JP2000251237A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP2000251237A JP2000251237A JP11045884A JP4588499A JP2000251237A JP 2000251237 A JP2000251237 A JP 2000251237A JP 11045884 A JP11045884 A JP 11045884A JP 4588499 A JP4588499 A JP 4588499A JP 2000251237 A JP2000251237 A JP 2000251237A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】耐熱揺らぎ特性を向上させることによって１０
Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度記録で実用に供し得る新規の
磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】Ｃo合金磁性膜と接する下地膜をｈｃｐ構
造を持つＣo-Ｃrx-Ｍy合金膜で形成し、Ｃr＋非磁性元
素Ｍの添加濃度を２５at%≦ｘ＋ｙ≦５０at%とすると共
にＭの添加量を０．５at%≦ｙとし、更にＭをＢ，Ｓi，
Ｇe，Ｃ，Ａl，Ｐ，Ｔi，Ｖ，Ｎb，Ｚr，Ｈf，Ｍn，Ｒ
h，Ｏs，Ｉr，Ｒe，Ｐd，Ｐt，Ｍo，Ｔa，Ｗ，Ａg，Ａu
のいずれかとする。別の手段は、磁性膜の中間に上記と
同様の組成の極薄のＣo-Ｃrx-Ｍy合金膜を導入する。
Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度記録で実用に供し得る新規の
磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】Ｃo合金磁性膜と接する下地膜をｈｃｐ構
造を持つＣo-Ｃrx-Ｍy合金膜で形成し、Ｃr＋非磁性元
素Ｍの添加濃度を２５at%≦ｘ＋ｙ≦５０at%とすると共
にＭの添加量を０．５at%≦ｙとし、更にＭをＢ，Ｓi，
Ｇe，Ｃ，Ａl，Ｐ，Ｔi，Ｖ，Ｎb，Ｚr，Ｈf，Ｍn，Ｒ
h，Ｏs，Ｉr，Ｒe，Ｐd，Ｐt，Ｍo，Ｔa，Ｗ，Ａg，Ａu
のいずれかとする。別の手段は、磁性膜の中間に上記と
同様の組成の極薄のＣo-Ｃrx-Ｍy合金膜を導入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度磁気記録に
適する磁性膜を有する磁気記録媒体に関する。
適する磁性膜を有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の実用化されている磁気ディスク装
置は、面内磁気記録方式を採用している。面内磁気記録
方式は、ディスク基板面と平行な方向に磁化し易い磁気
記録媒体に基板と平行な面内磁区を形成する記録方式
で、その記録密度が急速に高まっている。この面内磁気
記録媒体の記録密度の向上は、主に保磁力を向上すると
と磁性膜厚を減少することとによってなされている。
置は、面内磁気記録方式を採用している。面内磁気記録
方式は、ディスク基板面と平行な方向に磁化し易い磁気
記録媒体に基板と平行な面内磁区を形成する記録方式
で、その記録密度が急速に高まっている。この面内磁気
記録媒体の記録密度の向上は、主に保磁力を向上すると
と磁性膜厚を減少することとによってなされている。
【０００３】Ｃo合金からなる磁性膜の保磁力を向上す
るための手段として、磁性膜と基板の間にＣrやＣr合金
などの体心立法構造（以下「ｂｃｃ構造」という）を持
つ材料又はＮiＡlなどのＢ２構造を持つ材料による下地
膜を設ける方法が採用されている〔例えば米国文献「ジ
ャーナル・オブ・マグネティズム・アンド・マグネティ
ック・マテリアルズ（Journal of Magnetism and Magne
tic Materials）」第１５５巻（１９９６年発行）第１
４６頁〜第１５０頁（David E.Laughlin他 “Design an
d crystallography of multilayered media”）参
照〕。
るための手段として、磁性膜と基板の間にＣrやＣr合金
などの体心立法構造（以下「ｂｃｃ構造」という）を持
つ材料又はＮiＡlなどのＢ２構造を持つ材料による下地
膜を設ける方法が採用されている〔例えば米国文献「ジ
ャーナル・オブ・マグネティズム・アンド・マグネティ
ック・マテリアルズ（Journal of Magnetism and Magne
tic Materials）」第１５５巻（１９９６年発行）第１
４６頁〜第１５０頁（David E.Laughlin他 “Design an
d crystallography of multilayered media”）参
照〕。
【０００４】ｂｃｃ構造の下地膜を採用する場合は、エ
ピタキシャル成長するＣo合金磁性膜と下地膜との間で
格子定数の条件を合わせることが一層の保磁力向上に有
効となっている〔例えば米国文献「ジャーナル・オブ・
アプライド・フィジックス（Journal of Applied Physi
cs）第７９巻第８号（１９９６年発行）第５３５４頁〜
第５３５６頁（N. Inaba他 “Magnetic and crystallog
raphic properties ofCoCrPt thin films formed on Cr
-Ti single crystalline underlayers”）参照〕。
ピタキシャル成長するＣo合金磁性膜と下地膜との間で
格子定数の条件を合わせることが一層の保磁力向上に有
効となっている〔例えば米国文献「ジャーナル・オブ・
アプライド・フィジックス（Journal of Applied Physi
cs）第７９巻第８号（１９９６年発行）第５３５４頁〜
第５３５６頁（N. Inaba他 “Magnetic and crystallog
raphic properties ofCoCrPt thin films formed on Cr
-Ti single crystalline underlayers”）参照〕。
【０００５】保磁力向上には、更に、Ｃo合金磁性膜の
結晶性を改善することが効果的であり、そのために、下
地膜と磁性膜の間にＣo合金磁性膜と同じ結晶構造を持
つ六方稠密構造（以下「ｈｃｐ構造」という）の非磁性
材料による新たな下地膜を追加することが有効であり
（例えば特開平４−３２１９１９号公報参照））、代表
的な磁性膜の一つであるＣo-Ｃr-Ｐt磁性膜のための追
加下地膜としてＣo−35at(atomic)%Ｃr膜等が用いられ
ている〔例えば米国文献「ＩＥＥＥトランザクション・
オン・マグネティックス（IEEE Transactions on Magne
tics）第３２巻第５号（１９９６年発行）第３７８９頁
〜第３７９４頁（M.Futamoto他 “High Density Magnet
ic Recording on Highly Oriented CoCr-Alloy Perpend
icular RigidDisk Media”）参照〕。
結晶性を改善することが効果的であり、そのために、下
地膜と磁性膜の間にＣo合金磁性膜と同じ結晶構造を持
つ六方稠密構造（以下「ｈｃｐ構造」という）の非磁性
材料による新たな下地膜を追加することが有効であり
（例えば特開平４−３２１９１９号公報参照））、代表
的な磁性膜の一つであるＣo-Ｃr-Ｐt磁性膜のための追
加下地膜としてＣo−35at(atomic)%Ｃr膜等が用いられ
ている〔例えば米国文献「ＩＥＥＥトランザクション・
オン・マグネティックス（IEEE Transactions on Magne
tics）第３２巻第５号（１９９６年発行）第３７８９頁
〜第３７９４頁（M.Futamoto他 “High Density Magnet
ic Recording on Highly Oriented CoCr-Alloy Perpend
icular RigidDisk Media”）参照〕。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】面内磁気記録媒体は、
現在１０Ｇｂ／ｉｎ2に到達しているが、これを越える
記録密度を得るためには、更なる高保磁力化と共に、耐
熱揺らぎ特性の向上が必要となる。記録密度向上と共に
前記したように磁性膜厚を減少させる必要があるが、膜
厚を小さくし過ぎると熱の影響により、記録磁化が時間
の経過と共に減少し、場合によっては消失すると云う問
題に遭遇する。このような磁化の熱揺らぎによる影響が
顕著になる磁性膜厚は、磁気ディスク装置で盛んに用い
られるＣo合金系で通常２０ｎｍ以下である。
現在１０Ｇｂ／ｉｎ2に到達しているが、これを越える
記録密度を得るためには、更なる高保磁力化と共に、耐
熱揺らぎ特性の向上が必要となる。記録密度向上と共に
前記したように磁性膜厚を減少させる必要があるが、膜
厚を小さくし過ぎると熱の影響により、記録磁化が時間
の経過と共に減少し、場合によっては消失すると云う問
題に遭遇する。このような磁化の熱揺らぎによる影響が
顕著になる磁性膜厚は、磁気ディスク装置で盛んに用い
られるＣo合金系で通常２０ｎｍ以下である。
【０００７】記録密度向上のこれまでの傾向を延長する
と、１０Ｇｂ／ｉｎ2以上の記録密度を実現するために
は磁性膜の厚さを２０ｎｍ以下にしなければならない見
通しであり、従って熱の影響が避けられない。
と、１０Ｇｂ／ｉｎ2以上の記録密度を実現するために
は磁性膜の厚さを２０ｎｍ以下にしなければならない見
通しであり、従って熱の影響が避けられない。
【０００８】本発明の目的は、このような従来技術の延
長上で発生する問題点を解消し、保磁力を高めかつ耐熱
揺らぎ特性を向上させることによって１０Ｇｂ／ｉｎ2
以上の高密度記録で実用に供し得る新規な磁気記録媒体
を提供することにある。
長上で発生する問題点を解消し、保磁力を高めかつ耐熱
揺らぎ特性を向上させることによって１０Ｇｂ／ｉｎ2
以上の高密度記録で実用に供し得る新規な磁気記録媒体
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】従来の面内磁気記録媒体
の耐熱揺らぎ特性を詳細に調べた結果、磁性膜の一部に
磁気異方性エネルギーの低い結晶性の劣る領域が形成さ
れ、この領域から結晶性の劣化が拡大し、記録磁化の減
少が進行することが判明した。結晶性の劣化した部分の
磁気異方性エネルギーは低く、更に、磁気異方性エネル
ギーは媒体の保磁力を形成する要素であるので、結晶性
の劣る領域が存在すると媒体の保磁力が低下することに
なる。即ち、記録磁化が減少する。従って、結晶性の劣
る領域の形成を阻止することが重要である。
の耐熱揺らぎ特性を詳細に調べた結果、磁性膜の一部に
磁気異方性エネルギーの低い結晶性の劣る領域が形成さ
れ、この領域から結晶性の劣化が拡大し、記録磁化の減
少が進行することが判明した。結晶性の劣化した部分の
磁気異方性エネルギーは低く、更に、磁気異方性エネル
ギーは媒体の保磁力を形成する要素であるので、結晶性
の劣る領域が存在すると媒体の保磁力が低下することに
なる。即ち、記録磁化が減少する。従って、結晶性の劣
る領域の形成を阻止することが重要である。
【００１０】この観点から、面内磁気記録媒体用に最も
一般的に使用され、また検討されているｈｃｐ構造を持
つＣo合金材料を調べると、Ｃo合金系の面内磁気記録媒
体において、結晶性が低い領域は膜の成長初期領域に存
在し、この部分の結晶性が磁性膜と接する下地膜に強い
影響を受けることが判った。従って、磁性膜の結晶性が
良好となるように下地膜の構造と組成を設定することが
重要であることが明らかになった。
一般的に使用され、また検討されているｈｃｐ構造を持
つＣo合金材料を調べると、Ｃo合金系の面内磁気記録媒
体において、結晶性が低い領域は膜の成長初期領域に存
在し、この部分の結晶性が磁性膜と接する下地膜に強い
影響を受けることが判った。従って、磁性膜の結晶性が
良好となるように下地膜の構造と組成を設定することが
重要であることが明らかになった。
【００１１】更に、磁性膜の形成過程に注目して調査し
た結果、磁性膜の形成過程で磁性膜とは別の組成を持つ
少なくとも１層の極薄層を導入することにより、磁性膜
を構成する結晶粒の磁気異方性エネルギーが増大するこ
とを見い出した。
た結果、磁性膜の形成過程で磁性膜とは別の組成を持つ
少なくとも１層の極薄層を導入することにより、磁性膜
を構成する結晶粒の磁気異方性エネルギーが増大するこ
とを見い出した。
【００１２】本発明は、上記の知見と調査結果に基づい
てなされたものであり、本発明の磁気記録媒体は、下地
膜が基板と接する下部下地膜と磁性膜に接する上部下地
膜の２層構造をなし、上部下地膜がｈｃｐ構造を持つＣ
o-Ｃrx-Ｍy合金膜であって、Ｃr＋非磁性元素Ｍの添加
濃度が２５at%≦ｘ＋ｙ≦５０at%で、かつ、元素Ｍの添
加量が０．５at%≦ｙであり、更に、元素ＭがＢ，Ｓi，
Ｇe，Ｃ，Ａl，Ｐ，Ｔi，Ｖ，Ｎb，Ｚr，Ｈf，Ｍn，Ｒ
h，Ｏs，Ｉr，Ｒe，Ｐd，Ｐt，Ｍo，Ｔa，Ｗ，Ａg，Ａu
のいずれかであることを最大の特徴としている。
てなされたものであり、本発明の磁気記録媒体は、下地
膜が基板と接する下部下地膜と磁性膜に接する上部下地
膜の２層構造をなし、上部下地膜がｈｃｐ構造を持つＣ
o-Ｃrx-Ｍy合金膜であって、Ｃr＋非磁性元素Ｍの添加
濃度が２５at%≦ｘ＋ｙ≦５０at%で、かつ、元素Ｍの添
加量が０．５at%≦ｙであり、更に、元素ＭがＢ，Ｓi，
Ｇe，Ｃ，Ａl，Ｐ，Ｔi，Ｖ，Ｎb，Ｚr，Ｈf，Ｍn，Ｒ
h，Ｏs，Ｉr，Ｒe，Ｐd，Ｐt，Ｍo，Ｔa，Ｗ，Ａg，Ａu
のいずれかであることを最大の特徴としている。
【００１３】更に、本発明の磁気記録媒体は、ｈｃｐ構
造を持つ少なくとも１層のＣo-Ｃrx-Ｍy合金による極薄
膜であって、Ｃr＋Ｍの添加濃度が２５at%≦ｘ＋ｙ≦５
０at%で、かつ、Ｍの添加量が０．５at%≦ｙであり、非
磁性元素ＭがＢ，Ｓi，Ｇe，Ｃ，Ａl，Ｐ，Ｔi，Ｖ，Ｎ
b，Ｚr，Ｈf，Ｍn，Ｒh，Ｏs，Ｉr，Ｒe，Ｐd，Ｐt，Ｍ
o，Ｔa，Ｗ，Ａg，Ａuのいずれかである極薄膜によって
Ｃo合金磁性膜が分離されていることを別の特徴として
いる。
造を持つ少なくとも１層のＣo-Ｃrx-Ｍy合金による極薄
膜であって、Ｃr＋Ｍの添加濃度が２５at%≦ｘ＋ｙ≦５
０at%で、かつ、Ｍの添加量が０．５at%≦ｙであり、非
磁性元素ＭがＢ，Ｓi，Ｇe，Ｃ，Ａl，Ｐ，Ｔi，Ｖ，Ｎ
b，Ｚr，Ｈf，Ｍn，Ｒh，Ｏs，Ｉr，Ｒe，Ｐd，Ｐt，Ｍ
o，Ｔa，Ｗ，Ａg，Ａuのいずれかである極薄膜によって
Ｃo合金磁性膜が分離されていることを別の特徴として
いる。
【００１４】このような特徴を有する磁気記録媒体の断
面構造の一例を図１に示す。非磁性基板１１上に下部下
地膜１２aが形成される。下部下地膜１２aは、磁性膜の
結晶をエピタキシャル成長させ、結晶の配向と粒径を制
御するために用いられる。そのような下部下地膜１２a
として、ＮiＡl，ＦeＡl，ＦeＶ，ＣuＺn，ＣoＡl若し
くはＣuＰd規則相からなるＢ２構造を持つ材料、又はＣ
r，Ｃr-Ｔi，Ｃr-Ｍo，Ｃr-Ｗ，Ｃr-Ｎb，Ｃr-Ｖ等から
なるｂｃｃ構造を持つ材料、或いは、これらＢ２構造を
持つ材料とｂｃｃ構造を持つ材料を積層したものを用い
るのが適当である。
面構造の一例を図１に示す。非磁性基板１１上に下部下
地膜１２aが形成される。下部下地膜１２aは、磁性膜の
結晶をエピタキシャル成長させ、結晶の配向と粒径を制
御するために用いられる。そのような下部下地膜１２a
として、ＮiＡl，ＦeＡl，ＦeＶ，ＣuＺn，ＣoＡl若し
くはＣuＰd規則相からなるＢ２構造を持つ材料、又はＣ
r，Ｃr-Ｔi，Ｃr-Ｍo，Ｃr-Ｗ，Ｃr-Ｎb，Ｃr-Ｖ等から
なるｂｃｃ構造を持つ材料、或いは、これらＢ２構造を
持つ材料とｂｃｃ構造を持つ材料を積層したものを用い
るのが適当である。
【００１５】これらの材料からなる膜を基板１１上に形
成すると、その膜は、（２１１）面又は（１００）面が
基板と平行である配向膜が成長し易い性質を持つ。更
に、このようなＢ２構造又はｂｃｃ構造を持つ材料から
なる膜を構成する結晶粒の分布は、スパッタ法等で膜形
成を行なう場合に基板温度や製膜速度を調整することに
よって制御することができる。
成すると、その膜は、（２１１）面又は（１００）面が
基板と平行である配向膜が成長し易い性質を持つ。更
に、このようなＢ２構造又はｂｃｃ構造を持つ材料から
なる膜を構成する結晶粒の分布は、スパッタ法等で膜形
成を行なう場合に基板温度や製膜速度を調整することに
よって制御することができる。
【００１６】（２１１）配向膜又は（１００）配向膜の
上にｈｃｐ構造を持つＣo合金膜を形成すると、エピタ
キシャル成長により、
上にｈｃｐ構造を持つＣo合金膜を形成すると、エピタ
キシャル成長により、
【００１７】
【数１】
【００１８】が基板１１と平行に成長する。この場合
は、Ｃo合金の磁化容易軸が基板と平行になり、保磁力
が向上するという面内磁気記録媒体として望ましい特性
が得られる。
は、Ｃo合金の磁化容易軸が基板と平行になり、保磁力
が向上するという面内磁気記録媒体として望ましい特性
が得られる。
【００１９】次に、下部下地層１２a上に、ｈｃｐ構造
を持つＣo-Ｃrx-Ｍyの合金材料からなる非磁性又は弱磁
性の上部下地膜１２bが形成され、その上にＣo合金磁性
膜１４及び保護膜１５が形成される。
を持つＣo-Ｃrx-Ｍyの合金材料からなる非磁性又は弱磁
性の上部下地膜１２bが形成され、その上にＣo合金磁性
膜１４及び保護膜１５が形成される。
【００２０】ここで、Ｃr＋Ｍの添加濃度は、２５at%≦
ｘ＋ｙ≦５０at%に設定される。ＣoにＣr＋Ｍを２５at%
以上添加すると、その材料は弱磁性化又は非磁性化す
る。また、Ｃr＋Ｍを５０at%以上添加すると、合金のｈ
ｃｐ構造の不安定化が起こる。従って、Ｃo合金系にお
いて、非磁性又は弱磁性のｈｃｐ構造を安定に保てる範
囲は、２５at%≦ｘ＋ｙ≦５０at%となる。また、非磁性
元素Ｍの添加量は、０．５at%≦ｙで添加の効果を得る
ことができる。
ｘ＋ｙ≦５０at%に設定される。ＣoにＣr＋Ｍを２５at%
以上添加すると、その材料は弱磁性化又は非磁性化す
る。また、Ｃr＋Ｍを５０at%以上添加すると、合金のｈ
ｃｐ構造の不安定化が起こる。従って、Ｃo合金系にお
いて、非磁性又は弱磁性のｈｃｐ構造を安定に保てる範
囲は、２５at%≦ｘ＋ｙ≦５０at%となる。また、非磁性
元素Ｍの添加量は、０．５at%≦ｙで添加の効果を得る
ことができる。
【００２１】さて、Ｃoの金属原子半径は１．２６オン
グストロームであり、また、Ｃrの金属原子半径は１．
２８オングストロームと両者が近いため、Ｃo-Ｃr合金
はＣr濃度にあまり依存せずほぼ一定の平均原子半径と
なる。一方、記録磁性膜１４に用いるＣo-Ｃr-Ｔa，Ｃo
-Ｃr-Ｐt，Ｃo-Ｃr-Ｐt-Ｔa，Ｃo-Ｃr-Ｐt-Ｔa-Ｎb，Ｃ
o-Ｃr-Ｐt-Ｔa-Ｂなどの平均の原子半径は、本発明者の
実験によれば、１．２６５〜１．２９０オングストロー
ムの範囲にあることが判った。
グストロームであり、また、Ｃrの金属原子半径は１．
２８オングストロームと両者が近いため、Ｃo-Ｃr合金
はＣr濃度にあまり依存せずほぼ一定の平均原子半径と
なる。一方、記録磁性膜１４に用いるＣo-Ｃr-Ｔa，Ｃo
-Ｃr-Ｐt，Ｃo-Ｃr-Ｐt-Ｔa，Ｃo-Ｃr-Ｐt-Ｔa-Ｎb，Ｃ
o-Ｃr-Ｐt-Ｔa-Ｂなどの平均の原子半径は、本発明者の
実験によれば、１．２６５〜１．２９０オングストロー
ムの範囲にあることが判った。
【００２２】これらの中の特にＣoにＰtを合金元素とし
て添加した媒体においては、Ｐtの金属原子半径が１．
３８オングストロームと大きいため、Ｐtの添加量にほ
ぼ比例して平均の金属原子半径が増大する。高密度磁気
記録媒体としてＣo-Ｃr系材料にに添加されるＰtの量
は、５at%〜３０at%の範囲となっている。下地膜と磁性
膜の良好なエピタキシャル成長を実現するためには、下
地膜の平均の金属原子半径を磁性膜の値に近づけること
が望ましい。
て添加した媒体においては、Ｐtの金属原子半径が１．
３８オングストロームと大きいため、Ｐtの添加量にほ
ぼ比例して平均の金属原子半径が増大する。高密度磁気
記録媒体としてＣo-Ｃr系材料にに添加されるＰtの量
は、５at%〜３０at%の範囲となっている。下地膜と磁性
膜の良好なエピタキシャル成長を実現するためには、下
地膜の平均の金属原子半径を磁性膜の値に近づけること
が望ましい。
【００２３】本発明の第一の対策は、このためにＣo-Ｃ
r合金に金属原子半径がＣo及びＣrに比べて大きい元素
を適当量加えることによって下地膜材料の平均金属原子
半径を調整することである。Ｃoと同じｈｃｐ結晶構造
を持つＲh，Ｏs，Ｒe，Ｈf又は面心立方構造（ｆｃｃ構
造）を持つＩr，Ｐd，Ｐtは、Ｃoに比べて大きい金属原
子半径を持ち、更に固溶範囲も広く、添加元素として適
当である。ｈｃｐ構造を持つＴi，面心立方構造を持つ
Ａu，Ａgは、金属原子半径がＣoに比べて１４％以上大
きいため固溶範囲は大きくないが、添加量が２０％以下
の少ない範囲では固溶可能である。このほか、添加元素
として適当な金属元素は、ｂｃｃ構造を持つＶ，Ｍo，
Ｔa，Ｗ，Ｎb又は立法晶構造を持つＭnなどである。
r合金に金属原子半径がＣo及びＣrに比べて大きい元素
を適当量加えることによって下地膜材料の平均金属原子
半径を調整することである。Ｃoと同じｈｃｐ結晶構造
を持つＲh，Ｏs，Ｒe，Ｈf又は面心立方構造（ｆｃｃ構
造）を持つＩr，Ｐd，Ｐtは、Ｃoに比べて大きい金属原
子半径を持ち、更に固溶範囲も広く、添加元素として適
当である。ｈｃｐ構造を持つＴi，面心立方構造を持つ
Ａu，Ａgは、金属原子半径がＣoに比べて１４％以上大
きいため固溶範囲は大きくないが、添加量が２０％以下
の少ない範囲では固溶可能である。このほか、添加元素
として適当な金属元素は、ｂｃｃ構造を持つＶ，Ｍo，
Ｔa，Ｗ，Ｎb又は立法晶構造を持つＭnなどである。
【００２４】これらの添加元素に関して本発明者が行な
った実験によれば、Ｃo-Ｃr-Ｐt系磁性材料を対象にＰt
量を５at%〜３０at%の範囲で変化させた場合、Ｃo-Ｃr
25-Ｍy下地材料の平均の金属原子半径のＣo-Ｃr-Ｐt系
磁性材料のそれとの差が３％以内となるように調整する
ことが良好なエピタキシャル成長の関係を得るために必
要であり、そのためのＣo-Ｃr25-Ｍy下地材料の非磁性
材料の添加量は、以下の範囲が特に好ましいことが判明
した。
った実験によれば、Ｃo-Ｃr-Ｐt系磁性材料を対象にＰt
量を５at%〜３０at%の範囲で変化させた場合、Ｃo-Ｃr
25-Ｍy下地材料の平均の金属原子半径のＣo-Ｃr-Ｐt系
磁性材料のそれとの差が３％以内となるように調整する
ことが良好なエピタキシャル成長の関係を得るために必
要であり、そのためのＣo-Ｃr25-Ｍy下地材料の非磁性
材料の添加量は、以下の範囲が特に好ましいことが判明
した。
【００２５】即ち、Ｍn：３at%≦ｙ≦２５at%，Ｒh：３
at%≦ｙ≦２５at%，Ｏs：３at%≦ｙ≦２５at%，Ｉr：３
at%≦ｙ≦２５at%,Ｖ：３at%≦ｙ≦２５at%，Ｒe：３at
%≦ｙ≦２５at%，Ｐd：３at%≦ｙ≦２５at%，Ｐt：３at
%≦ｙ≦２５at%，Ｍo：３at%≦ｙ≦２２at%，Ｔa：３at
%≦ｙ≦２１at%，Ｗ：３at%≦ｙ≦１５at%，Ａu：３at%
≦ｙ≦１６at%，Ｔi：３at%≦ｙ≦１５at%，Ｎb：３at%
≦ｙ≦１２at%，Ｚr：２at%≦ｙ≦２０at%，Ｈf：３at%
≦ｙ≦１６at%，Ａg：３at%≦ｙ≦１６at%，Ａl：３at%
≦ｙ≦１４at%である。このような添加量の範囲でＣo-
Ｃr25-Ｍy下地材料のＣr添加量を３５at%まで変化させ
ても、平均の金属原子半径は殆ど変化しなかった。
at%≦ｙ≦２５at%，Ｏs：３at%≦ｙ≦２５at%，Ｉr：３
at%≦ｙ≦２５at%,Ｖ：３at%≦ｙ≦２５at%，Ｒe：３at
%≦ｙ≦２５at%，Ｐd：３at%≦ｙ≦２５at%，Ｐt：３at
%≦ｙ≦２５at%，Ｍo：３at%≦ｙ≦２２at%，Ｔa：３at
%≦ｙ≦２１at%，Ｗ：３at%≦ｙ≦１５at%，Ａu：３at%
≦ｙ≦１６at%，Ｔi：３at%≦ｙ≦１５at%，Ｎb：３at%
≦ｙ≦１２at%，Ｚr：２at%≦ｙ≦２０at%，Ｈf：３at%
≦ｙ≦１６at%，Ａg：３at%≦ｙ≦１６at%，Ａl：３at%
≦ｙ≦１４at%である。このような添加量の範囲でＣo-
Ｃr25-Ｍy下地材料のＣr添加量を３５at%まで変化させ
ても、平均の金属原子半径は殆ど変化しなかった。
【００２６】本発明の関連する他の対策は、Ｃo-Ｃrx-
Ｍy合金膜を構成する非磁性元素Ｍとして金属原子半径
がＣo及びＣrのそれよりも小さいＢ，Ｃ，Ｓi，Ｇe，Ｐ
の少なくとも１つの元素を採用することである。この場
合、Ｃo合金磁性膜１４とその直下に形成するＣo-Ｃrx-
Ｍy下地膜１２bの平均の原子半径の差が拡大し、両者の
膜界面には結晶歪が形成される。
Ｍy合金膜を構成する非磁性元素Ｍとして金属原子半径
がＣo及びＣrのそれよりも小さいＢ，Ｃ，Ｓi，Ｇe，Ｐ
の少なくとも１つの元素を採用することである。この場
合、Ｃo合金磁性膜１４とその直下に形成するＣo-Ｃrx-
Ｍy下地膜１２bの平均の原子半径の差が拡大し、両者の
膜界面には結晶歪が形成される。
【００２７】しかし、この場合は、下地合金を構成する
Ｃoに比べて原子半径の小さいＢ，Ｃ，Ｓi，Ｇe，Ｐ又
はＣoに比べて結晶格子間を移動しやすいＣrがＣo合金
磁性膜の結晶粒界へ拡散移動することにより、両者の膜
に入る歪が緩和する効果が生ずる。これによって高い磁
気異方性エネルギー状態を実現することができる。
Ｃoに比べて原子半径の小さいＢ，Ｃ，Ｓi，Ｇe，Ｐ又
はＣoに比べて結晶格子間を移動しやすいＣrがＣo合金
磁性膜の結晶粒界へ拡散移動することにより、両者の膜
に入る歪が緩和する効果が生ずる。これによって高い磁
気異方性エネルギー状態を実現することができる。
【００２８】この場合のＣo-Ｃrx-Ｍy合金膜のＭの最適
な添加量の範囲は、Ｃr量を２５at%とした場合に、Ｂ：
２at%≦ｙ≦１４at%，Ｃ：１at%≦ｙ≦１２at%，Ｓi：
０．５at%≦ｙ≦１５at%，Ｇe：０．５at%≦ｙ≦１６at
%，Ｐ：０．５at%≦ｙ≦１０at%である。Ｃrの添加量を
１５〜３０at%の範囲で変化させても、Ｍの適当な添加
量の範囲は殆ど変化しなかった。
な添加量の範囲は、Ｃr量を２５at%とした場合に、Ｂ：
２at%≦ｙ≦１４at%，Ｃ：１at%≦ｙ≦１２at%，Ｓi：
０．５at%≦ｙ≦１５at%，Ｇe：０．５at%≦ｙ≦１６at
%，Ｐ：０．５at%≦ｙ≦１０at%である。Ｃrの添加量を
１５〜３０at%の範囲で変化させても、Ｍの適当な添加
量の範囲は殆ど変化しなかった。
【００２９】下地膜として許容できる弱磁性の範囲は、
飽和磁化Ｍsが３０ｅｍｕ／ｃｃ以下である。Ｃo-Ｃr25
-Ｍy下地材料を高い基板温度で製膜すると、Ｃrの結晶
粒界への偏析が生じて磁化が生ずることがあるが、添加
元素Ｍを上記の量加えたＣo-Ｃr25-Ｍy下地材料では、
飽和磁化Ｍsを３０ｅｍｕ／ｃｃ以下に保てる特長があ
る。
飽和磁化Ｍsが３０ｅｍｕ／ｃｃ以下である。Ｃo-Ｃr25
-Ｍy下地材料を高い基板温度で製膜すると、Ｃrの結晶
粒界への偏析が生じて磁化が生ずることがあるが、添加
元素Ｍを上記の量加えたＣo-Ｃr25-Ｍy下地材料では、
飽和磁化Ｍsを３０ｅｍｕ／ｃｃ以下に保てる特長があ
る。
【００３０】以上、Ｃo合金からなる記録磁性膜１４に
接する上部下地膜１２bとして、上記のＣo-Ｃr25-Ｍy合
金膜を設けることにより、記録磁性膜１４を構成する結
晶粒の結晶性を改善することができ、かつ保磁力を増大
させることができる。上部下地膜１２bの平均の金属原
子半径の磁性膜１４のそれとの差が３％以内となるよう
に、Ｃo-Ｃr25-Ｍy膜におけるＭ（Ａl，Ｔi，Ｖ，Ｎb，
Ｚr，Ｈf，Ｍn，Ｒh，Ｏs，Ｉr，Ｒe，Ｐd，Ｐt，Ｍo，
Ｔa，Ｗ，Ａu，Ａg）の添加量を調整をすることによ
り、これらの効果を増幅させることができる。
接する上部下地膜１２bとして、上記のＣo-Ｃr25-Ｍy合
金膜を設けることにより、記録磁性膜１４を構成する結
晶粒の結晶性を改善することができ、かつ保磁力を増大
させることができる。上部下地膜１２bの平均の金属原
子半径の磁性膜１４のそれとの差が３％以内となるよう
に、Ｃo-Ｃr25-Ｍy膜におけるＭ（Ａl，Ｔi，Ｖ，Ｎb，
Ｚr，Ｈf，Ｍn，Ｒh，Ｏs，Ｉr，Ｒe，Ｐd，Ｐt，Ｍo，
Ｔa，Ｗ，Ａu，Ａg）の添加量を調整をすることによ
り、これらの効果を増幅させることができる。
【００３１】下地膜としてＣo-Ｃr25-Ｍyを設ける場合
に、特に有効な記録用の磁性膜材料は、Ｐtを含むＣo合
金であり、なかでも添加量範囲が５at%〜３０at%のＰt
を含むＣo合金である。この添加量範囲のＰt量を含むＣ
o合金磁性膜は、高い磁気異方性エネルギーを持つと同
時に耐熱揺らぎ性が良好であり、従って高保磁力を有
し、高密度磁気記録媒体として好適である。なお、Ｃo-
Ｃrx-Ｍy合金膜においてＣoよりも小さい原子半径を持
つＭ（Ｂ，Ｃ，Ｓi，Ｇe，Ｐ）の場合は、Ｍの平均の原
子半径のＣoのそれとの差が４％以内であることが望ま
しい。
に、特に有効な記録用の磁性膜材料は、Ｐtを含むＣo合
金であり、なかでも添加量範囲が５at%〜３０at%のＰt
を含むＣo合金である。この添加量範囲のＰt量を含むＣ
o合金磁性膜は、高い磁気異方性エネルギーを持つと同
時に耐熱揺らぎ性が良好であり、従って高保磁力を有
し、高密度磁気記録媒体として好適である。なお、Ｃo-
Ｃrx-Ｍy合金膜においてＣoよりも小さい原子半径を持
つＭ（Ｂ，Ｃ，Ｓi，Ｇe，Ｐ）の場合は、Ｍの平均の原
子半径のＣoのそれとの差が４％以内であることが望ま
しい。
【００３２】なお、Ｃo-Ｃr25-Ｍy膜の厚さは、０．５
ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、特に望ましい範囲は、
１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。０．５ｎｍ以下では、
Ｃo-Ｃr25-Ｍy合金膜の効果が不十分となるため、また
１００ｎｍ以上になると膜厚が厚くなることに伴って発
生する表面起伏が大きくなるため、高密度磁気記録媒体
として必要な媒体表面の平滑性を確保することが困難に
なる。
ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、特に望ましい範囲は、
１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。０．５ｎｍ以下では、
Ｃo-Ｃr25-Ｍy合金膜の効果が不十分となるため、また
１００ｎｍ以上になると膜厚が厚くなることに伴って発
生する表面起伏が大きくなるため、高密度磁気記録媒体
として必要な媒体表面の平滑性を確保することが困難に
なる。
【００３３】次に、磁性膜中の結晶歪や応力を緩和し、
高い磁気異方性エネルギーと保持力を実現するための本
発明の更に他の対策として、磁性膜の形成過程において
磁性膜とは別の組成を持つＣo-Ｃrx-Ｍy合金膜を少なく
とも１層導入することが有効である。図２にこの対策を
取り入れた媒体の断面構造の一例を示す。
高い磁気異方性エネルギーと保持力を実現するための本
発明の更に他の対策として、磁性膜の形成過程において
磁性膜とは別の組成を持つＣo-Ｃrx-Ｍy合金膜を少なく
とも１層導入することが有効である。図２にこの対策を
取り入れた媒体の断面構造の一例を示す。
【００３４】下地膜２２として、Ｃr，Ｖ及びこれらの
合金等のｂｃｃ構造材料が用いられる。Ｃo合金からな
る磁性膜２４aを形成してから、その上に極薄のＣo-Ｃr
x-Ｍy合金膜２３が形成される。Ｃo-Ｃrx-Ｍy合金膜２
３の組成は前述のものが良い。更に、その上に再びＣo
合金からなる磁性膜２４bが形成され、その上に保護膜
２５が形成される。ここで、Ｃo-Ｃrx-Ｍy膜２３の上下
に設ける磁性膜２４a，２４bの組成は、同じでも異なっ
ても良いが、Ｐtを少なくとも５at%、多くとも３０at%
含んだｈｃｐ構造を持つことが望ましい。
合金等のｂｃｃ構造材料が用いられる。Ｃo合金からな
る磁性膜２４aを形成してから、その上に極薄のＣo-Ｃr
x-Ｍy合金膜２３が形成される。Ｃo-Ｃrx-Ｍy合金膜２
３の組成は前述のものが良い。更に、その上に再びＣo
合金からなる磁性膜２４bが形成され、その上に保護膜
２５が形成される。ここで、Ｃo-Ｃrx-Ｍy膜２３の上下
に設ける磁性膜２４a，２４bの組成は、同じでも異なっ
ても良いが、Ｐtを少なくとも５at%、多くとも３０at%
含んだｈｃｐ構造を持つことが望ましい。
【００３５】Ｃo-Ｃrx-Ｍy合金膜２３の厚さは，０．２
ｎｍ以上５ｎｍ以下が適当である。０．２ｎｍ以下で
は、Ｃo-Ｃrx-Ｍy合金膜を導入する効果が小さく、また
５ｎｍ以上になると磁性膜の保磁力が低下するなどの高
密度磁気記録媒体として望ましくない影響が生ずる。
ｎｍ以上５ｎｍ以下が適当である。０．２ｎｍ以下で
は、Ｃo-Ｃrx-Ｍy合金膜を導入する効果が小さく、また
５ｎｍ以上になると磁性膜の保磁力が低下するなどの高
密度磁気記録媒体として望ましくない影響が生ずる。
【００３６】前述の下地膜を２層にする対策を同時に適
用することにより、高密度磁気記録媒体として更に望ま
しい特性を得ることができる。その例を図３に示す。下
部下地膜３２aとしてｂｃｃ構造材料層が設けられ、そ
の上にｈｃｐ構造を持つＣo-Ｃrx-Ｍy合金膜からなる上
部下地膜３２bを形成される。更にその上にＣo合金磁性
膜３４a、Ｃo-Ｃrx-Ｍy合金膜の極薄層３３、Ｃo合金磁
性膜３４b、保護膜３５が形成される。下部下地膜３２a
と基板３１の間に接着強化層、結晶粒径制御層、軟磁性
膜、等の複数の膜を目的に応じて形成しても良い。
用することにより、高密度磁気記録媒体として更に望ま
しい特性を得ることができる。その例を図３に示す。下
部下地膜３２aとしてｂｃｃ構造材料層が設けられ、そ
の上にｈｃｐ構造を持つＣo-Ｃrx-Ｍy合金膜からなる上
部下地膜３２bを形成される。更にその上にＣo合金磁性
膜３４a、Ｃo-Ｃrx-Ｍy合金膜の極薄層３３、Ｃo合金磁
性膜３４b、保護膜３５が形成される。下部下地膜３２a
と基板３１の間に接着強化層、結晶粒径制御層、軟磁性
膜、等の複数の膜を目的に応じて形成しても良い。
【００３７】上記の効果に加えて、記録磁性膜を構成す
る結晶の粒径分布を制御するようにした磁気記録媒体の
構造断面を図４に示す。非磁性基板４１上にＣr又はＣr
合金からなる接着強化層４６を設けた後、ＭgＯ，ＬiＦ
等のＮaＣl型結晶構造を持つ下部下地膜４２aが形成さ
れる。ＭgＯ，ＬiＦ等の材料膜は、（１００）配向膜が
得られ易く、しかも結晶粒径の分布が揃いやすい。成膜
の条件（基板温度、成膜速度など）を調整することによ
り、１０Ｇｂ／ｉｎ2以上の記録密度を実現するのに望
ましい結晶粒径１０ｎｍ程度の下地膜を容易に形成する
ことができる。中間下地膜４２cはＢ２構造を持つ材料
からなり、上部下地膜４２bは、ｈｃｐ構造を持つＣo-
Ｃrx-Ｍy合金膜からなる。この上にｈｃｐ構造を持つＣ
o合金からなる記録層用の磁性膜４４a、極薄のＣo-Ｃrx
-Ｍy合金膜層４３、ｈｃｐ構造を持つＣo合金からなる
記録層用の磁性膜４４b及び保護膜４５が形成される。
る結晶の粒径分布を制御するようにした磁気記録媒体の
構造断面を図４に示す。非磁性基板４１上にＣr又はＣr
合金からなる接着強化層４６を設けた後、ＭgＯ，ＬiＦ
等のＮaＣl型結晶構造を持つ下部下地膜４２aが形成さ
れる。ＭgＯ，ＬiＦ等の材料膜は、（１００）配向膜が
得られ易く、しかも結晶粒径の分布が揃いやすい。成膜
の条件（基板温度、成膜速度など）を調整することによ
り、１０Ｇｂ／ｉｎ2以上の記録密度を実現するのに望
ましい結晶粒径１０ｎｍ程度の下地膜を容易に形成する
ことができる。中間下地膜４２cはＢ２構造を持つ材料
からなり、上部下地膜４２bは、ｈｃｐ構造を持つＣo-
Ｃrx-Ｍy合金膜からなる。この上にｈｃｐ構造を持つＣ
o合金からなる記録層用の磁性膜４４a、極薄のＣo-Ｃrx
-Ｍy合金膜層４３、ｈｃｐ構造を持つＣo合金からなる
記録層用の磁性膜４４b及び保護膜４５が形成される。
【００３８】高密度磁気記録の実現のために、結晶粒径
を記録密度の向上に見合って微細化し、かつ結晶粒径分
布を狭くする必要があるが、上記の磁気記録媒体は、そ
のような条件を満たすものである。
を記録密度の向上に見合って微細化し、かつ結晶粒径分
布を狭くする必要があるが、上記の磁気記録媒体は、そ
のような条件を満たすものである。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る磁気記録媒体
を幾つかの実施例による発明の実施の形態を参照して更
に詳細に説明する。
を幾つかの実施例による発明の実施の形態を参照して更
に詳細に説明する。
【００４０】
【実施例】＜実施例１＞直径２．５インチのガラス基板
を用い、直流マグネトロンスパッタ法によって図１に示
す断面構造を持つ面内磁気記録媒体を作製した。基板１
１上に、下部下地膜１２a、上部下地膜１２b、記録用磁
性膜１４、及び保護膜１５をこの順序で形成した。
を用い、直流マグネトロンスパッタ法によって図１に示
す断面構造を持つ面内磁気記録媒体を作製した。基板１
１上に、下部下地膜１２a、上部下地膜１２b、記録用磁
性膜１４、及び保護膜１５をこの順序で形成した。
【００４１】各膜の成膜のためのターゲットとして、下
部下地膜１２a用にＮiＡlターゲット、上部下地膜１２b
用にＣo-Ｃrx-Ｍyターゲット、記録磁性膜１４用にＣo-
21at%Ｃr-15at%Ｐtターゲット、保護膜１５用にカーボ
ンターゲットを用いた。
部下地膜１２a用にＮiＡlターゲット、上部下地膜１２b
用にＣo-Ｃrx-Ｍyターゲット、記録磁性膜１４用にＣo-
21at%Ｃr-15at%Ｐtターゲット、保護膜１５用にカーボ
ンターゲットを用いた。
【００４２】Ｃo-Ｃrx-Ｍyターゲットとして、Ｃo-25at
%Ｃr-6at%Ｂ，Ｃo-25at%Ｃr-8at%Ｓi，Ｃo-25at%Ｃr-10
at%Ｇe，Ｃo-25at%Ｃr-4at%Ａl，Ｃo-25at%Ｃr-6at%
Ｐ，Ｃo-25at%Ｃr-6at%Ｔi，Ｃo-25at%Ｃr-10at%Ｖ，Ｃ
o-25at%Ｃr-4at%Ｚr，Ｃo-25at%Ｃr-8at%Ｎb，Ｃo-25at
%Ｃr-6at%Ｈf，Ｃo-25at%Ｃr-10at%Ｍn，Ｃo-25at%Ｃr-
12at%Ｒh，Ｃo-25at%Ｃr-18at%Ｉr，Ｃo-25at%Ｃr-14at
%Ｒe，Ｃo-25at%Ｃr-8at%Ｐd，Ｃo-25at%Ｃr-6at%Ｐt，
Ｃo-25at%Ｃr-4at%Ｍo，Ｃo-25at%Ｃr-8at%Ｗ，Ｃo-25a
t%Ｃr-4at%Ａg，Ｃo-25at%Ｃr-6at%Ａuを用いた。
%Ｃr-6at%Ｂ，Ｃo-25at%Ｃr-8at%Ｓi，Ｃo-25at%Ｃr-10
at%Ｇe，Ｃo-25at%Ｃr-4at%Ａl，Ｃo-25at%Ｃr-6at%
Ｐ，Ｃo-25at%Ｃr-6at%Ｔi，Ｃo-25at%Ｃr-10at%Ｖ，Ｃ
o-25at%Ｃr-4at%Ｚr，Ｃo-25at%Ｃr-8at%Ｎb，Ｃo-25at
%Ｃr-6at%Ｈf，Ｃo-25at%Ｃr-10at%Ｍn，Ｃo-25at%Ｃr-
12at%Ｒh，Ｃo-25at%Ｃr-18at%Ｉr，Ｃo-25at%Ｃr-14at
%Ｒe，Ｃo-25at%Ｃr-8at%Ｐd，Ｃo-25at%Ｃr-6at%Ｐt，
Ｃo-25at%Ｃr-4at%Ｍo，Ｃo-25at%Ｃr-8at%Ｗ，Ｃo-25a
t%Ｃr-4at%Ａg，Ｃo-25at%Ｃr-6at%Ａuを用いた。
【００４３】スパッタのＡrガス圧力を３ｍＴorr、スパ
ッタパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２５０℃の条件
で、下部下地膜１２aのＮiＡl膜を１５ｎｍ、上部下地
膜１２bを５ｎｍ、磁性膜１４を１６ｎｍ、保護膜１５
のカーボン膜を８ｎｍの厚さに各々成膜した。保護膜１
５の上に潤滑膜としてパーフロロポリエーテル系の膜
（図示せず）を塗布した。
ッタパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２５０℃の条件
で、下部下地膜１２aのＮiＡl膜を１５ｎｍ、上部下地
膜１２bを５ｎｍ、磁性膜１４を１６ｎｍ、保護膜１５
のカーボン膜を８ｎｍの厚さに各々成膜した。保護膜１
５の上に潤滑膜としてパーフロロポリエーテル系の膜
（図示せず）を塗布した。
【００４４】比較試料として、上部下地膜１２bを設け
ずにＮiＡl下部下地膜１２a上に直接Ｃo-21at%Ｃr-15at
%Ｐt磁性膜１４を形成した試料（比較例１）、及び上部
下地膜１２bは設けるが、同膜に元素Ｍを添加しないＣo
-35at%Ｃrからなる非磁性の上部下地膜をＮiＡl下部下
地膜１２a上に形成し、その上にＣo-21at%Ｃr-15at%Ｐt
磁性膜１４を形成した試料（比較例２）を作製した。
ずにＮiＡl下部下地膜１２a上に直接Ｃo-21at%Ｃr-15at
%Ｐt磁性膜１４を形成した試料（比較例１）、及び上部
下地膜１２bは設けるが、同膜に元素Ｍを添加しないＣo
-35at%Ｃrからなる非磁性の上部下地膜をＮiＡl下部下
地膜１２a上に形成し、その上にＣo-21at%Ｃr-15at%Ｐt
磁性膜１４を形成した試料（比較例２）を作製した。
【００４５】これらの試料の保磁力を振動型磁力計（Ｖ
ＳＭ）で測定し、記録再生特性の評価を記録再生分離型
の磁気ヘッドを用いて行なった。記録ヘッドのギャップ
長は０．２μｍ、再生用のスピンバルブヘッド（高感度
の磁気抵抗効果型再生ヘッド）のシールド間隔を０．２
μｍ、測定時のスペーシング（記録媒体とヘッドの間
隔）を０．０４μｍとした。記録信号の経時変化の測定
は、３５０ｋＦＣＩ（ＦＣＩ：１インチ当たりの磁化変
化）の磁気記録信号の記録直後の再生出力（Ｓt=0）と
１００時間後の再生出力（Ｓt=100）の比として評価し
た。
ＳＭ）で測定し、記録再生特性の評価を記録再生分離型
の磁気ヘッドを用いて行なった。記録ヘッドのギャップ
長は０．２μｍ、再生用のスピンバルブヘッド（高感度
の磁気抵抗効果型再生ヘッド）のシールド間隔を０．２
μｍ、測定時のスペーシング（記録媒体とヘッドの間
隔）を０．０４μｍとした。記録信号の経時変化の測定
は、３５０ｋＦＣＩ（ＦＣＩ：１インチ当たりの磁化変
化）の磁気記録信号の記録直後の再生出力（Ｓt=0）と
１００時間後の再生出力（Ｓt=100）の比として評価し
た。
【００４６】表１に作成した試料の保磁力と記録信号の
残存比率（Ｓt=100／Ｓt=0）の測定結果を示す。
残存比率（Ｓt=100／Ｓt=0）の測定結果を示す。
【００４７】
【表１】
【００４８】本発明の磁気記録媒体は、２．７ｋＯe以
上の高い保磁力が得られており、しかも記録信号の残存
比率がいずれも０．９以上である。これに対し、比較例
１、２の試料の保磁力は、いずれも２．５ｋＯe以下で
あり、しかも記録信号の残存比率が０．８５以下と低
い。このようにして、本発明による磁気記録媒体は、記
録信号の劣化の小さい高密度磁気記録媒体として有効で
あることが確認された。
上の高い保磁力が得られており、しかも記録信号の残存
比率がいずれも０．９以上である。これに対し、比較例
１、２の試料の保磁力は、いずれも２．５ｋＯe以下で
あり、しかも記録信号の残存比率が０．８５以下と低
い。このようにして、本発明による磁気記録媒体は、記
録信号の劣化の小さい高密度磁気記録媒体として有効で
あることが確認された。
【００４９】＜実施例２＞直径２．５インチのガラス基
板を用い、直流マグネトロンスパッタ法によって図２に
示す断面構造を持つ面内磁気記録媒体を作製した。基板
２１上に、下地膜２２、基板２１に近い側のＣo合金系
記録用磁性膜２４a、ｈｃｐ構造を持つ非磁性又は弱磁
性の極薄Ｃo-Ｃrx-Ｍy合金膜２３、表面に近い側のＣo
合金系記録用磁性膜２４b、及び保護膜２５をこの順序
で形成した。
板を用い、直流マグネトロンスパッタ法によって図２に
示す断面構造を持つ面内磁気記録媒体を作製した。基板
２１上に、下地膜２２、基板２１に近い側のＣo合金系
記録用磁性膜２４a、ｈｃｐ構造を持つ非磁性又は弱磁
性の極薄Ｃo-Ｃrx-Ｍy合金膜２３、表面に近い側のＣo
合金系記録用磁性膜２４b、及び保護膜２５をこの順序
で形成した。
【００５０】下地膜２２形成には、Ｃr及びＣr-15at%Ｔ
iの２種類のターゲットを用い、基板２１側に５ｎｍ厚
のＣr膜を形成し、その上に５ｎｍ厚のＣr-15at%Ｔi膜
を形成し、これによって下地膜２２を２層とした。ま
た、Ｃo合金系記録用磁性膜２４aの成膜用としてＣo-21
at%Ｃr-8at%Ｐtターゲットを用いた。
iの２種類のターゲットを用い、基板２１側に５ｎｍ厚
のＣr膜を形成し、その上に５ｎｍ厚のＣr-15at%Ｔi膜
を形成し、これによって下地膜２２を２層とした。ま
た、Ｃo合金系記録用磁性膜２４aの成膜用としてＣo-21
at%Ｃr-8at%Ｐtターゲットを用いた。
【００５１】Ｃo-Ｃrx-Ｍy膜２３の成膜用ターゲットと
して、Ｃo-30at%Ｃr-5at%Ｂ，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ｓi，
Ｃo-30at%Ｃr-6at%Ｇe，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ａl，Ｃo-30
at%Ｃr-6at%Ｐ，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ｔi，Ｃo-30at%Ｃr-
10at%Ｖ，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ｚr，Ｃo-30at%Ｃr-6at%Ｎ
b，Ｃo-30at%Ｃr-6at%Ｈf，Ｃo-30at%Ｃr-10at%Ｍn，Ｃ
o-30at%Ｃr-8at%Ｒh，Ｃo-30at%Ｃr-8at%Ｉr，Ｃo-30at
%Ｃr-7at%Ｒe，Ｃo-30at%Ｃr-8at%Ｐd，Ｃo-30at%Ｃr-6
at%Ｐt，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ｍo，Ｃo-30at%Ｃr-4at%
Ｗ，Ｃo-30at%Ｃr-3at%Ａg，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ａuを用
いた。
して、Ｃo-30at%Ｃr-5at%Ｂ，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ｓi，
Ｃo-30at%Ｃr-6at%Ｇe，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ａl，Ｃo-30
at%Ｃr-6at%Ｐ，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ｔi，Ｃo-30at%Ｃr-
10at%Ｖ，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ｚr，Ｃo-30at%Ｃr-6at%Ｎ
b，Ｃo-30at%Ｃr-6at%Ｈf，Ｃo-30at%Ｃr-10at%Ｍn，Ｃ
o-30at%Ｃr-8at%Ｒh，Ｃo-30at%Ｃr-8at%Ｉr，Ｃo-30at
%Ｃr-7at%Ｒe，Ｃo-30at%Ｃr-8at%Ｐd，Ｃo-30at%Ｃr-6
at%Ｐt，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ｍo，Ｃo-30at%Ｃr-4at%
Ｗ，Ｃo-30at%Ｃr-3at%Ａg，Ｃo-30at%Ｃr-4at%Ａuを用
いた。
【００５２】Ｃo合金系記録用磁性膜２４bの成膜用にＣ
o-21at%Ｃr-10at%Ｐtターゲットを用いた。
o-21at%Ｃr-10at%Ｐtターゲットを用いた。
【００５３】スパッタのＡrガス圧力を３ｍＴorr、スパ
ッタパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２７０℃の条件
で、下地膜２２をＣr-15at%Ｔi（５ｎｍ）／Ｃr（５ｎ
ｍ）の計１０ｎｍ、磁性膜２４aを８ｎｍ、Ｃo-Ｃrx-Ｍ
y膜２３を０．５ｎｍ、磁性膜２４bを８ｎｍ、カーボン
膜２５を１０ｎｍの厚さに各々成膜した。保護膜２５の
上に潤滑膜としてパーフロロポリエーテル系の膜を塗布
した。
ッタパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２７０℃の条件
で、下地膜２２をＣr-15at%Ｔi（５ｎｍ）／Ｃr（５ｎ
ｍ）の計１０ｎｍ、磁性膜２４aを８ｎｍ、Ｃo-Ｃrx-Ｍ
y膜２３を０．５ｎｍ、磁性膜２４bを８ｎｍ、カーボン
膜２５を１０ｎｍの厚さに各々成膜した。保護膜２５の
上に潤滑膜としてパーフロロポリエーテル系の膜を塗布
した。
【００５４】比較試料として、極薄のＣo-Ｃrx-Ｍy膜２
３を形成しない以外は同様の構造を持つ磁気記録媒体を
作製した。
３を形成しない以外は同様の構造を持つ磁気記録媒体を
作製した。
【００５５】実施例１の場合と同様に、これらの試料の
保磁力を振動型磁力計で測定し、記録再生特性の評価を
記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて行なった。記録ヘ
ッドのギャップ長は０．２μｍ、再生用のスピンバルブ
ヘッドのシールド間隔を０．２μｍ、測定時のスペーシ
ングを０．０４μｍとした。記録信号の経時変化の測定
は、３５０ｋＦＣＩの磁気記録信号の記録直後の再生出
力（Ｓt=0）と１００時間後の再生出力（Ｓt=100）の比
として評価した。
保磁力を振動型磁力計で測定し、記録再生特性の評価を
記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて行なった。記録ヘ
ッドのギャップ長は０．２μｍ、再生用のスピンバルブ
ヘッドのシールド間隔を０．２μｍ、測定時のスペーシ
ングを０．０４μｍとした。記録信号の経時変化の測定
は、３５０ｋＦＣＩの磁気記録信号の記録直後の再生出
力（Ｓt=0）と１００時間後の再生出力（Ｓt=100）の比
として評価した。
【００５６】表２に作成した試料の保磁力と記録信号の
残存比率（Ｓt=100／Ｓt=0）の測定結果を示す。
残存比率（Ｓt=100／Ｓt=0）の測定結果を示す。
【００５７】
【表２】
【００５８】本発明の磁気記録媒体は、２．５ｋＯe以
上の高い保磁力が得られており、しかも記録信号の残存
比率がいずれも０．９以上である。これに対し、比較例
の試料の保磁力は、２．３ｋＯe以下であり、しかも記
録信号の残存比率が０．８と低い。このようにして、本
発明による磁気記録媒体は、記録信号の劣化の小さい高
密度磁気記録媒体として有効であることが確認された。
上の高い保磁力が得られており、しかも記録信号の残存
比率がいずれも０．９以上である。これに対し、比較例
の試料の保磁力は、２．３ｋＯe以下であり、しかも記
録信号の残存比率が０．８と低い。このようにして、本
発明による磁気記録媒体は、記録信号の劣化の小さい高
密度磁気記録媒体として有効であることが確認された。
【００５９】＜実施例３＞直径２．５インチのガラス基
板を用い、直流マグネトロンスパッタ法によって図３に
示す断面構造を持つ面内磁気記録媒体を作製した。基板
３１上に、下部下地膜３２a、ｈｃｐ構造を持つ非磁性
又は弱磁性のＣo-Ｃrx-Ｍy上部下地膜３２b、基板３１
に近い側のＣo合金系記録用磁性膜３４a、ｈｃｐ構造を
持つ非磁性又は弱磁性の極薄Ｃo-Ｃrx-Ｍy膜３３、表面
に近い側のＣo合金系記録用磁性膜３４b、及び保護膜３
５をこの順序で形成した。
板を用い、直流マグネトロンスパッタ法によって図３に
示す断面構造を持つ面内磁気記録媒体を作製した。基板
３１上に、下部下地膜３２a、ｈｃｐ構造を持つ非磁性
又は弱磁性のＣo-Ｃrx-Ｍy上部下地膜３２b、基板３１
に近い側のＣo合金系記録用磁性膜３４a、ｈｃｐ構造を
持つ非磁性又は弱磁性の極薄Ｃo-Ｃrx-Ｍy膜３３、表面
に近い側のＣo合金系記録用磁性膜３４b、及び保護膜３
５をこの順序で形成した。
【００６０】各膜の成膜のためのターゲットとして、下
部下地膜３２a用にＣrターゲット、上部下地膜３２b及
び極薄膜３３用にＣo-Ｃrx-Ｍyターゲット、記録磁性膜
３４a，３４b用にＣo-21at%Ｃr-8at%Ｐtターゲットを用
いた。
部下地膜３２a用にＣrターゲット、上部下地膜３２b及
び極薄膜３３用にＣo-Ｃrx-Ｍyターゲット、記録磁性膜
３４a，３４b用にＣo-21at%Ｃr-8at%Ｐtターゲットを用
いた。
【００６１】Ｃo-Ｃrx-Ｍyターゲットとして、Ｃo-20at
%Ｃr-14at%Ｂ，Ｃo-20at%Ｃr-14at%Ｓi，Ｃo-20at%Ｃr-
10at%Ｇe，Ｃo-20at%Ｃr-10at%Ａl，Ｃo-20at%Ｃr-10at
%Ｐ，Ｃo-20at%Ｃr-14at%Ｔi，Ｃo-20at%Ｃr-13at%Ｖ，
Ｃo-20at%Ｃr-6at%Ｚr，Ｃo-20at%Ｃr-10at%Ｎb，Ｃo-2
0at%Ｃr-12at%Ｈf，Ｃo-20at%Ｃr-16at%Ｍn，Ｃo-26at%
Ｃr-12at%Ｒh，Ｃo-26at%Ｃr-12at%Ｉr，Ｃo-26at%Ｃr-
8at%Ｒe，Ｃo-26at%Ｃr-8at%Ｐd，Ｃo-26at%Ｃr-6at%Ｐ
t，Ｃo-20at%Ｃr-4at%Ｍo，Ｃo-20at%Ｃr-8at%Ｗ，Ｃo-
26at%Ｃr-6at%Ａg，Ｃo-26at%Ｃr-4at%Ａuを用いた。
%Ｃr-14at%Ｂ，Ｃo-20at%Ｃr-14at%Ｓi，Ｃo-20at%Ｃr-
10at%Ｇe，Ｃo-20at%Ｃr-10at%Ａl，Ｃo-20at%Ｃr-10at
%Ｐ，Ｃo-20at%Ｃr-14at%Ｔi，Ｃo-20at%Ｃr-13at%Ｖ，
Ｃo-20at%Ｃr-6at%Ｚr，Ｃo-20at%Ｃr-10at%Ｎb，Ｃo-2
0at%Ｃr-12at%Ｈf，Ｃo-20at%Ｃr-16at%Ｍn，Ｃo-26at%
Ｃr-12at%Ｒh，Ｃo-26at%Ｃr-12at%Ｉr，Ｃo-26at%Ｃr-
8at%Ｒe，Ｃo-26at%Ｃr-8at%Ｐd，Ｃo-26at%Ｃr-6at%Ｐ
t，Ｃo-20at%Ｃr-4at%Ｍo，Ｃo-20at%Ｃr-8at%Ｗ，Ｃo-
26at%Ｃr-6at%Ａg，Ｃo-26at%Ｃr-4at%Ａuを用いた。
【００６２】スパッタのＡrガス圧力を３ｍＴorr、スパ
ッタパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２７０℃の条件
で、下部下地膜３２aのＣrを１０ｎｍ、上部下地膜３２
bのＣo-Ｃrx-Ｍy膜を５ｎｍ、下部の磁性膜３４aを８ｎ
ｍ、極薄膜３３として再び同種のＣo-Ｃrx-Ｍy膜を０．
３ｎｍ、上部磁性膜３４bを８ｎｍ、カーボン膜３５を
１０ｎｍの厚さに各々成膜した。保護膜３５の上に潤滑
膜としてパーフロロポリエーテル系の膜を塗布した。
ッタパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２７０℃の条件
で、下部下地膜３２aのＣrを１０ｎｍ、上部下地膜３２
bのＣo-Ｃrx-Ｍy膜を５ｎｍ、下部の磁性膜３４aを８ｎ
ｍ、極薄膜３３として再び同種のＣo-Ｃrx-Ｍy膜を０．
３ｎｍ、上部磁性膜３４bを８ｎｍ、カーボン膜３５を
１０ｎｍの厚さに各々成膜した。保護膜３５の上に潤滑
膜としてパーフロロポリエーテル系の膜を塗布した。
【００６３】比較試料として、Ｃo-Ｃrx-Ｍy膜３２b，
３３を形成しない以外は同様の構造を持つ磁気記録媒体
を作製した。
３３を形成しない以外は同様の構造を持つ磁気記録媒体
を作製した。
【００６４】実施例１の場合と同様に、これらの試料の
保磁力を振動型磁力計で測定し、記録再生特性の評価を
記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて行なった。記録ヘ
ッドのギャップ長は０．２μｍ、再生用のスピンバルブ
ヘッドのシールド間隔を０．２μｍ、測定時のスペーシ
ングを０．０４μｍとした。記録信号の経時変化の測定
は、３５０ｋＦＣＩの磁気記録信号の記録直後の再生出
力（Ｓt=0）と１００時間後の再生出力（Ｓt=100）の比
として評価した。
保磁力を振動型磁力計で測定し、記録再生特性の評価を
記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて行なった。記録ヘ
ッドのギャップ長は０．２μｍ、再生用のスピンバルブ
ヘッドのシールド間隔を０．２μｍ、測定時のスペーシ
ングを０．０４μｍとした。記録信号の経時変化の測定
は、３５０ｋＦＣＩの磁気記録信号の記録直後の再生出
力（Ｓt=0）と１００時間後の再生出力（Ｓt=100）の比
として評価した。
【００６５】表３に作成した試料の保磁力と記録信号の
残存比率（Ｓt=100／Ｓt=0）の測定結果を示す。
残存比率（Ｓt=100／Ｓt=0）の測定結果を示す。
【００６６】
【表３】
【００６７】本発明の磁気記録媒体は、２．５ｋＯe以
上の高い保磁力が得られており、しかも記録信号の残存
比率がいずれも０．９以上である。これに対し、比較例
の試料の保磁力は、２．３ｋＯe以下であり、しかも記
録信号の残存比率が０．８と低い。このようにして、本
発明による磁気記録媒体は、記録信号の劣化の小さい高
密度磁気記録媒体として有効であることが確認された。
上の高い保磁力が得られており、しかも記録信号の残存
比率がいずれも０．９以上である。これに対し、比較例
の試料の保磁力は、２．３ｋＯe以下であり、しかも記
録信号の残存比率が０．８と低い。このようにして、本
発明による磁気記録媒体は、記録信号の劣化の小さい高
密度磁気記録媒体として有効であることが確認された。
【００６８】＜実施例４＞直径２．５インチのガラス基
板を用い、直流マグネトロンスパッタ法及び高周波マグ
ネトロンスパッタ法によって図４に示す断面構造を持つ
面内磁気記録媒体を作製した。基板４１上に接着強化層
４６、ＮaＣl構造を持つ下部下地膜４２a、中間下地膜
４２c、ｈｃｐ構造を持つ非磁性又は弱磁性のＣo-Ｃrx-
Ｍy膜からなる上部下地膜４２b、基板４１に近い側のＣ
o合金系記録用磁性膜４４a、ｈｃｐ構造を持つ非磁性又
は弱磁性の極薄Ｃo-Ｃrx-Ｍy膜４３、表面に近い側のＣ
o合金系記録用磁性膜４４b、及び保護膜４５をこの順序
で形成した。
板を用い、直流マグネトロンスパッタ法及び高周波マグ
ネトロンスパッタ法によって図４に示す断面構造を持つ
面内磁気記録媒体を作製した。基板４１上に接着強化層
４６、ＮaＣl構造を持つ下部下地膜４２a、中間下地膜
４２c、ｈｃｐ構造を持つ非磁性又は弱磁性のＣo-Ｃrx-
Ｍy膜からなる上部下地膜４２b、基板４１に近い側のＣ
o合金系記録用磁性膜４４a、ｈｃｐ構造を持つ非磁性又
は弱磁性の極薄Ｃo-Ｃrx-Ｍy膜４３、表面に近い側のＣ
o合金系記録用磁性膜４４b、及び保護膜４５をこの順序
で形成した。
【００６９】各膜の成膜のためのターゲットとして、接
着強化層４６用にＣrターゲット、ＮaＣl構造を持つ下
部下地膜４２a用にＭgＯターゲット、中間下地膜４２c
用にＣrターゲット、上部下地膜４２b及び極薄膜４３用
のＣo-Ｃrx-ＭyターゲットとしてＣo-23at%Ｃr-10at%Ｍ
nターゲット、磁性膜４４a用にＣo-21at%Ｃr-5at%Ｐt、
磁性膜４４b用にＣo-20at%Ｃr-8at%Ｐtターゲット、保
護膜４５用にカーボンターゲットを用いた。
着強化層４６用にＣrターゲット、ＮaＣl構造を持つ下
部下地膜４２a用にＭgＯターゲット、中間下地膜４２c
用にＣrターゲット、上部下地膜４２b及び極薄膜４３用
のＣo-Ｃrx-ＭyターゲットとしてＣo-23at%Ｃr-10at%Ｍ
nターゲット、磁性膜４４a用にＣo-21at%Ｃr-5at%Ｐt、
磁性膜４４b用にＣo-20at%Ｃr-8at%Ｐtターゲット、保
護膜４５用にカーボンターゲットを用いた。
【００７０】スパッタのＡrガス圧力を３ｍＴorr、スパ
ッタパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２７０℃の条件
で、接着強化層４６のＣrを１０ｎｍ、下部下地膜４２a
のＭgＯ膜を５ｎｍ、中間下地膜４２cのＣr膜を５ｎ
ｍ、上部下地膜４２bのＣo-23at%Ｃr-10at%Ｍn膜を５ｎ
ｍ、磁性膜４４aのＣo-21at%Ｃr-5at%Ｐt膜を７．５ｎ
ｍ、極薄膜４３のＣo-23at%Ｃr-10at%Ｍn膜を１ｎｍ、
磁性膜４４bのＣo-20at%Ｃr-8at%Ｐt膜を８ｎｍ、カー
ボン膜４５を１０ｎｍの厚さに各々成膜した。下部下地
膜４２aのＭgＯ膜の形成には高周波マグネトロンスパッ
タ用いた。
ッタパワー１０Ｗ／ｃｍ2、基板温度２７０℃の条件
で、接着強化層４６のＣrを１０ｎｍ、下部下地膜４２a
のＭgＯ膜を５ｎｍ、中間下地膜４２cのＣr膜を５ｎ
ｍ、上部下地膜４２bのＣo-23at%Ｃr-10at%Ｍn膜を５ｎ
ｍ、磁性膜４４aのＣo-21at%Ｃr-5at%Ｐt膜を７．５ｎ
ｍ、極薄膜４３のＣo-23at%Ｃr-10at%Ｍn膜を１ｎｍ、
磁性膜４４bのＣo-20at%Ｃr-8at%Ｐt膜を８ｎｍ、カー
ボン膜４５を１０ｎｍの厚さに各々成膜した。下部下地
膜４２aのＭgＯ膜の形成には高周波マグネトロンスパッ
タ用いた。
【００７１】実施例１の場合と同様、作成した試料の保
磁力を振動型磁力計で測定し、記録再生特性の評価を記
録再生分離型の磁気ヘッドを用いて行なった。記録ヘッ
ドのギャップ長は０．２μｍ、再生用のスピンバルブヘ
ッドのシールド間隔を０．２μｍ、測定時のスペーシン
グを０．０４μｍとした。記録信号の経時変化の測定
は、３５０ｋＦＣＩの磁気記録信号の記録直後の再生出
力（Ｓt=0）と１００時間後の再生出力（Ｓt=100）の比
として評価した。
磁力を振動型磁力計で測定し、記録再生特性の評価を記
録再生分離型の磁気ヘッドを用いて行なった。記録ヘッ
ドのギャップ長は０．２μｍ、再生用のスピンバルブヘ
ッドのシールド間隔を０．２μｍ、測定時のスペーシン
グを０．０４μｍとした。記録信号の経時変化の測定
は、３５０ｋＦＣＩの磁気記録信号の記録直後の再生出
力（Ｓt=0）と１００時間後の再生出力（Ｓt=100）の比
として評価した。
【００７２】試料の保磁力は、３．６ｋＯeと非常に高
く、しかも記録信号の残存比率も０．９５以上であり、
本発明の記録媒体は、保磁力が高くてしかも記録信号の
劣化の小さい高密度磁気記録媒体として優れた性質を有
していることが確認された。
く、しかも記録信号の残存比率も０．９５以上であり、
本発明の記録媒体は、保磁力が高くてしかも記録信号の
劣化の小さい高密度磁気記録媒体として優れた性質を有
していることが確認された。
【００７３】＜実施例５＞実施例３の上部下地膜３２b
及び極薄膜３３であるｈｃｐ構造を持つ非磁性又は弱磁
性のＣo-Ｃrx-Ｍy膜において、添加元素ＭをＭnの一種
類にし、組成をＣr：０〜５０at%，Ｍn：０〜５０at%の
範囲で変化させ、それによって複数の磁気記録媒体を作
製した。作製条件は実施例３の場合と同様であり、作製
した記録媒体の断面構造も図３と同じである。Ｃo-Ｃrx
-Ｍny膜形成用ターゲットとして、Ｃoターゲットの上に
ペレット状のＣr及びＭnチップを置くことにより、組成
の調整を行なった。
及び極薄膜３３であるｈｃｐ構造を持つ非磁性又は弱磁
性のＣo-Ｃrx-Ｍy膜において、添加元素ＭをＭnの一種
類にし、組成をＣr：０〜５０at%，Ｍn：０〜５０at%の
範囲で変化させ、それによって複数の磁気記録媒体を作
製した。作製条件は実施例３の場合と同様であり、作製
した記録媒体の断面構造も図３と同じである。Ｃo-Ｃrx
-Ｍny膜形成用ターゲットとして、Ｃoターゲットの上に
ペレット状のＣr及びＭnチップを置くことにより、組成
の調整を行なった。
【００７４】実施例３の場合と同様、作成した試料の保
磁力を振動型磁力計で測定し、記録再生特性の評価を記
録再生分離型の磁気ヘッドを用いて行なった。記録ヘッ
ドのギャップ長は０．２μｍ、再生用のスピンバルブヘ
ッドのシールド間隔を０．２μｍ、測定時のスペーシン
グを０．０４μｍとした。記録信号の経時変化の測定
は、３５０ｋＦＣＩの磁気記録信号の記録直後の再生出
力（Ｓt=0）と１００時間後の再生出力（Ｓt=100）の比
として評価した。
磁力を振動型磁力計で測定し、記録再生特性の評価を記
録再生分離型の磁気ヘッドを用いて行なった。記録ヘッ
ドのギャップ長は０．２μｍ、再生用のスピンバルブヘ
ッドのシールド間隔を０．２μｍ、測定時のスペーシン
グを０．０４μｍとした。記録信号の経時変化の測定
は、３５０ｋＦＣＩの磁気記録信号の記録直後の再生出
力（Ｓt=0）と１００時間後の再生出力（Ｓt=100）の比
として評価した。
【００７５】試作した媒体の保磁力及び再生出力の残存
比率（Ｓt=100／Ｓt=0）の測定結果をそれぞれ、図５及
び図６に示す。Ｃo-Ｃrx-Ｍnyの組成範囲が２５at%≦ｘ
＋ｙ≦５０at%，０．５at%≦ｙのときに、特に高い保磁
力と高い再生出力の残存比率が達成されていることが確
認され、上記組成範囲が高密度磁気記録媒体にに特に有
効であることが確認された。
比率（Ｓt=100／Ｓt=0）の測定結果をそれぞれ、図５及
び図６に示す。Ｃo-Ｃrx-Ｍnyの組成範囲が２５at%≦ｘ
＋ｙ≦５０at%，０．５at%≦ｙのときに、特に高い保磁
力と高い再生出力の残存比率が達成されていることが確
認され、上記組成範囲が高密度磁気記録媒体にに特に有
効であることが確認された。
【００７６】
【発明の効果】本発明によれば、磁気記録媒体の高保磁
力化と耐熱揺らぎ安定性の確保が可能となることによ
り、特に１０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度磁気記録が可能
となり、装置の小型化や大容量化が容易になる。
力化と耐熱揺らぎ安定性の確保が可能となることによ
り、特に１０Ｇｂ／ｉｎ2以上の高密度磁気記録が可能
となり、装置の小型化や大容量化が容易になる。
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の第１の実施例を説
明するための断面図。
明するための断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するためにの断面
図。
図。
【図３】本発明の第３の実施例を説明するためにの断面
図。
図。
【図４】本発明の第４の実施例を説明するためにの断面
図。
図。
【図５】Ｃo-Ｃrx-Ｍny組成と媒体保磁力の関係を説明
するための曲線図。
するための曲線図。
【図６】Ｃo-Ｃrx-Ｍny組成と記録信号の残存比率の関
係を説明するための曲線図。
係を説明するための曲線図。
１１，２１，３１，４１…基板、１２a，３２a，４２a
…下部下地膜、１２b，３２b，４２b…Ｃo-Ｃrx-Ｍy上
部下地膜、２２…下地膜、４２c…中間下地膜、１４…
記録用磁性膜、２４a，３４a，４４a…基板側の記録用
磁性膜、２４b，３４b，４４b…表面側の記録用磁性
膜、２３，３３，４３…極薄のＣo-Ｃrx-Ｍy合金膜、１
５，２５，３５，４５…保護膜、４６…接着強化層。
…下部下地膜、１２b，３２b，４２b…Ｃo-Ｃrx-Ｍy上
部下地膜、２２…下地膜、４２c…中間下地膜、１４…
記録用磁性膜、２４a，３４a，４４a…基板側の記録用
磁性膜、２４b，３４b，４４b…表面側の記録用磁性
膜、２３，３３，４３…極薄のＣo-Ｃrx-Ｍy合金膜、１
５，２５，３５，４５…保護膜、４６…接着強化層。
【手続補正書】
【提出日】平成１２年２月１４日（２０００．２．１
４）
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平山 義幸 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 竹内 輝明 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 本多 幸雄 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 CA01 CA05 CA06 DA03 FA09
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性基板と、当該基板上に設けられた
下地膜と、当該下地膜を介して形成されたＣo合金磁性
膜と、当該磁性膜を保護するための保護膜とからなる磁
気記録媒体において、前記下地膜は、基板に接する下部
下地膜とＣo合金磁性膜に接する上部下地膜との２層構
造をなし、当該上部下地膜は、六方稠密構造を持つＣo-
Ｃrx-Ｍy合金膜であって、２５at%≦ｘ＋ｙ≦５０at%，
０．５at%≦ｙであり、かつ非磁性元素ＭがＢ，Ｓi，Ｇ
e，Ｃ，Ａl，Ｐ，Ｔi，Ｖ，Ｎb，Ｚr，Ｈf，Ｍn，Ｒh，
Ｏs，Ｉr，Ｒe，Ｐd，Ｐt，Ｍo，Ｔa，Ｗ，Ａg及びＡu
からなる群から選ばれた元素であることを特徴とする磁
気記録媒体。 - 【請求項２】 前記下部下地膜は、ＮiＡl，ＦeＡl，Ｆ
eＶ，ＣuＺn，ＣoＡl及びＣuＰdからなる群から選ばれ
たＢ２構造を持つ材料からなることを特徴とする請求項
１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記下部下地膜は、Ｃr，Ｃr-Ｔi，Ｃr-
Ｍo，Ｃr-Ｗ，Ｃr-Ｎb及びＣr-Ｖからなる群から選ばれ
た体心立方構造を持つ材料からなることを特徴とする請
求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性基板と、当該基板上に設けられた
下地膜と、当該下地膜を介して形成されたＣo合金磁性
膜と、当該を磁性膜を保護するための保護膜とからなる
磁気記録媒体において、前記Ｃo合金磁性膜は、六方稠
密構造を持つ少なくとも１層のＣo-Ｃrx-Ｍy膜によって
分離され、当該Ｃo-Ｃrx-Ｍy合金膜は、２５at%≦ｘ＋
ｙ≦５０at%，０．５at%≦ｙであり、かつ非磁性元素Ｍ
がＢ，Ｓi，Ｇe，Ｃ，Ａl，Ｐ，Ｔi，Ｖ，Ｎb，Ｚr，Ｈ
f，Ｍn，Ｒh，Ｏs，Ｉr，Ｒe，Ｐd，Ｐt，Ｍo，Ｔa，
Ｗ，Ａg及びＡuからなる群から選ばれた元素であること
を特長とする磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04588499A JP3157806B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 磁気記録媒体 |
| US09/413,813 US6383667B1 (en) | 1998-10-09 | 1999-10-07 | Magnetic recording medium |
| US10/001,995 US6541125B2 (en) | 1998-10-09 | 2001-12-05 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04588499A JP3157806B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000251237A true JP2000251237A (ja) | 2000-09-14 |
| JP3157806B2 JP3157806B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=12731676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04588499A Expired - Fee Related JP3157806B2 (ja) | 1998-10-09 | 1999-02-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3157806B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1271482A2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Fujitsu Limited | Thermally stable low noise magnetic recording media |
| JP2003077122A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US7273666B2 (en) | 2001-06-29 | 2007-09-25 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic recording medium driving apparatus |
-
1999
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