JPH0432015A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、耐食性に優れた磁気記録媒体に関する。

〈従来の技術〉 近年磁気記録媒体はますます高密度化しており、中でも
Ｃｏを主体としＮｉ等を添加した強磁性金属薄膜を用い
た磁気記録媒体は、飽和磁束密度が太き（しかも保磁力
が高いので、盛んに研究されている。

この型の磁気記録媒体は種々の方法で製造されるが、特
に優れた方法としては、非磁性基体上に斜め蒸着法によ
り強磁性金属薄膜を２層以上積層して多層構造とするこ
とが提案されている。　斜め蒸着法においては、強磁性
金属薄膜各層は、蒸着等の気相法により強磁性金属の蒸
気を非磁性基体の表面に特定の角度で差し向け、これに
より強磁性金属の柱状結晶粒を他の強磁性金属薄膜の柱
状結晶粒の成長方向と交差した特定の方向に成長させる
（特公昭５６−２６８９１．５６−４２０５５．６３−
２１２５４および６０−３７５２８、特開昭５４−６０
３．５４−１４７０１０．５６−９４５２０．５７−３
２３３．５７−３０２２８．５７−１３５１９．５７−
１４１０２７．５７−４１０２８．５７−１４１０２９
．５７−１４３７３０．５７−１４３７３１．５７−１
４７１２９．５８−１４３２４．５８−５０６２８．６
０−７６０２５．６１−１１０３３３．６１−１８７１
２２．６３−１０３１５．６３−１０３１５．６３−１
３１１７．６３−１４３１７．６３−１４３２０および
６３−３９１２７号公報等）。　これにより保磁力その
他の電磁変換特性、あるいは機械特性が向上するが、な
お不十分であった。

本発明者らは、これらのうちの水平記録用の磁気記録媒
体を種々の点から検討したところ、各強磁性金属薄膜に
おける柱状粒子の成長方向およびそれらの相互関係、厚
さおよびそれらの相互関係の検討が充分でなく、電磁変
換特性および耐久性が不充分であったことを見出した。

このような問題点を解決するために本出願人は柱状粒子
の成長方向が交差する２層のＣｏ−Ｎｉ系強磁性金属薄
膜を有する磁気記録媒体において、上層を薄く下層を厚
くすることにより電磁変換特性および耐久性を改善し、
さらに走行性を改善した（特開昭６３−９０１５号公報
）。

しかし、このものは走行性と耐久性は向上するものの、
電磁変換特性の向上が不十分である。

また、他の試みとして、同様な２層型磁気紀録媒体にお
いて最小入射角（各強磁性金属薄膜の最終蒸着部分にお
ける金属粒子の入射方向と非磁性基体の法線とのなす角
度）を調整することにより、電磁変換特性と耐久性を向
上させることを提案した（特開昭６３−１０３１４号公
報）。

しかし、上層の最小入射角が比較的大きいことおよび２
層であることにより耐久性とくに高温高温下の耐久性に
劣り、また電磁変換特性が十分でなかった。

さらに３層以上の強磁性金属薄膜を有する斜め蒸着型の
磁気記録媒体では各強磁性金属の厚さの検討がなくまた
金属粒子の入射角が大きすぎるために充分な電磁変換特
性を得ることができなかったり、あるいは耐湿耐温度性
に劣る問題（特開昭５６−１３４３１７号公報）、各層
がほぼ同一の５００〜７００人の厚さを有すると共に金
属粒子の入射角が各層とも２２〜７２度と大きい角度を
有するために耐食性に劣る問題（特開昭５３−６０２０
５号公報）、最上層の強磁性金属薄膜を酸化して酸化物
にして耐食性を増すと酸化物による電磁変換特性の低下
が生じる問題（特開昭６３−３９１２７号公報、特開昭
６３−１０３１５号公報）などがある。

従って、電磁変換特性を犠牲にすることなく高い耐食性
を実現することが求められている。

ところで、磁性層の腐食は必ずしも水分や酸素によって
生じるとは限らない。

例えば、多層構成の磁性層を有する磁気記録媒体におい
て、隣接する磁性層の組成が異なると、局所電流が生じ
て腐食が進むことがある。

従って、磁性層の組成選択の自由度を高めるためには、
このような腐食を防止することが重要であるが、従来、
そのような提案はなされていない。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明はこのような事情からなされたものであり、腐食
し易い強磁性金属薄膜を有する斜め蒸着型磁気記録媒体
において、高い耐食性と優れた電磁変換特性とを共に実
現することを目的とする。

また、本発明は、組成の相異なる磁性層が隣接している
磁気記録媒体において、磁性層の腐食を防止することを
目的とする。

く課題を解決するための手段〉 上記目的は、下記（１）〜（９）の本発明により達成さ
れる。

（１）非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性
層を有し、この磁性層が強磁性金属薄膜から構成され、
この強磁性金属薄膜がＣｏおよびＮｉを主成分とするか
、またはＣｏ、ＮｉおよびＣｒを主成分として含有する
磁気記録媒体であって、 前記非磁性基体と磁性層との間に、酸化けい素の蒸着膜
を有することを特徴とする磁気記録媒体。

（２）前記磁性層が少なくとも２層の強磁性金属薄膜か
ら構成されている上記（１）に記載の磁気記録媒体。

（３）非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性
層を有し、この磁性層が少なくとも２層の強磁性金属薄
膜から構成され、この強磁性金属薄膜がＣｏおよびＮｉ
を主成分とするが、またはＣｏ、ＮｉおよびＣｒを主成
分として含有する磁気記録媒体であって、 酸化けい素の蒸着膜を挟んで隣接する２層の強磁性金属
薄膜が存在することを特徴とする磁気記録媒体。

（４）前記非磁性基体と最下層の強磁性金属薄膜との間
に、酸化けい素の蒸着膜を有する上記（３）に記載の磁
気記録媒体。

（５）前記酸化けい素の組成がＳｉＯヮ　（ただし、ｘ
＝１．０〜２．０である。）である上記（１）ないしく
４）のいずれかに記載の磁気配録媒体。

（６）最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率が最上層の
強磁性金属薄膜のＧｏ含有率よりも低い上記（２）ない
しく５）のいずれかに記載の磁気配録媒体。

（７）蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性
基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最
大値をθｌｌ１ａｘ、入射角の最小値をθｍｉｎとする
と、 最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸
着時のθｌｌ１ａｘより小さいθｍａｘにて蒸着された
ものである上記（２）ないしく６）のいずれかに記載の
磁気記録媒体。

（８）蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性
基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最
大値をθｍａ、ｘ　、入射角の最小値をθｍｉｎとする
と、 最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸
着時のθｍｉｎより大きいθｍｉｎにて蒸着されたもの
である上記（２）ないしく７）のいずれかに記載の磁気
記録媒体。

（９）非磁性基体上に少なくとも２層の磁性層を有し、
組成の相異なる２贋の磁性層が酸化けい素の蒸着膜を挟
んで隣接して存在することを特徴とする磁気記録媒体。

〈作用〉 本発明の磁気記録媒体は、ＣｏおよびＮｉを主成分とす
るか、またはＣｏ、Ｎｉｊ：ｉよびＣｒを主成分として
含有する強磁性金属薄膜から構成される磁性層を非磁性
基体上に有する。

このような強磁性金属薄膜は、斜め蒸着法により形成さ
れる。　斜め蒸着法では、回転する円筒状の冷却ドラム
表面に非磁性基体を添わせて搬送しながら、定置された
強磁性金属源に電子ビーム等を照射して蒸着を行なう。

このとき、強磁性金属が入射する方向と非磁性基体表面
の法線とがなす角度を入射角と呼び、通常、蒸着開始か
ら終了まで入射角が漸減するように蒸着する。　このた
め、強磁性金属薄膜を構成する柱状結晶粒子は、非磁性
基体側ではほぼ非磁性基体表面と平行であり、非磁性基
体表面から離れるに従って弧状に成長することになる。

強磁性金属薄膜はＣｏを主成分とするため極めて酸化さ
れ易く、特に、非磁性基体側から腐食が進行し易い。　
これは、非磁性基体が、通常、酸素や水分を含み、これ
らが基体表面から強磁性金属薄膜中に侵入するからであ
る。

本発明の磁気記録媒体の第１の態様では、強磁性金属薄
膜と非磁性基体との間に、酸化けい素の蒸着膜を有する
。

酸化けい素蒸着膜は酸素および水分遮蔽性が極めて高く
、非磁性基体に起因する強磁性金属薄膜の腐食を効果的
に防止することができる。

また、本発明の第２の態様では、磁性層が２層以上の強
磁性金属薄膜から構成されており、磁性層中に少なくと
も１層の酸化けい素蒸着膜が設けられている。　すなわ
ち、この態様では、酸化けい素の蒸着膜を挟んで隣接す
る２層の強磁性金属薄膜が存在する。

この態様でも、強磁性金属薄膜の腐食は防止される。

そして、第１の態様の構成と第２の態様の構成とを共に
備える場合、極めて高い耐食性が得られる。

また、本発明の磁気記録媒体において磁性層が２層以上
の強磁性金属薄膜から構成されている場合、最下層の強
磁性金属薄膜のＣｏ含有率を最上層の強磁性金属薄膜の
Ｃｏ含有率よりも低（構成すれば、耐食性はさらに向上
する。　これは、Ｃｏ含有率が低ければ、すなわち、Ｎ
ｉ、またはＮｉおよびＣｒの含有率が高ければ、高い耐
酸化性が得られるからである。

しかも、この場合、広い周波数帯域に亙って良好な電磁
変換特性が得られるようになる。

この理由は下記のとおりである。

磁気記録媒体の磁性層には、一般に低域信号はど深くま
で記録され、高域信号は浅い領域に記録される。　例え
ば、Ｈｉ−８規格のビデオ記録のように低域信号（０，
７５ＭＨｚの色信号）と高域信号（７，０ＭＨｚの輝度
信号）とが重畳記録される場合、通常、最下層には主と
して低域信号が記録される。

そして、Ｃｏを主成分とする強磁性金属薄膜は、Ｃｏ含
有率が低いほど保磁力Ｈｅは低下する。

従って、最上層のＣｏ含有率を最下層のＣ。

含有率よりも高（すれば、最上層において高いＨｅが得
られるので高域信号の電磁変換特性が良好となり、最下
層において低いＨｅが得られるので低域信号の電磁変換
特性が良好となる。

ところで、強磁性金属薄膜蒸着時の入射角の最大値およ
び最小値を、それぞれ最大入射角θｍａｘおよび最小入
射角θｌｌ１ｉｎと称する。　なお、θｍａｘは９０度
以下であり、蒸着効率はθｍａＸからθｍｉｎにかけて
増大する。

磁性層が面内方向に磁化される水平記録型の磁気記録媒
体では、θｗａｘは９０度に設定される。　これは、θ
ｗａｘが大きいほうが非磁性基体表面に対する柱状結晶
粒子の平均傾きが小さくなり、強磁性金属薄膜面内方向
のＨｃが向上するためである。

本発明において、最下層の強磁性金属薄膜を、最上層蒸
着時のθｌｌ１ａｘよりも小さいθｗａｘにて蒸着すれ
ば、すなわち、最下層をθｗａｘ９０度未満にて蒸着す
れば、耐食性はさらに向上する。

この理由は下記のとおりである。

本発明者らは実験を重ねた結果、θｍａｘ９０度付近、
すなわち非磁性基体表面と平行に強磁性金属が入射した
部分では蒸着効率が低いため、柱状結晶粒子の径が小さ
（なって各粒子間に空隙が生じていることを見いだし、
この空隙から非磁性基体中の酸素や水分が侵入し、腐食
が進行することを知見した。

そこで、最下層を上記のようなθＷａＸにて蒸着するこ
とにより前記空隙の発生を抑え、耐食性が極めて良好な
磁気記録媒体を得るものである。　また、空隙が減少す
るので薄膜中の強磁性金属の充填率が向上し、高い飽和
磁化が得られる。

しかも、最下層を小さいθｗａｘにて蒸着すれば低いＨ
ｅが得られ、主として最下層に記録される低域信号に関
する電磁変換特性は向上する。

さらに、最上層蒸着時のθｗａｘは最下層蒸着時のθｍ
ａｘより太き（なるので、最上層では高いＨｅが得られ
、高域信号の電磁変換特性が向上する。　従って、高い
耐食性が実現するという本発明の効果はさらに向上し、
しかも広い帯域において高い電磁変換特性が得られる。

また、最上層の強磁性金属薄膜を、最下層の強磁性金属
薄膜蒸着時のθｍｉｎより大きいθｍｉｎで蒸着した場
合でも、本発明の効果はいっそう向上する。

θｍｉｎも柱状結晶粒子の傾きに関与し、θｍｉｎが大
きいと柱状結晶粒子の平均傾きは小さくなるのでＨｃが
向上する。　一方、θｍｉｎが小さいと平均傾きは大き
くなり、また、柱状結晶粒子の大部分が高い効率で蒸着
されるので柱状結晶粒子の径が均一に近くなり、各柱状
結晶粒子間に空隙が生じにく（なって緻密な膜が得られ
る。

このため、最上層蒸着時および最下層蒸着時のθｍｉｎ
を上記関係とすれば、最上層のＨｅを高くでき、さらに
最下層のＨｃを相対的に低くできるため、広い帯域に亙
って電磁変換特性を向上させることができ、しかも最下
層の耐食性を向上させることができる。

さらに、この場合、最下層蒸着時のθｍａｘと最上層蒸
着時のθｗａｘとが上記した関係であれば、電磁変換特
性および耐食性はさらに高いものとなる。

そして、上記各場合において、最上層の強磁性金属薄膜
蒸着時のθｗａｘとθｍｉｎとの合計が、最下層蒸着時
のθｗａｘとθｌ１ｌｉｎとの合計よりも大きい場合、
より高い電磁変換特性および耐食性が実現する。

本発明の磁気記録媒体が、非磁性基体上に少なくとも２
層の磁性層を有し、組成の相異なる磁性層が酸化けい素
の蒸着膜を挟んで隣接して存在する場合、磁性層間の局
所電流発生が酸化けい素の蒸着膜の存在により抑制され
て磁性層の腐食が防止され、また、酸化けい紫黒着膜の
水分および酸素遮蔽性による耐食性の高さも実現する。

〈具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。

［非磁性基体］ 本発明で用いる非磁性基体の材質に特に制限はなく、強
磁性金属薄膜蒸着時の熱に耐える各種フィルム、例えば
ポリエチレンテレフタレート等を用いることができ、水
分や酸素透過性の高いポリエチレンテレフタレートを用
いた場合に本発明は特に高い効果を発揮する。

また、この他、特開昭６３−１０３１５号公報に記載の
各種材料が使用可能である。

［酸化けい紫黒着膜コ 本発明の磁気記録媒体の第１の態様では、磁性層を構成
する強磁性金属薄膜と非磁性基体との間に、酸化けい紫
黒着膜を有する。

また、本発明の磁気記録媒体の第２の態様では、磁性層
が２層以上の強磁性金属薄膜から構成されており、酸化
けい素の蒸着膜を挟んで隣接する２層の強磁性金属薄膜
が存在する。　すなわち、第２の態様では、磁性層中に
少なくとも１層の酸化けい紫黒着を有する。

この態様において磁性層が３層以上の強磁性金属薄膜か
ら構成されている場合、磁性層中に２層以上の酸化けい
紫黒着膜を設けてもよく、隣接する強磁性金属薄膜間の
全てに酸化けい紫黒着膜を設けてもよい。

そして、本発明では、第１の態様の構成と第２の態様の
構成とを共に備えることが好ましい。

本発明における酸化けい紫黒着膜は、通常、Ｓ　ｉ　Ｏ
ｘの組成を有する。

なお、Ｘは１．０〜２．０であることが好ましく、より
好ましくは１．２〜１．７、さらに好ましくは１，３〜
１．６である。　Ｘが前記範囲内であれば、酸素や水分
の遮蔽効果が極めて良好となる。

酸化けい紫黒着膜の厚さに特に制限はないが、蒸着膜が
非磁性基体と強磁性金属薄膜との間に設けられる場合、
１００Å以上、特に３００Å以上の厚さであれば本発明
の効果は十分に実現し、１０００人を超える厚さとして
も、本発明の効果は顕著には向上せず、生産性が低下す
る。

また、酸化けい紫黒着膜を磁性層中に設ける場合、１０
０Å以上、特に３００Å以上の厚さであれば本発明の効
果は十分に実現し、１０００人を超える厚さとすると磁
気特性が低下する傾向にある。

酸化けい紫黒着膜の形成方法に特に制限はなく、通常の
蒸着法により形成されればよいが、好ましくは、酸素ガ
スを含む雰囲気中でＳｉＯを蒸着することにより形成す
る。　また、蒸着源を５ｉｎ２．Ｓｉｎ、Ｓｉ等から複
数選択して、蒸着を行なってもよい。

［磁性層］ 非磁性基体上に形成される磁性層は、斜め蒸着法により
形成される強磁性金属薄膜から構成される。　そして、
強磁性金属薄膜は、ＣｏおよびＮｉを主成分とするか、
またはＣｏ、ＮｉおよびＣｒを主成分とし、柱状結晶粒
子から構成される。

磁性層が２層以上の強磁性金属薄膜から構成されている
場合、最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率を最上層の
強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低く構成することが
好ましい。

この場合、最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率は、７
０〜８５ａｔ％、特に７４〜８０ａｔ％であることが好
ましい。　Ｃｏ含有率が前記範囲未満となると最下層に
必要とされる保磁力が得られに（＜、前記範囲を超える
と最下層に必要とされる耐食性が得られにくい。

最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率は、７５〜９０ａ
ｔ％、特に７９〜８ｇａｔ％であることが好ましい。　
Ｃｏ含有率が前記範囲未満となると最上層に必要とされ
る保磁力が得られに＜（、前記範囲を超えると最上層に
必要とされる耐食性が得られにくい。

強磁性金属薄膜のＣｏ以外の主構成元素は、Ｎｉである
か、またはＮｉおよびＣｒであるが、特開昭６３−１０
３１５号公報等に記載されている各種金属やその他の金
属成分が必要に応じて含有されていてもよく、また、成
膜雰囲気中に含まれるＡｒ等が含有されていてもよい。

　これらの元素の含有率は、強磁性金属薄膜の５ａｔ％
以下であることが好ましい。

ＮｉとＣｒとの含有比率に特に制限はなく、目的に応じ
て適宜設定すればよいが、強磁性金属薄膜中のＣｒ含有
率は１０ａｔ％以下とすることが好ましい。

さらに、必要に応じて少量の酸素を表面層に含有させ、
耐食性を向上させることもてきる。

磁性層が２層以上の強磁性金属薄膜から構成されている
場合、最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属
薄膜蒸着時のθｍａｘより小さいθＷａＸにて蒸着され
ていることが好ましい。　これにより耐食性および電磁
変換特性が共に向上する。

この場合、最上層蒸着時のθｗａｘは８０〜９０度、特
に８５〜９０度であることが好ましく、最下層蒸着時の
θｍａｘは３１〜８９度、特に６０〜８４度であること
が好ましい。

また、最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属
薄膜蒸着時のθｍｉｎより大きいθｍｉｎにて蒸着され
ていることが好ましい。

このような構成によっても耐食性および電磁変換特性が
共に向上する。

この場合、最上層蒸着時のθｍｉｎは２０〜６０度、特
に３１〜６０度であることが好ましく、最下層蒸着時の
θｍｉｎは１０〜５０度、特に１０〜３０度であること
が好ましい。

さらに、上記各場合において、最上層の強磁性金属薄膜
蒸着時のθｌｌ１ａｘとθｍｉｎとの合計が、最下層蒸
着時のθｍａｘとθｍｉｎとの合計よりも大きいことが
好ましい。

この場合、最上層のθｍａｘとθｍｉｎとの合計は１０
０〜１５０度、特に１１６〜１５０度であることが好ま
しく、また、最下層のθｍａｘとθｍｉｎとの合計は４
１〜１３９度、特に７０〜１１４度であることが好まし
い。

また、強磁性金属が入射する方向が前記非磁性基体の法
線を挟んで交差するように蒸着された２層の強磁性金属
薄膜を有することが好ましい、　この場合、これら２層
では、強磁性金属の柱状結晶粒子の成長方向が、非磁性
基体表面の法線を挟んで交差することになる。

このような構成とするには、非磁性基体の走行方向を逆
にして斜め蒸着すればよい。

この場合の２層としては、最上層およびその隣接層であ
るか、あるいは最上層および１層挟んで最上層と隣接す
る層であることが好ましい。

このような構成とすることにより、最上層および他の１
層を、それぞれ高域信号記録および低域信号記録に好適
なＨｅとすることができ、全域に亙って電磁変換特性が
向上する。

強磁性金属薄膜の積層数に特に制限はな（、目的に応じ
て２層、３層あるいは４層以上の構成を選択すればよい
。

３層以上の多層構成とする場合、最上層と最下層との間
に存在する中間層は、記録信号の周波数帯域や各層の厚
さなどの各種条件を考慮して、最適なＨｃや耐食性が得
られるように蒸着時のθｍａｘ　、θｌｌ１ｉｎ、厚さ
、柱状結晶粒の成長方向等を適宜設計すればよい。

例えばＨｉ−８規格のように低域信号と高域信号とが重
畳記録される場合、各層に主として記録される信号の周
波数帯域を考慮して上記各条件を決定すればよい。

各強磁性金属薄膜の厚さは、約４．００〜１０００人で
あることが好ましい。　最上層の厚さが４００人より薄
（なると、例えば７．０ＭＨｚ程度の高域信号の記録が
十分にできなくなり出力が低下する。　一方１０００人
よりも厚くなると雑音が増えて信号対雑音比が低下する
。

なお、磁性層全体の厚さは、２０００Å以上であること
が好ましい。　これにより例えば０．７５ＭＨｚ程度の
低域における出力を十分に太き（することができる。

また、低域および高域の双方で高出力を得るために、最
上層から下層に向けて厚さが増加していることが好まし
い。

各強磁性金属薄膜は、それぞれ斜め蒸着法により形成さ
れる。　斜め蒸着装置および方法は、前掲した各種の文
献に記載されているのでそれらのうちから任意のものを
採用すればよい。

斜め蒸着法は、例えば、供給ロールから繰り出された長
尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却ドラムの表面
に添わせて送りながら、個以上の定置金属源から斜め蒸
着をし、巻き取りロールに巻き取るものである。　この
場合、入射角は蒸着初期のθｍａｘから最終のθｍｉｎ
まで連続的に変化し、非磁性基体表面にＣｏを主成分と
する強磁性金属の柱状結晶粒子を弧状に成長させ、整列
させるものである。

非磁性基体としては、酸化けい紫黒着膜が設けられたも
のを必要に応じて用いる。

磁性層を多層構成とする場合は、この工程を繰り返し行
ない、必要に応じて各層間に酸化けい紫黒着膜を形成す
る。

強磁性金属が入射する方向が非磁性基体の法線な挟んで
交差するような２層の強磁性金属薄膜を形成する場合、
非磁性基体の走行方向を逆にして斜め蒸着を行なえばよ
い。

以上の説明は、磁性層がＣｏ系強磁性金属薄膜から構成
されている場合についてであるが、少なくとも２層の磁
性層を有し、組成の相異なる２層の磁性層が隣接してい
る磁気記録媒体において、これら組成の異なる磁性層間
に酸化けい素の蒸着膜を形成すれば、局所電流の発生に
よる磁性層の腐食を防止することができる。

この場合、酸化けい素の蒸着膜は少なくとも局所電流の
発生が問題となる２層の磁性層間に存在すればよい。　
ただし、酸化けい紫黒着膜が各磁性間に存在する場合、
磁性層の耐食性がさらに向上する。　また、磁性層と非
磁性基体との間にも酸化けい素の蒸着膜を設ければ、耐
食性はさらに高くなる。

局所電流の発生が問題となる磁性層としては、例えば、
Ｃｏ系の強磁性金属薄膜とＦｅ系強磁性金属薄膜との組
み合わせなど、電池が形成されるような多層磁性層が挙
げられる。

本発明の磁気記録媒体の磁性層上には、磁性層の保護お
よび耐食性向上のために公知の種々のトップコート層が
設けられることが好ましい、　また、テープ化したとき
の走行性を確保するために、非磁性基体の磁性層と反対
側には公知の種々のバックコート層が設けられることが
好ましい。

〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。

［実施例１］ 下記表１に示される磁気記録媒体サンプルを作製した。

なお、表１において、蒸着膜Ａとは下層の強磁性金属薄
膜と非磁性基体との間に存在する酸化けい紫黒着膜であ
り、蒸着膜Ｂとは、上層と下層との間に存在する酸化け
い紫黒着膜である。

非磁性基体としては、厚さ７戸のポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）フィルムを用いた。

蒸着膜Ａは、ＳｉＯを蒸着源として、酸素を含有する雰
囲気中で蒸着によりＰＥＴフィルム表面に形成した。　
蒸着膜Ａの組成はＳｉｎ、　　とし、厚さは３００人と
した。

各サンプルの磁性層は２層構成とし、上層および下層は
、下記のようにして形成した。

１０−’ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気中で、供給ロールカらＰ
ＥＴフィルムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラム
の周面に添わせて移動させ、強磁性金属を斜め蒸着して
下層を形成し、巻き取りロールに巻き取った。

蒸着膜Ｂは、下層形成後に蒸着膜Ａと同様にして形成し
た。　蒸着膜Ｂの組成は蒸着膜Ａと同じとし、厚さは３
００人とした。

次いで、この巻き取りロールを供給ロールとし、ＰＥＴ
フィルム表面の法線方向を挾んで上記斜め蒸着時の入射
方向と交差する入射方向にて強磁性金属を斜め蒸着して
上層とした。

なお、各サンプルの上層の厚さは９００人、下層の厚さ
は１１００人とし、上層および下層の組成はいずれも８
０ａｔ％Ｃｏ−Ｎｉとした。　また、上層および下層蒸
着時のθｍｉｎはいずれも３０度、θｍａｘはいずれも
９０度とした。

これらのサンプルをスリッタにて裁断してテープ化し、
Ｈｉ−８規格のビデオカセットとしたＯ 各サンプルについて下記の評価を行なった。

結果を表１に示す。

（１）発錆 ６０℃・９０％ＲＨの環境で１０日間保存後、テープの
磁性層側の変色度を目視で判定した。　評価基準は下記
のとおりとした。

０：変化なし ○：薄い黄色に変色 △：黄色に変色 ×：青色に変色 （２）カッピング ６０℃・９０％ＲＨにて１０日間保存した後、テープを
平面上に載置し、テープ幅方向端部のソリ高さｈを測定
した。　評価基準は下記の通りとした。

Ｑ：　　ｈ　　＝０ ０：０＜ｌｈｌ≦０．２ｍｍ △：０．２＜　　ｈ　　＜０．５ｍｍ Ｘ：　ｌｈｌ≧０．５ｍｍ なお、カッピングはテープ幅方向の変形の度合いを示す
指標であり、カッピングが大きいとテープと磁気ヘッド
とのスペーシングが一定に保てなくなり、出力変動を生
じる。

表　　　　１ Ｎｏ。

膜Ａ　膜Ｂ なし 有 なし 有 なし なし 有 有 上記表１に示される結果から、本発明の効果が明らかで
ある。

すなわち、磁性層と非磁性基体との間および／または磁
性層中に酸化けい素の蒸着膜を形成したサンプルでは、
極めて高い耐食性が得られている。

［実施例２］ 上層および下層の組成を上記表２に示されるものとした
他は表１に示されるサンプルＮｏ。

１−２と同様にしてサンプルを作製した。

なお、表２に示されるサンプルＮｏ、２−３は、上記表
１に示されるサンプルＮｏ、１−２と同一のサンプルで
ある。

これらの各サンプルについて、実施例１と同様な耐食性
評価および下記の型持評価を行なった。　ただし、発錆
およびカッピング評価における保存条件は、６０℃・９
０％ＲＨにて１４日間とした。

（３）型持（０，７５ＭＨｚおよび７　ＭＨｚでの電磁
変換特性） Ｈｉ−８規格Ｖ　Ｔ　Ｒ（７）　５ＯＮＹ　ＥＶ−３９
００ヲ用い、０．７５Ｍ）ｌｚの単一信号および７　Ｍ
Ｈｚの単一信号を記録したときのＲＦ比出力基準テープ
のＲＦ比出力比較し、下記の評価基準により判定した。

Ｑ：　　（ＲＦ比出力上２゜０ｄＢ ○：ＯｄＢ≦（ＲＦ比出力＜２．０ｄＢ△ニー１．０ｄ
Ｂ≦（ＲＦ比出力＜０ｄＢＸ：（ＲＦ比出力＜−１，０
ｄＢ なお、測定の際の磁気ヘッドの相対的移動方向は、上層
の柱状結晶粒子の成長方向をＰＥＴフィルム表面に投影
した方向とした。

なお、上記表２に示されるサンプルＮｏ。

２−１および２−３は比較用のリファレンスサンプルで
あり、上層と下層との組成を全く同一に設定している。

上記表２において、最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有
率を最上層の強磁性金ＩＩＥ薄膜のＣｏ含有率よりも低
く構成したサンプルＮｏ、２−２では、高い耐食性が実
現し、しかも、低域および高域のいずれにおいても高い
電磁変換特性が得られている。

このようなサンプルＮｏ、２−２に対し、上層および下
層のいずれもがＣｏ含有率の低い比較サンプルＮｏ、２
−１では、耐食性は良好であるが７　ＭＨｚにおける特
性が低い。

また、上層および下層のいずれもがＣｏ含有率の高い比
較サンプルＮｏ、２−３では、耐食性が低（、また、０
．７５ＭＨｚにおける電磁変換特性が低い。

［実施例３〕 上層および下層の強磁性金属薄膜の蒸着時のθｍｉｎお
よびθｍａｘを変え、上記表３に示す各サンプルを得た
。　なお、サンプルＮｏ、３−１は、表１に示されるサ
ンプルＮｏ、１−２と同じであり、他のサンプルのθｍ
ｉｎおよびθｍａｘ以外の構成は、サンプルＮｏ、３−
１と同じとした。

これらの各サンプルについて、実施例２と同様な評価を
行なった。

結果を表３に示す。

上記表３において、サンプルＮｏ、３−１．３−５およ
び３−８は比較用のリファレンスサンプルであり、上層
と下層との形成条件を全く同一に設定している。

下層のθａ＋ａＸが上層のθＷａＸより小さいサンプル
Ｎｏ、３−２では、下層のθｍａｘ以外の全ての入射角
が同じであるサンプルＮｏ、３−１に比べ耐食性が著し
く向上し、また、上層のθｆｆ１ａＸ以外の全ての入射
角が同じであるサンプルＮｏ。

３−８に比べ電磁変換特性が著しく向上している。

また、上層のθｍｉｎが下層のθｍｉｎより大きいサン
プルＮｏ、３−３では、上層のθｍｉｎ以外の全ての入
射角が同じであるサンプルＮｏ。

３−１に比べ電磁変換特性が著しく向上し、また、下層
のθｒｎｉｎ以外の全ての入射角が同じであるサンプル
Ｎｏ、３−５に比べ耐食性が著しく向上している。

そして、これら同条件を満足゛するサンプルＮｏ、３−
４では、耐食性および電磁変換特性のいずれもが極めて
高い。

なお、表３に示す各サンプルの下層を、実施例２のサン
プルＮｏ、２−２と同じ組成として上記と同様な評価を
行なったところ、耐食性がさらに向上し、０．７５ＭＨ
ｚでの型持もさらに向上した。

［実施例４コ 実施例１．２および３に準じて、３層の強磁性金属薄膜
から構成される磁性層を有する磁気配録媒体サンプルを
作製した。

これらの各サンプルについて、上記各実施例と同様な評
価を行なったところ、蒸着膜Ａと蒸着膜Ｂの有無、各層
の組成、θｍｉｎおよびθｍａｘに応じて、上記各実施
例と同等の効果が得られた。

また、各層の蒸着方向（柱状結晶粒子の成長方向）が、
上層、中間層、下層の順で＋十−のものど＋−＋のもの
の双方について実験を行なった結果、はぼ同等の特性が
得られた。　なお、この場合の十とは、柱状結晶粒子の
成長方向をテープ表面に投影したときの方向がテープに
対する磁気ヘッドの相対的移動方向と同方向のときであ
り、−とは逆方向のときである。

さらに、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金からなる多層磁性層を有
する磁気記録媒体においても、上記各実施例と同等の効
果が認められた。

［実施例５］ 実施例１で用いたＰＥＴフィルム上に、下記の下層磁性
層、蒸着膜および下層磁性層を形成し、磁気記録媒体サ
ンプルを作製した。

（上層磁性層） 実施例１の各サンプルの上層と同様にして、１２００人
の厚さに形成した。

（蒸着膜） 実施例１の蒸着膜Ｂと同様にして形成した。

厚さは３００人とした。

（下層磁性層） Ｆｅ−Ｎ膜を反応性プラズマ蒸着により厚さ１２００人
に形成した。

これをサンプルＮｏ、５−１とする。

また、比較のために、蒸着膜を形成しない他はサンプル
Ｎｏ、５−１と同様にして、サンプルＮｏ、５−２を作
製した。

これらのサンプルについて、実施例１と同様な評価を行
なった。　ただし、保存条件は、６０℃・９０％ＲＨの
環境で１０日間とした。

その結果、サンプルＮｏ、５−１では発錆およびカッピ
ング共に０であったが、サンプルＮｏ。

５−２では、いずれも△であった。

〈発明の効果〉 本発明の磁気記録媒体は耐食性が極めて良好である。　
このため磁気特性の経時変化が極めて少なく、また、こ
のためカッピングの発生が抑えられるので媒体と磁気ヘ
ッドとのスペーシングの経時変化が極めて少ないので、
耐久性、信頼性に優れる。

また、本発明の磁気記録媒体はこのような高耐食性を酸
化けい索然着膜を設けることにより実現しているので、
電磁変換特性への悪影響がない。　さらに、磁性層の組
成や形成条件を所定のものとすることにより、低域信号
から高域信号までの広い帯域に亙って極めて高い電磁変
換特性が得られる。

出　　願 代　　理 同 人　ティーデイ−ケイ株式会社 人　弁理士　　石　井　陽

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性
   層を有し、この磁性層が強磁性金属薄膜から構成され、
   この強磁性金属薄膜がＣｏおよびＮｉを主成分とするか
   、またはＣｏ、ＮｉおよびＣｒを主成分として含有する
   磁気記録媒体であって、 前記非磁性基体と磁性層との間に、酸化けい素の蒸着膜
   を有することを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）前記磁性層が少なくとも２層の強磁性金属薄膜か
   ら構成されている請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. （３）非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性
   層を有し、この磁性層が少なくとも２層の強磁性金属薄
   膜から構成され、この強磁性金属薄膜がＣｏおよびＮｉ
   を主成分とするか、またはＣｏ、ＮｉおよびＣｒを主成
   分として含有する磁気記録媒体であって、 酸化けい素の蒸着膜を挟んで隣接する２層の強磁性金属
   薄膜が存在することを特徴とする磁気記録媒体。
4. （４）前記非磁性基体と最下層の強磁性金属薄膜との間
   に、酸化けい素の蒸着膜を有する請求項３に記載の磁気
   記録媒体。
5. （５）前記酸化けい素の組成がＳｉＯ＿２（ただし、ｘ
   ＝１．０〜２．０である。）である請求項１ないし４の
   いずれかに記載の磁気記録媒体。
6. （６）最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率が最上層の
   強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低い請求項２ないし
   ５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
7. （７）蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性
   基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最
   大値をθｍａｘ、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、 最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸
   着時のθｍａｘより小さいθｍａｘにて蒸着されたもの
   である請求項２ないし６のいずれかに記載の磁気記録媒
   体。
8. （８）蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性
   基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の最
   大値をθｍａｘ、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、 最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸
   着時のθｍｉｎより大きいθｍｉｎにて蒸着されたもの
   である請求項２ないし７のいずれかに記載の磁気記録媒
   体。
9. （９）非磁性基体上に少なくとも２層の磁性層を有し、
   組成の相異なる２層の磁性層が酸化けい素の蒸着膜を挟
   んで隣接して存在することを特徴とする磁気記録媒体。