特にノイズが低いのは、Crの高濃度層形成が更にそ
の上に成長するCo−Crの結晶性を改良することからきて
いると考えられるものである。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、C/Nと耐久性に優れ
た高密度磁気記録媒体が得られすぐれた効果がある。
た高密度磁気記録媒体が得られすぐれた効果がある。
図は本発明の一実施例の拡大断面図である。 １……高分子フイルム、２……柱状微粒子、3,4……副
成分高濃度層。
成分高濃度層。
Claims (1)
- 【請求項１】単層のCo系合金垂直磁化膜を構成する柱状
微粒子が一体構造に構成され、かつ磁気的に厚み方向に
副成分元素の高濃度で分離されていることを特徴とする
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62334536A JP2558770B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62334536A JP2558770B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01176310A JPH01176310A (ja) | 1989-07-12 |
| JP2558770B2 true JP2558770B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=18278503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62334536A Expired - Fee Related JP2558770B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2558770B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61145722A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-03 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP62334536A patent/JP2558770B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01176310A (ja) | 1989-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |