JPH11339245A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高温、高湿条件下で使用ないし保存された場
合でも、カーリングやカッピングの発生が極めて少ない
磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 長尺の非磁性基体上に斜め蒸着法により
形成された少なくとも２層の強磁性金属薄膜から構成
される磁性層を有し、この強磁性金属薄膜がＣｏを主成
分として含有する磁気記録媒体であって、前記磁気記録
媒体の熱収縮率が、１００℃の湯に３０分間浸漬、乾燥
した後の値が０．５％以下であり、非磁性基体の厚さが
８μm 以下であることを特徴とする磁気記録媒体とし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は蒸着により形成され
た磁性層を有する磁気記録媒体に関し、特に、カーリン
グやカッピングの少ない磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年磁気記録媒体はますます高密度化し
ており、中でもＣｏを主体としＮｉ等を添加した強磁性
金属薄膜を用いた磁気記録媒体は、飽和磁束密度が大き
くしかも保磁力が高いので、盛んに研究されている。

【０００３】この型の磁気記録媒体は種々の方法で製造
されるが、特に優れた方法としては、非磁性基体上に斜
め蒸着法により強磁性金属薄膜を２層以上積層して多層
構造とすることが提案されている。この方法では、強磁
性金属薄膜各層は、蒸着等の気相法により強磁性金属の
蒸気を非磁性基体の表面に特定の角度で差し向け、これ
により強磁性金属の柱状結晶粒を他の強磁性金属薄膜の
柱状結晶粒の成長方向と交差した特定の方向に成長させ
る（特公昭５６−２６８９１、５６−４２０５５、６３
−２１２５４および６０−３７５２８、特開昭５４−６
０３、５４−１４７０１０、５６−９４５２０、５７−
３２３３、５７−３０２２８、５７−１３５１９、５７
−１４１０２７、５７−４１０２８、５７−１４１０２
９、５７−１４３７３０、５７−１４３７３１、５７−
１４７１２９、５８−１４３２４、５８−５０６２８、
６０−７６０２５、６１−１１０３３３、６１−１８７
１２２、６３−１０３１５、６３−１０３１５、６３−
１３１１７、６３−１４３１７、６３−１４３２０およ
び６３−３９１２７号公報等）。

【０００４】磁気記録媒体の非磁性基体としては、通
常、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムが用
いられている。

【０００５】このような樹脂フィルム上に蒸着により磁
性層を形成すると、磁性層内部の残留応力のために基体
にカーリングやカッピングが生じるため、記録・再生時
に良好なヘッドタッチが得られなかったり、巻き乱れが
生じるなどの問題があった。なお、カーリングとは磁気
記録媒体長手方向の変形であり、カッピングとは、磁気
記録媒体幅方向の変形である。

【０００６】このため、ある程度の熱収縮率をもつ樹脂
フィルム基体を用い、磁性層蒸着時の熱や蒸着後の熱処
理により基体を収縮させ、磁気記録媒体のカーリングや
カッピングを緩和ないし補正する提案がなされている
（特開昭５４−１５５０１１号公報、特開昭５５−１７
８５１号公報、特開昭５５−７３９２６号公報）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記各公報に記載され
ている提案は、いずれも磁性層形成前の基体の熱収縮率
に関するものである。

【０００８】しかし、磁性層形成直後にカーリングやカ
ッピングが発生していなくても、高温、高湿条件下で使
用ないし保存されるとカーリングやカッピングが生じて
しまう。そして、このようなカーリングやカッピング
は、基体が薄いほど顕著である。

【０００９】本発明はこのような事情からなされたもの
であり、高温、高湿条件下で使用ないし保存された場合
でも、カーリングやカッピングの発生が極めて少ない磁
気記録媒体を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記（１）
〜（６）の本発明により達成される。 （１） 長尺の非磁性基体上に斜め蒸着法により 形成
された少なくとも２層の強磁性金属薄膜から構成される
磁性層を有し、この強磁性金属薄膜がＣｏを主成分とし
て含有する磁気記録媒体であって、前記磁気記録媒体の
熱収縮率が、１００℃の湯に３０分間浸漬、乾燥した後
の値が０．５％以下であり、非磁性基体の厚さが８μm
以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 （２） 前記非磁性基体のヤング率が６００kgf/mm²以
上である（１）に記載の磁気記録媒体。 （３） 磁性層形成前の非磁性基体の熱収縮率が、１０
０℃の湯に３０分間浸漬、乾燥した後での値が２％以下
である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。 （４） 最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率が最上層
の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低く、耐久性が高
い（１）ないし（３）のいずれかに記載の磁気記録媒
体。 （５） 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁
性基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の
最大値をθmax 、入射角の最小値をθmin とすると、最
下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸着
時のθmax より小さいθmax にて蒸着されたものである
（１）ないし（４）いずれかに記載の磁気記録媒体。 （６） 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁
性基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入射角の
最大値をθmax 、入射角の最小値をθminとすると、最
上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸着
時のθmin より大きいθmin にて蒸着されたものである
（１）ないし（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。

【００１１】

【作用】本発明の磁気記録媒体は、Ｃｏを主成分として
含有する２層以上の強磁性金属薄膜から構成される磁性
層を非磁性基体上に有する。

【００１２】このような強磁性金属薄膜は、斜め蒸着法
により形成される。斜め蒸着法では、回転する円筒状の
冷却ドラム表面に非磁性基体を添わせて搬送しながら、
定置された強磁性金属源に電子ビーム等を照射して蒸着
を行なう。

【００１３】このとき、強磁性金属が入射する方向と非
磁性基体表面の法線とがなす角度を入射角と呼び、通
常、蒸着開始から終了まで入射角が漸減するように蒸着
する。このため、強磁性金属薄膜を構成する柱状結晶粒
子は、非磁性基体側ではほぼ非磁性基体表面と平行であ
り、非磁性基体表面から離れるに従って弧状に成長する
ことになる。

【００１４】蒸着により形成された強磁性金属薄膜には
残留内部応力が存在するため磁気記録媒体にはカーリン
グやカッピングが発生するが、所定の熱収縮率を有する
非磁性基体を用いて蒸着時の熱などにより基体を収縮さ
せすることによりカーリング等の変形を緩和し、平面性
の良好な磁気記録媒体を得る。

【００１５】しかし、製造直後に変形していない磁気記
録媒体も、高温、高湿環境で使用ないし保存されると変
形が生じる。

【００１６】本発明者らは、このような変形が、磁気記
録媒体の熱収縮に関係することを見出した。

【００１７】そこで、本発明では、磁性層形成後の磁気
記録媒体の熱収縮率、すなわち、いわゆる残留熱収縮率
を０．５％以下とする。このため、高温・高湿環境で磁
気記録媒体が使用ないし保存された場合でも、非磁性基
体の熱収縮に起因する磁気記録媒体の変形が殆ど生じな
い。

【００１８】そして、非磁性基体の厚さが小さくなるほ
ど磁気記録媒体の変形は著しくなるため、厚さ８μm 以
下の非磁性基体を用いる長時間磁気記録媒体に本発明を
適用した場合、極めて高い効果が得られる。また、この
ような長時間磁気記録媒体において非磁性基体のヤング
率を６００kgf/mm² 以上とすると、基体変形はさらに少
なくなる。さらに、このようなヤング率とすることによ
り、ＶＴＲのローディングポストなどの部材と接触する
際の破損が防止される。

【００１９】本発明の磁気記録媒体製造に用いる非磁性
基体の熱収縮率、すなわち磁性層形成前の熱収縮率は２
％以下であることが好ましい。

【００２０】なお、この２％以下という熱収縮率は、特
開昭５４−１５５０１１号公報、特開昭５５−１７８５
１号公報に記載されている好ましい熱収縮率範囲に比べ
低いものであるが、本発明者らは、本発明の磁気記録媒
体のように２層以上の多層磁性層とする場合に磁気記録
媒体の変形が極めて少ないことを見出したものである。

【００２１】また、本発明者らは、磁気記録媒体のカッ
ピングが強磁性金属薄膜の酸化によって加速されること
に着目した。

【００２２】強磁性金属薄膜はＣｏを主成分とするため
極めて酸化され易く、特に、非磁性基体側から腐食が進
行し易い。これは、非磁性基体が、通常、酸素や水分を
含み、これらが基体表面から強磁性金属薄膜中に侵入す
るからである。そして、このようにして生じる酸化によ
り強磁性金属薄膜中に応力が発生し、磁気記録媒体にカ
ッピングが生じる。

【００２３】このような磁気記録媒体形状の経時変化を
抑えるために、非磁性基体と接するか、あるいは近接す
る最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率を最上層の強磁
性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低く構成することが好ま
しい。Ｃｏ含有率が低ければ、すなわち、Ｎｉ、または
ＮｉおよびＣｒの含有率が高ければ、高い耐酸化性が得
られ、カッピングはさらに低減される。

【００２４】しかも、この場合、広い周波数帯域に亙っ
て良好な電磁変換特性が得られるようになる。

【００２５】この理由は下記のとおりである。磁気記録
媒体の磁性層には、一般に低域信号ほど深くまで記録さ
れ、高域信号は浅い領域に記録される。例えば、Ｈｉ−
８規格のビデオ記録のように低域信号（０．７５MHz の
色信号）と高域信号（７．０MHz の輝度信号）とが重畳
記録される場合、通常、最下層には主として低域信号が
記録される。

【００２６】そして、Ｃｏを主成分とする強磁性金属薄
膜は、Ｃｏ含有率が低いほど保磁力Ｈc は低下する。

【００２７】従って、最上層のＣｏ含有率を最下層のＣ
ｏ含有率よりも高くすれば、最上層において高いＨc が
得られるので高域信号の電磁変換特性が良好となり、最
下層において低いＨc が得られるので低域信号の電磁変
換特性が良好となる。

【００２８】ところで、強磁性金属薄膜蒸着時の入射角
の最大値および最小値を、それぞれ最大入射角θmax お
よび最小入射角θmin と称する。なお、θmax は９０度
以下であり、蒸着効率はθmax からθmin にかけて増大
する。

【００２９】磁性層が面内方向に磁化される水平記録型
の磁気記録媒体では、θmax は９０度に設定される。こ
れは、θmax が大きいほうが非磁性基体表面に対する柱
状結晶粒子の平均傾きが小さくなり、強磁性金属薄膜面
内方向のＨc が向上するためである。

【００３０】本発明において、最下層の強磁性金属薄膜
を、最上層蒸着時のθmax よりも小さいθmax にて蒸着
すれば、すなわち、最下層をθmax ９０度未満にて蒸着
すれば、耐食性はさらに向上し、従ってカッピングが低
減される。

【００３１】この理由は下記のとおりである。本発明者
らは実験を重ねた結果、θmax ９０度付近、すなわち非
磁性基体表面と平行に強磁性金属が入射した部分では蒸
着効率が低いため、柱状結晶粒子の径が小さくなって各
粒子間に空隙が生じていることを見いだし、この空隙か
ら非磁性基体中の酸素や水分が侵入し、腐食が進行する
ことを知見した。

【００３２】そこで、最下層を上記のようなθmax にて
蒸着することにより前記空隙の発生を抑え、耐食性が極
めて良好な磁気記録媒体を得るものである。また、空隙
が減少するので薄膜中の強磁性金属の充填率が向上し、
高い飽和磁化が得られる。

【００３３】しかも、最下層を小さいθmax にて蒸着す
れば低いＨc が得られ、主として最下層に記録される低
域信号に関する電磁変換特性は向上する。

【００３４】さらに、最上層蒸着時のθmax は最下層蒸
着時のθmax より大きくなるので、最上層では高いＨc
が得られ、高域信号の電磁変換特性が向上する。従っ
て、カッピングの低減という本発明の効果はさらに向上
し、しかも広い帯域において高い電磁変換特性が得られ
ることになる。

【００３５】また、最上層の強磁性金属薄膜を、最下層
の強磁性金属薄膜蒸着時のθmin より大きいθmin で蒸
着した場合、本発明の効果はいっそう向上する。

【００３６】θmin も柱状結晶粒子の傾きに関与し、θ
min が大きいと柱状結晶粒子の平均傾きは小さくなるの
でＨc が向上する。一方、θmin が小さいと平均傾きは
大きくなり、また、柱状結晶粒子の大部分が高い効率で
蒸着されるので柱状結晶粒子の径が均一に近くなり、各
柱状結晶粒子間に空隙が生じにくくなって緻密な膜が得
られる。

【００３７】このため、最上層蒸着時および最下層蒸着
時のθmin を上記関係とすれば、最下層の耐食性を向上
させることができ、カッピングの低減効果は増大し、し
かも、最上層のＨc を高くでき最下層のＨc を相対的に
低くできるため、広い帯域に亙って電磁変換特性を向上
させることができる。

【００３８】さらに、この場合、最下層蒸着時のθmax
と最上層蒸着時のθmax とが上記した関係であれば、カ
ッピングの低減、耐食性および電磁変換特性はさらに高
いものとなる。

【００３９】そして、上記各場合において、最上層の強
磁性金属薄膜蒸着時のθmax とθmin との合計が、最下
層蒸着時のθmax とθmin との合計よりも大きい場合、
より高いカッピングの低減、耐食性および電磁変換特性
が実現する。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成を詳細
に説明する。本発明の磁気記録媒体は、非磁性基体の厚
さが、８μm 以下であるとともに、１００℃の湯に３０
分間浸漬、乾燥した後の熱収縮率が０．５％以下、好ま
しくは０．４％以下である。熱収縮率が前記範囲を超え
ると本発明の効果が不十分となる。

【００４１】本発明における１００℃の湯に３０分間浸
漬、乾燥したときの熱収縮率とは、磁気記録媒体の磁性
層を剥さずに１００℃の湯に３０分間浸漬し、十分に乾
燥した後に測定する。

【００４２】なお、熱収縮率は一般に正の値であり、磁
気記録媒体を構成する非磁性基体は加熱により収縮する
が、場合によっては膨張することもある。この場合、熱
収縮率の値にはマイナスの符号がつくので、本明細書に
おける熱収縮率とは、熱収縮率の絶対値を意味するもの
とする。

【００４３】また、非磁性基体は、磁気記録媒体のヤン
グ率を高めるためや熱収縮率の調整のために、通常、長
手方向や幅方向に１軸ないし２軸延伸が施されているの
で、基体長手方向と幅方向とで熱収縮率が異なる場合が
ある。そして、磁性層形成後もこのような異方性が存在
する場合がある。しかしこのような場合でも、本発明で
は基体長手方向および幅方向のいずれにおいても熱収縮
率を前記範囲とする。

【００４４】このような熱収縮率とするためには、磁性
層形成前における非磁性基体の熱収縮率、磁性層の組
成、磁性層の成膜条件、磁性層の厚さ等の各種条件を設
定すればよく、磁性層形成後に熱処理を施すことによ
り、熱収縮率を調整することも好ましい。

【００４５】［非磁性基体］本発明で用いる非磁性基体
の材質に特に制限はなく、強磁性金属薄膜蒸着時の熱に
耐え、前記した熱収縮率やヤング率とすることができる
各種樹脂フィルムを用いればよい。このような樹脂フィ
ルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、全
芳香族ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリサルフォン、ポリエーテル
エーテルケトン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテ
ルイミド等が挙げられる。これらのうち、前記した熱収
縮率やヤング率が得易いことなどから、ＰＥＴまたはＰ
ＥＮを用いることが好ましい。

【００４６】なお、磁性層形成前における非磁性基体の
熱収縮率は、磁性層の構成やその形成条件を考慮して適
当な値を選択すればよいが、本発明では２％以下、特に
１．５％以下であることが好ましい。磁性層形成前の非
磁性基体の熱収縮率が前記範囲を超えると、磁性層の内
部応力に対して熱収縮による基体の変形が大きすぎる傾
向となり、このため磁性層に応力が加わってクラックが
発生することがある。

【００４７】また、非磁性基体の熱収縮率の下限は特に
ないが、磁性層の内部応力による磁気記録媒体の変形を
抑えるためには、通常、０．１％以上の熱収縮率を有す
る非磁性基体を用いればよい。

【００４８】本発明の磁気記録媒体はカセットハーフに
収納されて８ミリビデオなどに適用されるが、長時間記
録を行なうためには非磁性基体の厚さを薄くする必要が
ある。ところが、非磁性基体の厚さが８μm 以下となる
と基体の熱収縮による磁気記録媒体変形が著しく増大す
る。しかし、磁性層形成後の１００℃の湯に３０分間浸
漬、乾燥した後の熱収縮率を上記範囲とすれば、基体の
厚さが８μm 以下であっても高温・高湿環境での磁気記
録媒体変形は殆ど生じなくなる。

【００４９】また、非磁性基体のヤング率は、長手方向
および幅方向のいずれにおいても６００kgf/mm² 以上、
特に７００kgf/mm² 以上であることが好ましい。ヤング
率が前記範囲未満であると、磁性層形成後および高温・
高湿での保存後に基体が変形し易く、これは特に８μm
以下の厚さの場合に顕著である。

【００５０】また、基体長手方向のヤング率と幅方向の
ヤング率との合計は、３０００kgf/mm² 以下であること
が好ましい。ヤング率の合計が前記範囲を超えると、良
好なヘッドタッチが得られにくく、また、磁気ヘッドの
偏摩耗が生じることがある。

【００５１】なお、ヤング率は長手方向と幅方向とで同
一である必要はなく、目的や用途に応じて非磁性基体の
熱収縮が上記範囲内において異方性をもたせてもよいこ
とは勿論である。

【００５２】［磁性層］非磁性基体上に形成される磁性
層は、斜め蒸着法により形成される少なくとも２層の強
磁性金属薄膜から構成される。そして、強磁性金属薄膜
は、Ｃｏを主成分とし、柱状結晶粒子から構成される。

【００５３】本発明では、最下層の強磁性金属薄膜のＣ
ｏ含有率を最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも
低く構成することが好ましい。

【００５４】この場合、最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ
含有率は、コストを問題にしなければ、含有率１００％
でもよく、特に７０〜８５at% 、さらに７４〜８０at%
、最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率は、コストを
問題にしなければ、含有率１００％でもよく、特に７５
〜９０at% 、さらに７９〜８５at% であることが好まし
い。Ｃｏ含有率が前記範囲未満となると必要とされる保
磁力が得られにくく、前記範囲を超えると必要とされる
耐食性が得られにくく、カッピングが生じやすくなる。

【００５５】強磁性金属薄膜には必要に応じて少量の酸
素を含有させ、耐食性の向上（＝カッピングの原因の低
減）をはかることもできる。

【００５６】強磁性金属薄膜のＣｏ以外の主構成元素
は、Ｎｉであるか、またはＮｉおよびＣｒであるが、こ
の他にも各種金属やその他の金属成分が必要に応じて含
有されていてもよく、また、成膜雰囲気中に含まれるＡ
ｒ等が含有されていてもよい。これらの元素の含有率
は、強磁性金属薄膜の５at% 以下であることが好まし
い。

【００５７】ＮｉとＣｒとの含有比率に特に制限はな
く、目的に応じて適宜設定すればよいが、強磁性金属薄
膜中のＣｒ含有率は１０at% 以下とすることが好まし
い。

【００５８】また、最下層の強磁性金属薄膜が、最上層
の強磁性金属薄膜蒸着時のθmax より小さいθmax にて
蒸着されていることが好ましい。これにより耐食性の向
上（＝カッピングの原因の低減）および電磁変換特性が
向上する。

【００５９】この場合、最上層蒸着時のθmax は８０〜
９０度、特に８５〜９０度であることが好ましく、最下
層蒸着時のθmax は３１〜８９度、特に６０〜８４度で
あることが好ましい。

【００６０】また、最上層の強磁性金属薄膜が、最下層
の強磁性金属薄膜蒸着時のθmin より大きいθmin にて
蒸着されていることが好ましい。このような構成によっ
ても耐食性の向上（＝カッピングの原因の低減）および
電磁変換特性が向上する。

【００６１】この場合、最上層蒸着時のθmin は２０〜
６０度、特に３１〜６０度であることが好ましく、最下
層蒸着時のθmin は１０〜５０度、特に１０〜３０度で
あることが好ましい。

【００６２】さらに、上記各場合において、最上層の強
磁性金属薄膜蒸着時のθmax とθmin との合計が、最下
層蒸着時のθmax とθmin との合計よりも大きいことが
好ましい。

【００６３】この場合、最上層のθmax とθmin との合
計は１００〜１５０度、特に１１６〜１５０度であるこ
とが好ましく、また、最下層のθmax とθmin との合計
は４１〜１３９度、特に７０〜１１４度であることが好
ましい。

【００６４】また、強磁性金属が入射する方向が前記非
磁性基体の法線を挟んで交差するように蒸着された２層
の強磁性金属薄膜を有することが好ましい。この場合、
これら２層では、強磁性金属の柱状結晶粒子の成長方向
が、非磁性基体表面の法線を挟んで交差することにな
る。

【００６５】このような構成とするには、非磁性基体の
走行方向を逆にして斜め蒸着すればよい。

【００６６】この場合の２層としては、最上層およびそ
の隣接層であるか、あるいは最上層および１層挟んで最
上層と隣接する層であることが好ましい。

【００６７】このような構成とすることにより、最上層
および他の１層を、それぞれ高域信号記録および低域信
号記録に好適なＨc とすることができ、全域に亙って電
磁変換特性が向上する。

【００６８】強磁性金属薄膜の積層数に特に制限はな
く、目的に応じて２層、３層あるいは４層以上の構成を
選択すればよい。

【００６９】３層以上の多層構成とする場合、最上層と
最下層との間に存在する中間層は、記録信号の周波数帯
域や各層の厚さなどの各種条件を考慮して、最適なＨc
や耐食性が得られるように蒸着時のθmax 、θmin 、厚
さ、柱状結晶粒の成長方向等を適宜設計すればよい。

【００７０】例えばＨｉ−８規格のように低域信号と高
域信号とが重畳記録される場合、各層に主として記録さ
れる信号の周波数帯域を考慮して上記各条件を決定すれ
ばよい。

【００７１】各強磁性金属薄膜の厚さは、約４００〜１
０００Åであることが好ましい。最上層の厚さが４００
Åより薄くなると、例えば７．０MHz 程度の高域信号の
記録が十分にできなくなり出力が低下する。一方１００
０Åよりも厚くなると雑音が増えて信号対雑音比が低下
する。最下層の厚さが４００Åより薄くなると、耐食性
の低下（＝カッピングの原因の増加）を招くおそれが多
くなる。

【００７２】なお、磁性層全体の厚さは、２０００Å以
上であることが好ましい。これにより例えば０．７５MH
z 程度の低域における出力を十分に大きくすることがで
きる。

【００７３】また、低域および高域の双方で高出力を得
るために、最上層から下層に向けて厚さが増加している
ことが好ましい。

【００７４】各強磁性金属薄膜は、それぞれ斜め蒸着法
により形成される。斜め蒸着装置および方法は、前掲し
た各種の文献に記載されているのでそれらのうちから任
意のものを採用すればよい。

【００７５】斜め蒸着法は、例えば、供給ロールから繰
り出された長尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却
ドラムの表面に添わせて送りながら、一個以上の定置金
属源から斜め蒸着をし、巻き取りロールに巻き取るもの
である。この場合、入射角は蒸着初期のθmax から最終
のθmin まで連続的に変化し、非磁性基体表面にＣｏを
主成分とする強磁性金属の柱状結晶粒子を弧状に成長さ
せ、整列させるものである。

【００７６】磁性層を多層構成とする場合は、この工程
を繰り返し行なう。

【００７７】強磁性金属が入射する方向が非磁性基体の
法線を挟んで交差するような２層の強磁性金属薄膜を形
成する場合、非磁性基体の走行方向を逆にして斜め蒸着
を行なえばよい。

【００７８】本発明の磁気記録媒体の磁性層上には、磁
性層の保護および耐食性向上のために公知の種々のトッ
プコート層、保護層が設けられることが好ましい。ま
た、磁気記録媒体化したときの走行性を確保するため
に、非磁性基体の磁性層と反対側には公知の種々のバッ
クコート層が設けられることが好ましい。

【００７９】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。 ［実施例１］下記表１に示される磁気テープサンプルを
作製した。非磁性基体としては、厚さ７μm のポリエチ
レンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムを用いた。

【００８０】表１に、磁性層形成前の熱収縮率（熱収縮
率Ａ）、磁性層形成後の熱収縮率（熱収縮率Ｂ）および
ヤング率を示す。熱収縮率は、１００℃の湯に３０分間
浸漬し十分に乾燥させた後の収縮率であり、磁性層形成
後の熱収縮率は、８mm幅の磁気テープを長さ１００mmに
切断して測定用サンプルとし、これを１００℃の湯に３
０分間浸漬し、十分に乾燥させた後、測定した。

【００８１】なお、熱収縮率Ｂを所望の値とするため
に、磁性層形成後、低テンションにて走行させて熱処理
（条件は表に示す）を施して熱収縮率を変化させた。

【００８２】各サンプルの磁性層は２層構成とし、上層
および下層は、下記のようにして形成した。

【００８３】１０^-4TorrのＡｒ雰囲気中で、供給ロール
からＰＥＮフィルムを繰り出して、回転する円筒状冷却
ドラムの周面に添わせて移動させ、強磁性金属を斜め蒸
着して下層を形成し、巻き取りロールに巻き取った。

【００８４】次いで、この巻き取りロールを供給ロール
とし、ＰＥＮフィルム表面の法線方向を挟んで上記斜め
蒸着時の入射方向と交差する入射方向にて強磁性金属を
斜め蒸着して上層とした。

【００８５】各サンプルの上層の厚さは１０００Å、下
層の厚さは１０００Åとし、上層および下層の組成はい
ずれも８０at% Ｃｏ−Ｎｉとした。また、上層および下
層蒸着時のθmin はいずれも３０度、θmax はいずれも
９０度とした。

【００８６】これらのサンプルをスリッタにて裁断して
テープ化し、Ｈｉ−８規格のビデオカセットとした。各
サンプルについて、下記の評価を行なった。結果を表１
に示す。

【００８７】（１）カッピング ７０℃・８０％ＲＨにて１週間保存した後、テープを平
面上に載置し、テープ幅方向端部のソリ高さｈを測定し
た。評価基準は下記の通りとした。 ◎：｜ｈ｜＝０ ○：０＜｜ｈ｜≦０．２mm △：０．２＜｜ｈ｜＜０．５mm ×：｜ｈ｜≧０．５mm

【００８８】なお、カッピングはテープ幅方向の変形の
度合いを示す指標であり、カッピングが大きいとテープ
と磁気ヘッドとのスペーシングが一定に保てなくなり、
出力変動を生じる。

【００８９】

【表１】

【００９０】上記表１に示される結果から、本発明の効
果が明らかである。すなわち、磁性層形成後の熱収縮率
が０．５％以下である本発明のサンプルはカッピングが
きわめて少ない。そして、基体のヤング率６００kgf/mm
² 以上である場合、カッピングはさらに少なくなってい
る。

【００９１】［実施例２］上層および下層の組成を下記
表２に示されるものとした他は表１に示されるサンプル
No. １−１と同様にしてサンプルを作製した。

【００９２】なお、表２に示されるサンプルNo. ２−３
は、サンプルNo. １−１と同一で熱処理なしのサンプル
である。

【００９３】これらの各サンプルについて、実施例１と
同様なカッピング測定および下記評価を行なった。ただ
し、カッピング測定における保存条件は、７０℃・８０
％ＲＨにて１０日間とした。

【００９４】（２）発錆 ６０℃・９０％ＲＨの環境で１週間保存後、テープの磁
性層側の変色度を目視で判定した。評価基準は下記のと
おりとした。 ◎：変化なし ○：薄い黄色に変色 △：黄色に変色 ×：青色に変色

【００９５】（３）電特（０．７５MHz および７MHz で
の電磁変換特性） Ｈｉ−８規格ＶＴＲのSONY EV-S900を用い、０．７５MH
z の単一信号および７MHz の単一信号を記録したときの
ＲＦ出力を基準テープのＲＦ出力と比較し、下記の評価
基準により判定した。 ◎：（ＲＦ出力）≧２．０dB ○：０dB≦（ＲＦ出力）＜２．０dB △：−１．０dB≦（ＲＦ出力）＜０dB ×：（ＲＦ出力）＜−１．０dB

【００９６】なお、測定の際の磁気ヘッドの相対的移動
方向は、上層の柱状結晶粒子の成長方向をＰＥＴフィル
ム表面に投影した方向とした。

【００９７】

【表２】

【００９８】なお、上記表２に示されるサンプルNo. ２
−１および２−３は比較用のリファレンスサンプルであ
り、上層と下層との組成を全く同一に設定している。

【００９９】上記表２において、最下層の強磁性金属薄
膜のＣｏ含有率を最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率
よりも低く構成したサンプルNo. ２−２では、耐食性が
高くなってカッピングがさらに減少し、しかも、低域お
よび高域のいずれにおいても高い電磁変換特性が得られ
ている。

【０１００】このようなサンプルNo. ２−２に対し、上
層および下層のいずれもがＣｏ含有率の低い比較サンプ
ルNo. ２−１では、耐食性は良好であるが７MHz におけ
る特性が低い。

【０１０１】また、上層および下層のいずれもがＣｏ含
有率の高い比較サンプルNo. ２−３では、耐食性が低
く、また、０．７５MHz における電磁変換特性が低い。

【０１０２】［実施例３］上層および下層の強磁性金属
薄膜の蒸着時のθmin およびθmax を変え、下記表３に
示す各サンプルを得た。なお、サンプルNo. ３−１は、
表１に示されるサンプルNo. １−１と熱処理しない以外
は同じであり、他のサンプルのθmin およびθmax 以外
の構成は、サンプルNo. ３−１と同じとした。これらの
各サンプルについて、実施例２と同様な評価を行なっ
た。結果を表３に示す。

【０１０３】

【表３】

【０１０４】上記表３において、サンプルNo. ３−１、
３−５および３−８は比較用のリファレンスサンプルで
あり、上層と下層との形成条件を全く同一に設定してい
る。

【０１０５】下層のθmax が上層のθmax より小さいサ
ンプルNo. ３−２では、下層のθmax 以外の全ての入射
角が同じであるサンプルNo. ３−１に比べ耐食性が向上
してカッピングが減少し、また、上層のθmax 以外の全
ての入射角が同じであるサンプルNo. ３−８に比べ電磁
変換特性が著しく向上している。

【０１０６】また、上層のθmin が下層のθmin より大
きいサンプルNo. ３−３では、上層のθmin 以外の全て
の入射角が同じであるサンプルNo. ３−１に比べ電磁変
換特性が著しく向上し、また、下層のθmin 以外の全て
の入射角が同じであるサンプルNo. ３−５に比べ耐食性
が向上してカッピングが減少している。

【０１０７】そして、これら両条件を満足するサンプル
No. ３−４では、耐食性が良好でカッピングが極めて小
さく、電磁変換特性も極めて高い。

【０１０８】なお、表３に示す各サンプルの下層を、実
施例２のサンプルNo. ２−２と同じ組成として上記と同
様な評価を行なったところ、耐食性がさらに向上し、
０．７５MHz での電特もさらに向上した。

【０１０９】［実施例４］実施例１、２および３に準じ
て、３層の強磁性金属薄膜から構成される磁性層を有す
る磁気テープサンプルを作製した。

【０１１０】これらの各サンプルについて、上記各実施
例と同様な評価を行なったところ、非磁性基体の物性、
各層の組成、θmin およびθmax に応じて、上記各実施
例と同等の効果が得られた。

【０１１１】また、各層の蒸着方向（柱状結晶粒子の成
長方向）が、上層、中間層、下層の順で＋＋−のものと
＋−＋のものの双方について実験を行なった結果、ほぼ
同等の特性が得られた。なお、この場合の＋とは、柱状
結晶粒子の成長方向をテープ表面に投影したときの方向
がテープに対する磁気ヘッドの相対的移動方向と同方向
のときであり、−とは逆方向のときである。

【０１１２】さらに、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金からなる多
層磁性層を有する磁気テープにおいても、上記各実施例
と同等の効果が認められた。

【０１１３】

【発明の効果】本発明の磁気テープは、非磁性基体の熱
収縮率を所定範囲とするため、高温・高湿での使用や保
存に際し、カーリングやカッピング等の変形が極めて少
ない。

【０１１４】このため、磁気ヘッドとのスペーシングの
経時変化が極めて少なく、ヘッドタッチも良好となるの
で、耐久性、信頼性に優れる。

【０１１５】また、磁性層の組成や形成条件を所定のも
のとすることによりテープ変形はさらに減少し、しか
も、低域信号から高域信号までの広い帯域に亙って極め
て高い電磁変換特性が得られる。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 長尺の非磁性基体上に斜め蒸着法により
   形成された少なくとも２層の強磁性金属薄膜から構成
   される磁性層を有し、この強磁性金属薄膜がＣｏを主成
   分として含有する磁気記録媒体であって、 前記磁気記録媒体の熱収縮率が、１００℃の湯に３０分
   間浸漬、乾燥した後の値が０．５％以下であり、非磁性
   基体の厚さが８μm 以下であることを特徴とする磁気記
   録媒体。
2. 【請求項２】 前記非磁性基体のヤング率が６００kgf/
   mm²以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 磁性層形成前の非磁性基体の熱収縮率
   が、１００℃の湯に３０分間浸漬、乾燥した後での値が
   ２％以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒
   体。
4. 【請求項４】 最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率が
   最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低く、耐久
   性が高い請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録
   媒体。
5. 【請求項５】 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前
   記非磁性基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入
   射角の最大値をθmax 、入射角の最小値をθmin とする
   と、 最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸
   着時のθmax より小さいθmax にて蒸着されたものであ
   る請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前
   記非磁性基体表面の法線とがなす角度を入射角とし、入
   射角の最大値をθmax 、入射角の最小値をθminとする
   と、 最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸
   着時のθmin より大きいθmin にて蒸着されたものであ
   る請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気記録媒体。