JPH02154323A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH02154323A JPH02154323A JP30826488A JP30826488A JPH02154323A JP H02154323 A JPH02154323 A JP H02154323A JP 30826488 A JP30826488 A JP 30826488A JP 30826488 A JP30826488 A JP 30826488A JP H02154323 A JPH02154323 A JP H02154323A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［ａ梁上の利用分野］
本発明は磁気記録媒体の製造法に係り、詳しくは、高い
保磁力を有する磁気記録媒体を製造する方法に関するも
のである。
保磁力を有する磁気記録媒体を製造する方法に関するも
のである。
［従来の技術］
近年、コンピュータ等の情報処理技術の発達に伴い、そ
の外部記憶装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気記
録媒体に対し、高密度記録化への要求がますます高めら
れている。
の外部記憶装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気記
録媒体に対し、高密度記録化への要求がますます高めら
れている。
現在、長手記録用磁気ディスクに用いられる磁気記録媒
体の磁性層としては、スパッタリング等によりＣｒ下地
薄膜上に、エピタキシャル的に成膜されたＣｏ系合金薄
膜が主流となってミでいる。しかして、このＣｏ系合金
薄膜磁性層についても、高密度記録化への要求に対し、
磁気特性としてより高い保磁力を付与することが必要と
されており、従来より、その特性についての報告が、数
多くなされている。（例えば、“Ｎｅｗｌｏｎｇｉｔｕ
ｄｌｎａｌ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄｉａ
Ｃｏ、 Ｍｌ、Ｃｒ。
体の磁性層としては、スパッタリング等によりＣｒ下地
薄膜上に、エピタキシャル的に成膜されたＣｏ系合金薄
膜が主流となってミでいる。しかして、このＣｏ系合金
薄膜磁性層についても、高密度記録化への要求に対し、
磁気特性としてより高い保磁力を付与することが必要と
されており、従来より、その特性についての報告が、数
多くなされている。（例えば、“Ｎｅｗｌｏｎｇｉｔｕ
ｄｌｎａｌ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄｉａ
Ｃｏ、 Ｍｌ、Ｃｒ。
ｆｒｏｗ ｈｉｇｈ ｒａｔａ ５ｔａｔｉｃ
ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ｇｐｕｔｔｅｒ−ｉｎｇｓｙ
ｓｔｅｍ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇｎ、 Ｍ
ａｇ−２２，Ｎｏ５゜（１９８６） 、３３４．特開昭
６３−７９２３３号公報；特開昭６３−７９９６８号公
報、） ［発明が解決しようとする３！！］ 従来報告されているように、Ｃｏ系合金薄膜磁性層の保
磁力は、Ｃｒ下地薄膜の膜厚とともに増大する。しかし
ながら、ある上限値を超えると飽和特性を示し、それ以
上の高保磁力化は困難である。例えば、特開昭６３−７
９９６８号公報には、Ｃｒ下地層薄膜の膜厚が１５００
Ａ以上では磁性層の保磁力がそれ以上上昇しない飽和傾
向が認められ、それ以下では磁性層の保磁力が著しく低
下し、実用上問題があることが示されている。
ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ｇｐｕｔｔｅｒ−ｉｎｇｓｙ
ｓｔｅｍ ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇｎ、 Ｍ
ａｇ−２２，Ｎｏ５゜（１９８６） 、３３４．特開昭
６３−７９２３３号公報；特開昭６３−７９９６８号公
報、） ［発明が解決しようとする３！！］ 従来報告されているように、Ｃｏ系合金薄膜磁性層の保
磁力は、Ｃｒ下地薄膜の膜厚とともに増大する。しかし
ながら、ある上限値を超えると飽和特性を示し、それ以
上の高保磁力化は困難である。例えば、特開昭６３−７
９９６８号公報には、Ｃｒ下地層薄膜の膜厚が１５００
Ａ以上では磁性層の保磁力がそれ以上上昇しない飽和傾
向が認められ、それ以下では磁性層の保磁力が著しく低
下し、実用上問題があることが示されている。
また、この保磁力は、ＣＯ系合金薄膜の膜厚の低減によ
り増加する。しかしながら、膜厚の低減は再生出力値の
低下につながるため、実用上、所定の膜厚以下に薄くす
ることは困難である。更に、磁性層の成膜時における成
膜ガス圧力、基板温度などのスパッタ条件の選択により
、ある程度の保磁力の向上は可能であるが、その向上効
果は小さいものである。
り増加する。しかしながら、膜厚の低減は再生出力値の
低下につながるため、実用上、所定の膜厚以下に薄くす
ることは困難である。更に、磁性層の成膜時における成
膜ガス圧力、基板温度などのスパッタ条件の選択により
、ある程度の保磁力の向上は可能であるが、その向上効
果は小さいものである。
本発明は上記従来の問題点を解決し、著しく高い保磁力
を有する磁気記録媒体を製造する方法を提供することを
目的とする。
を有する磁気記録媒体を製造する方法を提供することを
目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板上にクロム下
地層薄膜及びコバルト系合金磁性薄膜を順次スパッタリ
ングによって形成する磁気記録媒体の製造方法において
、基板上にクロム下地層薄膜を１０〜１２００Ａの膜厚
で形成させた後、基板側に負のバイアス電圧を印加した
状態でコバルト（ｃｏ）を主成分とし、クロム（Ｃｒ）
及びタンタル（Ｔａ）を含むコバルト系合金磁性薄膜を
形成することを特徴とする。
地層薄膜及びコバルト系合金磁性薄膜を順次スパッタリ
ングによって形成する磁気記録媒体の製造方法において
、基板上にクロム下地層薄膜を１０〜１２００Ａの膜厚
で形成させた後、基板側に負のバイアス電圧を印加した
状態でコバルト（ｃｏ）を主成分とし、クロム（Ｃｒ）
及びタンタル（Ｔａ）を含むコバルト系合金磁性薄膜を
形成することを特徴とする。
即ち、本発明者等は上記従来の状況に鑑み、Ｃｒ下地層
薄膜の膜厚が１２００Ａ以下の薄膜においても磁気記録
媒体の保、Ｉｉｎ力を高いレベルに維持させるべく鋭意
検討を瓜ねた結果、基板上にＣｒ下地層薄膜を１２００
Ａ以下の膜厚で形成させ、次いでＣｏ、Ｃｒ及びＴａか
らなる磁性層薄膜を特定の条件下でスパッタリングさせ
て形成させることにより、磁気記録媒体の保磁力が高い
レベルに維持されることを見出し、本発明を完成するに
至った。
薄膜の膜厚が１２００Ａ以下の薄膜においても磁気記録
媒体の保、Ｉｉｎ力を高いレベルに維持させるべく鋭意
検討を瓜ねた結果、基板上にＣｒ下地層薄膜を１２００
Ａ以下の膜厚で形成させ、次いでＣｏ、Ｃｒ及びＴａか
らなる磁性層薄膜を特定の条件下でスパッタリングさせ
て形成させることにより、磁気記録媒体の保磁力が高い
レベルに維持されることを見出し、本発明を完成するに
至った。
以下、本発明につき詳細に説明する。
本発明に用いられる基板として鯰、一般にアルミニウム
又はアルミニウム合金のディスク状基板が用いられ、通
常、アルミニウム基板を所定の厚さに加工した後、その
表面を鏡面加工したものに、第１次下地層として硬質非
磁性金属、例えばＮ１−Ｐ合金を無電解メツキ或いは陽
極酸化処理により形成し、しかる後、第２次下地層とし
てＣｒをスパッタリングしたものが用いられる。基板３
としては、上記第１次下地層を形成せずに、鏡面加工し
たアルミニウム基板上に直接下地層としてＣ「をスパッ
タリングしたものを用いることもできる。
又はアルミニウム合金のディスク状基板が用いられ、通
常、アルミニウム基板を所定の厚さに加工した後、その
表面を鏡面加工したものに、第１次下地層として硬質非
磁性金属、例えばＮ１−Ｐ合金を無電解メツキ或いは陽
極酸化処理により形成し、しかる後、第２次下地層とし
てＣｒをスパッタリングしたものが用いられる。基板３
としては、上記第１次下地層を形成せずに、鏡面加工し
たアルミニウム基板上に直接下地層としてＣ「をスパッ
タリングしたものを用いることもできる。
本発明において、Ｃｒ下地層の膜厚は１０〜１ｚｏｏＡ
、好ましくは５０〜ｔｏｏｏＡ、更に好ましくは１００
〜４００Ａの範囲とする。上記膜厚が１０Ａ未溝では磁
性層の保磁力が著しく低下し、また１２００Ａより厚く
しても磁性層の保磁力はそれ以上増加せず、逆にコスト
アップにつながるので好ましくない。
、好ましくは５０〜ｔｏｏｏＡ、更に好ましくは１００
〜４００Ａの範囲とする。上記膜厚が１０Ａ未溝では磁
性層の保磁力が著しく低下し、また１２００Ａより厚く
しても磁性層の保磁力はそれ以上増加せず、逆にコスト
アップにつながるので好ましくない。
Ｃｒ下地層を形成するスパッタリング条件としては特に
制限はなく、通常のＣｒ下地層を形成する際に採用され
るスパッタリング条件及び後述する磁性層薄膜を形成す
るスパッタリング条件等を採用することができる。
制限はなく、通常のＣｒ下地層を形成する際に採用され
るスパッタリング条件及び後述する磁性層薄膜を形成す
るスパッタリング条件等を採用することができる。
本発明においては、このような所定厚さのＣｒ下地層を
基板上に形成させた後、Ｃｏを主成分とし、Ｃｒ及びＴ
ａを含むＣｏ系合金磁性薄膜を特定条件にてスパッタリ
ングにより形成させる。
基板上に形成させた後、Ｃｏを主成分とし、Ｃｒ及びＴ
ａを含むＣｏ系合金磁性薄膜を特定条件にてスパッタリ
ングにより形成させる。
以下にこの磁性薄膜の形成方法につぎ、図面を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明の実施に好適なスパッタリング装置の一
例を示す概略構成図である０図中、１はターゲットであ
り、これに対向した位置に基板ホルダー２が設けられて
おり、基板ホルダー２には基板３が装着されている。基
板ホルダー２は基板３を連続的に成膜できるように昼勤
可能とされている。４はターゲット１に接続されるスパ
ッタリング用電源である。５は基板ホルダー２に負のバ
イアス電圧を印加させるためのバイアス電源である。
例を示す概略構成図である０図中、１はターゲットであ
り、これに対向した位置に基板ホルダー２が設けられて
おり、基板ホルダー２には基板３が装着されている。基
板ホルダー２は基板３を連続的に成膜できるように昼勤
可能とされている。４はターゲット１に接続されるスパ
ッタリング用電源である。５は基板ホルダー２に負のバ
イアス電圧を印加させるためのバイアス電源である。
これらスパッタリング用電源４及びバイアス電源５とし
ては直流電源が好ましいが、ＲＦ電源も使用できる。ス
パッタ装置としては、通常のＤＣマグネトロンスパッタ
装置又はＲＦマグネトロンスパッタ装置等が採用される
。
ては直流電源が好ましいが、ＲＦ電源も使用できる。ス
パッタ装置としては、通常のＤＣマグネトロンスパッタ
装置又はＲＦマグネトロンスパッタ装置等が採用される
。
ターゲットエとしては、ＣＯを主成分とし、Ｃｒ及びＴ
ａからなる合金が用いられる。このＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合
金としては、Ｃｏニア０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜２０
原子％及びＴａ：０．１〜１０原子％の組成のものが好
適である。
ａからなる合金が用いられる。このＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合
金としては、Ｃｏニア０〜９５原子％、Ｃｒ：５〜２０
原子％及びＴａ：０．１〜１０原子％の組成のものが好
適である。
第１図に示すスパッタリング装置を用いて、本発明の方
法に従って、磁気記録媒体を製造するには、まず、前述
のＣｒ下地層を形成した基板３を装置の基板ホルダー２
に取り付け、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金のターゲット２
を用いて、アルゴン等の希ガスの存在下でスパッタリン
グを行なうが、この際、基板ホルダー２には負のバイア
ス電圧を印加した状態、即ち、バイアス電＠５により基
板ホルダー２に例えば−１０Ｏ０Ｖ以上、好ましくけ−
５０〜−５００■、更に好ましくは−１００〜−４Ｏ０
Ｖの電圧を印加した状態でスパッタリングを行ない、基
板３上にＣｏ、Ｃｒ及びＴａからなる磁性薄膜を形成す
る。
法に従って、磁気記録媒体を製造するには、まず、前述
のＣｒ下地層を形成した基板３を装置の基板ホルダー２
に取り付け、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金のターゲット２
を用いて、アルゴン等の希ガスの存在下でスパッタリン
グを行なうが、この際、基板ホルダー２には負のバイア
ス電圧を印加した状態、即ち、バイアス電＠５により基
板ホルダー２に例えば−１０Ｏ０Ｖ以上、好ましくけ−
５０〜−５００■、更に好ましくは−１００〜−４Ｏ０
Ｖの電圧を印加した状態でスパッタリングを行ない、基
板３上にＣｏ、Ｃｒ及びＴａからなる磁性薄膜を形成す
る。
本発明において、スパッタリング条件としては、通常、
磁気記録媒体の磁性層を形成させる際に採用される条件
を採用することができる。例えば、真空排気したチャン
バー内圧力をｌＸｌ０−８Ｔｏｒｒ以下、Ａｒ等の希ガ
ス圧力を０．５×１０−３〜２ Ｘ １０−２Ｔ ｏ
ｒ ｒ、望ましくは１×１０″″３〜５ｘｌＯ−３Ｔｏ
ｒｒの範囲で、基板温度を１５０℃以上、望ましく、は
２００〜３００℃の範囲の条件下でスパッタリングを実
施することができる。
磁気記録媒体の磁性層を形成させる際に採用される条件
を採用することができる。例えば、真空排気したチャン
バー内圧力をｌＸｌ０−８Ｔｏｒｒ以下、Ａｒ等の希ガ
ス圧力を０．５×１０−３〜２ Ｘ １０−２Ｔ ｏ
ｒ ｒ、望ましくは１×１０″″３〜５ｘｌＯ−３Ｔｏ
ｒｒの範囲で、基板温度を１５０℃以上、望ましく、は
２００〜３００℃の範囲の条件下でスパッタリングを実
施することができる。
このようなスパッタリングにより形成する磁性薄膜層の
膜厚は、残留磁性密度（Ｂｒ）と磁性薄膜層の膜厚（１
）との積（Ｂｒ−ｔ）が３００〜７００Ｇ・μｍとなる
ような膜厚とするのが好ましい。
膜厚は、残留磁性密度（Ｂｒ）と磁性薄膜層の膜厚（１
）との積（Ｂｒ−ｔ）が３００〜７００Ｇ・μｍとなる
ような膜厚とするのが好ましい。
［作用］
膜厚１０〜１２００Ａの膜厚のＣｒ下地層を介して、基
板側に負のバイアス電圧を印加した状態でスパッタリン
グにより形成されたＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系１合金磁性薄膜
層により、高い保磁力を有する高特性磁性層が形成され
る。
板側に負のバイアス電圧を印加した状態でスパッタリン
グにより形成されたＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系１合金磁性薄膜
層により、高い保磁力を有する高特性磁性層が形成され
る。
［実施例］
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
実施例１〜４、参考例１〜２、比較例１〜５第１図に示
す装置を用い、下地層として第１表に示す膜厚のＣｒ薄
膜をスパッタリングにより形成したアルミニウム基板３
及び、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット１を用いて、バ
イアス電源４に第１表に示す電圧を印加した状態で、チ
ャンバー内到達圧力ｔｘｔｏ−″Ｔｏｒｒ以下、アルゴ
ンガス圧力２ｘｌＯ−”Ｔｏｒｒ、基板温度２５０℃の
条件下でスパッタリングを行ない、基板上に８６原子％
Ｃｏ−１２原子％Ｃ「−２原子％Ｔａ磁性層（５５０Ｇ
・μｍ）を形成した。
す装置を用い、下地層として第１表に示す膜厚のＣｒ薄
膜をスパッタリングにより形成したアルミニウム基板３
及び、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲット１を用いて、バ
イアス電源４に第１表に示す電圧を印加した状態で、チ
ャンバー内到達圧力ｔｘｔｏ−″Ｔｏｒｒ以下、アルゴ
ンガス圧力２ｘｌＯ−”Ｔｏｒｒ、基板温度２５０℃の
条件下でスパッタリングを行ない、基板上に８６原子％
Ｃｏ−１２原子％Ｃ「−２原子％Ｔａ磁性層（５５０Ｇ
・μｍ）を形成した。
得られた磁気ディスクの保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第１表に示ルた。
定し、結果を第１表に示ルた。
比較例６〜１４
実施例１において、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金ターゲットに
代えてＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲットを用い、第１表
に示す電圧にて基板上に７０原子％Ｃｏ−２０原子％Ｎ
ｉ−１０原子％Ｃｒ磁性層（５５０Ｇ・μｍ）を形成さ
せたこと以外は同様にして磁気ディスクを得、その保磁
力測定結果を［発明の効果〕 以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
よれば、高い保磁力を有する高特性磁気記録媒体を容易
に製造することができ磁気記録媒体のより一層の高密度
記録化が可能とされる。
代えてＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金ターゲットを用い、第１表
に示す電圧にて基板上に７０原子％Ｃｏ−２０原子％Ｎ
ｉ−１０原子％Ｃｒ磁性層（５５０Ｇ・μｍ）を形成さ
せたこと以外は同様にして磁気ディスクを得、その保磁
力測定結果を［発明の効果〕 以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
よれば、高い保磁力を有する高特性磁気記録媒体を容易
に製造することができ磁気記録媒体のより一層の高密度
記録化が可能とされる。
第１図は本発明の実施に好適なスパッタリング装置の一
例を示す概略構成図である。 １・・・ターゲット、 ２・・・基板ホルダー ３・・・基板、 ４・・・スパッタリング用電源、 ５・・・バイアス電源。 代理人 弁理士 重 野 剛
例を示す概略構成図である。 １・・・ターゲット、 ２・・・基板ホルダー ３・・・基板、 ４・・・スパッタリング用電源、 ５・・・バイアス電源。 代理人 弁理士 重 野 剛
Claims (1)
- （１）基板上にクロム下地層薄膜及びコバルト系合金磁
性薄膜を順次スパッタリングによって形成する磁気記録
媒体の製造方法において、基板上にクロム下地層薄膜を
１０〜１２００Åの膜厚で形成させた後、基板側に負の
バイアス電圧を印加した状態でコバルトを主成分とし、
クロム及びタンタルを含むコバルト系合金磁性薄膜を形
成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30826488A JPH02154323A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30826488A JPH02154323A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02154323A true JPH02154323A (ja) | 1990-06-13 |
| JPH0572015B2 JPH0572015B2 (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=17978919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30826488A Granted JPH02154323A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02154323A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04134718A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Mitsubishi Kasei Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH04281212A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US5945190A (en) * | 1997-02-17 | 1999-08-31 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic disk device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61227231A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-09 | Unitika Ltd | 磁気記録体の製造方法 |
| JPS6273415A (ja) * | 1985-09-23 | 1987-04-04 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録媒体 |
| JPH02161617A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-06-21 | Ulvac Corp | 面内記録型磁気記録体の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP30826488A patent/JPH02154323A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572015B2 (ja) | 1993-10-08 |
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