JP2002304722A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体及びその製造方
法並びに磁気記憶装置に関し、媒体ＳＮＲを大幅に向上
することを目的とする。 【解決手段】 垂直磁気記録媒体は、基板と、Ｃｏ又は
Ｃｏ系の合金からなる磁性層と、基板と磁性層との間に
設けられた下地層とを備え、下地層は、磁性層のｃ軸が
磁性層の面内方向に対して略垂直となるように、ＦＣＣ
Ｌ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有し、（１１１）面
のテクスチャを有する規則金属間材料からなるように構
成されている。
法並びに磁気記憶装置に関し、媒体ＳＮＲを大幅に向上
することを目的とする。 【解決手段】 垂直磁気記録媒体は、基板と、Ｃｏ又は
Ｃｏ系の合金からなる磁性層と、基板と磁性層との間に
設けられた下地層とを備え、下地層は、磁性層のｃ軸が
磁性層の面内方向に対して略垂直となるように、ＦＣＣ
Ｌ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有し、（１１１）面
のテクスチャを有する規則金属間材料からなるように構
成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は垂直磁気記録媒体及
びその製造方法並びに磁気記憶装置に関し、特に磁性層
の所望の成長を促進する下地層を備えた垂直磁気記録媒
体、そのような垂直磁気記録媒体を製造する製造方法、
及びそのような垂直磁気記録媒体を用いる磁器記憶装置
に関する。
びその製造方法並びに磁気記憶装置に関し、特に磁性層
の所望の成長を促進する下地層を備えた垂直磁気記録媒
体、そのような垂直磁気記録媒体を製造する製造方法、
及びそのような垂直磁気記録媒体を用いる磁器記憶装置
に関する。
【０００２】垂直磁気記録媒体は、その高密度ビットの
熱安定性から、高密度記録を実現し得る媒体として期待
されている。水平磁気記録媒体と比較すると、垂直磁気
記録媒体は高線密度に対して好ましい減磁界を有する。
熱安定性から、高密度記録を実現し得る媒体として期待
されている。水平磁気記録媒体と比較すると、垂直磁気
記録媒体は高線密度に対して好ましい減磁界を有する。
【０００３】
【従来の技術】代表的な垂直磁気記録媒体は、通常ガラ
スセラミックからなる基板と、ＣｏＣｒ又はＴｉからな
るシード層と、Ｃｏ系の合金からなり情報が書き込まれ
る磁性層と、Ｃ又はダイヤモンドライクＣ（ＤＬＣ）か
らなる上側層と、上側層上に設けられた有機物潤滑材層
とからなる。
スセラミックからなる基板と、ＣｏＣｒ又はＴｉからな
るシード層と、Ｃｏ系の合金からなり情報が書き込まれ
る磁性層と、Ｃ又はダイヤモンドライクＣ（ＤＬＣ）か
らなる上側層と、上側層上に設けられた有機物潤滑材層
とからなる。
【０００４】他の代表的な垂直磁気記録媒体は、Ｃｏ系
の合金からなる磁性層の下に軟磁性層を備えた二重磁性
層構造を有する。軟磁性層は、通常ＮｉＦｅ又はＦｅＳ
ｉＡｌからなる。
の合金からなる磁性層の下に軟磁性層を備えた二重磁性
層構造を有する。軟磁性層は、通常ＮｉＦｅ又はＦｅＳ
ｉＡｌからなる。
【０００５】水平磁気記録媒体の場合と同様に、垂直磁
気記録媒体の媒体ノイズは、磁性層を構成するＣｏ系の
合金のＣｒ偏析を促進させ、粒子間の交換結合を減少さ
せることで低減可能である。媒体ノイズを低減するに
は、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布を減少さ
せ、磁性層の（０００２）面の成長を促進させるＣｏＣ
ｒやＴｉ等の材料からなるシード層を適切に使用するこ
とも必要である。
気記録媒体の媒体ノイズは、磁性層を構成するＣｏ系の
合金のＣｒ偏析を促進させ、粒子間の交換結合を減少さ
せることで低減可能である。媒体ノイズを低減するに
は、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ分布を減少さ
せ、磁性層の（０００２）面の成長を促進させるＣｏＣ
ｒやＴｉ等の材料からなるシード層を適切に使用するこ
とも必要である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の垂直磁
気記録媒体は、粒子サイズ及び粒子サイズ分布を制御又
は大幅に減少させる手段を備えておらず、媒体信号対雑
音比（ＳＮＲ）を大幅に向上させることは難しいという
問題があった。
気記録媒体は、粒子サイズ及び粒子サイズ分布を制御又
は大幅に減少させる手段を備えておらず、媒体信号対雑
音比（ＳＮＲ）を大幅に向上させることは難しいという
問題があった。
【０００７】従って、本発明は、媒体ＳＮＲを大幅に向
上可能な垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気
記憶装置を実現することを目的とする。
上可能な垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気
記憶装置を実現することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、基板と、
Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基板と該磁
性層との間に設けられた下地層とを備え、該下地層は、
該磁性層のｃ軸が該磁性層の面内方向に対して略垂直と
なるように、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を
有し、（１１１）面のテクスチャを有する規則金属間材
料からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体によって
達成できる。
Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基板と該磁
性層との間に設けられた下地層とを備え、該下地層は、
該磁性層のｃ軸が該磁性層の面内方向に対して略垂直と
なるように、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を
有し、（１１１）面のテクスチャを有する規則金属間材
料からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体によって
達成できる。
【０００９】上記の課題は、ベース層と、Ｃｏ又はＣｏ
系の合金からなる磁性層と、該ベース層と該磁性層との
間に設けられた下地層とを含む垂直磁気記録媒体を製造
する製造方法であって、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０
結晶構造を有し、（１１１）面のテクスチャを有する規
則金属間材料からなる前記下地層を、ガラス又は酸化さ
れたＮｉＰからなる前記ベース層上に、約１４０℃から
約１８０℃の成膜温度で形成するステップを含むことを
特徴とする製造方法によっても達成できる。
系の合金からなる磁性層と、該ベース層と該磁性層との
間に設けられた下地層とを含む垂直磁気記録媒体を製造
する製造方法であって、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０
結晶構造を有し、（１１１）面のテクスチャを有する規
則金属間材料からなる前記下地層を、ガラス又は酸化さ
れたＮｉＰからなる前記ベース層上に、約１４０℃から
約１８０℃の成膜温度で形成するステップを含むことを
特徴とする製造方法によっても達成できる。
【００１０】上記の課題は、ヘッドと、基板と、Ｃｏ又
はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基板と該磁性層と
の間に設けられた下地層とを含む少なくとも１つの垂直
磁気記録媒体を備え、該下地層は、該磁性層のｃ軸が該
磁性層の面内方向に対して略垂直となるように、ＦＣＣ
Ｌ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有し、（１１１）面
のテクスチャを有する規則金属間材料からなることを特
徴とする磁気記憶装置によっても達成できる。
はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基板と該磁性層と
の間に設けられた下地層とを含む少なくとも１つの垂直
磁気記録媒体を備え、該下地層は、該磁性層のｃ軸が該
磁性層の面内方向に対して略垂直となるように、ＦＣＣ
Ｌ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有し、（１１１）面
のテクスチャを有する規則金属間材料からなることを特
徴とする磁気記憶装置によっても達成できる。
【００１１】従って、本発明によれば、媒体ＳＮＲを大
幅に向上可能な垂直磁気記録媒体及びその製造方法並び
に磁気記憶装置を実現することができる。
幅に向上可能な垂直磁気記録媒体及びその製造方法並び
に磁気記憶装置を実現することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明になる垂直磁気記録媒体及
びその製造方法並びに磁気記憶装置の各実施例を、以下
図面と共に説明する。
びその製造方法並びに磁気記憶装置の各実施例を、以下
図面と共に説明する。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明になる垂直磁気記録媒体の第
１実施例の要部を示す断面図である。垂直磁気記録媒体
の第１実施例は、本発明になる垂直磁気記録媒体の製造
方法の第１実施例により製造される。
１実施例の要部を示す断面図である。垂直磁気記録媒体
の第１実施例は、本発明になる垂直磁気記録媒体の製造
方法の第１実施例により製造される。
【００１４】図１に示す垂直磁気記録媒体は、Ａｌやガ
ラスセラミック等からなる基板１と、ＮｉＰ等からなる
シード層２と、ＦＣＣ（Ｆａｃｅ−Ｃｅｎｔｅｒｅｄ−
Ｃｕｂｉｃ）Ｌ１２又はＦＣＴ（Ｆａｃｅ−Ｃｅｎｔｅ
ｒｅｄ−Ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）Ｌ１０結晶構造を有し
（１１１）面のテクスチャを有する規則金属間材料から
なる下地層３と、Ｃｒ系の合金等からなる接着層４と、
ＨＣＰ結晶構造を有するＣｏＣｒ系の合金等からなる中
間層５と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層６と、
ＣやＤＬＣ等からなる保護層７と、有機物潤滑材等から
なる潤滑層８とを含む。
ラスセラミック等からなる基板１と、ＮｉＰ等からなる
シード層２と、ＦＣＣ（Ｆａｃｅ−Ｃｅｎｔｅｒｅｄ−
Ｃｕｂｉｃ）Ｌ１２又はＦＣＴ（Ｆａｃｅ−Ｃｅｎｔｅ
ｒｅｄ−Ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）Ｌ１０結晶構造を有し
（１１１）面のテクスチャを有する規則金属間材料から
なる下地層３と、Ｃｒ系の合金等からなる接着層４と、
ＨＣＰ結晶構造を有するＣｏＣｒ系の合金等からなる中
間層５と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層６と、
ＣやＤＬＣ等からなる保護層７と、有機物潤滑材等から
なる潤滑層８とを含む。
【００１５】ＮｉＰシード層２は、下地層３を形成する
前に、空気に露出するか、或いは、スパッタチャンバ内
でＯ２ガスを導入することで酸化されていても良い。
又、使用する基板によっては、シード層２は必ずしも設
ける必要がなく、そのような場合にはシード層２は省略
可能である。
前に、空気に露出するか、或いは、スパッタチャンバ内
でＯ２ガスを導入することで酸化されていても良い。
又、使用する基板によっては、シード層２は必ずしも設
ける必要がなく、そのような場合にはシード層２は省略
可能である。
【００１６】下地層３は、磁性層６の粒子サイズ及び粒
子サイズ分布の低減を促進するように、ＦＣＣＬ１２又
はＦＣＴＬ１０結晶構造を有し、（１１１）面のテクス
チャを有する規則金属間材料からなる。下地層３は、好
ましくは室温より高く、且つ、約２４０℃より低い成膜
温度で、約１ｎｍから約５ｎｍの膜厚に形成される。最
適な成膜温度は、基板材料に応じて異なる場合がある。
ガラス基板上にＴｉＡｌ膜を形成された基板の場合、成
膜温度Ｔｓが約１４０℃から約１８０℃で、好ましくは
約１６０℃の場合に、良い結果が得られた。下地層３の
規則金属間材料の粒子は、高い化学結合エネルギーのた
めに小さいことが期待できる。
子サイズ分布の低減を促進するように、ＦＣＣＬ１２又
はＦＣＴＬ１０結晶構造を有し、（１１１）面のテクス
チャを有する規則金属間材料からなる。下地層３は、好
ましくは室温より高く、且つ、約２４０℃より低い成膜
温度で、約１ｎｍから約５ｎｍの膜厚に形成される。最
適な成膜温度は、基板材料に応じて異なる場合がある。
ガラス基板上にＴｉＡｌ膜を形成された基板の場合、成
膜温度Ｔｓが約１４０℃から約１８０℃で、好ましくは
約１６０℃の場合に、良い結果が得られた。下地層３の
規則金属間材料の粒子は、高い化学結合エネルギーのた
めに小さいことが期待できる。
【００１７】ＦＣＣＬ１２結晶構造を有する下地層３の
材料は、Ａｌ５ＣｕＺｒ２，Ａｌ５ＣｕＨｆ２，（Ａｌ
Ｃｒ）３Ｔｉ，Ａｌ６７Ｃｒ８Ｔｉ２５，Ａｌ５ＮｉＺ
ｒ２，Ａｌ５ＣｕＴｉ２，Ａｌ５ＮｉＮｂ２，Ａｌ３０
Ｄｙ７Ｈｆ３，Ａｌ３０Ｄｙ ７Ｚｒ３，Ａｌ３Ｅｒ，Ａ
ｌ１５ＨｆＨｏ４，Ａｌ６０Ｈｆ７Ｔｂ１３であっても
良い。下地層３に使用されるこれらの材料は、Ｃｏの格
子パラメータｃがｃ＝０．４０６ｎｍであるため、磁性
層６のエピタキシャル成長を促進する適切な結晶構造と
格子パラメータを有する。
材料は、Ａｌ５ＣｕＺｒ２，Ａｌ５ＣｕＨｆ２，（Ａｌ
Ｃｒ）３Ｔｉ，Ａｌ６７Ｃｒ８Ｔｉ２５，Ａｌ５ＮｉＺ
ｒ２，Ａｌ５ＣｕＴｉ２，Ａｌ５ＮｉＮｂ２，Ａｌ３０
Ｄｙ７Ｈｆ３，Ａｌ３０Ｄｙ ７Ｚｒ３，Ａｌ３Ｅｒ，Ａ
ｌ１５ＨｆＨｏ４，Ａｌ６０Ｈｆ７Ｔｂ１３であっても
良い。下地層３に使用されるこれらの材料は、Ｃｏの格
子パラメータｃがｃ＝０．４０６ｎｍであるため、磁性
層６のエピタキシャル成長を促進する適切な結晶構造と
格子パラメータを有する。
【００１８】他方、ＦＣＴＬ１０結晶構造を有する下地
層３の材料は、γ−ＴｉＡｌであっても良い。下地層３
に使用されるγ−ＴｉＡｌなる材料は、磁性層６のエピ
タキシャル成長を促進するのに適切な結晶構造と格子パ
ラメータを有する。γ−ＴｉＡｌなる材料はＦＣＴ構造
であるが、ａ/ｃなる比が１に近く、磁性層６のｃ軸が
磁性層６の面内方向（膜表面）に対して略垂直となるよ
う促す（１１１）面のテクスチャの成長を促進させる傾
向にある。この場合、下地層３のＡｌ含有量は、５１ａ
ｔ．％から５５ａｔ．％と多少多目に設定することもで
きる。双晶変形が強すぎると、磁性層６の保磁力の低下
につながりかねない。しかし、下地層３のＡｌ含有量を
上記の如く多少多目の範囲に設定することで、ＦＣＣ構
造の材料では良く見られる双晶変形を抑制することがで
きる。
層３の材料は、γ−ＴｉＡｌであっても良い。下地層３
に使用されるγ−ＴｉＡｌなる材料は、磁性層６のエピ
タキシャル成長を促進するのに適切な結晶構造と格子パ
ラメータを有する。γ−ＴｉＡｌなる材料はＦＣＴ構造
であるが、ａ/ｃなる比が１に近く、磁性層６のｃ軸が
磁性層６の面内方向（膜表面）に対して略垂直となるよ
う促す（１１１）面のテクスチャの成長を促進させる傾
向にある。この場合、下地層３のＡｌ含有量は、５１ａ
ｔ．％から５５ａｔ．％と多少多目に設定することもで
きる。双晶変形が強すぎると、磁性層６の保磁力の低下
につながりかねない。しかし、下地層３のＡｌ含有量を
上記の如く多少多目の範囲に設定することで、ＦＣＣ構
造の材料では良く見られる双晶変形を抑制することがで
きる。
【００１９】下地層３がＬ１２結晶構造を有する場合
も、Ｌ１０結晶構造を有する場合も、下地層３は、Ｂ，
Ｃｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ又はこ
れらの合金から選択された少なくとも１つの要素を含む
合金からなるようにしても良い。この場合、下地層３を
このような要素と合金化することで、磁性層６の格子整
合を向上して、磁性層６の粒子サイズ及び応力（ストレ
ス）の低減を促進させることができる。
も、Ｌ１０結晶構造を有する場合も、下地層３は、Ｂ，
Ｃｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ又はこ
れらの合金から選択された少なくとも１つの要素を含む
合金からなるようにしても良い。この場合、下地層３を
このような要素と合金化することで、磁性層６の格子整
合を向上して、磁性層６の粒子サイズ及び応力（ストレ
ス）の低減を促進させることができる。
【００２０】更に、下地層３は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ
からなりＦＣＴＬ１０結晶構造をＦＣＣＬ１２結晶構造
とするグループから選択された要素を含む、実質的に正
方晶系のＡｌ３Ｔｉの合金からなるようにしても良い。
正方晶系のＡｌ３Ｔｉに上記の要素を含有させること
で、Ｌ１０結晶構造をＬ１２結晶構造に変質させること
ができる。このため、下地層３の（１００）面、（０１
０）面、（００１）面等の結晶面が、磁性層６又は接着
層４と同様のサイズで、磁性層６又は接着層４が成長す
るのに適したより均一な格子となる。
ｎ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ
からなりＦＣＴＬ１０結晶構造をＦＣＣＬ１２結晶構造
とするグループから選択された要素を含む、実質的に正
方晶系のＡｌ３Ｔｉの合金からなるようにしても良い。
正方晶系のＡｌ３Ｔｉに上記の要素を含有させること
で、Ｌ１０結晶構造をＬ１２結晶構造に変質させること
ができる。このため、下地層３の（１００）面、（０１
０）面、（００１）面等の結晶面が、磁性層６又は接着
層４と同様のサイズで、磁性層６又は接着層４が成長す
るのに適したより均一な格子となる。
【００２１】本実施例では、下地層３は、３．９Å≦ａ
≦４．３Åを満足する格子パラメータａを有する。格子
パラメータａをこのような範囲に設定することで、下地
層３の格子パラメータａを磁性層６の格子パラメータに
近い値とすることができ、これによりエピタキシャル成
長を促進可能となると共に、磁性層６のｃ軸が磁性層６
の面内方向に対して略垂直となる。更に、下地層３の膜
厚は、好ましくは約１０ｎｍから約４０ｎｍの範囲内で
ある。
≦４．３Åを満足する格子パラメータａを有する。格子
パラメータａをこのような範囲に設定することで、下地
層３の格子パラメータａを磁性層６の格子パラメータに
近い値とすることができ、これによりエピタキシャル成
長を促進可能となると共に、磁性層６のｃ軸が磁性層６
の面内方向に対して略垂直となる。更に、下地層３の膜
厚は、好ましくは約１０ｎｍから約４０ｎｍの範囲内で
ある。
【００２２】接着層４は、下地層３と磁性層６との間の
接着を向上することで、磁性層６の磁気異方性を向上す
る。接着層４は、ＢＣＣ結晶構造を有するＣｒ−Ｍ合金
からなり、膜厚は約１ｎｍから約１５ｎｍであり、Ｍは
Ｂ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗから選択され要素
である。接着層４に使用されるこれらの材料は、磁性層
６のエピタキシャル成長を促進する適切な格子パラメー
タを有する。又、Ｃｒは各種材料と良好に接着するの
で、Ｃｒ−Ｍ合金は下地層３と磁性層６との間のバッフ
ァ層として良好に機能する。
接着を向上することで、磁性層６の磁気異方性を向上す
る。接着層４は、ＢＣＣ結晶構造を有するＣｒ−Ｍ合金
からなり、膜厚は約１ｎｍから約１５ｎｍであり、Ｍは
Ｂ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗから選択され要素
である。接着層４に使用されるこれらの材料は、磁性層
６のエピタキシャル成長を促進する適切な格子パラメー
タを有する。又、Ｃｒは各種材料と良好に接着するの
で、Ｃｒ−Ｍ合金は下地層３と磁性層６との間のバッフ
ァ層として良好に機能する。
【００２３】中間層５は、ＨＣＰ結晶構造を有し、膜厚
が約１ｎｍから約１５ｎｍのＣｏＣｒ系の合金からな
り、磁性層６のエピタキシャル成長を促進すると共に、
磁性層６の粒子サイズ分布を小さくするために設けられ
ている。ＨＣＰ結晶構造のＣｏＣｒ系の合金からなる磁
性層がＢＣＣ結晶構造のＣｒ系の合金層上に直接形成さ
れると、Ｃｒ系の合金層と接触する磁性層の一部は格子
不整合及び／又はＣｒ偏析により悪影響を受ける。つま
り、この場合は、磁性層の磁気異方性及び総合磁化が減
少してしまう。これに対し、ＨＣＰ結晶構造で非磁性の
ＣｏＣｒ系の合金を中間層５に用いることにより、上記
の如き磁性層６への悪影響を防止することができる。こ
の結果、本実施例では、磁性層６の磁気異方性及び保磁
力を増加することができ、磁性層６の面内方向と略垂直
な方向の配向を向上することもできる。これにより、磁
性層６の完全な磁化が得られ、所謂「デッド層」が形成
される可能性を最小限に抑えることが可能となる。更
に、磁性層６の界面部分でのより小さな粒子の形成を減
少することができる。
が約１ｎｍから約１５ｎｍのＣｏＣｒ系の合金からな
り、磁性層６のエピタキシャル成長を促進すると共に、
磁性層６の粒子サイズ分布を小さくするために設けられ
ている。ＨＣＰ結晶構造のＣｏＣｒ系の合金からなる磁
性層がＢＣＣ結晶構造のＣｒ系の合金層上に直接形成さ
れると、Ｃｒ系の合金層と接触する磁性層の一部は格子
不整合及び／又はＣｒ偏析により悪影響を受ける。つま
り、この場合は、磁性層の磁気異方性及び総合磁化が減
少してしまう。これに対し、ＨＣＰ結晶構造で非磁性の
ＣｏＣｒ系の合金を中間層５に用いることにより、上記
の如き磁性層６への悪影響を防止することができる。こ
の結果、本実施例では、磁性層６の磁気異方性及び保磁
力を増加することができ、磁性層６の面内方向と略垂直
な方向の配向を向上することもできる。これにより、磁
性層６の完全な磁化が得られ、所謂「デッド層」が形成
される可能性を最小限に抑えることが可能となる。更
に、磁性層６の界面部分でのより小さな粒子の形成を減
少することができる。
【００２４】磁性層６は、例えば膜厚が約５ｎｍから約
３０ｎｍのＣｏ又はＣｏＣｒＰｔ−Ｘ系の合金を含むＣ
ｏ系の合金からなる。ここで、Ｘは、Ｂ，Ｃｕ，Ｍｏ，
Ｔａ，Ｗ及びこれらの合金からなるグループから選択さ
れた１つの要素である。磁性層６は、Ｃｒ偏析を促進す
るために、好ましくは約２００℃の成膜温度で形成され
る。２段階の熱処理を採用することで、下地層３の（１
１１）面のテクスチャ及び磁性層６のＣｒ偏析を最適化
することもできる。磁性層６のＣｏ（０００２）面のテ
クスチャは、下地層３の（１１１）面のテクスチャによ
り促進される。
３０ｎｍのＣｏ又はＣｏＣｒＰｔ−Ｘ系の合金を含むＣ
ｏ系の合金からなる。ここで、Ｘは、Ｂ，Ｃｕ，Ｍｏ，
Ｔａ，Ｗ及びこれらの合金からなるグループから選択さ
れた１つの要素である。磁性層６は、Ｃｒ偏析を促進す
るために、好ましくは約２００℃の成膜温度で形成され
る。２段階の熱処理を採用することで、下地層３の（１
１１）面のテクスチャ及び磁性層６のＣｒ偏析を最適化
することもできる。磁性層６のＣｏ（０００２）面のテ
クスチャは、下地層３の（１１１）面のテクスチャによ
り促進される。
【００２５】Ｃ又はＤＬＣからなる上側層７は、磁気記
録媒体を、ヘッドとの接触から保護するために設けられ
ている。この上側層７は、磁性層６の腐食も防止する。
録媒体を、ヘッドとの接触から保護するために設けられ
ている。この上側層７は、磁性層６の腐食も防止する。
【００２６】図２は、下地層３に用いることのできる、
規則金属間材料のＦＣＣＬ１２結晶構造を示す。例え
ば、図２に示す結晶構造は、Ｃｕ３Ａｕ又は他の合金の
ものである。しかし、下地層３の格子パラメータがＣｒ
又はＣｒ系の合金からなるＨＣＰ結晶構造の磁性層６の
格子パラメータと実質的に整合するためには、下地層３
の格子パラメータは約４．１Åである必要がある。
規則金属間材料のＦＣＣＬ１２結晶構造を示す。例え
ば、図２に示す結晶構造は、Ｃｕ３Ａｕ又は他の合金の
ものである。しかし、下地層３の格子パラメータがＣｒ
又はＣｒ系の合金からなるＨＣＰ結晶構造の磁性層６の
格子パラメータと実質的に整合するためには、下地層３
の格子パラメータは約４．１Åである必要がある。
【００２７】Ｃｒ又はＣｒ系合金からなるＨＣＰ結晶構
造の磁性層７の格子パラメータと実質的に整合する適切
な格子パラメータを有する多くのＬ１２結晶構造の材料
は、図３に示すように、Ａｌ系の合金である。図３は、
格子パラメータａ及び４．１Åからの格子不整合率
（％）を、Ｌ１２（Ａ３Ｂ）結晶構造を有する各種Ａｌ
系の合金について示す。Ｌ１２結晶構造を有する各種Ａ
ｌ系の合金には、Ａｌ５ＣｕＨｆ２，Ａｌ５ＣｕＴ
ｉ２，Ａｌ５ＣｕＺｒ２，Ａｌ３０Ｄｙ７Ｈｆ３，Ａｌ
３０Ｄｙ７Ｚｒ３，Ａｌ３Ｅｒ，Ａｌ１５ＨｆＨｏ４，
Ａｌ６０Ｈｆ７Ｔｂ１３，Ａｌ５ＮｉＮｂ２，Ａｌ５Ｎ
ｉＺｒ２等を含む。
造の磁性層７の格子パラメータと実質的に整合する適切
な格子パラメータを有する多くのＬ１２結晶構造の材料
は、図３に示すように、Ａｌ系の合金である。図３は、
格子パラメータａ及び４．１Åからの格子不整合率
（％）を、Ｌ１２（Ａ３Ｂ）結晶構造を有する各種Ａｌ
系の合金について示す。Ｌ１２結晶構造を有する各種Ａ
ｌ系の合金には、Ａｌ５ＣｕＨｆ２，Ａｌ５ＣｕＴ
ｉ２，Ａｌ５ＣｕＺｒ２，Ａｌ３０Ｄｙ７Ｈｆ３，Ａｌ
３０Ｄｙ７Ｚｒ３，Ａｌ３Ｅｒ，Ａｌ１５ＨｆＨｏ４，
Ａｌ６０Ｈｆ７Ｔｂ１３，Ａｌ５ＮｉＮｂ２，Ａｌ５Ｎ
ｉＺｒ２等を含む。
【００２８】他方、図４は、下地層３に用いることので
きる、規則金属間材料のＦＣＴＬ１ ０結晶構造を示す。
例えば、図４に示す結晶構造は、γ−ＴｉＡｌのもので
ある。γ−ＴｉＡｌは正方晶系材料であるが、格子パラ
メータは、ａ＝０．４００５ｎｍ及びｃ＝０．４０７ｎ
ｍであり、ａ／ｃなる比が１に近く、磁性層６の格子パ
ラメータとさほどかわらない。従って、γ−ＴｉＡｌ
は、下地層３に用いるのに適していることがわかる。γ
−ＴｉＡｌを他の要素でドーピングすると、電子構造が
影響されて正方晶性が失われる。
きる、規則金属間材料のＦＣＴＬ１ ０結晶構造を示す。
例えば、図４に示す結晶構造は、γ−ＴｉＡｌのもので
ある。γ−ＴｉＡｌは正方晶系材料であるが、格子パラ
メータは、ａ＝０．４００５ｎｍ及びｃ＝０．４０７ｎ
ｍであり、ａ／ｃなる比が１に近く、磁性層６の格子パ
ラメータとさほどかわらない。従って、γ−ＴｉＡｌ
は、下地層３に用いるのに適していることがわかる。γ
−ＴｉＡｌを他の要素でドーピングすると、電子構造が
影響されて正方晶性が失われる。
【００２９】図５は、本発明になる垂直磁気記録媒体の
第２実施例の要部を示す断面図である。同図中、図１と
同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。垂
直磁気記録媒体の第２実施例は、本発明になる垂直磁気
記録媒体の製造方法の第２実施例により製造される。
第２実施例の要部を示す断面図である。同図中、図１と
同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。垂
直磁気記録媒体の第２実施例は、本発明になる垂直磁気
記録媒体の製造方法の第２実施例により製造される。
【００３０】図５に示す垂直磁気記録媒体は、基板１上
に設けられた接着層１０と、接着層１０上に設けられた
軟磁性層１１と、軟磁性層１１上に設けられたシード層
１２とを含む。下地層３は、シード層１２上に設けられ
ている。つまり、本実施例では、本発明が二重磁性層構
造を有する垂直磁気記録媒体に適用されている。下地層
３の膜厚は、好ましくは約５ｎｍから約１０ｎｍの範囲
である。
に設けられた接着層１０と、接着層１０上に設けられた
軟磁性層１１と、軟磁性層１１上に設けられたシード層
１２とを含む。下地層３は、シード層１２上に設けられ
ている。つまり、本実施例では、本発明が二重磁性層構
造を有する垂直磁気記録媒体に適用されている。下地層
３の膜厚は、好ましくは約５ｎｍから約１０ｎｍの範囲
である。
【００３１】接着層１０は、Ｃｒ系の合金等からなり、
約１ｎｍから約５ｎｍの膜厚に形成される。
約１ｎｍから約５ｎｍの膜厚に形成される。
【００３２】軟磁性層１１は、アモルファス（非晶質）
又はナノ結晶質（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）軟
磁性材料からなり、約１００ｎｍ以上の膜厚に形成され
る。アモルファス又はナノ結晶質軟磁性材料は、シード
層１２の粒子サイズの低減を促進し、これにより磁性層
６の粒子サイズの低減を促進する。二重磁性層構造を用
いることにより、単極ヘッドの使用が可能になると共
に、第１実施例の単一磁性層構造に対してリングヘッド
を使用する場合と比べると高い磁界を用いることができ
る。しかし、軟磁性層１１は、その内部で形成される磁
壁が不規則なため、媒体ノイズ源となる。このため、媒
体ノイズを低減するために、軟磁性層１１の磁化容易軸
は、記録トラックを横切る方向、即ち、軟磁性層１１の
磁化困難軸は、記録トラックと並行であることが好まし
い。
又はナノ結晶質（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）軟
磁性材料からなり、約１００ｎｍ以上の膜厚に形成され
る。アモルファス又はナノ結晶質軟磁性材料は、シード
層１２の粒子サイズの低減を促進し、これにより磁性層
６の粒子サイズの低減を促進する。二重磁性層構造を用
いることにより、単極ヘッドの使用が可能になると共
に、第１実施例の単一磁性層構造に対してリングヘッド
を使用する場合と比べると高い磁界を用いることができ
る。しかし、軟磁性層１１は、その内部で形成される磁
壁が不規則なため、媒体ノイズ源となる。このため、媒
体ノイズを低減するために、軟磁性層１１の磁化容易軸
は、記録トラックを横切る方向、即ち、軟磁性層１１の
磁化困難軸は、記録トラックと並行であることが好まし
い。
【００３３】シード層１２は、ＮｉＰやＴａ等の非晶質
又は結晶質材料からなり、約１ｎｍから約３ｎｍの膜厚
に形成されてから酸化される。シード層１２に非晶質材
料を用いると、特に軟磁性層１１が非晶質材料で形成さ
れていない場合に、下地層３の粒子サイズの低減を促進
する。又、シード層１２にＮｉＰ又はＴａを用いると、
シード層１２が酸化される際にシード層１２の表面に非
晶質酸化膜を形成することができる。
又は結晶質材料からなり、約１ｎｍから約３ｎｍの膜厚
に形成されてから酸化される。シード層１２に非晶質材
料を用いると、特に軟磁性層１１が非晶質材料で形成さ
れていない場合に、下地層３の粒子サイズの低減を促進
する。又、シード層１２にＮｉＰ又はＴａを用いると、
シード層１２が酸化される際にシード層１２の表面に非
晶質酸化膜を形成することができる。
【００３４】上記第１及び第２実施例によれば、磁性層
を構成するＣｏ系の合金におけるＣｒ偏析を促進するこ
とができる。更に、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ
分布を低減し、下地層に磁性層の（０００２）面の成長
を促進するＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有
し（１１１）面のテクスチャを有する規則金属間材料を
用いることにより、媒体ノイズを低減することが可能と
なる。従って、垂直磁気記録媒体の媒体ＳＮＲを大幅に
向上することができる。
を構成するＣｏ系の合金におけるＣｒ偏析を促進するこ
とができる。更に、磁性層の粒子サイズ及び粒子サイズ
分布を低減し、下地層に磁性層の（０００２）面の成長
を促進するＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有
し（１１１）面のテクスチャを有する規則金属間材料を
用いることにより、媒体ノイズを低減することが可能と
なる。従って、垂直磁気記録媒体の媒体ＳＮＲを大幅に
向上することができる。
【００３５】次に、上記第１及び第２実施例の向上され
た性能が確認された、本発明者による実験結果につい
て、図６及び図７と共に説明する。図６は、下地層及び
磁性層のＸＲＤスペクトルを異なる下地層の膜厚及び成
膜温度について示す図である。図７は、ガラス上に異な
る成膜温度で形成されたＴｉＡｌ系の合金上に設けられ
たＣｏ系の合金のカー（Ｋｅｒｒ）磁化ループを示す図
である。
た性能が確認された、本発明者による実験結果につい
て、図６及び図７と共に説明する。図６は、下地層及び
磁性層のＸＲＤスペクトルを異なる下地層の膜厚及び成
膜温度について示す図である。図７は、ガラス上に異な
る成膜温度で形成されたＴｉＡｌ系の合金上に設けられ
たＣｏ系の合金のカー（Ｋｅｒｒ）磁化ループを示す図
である。
【００３６】図６中、（ａ）はガラス基板１上に室温で
形成された膜厚が５０ｎｍの単一のＴｉＡｌ層及びＣｏ
ＣｒＰｔＴａＢ/Ｃｏ６３Ｃｒ３７/Ｃｒ９０Ｍｏ１０/
ＴｉＡｌなる多層構造を有する各種垂直磁気記録媒体の
ＸＲＤパターンを示す。ここで、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ磁
性層６の膜厚は２３ｎｍ、Ｃｏ６３Ｃｒ３７中間層５の
膜厚は３ｎｍ、Ｃｒ９０Ｍｏ１０接着層４の膜厚は１０
ｎｍ、ＴｉＡｌ下地層３の膜厚ｔは２０ｎｍのステップ
でｔ＝２０ｎｍから８０ｎｍの範囲で設定されている。
膜厚が５０ｎｍの単一のＴｉＡｌ層は回折ピークを有さ
ず、粒子サイズがナノ結晶質又は非晶質であることが確
認された。同様の傾向は、平均粒子径が約９ｎｍから約
１０ｎｍのＮｉＡｌ層についても確認された。他方、多
層構造のうち、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ磁性層６は、ｔ＝２
０ｎｍにおいて（１０１０）面、（１１２０）面及び
（０００２）面のテクスチャを形成した。（１０１０）
面及び（１１２０）面のテクスチャは、ＣｏＣｒＰｔＴ
ａＢ磁性層６のｃ軸を面内方向に配向させるものであ
り、（０００２）面のテクスチャは、ＣｏＣｒＰｔＴａ
Ｂ磁性層６のｃ軸を面内方向に対して略垂直に配向させ
るものである。（０００２）面のテクスチャ（２θ〜４
３°）は、Ｃｒ９０Ｍｏ１０接着層４の（１１０）面の
テクスチャによるものであると考えられる。Ｃｒ９０Ｍ
ｏ１０接着層４の（００２）面のテクスチャも多少確認
され、Ｃｒ９０Ｍｏ１０接着層４が非晶質ではないこと
が確認された。ＴｉＡｌ下地層３の膜厚が増加するにつ
れて、（１０１０）面及び（０００２）面のテクスチャ
が向上した。
形成された膜厚が５０ｎｍの単一のＴｉＡｌ層及びＣｏ
ＣｒＰｔＴａＢ/Ｃｏ６３Ｃｒ３７/Ｃｒ９０Ｍｏ１０/
ＴｉＡｌなる多層構造を有する各種垂直磁気記録媒体の
ＸＲＤパターンを示す。ここで、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ磁
性層６の膜厚は２３ｎｍ、Ｃｏ６３Ｃｒ３７中間層５の
膜厚は３ｎｍ、Ｃｒ９０Ｍｏ１０接着層４の膜厚は１０
ｎｍ、ＴｉＡｌ下地層３の膜厚ｔは２０ｎｍのステップ
でｔ＝２０ｎｍから８０ｎｍの範囲で設定されている。
膜厚が５０ｎｍの単一のＴｉＡｌ層は回折ピークを有さ
ず、粒子サイズがナノ結晶質又は非晶質であることが確
認された。同様の傾向は、平均粒子径が約９ｎｍから約
１０ｎｍのＮｉＡｌ層についても確認された。他方、多
層構造のうち、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ磁性層６は、ｔ＝２
０ｎｍにおいて（１０１０）面、（１１２０）面及び
（０００２）面のテクスチャを形成した。（１０１０）
面及び（１１２０）面のテクスチャは、ＣｏＣｒＰｔＴ
ａＢ磁性層６のｃ軸を面内方向に配向させるものであ
り、（０００２）面のテクスチャは、ＣｏＣｒＰｔＴａ
Ｂ磁性層６のｃ軸を面内方向に対して略垂直に配向させ
るものである。（０００２）面のテクスチャ（２θ〜４
３°）は、Ｃｒ９０Ｍｏ１０接着層４の（１１０）面の
テクスチャによるものであると考えられる。Ｃｒ９０Ｍ
ｏ１０接着層４の（００２）面のテクスチャも多少確認
され、Ｃｒ９０Ｍｏ１０接着層４が非晶質ではないこと
が確認された。ＴｉＡｌ下地層３の膜厚が増加するにつ
れて、（１０１０）面及び（０００２）面のテクスチャ
が向上した。
【００３７】図６中、（ｂ）はガラス基板１上に１６０
℃の成膜温度Ｔｓで形成された上記ＣｏＣｒＰｔＴａＢ
/Ｃｏ６３Ｃｒ３７/Ｃｒ９０Ｍｏ１０/ＴｉＡｌなる多
層構造を有する各種垂直磁気記録媒体のＸＲＤパターン
を示す。ここで、ＴｉＡｌ下地層３の膜厚ｔは、ｔ＝２
０ｎｍとｔ＝４０ｎｍに設定されている。ＴｉＡｌ下地
層３は、膜厚ｔがｔ＝２０ｎｍの場合でも非常に強い
（１１１）面のテクスチャを有し、これによりＣｏＣｒ
ＰｔＴａＢ磁性層６の（０００２）面のテクスチャで強
いピークがあることが確認された。Ｃｏ（１０１０）面
のテクスチャも形成されたが、（０００２）面のテクス
チャのピークにより支配されていた。
℃の成膜温度Ｔｓで形成された上記ＣｏＣｒＰｔＴａＢ
/Ｃｏ６３Ｃｒ３７/Ｃｒ９０Ｍｏ１０/ＴｉＡｌなる多
層構造を有する各種垂直磁気記録媒体のＸＲＤパターン
を示す。ここで、ＴｉＡｌ下地層３の膜厚ｔは、ｔ＝２
０ｎｍとｔ＝４０ｎｍに設定されている。ＴｉＡｌ下地
層３は、膜厚ｔがｔ＝２０ｎｍの場合でも非常に強い
（１１１）面のテクスチャを有し、これによりＣｏＣｒ
ＰｔＴａＢ磁性層６の（０００２）面のテクスチャで強
いピークがあることが確認された。Ｃｏ（１０１０）面
のテクスチャも形成されたが、（０００２）面のテクス
チャのピークにより支配されていた。
【００３８】図６中、（ｃ）はガラス基板１上に２００
℃の成膜温度Ｔｓで形成された上記ＣｏＣｒＰｔＴａＢ
/Ｃｏ６３Ｃｒ３７/Ｃｒ９０Ｍｏ１０/ＴｉＡｌなる多
層構造を有する各種垂直磁気記録媒体のＸＲＤパターン
を示す。ＴｉＡｌ下地層３の膜厚ｔは、２０ｎｍのステ
ップでｔ＝２０ｎｍから６０ｎｍの範囲で設定されてい
る。又、ｔ＝６０ｎｍについて、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ磁
性層６が設けられていない場合及びＣｒ９０Ｍｏ１０接
着層４が設けられていない場合のＸＲＤパターンも示さ
れている。ＴｉＡｌ下地層３の（１１１）面のテクスチ
ャ及びＣｒ（１１１）面のテクスチャのピークは、膜厚
ｔがｔ＝４０ｎｍの場合にのみ発生したが、Ｃｏ（００
０２）面のテクスチャは既に発生していた。膜厚ｔを更
に増加させると、（１１１）面のテクスチャ及び（００
０２）面のテクスチャのピークが増強された。膜厚ｔが
ｔ＝６０ｎｍの場合、ＴｉＡｌ下地層３とＣｏ６３Ｃｒ
３ ７中間層５との間にＣｒ９０Ｍｏ１０接着層４が設け
られていない方が（１０１１）面のテクスチャのピーク
が弱かった。
℃の成膜温度Ｔｓで形成された上記ＣｏＣｒＰｔＴａＢ
/Ｃｏ６３Ｃｒ３７/Ｃｒ９０Ｍｏ１０/ＴｉＡｌなる多
層構造を有する各種垂直磁気記録媒体のＸＲＤパターン
を示す。ＴｉＡｌ下地層３の膜厚ｔは、２０ｎｍのステ
ップでｔ＝２０ｎｍから６０ｎｍの範囲で設定されてい
る。又、ｔ＝６０ｎｍについて、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ磁
性層６が設けられていない場合及びＣｒ９０Ｍｏ１０接
着層４が設けられていない場合のＸＲＤパターンも示さ
れている。ＴｉＡｌ下地層３の（１１１）面のテクスチ
ャ及びＣｒ（１１１）面のテクスチャのピークは、膜厚
ｔがｔ＝４０ｎｍの場合にのみ発生したが、Ｃｏ（００
０２）面のテクスチャは既に発生していた。膜厚ｔを更
に増加させると、（１１１）面のテクスチャ及び（００
０２）面のテクスチャのピークが増強された。膜厚ｔが
ｔ＝６０ｎｍの場合、ＴｉＡｌ下地層３とＣｏ６３Ｃｒ
３ ７中間層５との間にＣｒ９０Ｍｏ１０接着層４が設け
られていない方が（１０１１）面のテクスチャのピーク
が弱かった。
【００３９】図６中、（ｄ）はガラス基板１上に２４０
℃の成膜温度Ｔｓで形成された上記ＣｏＣｒＰｔＴａＢ
/Ｃｏ６３Ｃｒ３７/Ｃｒ９０Ｍｏ１０/ＴｉＡｌなる多
層構造を有する各種垂直磁気記録媒体のＸＲＤパターン
を示す。ここで、ＴｉＡｌ下地層３の膜厚ｔは、ｔ＝２
０ｎｍとｔ＝４０ｎｍに設定されている。この場合、成
膜温度Ｔｓが増加すると、特に膜厚ｔが小さい場合にＴ
ｉＡｌ下地層３の（１１１）面のテクスチャのピークが
抑制された。又、ｔ＝２０ｎｍからｔ＝４０ｎｍの場
合、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ磁性層６のｃ軸には、面内方向
に配向されているものもあった。
℃の成膜温度Ｔｓで形成された上記ＣｏＣｒＰｔＴａＢ
/Ｃｏ６３Ｃｒ３７/Ｃｒ９０Ｍｏ１０/ＴｉＡｌなる多
層構造を有する各種垂直磁気記録媒体のＸＲＤパターン
を示す。ここで、ＴｉＡｌ下地層３の膜厚ｔは、ｔ＝２
０ｎｍとｔ＝４０ｎｍに設定されている。この場合、成
膜温度Ｔｓが増加すると、特に膜厚ｔが小さい場合にＴ
ｉＡｌ下地層３の（１１１）面のテクスチャのピークが
抑制された。又、ｔ＝２０ｎｍからｔ＝４０ｎｍの場
合、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ磁性層６のｃ軸には、面内方向
に配向されているものもあった。
【００４０】図７（ａ）、図７（ｂ）、図７（ｃ）及び
図７（ｄ）は、夫々図６（ａ）、図６（ｂ）、図６
（ｃ）及び図６（ｄ）に示す各種垂直磁気記録媒体のカ
ー磁化ループ、即ち、垂直ヒステリシスループを、Ｔｉ
Ａｌ下地層３の膜厚ｔがｔ＝２０ｎｍの場合について示
す。図７（ｂ）に示す垂直磁気記録媒体の場合、ＣｏＣ
ｒＰｔＴａＢ磁性層６の面内方向に対して垂直な方向の
保磁力が最大であることが確認された。
図７（ｄ）は、夫々図６（ａ）、図６（ｂ）、図６
（ｃ）及び図６（ｄ）に示す各種垂直磁気記録媒体のカ
ー磁化ループ、即ち、垂直ヒステリシスループを、Ｔｉ
Ａｌ下地層３の膜厚ｔがｔ＝２０ｎｍの場合について示
す。図７（ｂ）に示す垂直磁気記録媒体の場合、ＣｏＣ
ｒＰｔＴａＢ磁性層６の面内方向に対して垂直な方向の
保磁力が最大であることが確認された。
【００４１】これにより、単に下地層３の膜厚ｔ及び成
膜温度Ｔｓを変化させることで、磁性層６の配向を制御
可能であることが確認された。又、成膜温度Ｔｓは、好
ましくは約１４０℃から約１８０℃であり、望ましくは
約１６０℃であることも確認された。
膜温度Ｔｓを変化させることで、磁性層６の配向を制御
可能であることが確認された。又、成膜温度Ｔｓは、好
ましくは約１４０℃から約１８０℃であり、望ましくは
約１６０℃であることも確認された。
【００４２】次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施
例を、図８及び図９と共に説明する。図８は、磁気記憶
装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図９は、磁
気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図である。
例を、図８及び図９と共に説明する。図８は、磁気記憶
装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図９は、磁
気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図である。
【００４３】図８及び図９に示すように、磁気記憶装置
は大略ハウジング１３からなる。ハウジング１３内に
は、モータ１４、ハブ１５、複数の磁気記録媒体１６、
複数の記録再生（リードライト）ヘッド１７、複数のサ
スペンション１８、複数のアーム１９及びアクチュエー
タユニット２０が設けられている。磁気記録媒体１６
は、モータ１４により回転されるハブ１５に取り付けら
れている。各記録再生ヘッド１７は、対応するアーム１
９の先端にサスペンション１８を介して取り付けられて
いる。アーム１９は、アクチュエータユニット２０によ
り駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知
であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
は大略ハウジング１３からなる。ハウジング１３内に
は、モータ１４、ハブ１５、複数の磁気記録媒体１６、
複数の記録再生（リードライト）ヘッド１７、複数のサ
スペンション１８、複数のアーム１９及びアクチュエー
タユニット２０が設けられている。磁気記録媒体１６
は、モータ１４により回転されるハブ１５に取り付けら
れている。各記録再生ヘッド１７は、対応するアーム１
９の先端にサスペンション１８を介して取り付けられて
いる。アーム１９は、アクチュエータユニット２０によ
り駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知
であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
【００４４】磁気記憶装置の本実施例は、磁気記録媒体
１６に特徴がある。各磁気記録媒体１６は、図１〜図７
と共に説明した、上記垂直磁気記録媒体の第１及び第２
実施例のいずれかの構造を有する。無論、磁気記録媒体
１６の数は３枚に限定されず、１枚でも、２枚又は３枚
以上であっても良い。
１６に特徴がある。各磁気記録媒体１６は、図１〜図７
と共に説明した、上記垂直磁気記録媒体の第１及び第２
実施例のいずれかの構造を有する。無論、磁気記録媒体
１６の数は３枚に限定されず、１枚でも、２枚又は３枚
以上であっても良い。
【００４５】磁気記憶装置の基本構成は、図８及び図９
に示すものに限定されるものではない。又、本発明で用
いる垂直磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されな
い。
に示すものに限定されるものではない。又、本発明で用
いる垂直磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されな
い。
【００４６】本発明は、以下に付記する発明をも包含す
るものである。
るものである。
【００４７】（付記１） 基板と、Ｃｏ又はＣｏ系の合
金からなる磁性層と、該基板と該磁性層との間に設けら
れた下地層とを備え、該下地層は、該磁性層のｃ軸が該
磁性層の面内方向に対して略垂直となるように、ＦＣＣ
Ｌ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有し、（１１１）面
のテクスチャを有する規則金属間材料からなることを特
徴とする、垂直磁気記録媒体。
金からなる磁性層と、該基板と該磁性層との間に設けら
れた下地層とを備え、該下地層は、該磁性層のｃ軸が該
磁性層の面内方向に対して略垂直となるように、ＦＣＣ
Ｌ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有し、（１１１）面
のテクスチャを有する規則金属間材料からなることを特
徴とする、垂直磁気記録媒体。
【００４８】（付記２） 前記ＦＣＣＬ１２結晶構造を
有する前記下地層は、Ａｌ５ＣｕＺｒ２，Ａｌ５ＣｕＨ
ｆ２，（ＡｌＣｒ）３Ｔｉ，Ａｌ６７Ｃｒ８Ｔｉ２５，
Ａｌ５ＮｉＺｒ２，Ａｌ５ＣｕＴｉ２，Ａｌ５ＮｉＮｂ
２，Ａｌ３０Ｄｙ７Ｈｆ３，Ａｌ３０Ｄｙ７Ｚｒ３，Ａ
ｌ３Ｅｒ，Ａｌ１５ＨｆＨｏ４，Ａｌ６０Ｈｆ７Ｔｂ
１３からなるグループから選択された材料からなること
を特徴とする、（付記１）記載の垂直磁気記録媒体。
有する前記下地層は、Ａｌ５ＣｕＺｒ２，Ａｌ５ＣｕＨ
ｆ２，（ＡｌＣｒ）３Ｔｉ，Ａｌ６７Ｃｒ８Ｔｉ２５，
Ａｌ５ＮｉＺｒ２，Ａｌ５ＣｕＴｉ２，Ａｌ５ＮｉＮｂ
２，Ａｌ３０Ｄｙ７Ｈｆ３，Ａｌ３０Ｄｙ７Ｚｒ３，Ａ
ｌ３Ｅｒ，Ａｌ１５ＨｆＨｏ４，Ａｌ６０Ｈｆ７Ｔｂ
１３からなるグループから選択された材料からなること
を特徴とする、（付記１）記載の垂直磁気記録媒体。
【００４９】（付記３） 前記下地層は、ＦＣＴＬ１０
結晶構造を有するγ−ＴｉＡｌからなることを特徴とす
る、（付記１）記載の垂直磁気記録媒体。
結晶構造を有するγ−ＴｉＡｌからなることを特徴とす
る、（付記１）記載の垂直磁気記録媒体。
【００５０】（付記４） 前記下地層は、Ｂ，Ｃｒ，Ｈ
ｆ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ又はこれらの合
金から選択された少なくとも１つの要素を含む合金から
なることを特徴とする、（付記１）記載の垂直磁気記録
媒体。
ｆ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ又はこれらの合
金から選択された少なくとも１つの要素を含む合金から
なることを特徴とする、（付記１）記載の垂直磁気記録
媒体。
【００５１】（付記５） 前記下地層は、Ｎｉ，Ｃｕ，
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａ
ｕ，ＲｈからなりＦＣＴＬ１０結晶構造をＦＣＣＬ１２
結晶構造とするグループから選択された要素を含む、実
質的に正方晶系のＡｌ３Ｔｉの合金からなることを特徴
とする、（付記１）記載の垂直磁気記録媒体。
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａ
ｕ，ＲｈからなりＦＣＴＬ１０結晶構造をＦＣＣＬ１２
結晶構造とするグループから選択された要素を含む、実
質的に正方晶系のＡｌ３Ｔｉの合金からなることを特徴
とする、（付記１）記載の垂直磁気記録媒体。
【００５２】（付記６） 前記下地層は、３．９Å≦ａ
≦４．３Åを満足する格子パラメータａを有することを
特徴とする、（付記１）〜（付記５）のいずれか１項記
載の垂直磁気記録媒体。
≦４．３Åを満足する格子パラメータａを有することを
特徴とする、（付記１）〜（付記５）のいずれか１項記
載の垂直磁気記録媒体。
【００５３】（付記７） 非晶質又はナノ結晶質軟磁性
材料からなり、前記基板と前記下地層との間に設けられ
た軟磁性層を更に備えたことを特徴とする、（付記１）
記載の垂直磁気記録媒体。
材料からなり、前記基板と前記下地層との間に設けられ
た軟磁性層を更に備えたことを特徴とする、（付記１）
記載の垂直磁気記録媒体。
【００５４】（付記８） 前記軟磁性層は、記録トラッ
クと並行な磁化困難軸を有することを特徴とする、（付
記７）記載の垂直磁気記録媒体。
クと並行な磁化困難軸を有することを特徴とする、（付
記７）記載の垂直磁気記録媒体。
【００５５】（付記９） 非晶質又はナノ結晶質軟磁性
材料からなり、前記軟磁性層と前記下地層との間に設け
られたシード層を更に備えたことを特徴とする、（付記
７）又は（付記８）記載の垂直磁気記録媒体。
材料からなり、前記軟磁性層と前記下地層との間に設け
られたシード層を更に備えたことを特徴とする、（付記
７）又は（付記８）記載の垂直磁気記録媒体。
【００５６】（付記１０） ＢＣＣ結晶構造を有するＣ
ｒ−Ｍ合金からなり、前記下地層と前記磁性層との間に
設けられた接着層を更に備え、ＭはＢ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｍ
ｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗから選択され要素であることを特徴と
する、（付記１）〜（付記９）のいずれか１項記載の垂
直磁気記録媒体。
ｒ−Ｍ合金からなり、前記下地層と前記磁性層との間に
設けられた接着層を更に備え、ＭはＢ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｍ
ｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗから選択され要素であることを特徴と
する、（付記１）〜（付記９）のいずれか１項記載の垂
直磁気記録媒体。
【００５７】（付記１１） ＨＣＰ結晶構造を有するＣ
ｏＣｒ系の合金からなり、前記接着層と前記磁性層との
間に設けられた中間層を更に備えたことを特徴とする、
（付記１０）記載の垂直磁気記録媒体。
ｏＣｒ系の合金からなり、前記接着層と前記磁性層との
間に設けられた中間層を更に備えたことを特徴とする、
（付記１０）記載の垂直磁気記録媒体。
【００５８】（付記１２） ＨＣＰ結晶構造を有するＣ
ｏＣｒ系の合金からなり、前記下地層と前記磁性層との
間に設けられた中間層を更に備えたことを特徴とする、
（付記１）〜（付記９）のいずれか１項記載の垂直磁気
記録媒体。
ｏＣｒ系の合金からなり、前記下地層と前記磁性層との
間に設けられた中間層を更に備えたことを特徴とする、
（付記１）〜（付記９）のいずれか１項記載の垂直磁気
記録媒体。
【００５９】（付記１３） ベース層と、Ｃｏ又はＣｏ
系の合金からなる磁性層と、該ベース層と該磁性層との
間に設けられた下地層とを含む垂直磁気記録媒体を製造
する製造方法であって、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０
結晶構造を有し、（１１１）面のテクスチャを有する規
則金属間材料からなる前記下地層を、ガラス又は酸化さ
れたＮｉＰからなる前記ベース層上に、約１４０℃から
約１８０℃の成膜温度で形成するステップを含むことを
特徴とする、製造方法。
系の合金からなる磁性層と、該ベース層と該磁性層との
間に設けられた下地層とを含む垂直磁気記録媒体を製造
する製造方法であって、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０
結晶構造を有し、（１１１）面のテクスチャを有する規
則金属間材料からなる前記下地層を、ガラス又は酸化さ
れたＮｉＰからなる前記ベース層上に、約１４０℃から
約１８０℃の成膜温度で形成するステップを含むことを
特徴とする、製造方法。
【００６０】（付記１４） 非晶質又はナノ結晶質軟磁
性材料からなる軟磁性層を前記基板と前記下地層との間
に形成するステップを更に含むことを特徴とする、（付
記１３）記載の製造方法。
性材料からなる軟磁性層を前記基板と前記下地層との間
に形成するステップを更に含むことを特徴とする、（付
記１３）記載の製造方法。
【００６１】（付記１５） 非晶質又はナノ結晶質軟磁
性材料からなるシード層を前記軟磁性層と前記下地層と
の間に形成するステップを更に含むことを特徴とする、
（付記１４）記載の製造方法。
性材料からなるシード層を前記軟磁性層と前記下地層と
の間に形成するステップを更に含むことを特徴とする、
（付記１４）記載の製造方法。
【００６２】（付記１６） ＢＣＣ結晶構造を有するＣ
ｒ−Ｍ合金からなり、前記下地層と前記磁性層との間に
接着層を形成するステップを更に含み、ＭはＢ，Ｆｅ，
Ｍｎ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗから選択され要素であること
を特徴とする、（付記１３）〜（付記１５）のいずれか
１項記載の製造方法。
ｒ−Ｍ合金からなり、前記下地層と前記磁性層との間に
接着層を形成するステップを更に含み、ＭはＢ，Ｆｅ，
Ｍｎ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗから選択され要素であること
を特徴とする、（付記１３）〜（付記１５）のいずれか
１項記載の製造方法。
【００６３】（付記１７） ＨＣＰ結晶構造を有するＣ
ｏＣｒ系の合金からなり、前記接着層と前記磁性層との
間に中間層を形成するステップを更に含むことを特徴と
する、（付記１６）記載の製造方法。
ｏＣｒ系の合金からなり、前記接着層と前記磁性層との
間に中間層を形成するステップを更に含むことを特徴と
する、（付記１６）記載の製造方法。
【００６４】（付記１８） ヘッドと、基板と、Ｃｏ又
はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基板と該磁性層と
の間に設けられた下地層とを含む少なくとも１つの垂直
磁気記録媒体を備え、該下地層は、該磁性層のｃ軸が該
磁性層の面内方向に対して略垂直となるように、ＦＣＣ
Ｌ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有し、（１１１）面
のテクスチャを有する規則金属間材料からなることを特
徴とする、磁気記憶装置。
はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基板と該磁性層と
の間に設けられた下地層とを含む少なくとも１つの垂直
磁気記録媒体を備え、該下地層は、該磁性層のｃ軸が該
磁性層の面内方向に対して略垂直となるように、ＦＣＣ
Ｌ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有し、（１１１）面
のテクスチャを有する規則金属間材料からなることを特
徴とする、磁気記憶装置。
【００６５】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言
うまでもない。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言
うまでもない。
【００６６】
【発明の効果】本発明によれば、媒体ＳＮＲを大幅に向
上可能な垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気
記憶装置を実現することができる。
上可能な垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気
記憶装置を実現することができる。
【図１】本発明になる垂直磁気記録媒体の第１実施例の
要部を示す断面図である。
要部を示す断面図である。
【図２】下地層に用いることのできる規則金属間材料の
ＦＣＣＬ１２結晶構造を示す図である。
ＦＣＣＬ１２結晶構造を示す図である。
【図３】格子パラメータａ及び４．１Åからの格子不整
合率（％）をＬ１２結晶構造を有する各種Ａｌ系の合金
について示す図である。
合率（％）をＬ１２結晶構造を有する各種Ａｌ系の合金
について示す図である。
【図４】下地層に用いることのできる規則金属間材料の
ＦＣＴＬ１０結晶構造を示す図である。
ＦＣＴＬ１０結晶構造を示す図である。
【図５】本発明になる垂直磁気記録媒体の第２実施例の
要部を示す断面図である。
要部を示す断面図である。
【図６】下地層及び磁性層のＸＲＤスペクトルを異なる
下地層の膜厚及び成膜温度について示す図である。
下地層の膜厚及び成膜温度について示す図である。
【図７】ガラス上に異なる成膜温度で形成されたＴｉＡ
ｌ系の合金上に設けられたＣｏ系の合金のカー磁化ルー
プを示す図である。
ｌ系の合金上に設けられたＣｏ系の合金のカー磁化ルー
プを示す図である。
【図８】本発明になる磁気記憶装置の一実施例の要部を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図９】本発明になる磁気記憶装置の一実施例の要部を
示す平面図である。
示す平面図である。
１ 基板 ２，１２ シード層 ３ 下地層 ４，１０ 接着層 ５ 中間層 ６ 磁性層 １１ 軟磁性層 １７ ヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 10/30 Ｈ０１Ｆ 10/30 // Ｇ１１Ｂ 5/667 Ｇ１１Ｂ 5/667 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 CA01 CA03 CA05 CA06 DA03 DA08 EA03 5D112 AA03 AA04 AA24 BD03 BD04 FA04 FB26 5E049 AA00 AA04 BA08 DB12
Claims (10)
- 【請求項１】 基板と、 Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層と、 該基板と該磁性層との間に設けられた下地層とを備え、 該下地層は、該磁性層のｃ軸が該磁性層の面内方向に対
して略垂直となるように、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１
０結晶構造を有し、（１１１）面のテクスチャを有する
規則金属間材料からなることを特徴とする、垂直磁気記
録媒体。 - 【請求項２】 前記ＦＣＣＬ１２結晶構造を有する前記
下地層は、Ａｌ５ＣｕＺｒ２，Ａｌ５ＣｕＨｆ２，（Ａ
ｌＣｒ）３Ｔｉ，Ａｌ６７Ｃｒ８Ｔｉ２５，Ａｌ５Ｎｉ
Ｚｒ２，Ａｌ５ＣｕＴｉ２，Ａｌ５ＮｉＮｂ２，Ａｌ
３０Ｄｙ７Ｈｆ ３，Ａｌ３０Ｄｙ７Ｚｒ３，Ａｌ３Ｅ
ｒ，Ａｌ１５ＨｆＨｏ４，Ａｌ６０Ｈｆ７Ｔｂ１３から
なるグループから選択された材料からなることを特徴と
する、請求項１記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記下地層は、ＦＣＴＬ１０結晶構造を
有するγ−ＴｉＡｌからなることを特徴とする、請求項
１記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記下地層は、Ｂ，Ｃｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，
Ｍｎ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ又はこれらの合金から選択
された少なくとも１つの要素を含む合金からなることを
特徴とする、請求項１記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記下地層は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ
からなりＦＣＴＬ１０結晶構造をＦＣＣＬ１２結晶構造
とするグループから選択された要素を含む、実質的に正
方晶系のＡｌ ３Ｔｉの合金からなることを特徴とする、
請求項１記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記下地層は、３．９Å≦ａ≦４．３Å
を満足する格子パラメータａを有することを特徴とす
る、請求項１〜５のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒
体。 - 【請求項７】 ＢＣＣ結晶構造を有するＣｒ−Ｍ合金か
らなり、前記下地層と前記磁性層との間に設けられた接
着層を更に備え、 ＭはＢ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗから選択され
要素であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか
１項記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項８】 ＨＣＰ結晶構造を有するＣｏＣｒ系の合
金からなり、前記接着層と前記磁性層との間に設けられ
た中間層を更に備えたことを特徴とする、請求項７記載
の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項９】 ベース層と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金から
なる磁性層と、該ベース層と該磁性層との間に設けられ
た下地層とを含む垂直磁気記録媒体を製造する製造方法
であって、 ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１０結晶構造を有し、（１１
１）面のテクスチャを有する規則金属間材料からなる前
記下地層を、ガラス又は酸化されたＮｉＰからなる前記
ベース層上に、約１４０℃から約１８０℃の成膜温度で
形成するステップを含むことを特徴とする、製造方法。 - 【請求項１０】 ヘッドと、 基板と、Ｃｏ又はＣｏ系の合金からなる磁性層と、該基
板と該磁性層との間に設けられた下地層とを含む少なく
とも１つの垂直磁気記録媒体を備え、 該下地層は、該磁性層のｃ軸が該磁性層の面内方向に対
して略垂直となるように、ＦＣＣＬ１２又はＦＣＴＬ１
０結晶構造を有し、（１１１）面のテクスチャを有する
規則金属間材料からなることを特徴とする、磁気記憶装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001109006A JP2002304722A (ja) | 2001-04-06 | 2001-04-06 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置 |
| US09/849,835 US6562489B2 (en) | 1999-11-12 | 2001-05-04 | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US10/400,891 US6828047B2 (en) | 1999-11-12 | 2003-03-27 | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001109006A JP2002304722A (ja) | 2001-04-06 | 2001-04-06 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002304722A true JP2002304722A (ja) | 2002-10-18 |
Family
ID=18961039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001109006A Pending JP2002304722A (ja) | 1999-11-12 | 2001-04-06 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002304722A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004075178A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Fujitsu Limited | 垂直磁気記録媒体 |
| WO2007129687A1 (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-15 | Tohoku University | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
| WO2008111370A1 (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Showa Denko K.K. | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
| JP2008276863A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置 |
| US7566507B2 (en) | 2003-05-02 | 2009-07-28 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus and method of producing magnetic recording medium |
| JP2010108578A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
-
2001
- 2001-04-06 JP JP2001109006A patent/JP2002304722A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004075178A1 (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-02 | Fujitsu Limited | 垂直磁気記録媒体 |
| US7566507B2 (en) | 2003-05-02 | 2009-07-28 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus and method of producing magnetic recording medium |
| WO2007129687A1 (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-15 | Tohoku University | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
| WO2008111370A1 (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-18 | Showa Denko K.K. | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
| JP2008226312A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Showa Denko Kk | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
| JP2008276863A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置 |
| JP2010108578A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050405 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051004 |