JPH04172617A - 磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH04172617A JPH04172617A JP30199690A JP30199690A JPH04172617A JP H04172617 A JPH04172617 A JP H04172617A JP 30199690 A JP30199690 A JP 30199690A JP 30199690 A JP30199690 A JP 30199690A JP H04172617 A JPH04172617 A JP H04172617A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気ディスク、特に高密度記録に適した薄膜型
の磁気ディスクの製造方法に関する。
の磁気ディスクの製造方法に関する。
従来の技術
磁気ディスクは、電磁変換特性、耐食性及び耐ＣＳ Ｓ
（Ｃｏｎｔ、ａｃｔ ５ｔａｒｔ ａｔｏｐ）特性に
優れていることが要求され、磁気ヘッドとの摩擦抵抗を
小さくする改善や吸着現象を生じにくくする改善がなさ
れている。それらの改善技術の流れはひとつは、保護潤
滑層（特開昭６３−１８７４２１号公報）による改善で
あり、２つ目は、いわゆるテクスチャリングと呼ばれる
微細凹凸の形状付与（特開昭６３−１９７０３０号公報
、特開昭６３−１９１３１２号公報）による改善である
。
（Ｃｏｎｔ、ａｃｔ ５ｔａｒｔ ａｔｏｐ）特性に
優れていることが要求され、磁気ヘッドとの摩擦抵抗を
小さくする改善や吸着現象を生じにくくする改善がなさ
れている。それらの改善技術の流れはひとつは、保護潤
滑層（特開昭６３−１８７４２１号公報）による改善で
あり、２つ目は、いわゆるテクスチャリングと呼ばれる
微細凹凸の形状付与（特開昭６３−１９７０３０号公報
、特開昭６３−１９１３１２号公報）による改善である
。
これらの改善技術をベースに、現状の磁気ディスクはガ
ラスやＡｅ−Ｍｇ合金を表面研摩し、全体の粗さを小さ
（した後、９４０００−３８０００のＡｅ２０３研摩テ
ープ等を接触摺動させて、いわゆるテクスチャリング加
工した後、Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、カーボンを順次、
スパッタリング法で積層することで得られている。
ラスやＡｅ−Ｍｇ合金を表面研摩し、全体の粗さを小さ
（した後、９４０００−３８０００のＡｅ２０３研摩テ
ープ等を接触摺動させて、いわゆるテクスチャリング加
工した後、Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、カーボンを順次、
スパッタリング法で積層することで得られている。
発明が解決しようとする課題
しかし、更に高密度化に対応するためにＣｏ−Ｃｒ等の
垂直磁化膜を用いた時、Ｃ／Ｎと耐久性のバランスが悪
くなり改善が望まれていた。
垂直磁化膜を用いた時、Ｃ／Ｎと耐久性のバランスが悪
くなり改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたものであり、より
信頼性に優れた高密度対応の磁気ディス −クを製造
できる方法を提供するものである。
信頼性に優れた高密度対応の磁気ディス −クを製造
できる方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気ディスクの製
造方法は、基板表面にテクスチャリングによって微細な
凹凸を付した後、放電処理して、記録用磁性薄膜及び保
護潤滑膜を形成するようにしたものである。
造方法は、基板表面にテクスチャリングによって微細な
凹凸を付した後、放電処理して、記録用磁性薄膜及び保
護潤滑膜を形成するようにしたものである。
作用
本発明の磁気ディスクの製造方法は、上記した構成によ
り、テクスチャリングによって形成された微細凹凸がも
つ局部的な欠陥である急しゅんな突部を核にして異常成
長する記録用磁性薄膜部の脱落による信頼性の低下をな
（すことができる。
り、テクスチャリングによって形成された微細凹凸がも
つ局部的な欠陥である急しゅんな突部を核にして異常成
長する記録用磁性薄膜部の脱落による信頼性の低下をな
（すことができる。
実施例
以下図面を参照しながら本発明の実施例について説明す
る。第１図は本発明の製造方法によって製造される磁気
ディスクの一例の拡大断面図である。
る。第１図は本発明の製造方法によって製造される磁気
ディスクの一例の拡大断面図である。
図で、１はＡＣＭｇ、Ｎ１−Ｐ、ガラス等の平滑な基板
で、表面粗さは、平均粗さで１０〜５０Ａのものが好ま
しい。２はテクスチャリング部で、Ａｅ２０３．Ｔ ｉ
Ｃ，ＢＣ，Ｆｅ３Ｏ４等を研摩剤としてバインダで固
定したいわゆるラッピングテープで同方向に溝加工を行
ったものであり、微細凹凸の深さは、最大でも３００人
が望ましい。３は記録用磁性薄膜で、Ｃｏ−Ｃｒ、 Ｃ
ｏ−Ｎ ｉ −Ｃｒ。
で、表面粗さは、平均粗さで１０〜５０Ａのものが好ま
しい。２はテクスチャリング部で、Ａｅ２０３．Ｔ ｉ
Ｃ，ＢＣ，Ｆｅ３Ｏ４等を研摩剤としてバインダで固
定したいわゆるラッピングテープで同方向に溝加工を行
ったものであり、微細凹凸の深さは、最大でも３００人
が望ましい。３は記録用磁性薄膜で、Ｃｏ−Ｃｒ、 Ｃ
ｏ−Ｎ ｉ −Ｃｒ。
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ−０等の垂直磁化膜が適するが、Ｃｏ−
Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐ等の面内磁
化膜であってもよい。これらは、スパッタリング法、電
子ヒーム蒸着法、イオンブレーティング法、無電解メツ
キ法等により形成されるのであるが、本発明では、テク
スチャリング加工後、放電処理することがポイントで、
高周波グロー放電処理、直流グロー放電処理、イオンビ
ーム照射処理等によって、テクスチャリング加工時に生
じた急しゅんな突部をエツチング処理しその後の薄膜の
異常成長をなくすことを目的として行われるものであり
、基板材料、テクスチャリング加工条件にもよるが、Ａ
ｒイオン以上の重イオンで、５０Ｗ／ｃｊ以上のパワー
密度で１秒以上処理するのが確実であるが、長時間処理
することや、過剰のパワー投入はテクスチャリング形状
を大きく変えテクスチャリング効果が小さ（なるので注
意して条件を決めるのがよい。
Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐ等の面内磁
化膜であってもよい。これらは、スパッタリング法、電
子ヒーム蒸着法、イオンブレーティング法、無電解メツ
キ法等により形成されるのであるが、本発明では、テク
スチャリング加工後、放電処理することがポイントで、
高周波グロー放電処理、直流グロー放電処理、イオンビ
ーム照射処理等によって、テクスチャリング加工時に生
じた急しゅんな突部をエツチング処理しその後の薄膜の
異常成長をなくすことを目的として行われるものであり
、基板材料、テクスチャリング加工条件にもよるが、Ａ
ｒイオン以上の重イオンで、５０Ｗ／ｃｊ以上のパワー
密度で１秒以上処理するのが確実であるが、長時間処理
することや、過剰のパワー投入はテクスチャリング形状
を大きく変えテクスチャリング効果が小さ（なるので注
意して条件を決めるのがよい。
４はカーボン、 Ｓ ｉ ０２． Ｚ ｒ０２．パーフ
ルオロポリエーテル等の保護潤滑層で、常法で形成すれ
ばよい。
ルオロポリエーテル等の保護潤滑層で、常法で形成すれ
ばよい。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
平均粗さ５０ＡのＡｔ！ −Ｍｇ合金基板上に＊５ｏｏ
ｏのＢＣを研摩粉としてバインダで固定したラッピング
テープで同方向にテクスチャリング加工により平均０．
８μｍピッチでの凹凸を形成し、その上にスパッタリン
グ法でＣｏ−Ｃｒ（Ｃｒ：２０ｗｔ％）垂直磁化膜を１
５００Ａ形成し、更に、スパッタリング法で硬質炭素膜
を１００Ａ、湿式塗布法でパーフ、ルオロポリエーテル
ステアリルアミドを約４０Ａ塗布し磁気ディスクを製造
した。
ｏのＢＣを研摩粉としてバインダで固定したラッピング
テープで同方向にテクスチャリング加工により平均０．
８μｍピッチでの凹凸を形成し、その上にスパッタリン
グ法でＣｏ−Ｃｒ（Ｃｒ：２０ｗｔ％）垂直磁化膜を１
５００Ａ形成し、更に、スパッタリング法で硬質炭素膜
を１００Ａ、湿式塗布法でパーフ、ルオロポリエーテル
ステアリルアミドを約４０Ａ塗布し磁気ディスクを製造
した。
実施例Ａは、Ｃｏ−Ｃｒ膜形成前に、Ｘｅイオンビーム
照射を１５ｋ ｅ ｖ、 １００ｔｔＡ／ｃｄ、 ５秒
間の条件で行った。
照射を１５ｋ ｅ ｖ、 １００ｔｔＡ／ｃｄ、 ５秒
間の条件で行った。
実施例Ｂは、Ｃｏ−Ｃｒｒｆａ形成前に、Ａｒ。
３Ｘ１０−３（Ｔｏｒｒ）、１３．５６（ＭＨｚ）。
１００Ｗ／ｃｊ、３秒間グロー放電処理を行った。
比較例は放電処理しないものを用いた。
これらを用い記録再生し特性比較した。Ｃ、、−’ Ｎ
には３者差がなかったがＩＴＦｌｃｓｓ特性は表のよう
になった。
には３者差がなかったがＩＴＦｌｃｓｓ特性は表のよう
になった。
表 １
発明の効果
以上のように本発明によれば、信頼性のある高密度記録
用の磁気ディスクが得られるきいったすぐれた効果があ
る。
用の磁気ディスクが得られるきいったすぐれた効果があ
る。
第１図は本発明によって製造される磁気ディスクの一実
施例を示す拡大断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・テクスチャ一部、
３°゛°゛記録用磁性薄膜、４・・・・・・保護潤滑層
。 代理人の氏名 弁理士小蝦治明 ほか２名１−−一基
訳 ２−一−テクス＋Ｖ一部 菓１図 ３−ｔＥｌｌ用１１！、悼善展４−−−
保ｔ−Ｘ渭２Ｊ
施例を示す拡大断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・テクスチャ一部、
３°゛°゛記録用磁性薄膜、４・・・・・・保護潤滑層
。 代理人の氏名 弁理士小蝦治明 ほか２名１−−一基
訳 ２−一−テクス＋Ｖ一部 菓１図 ３−ｔＥｌｌ用１１！、悼善展４−−−
保ｔ−Ｘ渭２Ｊ
Claims (1)
- 基板表面にテクスチャリングによって微細な凹凸を付し
た後、放電処理して、記録用磁性薄膜及び保護潤滑膜を
形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30199690A JPH04172617A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30199690A JPH04172617A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04172617A true JPH04172617A (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=17903632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30199690A Pending JPH04172617A (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04172617A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927877B2 (en) * | 1993-12-17 | 2005-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image processing method and apparatus for converting colors in a color image |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP30199690A patent/JPH04172617A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927877B2 (en) * | 1993-12-17 | 2005-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image processing method and apparatus for converting colors in a color image |
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