JPS63251917A - 磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に適した強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気ディスクに関する。

従来の技術 磁気記録の高密度化の進歩は著しいものがあり、強磁性
微粒子を結合剤で分散固定した、飽和磁束密度の低い磁
気記録層から、高い飽和磁束密度で薄型化した強磁性金
属薄膜を磁気記録層とした磁気ディスクへの移行がはじ
まっている。現状では、ハードディスクで、Ｇｏ−Ｎｉ
　のスパッタ膜、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐの無電解メッキ膜等が
一部実用化になっているに過ぎず、この媒体もＳｉＯつ
等やカーボン膜等の厚い保護膜が配されており、本来の
高密度記録特性を十分発揮してるとこまで進んでいない
。

最近では、垂直方向に残留磁化を保持できる、いわゆる
高密度化に有利な垂直磁気記録を含め、Ｃｏ−Ｃｒ、　
Ｇｏ−Ｔａ、　Ｃｏ　−Ｗ、　Ｇｏ−Ｍｏ、　Ｇｏ−Ｒ
ｕ、　Ｇｏ−Ｐｔ。

Ｇｏ−Ｖ、　Ｃｏ−０ｒ−Ｗｂ、　Ｇｏ−Ｎｉ−０，Ｇ
ｏ−Ｎｉ−Ｐｒ。

Ｇｏ−Ｏｒ−Ｒｅ等のＣｏ系合金薄膜が広範囲に渡り検
討され、トライポロジー的見地から各種の保護膜と組み
合わせ、耐久性の向上と記録密度の向上を目指した開発
が進められている〔特公昭６８−９１号公報、特公昭６
１−５３７７０号公報、特開昭６１−７７１２８号公報
、同６１−１９４６２５゜同６１−２２０１１６．同６
１−２２０１１８゜同６０−５７５３５．同６１−１９
４８２４．同６１−１３７２１９．同６０−９３６３４
．同６１−２６９２１９．特公昭６１−６１４４４号公
報〕。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記した構成では、短波長化が進むと、ス
ペーシング損失が無視できなくなるために、磁気記録層
自身の耐久性を改良する必要があり、本発明はかかる事
情に濫みなされたもので、耐久性と短波長出力の両者を
共に改良した磁気ディスクを提供するものである。

問題点を解決するための手段 上記した問題点を解決するため、本発明の磁気ディスク
は、強磁性金属薄膜が周方向に配向した針状微粒子を核
とした突起を有するようにしたものである。

作用 本発明の磁気ディスクは、上記した構成により、磁気ヘ
ッドとの高速摺接で受ける応力が、周方向に配列した針
状微粒子によシ形成される突起で分散するため、破壊に
至らないのと、摺動が安定化するので、雑音も改善され
、保護膜が薄くできることから短波長出力も改善され、
優れたＯ／Ｎ　　と耐久性が同時に得られることになる
。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について、
詳しく説明する。第１図は本発明の第１の実施例の磁気
ディスクの拡大断面図である。第１図で１は、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリイミド、ム＃−Ｍｇ合金
等の非磁性基板で２は、酸化鉄、窒化鉄等の針状微粒子
を周方向に配向させて配列固定した微粒子塗布層で、針
状微粒子は保磁力は５ｏ（Ｏｓ）以下が好ましく、長径
が５００人〜５０００人、好ましくは、６００人〜１５
００人で、長径／短径＝２〜１５の範囲が好ましい。配
向は、微粒子を塗布後、磁場配向するのが確実である。

針状微粒子の密度は１０５〜１０　ケ／ｉの範囲が好ま
しい。３はＣｏ−Ｎｉ、　Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐｒ、　ｃｏ−
Ｐｔ、　Ｇｏ−Ｒｈ、　Ｇｏ−Ｒｕ。

Ｃｏ−Ｒｅ、　Ｃｏ−０，Ｃｏ−Ｎｉ−０，Ｃｏ−０ｒ
、　Ｇｏ−Ｏｒ−Ｗｂ。

Ｃｏ−０ｒ−Ｔａ、　Ｃｏ−Ｔｉ、　Ｃｏ−Ｍｏ、　Ｇ
ｏ−Ｗ等の電子ビーム蒸着膜、スパッタリング膜などか
ら成る強磁性金属薄膜から構成される磁気記録層で、４
は、アスカ−ボン膜、　Ｍｏｂ２スパッタ膜などとの組
み合わせから成る保護層で、スペーシング損失の点から
１００Å以下で構成するのが好ましく、本発明の磁気記
録層の耐久性はそれを可能にするものである。

第２因は本発明の第２の実施例の磁気ディスクの拡大断
面図である。第２図で６は、非磁性基板で６は、強磁性
金属薄膜からなる第１磁気記録層、７は、針状微粒子を
周方向に配向して固定した微粒子塗布層で、配向の方法
として、第１磁気記録層に記録パターンを形成し、その
漏えい磁界を利用して、塗布時に配向する方法が第１の
実施例でのべた方法に加えて採用できるものである。８
は第２磁気記録層で、９は保護層である。６と８は同一
の材料系で構成する必要はないのであるが、格別の目的
がない限り、第１の実施例でのべたような強磁性金属薄
膜を分割して第１．第２磁気記録層として構成すればよ
い。

以下更に具体的に第１．第２の実施例を比較例との対比
で説明する。

厚み３０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを
非磁性基板として準備し、最終的に５インチの磁気ディ
スクが得られるように、円板状に加工して、長径６７０
人、短径１２０人の保磁力５ｏ（Ｏｓ　）ｏ酸化鉄微粒
子を、３Ｘ１０　　／ｙ／ａＡとなるように塗布し、５
００（６ｅ　　）の磁場で周方向に配向してポリエステ
ル樹脂（平均厚み４０人）で固定した微粒子塗布層を配
し、その上に、１ａ、ｓ　ｅ　（ＭＨｚ）、　１．２　
（ＫＷ）　、　Ａｒ圧３．５Ｘ１０　　（Ｔｏｒｒ）の
高周波スパッタリングにより、Ｇｏ−Ｏｒ　（Ｃｒ　：
　２ａｗｔ％）垂直磁化膜を　　。

０．１４μｍ形成し、更にパーフロロオクタン酸を６０
人真空蒸着して、６インチの磁気ディスク（ディスク人
）を製造した。

同じく厚み３０μｍのポリエチレンテレフタレートフィ
ルム上に、先ずディスク人と同じスパッタリング条件で
Ｇ　ｏ　−Ｏｒ垂直磁化膜ｔ−０，０８μｍ形成しトラ
ック幅２６μｍ１ギヤツプ長０．２５μｍのフェライト
ヘッドで、０．８μｍの記録を行い、その上に、ディス
ク人と同じ微粒子を塗布し、その上更に第２磁気記録層
として、ｏ、ｏ　ｅμｍＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形成し
、パーフロロオクタン酸を５０人真空蒸着し、５インチ
の磁気ディスク（ディスクＢ）を製造した。

比較例としては、厚み３０μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルム上に高さが約１２０人のミミズ状の水溶
性高分子塗布層を配した非磁性基板上に、ディスク人と
同じ条件でＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を０．１４μｍ形成し
、その上に２００人のアモルファスカーボン膜を配Ｌ、
更’ＩＣバー　７　ｏ　ｏ　オクタン酸を約６ｏ人真空
蒸着して、６インチの磁気ディスク（ディスクＣ）を製
造した。

ディスク人、Ｂ、Ｃを用い、ギャップ長０．１５μ賑ト
ラック幅１０μｍのフェライトヘッドを用い、記録波長
０．４μｍを記録再生し、比較した。

初期のＣ／Ｎは、比轄例ｆＩ：ｏ（ｄＢ）とすると、デ
ィスク人、ディスクＢはそれぞれ４．５（ｄＢ）、６．
７（ｄＢ）良好であり、ステル状態で３時間後のＣ／Ｎ
ｉ比較すると、ディスクＣは、初期から２〜ａ（ｄＢ）
低下していたのに対して、ディスク人。

Ｂは、ｏ、５（ｄＢ）程度の低下があるだけで何ら支障
のないレベルであった。

発明の効果 以上のように本発明によれば、Ｃ／Ｎと耐久性を共に改
良した高密度磁気記録用の磁気ディスクが得られるとい
ったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の磁気ディスクを示す断
面図、第２図は第２の実施例の磁気ディスクの拡大断面
図である。 １．６・・・・・・非磁性基板、２．７・・・・・・微
粒子塗布層、３，６．８・・・・・・磁気記録層。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 強磁性金属薄膜が、周方向に配向した針状微粒子を核と
   した突起を有することを特徴とする磁気ディスク。