JP3045068B2 - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピューターの
外部記憶装置に搭載されるハードディスク等の磁気記録
媒体に関し、特に、基板と下地層の間にシード層を設け
ることを特徴とする磁気記録媒体及びその製造方法に関
する。
外部記憶装置に搭載されるハードディスク等の磁気記録
媒体に関し、特に、基板と下地層の間にシード層を設け
ることを特徴とする磁気記録媒体及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピューター用磁気記録媒体は
高記録密度化の進展が激しく、高記録密度の磁気記録媒
体には高保磁力、低ノイズ、磁気ヘッドの低浮上量（Ｆ
Ｈ）が要求されている。図１３は従来の一般的な磁気記
録媒体の断面構造を示す断面図である。この磁気記録媒
体は、Ａｌ−Ｍｇ合金基板１の上にＮｉ−Ｐメッキ層２
を形成し、そのメッキ層２を機械加工により鏡面仕上げ
をしたのち、微小凹凸（テクスチャー）を施して基板を
形成し、その基板上にスパッタ法によりＣｒ下地層３，
磁性層４，保護層５を順次成膜した後、最後に潤滑層６
を塗布したものである。磁性層４としては例えばＣｏＣ
ｒＴａ系合金膜が形成されている。
高記録密度化の進展が激しく、高記録密度の磁気記録媒
体には高保磁力、低ノイズ、磁気ヘッドの低浮上量（Ｆ
Ｈ）が要求されている。図１３は従来の一般的な磁気記
録媒体の断面構造を示す断面図である。この磁気記録媒
体は、Ａｌ−Ｍｇ合金基板１の上にＮｉ−Ｐメッキ層２
を形成し、そのメッキ層２を機械加工により鏡面仕上げ
をしたのち、微小凹凸（テクスチャー）を施して基板を
形成し、その基板上にスパッタ法によりＣｒ下地層３，
磁性層４，保護層５を順次成膜した後、最後に潤滑層６
を塗布したものである。磁性層４としては例えばＣｏＣ
ｒＴａ系合金膜が形成されている。
【０００３】磁性層４として従来のＣｏＣｒＴａ系合金
を用いた磁気記録媒体は、低ノイズ媒体であるものの、
保磁力Ｈｃは２２００Ｏe が限界である。現在２０００
年に向けて、記録密度１０Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 を目指した
開発が行われている。そのような高記録密度を達成する
ためには、保磁力Ｈｃが３０００Ｏｅ以上の媒体が要求
される。
を用いた磁気記録媒体は、低ノイズ媒体であるものの、
保磁力Ｈｃは２２００Ｏe が限界である。現在２０００
年に向けて、記録密度１０Ｇｂｉｔ／ｉｎ2 を目指した
開発が行われている。そのような高記録密度を達成する
ためには、保磁力Ｈｃが３０００Ｏｅ以上の媒体が要求
される。
【０００４】また、持ち運びに用いられるノートブック
パソコン等に対応するため、媒体の小型化・薄板化・耐
衝撃性も要求されている。このような要求に対しては、
平滑性・硬度・ヤング率等の機械特性を満足するガラス
基板を用いた磁気記録媒体の開発が行われている。しか
し、ガラス基板には前述のようなＮｉ−Ｐメッキを施し
たＡｌ合金基板を使用した磁気記録媒体と異なり、機械
的に施したテクスチャーがないため、円周方向に磁気異
方性が付与されず、高保磁力を得る事が困難であった。
パソコン等に対応するため、媒体の小型化・薄板化・耐
衝撃性も要求されている。このような要求に対しては、
平滑性・硬度・ヤング率等の機械特性を満足するガラス
基板を用いた磁気記録媒体の開発が行われている。しか
し、ガラス基板には前述のようなＮｉ−Ｐメッキを施し
たＡｌ合金基板を使用した磁気記録媒体と異なり、機械
的に施したテクスチャーがないため、円周方向に磁気異
方性が付与されず、高保磁力を得る事が困難であった。
【０００５】上述のように、高保磁力化を達成するた
め、磁気記録材料として結晶磁気異方性を高める元素で
あるＰｔ，Ｎｉを含有するＣｏＣｒＰｔ系，ＣｏＮｉＣ
ｒＴａ系，ＣｏＣｒＴａＰｔ系の高保磁力の磁性材料を
用いることが考えられている。しかし、ＮｉＰ／Ａｌ基
板とこれら高保磁力磁性材料を用いた媒体でも、現状の
Ｃｒ下地層を用いたＣｏ磁性層のエピタキシャル成長で
は２８００Ｏｅ以上の保磁力達成は困難であり、さらに
ガラス基板の媒体では保磁力２２００Ｏｅが限界であ
る。
め、磁気記録材料として結晶磁気異方性を高める元素で
あるＰｔ，Ｎｉを含有するＣｏＣｒＰｔ系，ＣｏＮｉＣ
ｒＴａ系，ＣｏＣｒＴａＰｔ系の高保磁力の磁性材料を
用いることが考えられている。しかし、ＮｉＰ／Ａｌ基
板とこれら高保磁力磁性材料を用いた媒体でも、現状の
Ｃｒ下地層を用いたＣｏ磁性層のエピタキシャル成長で
は２８００Ｏｅ以上の保磁力達成は困難であり、さらに
ガラス基板の媒体では保磁力２２００Ｏｅが限界であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの高保
磁力材料はＣｏＣｒＴａ系合金に比べてノイズが高く、
そのままで今後の高密度化に対応することは困難であ
る。そこで、Ｃｏ磁性粒子を微細化し、記録ビット間の
磁化遷移領域（磁壁幅）を小さくして媒体ノイズを低減
する必要がある。それには、Ｃｒ下地層を薄膜層化して
Ｃｒ粒子の粒径を小さくすることにより、このＣｒの粒
界に沿ってエピタキシャル成長するＣｏ磁性粒子の微細
化が必要である。これらの問題に鑑み、本発明は、磁性
層として高保磁力磁性材料（ＣｏＣｒＰｔ系，ＣｏＮｉ
ＣｒＴａ系，ＣｏＣｒＴａＰｔ系）を用いて、 ３０００Ｏｅ以上の高保磁力と、かつ低ノイズ媒体
であるＣｏＣｒＴａ系媒体と同等又はそれよりも低ノイ
ズを達成可能な磁気記録媒体を提供する さらに基板がガラス基板である媒体においても、２
４００Ｏｅ以上の保磁力と、かつ低ノイズ媒体であるＣ
ｏＣｒＴａ系媒体と同等又はそれよりも低ノイズを達成
可能な磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを
目的とする。
磁力材料はＣｏＣｒＴａ系合金に比べてノイズが高く、
そのままで今後の高密度化に対応することは困難であ
る。そこで、Ｃｏ磁性粒子を微細化し、記録ビット間の
磁化遷移領域（磁壁幅）を小さくして媒体ノイズを低減
する必要がある。それには、Ｃｒ下地層を薄膜層化して
Ｃｒ粒子の粒径を小さくすることにより、このＣｒの粒
界に沿ってエピタキシャル成長するＣｏ磁性粒子の微細
化が必要である。これらの問題に鑑み、本発明は、磁性
層として高保磁力磁性材料（ＣｏＣｒＰｔ系，ＣｏＮｉ
ＣｒＴａ系，ＣｏＣｒＴａＰｔ系）を用いて、 ３０００Ｏｅ以上の高保磁力と、かつ低ノイズ媒体
であるＣｏＣｒＴａ系媒体と同等又はそれよりも低ノイ
ズを達成可能な磁気記録媒体を提供する さらに基板がガラス基板である媒体においても、２
４００Ｏｅ以上の保磁力と、かつ低ノイズ媒体であるＣ
ｏＣｒＴａ系媒体と同等又はそれよりも低ノイズを達成
可能な磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題の３０００Ｏ
ｅ以上の高保磁力達成のため、磁気記録媒体の磁性層と
して高保磁力材料を用い、さらに基板とＣｒまたはＣｒ
合金からなる下地層との間に、シード層を設ける。この
場合、前記基板はＮｉ−Ｐメッキを施したアルミ合金基
板が好ましく、前記下地層及びシード層はそれぞれ５０
Å以上１０００Å以下の膜厚とすることが好ましい。
ｅ以上の高保磁力達成のため、磁気記録媒体の磁性層と
して高保磁力材料を用い、さらに基板とＣｒまたはＣｒ
合金からなる下地層との間に、シード層を設ける。この
場合、前記基板はＮｉ−Ｐメッキを施したアルミ合金基
板が好ましく、前記下地層及びシード層はそれぞれ５０
Å以上１０００Å以下の膜厚とすることが好ましい。
【０００８】またガラス基板を用いる課題の場合に
は、少なくとも下地層及び磁性層の成膜を基板温度１５
０〜３００℃，基板バイアス電圧−３００〜０Ｖでスパ
ッタ法により成膜するものとする。前記シード層の材料
として、特定の組成領域のＡｌ−Ｃｏ，Ｃｕ−Ｓｉ，Ｎ
ｉ−Ｇａ，Ｃｕ−Ｂｅ，Ｍｎ−Ｖ，Ｎｉ−Ｚｎ及びＦｅ
−Ｖのいずれかを用いる。これにより、下地層であるＣ
ｒまたはＣｒ−Ｘの体心立方晶（ｂｃｃ）における（１
１０）面の結晶配向性を高め、その上にエピタキシャル
成長するＣｏ磁性層の磁化容易軸（ｃ軸）が面内と平行
となる（１００）面の結晶配向性が向上し、その結果、
高保磁力化が達成される。
は、少なくとも下地層及び磁性層の成膜を基板温度１５
０〜３００℃，基板バイアス電圧−３００〜０Ｖでスパ
ッタ法により成膜するものとする。前記シード層の材料
として、特定の組成領域のＡｌ−Ｃｏ，Ｃｕ−Ｓｉ，Ｎ
ｉ−Ｇａ，Ｃｕ−Ｂｅ，Ｍｎ−Ｖ，Ｎｉ−Ｚｎ及びＦｅ
−Ｖのいずれかを用いる。これにより、下地層であるＣ
ｒまたはＣｒ−Ｘの体心立方晶（ｂｃｃ）における（１
１０）面の結晶配向性を高め、その上にエピタキシャル
成長するＣｏ磁性層の磁化容易軸（ｃ軸）が面内と平行
となる（１００）面の結晶配向性が向上し、その結果、
高保磁力化が達成される。
【０００９】基板がガラス基板の場合は、前記シード層
の材料としてＣｒ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｚｒ，
Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ａｇ及びＩｎの何れかの単体、ある
いはこれらの少なくとも一元素を含有する合金を用いて
もよく、この場合、基板からのガスの放出が抑制され、
耐蝕性を向上させることもできる。さらに前記基板の表
面にテクスチャ加工により同心円上の溝を形成するか、
又は前記基板，前記シード層及び前記下地層のいずれか
の表面に、レーザー加工の照射により微小凹凸を形成す
るか、又は前記基板と前記シード層との間、もしくは前
記シード層と前記下地層との間に、微小凹凸層を設ける
ことが好ましい。
の材料としてＣｒ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｚｒ，
Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ａｇ及びＩｎの何れかの単体、ある
いはこれらの少なくとも一元素を含有する合金を用いて
もよく、この場合、基板からのガスの放出が抑制され、
耐蝕性を向上させることもできる。さらに前記基板の表
面にテクスチャ加工により同心円上の溝を形成するか、
又は前記基板，前記シード層及び前記下地層のいずれか
の表面に、レーザー加工の照射により微小凹凸を形成す
るか、又は前記基板と前記シード層との間、もしくは前
記シード層と前記下地層との間に、微小凹凸層を設ける
ことが好ましい。
【００１０】このようにして所望の保磁力Ｈｃを得る場
合には、下地層の膜厚を薄くすることが可能である。下
地層の薄層化により、その上のＣｏ磁性粒子が微細化
し、記録ビット間の磁化遷移領域（磁壁幅）を小さく出
来るため、ノイズを低減することができる。
合には、下地層の膜厚を薄くすることが可能である。下
地層の薄層化により、その上のＣｏ磁性粒子が微細化
し、記録ビット間の磁化遷移領域（磁壁幅）を小さく出
来るため、ノイズを低減することができる。
【００１１】
（実施例１）次に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。図１は本発明に係る磁気記録媒体の断面構
造を示す模式図である。本実施例の磁気記録媒体は、デ
ィスク状Ａｌ−Ｍｇ合金基板の上にＮｉ−Ｐメッキ層２
を形成し、そのメッキ層２を機械加工により鏡面仕上げ
した後、基板円周方向に沿って微小凹凸（テクスチャ
ー）を施して基板を形成し、その基板上にシード層７，
Ｃｒ下地層３，磁性層４及び保護層５を基板温度２５０
℃、バイアス電圧−２５０Ｖにて順次スパッタ成膜して
最後に潤滑層６を塗布したものである。前記基板表面へ
のテクスチャー加工は、その上に成膜される磁性膜の磁
気異方性をそろえて保磁力Ｈｃを向上させるとともに、
基板表面の凹凸形状が成膜後の媒体表面に反映されて、
媒体表面と磁気ヘッド間の摩擦低減に寄与するものであ
る。
て説明する。図１は本発明に係る磁気記録媒体の断面構
造を示す模式図である。本実施例の磁気記録媒体は、デ
ィスク状Ａｌ−Ｍｇ合金基板の上にＮｉ−Ｐメッキ層２
を形成し、そのメッキ層２を機械加工により鏡面仕上げ
した後、基板円周方向に沿って微小凹凸（テクスチャ
ー）を施して基板を形成し、その基板上にシード層７，
Ｃｒ下地層３，磁性層４及び保護層５を基板温度２５０
℃、バイアス電圧−２５０Ｖにて順次スパッタ成膜して
最後に潤滑層６を塗布したものである。前記基板表面へ
のテクスチャー加工は、その上に成膜される磁性膜の磁
気異方性をそろえて保磁力Ｈｃを向上させるとともに、
基板表面の凹凸形状が成膜後の媒体表面に反映されて、
媒体表面と磁気ヘッド間の摩擦低減に寄与するものであ
る。
【００１２】本発明の実施例ではシード層７の材料とし
て、Ａｌ−Ｃｏ，Ｃｕ−Ｓｉ，Ｎｉ−Ｇａ，Ｃｕ−Ｂ
ｅ，Ｍｎ−Ｖ，Ｎｉ−Ｚｎ及びＦｅ−Ｖをそれぞれ用い
た。図２は、Ａｌ−Ｃｏ（Al:50at%, Co:50at%) シード
層７を有し、Ｃｒ下地層３が５００Åの一定膜厚であ
り、磁性層４がそれぞれＣｏＮｉＣｒＴａ系(Ni:25at%,
Cr:10at%, Ta:2at%) ，ＣｏＣｒＴａＰt 系(Cr:11at%,
Ta:4at%, Pt:3at%)，及びＣｏＣｒＰｔ系(Cr:14at%, P
t:7at%) の磁性材料からなる磁気記録媒体について、各
媒体の保磁力Ｈｃのシード層膜厚依存性を示したもので
ある。これより、ＣｏＣｒＰｔ系ではシード層膜厚３０
０Å以上、ＣｏＮｉＣｒＴａ系及びＣｏＣｒＴａＰｔ系
では、シード層膜厚５００Å以上で３０００Ｏｅ以上の
保磁力が得られることが分かる。
て、Ａｌ−Ｃｏ，Ｃｕ−Ｓｉ，Ｎｉ−Ｇａ，Ｃｕ−Ｂ
ｅ，Ｍｎ−Ｖ，Ｎｉ−Ｚｎ及びＦｅ−Ｖをそれぞれ用い
た。図２は、Ａｌ−Ｃｏ（Al:50at%, Co:50at%) シード
層７を有し、Ｃｒ下地層３が５００Åの一定膜厚であ
り、磁性層４がそれぞれＣｏＮｉＣｒＴａ系(Ni:25at%,
Cr:10at%, Ta:2at%) ，ＣｏＣｒＴａＰt 系(Cr:11at%,
Ta:4at%, Pt:3at%)，及びＣｏＣｒＰｔ系(Cr:14at%, P
t:7at%) の磁性材料からなる磁気記録媒体について、各
媒体の保磁力Ｈｃのシード層膜厚依存性を示したもので
ある。これより、ＣｏＣｒＰｔ系ではシード層膜厚３０
０Å以上、ＣｏＮｉＣｒＴａ系及びＣｏＣｒＴａＰｔ系
では、シード層膜厚５００Å以上で３０００Ｏｅ以上の
保磁力が得られることが分かる。
【００１３】図３は、磁性層４としてＣｏＣｒＴａＰｔ
系磁性材料を用いた場合において、膜厚５００ÅのＡｌ
−Ｃｏ（Al:50at%, Co:50at%) シード層７を設けた媒体
とシード層７なしの媒体について、保磁力ＨｃのＣｒ下
地層膜厚に対する依存性を示したものである。膜厚５０
０Åのシード層７を設けた磁気記録媒体では、シード層
７なしの媒体に比較して、いずれの下地層膜厚において
も保磁力Ｈｃは約１５００Ｏｅも増加しており、従っ
て、Ｃｒ下地層膜厚が５００Å以上において３０００Ｏ
ｅ以上の高保磁力が得られている。
系磁性材料を用いた場合において、膜厚５００ÅのＡｌ
−Ｃｏ（Al:50at%, Co:50at%) シード層７を設けた媒体
とシード層７なしの媒体について、保磁力ＨｃのＣｒ下
地層膜厚に対する依存性を示したものである。膜厚５０
０Åのシード層７を設けた磁気記録媒体では、シード層
７なしの媒体に比較して、いずれの下地層膜厚において
も保磁力Ｈｃは約１５００Ｏｅも増加しており、従っ
て、Ｃｒ下地層膜厚が５００Å以上において３０００Ｏ
ｅ以上の高保磁力が得られている。
【００１４】図４〜図１０は、磁性層４として、ＣｏＣ
ｒＴａＰｔ系磁性材料を用い、Ｃｒ下地層３の膜厚を５
００Å一定とした媒体において、各シード層材料の組成
と保磁力Ｈｃとの関係を示したものである。保磁力Ｈｃ
の向上にはＣｏ合金磁性層４のエピタキシャル成長を促
進するＣｒ及びＣｒ−Ｘ（Ｘ：Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ）
下地層３の結晶構造である体心立方晶（ｂｃｃ）の結晶
配向性を向上させる必要があり、各シード層材料で同じ
ｂｃｃ結晶構造が得られる組成領域は、それぞれ表１に
示す通りである。
ｒＴａＰｔ系磁性材料を用い、Ｃｒ下地層３の膜厚を５
００Å一定とした媒体において、各シード層材料の組成
と保磁力Ｈｃとの関係を示したものである。保磁力Ｈｃ
の向上にはＣｏ合金磁性層４のエピタキシャル成長を促
進するＣｒ及びＣｒ−Ｘ（Ｘ：Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ）
下地層３の結晶構造である体心立方晶（ｂｃｃ）の結晶
配向性を向上させる必要があり、各シード層材料で同じ
ｂｃｃ結晶構造が得られる組成領域は、それぞれ表１に
示す通りである。
【００１５】
【表１】 各組成が上記範囲内にある時、保磁力Ｈｃは、３０００
Ｏｅ以上の高保磁力が得られ、その組成領域外では結晶
系の異なる金属化合物となり、保磁力Ｈｃは低下してし
まう。
Ｏｅ以上の高保磁力が得られ、その組成領域外では結晶
系の異なる金属化合物となり、保磁力Ｈｃは低下してし
まう。
【００１６】図１１は、磁性層４がＣｏＣｒＴａＰｔ系
磁性材料からなり、膜厚５００ÅのＡｌ−Ｃｏ（Al:50a
t%, Co:50at%) シード層７を設けた媒体（媒体特性：Ｈ
ｃ＝２４００Ｏｅ，Ｂｒδ＝１００Ｇμｍ，線記録密度
１５０ｋＦＣＩ）において、その記録再生特性であるノ
イズの下地層膜厚に対する依存性を示したものである。
膜厚５００Åの本発明シード層７を有する媒体は、下地
層膜厚が１０００Å以下の場合に良好なノイズ特性（≦
３μＶ）を示しており、低ノイズ磁性材料であるＣｏＣ
ｒＴａ媒体（シード層７なし）と比較しても、同等また
はそれ以下のノイズ特性が得られている。
磁性材料からなり、膜厚５００ÅのＡｌ−Ｃｏ（Al:50a
t%, Co:50at%) シード層７を設けた媒体（媒体特性：Ｈ
ｃ＝２４００Ｏｅ，Ｂｒδ＝１００Ｇμｍ，線記録密度
１５０ｋＦＣＩ）において、その記録再生特性であるノ
イズの下地層膜厚に対する依存性を示したものである。
膜厚５００Åの本発明シード層７を有する媒体は、下地
層膜厚が１０００Å以下の場合に良好なノイズ特性（≦
３μＶ）を示しており、低ノイズ磁性材料であるＣｏＣ
ｒＴａ媒体（シード層７なし）と比較しても、同等また
はそれ以下のノイズ特性が得られている。
【００１７】また、図１２は、磁性層４がＣｏＣｒＴａ
Ｐｔ系磁性材料からなり、膜厚５００Åの各種シード層
７を有する媒体とシード層７を有しない媒体（媒体特
性：Ｈｃ＝２４００Ｏｅ，Ｂｒδ＝１００Ｇμｍ，線記
録密度１５０ｋＦＣＩ）について、それぞれ記録再生特
性であるノイズを示したものである。いずれのシード材
料も良好なノイズ特性を示した。すなわち、本発明にお
いては、シード層７を設けることにより、所望の媒体磁
気特性を得ることに成功したが、これにより下地層３の
膜厚を薄くすることが出来るため、同時にノイズを低減
することも可能となった。また、現在の磁気ヘッドで
は、保磁力Ｈｃが２５００以上の媒体の記録には十分に
対応できないため、実際の記録再生特性を確認できない
が、本実施例の結果から、線記録密度２００ｋＦＣＩ以
上の高密度においても、本発明の優位性は容易に推察で
きる。
Ｐｔ系磁性材料からなり、膜厚５００Åの各種シード層
７を有する媒体とシード層７を有しない媒体（媒体特
性：Ｈｃ＝２４００Ｏｅ，Ｂｒδ＝１００Ｇμｍ，線記
録密度１５０ｋＦＣＩ）について、それぞれ記録再生特
性であるノイズを示したものである。いずれのシード材
料も良好なノイズ特性を示した。すなわち、本発明にお
いては、シード層７を設けることにより、所望の媒体磁
気特性を得ることに成功したが、これにより下地層３の
膜厚を薄くすることが出来るため、同時にノイズを低減
することも可能となった。また、現在の磁気ヘッドで
は、保磁力Ｈｃが２５００以上の媒体の記録には十分に
対応できないため、実際の記録再生特性を確認できない
が、本実施例の結果から、線記録密度２００ｋＦＣＩ以
上の高密度においても、本発明の優位性は容易に推察で
きる。
【００１８】（実施例２）図１３，図１４及び図１５
（ａ），図１５（ｂ）に、ガラス基板１０上にシード層
７，下地層３，磁性層４及び保護層５を順次スパッタ成
膜し、最後に潤滑層６を塗布して形成した本発明に係る
磁気記録媒体の構成断面図を示す。シード層７，下地層
３，磁性層４及び保護層５のスパッタ成膜時の基板温度
は１５０〜２５０℃とし、下地層３及び磁性層４のスパ
ッタ成膜時には−３００〜０Ｖ以下のバイアス電圧を印
加するものとする。シード層７の膜厚は、５０Å以上１
０００Å以下とし、また下地層３は膜厚５０Å以上１０
００Å以下の範囲内で薄膜化可能である。図１４はシー
ド層７と下地層３との間にＡｌ2 Ｏ3 からなる微小凹凸
層８をスパッタにより全面に形成したものを、図１５
（ａ），（ｂ）は、ガラス基板１０またはシード層７の
金属薄膜表面上にレーザー光を照射して、ガラスまたは
金属薄膜を溶融し、ＣＳＳ領域であるディスク内径領域
に微小凹凸物９をスパイラルまたは同心円状に形成した
ものの構成断面図である。図１４の微小凹凸層は、Ａｌ
2 Ｏ3 に限らず、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂ，Ｚｒ，
Ｃｒ等からなる窒化物または酸化物のいずれかを形成し
ても良い。
（ａ），図１５（ｂ）に、ガラス基板１０上にシード層
７，下地層３，磁性層４及び保護層５を順次スパッタ成
膜し、最後に潤滑層６を塗布して形成した本発明に係る
磁気記録媒体の構成断面図を示す。シード層７，下地層
３，磁性層４及び保護層５のスパッタ成膜時の基板温度
は１５０〜２５０℃とし、下地層３及び磁性層４のスパ
ッタ成膜時には−３００〜０Ｖ以下のバイアス電圧を印
加するものとする。シード層７の膜厚は、５０Å以上１
０００Å以下とし、また下地層３は膜厚５０Å以上１０
００Å以下の範囲内で薄膜化可能である。図１４はシー
ド層７と下地層３との間にＡｌ2 Ｏ3 からなる微小凹凸
層８をスパッタにより全面に形成したものを、図１５
（ａ），（ｂ）は、ガラス基板１０またはシード層７の
金属薄膜表面上にレーザー光を照射して、ガラスまたは
金属薄膜を溶融し、ＣＳＳ領域であるディスク内径領域
に微小凹凸物９をスパイラルまたは同心円状に形成した
ものの構成断面図である。図１４の微小凹凸層は、Ａｌ
2 Ｏ3 に限らず、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂ，Ｚｒ，
Ｃｒ等からなる窒化物または酸化物のいずれかを形成し
ても良い。
【００１９】図１６は、３００ÅのＣｒシード層７及び
Ｃｒ下地層３，１５０ÅのＣｏＣｒＴａＰｔ(Cr:11at%,
Ta:4at%, Pt:3at%)磁性層４をスパッタ成膜する際の基
板温度と、その媒体の保磁力Ｈｃとの関係を示したもの
である。基板温度１５０〜３００℃の範囲において２４
００Ｏｅ以上のＨｃが得られることが分かる。なお以後
スパッタ時の基板加熱温度は２００℃とした。
Ｃｒ下地層３，１５０ÅのＣｏＣｒＴａＰｔ(Cr:11at%,
Ta:4at%, Pt:3at%)磁性層４をスパッタ成膜する際の基
板温度と、その媒体の保磁力Ｈｃとの関係を示したもの
である。基板温度１５０〜３００℃の範囲において２４
００Ｏｅ以上のＨｃが得られることが分かる。なお以後
スパッタ時の基板加熱温度は２００℃とした。
【００２０】図１７は、３００ÅのＣｒシード層７及び
Ｃｒ下地層３，１５０ÅのＣｏＣｒＴａＰｔ(Cr:11at%,
Ta:4at%, Pt:3at%)磁性層４をスパッタ成膜する際のバ
イアス電圧とその媒体の保磁力Ｈｃの関係を示したもの
である。基板バイアス電圧−３００〜０Ｖの範囲内にお
いて２４００Ｏｅ以上の保磁力Ｈｃが得られることが分
かる。ここで、○印は凹凸を付与しない媒体（図１
３）、□印は、シード層７と下地層３との間に微小凹凸
層を付与した媒体（図１４）、△印はシード層７をレー
ザー光で凹凸形状に加工した媒体（図１５（ｂ））の場
合を示し、それぞれ−１００Ｖのバイアス電圧を印加し
て成膜した媒体の保磁力は、２８７０Ｏｅ，２８３０Ｏ
ｅ，２８５０Ｏｅとほぼ同等の保磁力が得られている。
以後、スパッタ時のバイアス電圧は−１００Ｖにて成膜
を行った。
Ｃｒ下地層３，１５０ÅのＣｏＣｒＴａＰｔ(Cr:11at%,
Ta:4at%, Pt:3at%)磁性層４をスパッタ成膜する際のバ
イアス電圧とその媒体の保磁力Ｈｃの関係を示したもの
である。基板バイアス電圧−３００〜０Ｖの範囲内にお
いて２４００Ｏｅ以上の保磁力Ｈｃが得られることが分
かる。ここで、○印は凹凸を付与しない媒体（図１
３）、□印は、シード層７と下地層３との間に微小凹凸
層を付与した媒体（図１４）、△印はシード層７をレー
ザー光で凹凸形状に加工した媒体（図１５（ｂ））の場
合を示し、それぞれ−１００Ｖのバイアス電圧を印加し
て成膜した媒体の保磁力は、２８７０Ｏｅ，２８３０Ｏ
ｅ，２８５０Ｏｅとほぼ同等の保磁力が得られている。
以後、スパッタ時のバイアス電圧は−１００Ｖにて成膜
を行った。
【００２１】図１８は３００ÅのＣｒ下地層３、１５０
ÅのＣｏＣｒＴａＰｔ(Cr:11at%, Ta:4at%, Pt:3at%)磁
性層４を有する媒体の保磁力ＨｃのＣｒシード層膜厚依
存性を示したものである。また一部に磁性層４としてＣ
ｏＮｉＣｒＴａ系(Ni:25at%,Cr:10at%, Ta:2at%) ，Ｃ
ｏＣｒＰｔ系(Cr:14at%, Pt:7at%) 系磁性材料を用いた
媒体についても併せて示す。これよりシード層７の膜厚
が５０Å以上の場合において、２４００Ｏｅ以上の保磁
力が得られることが分かる。
ÅのＣｏＣｒＴａＰｔ(Cr:11at%, Ta:4at%, Pt:3at%)磁
性層４を有する媒体の保磁力ＨｃのＣｒシード層膜厚依
存性を示したものである。また一部に磁性層４としてＣ
ｏＮｉＣｒＴａ系(Ni:25at%,Cr:10at%, Ta:2at%) ，Ｃ
ｏＣｒＰｔ系(Cr:14at%, Pt:7at%) 系磁性材料を用いた
媒体についても併せて示す。これよりシード層７の膜厚
が５０Å以上の場合において、２４００Ｏｅ以上の保磁
力が得られることが分かる。
【００２２】図１９は３００ÅのＣｒシード層７、１５
０ÅのＣｏＣｒＴａＰt 系(Cr:11at%, Ta:4at%, Pt:3at
%)磁性層４を有する媒体の保磁力ＨｃのＣｒ下地層膜厚
依存性を示したものである。これより下地層３の膜厚が
５０Å以上の場合において、２４００Ｏｅ以上の保磁力
が得られていることがわかる。以上は、シード層７及び
下地層３として共に膜厚３００ÅのＣｒを用いたが、こ
の場合、Ｃｒシード層を成膜し、一旦シード層としての
Ｃｒのスパッタリングを終了した後、次にこのシード層
表面上に下地層としてＣｒを再びスパッタし、その直後
に磁性層のスパッタ成膜を行うものである。この場合Ｃ
ｏ合金は、磁性層の成膜直前にスパッタされたＣｒ下地
層の粒界に沿って成長するため、Ｃｏ合金磁性粒子の大
きさは、Ｃｒ下地層の粒径にのみ依存する。従って、Ｃ
ｒ下地層の膜厚を薄くしてＣｒ金属粒子の粒径を小さく
することで、その上にエピタキシャル成長する磁性層の
微細化が図れ、媒体ノイズは低減する。また、シード層
７材料としてＭｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｚｒ．Ｃｕ．
Ａｌ，Ｓｉ，Ａｇ，Ｉｎの単体もしくは少なくともこれ
らの何れか１つを含む合金、下地層３としてＣｒ−Ｘ
（Ｘ：Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ）合金を用いても、Ｃｒシ
ード層／Ｃｒ下地層の場合と同等、あるいはそれ以上の
高保磁力が得られた。これらをシード層として用いるこ
とにより、基板からのガス放出を防ぎ、耐蝕性の向上等
の効果が得られる。また図１８，１９の結果から下地層
及びシード層は共に膜厚５０〜１０００Åの範囲内で高
保磁力が達成されることが確認出来たため、膜厚５０Å
を下限として任意に薄膜化が可能である。
０ÅのＣｏＣｒＴａＰt 系(Cr:11at%, Ta:4at%, Pt:3at
%)磁性層４を有する媒体の保磁力ＨｃのＣｒ下地層膜厚
依存性を示したものである。これより下地層３の膜厚が
５０Å以上の場合において、２４００Ｏｅ以上の保磁力
が得られていることがわかる。以上は、シード層７及び
下地層３として共に膜厚３００ÅのＣｒを用いたが、こ
の場合、Ｃｒシード層を成膜し、一旦シード層としての
Ｃｒのスパッタリングを終了した後、次にこのシード層
表面上に下地層としてＣｒを再びスパッタし、その直後
に磁性層のスパッタ成膜を行うものである。この場合Ｃ
ｏ合金は、磁性層の成膜直前にスパッタされたＣｒ下地
層の粒界に沿って成長するため、Ｃｏ合金磁性粒子の大
きさは、Ｃｒ下地層の粒径にのみ依存する。従って、Ｃ
ｒ下地層の膜厚を薄くしてＣｒ金属粒子の粒径を小さく
することで、その上にエピタキシャル成長する磁性層の
微細化が図れ、媒体ノイズは低減する。また、シード層
７材料としてＭｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｚｒ．Ｃｕ．
Ａｌ，Ｓｉ，Ａｇ，Ｉｎの単体もしくは少なくともこれ
らの何れか１つを含む合金、下地層３としてＣｒ−Ｘ
（Ｘ：Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ）合金を用いても、Ｃｒシ
ード層／Ｃｒ下地層の場合と同等、あるいはそれ以上の
高保磁力が得られた。これらをシード層として用いるこ
とにより、基板からのガス放出を防ぎ、耐蝕性の向上等
の効果が得られる。また図１８，１９の結果から下地層
及びシード層は共に膜厚５０〜１０００Åの範囲内で高
保磁力が達成されることが確認出来たため、膜厚５０Å
を下限として任意に薄膜化が可能である。
【００２３】さらに、シード層材料として、先に挙げた
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｚｒ．Ｃｕ．Ａｌ，
Ｓｉ，Ａｇ，Ｉｎの何れかの単体あるいは少なくともこ
れら何れか１元素を含有する合金に代えて、実施例１で
用いた表１に掲げる各材料を用いることにより、実施例
１と同様、下地層の結晶配向性を向上させ、これにより
Ｃｏ合金磁性層の結晶配向性が高めて、更なる高保磁力
を達成出来る。
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｖ，Ｚｒ．Ｃｕ．Ａｌ，
Ｓｉ，Ａｇ，Ｉｎの何れかの単体あるいは少なくともこ
れら何れか１元素を含有する合金に代えて、実施例１で
用いた表１に掲げる各材料を用いることにより、実施例
１と同様、下地層の結晶配向性を向上させ、これにより
Ｃｏ合金磁性層の結晶配向性が高めて、更なる高保磁力
を達成出来る。
【００２４】図２０〜図２６は、磁性層４がＣｏＣｒＴ
ａＰt (Cr:11at%, Ta:4at%, Pt:3at%)系磁性材料からな
り、Ｃｒ下地層３の膜厚が３００Åである媒体におい
て、表１に示した各シード層材料を用い、その組成とそ
の保磁力Ｈｃとの関係を示したものである。実施例１同
様、シード層材料のｂｃｃ結晶構造が得られる組成領域
（表１参照）において、各保磁力Ｈｃは２４００Ｏｅ以
上となっており、結晶系の異なる金属系化合物となるそ
れ以外の組成領域では、Ｈｃは低下してしまうことが分
かる。
ａＰt (Cr:11at%, Ta:4at%, Pt:3at%)系磁性材料からな
り、Ｃｒ下地層３の膜厚が３００Åである媒体におい
て、表１に示した各シード層材料を用い、その組成とそ
の保磁力Ｈｃとの関係を示したものである。実施例１同
様、シード層材料のｂｃｃ結晶構造が得られる組成領域
（表１参照）において、各保磁力Ｈｃは２４００Ｏｅ以
上となっており、結晶系の異なる金属系化合物となるそ
れ以外の組成領域では、Ｈｃは低下してしまうことが分
かる。
【００２５】図２７は、磁性層４がＣｏＣｒＴａＰt 系
(Cr:11at%, Ta:4at%, Pt:3at%)系磁性材料からなり、膜
厚３００ÅのＡｌ−Ｃｏ（Al:50at%, Co:50at%) シード
層７を設けた媒体（媒体特性：Ｈｃ＝２４０００ｅ，Ｂ
ｒδ＝１００Ｇｍ，線記録密度１５０ｋＦＣＩ）につい
て、その記録再生特性であるノイズのＣｒ下地層膜厚依
存性を示したものである。これより、Ｃｒ下地層膜厚１
０００Å以下の場合に良好なノイズ特性（≦３μＶ）を
示しており、比較の為に併せてプロットされたＣｏＣｒ
Ｔａ系媒体（シード層７なし）の値以下のノイズ特性が
得られている。従って、シード層７を設けることで所望
の媒体磁気特性を達成出来るので、下地層３の膜厚を薄
くすることが可能となり、これによりノイズの低減も図
れるのである。なお、前述の様に現在の磁気ヘッドで
は、保磁力Ｈｃが２５００Ｏｅ以上の媒体の記録には十
分に対応出来ないため、実際の記録再生特性を確認出来
ないが、本実施例の結果から、線記録密度２００ｋＦＣ
Ｉ以上の高密度媒体における本発明の優位性は容易に推
察できる。
(Cr:11at%, Ta:4at%, Pt:3at%)系磁性材料からなり、膜
厚３００ÅのＡｌ−Ｃｏ（Al:50at%, Co:50at%) シード
層７を設けた媒体（媒体特性：Ｈｃ＝２４０００ｅ，Ｂ
ｒδ＝１００Ｇｍ，線記録密度１５０ｋＦＣＩ）につい
て、その記録再生特性であるノイズのＣｒ下地層膜厚依
存性を示したものである。これより、Ｃｒ下地層膜厚１
０００Å以下の場合に良好なノイズ特性（≦３μＶ）を
示しており、比較の為に併せてプロットされたＣｏＣｒ
Ｔａ系媒体（シード層７なし）の値以下のノイズ特性が
得られている。従って、シード層７を設けることで所望
の媒体磁気特性を達成出来るので、下地層３の膜厚を薄
くすることが可能となり、これによりノイズの低減も図
れるのである。なお、前述の様に現在の磁気ヘッドで
は、保磁力Ｈｃが２５００Ｏｅ以上の媒体の記録には十
分に対応出来ないため、実際の記録再生特性を確認出来
ないが、本実施例の結果から、線記録密度２００ｋＦＣ
Ｉ以上の高密度媒体における本発明の優位性は容易に推
察できる。
【００２６】
【発明の効果】磁気記録媒体の基板と下地層との間に、
特定のシード層を設けることによって下地層の結晶配向
性を向上し、その上にエピタキシャル成長するＣｏ磁性
層の結晶配向性を改善することにより、高保磁力（Ｈｃ
≧３０００Ｏｅ）を達成できた。
特定のシード層を設けることによって下地層の結晶配向
性を向上し、その上にエピタキシャル成長するＣｏ磁性
層の結晶配向性を改善することにより、高保磁力（Ｈｃ
≧３０００Ｏｅ）を達成できた。
【００２７】また、基板としてガラスを用いた場合であ
っても、シード層・下地層・磁性層・保護層をスパッタ
成膜する際の基板温度を１５０〜３００℃、下地層，磁
性層は−３００〜０Ｖのバイアス電圧を印加してスパッ
タ成膜し、シード層の膜厚を５０Å以上１０００Å以下
とすることにより、基板の加熱効果に併せて基板中に吸
蔵された水分などのガスが除かれ、下地層の結晶配向性
が高まり、その上にエピタキシャル成長する磁性層の結
晶配向性が向上し、その結果保磁力を達成される。高保
磁力化が可能となった。
っても、シード層・下地層・磁性層・保護層をスパッタ
成膜する際の基板温度を１５０〜３００℃、下地層，磁
性層は−３００〜０Ｖのバイアス電圧を印加してスパッ
タ成膜し、シード層の膜厚を５０Å以上１０００Å以下
とすることにより、基板の加熱効果に併せて基板中に吸
蔵された水分などのガスが除かれ、下地層の結晶配向性
が高まり、その上にエピタキシャル成長する磁性層の結
晶配向性が向上し、その結果保磁力を達成される。高保
磁力化が可能となった。
【００２８】これら高保磁力化達成に伴い、下地層を薄
くする（５０Å以上１０００Å以下）ことが可能となっ
た。これにより、その上のＣｏ磁性粒子が微細化し、記
録ビット間の磁化遷移領域（磁壁幅）が小さくなるた
め、低ノイズ化も同時に達成することができた。
くする（５０Å以上１０００Å以下）ことが可能となっ
た。これにより、その上のＣｏ磁性粒子が微細化し、記
録ビット間の磁化遷移領域（磁壁幅）が小さくなるた
め、低ノイズ化も同時に達成することができた。
【図１】本発明の実施例１に係る磁気記録媒体の構成を
示す断面図
示す断面図
【図２】実施例１に係る磁気記録媒体におけるシード層
膜厚と保磁力との関係を示す線図
膜厚と保磁力との関係を示す線図
【図３】実施例１に係る磁気記録媒体における下地層膜
厚と保磁力の関係を示す線図
厚と保磁力の関係を示す線図
【図４】実施例１に係る磁気記録媒体におけるＡｌ−Ｃ
ｏ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
ｏ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図５】実施例１に係る磁気記録媒体におけるＣｕ−Ｓ
ｉ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
ｉ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図６】実施例１に係る磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｇ
ａ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
ａ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図７】実施例１に係る磁気記録媒体におけるＣｕ−Ｂ
ｅ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
ｅ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図８】実施例１に係る磁気記録媒体におけるＭｎ−Ｖ
系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図９】実施例１に係る磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｚ
ｎ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
ｎ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図１０】実施例１に係る磁気記録媒体におけるＦｅ−
Ｖ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
Ｖ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図１１】実施例２に係る磁気記録媒体における下地層
膜厚とノイズとの関係を示す線図
膜厚とノイズとの関係を示す線図
【図１２】実施例２に係る磁気記録媒体における各シー
ド層材料とノイズとの関係を示す線図
ド層材料とノイズとの関係を示す線図
【図１３】実施例２に係る微小凹凸層なしの磁気記録媒
体の構成断面図
体の構成断面図
【図１４】実施例２に係る微小凹凸層を設けた磁気記録
媒体の構成断面図
媒体の構成断面図
【図１５】（ａ）は実施例２に係るガラス基板に微小凹
凸を形成した磁気記録媒体の構成断面図、（ｂ）は実施
例２に係るシード層に微小凹凸を形成した磁気記録媒体
の構成断面図
凸を形成した磁気記録媒体の構成断面図、（ｂ）は実施
例２に係るシード層に微小凹凸を形成した磁気記録媒体
の構成断面図
【図１６】実施例２に係る磁気記録媒体のスパッタ成膜
時の基板温度と保磁力の関係を示す線図
時の基板温度と保磁力の関係を示す線図
【図１７】実施例２に係る磁気記録媒体におけるスパッ
タ成膜時基板バイアス電位と保磁力の関係を示す線図
タ成膜時基板バイアス電位と保磁力の関係を示す線図
【図１８】実施例２に係る磁気記録媒体におけるＣｒシ
ード層の膜厚と保磁力の関係を示す線図
ード層の膜厚と保磁力の関係を示す線図
【図１９】実施例２に係る磁気記録媒体におけるＣｒ下
地層の膜厚と保磁力の関係を示す線図
地層の膜厚と保磁力の関係を示す線図
【図２０】実施例２に係る磁気記録媒体におけるＡｌ−
Ｃｏ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
Ｃｏ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図２１】実施例２に係る磁気記録媒体におけるＣｕ−
Ｓｉ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
Ｓｉ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図２２】実施例２に係る磁気記録媒体におけるＮｉ−
Ｇａ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
Ｇａ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図２３】実施例２に係る磁気記録媒体におけるＣｕ−
Ｂｅ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
Ｂｅ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図２４】実施例２に係る磁気記録媒体におけるＭｎ−
Ｖ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
Ｖ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図２５】実施例２に係る磁気記録媒体におけるＮｉ−
Ｚｎ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
Ｚｎ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図２６】実施例２に係る磁気記録媒体におけるＦｅ−
Ｖ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
Ｖ系シード層材料の組成と保磁力の関係を示す線図
【図２７】実施例２に係る磁気記録媒体に係るＣｒ下地
層の膜厚とノイズとの関係を示す線図
層の膜厚とノイズとの関係を示す線図
【図２８】従来の磁気記録媒体の構成を示す断面図
１…Ａｌ−Ｍｇ合金基板，２…Ｎｉ−Ｐメッキ層，３…
下地層，４…磁性層，５…保護層，６…潤滑層，７…シ
ード層，８…微小凹凸層，９…微小凹凸
下地層，４…磁性層，５…保護層，６…潤滑層，７…シ
ード層，８…微小凹凸層，９…微小凹凸
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−205916（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−96431（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−215345（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−21543（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−182655（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−231724（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−46223（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−73433（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/738 G11B 5/64 G11B 5/851
Claims (12)
- 【請求項１】基板上に少なくともＣｒ又はＣｒ合金下地
層及びＣｏ合金磁性層をこの順に積層してなる磁気記録
媒体において、前記基板と下地層との間に、シード層を
有し、該シード層は、Ａｌ 1-X −Ｃｏ X ，Ｃｕ 1-X −Ｓ
ｉ X ，Ｎｉ 1-X −Ｇａ X ，Ｃｕ 1-X −Ｂｅ X ，Ｍｎ 1-X
−Ｖ X ，Ｎｉ 1-X −Ｚｎ X 及びＦｅ 1-X −Ｖ X のいずれ
か１つからなり、組成領域は各々順に０．４５≦Ｘ≦
０．６５，０．１０≦Ｘ≦０．２０，０．３５≦Ｘ≦
０．６０，０．３０≦Ｘ≦０．６０，０．０１≦Ｘ≦
０．１０，０．４０≦Ｘ≦０．６０及び０．４５≦Ｘ≦
０．５５であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記磁性層は、ＣｏＮｉＣｒＴａ系，Ｃｏ
ＣｒＰｔ系及びＣｏＣｒＴａＰｔ系のいずれかの磁性膜
材料からなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項３】前記下地層は、Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ及びＷの
いずれかを含むＣｒ合金からなること特徴とする請求項
１または２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】前記基板の表面にテクスチャ加工により同
心円状の溝が形成されてなることを特徴とする請求項１
ないし３のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】前記基板，前記シード層及び前記下地層の
いずれかの表面にレーザー光の照射により微小凹凸が形
成されてなることを特徴とする請求項１ないし３のいず
れかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】前記基板と前記シード層との間、又は前記
シード層と前記下地層との間に、微小凹凸層を設けるこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の磁
気記録媒体。 - 【請求項７】前記微小凹凸層がＡｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔ
ａ，Ｚｒ，Ｂｉ及びＳｉの少なくとも１元素を含む酸化
物または窒化物からなることを特徴とする請求項６に記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】前記基板がＮｉ−Ｐメッキを施したＡｌ合
金からなることを特徴とする請求項１ないし７のいずれ
かに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】前記基板がガラスからなることを特徴とす
る請求項１ないし７のいずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】前記シード層の膜厚を５０Å以上１００
０Å以下とすることを特徴とする請求項１ないし９のい
ずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１１】前記下地層の膜厚を５０Å以上１０００
Å以下とすることを特徴とする請求項１ないし１０のい
ずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１２】少なくとも下地層及び磁性層を基板温度
１５０〜３００℃、基板バイアス電圧−３００〜０Ｖの
範囲内にてスパッタ成膜することを特徴とする請求項９
ないし１１のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方
法。
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