JPH05205242A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高保磁力でしかも角形比が非常に高く、その
ため高出力及び高記録密度特性に優れた磁気記録媒体を
提供する。 【構成】 非磁性基板上に、Ｃｒ系非磁性下地層を介し
て、Ｐｔ２０原子％以下を含有するＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−
Ｂ−Ｐｔ系合金磁性層、又は、Ｐｔ２０原子％以下、Ｔ
ａ１０原子％以下を含有するＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｔ
ａ−Ｐｔ系合金磁性層を形成した磁気記録媒体。基板に
負のバイアス電圧を印加した状態でＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−
Ｂ−Ｐｔ系又はＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｔａ−Ｐｔ系合
金磁性層を形成する。 【効果】 特定の元素組成のＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｐ
ｔ系又はＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｔａ−Ｐｔ系磁性層に
よれば、高保磁力でしかも角形比が非常に高い磁気記録
媒体が得られる。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｐｔ系又はＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｔａ−Ｐｔ系磁性層を、基板に負
のバイアス電圧を印加した状態でスパッタ成膜により形
成することにより、得られる磁気記録媒体の保磁力は著
しく高められる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体及びその製
造方法に係り、特に、保磁力が著しく高く、しかも角形
比が非常に高い、高出力及び高記録密度特性に優れた磁
気記録媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、面内磁気記録媒体においては、そ
の高記録密度化達成のために、主に媒体の保磁力を高
め、ヘッドと媒体のスペーシングを小さくすることによ
って、線記録密度を増加させ、容量を上げてきた。将来
２０００年には、１ＧＢ／ｉｎｃｈ² 以上の高密度記録
が期待されており、それを達成するために、媒体特性と
しては、２０００Ｏｅを超える更に高い保磁力、及び低
ノイズ（高信号対雑音（Ｓ／Ｎ）比）、高出力が要求さ
れている。

【０００３】従来、高保磁力媒体としてＣｏ（コバル
ト）合金にＰｔ（プラチナ）を添加した磁性媒体が提案
されている。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ（クロム）合金にＰｔ
を添加した磁性媒体として特開昭５９−８８８０６号で
１〜１７原子％のＣｒを含むＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性層が
提案され、また特開平１−２５６０１７では、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ（タンタル）−Ｐｔ合金が提案されている。

【０００４】また、保磁力Ｈｃを高める目的で、Ｃｏ−
Ｎｉ（ニッケル）−ＣｒにＰｔを添加した磁性膜も特開
昭６３−１０６９１７号にて提案されている。

【０００５】しかして、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金でも更に
高密度記録のためにＳ／Ｎを改善することが求められて
おり、例えば、Ｓ／Ｎ比改善の目的でＣｒ濃度を１７％
以上としたＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性膜が提案されている
（ＵＳＰ４，７８９，５９８）。しかし、このものはＣ
ｒ濃度を１７％以上とするため、飽和磁束密度が小さく
なるという欠点がある。

【０００６】一方、成膜条件からの高保磁力化について
の検討もなされており、例えば特開平２−１６１６１７
号、特開平２−１６２５２６号等にて提案がなされてい
る。

【０００７】ところで、Ｓ／Ｎ比に関して比較すると、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金
を基本としているため、Ｃｏ−Ｃｒ合金を基本としたＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金よりノイズが大きくＳ／Ｎ比が劣
る。Ｃｏ−Ｃｒ系磁性膜は粒界にＣｒが偏析しやすく、
Ｃｒが偏析することにより磁性粒子間の磁気的相互作用
が小さくなりノイズが低下すると言われている。なお、
このＣｒの偏析状態が保磁力と関係することは、特開平
３−２２４１２０号で記載されている。

【０００８】しかし、Ｃｒが偏析すると磁性粒子間の相
互作用が弱くなり、そのため保磁力角形比が低下する。

【０００９】また、例えば、ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣ
ＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，ＶＯＬ．２
６．Ｎｏ．５，１９９０，Ｐ１５７８やＪ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．６７（９），１ Ｍａｙ ４６８６（１９９
０）には、下地層Ｃｒ膜の膜厚を厚くしたり、スパッタ
時のアルゴン分圧を高めることによりＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
合金磁性層の粒子を分離すると、磁性層のノイズが更に
小さくなり、その際、保磁力角形比とノイズとにはある
関係が認められ、保磁力角形比が小さくなるとノイズが
小さくなることが記載されている。しかし、磁性粒子を
孤立化させると、保磁力角形比が低下するだけでなく、
粒子間の磁気的相互作用が弱まるため角形比も低下す
る。

【００１０】一方、高密度記録を行うためには、現在の
誘導磁気ヘッドではギャップ長をより小さくする必要が
あるが、ギャップ長が小さくなると、書き込み深さが浅
くなり、磁性膜の厚みを薄くしないと十分な書き込みを
行なえない。しかし、磁性膜を薄くすると媒体の磁力が
小さくなり、十分な出力が得られなくなったり、Ｓ／Ｎ
比が小さくなるという問題が発生する。

【００１１】従って、磁性膜が薄くても高い出力を得る
ためには、磁性膜の飽和磁束密度が大きい磁性層を用い
るか、角形比が大きい、つまり残留磁束密度の大きい磁
性膜が必要とされる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、磁気記録
媒体の高保磁力化、高密度記録化のためには、あわせ
て、ノイズの低下及び高出力化を達成することが必要と
されるが、粒子間の磁気的相互作用が弱いＣｏ−Ｃｒ系
磁性層では、ノイズの低下と高出力化との両方を達成す
ることは困難である。

【００１３】また、前述の如く、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ合金では、ノイズが大きいという欠点があり、成膜条
件を適宜設定することにより、保磁力角形比を低下させ
ノイズを下げると、前述の如く角形比が低下し出力が小
さくなるという欠点がある。

【００１４】本発明は上記従来の問題点を解決し、高保
磁力でしかも角形比が非常に高く、そのため高出力及び
高記録密度特性に優れた磁気記録媒体及びその製造方法
を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１の磁気記録媒体
は、非磁性基板上に、Ｃｒを主成分とする非磁性下地層
を介して、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ系合金磁性層を形成し
てなる磁気記録媒体において、該磁性層が、Ｐｔを２０
原子％以下含有することを特徴とする。

【００１６】請求項２の磁気記録媒体は、非磁性基板上
に、Ｃｒを主成分とする非磁性下地層を介して、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ系合金磁性層を形成してなる磁気記録媒
体において、該磁性層が、Ｐｔを２０原子％以下及びＴ
ａを１０原子％以下含有することを特徴とする。

【００１７】請求項３の磁気記録媒体の製造方法は、非
磁性基板上に、Ｃｒを主成分とする非磁性下地層及びＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ系合金磁性層をスパッタ法により順
次形成する磁気記録媒体の製造方法において、非磁性基
板に負のバイアス電圧を印加した状態で、Ｐｔを２０原
子％以下含むＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｐｔ系合金磁性層
を成膜することを特徴とする。

【００１８】請求項４の磁気記録媒体の製造方法は、非
磁性基板上に、Ｃｒを主成分とする非磁性下地層及びＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ系合金磁性層をスパッタ法により順
次形成する磁気記録媒体の製造方法において、非磁性基
板に負のバイアス電圧を印加した状態で、Ｐｔを２０原
子％以下及びＴａを１０原子％以下含むＣｏ−Ｃｒ−Ｎ
ｉ−Ｂ−Ｔａ−Ｐｔ系合金磁性層を成膜することを特徴
とする。

【００１９】即ち、発明者らはＣｏ−Ｃｒ合金にＮｉ及
びＢを添加した合金磁性体に、基板バイアスを印加しな
がらスパッタ成膜すると、著しく保磁力が増加すること
を見出し特開平３−４９０２１号に提案した。しかし、
その保磁力は高々２０００Ｏｅ程度であった。

【００２０】そこで、この特開平３−４９０２１号に提
案した合金系について更に保磁力を高めるべく検討を重
ねた結果、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ系合金に、更に所定量
のＰｔ、或いはＰｔ及びＴａを添加することにより、保
磁力は２０００Ｏｅを超え、約３０００Ｏｅ程度の高い
保磁力が得られること、更に、このような磁気記録媒体
は、高保磁力媒体でありながら、角形比は非常に高く、
そのため高出力及び高密度特性が得られることを見出
し、本発明を完成させた。

【００２１】なお、本発明の方法において、非磁性基板
に負のバイアス電圧を印加した状態とは、非磁性基板に
プラズマ電位に対して相対的に低い電位を印加した状態
を指し、必ずしも接地電位に対して基板バイアス電位を
負にすることに限られず、基板は接地電位のままとし、
スパッタのプラズマ電位を接地電位よりも高くすること
により、基板をプラズマ電位に対して相対的に低い電位
としても良い。

【００２２】以下に本発明を詳細に説明する。

【００２３】本発明において、非磁性基板としては特に
制限はなく、通常、無電解めっき法により形成したＮｉ
−Ｐ層を設けたアルミニウム合金板が用いられるが、そ
の他、銅、チタン等の金属基板、ガラス基板、セラミッ
ク基板、又は各種樹脂基板等を用いることもできる。

【００２４】このような非磁性基板上に形成するＣｒを
主成分とする非磁性下地層（以下、「Ｃｒ系下地層」と
称することがある。）は、通常、その膜厚が１００Å以
上、好ましくは３００Å以上あれば良い。Ｃｒ系下地層
の膜厚の上限は特に制限はないが、生産性及び保磁力以
外の磁気特性、例えば角形性を考慮すれば、実用的には
３０００Å以下が好ましい。

【００２５】一般に、基板に磁性層を成膜する場合、磁
性層の保磁力を増加させるためにＣｒ系下地層の膜厚を
１５００〜３０００Å程度にする必要があるが、磁性層
の好ましい成膜法として後述する、非磁性基板に負のバ
イアス電位を印加しながらスパッタ成膜する方法におい
ては、Ｃｒ系下地層の膜厚は磁性層の磁化容易軸を面内
に配向させるのに十分な膜厚であれば良く、Ｃｒ系下地
層は薄くても高い保磁力を容易に得ることができるので
１５００Å以下であっても良い。

【００２６】なお、このＣｒ下地層はＣｒを主体とする
ものであれば良く、Ｃｒの結晶性を損なわない限りＣｒ
以外の元素、例えばアルミニウム、銅、ケイ素等を数原
子％含んでいても良い。

【００２７】Ｃｒ下地層を形成するスパッタ条件として
は特に制限はなく、通常のＣｒ下地層が形成されるスパ
ッタ条件を採用することができる。基板バイアス電位は
印加しても印加しなくても良いが、印加した場合は磁気
特性が多少向上する。

【００２８】本発明において、このようなＣｒ系下地層
上に形成する合金磁性層は、Ｐｔを２０原子％以下含有
するＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｐｔ系合金磁性層、又は、
Ｐｔを２０原子％以下、Ｔａを１０原子％以下含有する
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｔａ−Ｐｔ系合金磁性層であ
る。好ましくは、Ｃｏを主成分とし、Ｎｉを通常４０原
子％以下、好ましくは１０〜３５原子％、Ｃｒを通常５
〜２６原子％、好ましくは６〜１８原子％、Ｂを通常８
原子％以下、好ましくは０．００５〜８．０原子％、Ｐ
ｔを２０原子％以下、好ましくは１〜１５原子％、或い
は更に、Ｔａを１０原子％以下、好ましくは０．００５
〜５原子％、より好ましくは１〜５原子％含有するＣｏ
−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｔ
ａ−Ｐｔ系合金磁性層である。

【００２９】このような磁性層組成において、Ｎｉの含
有量が４０原子％までは、その含有量が多くなる程、得
られる磁気記録媒体の保磁力は増加する傾向にあるが、
４０原子％を超えると保磁力の低下が認められる。Ｂも
保磁力の増加に有効であるが、その含有量が８原子％を
超えると保磁力増加効果がなくなる。Ｃｒの含有量が２
６原子％を超えると、得られる磁気記録媒体の飽和磁束
密度が小さくなり、あまり実用的でなく、６原子％未満
では保磁力増加効果が小さい。Ｐｔ含有量は２０原子％
を超えると保磁力増加効果がなくなる。またＴａ含有量
は１０原子％を超えると飽和磁束密度が小さくなり実用
的でなくなる。

【００３０】なお、磁性層の成膜をアルゴン雰囲気にて
実施した場合、後述のように基板に負のバイアス電圧を
印加しながらスパッタ成膜を行うと、バイアス効果によ
り不可避的に磁性層中にアルゴンが混入される。その量
は約０．２〜１．５原子％程度と、基板にバイアス電位
を印加しない通常のスパッタ成膜の場合よりも多い。

【００３１】このような磁性層の膜厚は磁気記録媒体と
して要求される特性により適宜決定すればよく、通常３
００〜１５００Åとするのが好ましい。

【００３２】このような本発明の磁気記録媒体は、例え
ば、本発明の方法に従って、スパッタ法により非磁性基
板上にＣｒ系下地層及びＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｐｔ系
又はＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｔａ−Ｐｔ系磁性層を成膜
することにより容易に製造される。

【００３３】ここで、スパッタ法は、直流マグネトロン
スパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法のいずれで
も良いが、基板が非導電性基板の場合には高周波マグネ
トロンスパッタ法が好ましい。

【００３４】また、本発明の方法においては、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｐｔ系又はＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｔａ
−Ｐｔ系合金磁性層は、非磁性基板に負のバイアス電位
を印加した状態でスパッタ法により成膜することにより
形成する。

【００３５】このような本発明の方法において、スパッ
タ法による磁性層の成膜に際し、得られる磁気記録媒体
の保磁力は、成膜時に基板に印加する負のバイアス電位
の影響を顕著に受ける。高周波スパッタリング法を用い
た場合、負の基板バイアス電位が−４０Ｖを超えると得
られる磁気記録媒体の保磁力が著しく増加する。ただ
し、負の基板バイアス電位が大き過ぎると、成膜された
磁性層の再スパッタリングが多くなると共に磁気特性も
低下するため、負の基板バイアス電位は約−４０〜−２
５０Ｖとするのが好ましい。

【００３６】一方、直流スパッタリング法を用いた場合
は、負の基板バイアス電位は約−４０〜−５００Ｖが好
ましい範囲である。

【００３７】なお、スパッタ法による成膜時のプラズマ
電位及びバイアス電位印加効果は、スパッタ装置の寸
法、形状等の幾何学的影響を受けるので、基板バイアス
電位値は絶対的な値ではなく、装置により最適範囲は異
なる。

【００３８】また、基板バイアス電子は必ずしも接地電
位に対して負でなくてもよく、基板は接地電位のままプ
ラズマ電位を接地電位より高くすることにより相対的に
基板をプラズマ電位より負にしても良い。

【００３９】本発明の方法において、得られる磁気記録
媒体の保磁力は、スパッタ成膜時の非磁性基板温度の影
響を顕著に受ける。即ち、基板温度が１５０℃以上にな
ると著しい保磁力の増加が認められる。従って、成膜時
の基板温度としては、１５０℃以上であることが望まし
い。なお、成膜時の基板温度の上限に関しては一概に規
定することは困難であるが、例えば、無電解Ｎｉ−Ｐめ
っきを施したアルミニウム合金基板の場合には、表面平
滑性の維持及びＮｉ−Ｐめっきの酸化防止のため、通常
は、３００℃以下とするのが好ましい。

【００４０】また、スパッタ成膜時の圧力は、高真空の
方が、原子、イオン等の平均自由行程が増すため好まし
いが、１×１０^-3Ｔｏｒｒを超える高真空においては、
通常のスパッタ装置では安定したプラズマ状態が維持し
難いため、実用的な範囲としては、１×１０^-3〜２０×
１０^-3Ｔｏｒｒが好ましい。

【００４１】このような本発明の方法により得られる本
発明の磁気記録媒体は、磁性層の上に更に必要に応じて
炭素等の保護層及び／又は適宜の潤滑剤よりなる潤滑層
等を形成してなるものであっても良い。

【００４２】

【作用】本発明に係る特定の元素組成のＣｏ−Ｃｒ−Ｎ
ｉ−Ｂ−Ｐｔ系又はＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｔａ−Ｐｔ
系磁性層によれば、高保磁力でしかも角形比が非常に高
い磁気記録媒体が得られる。

【００４３】また、このようなＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−
Ｐｔ系又はＣｏ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｂ−Ｔａ−Ｐｔ系磁性層
を、基板に負のバイアス電圧を印加した状態でスパッタ
成膜により形成することにより、得られる磁気記録媒体
の保磁力は著しく高められる。

【００４４】

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。

【００４５】実施例１〜５，比較例１〜４ 内径２５ｍｍ、外径９５ｍｍのアルミニウム合金ディス
ク基板表面に、無電解めっきにより非磁性Ｎｉ−Ｐ層を
２５μｍ厚さに成膜し、その表面を鏡面研磨し、更にほ
ぼ周方向に中心線平均粗さＲａ６０Åのテキスチャー加
工を施した。この非磁性基板を高周波（１３．５６ＭＨ
ｚ）マグネトロンスパッタ装置に装入し、１×１０^-6Ｔ
ｏｒｒまで真空排気した後、基板温度を２５０℃まで昇
温し、アルゴン分圧５×１０^-3Ｔｏｒｒで、基板に直流
−１００Ｖのバイアス電圧を印加しながらＣｒ下地層を
約１０００Åの厚さに成膜した。そして引続き、５７原
子％Ｃｏ−６．３原子％Ｃｒ−２７原子％Ｎｉ−１．７
原子％Ｂ−８原子％Ｐｔの組成のターゲットを用いて直
流−１００Ｖのバイアス電圧を印加しながら、種々の磁
性層膜厚に成膜し、表１に示す残留磁化量Ｂｒ・ｔの試
料を作製した（実施例１〜５）。

【００４６】比較例１〜４として、６２原子％Ｃｏ−
６．８原子％Ｃｒ−２９．３原子％Ｎｉ−１．９原子％
Ｂ組成のターゲットを用いたこと以外は上記と同様にし
て種々の磁性層厚みに成膜し、表１に示す残留磁化量Ｂ
ｒ・ｔの試料を作製した。

【００４７】得られた各磁気記録媒体の保磁力を試料振
動式磁力計で測定し、その結果を表１及び図１に示し
た。

【００４８】なお、試料振動式磁力計による測定は最大
印加磁場１０ＫＯｅで行った。表１及び図１より、Ｐｔ
添加により著しく保磁力が向上することが明らかであ
る。

【００４９】

【表１】

【００５０】比較例５〜８ 磁性層の組成として７３．５原子％Ｃｏ−１０原子％Ｃ
ｒ−３．５原子％Ｂ−１３原子％Ｐｔの組成になるよう
に調整したターゲットを用いたこと以外は実施例１と同
様にして、種々の磁性層厚みの磁気記録媒体を成膜し
た。この様にして作製した磁気記録媒体の磁気特性を試
料振動式磁力計で、最大印加磁場１０ＫＯｅにて測定
し、飽和磁化量、角形比、及び保磁力を表２に、実施例
１〜５で得た磁気記録媒体の結果と共に記載した。ま
た、飽和磁化量と角形比の関係を図２に示した。表２、
図２より本発明の磁気記録媒体の角形比が非常に高いこ
とが判る。従って、本発明の磁気記録媒体は、高出力で
あることが予測される。

【００５１】

【表２】

【００５２】実施例６ 磁性層組成として５５．２原子％Ｃｏ−６．５原子％Ｃ
ｒ−２４．８原子％Ｎｉ−２．１原子％Ｂ−３．７原子
％Ｔａ−７．７原子％Ｐｔに成るように調整したターゲ
ットを用いたこと以外は、実施例１と同様な条件で、磁
性層の厚みが飽和磁化量として４２０ｇａｕｓｓ・μｍ
と成るように成膜した。得られた磁気記録媒体の磁気特
性は保磁力が３０２０Ｏｅで角形比は０．９６であり、
著しい高保磁力及び高角形比が得られた。

【００５３】実施例７ 実施例６において、直流マグネトロンスパッタ装置を使
用し、基板バイアス電圧として−２００Ｖを印加したこ
と以外は同様にして成膜を行った。得られた磁気記録媒
体の保磁力は２８５０Ｏｅ、角形比は０．９６であり、
実施例６と同様非常に高い保磁力及び角形比が得られ
た。

【００５４】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒
体及びその製造方法によれば、著しく高い保磁力及び角
形比を有し、このため、著しい高出力化及び高記録密度
化が可能な磁気記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１〜５及び比較例１〜４で得られた、磁
性層の残留磁化量と保磁力との関係を示すグラフであ
る。

【図２】実施例１〜５及び比較例５〜８で得られた、磁
性層の飽和磁化量と角形比との関係を示すグラフであ
る。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板上に、クロムを主成分とする
   非磁性下地層を介して、コバルト−クロム−ニッケル−
   ホウ素系合金磁性層を形成してなる磁気記録媒体におい
   て、該磁性層が、白金を２０原子％以下含有することを
   特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 非磁性基板上に、クロムを主成分とする
   非磁性下地層を介して、コバルト−クロム−ニッケル−
   ホウ素系合金磁性層を形成してなる磁気記録媒体におい
   て、該磁性層が、白金を２０原子％以下及びタンタルを
   １０原子％以下含有することを特徴とする磁気記録媒
   体。
3. 【請求項３】 非磁性基板上に、クロムを主成分とする
   非磁性下地層及びコバルト−クロム−ニッケル−ホウ素
   系合金磁性層をスパッタ法により順次形成する磁気記録
   媒体の製造方法において、非磁性基板に負のバイアス電
   圧を印加した状態で、白金を２０原子％以下含むコバル
   ト−クロム−ニッケル−ホウ素−白金系合金磁性層を成
   膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
4. 【請求項４】 非磁性基板上に、クロムを主成分とする
   非磁性下地層及びコバルト−クロム−ニッケル−ホウ素
   系合金磁性層をスパッタ法により順次形成する磁気記録
   媒体の製造方法において、非磁性基板に負のバイアス電
   圧を印加した状態で、白金を２０原子％以下及びタンタ
   ルを１０原子％以下含むコバルト−クロム−ニッケル−
   ホウ素−タンタル−白金系合金磁性層を成膜することを
   特徴とする磁気記録媒体の製造方法。