JP2760906B2 - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気ヘッドとの
間において情報の記録および再生を行うための磁気記録
媒体に関するものであり、特に膜面内の保磁力を大きく
したＣｏ系合金磁性層を有する磁気記録媒体に関するも
のである。
間において情報の記録および再生を行うための磁気記録
媒体に関するものであり、特に膜面内の保磁力を大きく
したＣｏ系合金磁性層を有する磁気記録媒体に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気記録媒体上に情報を記録
し、もしくは媒体上に記録した情報を再生出力するため
に、磁気ディスク装置が広く使用されている。そして、
より高密度の情報の記録・再生を行うために、最近で
は、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間隔を、例えば０．
２〜０．３μｍ程度の微小な間隔に保持するのが通常で
ある。このため、磁気ヘッドと磁気記録媒体の衝突に伴
う損傷をできるだけ防止するように、浮動型の磁気ヘッ
ドスライダが使用されている。磁気ヘッドスライダは、
磁気記録媒体との相対速度によってスライダと記録媒体
との間隙部分に発生する流体力学的浮上力を利用して両
者の微小間隔を保持するように構成されており、それに
よって磁気記録媒体との接触による摩擦、摩耗を低減す
る。
し、もしくは媒体上に記録した情報を再生出力するため
に、磁気ディスク装置が広く使用されている。そして、
より高密度の情報の記録・再生を行うために、最近で
は、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間隔を、例えば０．
２〜０．３μｍ程度の微小な間隔に保持するのが通常で
ある。このため、磁気ヘッドと磁気記録媒体の衝突に伴
う損傷をできるだけ防止するように、浮動型の磁気ヘッ
ドスライダが使用されている。磁気ヘッドスライダは、
磁気記録媒体との相対速度によってスライダと記録媒体
との間隙部分に発生する流体力学的浮上力を利用して両
者の微小間隔を保持するように構成されており、それに
よって磁気記録媒体との接触による摩擦、摩耗を低減す
る。
【０００３】一方、近年の磁気記録媒体に要求される仕
様は次第に厳しくなってきており、より記録密度の高い
磁性膜を用いることが要求されている。このような磁性
膜としては、非磁性基板上にＣｒ下地層を介してＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ層を成膜したものがある。しかし、この磁性
膜は、保磁力がＣｒ下地層の厚みに大きく依存し、膜厚
が厚くなるに従い保磁力が増加する。高密度化のために
は記録媒体の高保磁力化が必要であるが、この磁性膜を
形成した記録媒体においては、１０００Ｏｅ以上の保磁
力を得るためには２０００Å以上のＣｒ膜を形成しなけ
ればならず、膜形成に要する時間が長くなり生産性を低
下させるという問題がある。
様は次第に厳しくなってきており、より記録密度の高い
磁性膜を用いることが要求されている。このような磁性
膜としては、非磁性基板上にＣｒ下地層を介してＣｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ層を成膜したものがある。しかし、この磁性
膜は、保磁力がＣｒ下地層の厚みに大きく依存し、膜厚
が厚くなるに従い保磁力が増加する。高密度化のために
は記録媒体の高保磁力化が必要であるが、この磁性膜を
形成した記録媒体においては、１０００Ｏｅ以上の保磁
力を得るためには２０００Å以上のＣｒ膜を形成しなけ
ればならず、膜形成に要する時間が長くなり生産性を低
下させるという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような欠点を除く
ために、上記と同様に、非磁性基板上にＣｒ層を介して
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を形成したものが提唱された（IEEE
Trans.Magn.MAG-23,122,1987）。この媒体は１０００
ÅのＣｒ膜厚でも１０００Ｏｅ以上の保磁力が得られる
という利点がある。しかしながら、１５００Ｏｅ以上の
高保磁力は得られていない。
ために、上記と同様に、非磁性基板上にＣｒ層を介して
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を形成したものが提唱された（IEEE
Trans.Magn.MAG-23,122,1987）。この媒体は１０００
ÅのＣｒ膜厚でも１０００Ｏｅ以上の保磁力が得られる
という利点がある。しかしながら、１５００Ｏｅ以上の
高保磁力は得られていない。
【０００５】また、高保磁力の磁性膜を得るために、ス
パッタ時に基板にバイアス電圧を印加することも知られ
ている（信学技報ＣＰＭ８８，１９８８）。しかし、こ
の報告においても、高保磁力を得るためにはＣｒ下地膜
の膜厚が１５００Å以上を要している。さらに、より薄
層のＣｒ膜での検討も行われているが（日本応用磁気学
会誌，１４，５３，１９９０）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合
金磁性層では１５００Ｏｅ以上の高保磁力は達成されて
いない。
パッタ時に基板にバイアス電圧を印加することも知られ
ている（信学技報ＣＰＭ８８，１９８８）。しかし、こ
の報告においても、高保磁力を得るためにはＣｒ下地膜
の膜厚が１５００Å以上を要している。さらに、より薄
層のＣｒ膜での検討も行われているが（日本応用磁気学
会誌，１４，５３，１９９０）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合
金磁性層では１５００Ｏｅ以上の高保磁力は達成されて
いない。
【０００６】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金磁性層は、基板面
に平行な方向（トラック方向）に磁化されて記録を行
う。したがって、この面密度を上げて高密度記録をする
ためには、磁性層の保磁力を高めることが必要である。
そして、このためにはＣｒ下地層上のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ
系合金層をエピタキシャル成長させる必要があるとされ
ている（USP 4,652,499）。このとき、下地層のＣｒ結
晶とＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金結晶の結晶粒はほぼ同じ大
きさとなる。また、Ｃｒの結晶粒径は、膜厚が厚くなる
とともに成長する。
に平行な方向（トラック方向）に磁化されて記録を行
う。したがって、この面密度を上げて高密度記録をする
ためには、磁性層の保磁力を高めることが必要である。
そして、このためにはＣｒ下地層上のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ
系合金層をエピタキシャル成長させる必要があるとされ
ている（USP 4,652,499）。このとき、下地層のＣｒ結
晶とＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金結晶の結晶粒はほぼ同じ大
きさとなる。また、Ｃｒの結晶粒径は、膜厚が厚くなる
とともに成長する。
【０００７】本発明の目的とするところは、非磁性基板
上に形成した磁性層からなる磁気記録媒体であって、こ
の磁性層は面内に磁化容易方向を有し、この基板と磁性
層の間のＣｒまたはＣｒ合金からなる下地層の厚さが薄
いときでも、１５００Ｏｅ以上の高い保磁力を有するも
のを提供することにある。なお、面内に磁化容易方向を
有するとは、磁性層が基板面と平行な方向、すなわち長
手方向に磁化することが出来ることを意味し、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ系合金磁性層が六方晶結晶構造を有する場合、
そのＣ軸の磁性層面内成分の大きいことを意味する。本
発明の他の目的は、磁気記録媒体を製造するときに、生
産性のよい下地層の薄い媒体を提供することにある。
上に形成した磁性層からなる磁気記録媒体であって、こ
の磁性層は面内に磁化容易方向を有し、この基板と磁性
層の間のＣｒまたはＣｒ合金からなる下地層の厚さが薄
いときでも、１５００Ｏｅ以上の高い保磁力を有するも
のを提供することにある。なお、面内に磁化容易方向を
有するとは、磁性層が基板面と平行な方向、すなわち長
手方向に磁化することが出来ることを意味し、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ系合金磁性層が六方晶結晶構造を有する場合、
そのＣ軸の磁性層面内成分の大きいことを意味する。本
発明の他の目的は、磁気記録媒体を製造するときに、生
産性のよい下地層の薄い媒体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性基体上
に形成されたＣｒまたはＣｒを主体とする合金からなる
下地層上に、平均結晶粒径３００〜６００ÅのＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ系合金磁性層を連続して形成してあることを特
徴とするものであり、それによってＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系
合金磁性層における膜面に平行な成分の保磁力が１５０
０Ｏｅを超える磁気記録媒体を実現できるのである。本
発明において、上記磁性層としては、ＣｒあるいはＣｒ
合金下地層上に蒸着成長させるもので、５〜１５原子％
のＣｒ、１〜８原子％のＴａ、および残部実質的にＣｏ
からなる組成のＣｏ系合金磁性層のものが適切である。
に形成されたＣｒまたはＣｒを主体とする合金からなる
下地層上に、平均結晶粒径３００〜６００ÅのＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ系合金磁性層を連続して形成してあることを特
徴とするものであり、それによってＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系
合金磁性層における膜面に平行な成分の保磁力が１５０
０Ｏｅを超える磁気記録媒体を実現できるのである。本
発明において、上記磁性層としては、ＣｒあるいはＣｒ
合金下地層上に蒸着成長させるもので、５〜１５原子％
のＣｒ、１〜８原子％のＴａ、および残部実質的にＣｏ
からなる組成のＣｏ系合金磁性層のものが適切である。
【０００９】また、本発明において、ＣｒまたはＣｒを
主体とする合金からなる下地層の膜厚は４００〜１３０
０Åであることが望ましい。これは、３００〜６００Å
の結晶結晶粒のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金層を磁性層とし
て実現しようとする場合、４００Å未満の厚さでは結晶
粒径が３００Å以上になりにくいためである。上限は１
３００Åであるが、生産性の点から、１０００Å以下と
するのが適当である。本発明の磁気記録媒体において、
基板としては３〜６重量％のＭｇを含むアルミニウム合
金やガラスまたはセラミックスなどの非磁性基板が適切
であり、さらに基板上にＮｉ−Ｐメッキ膜などの非晶質
金属下地層が設けられていてもよい。
主体とする合金からなる下地層の膜厚は４００〜１３０
０Åであることが望ましい。これは、３００〜６００Å
の結晶結晶粒のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金層を磁性層とし
て実現しようとする場合、４００Å未満の厚さでは結晶
粒径が３００Å以上になりにくいためである。上限は１
３００Åであるが、生産性の点から、１０００Å以下と
するのが適当である。本発明の磁気記録媒体において、
基板としては３〜６重量％のＭｇを含むアルミニウム合
金やガラスまたはセラミックスなどの非磁性基板が適切
であり、さらに基板上にＮｉ−Ｐメッキ膜などの非晶質
金属下地層が設けられていてもよい。
【００１０】上記構成の本発明による磁気記録媒体は、
非磁性基板を１５０℃以上に加熱し、かつ非磁性基板上
に負の電圧を印加しながら、ＣｒまたはＣｒを主体とす
る合金からなる、膜厚１３００Å以下の下地層と、この
下地層上に、平均粒径３００〜６００ÅのＣｏＣｒ−Ｔ
ａ系合金からなる磁性層を蒸着成長させて形成すること
により製造できる。
非磁性基板を１５０℃以上に加熱し、かつ非磁性基板上
に負の電圧を印加しながら、ＣｒまたはＣｒを主体とす
る合金からなる、膜厚１３００Å以下の下地層と、この
下地層上に、平均粒径３００〜６００ÅのＣｏＣｒ−Ｔ
ａ系合金からなる磁性層を蒸着成長させて形成すること
により製造できる。
【００１１】
【作用】通常の方法ではＣｒ下地膜の膜厚を３０００Å
程度に厚くしないと粒径制御（粗大化）が出来ないが、
本発明においては、Ｃｒ下地膜の膜厚は４００〜１５０
０Åの範囲内程度でありながら、基板温度を上げるとと
もにバイアス電圧を印加することによって結晶粒径を制
御できるのである。また、本発明においては、Ｃｒ下地
層およびＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金磁性層は連続的に形成
され、そのときの基板温度は１５０℃以上に保持される
るとともに、成膜中は基板面に負のバイアス電圧が印加
されることによって、１５００Ｏｅ以上の保磁力が得ら
れ、高密度記録に適した媒体となるのである。
程度に厚くしないと粒径制御（粗大化）が出来ないが、
本発明においては、Ｃｒ下地膜の膜厚は４００〜１５０
０Åの範囲内程度でありながら、基板温度を上げるとと
もにバイアス電圧を印加することによって結晶粒径を制
御できるのである。また、本発明においては、Ｃｒ下地
層およびＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金磁性層は連続的に形成
され、そのときの基板温度は１５０℃以上に保持される
るとともに、成膜中は基板面に負のバイアス電圧が印加
されることによって、１５００Ｏｅ以上の保磁力が得ら
れ、高密度記録に適した媒体となるのである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明について実施例および比較例等
に基づいて詳述する。ただし、本発明の範囲が、これら
実施例により限定されるものではない。
に基づいて詳述する。ただし、本発明の範囲が、これら
実施例により限定されるものではない。
【００１３】（実施例１）表面にＮｉ−Ｐメッキ膜が５
〜１５μｍ形成された、４重量％のマグネシウムを含む
３．５インチアルミニウム合金基板（外径９５ｍｍ、内
径２５ｍｍ、厚み１．２７ｍｍ）を鏡面加工する。次
に、磁気記録媒体の起動時および停止時における磁気ヘ
ッドもしくはスライダとの接触摺動（Contact Start an
d Stop, 以下ＣＳＳと記す）特性を確保するためにテク
スチャ加工を施す。
〜１５μｍ形成された、４重量％のマグネシウムを含む
３．５インチアルミニウム合金基板（外径９５ｍｍ、内
径２５ｍｍ、厚み１．２７ｍｍ）を鏡面加工する。次
に、磁気記録媒体の起動時および停止時における磁気ヘ
ッドもしくはスライダとの接触摺動（Contact Start an
d Stop, 以下ＣＳＳと記す）特性を確保するためにテク
スチャ加工を施す。
【００１４】この基板を洗浄後、例えばＤＣマグトロン
スパッタ装置により、表１に示すように種々の膜厚のＣ
ｒからなる下地層と、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金からなる磁
性層と、カ−ボンからなる保護層とを順次積層して成膜
する。この場合、下地層の成膜には、スパッタ室内を１
×１０-5Ｔｏｒｒ以下に排気後、Ａｒガスを導入してス
パッタ室内を５ｍＴｏｒｒに保持し、投入電力２０００
Ｗ、成膜速度４００Å／分の条件の下で、異なる膜厚の
Ｃｒ下地層を成膜する。次に、この下地層の上にＣｏ−
Ｃｒ−Ｔａ合金からなる磁性層を、上記下地層の成膜と
同様の雰囲気下で、投入電力２０００Ｗ、成膜速度１０
００Å／分の条件で５００Åの膜厚に成膜する。また、
両層のスパッタ時には、基板を他の部分より電気的に浮
かせ、ＤＣ電源により負のバイアス電圧を印加する。さ
らに、保護層としてのカーボン膜を、投入電力１０００
Ｗ、成膜速度８０Å／分の条件で、前記磁性層上に膜厚
３００Å成膜する。
スパッタ装置により、表１に示すように種々の膜厚のＣ
ｒからなる下地層と、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金からなる磁
性層と、カ−ボンからなる保護層とを順次積層して成膜
する。この場合、下地層の成膜には、スパッタ室内を１
×１０-5Ｔｏｒｒ以下に排気後、Ａｒガスを導入してス
パッタ室内を５ｍＴｏｒｒに保持し、投入電力２０００
Ｗ、成膜速度４００Å／分の条件の下で、異なる膜厚の
Ｃｒ下地層を成膜する。次に、この下地層の上にＣｏ−
Ｃｒ−Ｔａ合金からなる磁性層を、上記下地層の成膜と
同様の雰囲気下で、投入電力２０００Ｗ、成膜速度１０
００Å／分の条件で５００Åの膜厚に成膜する。また、
両層のスパッタ時には、基板を他の部分より電気的に浮
かせ、ＤＣ電源により負のバイアス電圧を印加する。さ
らに、保護層としてのカーボン膜を、投入電力１０００
Ｗ、成膜速度８０Å／分の条件で、前記磁性層上に膜厚
３００Å成膜する。
【００１５】得られた磁気記録媒体における磁性膜の磁
気特性および平均結晶粒径を表１に示す。Ｃｒ下地膜厚
が薄い比較例Ｎｏ．１は平均結晶粒径が小さく保磁力も
小さい。これに対し、Ｃｒ下地膜厚が４００Å以上であ
る本発明磁気記録媒体は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金磁性
膜の平均結晶粒径が３００〜６００Åの範囲にあり、１
５００Ｏｅを超える優れた保磁力となることがわかる。
なお、図１および図２は本発明に係る試料Ｎｏ．５およ
び比較例試料Ｎｏ．１についてのＴＥＭによる組織観察
写真である。
気特性および平均結晶粒径を表１に示す。Ｃｒ下地膜厚
が薄い比較例Ｎｏ．１は平均結晶粒径が小さく保磁力も
小さい。これに対し、Ｃｒ下地膜厚が４００Å以上であ
る本発明磁気記録媒体は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金磁性
膜の平均結晶粒径が３００〜６００Åの範囲にあり、１
５００Ｏｅを超える優れた保磁力となることがわかる。
なお、図１および図２は本発明に係る試料Ｎｏ．５およ
び比較例試料Ｎｏ．１についてのＴＥＭによる組織観察
写真である。
【００１６】
【表１】
【００１７】（実施例２）Ｃｒ下地膜厚を６２０Åと
し、基板温度を表２に示すように変化させたほかは実施
例１と同様にして、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁性層および
保護膜を形成する。得られた磁性層の磁気特性および結
晶粒径を表２に示す。さらに、基板温度が低い条件で成
膜した比較例Ｎｏ．７および８の磁性層の平均結晶粒径
は３００Å未満であり、保磁力も１５００Ｏｅ未満であ
る。これに対し、基板を１５０℃以上に加熱した本発明
例Ｎｏ．９〜１１のものは、平均結晶粒径が４００Å以
上であり、その保磁力も１５００Ｏｅ以上と好ましい特
性が得られている。
し、基板温度を表２に示すように変化させたほかは実施
例１と同様にして、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁性層および
保護膜を形成する。得られた磁性層の磁気特性および結
晶粒径を表２に示す。さらに、基板温度が低い条件で成
膜した比較例Ｎｏ．７および８の磁性層の平均結晶粒径
は３００Å未満であり、保磁力も１５００Ｏｅ未満であ
る。これに対し、基板を１５０℃以上に加熱した本発明
例Ｎｏ．９〜１１のものは、平均結晶粒径が４００Å以
上であり、その保磁力も１５００Ｏｅ以上と好ましい特
性が得られている。
【００１８】
【表２】
【００１９】（実施例３）Ｃｒ下地膜厚を６２０Å、基
板温度を２００℃とし、バイアス電圧を表３に示すよう
に変化させたほかは実施例１と同様にして、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ合金磁性層および保護膜を形成する。得られた磁
性層の磁気特性および結晶粒径を表３に示す。表３の比
較例（Ｎｏ．１２）からわかるように、基板温度が高く
ても無バイアス時には、平均結晶粒径は小さく、保磁力
も低い。これに対し、バイアス電圧を印加して作成した
Ｎｏ．１３〜１５のものは、平均結晶粒径が３００μｍ
以上となり磁気特性も良好であることがわかる。
板温度を２００℃とし、バイアス電圧を表３に示すよう
に変化させたほかは実施例１と同様にして、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ合金磁性層および保護膜を形成する。得られた磁
性層の磁気特性および結晶粒径を表３に示す。表３の比
較例（Ｎｏ．１２）からわかるように、基板温度が高く
ても無バイアス時には、平均結晶粒径は小さく、保磁力
も低い。これに対し、バイアス電圧を印加して作成した
Ｎｏ．１３〜１５のものは、平均結晶粒径が３００μｍ
以上となり磁気特性も良好であることがわかる。
【００２０】
【表３】
【００２１】（実施例４）基板温度、バイアス電圧、お
よびＣｒ下地膜厚は変えずに、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁
性層の組成を表４に示すように変化させ、実施例１と同
様にして、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁性層および保護膜を
形成する。得られた磁性層の磁気特性および結晶粒径を
表４に示す。ＣｒおよびＴａの含有量が適正な本発明の
磁気記録媒体（Ｎｏ．１９〜２４）の磁性層の平均結晶
粒径は３００〜６００Åの範囲にあり、保磁力も１５０
０Ｏｅ以上と良好である。これに対し、Ｔａが過剰に含
有されたもの（Ｎｏ．１６）、Ｔａが含有されていない
もの（Ｎｏ．１７）は、Ｃｒ下地層の厚さが適当であっ
ても、平均結晶粒径が小さく、保磁力も小さい。また、
Ｃｒの含有量が５原子％未満のもの（Ｎｏ．２５）は、
Ｃｒ下地層の厚さが適当であっても結晶粒径が６００Å
を越えており、十分な保磁力が得られない。さらにま
た、ＣｒまたはＴａ量が過剰のもの（Ｎｏ．１６、１
８）は４πＭｓが低く、Ｔａ＋Ｃｒ量の低いもの（Ｎ
ｏ．２５）は保磁力が低いこともわかる。
よびＣｒ下地膜厚は変えずに、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁
性層の組成を表４に示すように変化させ、実施例１と同
様にして、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金磁性層および保護膜を
形成する。得られた磁性層の磁気特性および結晶粒径を
表４に示す。ＣｒおよびＴａの含有量が適正な本発明の
磁気記録媒体（Ｎｏ．１９〜２４）の磁性層の平均結晶
粒径は３００〜６００Åの範囲にあり、保磁力も１５０
０Ｏｅ以上と良好である。これに対し、Ｔａが過剰に含
有されたもの（Ｎｏ．１６）、Ｔａが含有されていない
もの（Ｎｏ．１７）は、Ｃｒ下地層の厚さが適当であっ
ても、平均結晶粒径が小さく、保磁力も小さい。また、
Ｃｒの含有量が５原子％未満のもの（Ｎｏ．２５）は、
Ｃｒ下地層の厚さが適当であっても結晶粒径が６００Å
を越えており、十分な保磁力が得られない。さらにま
た、ＣｒまたはＴａ量が過剰のもの（Ｎｏ．１６、１
８）は４πＭｓが低く、Ｔａ＋Ｃｒ量の低いもの（Ｎ
ｏ．２５）は保磁力が低いこともわかる。
【００２２】
【表４】
【００２３】（参考例１）また、比較のために、従来か
ら磁性層として広く使用されているＣｏ63Ｎｉ30Ｃｒ7
合金、およびＣｏ86Ｃｒ12Ｔａ2合金について、基板加
熱温度２００℃、無バイアスとし、Ｃｒ下地膜の膜厚を
変化させて実施例１と同様にして成膜した場合の磁性層
の磁気特性および結晶粒径について調べた結果を表５に
示す。従来材のＣｏ63Ｎｉ30Ｃｒ7 はＣｒ下地層を２０
００Å以上に厚くすることによって保磁力が上げられる
ことがわかる。しかし、１５００Ｏｅを超える保磁力は
得られない。なお、この組成系のものは基本的に結晶粒
径が大きいため、Ｃｒ下地膜の粒径も必然的に６００Å
以上程度に大きくしているのが通常である。また、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａ材を従来の製造方法で成膜した場合は、同
一膜厚においてＣｏ63Ｎｉ30Ｃｒ7 を凌ぐ保磁力が得ら
れるものの、１５００Ｏｅ以上の保磁力とするにはＣｒ
膜厚として１５００Å以上が必要であることがわかる。
ら磁性層として広く使用されているＣｏ63Ｎｉ30Ｃｒ7
合金、およびＣｏ86Ｃｒ12Ｔａ2合金について、基板加
熱温度２００℃、無バイアスとし、Ｃｒ下地膜の膜厚を
変化させて実施例１と同様にして成膜した場合の磁性層
の磁気特性および結晶粒径について調べた結果を表５に
示す。従来材のＣｏ63Ｎｉ30Ｃｒ7 はＣｒ下地層を２０
００Å以上に厚くすることによって保磁力が上げられる
ことがわかる。しかし、１５００Ｏｅを超える保磁力は
得られない。なお、この組成系のものは基本的に結晶粒
径が大きいため、Ｃｒ下地膜の粒径も必然的に６００Å
以上程度に大きくしているのが通常である。また、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａ材を従来の製造方法で成膜した場合は、同
一膜厚においてＣｏ63Ｎｉ30Ｃｒ7 を凌ぐ保磁力が得ら
れるものの、１５００Ｏｅ以上の保磁力とするにはＣｒ
膜厚として１５００Å以上が必要であることがわかる。
【００２４】
【表５】
【００２５】以上述べたように、本発明においては、基
板温度とバイアス電圧の相乗作用がない場合あるいはＣ
ｒ膜厚が薄すぎるときは結晶粒径３００Å未満となり、
十分な特性が得られなくなる。また、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
系合金磁性層として、５〜１５原子％のＣｒおよび１〜
８原子％のＴａを含むＣｏ合金磁性層を形成した場合に
は、いずれも６００Å以下の結晶粒径のものが得られ易
いことがわかる。
板温度とバイアス電圧の相乗作用がない場合あるいはＣ
ｒ膜厚が薄すぎるときは結晶粒径３００Å未満となり、
十分な特性が得られなくなる。また、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
系合金磁性層として、５〜１５原子％のＣｒおよび１〜
８原子％のＴａを含むＣｏ合金磁性層を形成した場合に
は、いずれも６００Å以下の結晶粒径のものが得られ易
いことがわかる。
【００２６】上記実施例においては、下地層を形成する
材料としてＣｒを使用した例を示したが、本発明におい
ては、Ｃｒの他に、Ｃｒ-Ｍｏ、Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｍ
ｎ，Ｃｒ−ＷなどのＣｒ合金によって形成してもよい。
また、磁性層を形成する材料としては、Ｃｒ５〜１５
％、Ｔａ１〜８％、残部Ｃｏを基本組成とする合金に他
の元素を含有させたＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金を使用する
ことができる。さらに、基板を形成する非磁性材料とし
ては、上記実施例に記載した以外の他の金属材料および
非金属材料を使用することができる。
材料としてＣｒを使用した例を示したが、本発明におい
ては、Ｃｒの他に、Ｃｒ-Ｍｏ、Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｍ
ｎ，Ｃｒ−ＷなどのＣｒ合金によって形成してもよい。
また、磁性層を形成する材料としては、Ｃｒ５〜１５
％、Ｔａ１〜８％、残部Ｃｏを基本組成とする合金に他
の元素を含有させたＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金を使用する
ことができる。さらに、基板を形成する非磁性材料とし
ては、上記実施例に記載した以外の他の金属材料および
非金属材料を使用することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述したように、従来知られている
通常の方法ではＣｒ膜厚を３０００Åのように厚くしな
いと粒径制御（粗大化）が出来ないが、本発明によれば
Ｃｒ膜厚が薄くても基板温度、バイアス電圧の相乗効果
により粒径制御することができるため、優れた特性の磁
気記録媒体が実現できる。また、本発明磁気記録媒体
は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金を磁性層としているため耐
蝕性に優れており、かつＣｒ下地膜厚が薄くても十分で
あるため下地膜の形成が容易であり、生産性を向上させ
ることができる。
通常の方法ではＣｒ膜厚を３０００Åのように厚くしな
いと粒径制御（粗大化）が出来ないが、本発明によれば
Ｃｒ膜厚が薄くても基板温度、バイアス電圧の相乗効果
により粒径制御することができるため、優れた特性の磁
気記録媒体が実現できる。また、本発明磁気記録媒体
は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金を磁性層としているため耐
蝕性に優れており、かつＣｒ下地膜厚が薄くても十分で
あるため下地膜の形成が容易であり、生産性を向上させ
ることができる。
【図１】図１は本発明の一実施例における磁性膜のＴＥ
Ｍによる金属組織観察写真である。
Ｍによる金属組織観察写真である。
【図２】図２は比較例の磁性膜のＴＥＭによる金属組織
観察写真である。
観察写真である。
なし
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/85
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基体上に形成されたＣｒまたはＣ
ｒを主体とする合金からなる下地層上に、Ｃｏ系合金か
らなる磁性層が連続して形成されている磁気記録媒体に
おいて、ＣｒまたはＣｒ合金下地層の膜厚が１３００Å
以下で、Ｃｏ系合金磁性層が平均粒径３００〜６００Å
のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金磁性層からなることを特徴と
する磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載のものにおいて、上記Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａ系合金磁性層が５〜１５原子％のＣｒおよ
び１〜８原子％のＴａを含むＣｏ系合金であることを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１記載のものにおいて、下地層の
膜厚が４００〜１０００Åであることを特徴とする磁気
記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１記載のものにおいて、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ系合金磁性層における膜面に平行な成分の保磁
力が１５００Ｏｅを超えることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項５】 非磁性基板を１５０℃以上に加熱し、か
つ非磁性基板上に負の電圧を印加しながら、Ｃｒまたは
Ｃｒを主体とする合金からなる、膜厚１３００Å以下の
下地層と、平均結晶粒径３００〜６００ÅのＣｏ−Ｃｒ
−Ｔａ系合金からなる磁性層を形成することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3043561A JP2760906B2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3043561A JP2760906B2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04281212A JPH04281212A (ja) | 1992-10-06 |
| JP2760906B2 true JP2760906B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=12667162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3043561A Expired - Lifetime JP2760906B2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2760906B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02161617A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-06-21 | Ulvac Corp | 面内記録型磁気記録体の製造方法 |
| JPH02154323A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Mitsubishi Kasei Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH02154322A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Mitsubishi Kasei Corp | 磁気記録媒体の製造法 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP3043561A patent/JP2760906B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04281212A (ja) | 1992-10-06 |
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