JP3080059B2 - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JP3080059B2 JP3080059B2 JP10003310A JP331098A JP3080059B2 JP 3080059 B2 JP3080059 B2 JP 3080059B2 JP 10003310 A JP10003310 A JP 10003310A JP 331098 A JP331098 A JP 331098A JP 3080059 B2 JP3080059 B2 JP 3080059B2
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テープや磁気
ディスク等として用いられる垂直磁気記録媒体及びその
製造方法に関する。
ディスク等として用いられる垂直磁気記録媒体及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パ−ソナルコンピュ−タやワ−ク
ステ−ションの進歩に伴うハ−ドディスクドライブの大
容量化及び小型化により、磁気ディスクはさらなる高面
記録密度化が要求されている。しかし、現在広く普及し
ている長手記録方式では、高記録密度を実現しようとす
ると、記録ビットの微細化に伴う記録磁化の熱揺らぎの
問題や、記録ヘッドの記録能力を超えかねない高保磁力
化の問題が発生する。そこで、これらの問題を解決しつ
つ、面記録密度を大幅に向上できる手段として、垂直磁
気記録方式が検討されている。これを実現する垂直磁気
記録媒体として、高透磁率の下地軟磁性膜と高い垂直異
方性の垂直磁化膜とからなる、いわゆる垂直二層媒体が
有望視されている。
ステ−ションの進歩に伴うハ−ドディスクドライブの大
容量化及び小型化により、磁気ディスクはさらなる高面
記録密度化が要求されている。しかし、現在広く普及し
ている長手記録方式では、高記録密度を実現しようとす
ると、記録ビットの微細化に伴う記録磁化の熱揺らぎの
問題や、記録ヘッドの記録能力を超えかねない高保磁力
化の問題が発生する。そこで、これらの問題を解決しつ
つ、面記録密度を大幅に向上できる手段として、垂直磁
気記録方式が検討されている。これを実現する垂直磁気
記録媒体として、高透磁率の下地軟磁性膜と高い垂直異
方性の垂直磁化膜とからなる、いわゆる垂直二層媒体が
有望視されている。
【０００３】図３８は、このような従来の垂直磁気記録
媒体を示す概略断面図である。
媒体を示す概略断面図である。
【０００４】この垂直磁気記録媒体５０は、基板５２上
に、下地軟磁性膜５６及び垂直磁化膜５８がこの順に形
成されたものである。例えば、下地軟磁性膜５６として
はＮｉＦｅ膜、垂直磁化膜５８としてはＣｏＣｒ系合金
膜が用いられる。しかし、ＮｉＦｅからなる下地軟磁性
膜５６とＣｏＣｒからなる垂直磁化膜５８とを形成した
ときに、垂直磁化膜５８の結晶配向度が低下する。そこ
で、これを防ぐために、下地軟磁性膜５６としてセンダ
スト膜（ＦｅＳｉＡｌ合金）を用いたものが報告されて
いる（特開昭５７−３６４３５号公報）。
に、下地軟磁性膜５６及び垂直磁化膜５８がこの順に形
成されたものである。例えば、下地軟磁性膜５６として
はＮｉＦｅ膜、垂直磁化膜５８としてはＣｏＣｒ系合金
膜が用いられる。しかし、ＮｉＦｅからなる下地軟磁性
膜５６とＣｏＣｒからなる垂直磁化膜５８とを形成した
ときに、垂直磁化膜５８の結晶配向度が低下する。そこ
で、これを防ぐために、下地軟磁性膜５６としてセンダ
スト膜（ＦｅＳｉＡｌ合金）を用いたものが報告されて
いる（特開昭５７−３６４３５号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の垂直磁気記録媒体では、媒体ノイズの低下及
び再生出力電圧の記録密度依存性の向上に限界があっ
た。
うな従来の垂直磁気記録媒体では、媒体ノイズの低下及
び再生出力電圧の記録密度依存性の向上に限界があっ
た。
【０００６】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、媒体ノイズを
更に低下できるとともに、再生出力電圧の記録密度依存
性を更に向上できる垂直磁気記録媒体及びその製造方法
を提供することにある。
更に低下できるとともに、再生出力電圧の記録密度依存
性を更に向上できる垂直磁気記録媒体及びその製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の垂直
磁気記録媒体において媒体ノイズの低下及び再生出力電
圧の記録密度依存性の向上を妨げている理由について、
実験及び考察を重ねることによって次の知見を得た。す
なわち、下地軟磁性膜の表面平滑性が悪いことにより、
その上に成膜される垂直磁化膜の垂直配向性が悪くな
る。そのため、初期層（結晶が垂直に配向していない領
域）の膜厚が増大するとともに垂直磁化膜の表面平滑性
も悪くなるので、媒体ノイズが低下しないのである。ま
た、垂直磁化膜の垂直配向性が悪くなるので、再生出力
電圧の記録密度依存性が向上しないのである。本発明
は、これらの知見に基づきなされたものである。
磁気記録媒体において媒体ノイズの低下及び再生出力電
圧の記録密度依存性の向上を妨げている理由について、
実験及び考察を重ねることによって次の知見を得た。す
なわち、下地軟磁性膜の表面平滑性が悪いことにより、
その上に成膜される垂直磁化膜の垂直配向性が悪くな
る。そのため、初期層（結晶が垂直に配向していない領
域）の膜厚が増大するとともに垂直磁化膜の表面平滑性
も悪くなるので、媒体ノイズが低下しないのである。ま
た、垂直磁化膜の垂直配向性が悪くなるので、再生出力
電圧の記録密度依存性が向上しないのである。本発明
は、これらの知見に基づきなされたものである。
【０００８】本発明に係る垂直磁気記録媒体及びその製
造方法は、下地軟磁性膜と垂直磁化膜とがこの順に基板
上に形成された垂直磁気記録媒体において、基板と下地
軟磁性膜との間に特定の膜厚を有するＣｒ膜が挿入され
たことを特徴としている。このＣｒ膜の膜厚は、１ｎｍ
をこえ１７ｎｍ未満、好ましくは２ｎｍ以上かつ１５ｎ
ｍ以下である。これらの膜厚を有するＣｒ膜は、表面平
滑性に極めて優れている。そのため、このＣｒ膜上に積
層される下地軟磁性膜も、平滑性制御膜の表面平滑性を
反映して、表面平滑性に極めて優れたものとなる。した
がって、下地軟磁性膜の滑らかな表面上に積層される垂
直磁化膜は、垂直配向性及び表面平滑性が向上する。垂
直磁化膜の垂直配向性が向上すると、初期層が減少する
ことにより媒体ノイズが低下するとともに、再生出力電
圧の記録密度依存性が向上する。また、垂直磁化膜の表
面平滑性が向上すると、記録再生ヘッドの摺動性も向上
するので、これによっても媒体ノイズが低下する。
造方法は、下地軟磁性膜と垂直磁化膜とがこの順に基板
上に形成された垂直磁気記録媒体において、基板と下地
軟磁性膜との間に特定の膜厚を有するＣｒ膜が挿入され
たことを特徴としている。このＣｒ膜の膜厚は、１ｎｍ
をこえ１７ｎｍ未満、好ましくは２ｎｍ以上かつ１５ｎ
ｍ以下である。これらの膜厚を有するＣｒ膜は、表面平
滑性に極めて優れている。そのため、このＣｒ膜上に積
層される下地軟磁性膜も、平滑性制御膜の表面平滑性を
反映して、表面平滑性に極めて優れたものとなる。した
がって、下地軟磁性膜の滑らかな表面上に積層される垂
直磁化膜は、垂直配向性及び表面平滑性が向上する。垂
直磁化膜の垂直配向性が向上すると、初期層が減少する
ことにより媒体ノイズが低下するとともに、再生出力電
圧の記録密度依存性が向上する。また、垂直磁化膜の表
面平滑性が向上すると、記録再生ヘッドの摺動性も向上
するので、これによっても媒体ノイズが低下する。
【０００９】本発明に係る垂直磁気記録媒体及びその製
造方法において、下地軟磁性膜はＦｅＴａＮ膜である。
垂直磁化膜は例えばＣｏＣｒＴａ膜である。また、下地
軟磁性膜表面の中心線平均粗さは、好ましくは２ｎｍ以
下、より好ましくは０．９ｎｍ以下、最も好ましくは
０．５ｎｍ以下である。Ｃｒ膜のスパッタ成膜時のガス
圧は、好ましくは２０ｍＴｏｒｒ未満、より好ましくは
１８ｍＴｏｒｒ以下である。Ｃｒ膜のスパッタ成膜時の
成膜速度は、好ましくは２０ｎｍ／ｓ未満、より好まし
くは１８ｎｍ／ｓ以下である。スパッタ成膜で使用され
るガスは、例えばアルゴン、クリプトン、ネオン等であ
る。
造方法において、下地軟磁性膜はＦｅＴａＮ膜である。
垂直磁化膜は例えばＣｏＣｒＴａ膜である。また、下地
軟磁性膜表面の中心線平均粗さは、好ましくは２ｎｍ以
下、より好ましくは０．９ｎｍ以下、最も好ましくは
０．５ｎｍ以下である。Ｃｒ膜のスパッタ成膜時のガス
圧は、好ましくは２０ｍＴｏｒｒ未満、より好ましくは
１８ｍＴｏｒｒ以下である。Ｃｒ膜のスパッタ成膜時の
成膜速度は、好ましくは２０ｎｍ／ｓ未満、より好まし
くは１８ｎｍ／ｓ以下である。スパッタ成膜で使用され
るガスは、例えばアルゴン、クリプトン、ネオン等であ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る垂直磁気記
録媒体の第一実施形態を示す概略断面図である。以下、
この図面に基づき説明する。
録媒体の第一実施形態を示す概略断面図である。以下、
この図面に基づき説明する。
【００１１】本実施形態の垂直磁気記録媒体１０は、基
板１２上に、Ｃｒ膜１４、下地軟磁性膜１６、垂直磁化
膜１８がこの順に形成されたものである。Ｃｒ膜の膜厚
ｔは、１ｎｍをこえ１７ｎｍ未満、好ましくは２ｎｍ以
上かつ１５ｎｍ以下である。下地軟磁性膜１６はＦｅＴ
ａＮ膜である。垂直磁化膜１８は、例えばＣｏＣｒＴａ
膜である。Ｃｒ膜１４の作用によって、下地軟磁性膜１
６の表面平滑性、垂直磁化膜１８の表面平滑性及び垂直
配向性が向上する。
板１２上に、Ｃｒ膜１４、下地軟磁性膜１６、垂直磁化
膜１８がこの順に形成されたものである。Ｃｒ膜の膜厚
ｔは、１ｎｍをこえ１７ｎｍ未満、好ましくは２ｎｍ以
上かつ１５ｎｍ以下である。下地軟磁性膜１６はＦｅＴ
ａＮ膜である。垂直磁化膜１８は、例えばＣｏＣｒＴａ
膜である。Ｃｒ膜１４の作用によって、下地軟磁性膜１
６の表面平滑性、垂直磁化膜１８の表面平滑性及び垂直
配向性が向上する。
【００１２】以下に、本発明の実施例を示す。以下、垂
直磁気記録媒体を単に「媒体」、本発明に係る垂直磁気
記録媒体を「本発明媒体」、比較用の垂直磁気記録媒体
を「比較媒体」と呼ぶことにする。また、「表面粗さＲ
ａ」とは、膜表面における中心線平均粗さのことであ
る。なお、下地軟磁性膜がＦｅＳｉＡｌ膜であるものに
ついても、参考までに記載するが、便宜上「実施例」及
び「本発明媒体」と呼ぶことにする。
直磁気記録媒体を単に「媒体」、本発明に係る垂直磁気
記録媒体を「本発明媒体」、比較用の垂直磁気記録媒体
を「比較媒体」と呼ぶことにする。また、「表面粗さＲ
ａ」とは、膜表面における中心線平均粗さのことであ
る。なお、下地軟磁性膜がＦｅＳｉＡｌ膜であるものに
ついても、参考までに記載するが、便宜上「実施例」及
び「本発明媒体」と呼ぶことにする。
【００１３】
【実施例１】２．５インチのガラス基板上に、６インチ
φのＣｒ（３Ｎ）タ−ゲットを用いてスパッタ法によ
り、２０ｎｍのＣｒ膜及び１０ｎｍのＣｒ膜をそれぞれ
成膜した。成膜条件は、初期真空度５×１０-7ｍＴｏｒ
ｒにおいて、投入電力０．５ｋＷ、アルゴンガス圧４ｍ
Ｔｏｒｒ、成膜速度３ｎｍ／ｓｅｃとした。次に、６イ
ンチφのＦｅ85Ｓｉ9.6 Ａｌ 5.4 （ｗｔ％）のタ−ゲッ
トを用いて、各媒体上にそれぞれ同じ成膜条件でＦｅＳ
ｉＡｌ膜を５２０ｎｍ成膜した。続いて、Ｃｏ78Ｃｒ19
Ｔａ3 （ａｔ％）のタ−ゲットを用いて、同じ成膜条件
でＣｏＣｒＴａ膜を１００ｎｍ、各媒体上にそれぞれ成
膜した。ここで、１０ｎｍのＣｒ膜、２０ｎｍのＣｒ膜
を挿入した媒体を、それぞれ本発明媒体Ａ１、比較媒体
Ａ２とする。
φのＣｒ（３Ｎ）タ−ゲットを用いてスパッタ法によ
り、２０ｎｍのＣｒ膜及び１０ｎｍのＣｒ膜をそれぞれ
成膜した。成膜条件は、初期真空度５×１０-7ｍＴｏｒ
ｒにおいて、投入電力０．５ｋＷ、アルゴンガス圧４ｍ
Ｔｏｒｒ、成膜速度３ｎｍ／ｓｅｃとした。次に、６イ
ンチφのＦｅ85Ｓｉ9.6 Ａｌ 5.4 （ｗｔ％）のタ−ゲッ
トを用いて、各媒体上にそれぞれ同じ成膜条件でＦｅＳ
ｉＡｌ膜を５２０ｎｍ成膜した。続いて、Ｃｏ78Ｃｒ19
Ｔａ3 （ａｔ％）のタ−ゲットを用いて、同じ成膜条件
でＣｏＣｒＴａ膜を１００ｎｍ、各媒体上にそれぞれ成
膜した。ここで、１０ｎｍのＣｒ膜、２０ｎｍのＣｒ膜
を挿入した媒体を、それぞれ本発明媒体Ａ１、比較媒体
Ａ２とする。
【００１４】本発明媒体Ａ１及び比較媒体Ａ２及びの垂
直磁化膜の垂直配向性を調べるために、Ｘ線回折を用い
て、ｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値
幅（Δθ50）を求めた。図２に、各媒体の表面荒さＲａ
とともにその値を示す。Ｃｒ膜の膜厚を低減させること
によってＣｒ膜の表面平滑性が著しく向上し、その改善
効果によってＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性を向上できる
ことがわかる。そして、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の
向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−ク
のロッキングカ−ブの半値幅は７．０度から３．９度に
低減し、垂直磁化膜の垂直配向性の向上及び表面平滑性
の向上につながっていることがわかる。
直磁化膜の垂直配向性を調べるために、Ｘ線回折を用い
て、ｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値
幅（Δθ50）を求めた。図２に、各媒体の表面荒さＲａ
とともにその値を示す。Ｃｒ膜の膜厚を低減させること
によってＣｒ膜の表面平滑性が著しく向上し、その改善
効果によってＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性を向上できる
ことがわかる。そして、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の
向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）ピ−ク
のロッキングカ−ブの半値幅は７．０度から３．９度に
低減し、垂直磁化膜の垂直配向性の向上及び表面平滑性
の向上につながっていることがわかる。
【００１５】本発明媒体Ａ１、比較媒体Ａ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて記録再生の実験を行っ
た。ここで、記録トラック幅は４μｍ、再生トラック幅
は３μｍ、記録ギャップ長は０．４μｍ、再生ギャップ
長は０．３２μｍである。また、評価は、記録電流１０
ｍＡｏｐ、センス電流１２ｍＡ、周速度１２．７ｍ／
ｓ、浮上量４５ｎｍ、ノイズのバンド帯域４５ＭＨｚの
条件下で行った。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドを用いて記録再生の実験を行っ
た。ここで、記録トラック幅は４μｍ、再生トラック幅
は３μｍ、記録ギャップ長は０．４μｍ、再生ギャップ
長は０．３２μｍである。また、評価は、記録電流１０
ｍＡｏｐ、センス電流１２ｍＡ、周速度１２．７ｍ／
ｓ、浮上量４５ｎｍ、ノイズのバンド帯域４５ＭＨｚの
条件下で行った。
【００１６】図３に、媒体ノイズの記録密度依存性を示
す。本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比べて、全記録
密度において媒体ノイズが小さいので、ノイズ特性に非
常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ膜の膜厚低
減によるＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上により、垂
直磁化膜の初期層の膜厚を低減させることができ、その
ため低ノイズ化が実現されたものと考えられる。ＦｅＳ
ｉＡｌ膜は、もともと磁区構造が見えにくいため、磁壁
の移動に伴うノイズが発生しにくいという利点がある。
す。本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比べて、全記録
密度において媒体ノイズが小さいので、ノイズ特性に非
常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ膜の膜厚低
減によるＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性の向上により、垂
直磁化膜の初期層の膜厚を低減させることができ、その
ため低ノイズ化が実現されたものと考えられる。ＦｅＳ
ｉＡｌ膜は、もともと磁区構造が見えにくいため、磁壁
の移動に伴うノイズが発生しにくいという利点がある。
【００１７】図４に、再生出力電圧の記録密度依存性を
示す。本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比べ、記録密
度の増大に伴う出力の減衰が遅いので高記録密度まで高
出力を確保でき、高記録密度の実現が容易となる。図２
に示したように、垂直磁化膜の垂直配向性の向上が、出
力の記録密度依存性の向上につながったと考えられる。
示す。本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比べ、記録密
度の増大に伴う出力の減衰が遅いので高記録密度まで高
出力を確保でき、高記録密度の実現が容易となる。図２
に示したように、垂直磁化膜の垂直配向性の向上が、出
力の記録密度依存性の向上につながったと考えられる。
【００１８】図５に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を示
す。これより、本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比較
して、全記録密度において媒体ＳＮ比が２〜８ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ａ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
す。これより、本発明媒体Ａ１は、比較媒体Ａ２に比較
して、全記録密度において媒体ＳＮ比が２〜８ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ａ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００１９】図６及び図７に、Ｃｒ膜を１〜２０ｎｍの
間で変化させたときの、Ｃｒ膜の膜厚と表面粗さＲａ及
び媒体ノイズとの関係を示す。Ｃｒ膜の膜厚が１５〜１
７ｎｍを越えると、急激にＲａが増加することがわか
る。１５〜１７ｎｍを越える膜厚になると、膜表面の結
晶粒の成長に伴う表面平滑性の乱れが生じるからと考え
られる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激な増加が
見られる。また、Ｃｒ膜の膜厚を１〜２ｎｍと薄くしす
ぎてもＲａが増加する。１〜２ｎｍの膜厚では、基板上
に均一な膜が形成されず、島状構造となるため、表面平
滑性が悪化すると考えられ、それに伴う媒体ノイズの増
加が見られる。
間で変化させたときの、Ｃｒ膜の膜厚と表面粗さＲａ及
び媒体ノイズとの関係を示す。Ｃｒ膜の膜厚が１５〜１
７ｎｍを越えると、急激にＲａが増加することがわか
る。１５〜１７ｎｍを越える膜厚になると、膜表面の結
晶粒の成長に伴う表面平滑性の乱れが生じるからと考え
られる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激な増加が
見られる。また、Ｃｒ膜の膜厚を１〜２ｎｍと薄くしす
ぎてもＲａが増加する。１〜２ｎｍの膜厚では、基板上
に均一な膜が形成されず、島状構造となるため、表面平
滑性が悪化すると考えられ、それに伴う媒体ノイズの増
加が見られる。
【００２０】
【実施例２】実施例１において、Ｃｒ膜及びＦｅＳｉＡ
ｌ膜の成膜条件がアルゴンガス圧４ｍＴｏｒｒ、２０ｍ
Ｔｏｒｒである媒体を、それぞれ本発明媒体Ｂ１、比較
媒体Ｂ２とする。
ｌ膜の成膜条件がアルゴンガス圧４ｍＴｏｒｒ、２０ｍ
Ｔｏｒｒである媒体を、それぞれ本発明媒体Ｂ１、比較
媒体Ｂ２とする。
【００２１】本発明媒体Ｂ１、比較媒体Ｂ２の垂直磁化
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図８に、各媒体の表面
粗さＲａとともにその値を示す。図８からわかるよう
に、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時アルゴンガス圧を
低減させることによって、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の表
面平滑性を向上できることがわかる。そして、ＦｅＳｉ
Ａｌ膜の表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈ
ｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は１
５．６度から３．９度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向
性及び表面平滑性の向上につながっていることがわか
る。
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図８に、各媒体の表面
粗さＲａとともにその値を示す。図８からわかるよう
に、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時アルゴンガス圧を
低減させることによって、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の表
面平滑性を向上できることがわかる。そして、ＦｅＳｉ
Ａｌ膜の表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈ
ｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は１
５．６度から３．９度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向
性及び表面平滑性の向上につながっていることがわか
る。
【００２２】本発明媒体Ｂ１、比較媒体Ｂ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図９に、媒体ノイズの記録密度依存性を示
す。これより、本発明媒体Ｂ１は、比較媒体Ｂ２に比べ
て、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ特
性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ膜、
ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時のアルゴンガス圧を低減させる
ことによって、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性が
著しく向上し、実施例１と同様、低ノイズ化につながっ
たものと考えられる。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図９に、媒体ノイズの記録密度依存性を示
す。これより、本発明媒体Ｂ１は、比較媒体Ｂ２に比べ
て、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ特
性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ膜、
ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時のアルゴンガス圧を低減させる
ことによって、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性が
著しく向上し、実施例１と同様、低ノイズ化につながっ
たものと考えられる。
【００２３】図１０に、再生出力電圧の記録密度依存性
を示す。本発明媒体Ｂ１は、比較媒体Ｂ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
を示す。本発明媒体Ｂ１は、比較媒体Ｂ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
【００２４】図１１に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｂ１は、比較媒体Ｂ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が２〜８ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｂ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。これより、本発明媒体Ｂ１は、比較媒体Ｂ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が２〜８ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｂ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００２５】図１２及び図１３に、Ｃｒ膜をアルゴンガ
ス圧０．５〜４０ｍＴｏｒｒの間で変化させたときのＣ
ｒ膜成膜時アルゴンガス圧と、Ｒａ及び媒体ノイズとの
関係を示す。これによると、Ｃｒ膜成膜時アルゴンガス
圧が２０〜３０ｍＴｏｒｒを越えると、急激にＲａが増
加することがわかる。２０〜３０ｍＴｏｒｒを越えるア
ルゴンガス圧になると、先細りの柱状構造の成長に伴う
表面平滑性の乱れが生じるからと考えられる。そして、
それに伴う媒体ノイズの急激な増加が見られると考えら
れる。
ス圧０．５〜４０ｍＴｏｒｒの間で変化させたときのＣ
ｒ膜成膜時アルゴンガス圧と、Ｒａ及び媒体ノイズとの
関係を示す。これによると、Ｃｒ膜成膜時アルゴンガス
圧が２０〜３０ｍＴｏｒｒを越えると、急激にＲａが増
加することがわかる。２０〜３０ｍＴｏｒｒを越えるア
ルゴンガス圧になると、先細りの柱状構造の成長に伴う
表面平滑性の乱れが生じるからと考えられる。そして、
それに伴う媒体ノイズの急激な増加が見られると考えら
れる。
【００２６】
【実施例３】実施例１において、Ｃｒ膜及びＦｅＳｉＡ
ｌ膜が、成膜時投入電力０．５ｋｗ（成膜速度１３ｎｍ
／ｓ）、１ｋｗ（成膜速度２５ｎｍ／ｓ）で成膜された
媒体を、それぞれ本発明媒体Ｃ１、比較媒体Ｃ２とす
る。
ｌ膜が、成膜時投入電力０．５ｋｗ（成膜速度１３ｎｍ
／ｓ）、１ｋｗ（成膜速度２５ｎｍ／ｓ）で成膜された
媒体を、それぞれ本発明媒体Ｃ１、比較媒体Ｃ２とす
る。
【００２７】本発明媒体Ｃ１、比較媒体Ｃ２の垂直磁化
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図１４に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図１４からわかるよ
うに、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時投入電力を低減
させることによって、Ｃｒ膜及びＦｅＳｉＡｌ膜の表面
平滑性を向上できることがわかる。そして、ＦｅＳｉＡ
ｌ膜の表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃ
ｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は９．
９度から３．９度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向性及
び表面平滑性の向上につながっていることがわかる。
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図１４に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図１４からわかるよ
うに、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時投入電力を低減
させることによって、Ｃｒ膜及びＦｅＳｉＡｌ膜の表面
平滑性を向上できることがわかる。そして、ＦｅＳｉＡ
ｌ膜の表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃ
ｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は９．
９度から３．９度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向性及
び表面平滑性の向上につながっていることがわかる。
【００２８】本発明媒体Ｃ１、比較媒体Ｃ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図１５に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｃ１は、比較媒体Ｃ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ
膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時投入電力を低減させること
によって、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性が著し
く向上し、実施例１と同様、低ノイズ化につながったも
のと考えられる。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図１５に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｃ１は、比較媒体Ｃ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ
膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の成膜時投入電力を低減させること
によって、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉＡｌ膜の表面平滑性が著し
く向上し、実施例１と同様、低ノイズ化につながったも
のと考えられる。
【００２９】図１６に、再生出力電圧の記録密度依存性
を示す。本発明媒体Ｃ１は、比較媒体Ｃ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
を示す。本発明媒体Ｃ１は、比較媒体Ｃ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
【００３０】図１７に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｃ１は、比較媒体Ｃ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が１〜６ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｃ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。これより、本発明媒体Ｃ１は、比較媒体Ｃ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が１〜６ｄＢ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｃ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００３１】図１８及び図１９に、Ｃｒ膜を成膜速度
０．１ｎｍ／ｓ〜２５ｎｍ／ｓの間で変化させたときの
成膜速度と、Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示す。これ
によると、成膜速度が１８〜２０ｎｍ／ｓを越えると、
急激にＲａが増加することがわかる。１８〜２０ｎｍ／
ｓを越える成膜速度になると、成膜速度の成長に伴う膜
表面の粒径の成長により、表面平滑性の乱れが生じるか
らと考えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激
な増加が見られると考えられる。
０．１ｎｍ／ｓ〜２５ｎｍ／ｓの間で変化させたときの
成膜速度と、Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示す。これ
によると、成膜速度が１８〜２０ｎｍ／ｓを越えると、
急激にＲａが増加することがわかる。１８〜２０ｎｍ／
ｓを越える成膜速度になると、成膜速度の成長に伴う膜
表面の粒径の成長により、表面平滑性の乱れが生じるか
らと考えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激
な増加が見られると考えられる。
【００３２】
【実施例４】実施例１においてＦｅＳｉＡｌ膜の代わり
にＦｅＴａＮ膜を用い、実施例１において本発明媒体Ａ
１、比較媒体Ａ２に相当する媒体を、それぞれ本発明媒
体Ｄ１、比較媒体Ｄ２とする。
にＦｅＴａＮ膜を用い、実施例１において本発明媒体Ａ
１、比較媒体Ａ２に相当する媒体を、それぞれ本発明媒
体Ｄ１、比較媒体Ｄ２とする。
【００３３】本発明媒体Ｄ１、比較媒体Ｄ２の垂直磁化
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図２０に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。実施例１で述べたよ
うに、Ｃｒ膜の膜厚を低減させることによってＣｒ膜の
表面平滑性が著しく向上する。そして、その改善効果に
よってＦｅＴａＮ膜の表面平滑性を向上できることがわ
かる。そして、実施例１と同様、ＦｅＴａＮ膜の表面平
滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）
ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は６．８度から３．
６度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向性の向上及び表面
平滑性の向上につながっていることがわかる。
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図２０に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。実施例１で述べたよ
うに、Ｃｒ膜の膜厚を低減させることによってＣｒ膜の
表面平滑性が著しく向上する。そして、その改善効果に
よってＦｅＴａＮ膜の表面平滑性を向上できることがわ
かる。そして、実施例１と同様、ＦｅＴａＮ膜の表面平
滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（００２）
ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は６．８度から３．
６度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向性の向上及び表面
平滑性の向上につながっていることがわかる。
【００３４】本発明媒体Ｄ１、比較媒体Ｄ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図２１に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、実施例
１と同様、Ｃｒ膜の膜厚低減によるＦｅＴａＮ膜の表面
平滑性の向上により、垂直磁化膜の初期層の膜厚を低減
させることができ、低ノイズ化が実現されたものと考え
られる。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図２１に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、実施例
１と同様、Ｃｒ膜の膜厚低減によるＦｅＴａＮ膜の表面
平滑性の向上により、垂直磁化膜の初期層の膜厚を低減
させることができ、低ノイズ化が実現されたものと考え
られる。
【００３５】図２２に、再生出力信号の記録密度依存性
を示す。本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅く、高記録密度まで高
出力を確保でき、高記録密度の実現が容易となる。実施
例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性の向上が、出力の
記録密度依存性の向上につながったと考えられる。
を示す。本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅く、高記録密度まで高
出力を確保でき、高記録密度の実現が容易となる。実施
例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性の向上が、出力の
記録密度依存性の向上につながったと考えられる。
【００３６】図２３に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比
べて全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが２〜５ｄＢ良好で
あり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れて
いることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｄ１を用いる
ことにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。これより、本発明媒体Ｄ１は、比較媒体Ｄ２に比
べて全記録密度において媒体Ｓ／Ｎが２〜５ｄＢ良好で
あり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れて
いることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｄ１を用いる
ことにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００３７】図２４及び図２５に、Ｃｒ膜を１〜２０ｎ
ｍの間で変化させたときの、Ｃｒ膜の膜厚と表面粗さＲ
ａ及び媒体ノイズとの関係を示す。Ｃｒ膜の膜厚が１５
〜１７ｎｍを越えると、急激にＲａが増加することがわ
かる。１５〜１７ｎｍを越える膜厚になると、膜表面の
結晶粒の成長に伴う表面平滑性の乱れが生じるからと考
えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激な増加
が見られる。また、Ｃｒ膜の膜厚を１〜２ｎｍと薄くし
すぎてもＲａが増加する。１〜２ｎｍの膜厚では、基板
上に均一な膜が形成されず、島状構造となるため、表面
平滑性が悪化すると考えられ、それに伴う媒体ノイズの
増加が見られる。
ｍの間で変化させたときの、Ｃｒ膜の膜厚と表面粗さＲ
ａ及び媒体ノイズとの関係を示す。Ｃｒ膜の膜厚が１５
〜１７ｎｍを越えると、急激にＲａが増加することがわ
かる。１５〜１７ｎｍを越える膜厚になると、膜表面の
結晶粒の成長に伴う表面平滑性の乱れが生じるからと考
えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激な増加
が見られる。また、Ｃｒ膜の膜厚を１〜２ｎｍと薄くし
すぎてもＲａが増加する。１〜２ｎｍの膜厚では、基板
上に均一な膜が形成されず、島状構造となるため、表面
平滑性が悪化すると考えられ、それに伴う媒体ノイズの
増加が見られる。
【００３８】
【実施例５】実施例１において、ＦｅＳｉＡｌの代わり
にＦｅＴａＮを用い、Ｃｒ膜及びＦｅＴａＮ膜の成膜条
件がアルゴンガス圧４ｍＴｏｒｒ、２０ｍＴｏｒｒであ
る媒体を、それぞれ本発明媒体Ｅ１、比較媒体Ｅ２とす
る。
にＦｅＴａＮを用い、Ｃｒ膜及びＦｅＴａＮ膜の成膜条
件がアルゴンガス圧４ｍＴｏｒｒ、２０ｍＴｏｒｒであ
る媒体を、それぞれ本発明媒体Ｅ１、比較媒体Ｅ２とす
る。
【００３９】本発明媒体Ｅ１、比較媒体Ｅ２の垂直磁化
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図２６に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図２６からわかるよ
うに、Ｃｒ膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時アルゴンガス圧を
低減させることによって、Ｃｒ膜、ＦｅＴａＮ膜の表面
平滑性を向上できることがわかる。そして、ＦｅＴａＮ
膜の表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ
（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は１２．
６度から３．６度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向性及
び表面平滑性の向上につながっていることがわかる。
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図２６に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図２６からわかるよ
うに、Ｃｒ膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時アルゴンガス圧を
低減させることによって、Ｃｒ膜、ＦｅＴａＮ膜の表面
平滑性を向上できることがわかる。そして、ＦｅＴａＮ
膜の表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ
（００２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は１２．
６度から３．６度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向性及
び表面平滑性の向上につながっていることがわかる。
【００４０】本発明媒体Ｅ１、比較媒体Ｅ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図２７に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ
膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時のアルゴンガス圧を低減させ
ることによって、Ｃｒ膜、ＦｅＴａＮ膜の表面平滑性が
著しく向上し、実施例１と同様、低ノイズ化につながっ
たものと考えられる。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図２７に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ
膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時のアルゴンガス圧を低減させ
ることによって、Ｃｒ膜、ＦｅＴａＮ膜の表面平滑性が
著しく向上し、実施例１と同様、低ノイズ化につながっ
たものと考えられる。
【００４１】図２８に、再生出力電圧の記録密度依存性
を示す。本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
を示す。本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
【００４２】図２９に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が２〜８ｄＥ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｅ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。これより、本発明媒体Ｅ１は、比較媒体Ｅ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が２〜８ｄＥ良好
であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優れ
ていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｅ１を用い
ることにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００４３】図３０及び図３１に、Ｃｒ膜をアルゴンガ
ス圧０．５〜４０ｍＴｏｒｒの間で変化させたときのＣ
ｒ膜成膜時アルゴンガス圧と、Ｒａ及び媒体ノイズとの
関係を示す。これによると、Ｃｒ膜成膜時アルゴンガス
圧が２０〜３０ｍＴｏｒｒを越えると、急激にＲａが増
加することがわかる。２０〜３０ｍＴｏｒｒを越えるア
ルゴンガス圧になると、先細りの柱状構造の成長に伴う
表面平滑性の乱れが生じるからと考えられる。そして、
それに伴う媒体ノイズの急激な増加が見られると考えら
れる。
ス圧０．５〜４０ｍＴｏｒｒの間で変化させたときのＣ
ｒ膜成膜時アルゴンガス圧と、Ｒａ及び媒体ノイズとの
関係を示す。これによると、Ｃｒ膜成膜時アルゴンガス
圧が２０〜３０ｍＴｏｒｒを越えると、急激にＲａが増
加することがわかる。２０〜３０ｍＴｏｒｒを越えるア
ルゴンガス圧になると、先細りの柱状構造の成長に伴う
表面平滑性の乱れが生じるからと考えられる。そして、
それに伴う媒体ノイズの急激な増加が見られると考えら
れる。
【００４４】
【実施例６】実施例１において、ＦｅＳｉＡｌ膜の代わ
りにＦｅＴａＮ膜を用い、Ｃｒ膜及びＦｅＴａＮ膜が、
成膜時投入電力０．５ｋｗ（成膜速度１３ｎｍ／ｓ）、
１ｋｗ（成膜速度２５ｎｍ／ｓ）で成膜された媒体を、
それぞれ本発明媒体Ｆ１、比較媒体Ｆ２とする。
りにＦｅＴａＮ膜を用い、Ｃｒ膜及びＦｅＴａＮ膜が、
成膜時投入電力０．５ｋｗ（成膜速度１３ｎｍ／ｓ）、
１ｋｗ（成膜速度２５ｎｍ／ｓ）で成膜された媒体を、
それぞれ本発明媒体Ｆ１、比較媒体Ｆ２とする。
【００４５】本発明媒体Ｆ１、比較媒体Ｆ２の垂直磁化
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図３２に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図３２からわかるよ
うに、Ｃｒ膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時投入電力を低減さ
せることによって、Ｃｒ膜及びＦｅＴａＮ膜の表面平滑
性を向上できることがわかる。そして、ＦｅＴａＮ膜の
表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（０
０２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は１０．９度
から３．６度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向性及び表
面平滑性の向上につながっていることがわかる。
膜の垂直配向性を調べるために、実施例１と同様、Ｘ線
回折を用いてｈｃｐ（００２）ピ−クのロッキングカ−
ブの半値幅（Δθ50）を求めた。図３２に、各媒体の表
面粗さＲａとともにその値を示す。図３２からわかるよ
うに、Ｃｒ膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時投入電力を低減さ
せることによって、Ｃｒ膜及びＦｅＴａＮ膜の表面平滑
性を向上できることがわかる。そして、ＦｅＴａＮ膜の
表面平滑性の向上により、ＣｏＣｒＴａ膜のｈｃｐ（０
０２）ピ−クのロッキングカ−ブの半値幅は１０．９度
から３．６度に低減し、垂直磁化膜の垂直配向性及び表
面平滑性の向上につながっていることがわかる。
【００４６】本発明媒体Ｆ１、比較媒体Ｆ２について、
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図３３に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ
膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時投入電力を低減させることに
よって、Ｃｒ膜、ＦｅＴａＮ膜の表面平滑性が著しく向
上し、実施例１と同様、低ノイズ化につながったものと
考えられる。
ＩＤ／ＭＲ複合ヘッドで実施例１と同様に記録再生の実
験を行った。図３３に、媒体ノイズの記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比
べて、全記録密度において媒体ノイズが小さく、ノイズ
特性が非常に優れていることがわかる。つまり、Ｃｒ
膜、ＦｅＴａＮ膜の成膜時投入電力を低減させることに
よって、Ｃｒ膜、ＦｅＴａＮ膜の表面平滑性が著しく向
上し、実施例１と同様、低ノイズ化につながったものと
考えられる。
【００４７】図３４に、再生出力電圧の記録密度依存性
を示す。本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
を示す。本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比べ、記録
密度の増大に伴う出力の減衰が遅れることから、高記録
密度まで高出力を確保できるので、高記録密度の実現が
容易となる。実施例１と同様、垂直磁化膜の垂直配向性
の向上が、出力の記録密度依存性の向上につながったと
考えられる。
【００４８】図３５に、媒体ＳＮ比の記録密度依存性を
示す。これより、本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が１〜１０ｄＢ良
好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優
れていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｆ１を用
いることにより、高記録密度の実現が容易となる。
示す。これより、本発明媒体Ｆ１は、比較媒体Ｆ２に比
べて、全記録密度において媒体ＳＮ比が１〜１０ｄＢ良
好であり、高記録密度対応の磁気ディスク媒体として優
れていることがわかる。すなわち、本発明媒体Ｆ１を用
いることにより、高記録密度の実現が容易となる。
【００４９】図３６及び図３７に、Ｃｒ膜を成膜速度
０．１ｎｍ／ｓ〜２５ｎｍ／ｓの間で変化させたときの
成膜速度と、Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示す。これ
によると、成膜速度が１８〜２０ｎｍ／ｓを越えると、
急激にＲａが増加することがわかる。１８〜２０ｎｍ／
ｓを越える成膜速度になると、成膜速度の成長に伴う膜
表面の粒径の成長により、表面平滑性の乱れが生じるか
らと考えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激
な増加が見られると考えられる。
０．１ｎｍ／ｓ〜２５ｎｍ／ｓの間で変化させたときの
成膜速度と、Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示す。これ
によると、成膜速度が１８〜２０ｎｍ／ｓを越えると、
急激にＲａが増加することがわかる。１８〜２０ｎｍ／
ｓを越える成膜速度になると、成膜速度の成長に伴う膜
表面の粒径の成長により、表面平滑性の乱れが生じるか
らと考えられる。そして、それに伴う媒体ノイズの急激
な増加が見られると考えられる。
【００５０】
【発明の効果】本発明に係る垂直磁気記録媒体及びその
製造方法によれば、特定の膜厚を有するＣｒ膜を基板と
下地軟磁性膜との間に挿入したことにより、下地軟磁性
膜の表面平滑性を著しく向上できるので、垂直磁化膜の
垂直配向性及び表面平滑性を向上できる。したがって、
媒体ノイズを低下できるので、再生出力信号の記録密度
依存性を向上できる。
製造方法によれば、特定の膜厚を有するＣｒ膜を基板と
下地軟磁性膜との間に挿入したことにより、下地軟磁性
膜の表面平滑性を著しく向上できるので、垂直磁化膜の
垂直配向性及び表面平滑性を向上できる。したがって、
媒体ノイズを低下できるので、再生出力信号の記録密度
依存性を向上できる。
【図１】本発明に係る垂直磁気記録媒体の一実施形態を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施例１における、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉ
Ａｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
Ａｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
【図３】本発明の実施例１における、媒体ノイズの記録
密度依存性を示すグラフである。
密度依存性を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例１における、再生出力電圧の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例１における、媒体ＳＮ比の記録
密度依存性を示すグラフである。
密度依存性を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例１における、Ｃｒ膜の膜厚とＲ
ａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
ａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
【図７】本発明の実施例１における、Ｃｒ膜の膜厚とＲ
ａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
ａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
【図８】本発明の実施例２における、Ｃｒ膜、ＦｅＳｉ
Ａｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
Ａｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
【図９】本発明の実施例２における、媒体ノイズの記録
密度依存性を示すグラフである。
密度依存性を示すグラフである。
【図１０】本発明の実施例２における、再生出力電圧の
記録密度依存性を示すグラフである。
記録密度依存性を示すグラフである。
【図１１】本発明の実施例２における、媒体ＳＮ比の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図１２】本発明の実施例２における、Ｃｒ膜成膜時の
アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図
表である。
アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図
表である。
【図１３】本発明の実施例２における、Ｃｒ膜成膜時の
アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグ
ラフである。
アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグ
ラフである。
【図１４】本発明の実施例３における、Ｃｒ膜、ＦｅＳ
ｉＡｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ
膜の垂直配向性を示す図表である。
ｉＡｌ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ
膜の垂直配向性を示す図表である。
【図１５】本発明の実施例３における、媒体ノイズの記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図１６】本発明の実施例３における、再生出力電圧の
記録密度依存性を示すグラフである。
記録密度依存性を示すグラフである。
【図１７】本発明の実施例３における、媒体ＳＮ比の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図１８】本発明の実施例３における、Ｃｒ膜の成膜速
度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
【図１９】本発明の実施例３における、Ｃｒ膜の成膜速
度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
【図２０】本発明の実施例４における、Ｃｒ膜、ＦｅＴ
ａＮ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
ａＮ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
【図２１】本発明の実施例４における、媒体ノイズの記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図２２】本発明の実施例４における、再生出力電圧の
記録密度依存性を示すグラフである。
記録密度依存性を示すグラフである。
【図２３】本発明の実施例４における、媒体ＳＮ比の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図２４】本発明の実施例４における、Ｃｒ膜の膜厚と
Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
【図２５】本発明の実施例４における、Ｃｒ膜の膜厚と
Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
Ｒａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
【図２６】本発明の実施例５における、Ｃｒ膜、ＦｅＴ
ａＮ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
ａＮ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
【図２７】本発明の実施例５における、媒体ノイズの記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図２８】本発明の実施例５における、再生出力電圧の
記録密度依存性を示すグラフである。
記録密度依存性を示すグラフである。
【図２９】本発明の実施例５における、媒体ＳＮ比の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図３０】本発明の実施例５における、Ｃｒ膜成膜時の
アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図
表である。
アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図
表である。
【図３１】本発明の実施例５における、Ｃｒ膜成膜時の
アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグ
ラフである。
アルゴンガス圧とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグ
ラフである。
【図３２】本発明の実施例６における、Ｃｒ膜、ＦｅＴ
ａＮ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
ａＮ膜、ＣｏＣｒＴａ膜の表面粗さ及びＣｏＣｒＴａ膜
の垂直配向性を示す図表である。
【図３３】本発明の実施例６における、媒体ノイズの記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図３４】本発明の実施例６における、再生出力電圧の
記録密度依存性を示すグラフである。
記録密度依存性を示すグラフである。
【図３５】本発明の実施例６における、媒体ＳＮ比の記
録密度依存性を示すグラフである。
録密度依存性を示すグラフである。
【図３６】本発明の実施例６における、Ｃｒ膜の成膜速
度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示す図表である。
【図３７】本発明の実施例６における、Ｃｒ膜の成膜速
度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
度とＲａ及び媒体ノイズとの関係を示すグラフである。
【図３８】従来の垂直磁気記録媒体を示す概略断面図で
ある。
ある。
１０ 垂直磁気記録媒体 １２ 基板 １４ Ｃｒ膜 １６ 下地軟磁性膜 １８ 垂直磁化膜 ｔ 膜厚
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−317922（ＪＰ，Ａ) Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ｍａｇ ｎｅｔｉｃｓ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ Ｖｏｌ．21，Ｓｕｐｐｌｅ ｍｅｎｔ，Ｎｏ．Ｓ２（1997），ｐｐ. 517−520 「Ｍｅｄｉａ Ｎｏｉｓｅ Ｃｈａｒ ａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ＣｏＣ ｒＴａ／ＦｅＳｉＡｌ Ｐｅｒｐｅｎｄ ｉｃｕｌａｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅ ｃｏｒｄｉｎｇ Ｍｅｄｉａ」
Claims (15)
- 【請求項１】 下地軟磁性膜と垂直磁化膜とがこの順に
基板上に形成された垂直磁気記録媒体において、 前記基板と前記下地軟磁性膜との間に、１ｎｍをこえ１
７ｎｍ未満の膜厚を有するＣｒ膜が挿入され、 前記下地軟磁性膜がＦｅＴａＮ膜である、 ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 下地軟磁性膜と垂直磁化膜とがこの順に
基板上に形成された垂直磁気記録媒体において、 前記基板と前記下地軟磁性膜との間に、２ｎｍ以上かつ
１５ｎｍ以下の膜厚を有するＣｒ膜が挿入され、 前記下地軟磁性膜がＦｅＴａＮ膜である、 ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記下地軟磁性膜表面の中心線平均粗さ
が２ｎｍ以下である、請求項１又は２記載の垂直磁気記
録媒体。 - 【請求項４】 前記下地軟磁性膜表面の中心線平均粗さ
が０．９ｎｍ以下である、請求項１又は２記載の垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項５】 前記下地軟磁性膜表面の中心線平均粗さ
が０．５ｎｍ以下である、請求項１又は２記載の垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項６】 前記Ｃｒ膜が２０ｍＴｏｒｒ未満のガス
圧でスパッタ成膜されたものである、請求項１，２，
３，４又は５記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記Ｃｒ膜が１８ｍＴｏｒｒ以下のガス
圧でスパッタ成膜されたものである、請求項１，２，
３，４又は５記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記Ｃｒ膜が２０ｎｍ／ｓ未満の成膜速
度でスパッタ成膜されたものである、請求項１，２，
３，４又は５記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記Ｃｒ膜が１８ｎｍ／ｓ以下の成膜速
度でスパッタ成膜されたものである請求項１，２，３，
４又は５記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記スパッタ成膜に使用されたガスが
アルゴンである、請求項６，７，８又は９記載の垂直磁
気記録媒体。 - 【請求項１１】 ２０ｍＴｏｒｒ未満のガス圧で前記基
板上に前記Ｃｒ膜をスパッタ成膜し、このＣｒ膜上に前
記下地軟磁性膜を成膜し、この下地軟磁性膜上に前記垂
直磁化膜を成膜する、請求項６記載の垂直磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項１２】 １８ｍＴｏｒｒ以下のガス圧で前記基
板上に前記Ｃｒ膜をスパッタ成膜し、このＣｒ膜上に前
記下地軟磁性膜を成膜し、この下地軟磁性膜上に前記垂
直磁化膜を成膜する、請求項７記載の垂直磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項１３】 ２０ｎｍ／ｓ未満の成膜速度で前記基
板上に前記Ｃｒ膜をスパッタ成膜し、このＣｒ膜上に前
記下地軟磁性膜を成膜し、この下地軟磁性膜上に前記垂
直磁化膜を成膜する、請求項８記載の垂直磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項１４】 １８ｎｍ／ｓ以下の成膜速度で前記基
板上に前記Ｃｒ膜をスパッタ成膜し、このＣｒ膜上に前
記下地軟磁性膜を成膜し、この下地軟磁性膜上に前記垂
直磁化膜を成膜する、請求項９記載の垂直磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項１５】 前記スパッタ成膜に使用されるガスが
アルゴンである、請求項１１，１２，１３又は１４記載
の垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003310A JP3080059B2 (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
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| KR1019980043373A KR100319502B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-10-16 | 수직자기기록매체및그제조공정 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003310A JP3080059B2 (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH11203654A JPH11203654A (ja) | 1999-07-30 |
| JP3080059B2 true JP3080059B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=11553796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10003310A Expired - Lifetime JP3080059B2 (ja) | 1997-12-18 | 1998-01-09 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3080059B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101958186B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2019-03-14 | 박수익 | 끈 조절고리부를 포함하는 상의 |
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| JP4583659B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2010-11-17 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
| JP2003099912A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Ken Takahashi | 垂直磁気記録媒体、その製造方法及び製造装置、並びに磁気記録装置 |
| JP2003288713A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Ken Takahashi | 垂直磁気記録媒体とそれを備えた磁気記録装置及び垂直磁気記録媒体の製造方法並びに製造装置 |
| CN100411016C (zh) * | 2003-09-26 | 2008-08-13 | Tdk股份有限公司 | 磁记录介质及其制造方法 |
| JP4798520B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2011-10-19 | 富士電機株式会社 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
-
1998
- 1998-01-09 JP JP10003310A patent/JP3080059B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 「Ｍｅｄｉａ Ｎｏｉｓｅ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ＣｏＣｒＴａ／ＦｅＳｉＡｌ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍｅｄｉａ」 |
| Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ Ｖｏｌ．２１，Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ，Ｎｏ．Ｓ２（１９９７），ｐｐ．５１７−５２０ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101958186B1 (ko) * | 2017-03-27 | 2019-03-14 | 박수익 | 끈 조절고리부를 포함하는 상의 |
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