JP3018551B2 - 面内磁気記録媒体 - Google Patents
面内磁気記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面内磁気記録媒体に係
り、特に磁性膜の結晶粒の結晶学的配向性が高密度磁気
記録に適するように改良された面内磁気記録媒体に関す
る。
り、特に磁性膜の結晶粒の結晶学的配向性が高密度磁気
記録に適するように改良された面内磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】高密度磁気記録を実現するために、連続
磁性膜を磁気記録媒体に用いる研究開発が進められてい
る。これらの磁気記録媒体は高分子フィルム、ＮｉＰ膜
を被覆したアルミニウム、ガラスなどの非磁性材料より
なる基板上に、高周波スパッタリング法、イオンビ−ム
スパッタ法、真空蒸着法、電気メッキ法、あるいは化学
メッキ法などで強磁性金属のＣｏやＣｏ合金からなる薄
膜を形成したものである。
磁性膜を磁気記録媒体に用いる研究開発が進められてい
る。これらの磁気記録媒体は高分子フィルム、ＮｉＰ膜
を被覆したアルミニウム、ガラスなどの非磁性材料より
なる基板上に、高周波スパッタリング法、イオンビ−ム
スパッタ法、真空蒸着法、電気メッキ法、あるいは化学
メッキ法などで強磁性金属のＣｏやＣｏ合金からなる薄
膜を形成したものである。
【０００３】このような磁気記録媒体においては、磁性
膜の結晶構造と磁気特性との間に密接な関係があり、磁
気記録の記録密度や再生出力を上げるために磁性膜の改
良が種々試みられている。
膜の結晶構造と磁気特性との間に密接な関係があり、磁
気記録の記録密度や再生出力を上げるために磁性膜の改
良が種々試みられている。
【０００４】面内磁気異方性を持つ磁性膜の微細構造を
改良し記録再生特性を向上させるために、基板と磁性膜
の間に下地層を設ける方法が検討されている。例えば、
特開昭６２−２５７６１７にはＣｏ−Ｐｔ系磁性膜の下
地層としてＷ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｖのいずれかの膜を形成す
る方法が、特開昭６２−２５７６１８には下地層として
Ｖ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｒ合金材料を用いる方法が、特開昭
６３−１０６９１７にはＣｏ，Ｎｉ，ＣｒおよびＰｔか
らなる磁性膜の下地層としてＣｒ，Ｈｏ，Ｔｉ，Ｔａ等
の非磁性材料の膜を形成する方法が、特開昭６３−１８
７４１４にはＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ磁性膜の下地層としてＣ
ｒまたはＣｒ−Ｖ合金材料を用いる方法が開示されてい
る。
改良し記録再生特性を向上させるために、基板と磁性膜
の間に下地層を設ける方法が検討されている。例えば、
特開昭６２−２５７６１７にはＣｏ−Ｐｔ系磁性膜の下
地層としてＷ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｖのいずれかの膜を形成す
る方法が、特開昭６２−２５７６１８には下地層として
Ｖ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｒ合金材料を用いる方法が、特開昭
６３−１０６９１７にはＣｏ，Ｎｉ，ＣｒおよびＰｔか
らなる磁性膜の下地層としてＣｒ，Ｈｏ，Ｔｉ，Ｔａ等
の非磁性材料の膜を形成する方法が、特開昭６３−１８
７４１４にはＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ磁性膜の下地層としてＣ
ｒまたはＣｒ−Ｖ合金材料を用いる方法が開示されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】高密度磁気記録が可能
で再生出力の大きい面内磁気記録媒体としては、磁性膜
の保磁力（Ｈｃ），飽和磁化（Ｍｓ）が大きいことに加
えて、残留磁化率（Ｍｒ／Ｍｓ）が大きいこと、磁気異
方性の分散が小さいことが必要である。上記の公知技術
ではＨｃとＭｓが大きい磁気記録媒体を形成することは
ある程度可能であるが、残留磁化率が大きくてしかも磁
気異方性の分散が小さい媒体を形成するには不十分であ
る。残留磁化率、磁気異方性の分散は磁性薄膜を構成す
る結晶粒径分布、結晶粒の磁化容易軸分布と相関があ
り、結晶粒径が揃っていて、かつ、結晶粒の磁化容易軸
がほぼ面内方向に揃っていることが必要である。さら
に、高密度磁気記録実現のためには磁性薄膜を構成する
結晶粒が互いに磁気的に分離されているほうが望まし
い。本発明は、保磁力、飽和磁化、残留磁化率が大きく
てしかも磁気異方性の分散が小さい、高密度磁気記録に
適した面内磁気記録媒体を提供することを目的とする。
で再生出力の大きい面内磁気記録媒体としては、磁性膜
の保磁力（Ｈｃ），飽和磁化（Ｍｓ）が大きいことに加
えて、残留磁化率（Ｍｒ／Ｍｓ）が大きいこと、磁気異
方性の分散が小さいことが必要である。上記の公知技術
ではＨｃとＭｓが大きい磁気記録媒体を形成することは
ある程度可能であるが、残留磁化率が大きくてしかも磁
気異方性の分散が小さい媒体を形成するには不十分であ
る。残留磁化率、磁気異方性の分散は磁性薄膜を構成す
る結晶粒径分布、結晶粒の磁化容易軸分布と相関があ
り、結晶粒径が揃っていて、かつ、結晶粒の磁化容易軸
がほぼ面内方向に揃っていることが必要である。さら
に、高密度磁気記録実現のためには磁性薄膜を構成する
結晶粒が互いに磁気的に分離されているほうが望まし
い。本発明は、保磁力、飽和磁化、残留磁化率が大きく
てしかも磁気異方性の分散が小さい、高密度磁気記録に
適した面内磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するのに
以下の方法を用いれば良いことが本発明者の実験の結果
明らかになった。すなはち、第１の方法は、非磁性の基
板上にｂ．ｃ．ｃ．（ｂｏｄｙ ｃｅｎｔｅｒｅｄ ｃ
ｕｂｉｃ）構造を持つ第１下地層、ｈ．ｃ．ｐ．（ｈｅ
ｘａｇｏｎａｌ ｃｌｏｓｅｄ ｐａｃｋｅｄ）構造を
持つ第２下地層、ＣｏもしくはＣｏ基合金からなる磁性
薄膜をこの順序で形成する。ここで、Ｃｏ基合金とはＣ
ｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｐｄ，Ｃｏ
−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｔａ等の２元系合金、あるいはこれらの
２元系合金に第３元素を加えたＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔなどの３元系合金、あ
るいはこれら２元系合金に２種以上の元素を添加した多
元系合金で、各合金に着目した場合Ｃｏの比率が最も大
きく、かつ、Ｃｏと同じｈ．ｃ．ｐ．構造をとりやすい
ことを特徴とする合金のことである。ここで、第１下地
層および第２下地層は非磁性材料からなるほうが好まし
いが、磁性薄膜の飽和磁化、保磁力に比べ数倍以上小さ
い飽和磁化、保磁力を持つ材料であれば磁性材料であっ
ても良い。ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第１下地層材料とし
ては、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，もしくはこれ
らの元素を主成分とする合金等がある。ｈ．ｃ．ｐ．構
造を持つ第２下地層材料としては、Ｒｕ，Ｒｅ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｃのいずれかもしくはこれらの元素を主
成分とする合金等がある。第１下地層を形成する膜の優
先成長方位は［１１０］、第２下地層を形成する膜の優
先成長方位は［１１０］であればさらに望ましい。優先
成長方位とは、膜のＸ線回折図形を測定したとき上記成
長方位に対応する回折線の強度が他の回折線の強度に比
べ大きいことを意味し、ミクロ構造的には膜を構成する
結晶粒の成長方位が上記方位を概ね向いていることに対
応する。
以下の方法を用いれば良いことが本発明者の実験の結果
明らかになった。すなはち、第１の方法は、非磁性の基
板上にｂ．ｃ．ｃ．（ｂｏｄｙ ｃｅｎｔｅｒｅｄ ｃ
ｕｂｉｃ）構造を持つ第１下地層、ｈ．ｃ．ｐ．（ｈｅ
ｘａｇｏｎａｌ ｃｌｏｓｅｄ ｐａｃｋｅｄ）構造を
持つ第２下地層、ＣｏもしくはＣｏ基合金からなる磁性
薄膜をこの順序で形成する。ここで、Ｃｏ基合金とはＣ
ｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｒｅ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｐｄ，Ｃｏ
−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｔａ等の２元系合金、あるいはこれらの
２元系合金に第３元素を加えたＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ，Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔなどの３元系合金、あ
るいはこれら２元系合金に２種以上の元素を添加した多
元系合金で、各合金に着目した場合Ｃｏの比率が最も大
きく、かつ、Ｃｏと同じｈ．ｃ．ｐ．構造をとりやすい
ことを特徴とする合金のことである。ここで、第１下地
層および第２下地層は非磁性材料からなるほうが好まし
いが、磁性薄膜の飽和磁化、保磁力に比べ数倍以上小さ
い飽和磁化、保磁力を持つ材料であれば磁性材料であっ
ても良い。ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第１下地層材料とし
ては、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，もしくはこれ
らの元素を主成分とする合金等がある。ｈ．ｃ．ｐ．構
造を持つ第２下地層材料としては、Ｒｕ，Ｒｅ，Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｃのいずれかもしくはこれらの元素を主
成分とする合金等がある。第１下地層を形成する膜の優
先成長方位は［１１０］、第２下地層を形成する膜の優
先成長方位は［１１０］であればさらに望ましい。優先
成長方位とは、膜のＸ線回折図形を測定したとき上記成
長方位に対応する回折線の強度が他の回折線の強度に比
べ大きいことを意味し、ミクロ構造的には膜を構成する
結晶粒の成長方位が上記方位を概ね向いていることに対
応する。
【０００７】第２の方法は、非磁性の基板上にｈ．ｃ．
ｐ．構造を持つ第１下地層、ｂ．ｃ．ｃ．構造を第２下
地層、ＣｏもしくはＣｏ基合金からなる磁性薄膜をこの
順序で形成する。この場合、第１下地層膜の優先成長方
位は［００１］もしくは［０１１］であるほうが望まし
い。
ｐ．構造を持つ第１下地層、ｂ．ｃ．ｃ．構造を第２下
地層、ＣｏもしくはＣｏ基合金からなる磁性薄膜をこの
順序で形成する。この場合、第１下地層膜の優先成長方
位は［００１］もしくは［０１１］であるほうが望まし
い。
【０００８】第３の方法は、上記２つの方法の組合せ形
態、すなはち、非磁性の基板上にｈ．ｃ．ｐ．構造を持
つ第１下地層、ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第２下地層、
ｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ第３下地層、ＣｏもしくはＣｏ
基合金からなる磁性薄膜をこの順序で形成する。
態、すなはち、非磁性の基板上にｈ．ｃ．ｐ．構造を持
つ第１下地層、ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第２下地層、
ｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ第３下地層、ＣｏもしくはＣｏ
基合金からなる磁性薄膜をこの順序で形成する。
【０００９】上記３つの方法において、磁性薄膜は同じ
ｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ膜であれば異種の磁性薄膜を２
層に積んでも良いし、磁性薄膜の内部で成長方向に組成
変調を形成しても良い。さらに高いトラック密度の実現
を考慮して、上記３つの方法で作製した磁気記録媒体に
溝や窪みを設けたり、非磁性領域や光反射率の異なる領
域を設けたりしても良い。
ｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ膜であれば異種の磁性薄膜を２
層に積んでも良いし、磁性薄膜の内部で成長方向に組成
変調を形成しても良い。さらに高いトラック密度の実現
を考慮して、上記３つの方法で作製した磁気記録媒体に
溝や窪みを設けたり、非磁性領域や光反射率の異なる領
域を設けたりしても良い。
【００１０】
【作用】第１の方法において、ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ
第１下地層の結晶粒の径と結晶学的な配向は、高周波ス
パッタ法、真空蒸着法といったいわゆる成膜法のプロセ
ス条件と膜厚を適当に調整することで制御できる。通
常、ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つＣｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｗあるいはこれらの合金の膜は［１１０］方向に優
先配向成長をしやすく、膜厚を５−５００ｎｍ程度の範
囲に選べば、磁気記録媒体の下地として適当な１０−８
０ｎｍ程度の結晶粒径をとる。また、ｈ．ｃ．ｐ．構造
を持つ第２下地層の結晶粒は、第１下地層の結晶粒径と
結晶配向の影響を受けて、結晶粒径はほぼ第１下地層の
最上面での結晶粒径とほぼ同じになり、結晶配向も第１
下地層の影響を受けて特定の方向に揃いやすい。第１下
地層と第２下地層の結晶格子の間隔が特定の組合せでほ
ぼ等しくなるとエピタキシ−成長が起こり、両者の界面
で結晶格子が連続になる。この場合、第１下地層の構造
を制御することにより、第２下地層の構造も完全に制御
できることになる。ｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ第２下地層
材料の格子定数を合金化法等により適当に調整し、その
（１１０）面がｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第１下地層の
（１１０）面と数％の誤差で合致するように調整すれ
ば、両者の間にはエピタキシ−関係が成立しうる。
第１下地層の結晶粒の径と結晶学的な配向は、高周波ス
パッタ法、真空蒸着法といったいわゆる成膜法のプロセ
ス条件と膜厚を適当に調整することで制御できる。通
常、ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つＣｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｗあるいはこれらの合金の膜は［１１０］方向に優
先配向成長をしやすく、膜厚を５−５００ｎｍ程度の範
囲に選べば、磁気記録媒体の下地として適当な１０−８
０ｎｍ程度の結晶粒径をとる。また、ｈ．ｃ．ｐ．構造
を持つ第２下地層の結晶粒は、第１下地層の結晶粒径と
結晶配向の影響を受けて、結晶粒径はほぼ第１下地層の
最上面での結晶粒径とほぼ同じになり、結晶配向も第１
下地層の影響を受けて特定の方向に揃いやすい。第１下
地層と第２下地層の結晶格子の間隔が特定の組合せでほ
ぼ等しくなるとエピタキシ−成長が起こり、両者の界面
で結晶格子が連続になる。この場合、第１下地層の構造
を制御することにより、第２下地層の構造も完全に制御
できることになる。ｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ第２下地層
材料の格子定数を合金化法等により適当に調整し、その
（１１０）面がｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第１下地層の
（１１０）面と数％の誤差で合致するように調整すれ
ば、両者の間にはエピタキシ−関係が成立しうる。
【００１１】例えば、ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第１下地
層としてＣｒを用いた場合その格子定数は（ａ＝０．２
８８ｎｍ）、第２下地層としてＲｅを選べばその格子定
数は（ａ＝０．２７６ｎｍ）であり、約４％のミスマッ
チで合致する。ＲｅのかわりにＲｕに第２元素を添加し
て合金効果により格子定数を制御してＣｒの格子定数に
近づけることも可能である。ｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ第
２下地層の上に同じｈ．ｃ．ｐ．構造を持つＣｏもしく
はＣｏ基合金からなる磁性膜を形成すると、この磁性膜
を構成する結晶粒は第２下地層の結晶粒と粒径、結晶方
位とも同様になりやすい。ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第１
下地層を構成する材料の格子定数と磁性膜の格子定数の
差が大きい場合は第２下地層の格子定数を両者の中間に
設定することで、エピタキシ−成長を可能にできる。
層としてＣｒを用いた場合その格子定数は（ａ＝０．２
８８ｎｍ）、第２下地層としてＲｅを選べばその格子定
数は（ａ＝０．２７６ｎｍ）であり、約４％のミスマッ
チで合致する。ＲｅのかわりにＲｕに第２元素を添加し
て合金効果により格子定数を制御してＣｒの格子定数に
近づけることも可能である。ｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ第
２下地層の上に同じｈ．ｃ．ｐ．構造を持つＣｏもしく
はＣｏ基合金からなる磁性膜を形成すると、この磁性膜
を構成する結晶粒は第２下地層の結晶粒と粒径、結晶方
位とも同様になりやすい。ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第１
下地層を構成する材料の格子定数と磁性膜の格子定数の
差が大きい場合は第２下地層の格子定数を両者の中間に
設定することで、エピタキシ−成長を可能にできる。
【００１２】第２の方法は、（００１）もしくは（０１
１）配向成長しやすいｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ第１下地
層を形成し、この上にｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第２下地
層を形成するとｂ．ｃ．ｃ．構造の（１１０）配向成長
が起こりやすいことを積極的に活用するものである。こ
の場合、第１下地層を設けない場合に比べ、第２下地層
の厚さを５０％以上減らすことができ、成膜のプロセス
時間の短縮の点でも好都合である。また、第１下地層の
結晶粒径を成膜条件を変えることによって容易に調整で
き、第２下地層の結晶粒径も制御できる。配向性と粒子
径が制御された第２下地層上に形成した磁性膜も粒径と
配向性が制御でき、この結果、高密度磁気記録に適した
微細構造を持つ記録媒体を実現できる。ここで、実用的
に望ましい第１下地層の厚さは２−５００ｎｍ，第２下
地層の厚さは２−５００ｎｍ，磁性層の厚さは１０−１
００ｎｍである。
１）配向成長しやすいｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ第１下地
層を形成し、この上にｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ第２下地
層を形成するとｂ．ｃ．ｃ．構造の（１１０）配向成長
が起こりやすいことを積極的に活用するものである。こ
の場合、第１下地層を設けない場合に比べ、第２下地層
の厚さを５０％以上減らすことができ、成膜のプロセス
時間の短縮の点でも好都合である。また、第１下地層の
結晶粒径を成膜条件を変えることによって容易に調整で
き、第２下地層の結晶粒径も制御できる。配向性と粒子
径が制御された第２下地層上に形成した磁性膜も粒径と
配向性が制御でき、この結果、高密度磁気記録に適した
微細構造を持つ記録媒体を実現できる。ここで、実用的
に望ましい第１下地層の厚さは２−５００ｎｍ，第２下
地層の厚さは２−５００ｎｍ，磁性層の厚さは１０−１
００ｎｍである。
【００１３】第３の方法は上記両者を組み合わせたもの
である。ここで、第３下地層として望ましい厚さは、１
−１００ｎｍである。なお、ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ材
料は上記材料に限定されるものでななく、他のｂ．ｃ．
ｃ．構造を持つ元素および合金でも可能である。ｈ．
ｃ．ｐ．構造を持つ材料に関しても同様である。
である。ここで、第３下地層として望ましい厚さは、１
−１００ｎｍである。なお、ｂ．ｃ．ｃ．構造を持つ材
料は上記材料に限定されるものでななく、他のｂ．ｃ．
ｃ．構造を持つ元素および合金でも可能である。ｈ．
ｃ．ｐ．構造を持つ材料に関しても同様である。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
る。
【００１５】〔実施例１〕直径３．５インチのガラス基
板を用いて高周波マグネトロンスパッタ法によって、図
１に示す断面構造を持つ磁気記録媒体を作製した。基板
１０１上に、第１下地層１０２、第２下地層１０３、磁
性膜１０４、保護膜１０５をこの順序で形成する。第１
下地層用にＣｒタ−ゲット、第２下地層用にＲｕタ−ゲ
ット、磁性膜用にＣｏ−１８ａｔ．％Ｃｒ−６ａｔ．％
Ｐｔタ−ゲットを用いた。スパッタのＡｒガス圧力３−
１０ｍＴｏｒｒ，スパッタパワ−６−１０Ｗ／ｃｍ2，
基板温度１２０Ｃの条件でＣｒ膜を２００ｎｍ，Ｒｕ膜
を１０ｎｍ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を４０ｎｍ形成した。
さらに、保護膜としてカ−ボン膜を１０ｎｍ形成した。
板を用いて高周波マグネトロンスパッタ法によって、図
１に示す断面構造を持つ磁気記録媒体を作製した。基板
１０１上に、第１下地層１０２、第２下地層１０３、磁
性膜１０４、保護膜１０５をこの順序で形成する。第１
下地層用にＣｒタ−ゲット、第２下地層用にＲｕタ−ゲ
ット、磁性膜用にＣｏ−１８ａｔ．％Ｃｒ−６ａｔ．％
Ｐｔタ−ゲットを用いた。スパッタのＡｒガス圧力３−
１０ｍＴｏｒｒ，スパッタパワ−６−１０Ｗ／ｃｍ2，
基板温度１２０Ｃの条件でＣｒ膜を２００ｎｍ，Ｒｕ膜
を１０ｎｍ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を４０ｎｍ形成した。
さらに、保護膜としてカ−ボン膜を１０ｎｍ形成した。
【００１６】比較試料として、第２下地層のＲｕ膜を設
けない他は同様の構成の磁気記録媒体を形成した。
けない他は同様の構成の磁気記録媒体を形成した。
【００１７】上記と同様の条件で第２下地層のＲｕの代
わりにＲｅ，Ｔｉ−Ｃｒ，Ｔｉ−Ｖ，Ｚｒ−Ｖ，Ｔｉ−
Ｆｅ，Ｈｆ−Ｆｅ，Ｓｃ，Ｓｃ−Ｃｒを用いた磁気記録
媒体を作製した。これらの磁気記録媒体の保磁力（Ｈ
ｃ）と磁気記録再生特性の評価をそれぞれ振動型磁力計
（ＶＳＭ）、薄膜磁気ヘッドを用いて行なった。磁気ヘ
ッドのギャップ長は０．２μｍ，測定時の磁気ヘッドと
磁気記録媒体表面との距離は０．１５μｍとした。記録
密度は低周波の再生出力の半分の出力になる出力半減記
録密度(Ｄ50)を測定し、シグナルとノイズの比率Ｓ／Ｎ
は各磁気記録媒体において出力半減記録密度(Ｄ50)での
相対値で示した。この場合、比較の基準に比較例のＳ／
Ｎ値を用いた。これらの結果を表１に示す。
わりにＲｅ，Ｔｉ−Ｃｒ，Ｔｉ−Ｖ，Ｚｒ−Ｖ，Ｔｉ−
Ｆｅ，Ｈｆ−Ｆｅ，Ｓｃ，Ｓｃ−Ｃｒを用いた磁気記録
媒体を作製した。これらの磁気記録媒体の保磁力（Ｈ
ｃ）と磁気記録再生特性の評価をそれぞれ振動型磁力計
（ＶＳＭ）、薄膜磁気ヘッドを用いて行なった。磁気ヘ
ッドのギャップ長は０．２μｍ，測定時の磁気ヘッドと
磁気記録媒体表面との距離は０．１５μｍとした。記録
密度は低周波の再生出力の半分の出力になる出力半減記
録密度(Ｄ50)を測定し、シグナルとノイズの比率Ｓ／Ｎ
は各磁気記録媒体において出力半減記録密度(Ｄ50)での
相対値で示した。この場合、比較の基準に比較例のＳ／
Ｎ値を用いた。これらの結果を表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】本実施例の磁気記録媒体は、比較例に比べ
保磁力の値が大きく、しかも記録密度とＳ／Ｎが改善さ
れており、高密度磁気記録媒体として望ましい特性を持
つことが確認された。
保磁力の値が大きく、しかも記録密度とＳ／Ｎが改善さ
れており、高密度磁気記録媒体として望ましい特性を持
つことが確認された。
【００２０】また、第１下地層としてＣｒのかわりに
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ−５ａｔ．％Ｔ
ｉ，Ｎｂ−６ａｔ．％Ｚｒ，Ｔａ−４ａｔ．％Ｔｉ，Ｍ
ｏ−１ａｔ．％Ｓｉ，Ｗ−５ａｔ．％Ｔｉ−２ａｔ．％
Ｇｅを用いた場合もいずれも第２下地層を設けないそれ
ぞれの比較例に比べ、高密度磁気記録媒体として望まし
い特性を持つことがわかった。
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ−５ａｔ．％Ｔ
ｉ，Ｎｂ−６ａｔ．％Ｚｒ，Ｔａ−４ａｔ．％Ｔｉ，Ｍ
ｏ−１ａｔ．％Ｓｉ，Ｗ−５ａｔ．％Ｔｉ−２ａｔ．％
Ｇｅを用いた場合もいずれも第２下地層を設けないそれ
ぞれの比較例に比べ、高密度磁気記録媒体として望まし
い特性を持つことがわかった。
【００２１】〔実施例２〕直径５．２５インチのガラス
基板を用いて高周波スパッタ法によって、図２に示す断
面構造を持つ磁気記録媒体を作製した。基板２０１上
に、第１下地層２０２、第２下地層２０３、磁性膜２０
４、保護膜２０５をこの順序で形成する。第１下地層用
にＴｉ−５ａｔ．％Ｃｒタ−ゲット、第２下地層用にＣ
ｒ−３ａｔ．％Ｓｉタ−ゲット、磁性膜用にＣｏ−１２
ａｔ．％Ｃｒ−２ａｔ．％Ｔａタ−ゲットを用いた。ス
パッタのＡｒガス圧力５−１５ｍＴｏｒｒ，スパッタパ
ワ−６−１０Ｗ／ｃｍ2，基板温度１００Ｃの条件でＴ
ｉ−Ｃｒ膜を２０ｎｍ，Ｃｒ−Ｓｉ膜を５０ｎｍ，Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａ膜を４０ｎｍ形成した。さらに、保護膜と
してカ−ボン膜を１５ｎｍ形成した。比較試料として、
第１下地層のＴｉ−Ｃｒ膜を設けない他は同様の構成の
磁気記録媒体を形成した。
基板を用いて高周波スパッタ法によって、図２に示す断
面構造を持つ磁気記録媒体を作製した。基板２０１上
に、第１下地層２０２、第２下地層２０３、磁性膜２０
４、保護膜２０５をこの順序で形成する。第１下地層用
にＴｉ−５ａｔ．％Ｃｒタ−ゲット、第２下地層用にＣ
ｒ−３ａｔ．％Ｓｉタ−ゲット、磁性膜用にＣｏ−１２
ａｔ．％Ｃｒ−２ａｔ．％Ｔａタ−ゲットを用いた。ス
パッタのＡｒガス圧力５−１５ｍＴｏｒｒ，スパッタパ
ワ−６−１０Ｗ／ｃｍ2，基板温度１００Ｃの条件でＴ
ｉ−Ｃｒ膜を２０ｎｍ，Ｃｒ−Ｓｉ膜を５０ｎｍ，Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｔａ膜を４０ｎｍ形成した。さらに、保護膜と
してカ−ボン膜を１５ｎｍ形成した。比較試料として、
第１下地層のＴｉ−Ｃｒ膜を設けない他は同様の構成の
磁気記録媒体を形成した。
【００２２】上記と同様の条件で第１下地層のＴｉ−５
ａｔ．％Ｃｒの代わりにＴｉ，Ｔｉ−２ａｔ．％Ｃｒ，
Ｔｉ−１０ａｔ．％Ｃｒ，Ｔｉ−３ａｔ．％Ｓｉ，Ｚｒ
−２ａｔ．％Ｎｉ，Ｔｉ−５ａｔ．％Ｆｅ，Ｈｆ−５ａ
ｔ．％Ｆｅ，Ｓｃ−６ａｔ．％Ｃｒを用いた磁気記録媒
体を作製した。これらの磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）
と磁気記録再生特性の評価をそれぞれ振動型磁力計（Ｖ
ＳＭ）、薄膜磁気ヘッドを用いて行なった。磁気ヘッド
のギャップ長は０．２μｍ，測定時の磁気ヘッドと磁気
記録媒体表面との距離は０．１５μｍとした。記録密度
は低周波の再生出力の半分の出力になる出力半減記録密
度(Ｄ50)を測定し、シグナルとノイズの比率Ｓ／Ｎは各
磁気記録媒体において出力半減記録密度(Ｄ50)での相対
値で示した。
ａｔ．％Ｃｒの代わりにＴｉ，Ｔｉ−２ａｔ．％Ｃｒ，
Ｔｉ−１０ａｔ．％Ｃｒ，Ｔｉ−３ａｔ．％Ｓｉ，Ｚｒ
−２ａｔ．％Ｎｉ，Ｔｉ−５ａｔ．％Ｆｅ，Ｈｆ−５ａ
ｔ．％Ｆｅ，Ｓｃ−６ａｔ．％Ｃｒを用いた磁気記録媒
体を作製した。これらの磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）
と磁気記録再生特性の評価をそれぞれ振動型磁力計（Ｖ
ＳＭ）、薄膜磁気ヘッドを用いて行なった。磁気ヘッド
のギャップ長は０．２μｍ，測定時の磁気ヘッドと磁気
記録媒体表面との距離は０．１５μｍとした。記録密度
は低周波の再生出力の半分の出力になる出力半減記録密
度(Ｄ50)を測定し、シグナルとノイズの比率Ｓ／Ｎは各
磁気記録媒体において出力半減記録密度(Ｄ50)での相対
値で示した。
【００２３】この場合、比較の基準に比較例のＳ／Ｎ値
を用いた。なお、表２ではＴｉ−５ａｔ．％Ｃｒを簡略
のためＴ−５Ｃｒと表記し、その他の合金組成の表示も
これにならって行なった。これらの結果を表２に示す。
を用いた。なお、表２ではＴｉ−５ａｔ．％Ｃｒを簡略
のためＴ−５Ｃｒと表記し、その他の合金組成の表示も
これにならって行なった。これらの結果を表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】表２に掲げた本実施例に基づく磁気記録媒
体において、第１下地層としてＴｉ，Ｔｉ−５ａｔ．％
Ｃｒ，Ｔｉ−２ａｔ．％Ｃｒ，Ｔｉ−３ａｔ．％Ｓｉ，
Ｚｒ−２ａｔ．％Ｎｉを用いた場合の下地膜の優先成長
方位は、Ｘ線回折法によれば［００１］であり、Ｔ−１
０ａｔ．％Ｃｒ，Ｔｉ−５ａｔ．％Ｆｅ，Ｈｆ−５ａ
ｔ．％Ｆｅ，Ｓｃ−６ａｔ．％Ｃｒの場合は［０１１］
であった。第２下地層のＣｒ−３ａｔ．％Ｓｉ膜の優先
成長方位は［１１０］であった。表２より明らかなよう
に、本実施例の磁気記録媒体は、比較例に比べ保磁力の
値が大きく、しかも記録密度とＳ／Ｎが改善されてお
り、高密度磁気記録媒体として望ましい特性を持つこと
が確認された。
体において、第１下地層としてＴｉ，Ｔｉ−５ａｔ．％
Ｃｒ，Ｔｉ−２ａｔ．％Ｃｒ，Ｔｉ−３ａｔ．％Ｓｉ，
Ｚｒ−２ａｔ．％Ｎｉを用いた場合の下地膜の優先成長
方位は、Ｘ線回折法によれば［００１］であり、Ｔ−１
０ａｔ．％Ｃｒ，Ｔｉ−５ａｔ．％Ｆｅ，Ｈｆ−５ａ
ｔ．％Ｆｅ，Ｓｃ−６ａｔ．％Ｃｒの場合は［０１１］
であった。第２下地層のＣｒ−３ａｔ．％Ｓｉ膜の優先
成長方位は［１１０］であった。表２より明らかなよう
に、本実施例の磁気記録媒体は、比較例に比べ保磁力の
値が大きく、しかも記録密度とＳ／Ｎが改善されてお
り、高密度磁気記録媒体として望ましい特性を持つこと
が確認された。
【００２６】また、第２下地層としてＣｒ−３ａｔ．％
Ｓｉの代わりにＣｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ−５ａ
ｔ．％Ｔｉ，Ｎｂ−６ａｔ．％Ｚｒ，Ｔａ−４ａｔ．％
Ｔｉ，Ｍｏ−１ａｔ．％Ｓｉ，Ｗ−５ａｔ．％Ｔｉ−２
ａｔ．％Ｇｅを用いた場合もいずれも第１下地層を設け
ないそれぞれの比較例に比べ、高密度磁気記録媒体とし
て望ましい特性を持つことがわかった。
Ｓｉの代わりにＣｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ−５ａ
ｔ．％Ｔｉ，Ｎｂ−６ａｔ．％Ｚｒ，Ｔａ−４ａｔ．％
Ｔｉ，Ｍｏ−１ａｔ．％Ｓｉ，Ｗ−５ａｔ．％Ｔｉ−２
ａｔ．％Ｇｅを用いた場合もいずれも第１下地層を設け
ないそれぞれの比較例に比べ、高密度磁気記録媒体とし
て望ましい特性を持つことがわかった。
【００２７】〔実施例３〕直径５．２５インチのＮｉＰ
／Ａｌ基板を用いて高周波マグネトロンスパッタ法によ
って、図３に示す断面構造を持つ磁気記録媒体を作製し
た。基板３０１上に、第１下地層３０２、第２下地層３
０３、第３下地層３０４，磁性膜３０５、保護膜３０６
をこの順序で形成する。第１および第３下地層用にＴｉ
−１０ａｔ．％Ｃｒタ−ゲット、第２下地層用にＣｒ−
５ａｔ．％Ｚｒタ−ゲット、磁性膜用にＣｏ−１５ａ
ｔ．％Ｃｒ−６ａｔ．％Ｐｔ−２ａｔ．％Ｓｉタ−ゲッ
トを用いた。スパッタのＡｒガス圧力５−１５ｍＴｏｒ
ｒ，スパッタパワ−１５Ｗ／ｃｍ2，基板温度１００Ｃ
の条件で第１下地層のＴｉ−Ｃｒ膜を２０ｎｍ，第２下
地層のＣｒ−Ｚｒ膜を８０ｎｍ，第３下地層のＴｉ−Ｃ
ｒ膜を５ｎｍ，磁性膜のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ膜を３
０ｎｍ形成した。さらに、保護膜としてカ−ボン膜を１
０ｎｍ形成した。比較試料として、第１下地層および第
３下地層のＴｉ−Ｃｒ膜を設けない他は同様の構成の磁
気記録媒体を形成した。上記と同様の条件で第１および
第３下地層のＴｉ−１０ａｔ．％Ｃｒの代わりにＲｅ，
Ｒｕ，Ｔｉ−２ａｔ．％Ｃｒ，Ｔｉ−３ａｔ．％Ｓｉ，
Ｚｒ−２ａｔ．％Ｎｉ，Ｔｉ−５ａｔ．％Ｆｅ，Ｈｆ−
５ａｔ．％Ｆｅ，Ｓｃ−６ａｔ．％Ｃｒを用いた磁気記
録媒体を作製した。これらの磁気記録媒体の保磁力（Ｈ
ｃ）と磁気記録再生特性の評価をそれぞれ振動型磁力計
（ＶＳＭ）、薄膜磁気ヘッドを用いて行なった。磁気ヘ
ッドのギャップ長は０．２μｍ，測定時の磁気ヘッドと
磁気記録媒体表面との距離は０．１５μｍとした。記録
密度は低周波の再生出力の半分の出力になる出力半減記
録密度(Ｄ50)を測定し、シグナルとノイズの比率Ｓ／Ｎ
は各磁気記録媒体において出力半減記録密度(Ｄ50)での
相対値で示した。この場合、比較の基準に比較例のＳ／
Ｎ値を用いた。なお、表３ではＴｉ−１０ａｔ．％Ｃｒ
を簡略のためＴ−１０Ｃｒと表記し、その他の合金組成
の表示もこれにならって行なった。これらの結果を表３
に示す。
／Ａｌ基板を用いて高周波マグネトロンスパッタ法によ
って、図３に示す断面構造を持つ磁気記録媒体を作製し
た。基板３０１上に、第１下地層３０２、第２下地層３
０３、第３下地層３０４，磁性膜３０５、保護膜３０６
をこの順序で形成する。第１および第３下地層用にＴｉ
−１０ａｔ．％Ｃｒタ−ゲット、第２下地層用にＣｒ−
５ａｔ．％Ｚｒタ−ゲット、磁性膜用にＣｏ−１５ａ
ｔ．％Ｃｒ−６ａｔ．％Ｐｔ−２ａｔ．％Ｓｉタ−ゲッ
トを用いた。スパッタのＡｒガス圧力５−１５ｍＴｏｒ
ｒ，スパッタパワ−１５Ｗ／ｃｍ2，基板温度１００Ｃ
の条件で第１下地層のＴｉ−Ｃｒ膜を２０ｎｍ，第２下
地層のＣｒ−Ｚｒ膜を８０ｎｍ，第３下地層のＴｉ−Ｃ
ｒ膜を５ｎｍ，磁性膜のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ膜を３
０ｎｍ形成した。さらに、保護膜としてカ−ボン膜を１
０ｎｍ形成した。比較試料として、第１下地層および第
３下地層のＴｉ−Ｃｒ膜を設けない他は同様の構成の磁
気記録媒体を形成した。上記と同様の条件で第１および
第３下地層のＴｉ−１０ａｔ．％Ｃｒの代わりにＲｅ，
Ｒｕ，Ｔｉ−２ａｔ．％Ｃｒ，Ｔｉ−３ａｔ．％Ｓｉ，
Ｚｒ−２ａｔ．％Ｎｉ，Ｔｉ−５ａｔ．％Ｆｅ，Ｈｆ−
５ａｔ．％Ｆｅ，Ｓｃ−６ａｔ．％Ｃｒを用いた磁気記
録媒体を作製した。これらの磁気記録媒体の保磁力（Ｈ
ｃ）と磁気記録再生特性の評価をそれぞれ振動型磁力計
（ＶＳＭ）、薄膜磁気ヘッドを用いて行なった。磁気ヘ
ッドのギャップ長は０．２μｍ，測定時の磁気ヘッドと
磁気記録媒体表面との距離は０．１５μｍとした。記録
密度は低周波の再生出力の半分の出力になる出力半減記
録密度(Ｄ50)を測定し、シグナルとノイズの比率Ｓ／Ｎ
は各磁気記録媒体において出力半減記録密度(Ｄ50)での
相対値で示した。この場合、比較の基準に比較例のＳ／
Ｎ値を用いた。なお、表３ではＴｉ−１０ａｔ．％Ｃｒ
を簡略のためＴ−１０Ｃｒと表記し、その他の合金組成
の表示もこれにならって行なった。これらの結果を表３
に示す。
【００２８】
【表３】
【００２９】また、第２下地層としてＣｒ−３ａｔ．％
Ｓｉの代わりにＣｒ，Ｃｒ−４ａｔ．％Ｆｅ，Ｃｒ−５
ａｔ．％Ｎｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ−５ａｔ．％
Ｔｉ，Ｎｂ−６ａｔ．％Ｚｒ，Ｔａ−４ａｔ．％Ｔｉ，
Ｍｏ−１ａｔ．％Ｓｉ，Ｗ−５ａｔ．％Ｔｉ−２ａｔ．
％Ｇｅを用いた場合もいずれも第１および第３下地層を
設けないそれぞれの比較例に比べ、高密度磁気記録媒体
として望ましい特性を持つことがわかった。
Ｓｉの代わりにＣｒ，Ｃｒ−４ａｔ．％Ｆｅ，Ｃｒ−５
ａｔ．％Ｎｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ−５ａｔ．％
Ｔｉ，Ｎｂ−６ａｔ．％Ｚｒ，Ｔａ−４ａｔ．％Ｔｉ，
Ｍｏ−１ａｔ．％Ｓｉ，Ｗ−５ａｔ．％Ｔｉ−２ａｔ．
％Ｇｅを用いた場合もいずれも第１および第３下地層を
設けないそれぞれの比較例に比べ、高密度磁気記録媒体
として望ましい特性を持つことがわかった。
【００３０】〔実施例４〕直径５．２５インチのガラス
基板を用いて高周波マグネトロンスパッタ法によって、
図４に示す断面構造を持つ磁気記録媒体を作製した。基
板４０１上に、第１下地層４０２、第２下地層４０３，
磁性膜４０４、保護膜４０５この順序で形成する。基板
上にはあらかじめディスクの円周方向に溝が形成してあ
り、この上に上記一連の成膜を行なうと円周方向の溝４
０６を持つ磁気記録媒体を形成した。
基板を用いて高周波マグネトロンスパッタ法によって、
図４に示す断面構造を持つ磁気記録媒体を作製した。基
板４０１上に、第１下地層４０２、第２下地層４０３，
磁性膜４０４、保護膜４０５この順序で形成する。基板
上にはあらかじめディスクの円周方向に溝が形成してあ
り、この上に上記一連の成膜を行なうと円周方向の溝４
０６を持つ磁気記録媒体を形成した。
【００３１】第１下地層用にＴｉ−１０ａｔ．％Ｃｒタ
ーゲット、第２下地層用にＣｒ−５ａｔ．％Ｔｉタ−ゲ
ット、磁性膜用にＣｏ−３０ａｔ．％Ｎｉ−７．５ａ
ｔ．％Ｃｒタ−ゲットを用いた。スパッタのＡｒガス圧
力５−１５ｍＴｏｒｒ，スパッタパワ−１５Ｗ／ｃ
ｍ2，基板温度１００Ｃの条件で第１下地層のＴｉ−Ｃ
ｒ膜を５０ｎｍ，第２下地層のＣｒ−Ｔｉ膜を８０ｎ
ｍ，磁性膜のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ膜を３５ｎｍ形成した。
さらに、保護膜としてカ−ボン膜を２０ｎｍ形成した。
比較試料として、第１下地層を設けない他は同様の構成
の磁気記録媒体を作製した。
ーゲット、第２下地層用にＣｒ−５ａｔ．％Ｔｉタ−ゲ
ット、磁性膜用にＣｏ−３０ａｔ．％Ｎｉ−７．５ａ
ｔ．％Ｃｒタ−ゲットを用いた。スパッタのＡｒガス圧
力５−１５ｍＴｏｒｒ，スパッタパワ−１５Ｗ／ｃ
ｍ2，基板温度１００Ｃの条件で第１下地層のＴｉ−Ｃ
ｒ膜を５０ｎｍ，第２下地層のＣｒ−Ｔｉ膜を８０ｎ
ｍ，磁性膜のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ膜を３５ｎｍ形成した。
さらに、保護膜としてカ−ボン膜を２０ｎｍ形成した。
比較試料として、第１下地層を設けない他は同様の構成
の磁気記録媒体を作製した。
【００３２】これらの磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）と
磁気記録再生特性の評価をそれぞれ振動型磁力計（ＶＳ
Ｍ）、薄膜磁気ヘッドを用いて行なった。磁気ヘッドの
ギャップ長は０．２μｍ，測定時の磁気ヘッドと磁気記
録媒体表面との距離は０．１５μｍとした。記録密度は
低周波の再生出力の半分の出力になる出力半減記録密度
(Ｄ50)を測定し、シグナルとノイズの比率Ｓ／Ｎは各磁
気記録媒体において出力半減記録密度(Ｄ50)での相対値
で示した。この場合、比較の基準に比較例のＳ／Ｎ値を
用いた。
磁気記録再生特性の評価をそれぞれ振動型磁力計（ＶＳ
Ｍ）、薄膜磁気ヘッドを用いて行なった。磁気ヘッドの
ギャップ長は０．２μｍ，測定時の磁気ヘッドと磁気記
録媒体表面との距離は０．１５μｍとした。記録密度は
低周波の再生出力の半分の出力になる出力半減記録密度
(Ｄ50)を測定し、シグナルとノイズの比率Ｓ／Ｎは各磁
気記録媒体において出力半減記録密度(Ｄ50)での相対値
で示した。この場合、比較の基準に比較例のＳ／Ｎ値を
用いた。
【００３３】本実施例の磁気記録媒体のＨｃ，Ｄ50，Ｓ
／Ｎはそれぞれ比較試料に比べ、２０％，１５％，４３
％改善されており、高密度磁気記録に適した磁気記録媒
体であることがわかった。
／Ｎはそれぞれ比較試料に比べ、２０％，１５％，４３
％改善されており、高密度磁気記録に適した磁気記録媒
体であることがわかった。
【００３４】〔実施例５〕直径３．５インチのガラス基
板を用いて高周波マグネトロンスパッタ法によって、図
５に示す構造を持つ磁気記録媒体を作製した。基板５０
１上に、第１下地層５０２、第２下地層５０３，下層磁
性膜５０４、上層磁性膜５０５、保護膜５０６をこの順
序で形成する。この磁気記録媒体は媒体表面に磁気ヘッ
ドフォロ−イング用の凹状パタ−ン５０７を持つ。この
パタ−ンの形成は半導体で用いられるフォトレジストを
利用したパタ−ンエッチング法で行なった。第１下地層
用にＴｉ−１０ａｔ．％Ｃｒタ−ゲット、第２下地層用
にＣｒ−５ａｔ．％Ｂタ−ゲット、下層磁性膜用にＣｏ
−１７ａｔ．％Ｃｒ−７．５ａｔ．％Ｐｔ−２ａｔ．％
Ｓｉタ−ゲット、上層磁性膜用にＣｏ−１５ａｔ．％Ｃ
ｒ−８ａｔ．％Ｐｔタ−ゲットを用いた。スパッタのＡ
ｒガス圧力５−１５ｍＴｏｒｒ，スパッタパワ−１５Ｗ
／ｃｍ2，基板温度１５０℃の条件で第１下地層のＴｉ
−Ｃｒ膜を５０ｎｍ，第２下地層のＣｒ−Ｂ膜を１００
ｎｍ，下層磁性膜のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ膜を１５ｎ
ｍ，上層磁性膜のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を１５ｎｍ形成し
た。このサンプルをスパッタ装置から取外し、フォトレ
ジストを用いたパタ−ンエッチング法で円板上の基板の
周方向に２μｍ×２μｍ×０．１μｍの窪みを千鳥状に
形成した。ついで、保護膜としてカ−ボン膜を２０ｎｍ
形成した。
板を用いて高周波マグネトロンスパッタ法によって、図
５に示す構造を持つ磁気記録媒体を作製した。基板５０
１上に、第１下地層５０２、第２下地層５０３，下層磁
性膜５０４、上層磁性膜５０５、保護膜５０６をこの順
序で形成する。この磁気記録媒体は媒体表面に磁気ヘッ
ドフォロ−イング用の凹状パタ−ン５０７を持つ。この
パタ−ンの形成は半導体で用いられるフォトレジストを
利用したパタ−ンエッチング法で行なった。第１下地層
用にＴｉ−１０ａｔ．％Ｃｒタ−ゲット、第２下地層用
にＣｒ−５ａｔ．％Ｂタ−ゲット、下層磁性膜用にＣｏ
−１７ａｔ．％Ｃｒ−７．５ａｔ．％Ｐｔ−２ａｔ．％
Ｓｉタ−ゲット、上層磁性膜用にＣｏ−１５ａｔ．％Ｃ
ｒ−８ａｔ．％Ｐｔタ−ゲットを用いた。スパッタのＡ
ｒガス圧力５−１５ｍＴｏｒｒ，スパッタパワ−１５Ｗ
／ｃｍ2，基板温度１５０℃の条件で第１下地層のＴｉ
−Ｃｒ膜を５０ｎｍ，第２下地層のＣｒ−Ｂ膜を１００
ｎｍ，下層磁性膜のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ膜を１５ｎ
ｍ，上層磁性膜のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を１５ｎｍ形成し
た。このサンプルをスパッタ装置から取外し、フォトレ
ジストを用いたパタ−ンエッチング法で円板上の基板の
周方向に２μｍ×２μｍ×０．１μｍの窪みを千鳥状に
形成した。ついで、保護膜としてカ−ボン膜を２０ｎｍ
形成した。
【００３５】本実施例の磁気記録媒体において、Ｄ50，
Ｓ／Ｎが改善されているのでビット方向の記録密度を向
上できることに加えて、媒体上に形成された一連の窪み
を磁気ヘッドの一部に搭載された半導体レ−ザ光の反射
率の変化をモニタ−するか、あるいは磁気ヘッドの出力
が窪み直上に磁気ヘッドが来たときに変化する現象を利
用して高精度トラッキングを行なうことができるのでト
ラック方向の記録密度も向上でき、この結果、高密度で
磁気記録を容易に行なうことができた。
Ｓ／Ｎが改善されているのでビット方向の記録密度を向
上できることに加えて、媒体上に形成された一連の窪み
を磁気ヘッドの一部に搭載された半導体レ−ザ光の反射
率の変化をモニタ−するか、あるいは磁気ヘッドの出力
が窪み直上に磁気ヘッドが来たときに変化する現象を利
用して高精度トラッキングを行なうことができるのでト
ラック方向の記録密度も向上でき、この結果、高密度で
磁気記録を容易に行なうことができた。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、記録密度と記録再生時
のＳ／Ｎ比の改善された磁気記録媒体を提供できるの
で、磁気ディスク装置の高密度化を実現でき、装置の小
型化や大容量化が容易になる効果がある。
のＳ／Ｎ比の改善された磁気記録媒体を提供できるの
で、磁気ディスク装置の高密度化を実現でき、装置の小
型化や大容量化が容易になる効果がある。
【図１】本発明の実施例１の面内磁気記録媒体の断面図
である。
である。
【図２】本発明の実施例２の面内磁気記録媒体の断面図
である。
である。
【図３】本発明の実施例３の面内磁気記録媒体の断面図
である。
である。
【図４】本発明の実施例４の面内磁気記録媒体の斜視図
である。
である。
【図５】本発明の実施例５の面内磁気記録媒体の斜視図
である。
である。
１０１…基板、１０２…第１下地層（ｂ．ｃ．ｃ．）、
１０３…第２下地層（ｈ．ｃ．ｐ．）、１０４…磁性
膜、１０５…保護膜、２０１…基板、２０２…第１下地
層（ｈ．ｃ．ｐ．）、２０３…第２下地層（ｂ．ｃ．
ｃ．）、２０４…磁性膜、２０５…保護膜、３０１…基
板、３０２…第１下地層（ｈ．ｃ．ｐ．）、３０３…第
２下地層（ｂ．ｃ．ｃ．）、３０４…第３下地層、３０
５…磁性膜、３０６…保護膜、４０１…基板、４０２…
第１下地層（ｈ．ｃ．ｐ．）、４０３…第２下地層
（ｂ．ｃ．ｃ．）、４０４…磁性膜、４０５…保護膜、
４０６…溝、５０１…基板、５０２…第１下地層（ｈ．
ｃ．ｐ．）、５０３…第２下地層（ｂ．ｃ．ｃ．）、５
０４…下層磁性膜、５０５…上層磁性膜、５０６…保護
膜、５０７…凹上パタ−ン。
１０３…第２下地層（ｈ．ｃ．ｐ．）、１０４…磁性
膜、１０５…保護膜、２０１…基板、２０２…第１下地
層（ｈ．ｃ．ｐ．）、２０３…第２下地層（ｂ．ｃ．
ｃ．）、２０４…磁性膜、２０５…保護膜、３０１…基
板、３０２…第１下地層（ｈ．ｃ．ｐ．）、３０３…第
２下地層（ｂ．ｃ．ｃ．）、３０４…第３下地層、３０
５…磁性膜、３０６…保護膜、４０１…基板、４０２…
第１下地層（ｈ．ｃ．ｐ．）、４０３…第２下地層
（ｂ．ｃ．ｃ．）、４０４…磁性膜、４０５…保護膜、
４０６…溝、５０１…基板、５０２…第１下地層（ｈ．
ｃ．ｐ．）、５０３…第２下地層（ｂ．ｃ．ｃ．）、５
０４…下層磁性膜、５０５…上層磁性膜、５０６…保護
膜、５０７…凹上パタ−ン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−187416（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−173427（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−199314（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−226516（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−63921（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−150718（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−205916（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−61408（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−232720（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/64 G11B 5/738
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に、ｈ．ｃ．ｐ．構造を持つ第１下
地層が形成され、前記第１下地層上にｂ．ｃ．ｃ．構造
を持つ第２下地層が形成され、前記第２下地層上にｈ．
ｃ．ｐ．構造を有する第３の下地層が形成され、前記第
３下地層上にｈ．ｃ．ｐ．構造を有する磁性膜が形成さ
れたことを特徴とする面内磁気記録媒体。 - 【請求項２】 上記第１下地層、第２下地層および第３下
地層はいずれも非磁性材料から成る請求項１記載の面内
磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上記第１下地層の優先成長方位は［００
１］または［０１１］であり、上記第２下地層の優先成
長方位は［１１０］であり、上記第３下地層の優先成長
方位は［１００］または［１１０］である請求項１又は
２記載の面内磁気記録媒体。 - 【請求項４】 第１下地層および第３下地層の材料は各々
Ｒｕ，Ｒｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｃおよびこれらの元
素を主成分とする合金から成る群の中から選ばれた一種
であり、上記第２下地層の材料はＶ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ｗおよびこれらの元素を主成分とする合金か
ら成る群の中から選ばれた一種であり、上記磁性膜の材
料はＣｏまたはＣｏ基合金である請求項１乃至３のいず
れかに記載の面内磁気記録媒体。 - 【請求項５】 上記磁性膜上に保護膜が形成されている請
求項１乃至４のいずれかに記載の面内磁気記録媒体。 - 【請求項６】 上記磁性膜の一部に凹状のパタ−ン、非磁
性領域、光反射率の異なる領域のいずれかが形成されて
いる請求項１乃至５項のいずれかに記載の面内磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3090303A JP3018551B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 面内磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3090303A JP3018551B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 面内磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04321919A JPH04321919A (ja) | 1992-11-11 |
| JP3018551B2 true JP3018551B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=13994770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3090303A Expired - Fee Related JP3018551B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | 面内磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3018551B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2541770B2 (ja) * | 1992-12-22 | 1996-10-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気記録媒体 |
| JPH08329442A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP3045068B2 (ja) * | 1996-03-21 | 2000-05-22 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH11339240A (ja) | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
| US6383667B1 (en) | 1998-10-09 | 2002-05-07 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| WO2001016945A1 (fr) * | 1999-09-01 | 2001-03-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | Support d'enregistrement magnetique et dispositif d'enregistrement magnetique |
| JP2009032356A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Showa Denko Kk | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP3090303A patent/JP3018551B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04321919A (ja) | 1992-11-11 |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090107 Year of fee payment: 9 |
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