JP2000348323A - 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造
方法及び磁気記憶装置に関し、非磁性基板上のB2構造を
有する下地層上に磁性層が設けられた構成の磁気記録媒
体において、磁性層に一方向の異方性を付与して記録特
性及び熱安定性を向上することを目的とする。 【解決手段】 一方向に沿ってテクスチャ処理を施され
た非磁性基板と、基板の上面に設けられ（００２）結晶
面が該基板の上面と略平行なCr又はCr系合金からなるシ
ード層と、シード層上に設けられB2構造を有する下地層
と、下地層の上方に設けられCo系合金からなる磁性層と
を備えるように構成する。
方法及び磁気記憶装置に関し、非磁性基板上のB2構造を
有する下地層上に磁性層が設けられた構成の磁気記録媒
体において、磁性層に一方向の異方性を付与して記録特
性及び熱安定性を向上することを目的とする。 【解決手段】 一方向に沿ってテクスチャ処理を施され
た非磁性基板と、基板の上面に設けられ（００２）結晶
面が該基板の上面と略平行なCr又はCr系合金からなるシ
ード層と、シード層上に設けられB2構造を有する下地層
と、下地層の上方に設けられCo系合金からなる磁性層と
を備えるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体、磁気
記録媒体の製造方法及び記憶装置に係り、特に高密度な
面内記録に適した構造の磁気記録媒体、そのような磁気
記録媒体の製造方法及びそのような磁気記録媒体を備え
た磁気記憶装置に関する。
記録媒体の製造方法及び記憶装置に係り、特に高密度な
面内記録に適した構造の磁気記録媒体、そのような磁気
記録媒体の製造方法及びそのような磁気記録媒体を備え
た磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報処理技術の発達に伴い、磁気記録媒
体の記録密度の更なる向上が要求されている。この要求
を満足させるために磁気記録媒体に求められる特性とし
ては、例えばハードディスクの場合であれば、低ノイ
ズ、高保持力、高残留磁化、高分解能等である。
体の記録密度の更なる向上が要求されている。この要求
を満足させるために磁気記録媒体に求められる特性とし
ては、例えばハードディスクの場合であれば、低ノイ
ズ、高保持力、高残留磁化、高分解能等である。
【０００３】従来の磁気記録媒体では、例えばAl等から
なる非磁性基板上に、Cr層を介してCo系合金からなる磁
性（記録）層を設けている。磁気記録媒体のノイズレベ
ルを低下させるためには、磁性粒子径の微細化及び均一
化や、磁性粒子間の磁気的相互作用の切断等が必要であ
り、様々な添加物が研究されている。例えば、特開平７
−５０００８号公報で提案されている磁気記録媒体で
は、低ノイズ化を実現するために、Co79Cr13Pt8 に、N
b,Hf,W,Ti,Ta のうち１種類以上の元素を添加した磁性
層を設けることが提案されている。又、特開昭６３−１
４８４１１号公報では、CoCrを主成分とし、Ta,Mo,W 等
を添加した磁性層を設けた磁気記録媒体が提案されてい
る。磁性層の下地層として用いられるCr層は、（００
２）面が磁性層を構成するCoの（１１−２０）面と格子
定数が略一致するため、磁性層が面内の異方性を持ち、
面内記録としての特性を向上させている。
なる非磁性基板上に、Cr層を介してCo系合金からなる磁
性（記録）層を設けている。磁気記録媒体のノイズレベ
ルを低下させるためには、磁性粒子径の微細化及び均一
化や、磁性粒子間の磁気的相互作用の切断等が必要であ
り、様々な添加物が研究されている。例えば、特開平７
−５０００８号公報で提案されている磁気記録媒体で
は、低ノイズ化を実現するために、Co79Cr13Pt8 に、N
b,Hf,W,Ti,Ta のうち１種類以上の元素を添加した磁性
層を設けることが提案されている。又、特開昭６３−１
４８４１１号公報では、CoCrを主成分とし、Ta,Mo,W 等
を添加した磁性層を設けた磁気記録媒体が提案されてい
る。磁性層の下地層として用いられるCr層は、（００
２）面が磁性層を構成するCoの（１１−２０）面と格子
定数が略一致するため、磁性層が面内の異方性を持ち、
面内記録としての特性を向上させている。
【０００４】他方、米国特許第５，６９３，４２６号公
報では、NiAl等のB2構造を有する下地層を用いること
で、Co磁性層の粒子を比較的微細で均一に形成して、磁
気記録媒体の信号対雑音（S/N)比を高くすることが提案
されている。この場合、下地層の（１１２）面と磁性層
を構成するCoの（１０−１０）面との格子定数が一致す
るので、磁性層に面内異方性を持たせることができる。
報では、NiAl等のB2構造を有する下地層を用いること
で、Co磁性層の粒子を比較的微細で均一に形成して、磁
気記録媒体の信号対雑音（S/N)比を高くすることが提案
されている。この場合、下地層の（１１２）面と磁性層
を構成するCoの（１０−１０）面との格子定数が一致す
るので、磁性層に面内異方性を持たせることができる。
【０００５】更に、磁気記録媒体のS/N 比を高くする他
の方法として、ディスク状の非磁性基板に、予め周方向
のテクスチャ処理を施すことで、Co磁性層に周方向の異
方性を持たせる方法も提案されている。この提案方法に
よれば、磁性層の周方向の保持力や残留磁化等を改善す
ることができる。磁性層に周方向の異方性を持たせる
と、熱安定性も向上するため、磁気記録媒体においては
望ましい特性である。
の方法として、ディスク状の非磁性基板に、予め周方向
のテクスチャ処理を施すことで、Co磁性層に周方向の異
方性を持たせる方法も提案されている。この提案方法に
よれば、磁性層の周方向の保持力や残留磁化等を改善す
ることができる。磁性層に周方向の異方性を持たせる
と、熱安定性も向上するため、磁気記録媒体においては
望ましい特性である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らによる実験
結果によると、Cr下地層及びNiAl下地層は、いずれも磁
性層を構成するCoのC 軸を面内に寝かせることができ、
面内記録用磁気記録媒体に適していることが確認され
た。又、NiAl下地層は、磁性層の磁性粒子を微細化及び
均一化することができ、ノイズを低減するのに有効であ
ることも確認された。
結果によると、Cr下地層及びNiAl下地層は、いずれも磁
性層を構成するCoのC 軸を面内に寝かせることができ、
面内記録用磁気記録媒体に適していることが確認され
た。又、NiAl下地層は、磁性層の磁性粒子を微細化及び
均一化することができ、ノイズを低減するのに有効であ
ることも確認された。
【０００７】しかし、Crの（００２）面上には２方向に
Coが成長できるのに対し、NiAl等の（１１２）面は長方
形であり、Coが成長する方向が１つしかない。このた
め、基板に周方向のテクスチャ処理を施しても、NiAlを
下地として用いる場合はCo磁性層の周方向への異方性付
与はできず、テクスチャ処理が本来磁性層の磁気特性に
与える効果を得ることができないという問題が確認され
た。
Coが成長できるのに対し、NiAl等の（１１２）面は長方
形であり、Coが成長する方向が１つしかない。このた
め、基板に周方向のテクスチャ処理を施しても、NiAlを
下地として用いる場合はCo磁性層の周方向への異方性付
与はできず、テクスチャ処理が本来磁性層の磁気特性に
与える効果を得ることができないという問題が確認され
た。
【０００８】そこで、本発明は、非磁性基板上のB2構造
を有する下地層上に磁性層が設けられた構成の磁気記録
媒体において、磁性層に一方向の異方性を付与して記録
特性及び熱安定性を向上可能な磁気記録媒体、磁気記録
媒体の製造方法及び磁気記憶装置を提供することを目的
とする。
を有する下地層上に磁性層が設けられた構成の磁気記録
媒体において、磁性層に一方向の異方性を付与して記録
特性及び熱安定性を向上可能な磁気記録媒体、磁気記録
媒体の製造方法及び磁気記憶装置を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、一方向に
沿ってテクスチャ処理を施された非磁性基板と、該基板
の上面に設けられ、（００２）結晶面が該基板の上面と
略平行なCr又はCr系合金からなるシード層と、該シード
層上に設けられ、B2構造を有する下地層と、該下地層の
上方に設けられ、Co系合金からなる磁性層とを備えた磁
気記録媒体により達成される。本発明になる磁気記録媒
体によれば、シード層を設けることで、下地層にも異方
性を発生させて磁性層に異方性を付与することができ、
記録特性及び熱安定性を向上可能となる。
沿ってテクスチャ処理を施された非磁性基板と、該基板
の上面に設けられ、（００２）結晶面が該基板の上面と
略平行なCr又はCr系合金からなるシード層と、該シード
層上に設けられ、B2構造を有する下地層と、該下地層の
上方に設けられ、Co系合金からなる磁性層とを備えた磁
気記録媒体により達成される。本発明になる磁気記録媒
体によれば、シード層を設けることで、下地層にも異方
性を発生させて磁性層に異方性を付与することができ、
記録特性及び熱安定性を向上可能となる。
【００１０】前記シード層は、CrMo,CrW,CrTi,CrV,CrC
u,CrAl からなるグループから選択された１つのCr系合
金からなる構成であっても良い。前記下地層は、NiAl,F
eAl,AlCo,FeTi,CoFe,CoTi,CoHf,CoZr,NiTi,CuBe,CuZn,A
lMn,AlRe,AgMg,Ni2FeMn2からなるグループから選択され
た１つの材料からなる構成であっても良い。この場合、
前記下地層は、Cr,Hf,Nb,Ta,V,Zrからなるグループから
選択された１種類以上の材料を１〜１０％含有しても良
い。これらの場合、B2構造を有する下地層による、磁性
層を構成する磁性粒子の粒径制御及び基板のテクスチャ
処理による一方向の異方性の付与を組み合わせて、高い
S/N 比及び熱安定性の良い磁気記録媒体を得ることがで
きる。
u,CrAl からなるグループから選択された１つのCr系合
金からなる構成であっても良い。前記下地層は、NiAl,F
eAl,AlCo,FeTi,CoFe,CoTi,CoHf,CoZr,NiTi,CuBe,CuZn,A
lMn,AlRe,AgMg,Ni2FeMn2からなるグループから選択され
た１つの材料からなる構成であっても良い。この場合、
前記下地層は、Cr,Hf,Nb,Ta,V,Zrからなるグループから
選択された１種類以上の材料を１〜１０％含有しても良
い。これらの場合、B2構造を有する下地層による、磁性
層を構成する磁性粒子の粒径制御及び基板のテクスチャ
処理による一方向の異方性の付与を組み合わせて、高い
S/N 比及び熱安定性の良い磁気記録媒体を得ることがで
きる。
【００１１】前記磁性層は、CoCrPt,CoCrPtB,CoCrTa,Co
CrPtTa,CoCrPtTaNb からなるグループから選択された１
つの磁性材料からなる構成であっても良い。この場合、
高保持力で磁性粒子間の磁気分離が良好な磁性層を得る
ことができる。磁気記録媒体は、前記下地層と前記磁性
層の間に設けられ、Cr又はCr系合金からなる第１の中間
層を更に備えた構成とすることもできる。この場合、前
記第１の中間層は、CrMo,CrW,CrTi,CrV,CrCu,CrAl から
なるグループから選択された１つのCr系合金からなる構
成であっても良い。又、前記第１の中間層は、５〜５０
ｎｍの膜厚を有しても良い。この場合、第１の中間層に
より、磁性層と下地層との格子間隔が厳密には一致しな
くても、磁性層を良好に形成することができる。
CrPtTa,CoCrPtTaNb からなるグループから選択された１
つの磁性材料からなる構成であっても良い。この場合、
高保持力で磁性粒子間の磁気分離が良好な磁性層を得る
ことができる。磁気記録媒体は、前記下地層と前記磁性
層の間に設けられ、Cr又はCr系合金からなる第１の中間
層を更に備えた構成とすることもできる。この場合、前
記第１の中間層は、CrMo,CrW,CrTi,CrV,CrCu,CrAl から
なるグループから選択された１つのCr系合金からなる構
成であっても良い。又、前記第１の中間層は、５〜５０
ｎｍの膜厚を有しても良い。この場合、第１の中間層に
より、磁性層と下地層との格子間隔が厳密には一致しな
くても、磁性層を良好に形成することができる。
【００１２】又、磁気記録媒体において、前記第１の中
間層は前記下地層上に設けられ、前記第１の中間層と前
記磁性層との間に設けられ、ｈｃｐ構造を有する非磁性
のCo系合金からなる第２の中間層を更に備える構成とす
ることもできる。この場合、前記第２の中間層は、CoC
r,CoCrMo,CoCrTa,CoCrNb から選択された１つのCo系合
金からなる構成であっても良い。この場合、第２の中間
層により、下地層による磁性粒子の粒径制御の効果を最
大限に引き出すことができる。
間層は前記下地層上に設けられ、前記第１の中間層と前
記磁性層との間に設けられ、ｈｃｐ構造を有する非磁性
のCo系合金からなる第２の中間層を更に備える構成とす
ることもできる。この場合、前記第２の中間層は、CoC
r,CoCrMo,CoCrTa,CoCrNb から選択された１つのCo系合
金からなる構成であっても良い。この場合、第２の中間
層により、下地層による磁性粒子の粒径制御の効果を最
大限に引き出すことができる。
【００１３】磁気記録媒体は、前記下地層と前記磁性層
との間に設けられ、ｈｃｐ構造を有する非磁性のCo系合
金からなる第２の中間層を更に備えた構成とすることも
できる。この場合、前記第２の中間層は、CoCr,CoCrMo,
CoCrTa,CoCrNb から選択された１つのCo系合金からなる
構成であっても良い。又、前記第２の中間層は、１〜１
０ｎｍの膜厚を有しても良い。この場合、第２の中間層
により、下地層による磁性粒子の粒径制御の効果を最大
限に引き出すことができる。
との間に設けられ、ｈｃｐ構造を有する非磁性のCo系合
金からなる第２の中間層を更に備えた構成とすることも
できる。この場合、前記第２の中間層は、CoCr,CoCrMo,
CoCrTa,CoCrNb から選択された１つのCo系合金からなる
構成であっても良い。又、前記第２の中間層は、１〜１
０ｎｍの膜厚を有しても良い。この場合、第２の中間層
により、下地層による磁性粒子の粒径制御の効果を最大
限に引き出すことができる。
【００１４】前記シード層は、１〜５０ｎｍの膜厚を有
しても良い。この場合、異方性の低減を招くことなく、
下地層を良好に形成することができる。上記の課題は、
上記の如き磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対して情
報の記録及び/ 又は再生を行うヘッドとを備えた磁気記
憶装置によっても達成できる。本発明になる磁気記憶装
置によれば、記録特性及び熱安定性が向上された磁気記
録媒体を用いることにより、安定した高密度記録再生を
行うことができる。
しても良い。この場合、異方性の低減を招くことなく、
下地層を良好に形成することができる。上記の課題は、
上記の如き磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対して情
報の記録及び/ 又は再生を行うヘッドとを備えた磁気記
憶装置によっても達成できる。本発明になる磁気記憶装
置によれば、記録特性及び熱安定性が向上された磁気記
録媒体を用いることにより、安定した高密度記録再生を
行うことができる。
【００１５】上記の課題は、非磁性基板に対して、一方
向に沿ってテクスチャ処理を施すステップと、該基板の
上面に、（００２）結晶面が該基板の上面と略平行なCr
又はCr系合金からなるシード層を形成するステップと、
該シード層上に、B2構造を有する下地層を形成するステ
ップと、該下地層の上方に、Co系合金からなる磁性層を
形成するステップとを含む磁気記録媒体の製造方法によ
っても達成できる。本発明になる磁気記録媒体の製造方
法によれば、シード層を設けることで、下地層にも異方
性を発生させて磁性層に異方性を付与することができ、
記録特性及び熱安定性を向上可能となる。
向に沿ってテクスチャ処理を施すステップと、該基板の
上面に、（００２）結晶面が該基板の上面と略平行なCr
又はCr系合金からなるシード層を形成するステップと、
該シード層上に、B2構造を有する下地層を形成するステ
ップと、該下地層の上方に、Co系合金からなる磁性層を
形成するステップとを含む磁気記録媒体の製造方法によ
っても達成できる。本発明になる磁気記録媒体の製造方
法によれば、シード層を設けることで、下地層にも異方
性を発生させて磁性層に異方性を付与することができ、
記録特性及び熱安定性を向上可能となる。
【００１６】前記シード層は、CrMo,CrW,CrTi,CrV,CrC
u,CrAl からなるグループから選択された１つのCr系合
金からなるようにしても良い。前記下地層は、NiAl,FeA
l,AlCo,FeTi,CoFe,CoTi,CoHf,CoZr,NiTi,CuBe,CuZn,AlM
n,AlRe,AgMg,Ni2FeMn2からなるグループから選択された
１つの材料からなるようにしても良い。この場合、前記
下地層は、Cr,Hf,Nb,Ta,V,Zrからなるグループから選択
された１種類以上の材料を１〜１０％含有することも可
能である。これらの場合、B2構造を有する下地層によ
る、磁性層を構成する磁性粒子の粒径制御及び基板のテ
クスチャ処理による一方向の異方性の付与を組み合わせ
て、高いS/N 比及び熱安定性の良い磁気記録媒体を得る
ことができる。
u,CrAl からなるグループから選択された１つのCr系合
金からなるようにしても良い。前記下地層は、NiAl,FeA
l,AlCo,FeTi,CoFe,CoTi,CoHf,CoZr,NiTi,CuBe,CuZn,AlM
n,AlRe,AgMg,Ni2FeMn2からなるグループから選択された
１つの材料からなるようにしても良い。この場合、前記
下地層は、Cr,Hf,Nb,Ta,V,Zrからなるグループから選択
された１種類以上の材料を１〜１０％含有することも可
能である。これらの場合、B2構造を有する下地層によ
る、磁性層を構成する磁性粒子の粒径制御及び基板のテ
クスチャ処理による一方向の異方性の付与を組み合わせ
て、高いS/N 比及び熱安定性の良い磁気記録媒体を得る
ことができる。
【００１７】前記磁性層は、CoCrPt,CoCrPtB,CoCrTa,Co
CrPtTa,CoCrPtTaNb からなるグループから選択された１
つの磁性材料からなるようにしても良い。この場合、高
保持力で磁性粒子間の磁気分離が良好な磁性層を得るこ
とができる。磁気記録媒体の製造方法は、前記下地層と
前記磁性層の間に、Cr又はCr系合金からなる第１の中間
層を形成するステップを更に含むようにしても良い。こ
の場合、前記第１の中間層は、CrMo,CrW,CrTi,CrV,CrC
u,CrAl からなるグループから選択された１つのCr系合
金からなるようにしても良い。更に、前記第１の中間層
は、５〜５０ｎｍの膜厚に形成しても良い。この場合、
第１の中間層により、磁性層と下地層との格子間隔が厳
密には一致しなくても、磁性層を良好に形成することが
できる。
CrPtTa,CoCrPtTaNb からなるグループから選択された１
つの磁性材料からなるようにしても良い。この場合、高
保持力で磁性粒子間の磁気分離が良好な磁性層を得るこ
とができる。磁気記録媒体の製造方法は、前記下地層と
前記磁性層の間に、Cr又はCr系合金からなる第１の中間
層を形成するステップを更に含むようにしても良い。こ
の場合、前記第１の中間層は、CrMo,CrW,CrTi,CrV,CrC
u,CrAl からなるグループから選択された１つのCr系合
金からなるようにしても良い。更に、前記第１の中間層
は、５〜５０ｎｍの膜厚に形成しても良い。この場合、
第１の中間層により、磁性層と下地層との格子間隔が厳
密には一致しなくても、磁性層を良好に形成することが
できる。
【００１８】磁気記録媒体の製造方法において、前記第
１の中間層は前記下地層上に設けられ、前記第１の中間
層と前記磁性層との間に設けられ、ｈｃｐ構造を有する
非磁性のCo系合金からなる第２の中間層を形成するステ
ップを更に含むようにしても良い。この場合、前記第２
の中間層は、CoCr,CoCrMo,CoCrTa,CoCrNb から選択され
た１つのCo系合金からなるようにしても良い。この場
合、第２の中間層により、下地層による磁性粒子の粒径
制御の効果を最大限に引き出すことができる。
１の中間層は前記下地層上に設けられ、前記第１の中間
層と前記磁性層との間に設けられ、ｈｃｐ構造を有する
非磁性のCo系合金からなる第２の中間層を形成するステ
ップを更に含むようにしても良い。この場合、前記第２
の中間層は、CoCr,CoCrMo,CoCrTa,CoCrNb から選択され
た１つのCo系合金からなるようにしても良い。この場
合、第２の中間層により、下地層による磁性粒子の粒径
制御の効果を最大限に引き出すことができる。
【００１９】磁気記録媒体の製造方法は、前記下地層と
前記磁性層との間に、ｈｃｐ構造を有する非磁性のCo系
合金からなる第２の中間層を形成するステップを更に含
むようにしても良い。この場合、前記第２の中間層は、
CoCr,CoCrMo,CoCrTa,CoCrNbから選択された１つのCo系
合金からなるようにしても良い。更に、前記第２の中間
層は、１〜１０ｎｍの膜厚に形成しても良い。この場
合、第２の中間層により、下地層による磁性粒子の粒径
制御の効果を最大限に引き出すことができる。
前記磁性層との間に、ｈｃｐ構造を有する非磁性のCo系
合金からなる第２の中間層を形成するステップを更に含
むようにしても良い。この場合、前記第２の中間層は、
CoCr,CoCrMo,CoCrTa,CoCrNbから選択された１つのCo系
合金からなるようにしても良い。更に、前記第２の中間
層は、１〜１０ｎｍの膜厚に形成しても良い。この場
合、第２の中間層により、下地層による磁性粒子の粒径
制御の効果を最大限に引き出すことができる。
【００２０】前記シード層は、１〜５０ｎｍの膜厚に形
成しても良い。この場合、異方性の低減を招くことな
く、下地層を良好に形成することができる。従って、本
発明によれば、非磁性基板上の下地層上に磁性層が設け
られた構成の磁気記録媒体において、磁性層に一方向の
異方性を付与して記録特性及び熱安定性を向上可能な磁
気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置
を実現できる。
成しても良い。この場合、異方性の低減を招くことな
く、下地層を良好に形成することができる。従って、本
発明によれば、非磁性基板上の下地層上に磁性層が設け
られた構成の磁気記録媒体において、磁性層に一方向の
異方性を付与して記録特性及び熱安定性を向上可能な磁
気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置
を実現できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面と共
に説明する。
に説明する。
【００２２】
【実施例】図１は、本発明になる磁気記録媒体の一実施
例の要部を示す断面図である。同図中、磁気記録媒体
は、大略非磁性基板１、シード層２、下地層３、第１の
中間層４、第２の中間層５、磁性層６及び保護層７から
なる。非磁性基板１は、例えばNiP 又はAlからなり、一
方向に異方性を付与するために、一方向又はこれに準ず
るテクスチャ処理を施されている。磁気記録媒体が磁気
ディスクの場合、この一方向とは、トラックの延在方
向、即ち、磁気ディスクの周方向である。
例の要部を示す断面図である。同図中、磁気記録媒体
は、大略非磁性基板１、シード層２、下地層３、第１の
中間層４、第２の中間層５、磁性層６及び保護層７から
なる。非磁性基板１は、例えばNiP 又はAlからなり、一
方向に異方性を付与するために、一方向又はこれに準ず
るテクスチャ処理を施されている。磁気記録媒体が磁気
ディスクの場合、この一方向とは、トラックの延在方
向、即ち、磁気ディスクの周方向である。
【００２３】シード層２は、例えばCr、或いは、CrMo,C
rW,CrTi,CrV,CrCu,CrAl からなるグループから選択され
た１つのCr系合金からなる。下地層３は、例えばNiAl,F
eAl,AlCo,FeTi,CoFe,CoTi,CoHf,CoZr,NiTi,CuBe,CuZn,A
lMn,AlRe,AgMg,Ni2FeMn2からなるグループから選択され
た１つの材料からなる。下地層３は、Cr,Hf,Nb,Ta,V,Zr
からなるグループから選択された１種類以上の材料を１
〜１０％含有しても良い。
rW,CrTi,CrV,CrCu,CrAl からなるグループから選択され
た１つのCr系合金からなる。下地層３は、例えばNiAl,F
eAl,AlCo,FeTi,CoFe,CoTi,CoHf,CoZr,NiTi,CuBe,CuZn,A
lMn,AlRe,AgMg,Ni2FeMn2からなるグループから選択され
た１つの材料からなる。下地層３は、Cr,Hf,Nb,Ta,V,Zr
からなるグループから選択された１種類以上の材料を１
〜１０％含有しても良い。
【００２４】第１の中間層４は、例えばCr又はCr系合金
からなり、CrMo,CrW,CrTi,CrV,CrCu,CrAl からなるグル
ープから選択された１つのCr系合金からなる構成として
も良い。第２の中間層５は、例えばｈｃｐ構造を有する
非磁性のCo系合金からなり、CoCr,CoCrMo,CoCrTa,CoCrN
b から選択された１つのCo系合金からなる構成としても
良い。
からなり、CrMo,CrW,CrTi,CrV,CrCu,CrAl からなるグル
ープから選択された１つのCr系合金からなる構成として
も良い。第２の中間層５は、例えばｈｃｐ構造を有する
非磁性のCo系合金からなり、CoCr,CoCrMo,CoCrTa,CoCrN
b から選択された１つのCo系合金からなる構成としても
良い。
【００２５】磁性層６は、例えばCoCrPt,CoCrPtB,CoCrT
a,CoCrPtTa,CoCrPtTaNb からなるグループから選択され
た１つの磁性材料からなる。保護層７は、例えばC 等か
らなる。Cr又はCr系合金からなるシード層２の（００
２）結晶面は、非磁性基板１の上面と略平行である。こ
のようなシード層２を、非磁性基板１とB2構造を有する
上記の如き材料からなる下地層３との間に設けることに
より、下地層３にも異方性が発生し、その上部に設けら
れた磁性層６にも異方性を与えることができる。これに
より、B2構造を有する下地層３による磁性粒子の粒径制
御及び非磁性基板１のテクスチャ処理による一方向の異
方性の付与を組み合わせて、高いS/N 比及び熱安定性の
良い磁気記録媒体を実現できる。
a,CoCrPtTa,CoCrPtTaNb からなるグループから選択され
た１つの磁性材料からなる。保護層７は、例えばC 等か
らなる。Cr又はCr系合金からなるシード層２の（００
２）結晶面は、非磁性基板１の上面と略平行である。こ
のようなシード層２を、非磁性基板１とB2構造を有する
上記の如き材料からなる下地層３との間に設けることに
より、下地層３にも異方性が発生し、その上部に設けら
れた磁性層６にも異方性を与えることができる。これに
より、B2構造を有する下地層３による磁性粒子の粒径制
御及び非磁性基板１のテクスチャ処理による一方向の異
方性の付与を組み合わせて、高いS/N 比及び熱安定性の
良い磁気記録媒体を実現できる。
【００２６】下地層３は、B2構造を有する上記の如き材
料からなる構成とすることが望ましい。これは、上記の
如き材料で下地層３を構成すると、下地層３の格子定数
とシード層の格子定数とが略一致し、磁性層６を正しく
成長させるのに好都合だからである。又、下地層３を構
成する上記の如き材料は脆く、形成時にスパッタチャン
バ内での発塵の原因となるため、Cr,Hf,Nb,Ta,V,Zrから
なるグループから選択された１種類以上の材料を１〜１
０％含有させて、より柔軟なものとすることもできる。
料からなる構成とすることが望ましい。これは、上記の
如き材料で下地層３を構成すると、下地層３の格子定数
とシード層の格子定数とが略一致し、磁性層６を正しく
成長させるのに好都合だからである。又、下地層３を構
成する上記の如き材料は脆く、形成時にスパッタチャン
バ内での発塵の原因となるため、Cr,Hf,Nb,Ta,V,Zrから
なるグループから選択された１種類以上の材料を１〜１
０％含有させて、より柔軟なものとすることもできる。
【００２７】シード層２は、下地層３を成長させるのに
十分な膜厚で、且つ、厚すぎて異方性の低減を招かない
膜厚に設定する必要がある。本実施例では、シード層２
の膜厚は、１〜５０ｎｍであり、好ましくは１〜３０ｎ
ｍである。下地層３は、薄すぎると結晶配向性が悪くな
り、厚すぎると表面の凹凸が大きくなってしまい磁気記
録媒体表面とヘッドとの間の衝突等を招くので、好まし
くない。このため、本実施例では、下地層３の膜厚は、
５〜１００ｎｍである。
十分な膜厚で、且つ、厚すぎて異方性の低減を招かない
膜厚に設定する必要がある。本実施例では、シード層２
の膜厚は、１〜５０ｎｍであり、好ましくは１〜３０ｎ
ｍである。下地層３は、薄すぎると結晶配向性が悪くな
り、厚すぎると表面の凹凸が大きくなってしまい磁気記
録媒体表面とヘッドとの間の衝突等を招くので、好まし
くない。このため、本実施例では、下地層３の膜厚は、
５〜１００ｎｍである。
【００２８】磁性層６を上記の如き磁性材料から構成す
ると、高保持力で磁性粒子間の磁気分離が良好な磁性層
６を得ることができる。尚、磁性層６を、ヘッドと磁気
記録媒体表面との間の接触や腐食から保護するために、
保護層７を設けることが望ましい。ところで、磁性層６
と下地層３との格子間隔は、必ずしも厳密には一致しな
い。そこで、下地層３と磁性層６との間に、本実施例の
ように第１の中間層４を設けることが望ましい。この第
１の中間層４は、薄すぎると結晶配向性が悪く、厚すぎ
ると磁性粒子の粒径の肥大化や、非磁性基板１のテクス
チャ処理による異方性の減少を招いてしまう。このた
め、本実施例では、第１の中間層４の膜厚は、望ましく
は５〜５０ｎｍに設定されている。又、シード層２と第
１の中間層４との間の格子間隔を微調整するために、Cr
系合金を用いる場合は、Mo,W,Ti,V,Cu,Al 等の元素を添
加することが望ましい。
ると、高保持力で磁性粒子間の磁気分離が良好な磁性層
６を得ることができる。尚、磁性層６を、ヘッドと磁気
記録媒体表面との間の接触や腐食から保護するために、
保護層７を設けることが望ましい。ところで、磁性層６
と下地層３との格子間隔は、必ずしも厳密には一致しな
い。そこで、下地層３と磁性層６との間に、本実施例の
ように第１の中間層４を設けることが望ましい。この第
１の中間層４は、薄すぎると結晶配向性が悪く、厚すぎ
ると磁性粒子の粒径の肥大化や、非磁性基板１のテクス
チャ処理による異方性の減少を招いてしまう。このた
め、本実施例では、第１の中間層４の膜厚は、望ましく
は５〜５０ｎｍに設定されている。又、シード層２と第
１の中間層４との間の格子間隔を微調整するために、Cr
系合金を用いる場合は、Mo,W,Ti,V,Cu,Al 等の元素を添
加することが望ましい。
【００２９】更に、B2構造を有する下地層３による、磁
性層６を構成する磁性粒子の粒径制御の効果を損なわな
いために、本実施例のように、磁性層６の真下に第２の
中間層５を設けることが望ましい。この第２の中間層５
は、薄すぎると結晶配向性が悪く、厚すぎると磁性粒子
の粒径の肥大化や、非磁性基板１のテクスチャ処理によ
る異方性の減少を招いてしまう。このため、本実施例で
は、第２の中間層５の膜厚は、望ましくは１〜１０ｎｍ
に設定されている。
性層６を構成する磁性粒子の粒径制御の効果を損なわな
いために、本実施例のように、磁性層６の真下に第２の
中間層５を設けることが望ましい。この第２の中間層５
は、薄すぎると結晶配向性が悪く、厚すぎると磁性粒子
の粒径の肥大化や、非磁性基板１のテクスチャ処理によ
る異方性の減少を招いてしまう。このため、本実施例で
は、第２の中間層５の膜厚は、望ましくは１〜１０ｎｍ
に設定されている。
【００３０】NiAl等のB2構造を有する下地層とCo系合金
からなる磁性層を磁気記録媒体では、下地層の効果とし
て、磁性層の配向制御及び磁性粒子の粒径制御という効
果が得られるものの、基板に施した一方向のテクスチャ
処理による異方性の発生の効果は得られなかった。これ
に対し、本実施例によれば、B2構造を有する下地層３の
効果はそのままで、非磁性基板１に施したテクスチャ処
理による異方性の効果も得ることができるので、高S/N
比の磁気記録媒体を実現することができる。
からなる磁性層を磁気記録媒体では、下地層の効果とし
て、磁性層の配向制御及び磁性粒子の粒径制御という効
果が得られるものの、基板に施した一方向のテクスチャ
処理による異方性の発生の効果は得られなかった。これ
に対し、本実施例によれば、B2構造を有する下地層３の
効果はそのままで、非磁性基板１に施したテクスチャ処
理による異方性の効果も得ることができるので、高S/N
比の磁気記録媒体を実現することができる。
【００３１】次に、本発明になる磁気記録媒体の製造方
法の一実施例を説明する。図２は、磁気記録媒体の製造
方法の一実施例を説明するフローチャートである。図２
において、ステップS1は、NiP 又はAlからなる非磁性基
板１に、一方向に溝を形成する等の周知のテクスチャ処
理を施す。ステップS2は、DCマグネトロンスパッタ装置
を用いて、テクスチャ処理を施された非磁性基板１を２
２０℃に加熱し、この非磁性基板１上に順次Cr90Mo10シ
ード層２、NiAl下地層３、第１のCr 90Mo10中間層４及び
CoCrPtTa磁性層６を、夫々Arガス圧を５ｍTorrに設定し
て連続スパッタにより成長する。本実施例では、便宜
上、第２の中間層５は形成しないものとする。ステップ
S3は、C 保護層７をArガス圧を８ｍTorrに設定して成長
する。ステップS4は、C 保護膜７の上に、潤滑剤を塗布
する。
法の一実施例を説明する。図２は、磁気記録媒体の製造
方法の一実施例を説明するフローチャートである。図２
において、ステップS1は、NiP 又はAlからなる非磁性基
板１に、一方向に溝を形成する等の周知のテクスチャ処
理を施す。ステップS2は、DCマグネトロンスパッタ装置
を用いて、テクスチャ処理を施された非磁性基板１を２
２０℃に加熱し、この非磁性基板１上に順次Cr90Mo10シ
ード層２、NiAl下地層３、第１のCr 90Mo10中間層４及び
CoCrPtTa磁性層６を、夫々Arガス圧を５ｍTorrに設定し
て連続スパッタにより成長する。本実施例では、便宜
上、第２の中間層５は形成しないものとする。ステップ
S3は、C 保護層７をArガス圧を８ｍTorrに設定して成長
する。ステップS4は、C 保護膜７の上に、潤滑剤を塗布
する。
【００３２】尚、各層の成長工程の前には、スパッタ室
内を５×１０-8Torr以下に排気した。又、比較のため
に、CrMoシード層２が形成されない磁気記録媒体も作成
した。以下の説明では、便宜上、本実施例で作成した磁
気記録媒体を磁気記録媒体１０と言い、CrMoシード層２
が形成されない磁気記録媒体を磁気記録媒体１００と言
う。
内を５×１０-8Torr以下に排気した。又、比較のため
に、CrMoシード層２が形成されない磁気記録媒体も作成
した。以下の説明では、便宜上、本実施例で作成した磁
気記録媒体を磁気記録媒体１０と言い、CrMoシード層２
が形成されない磁気記録媒体を磁気記録媒体１００と言
う。
【００３３】本発明者らは、先ず実験により、磁気記録
媒体１００について、GMR ヘッドを用いて電磁変換特性
を測定した。図３は、磁気記録媒体１００の２００kfci
での規格化ノイズをNiAl下地層の膜厚に対して示す図で
ある。同図から、NiAlを下地層として用いることで、磁
性粒子の粒径制御が行われ、ノイズが低減されることが
わかり、NiAl下地層の有用性が確認できた。
媒体１００について、GMR ヘッドを用いて電磁変換特性
を測定した。図３は、磁気記録媒体１００の２００kfci
での規格化ノイズをNiAl下地層の膜厚に対して示す図で
ある。同図から、NiAlを下地層として用いることで、磁
性粒子の粒径制御が行われ、ノイズが低減されることが
わかり、NiAl下地層の有用性が確認できた。
【００３４】次に、非磁性基板に施したテクスチャ処理
の方向と垂直な方向のオリエンテーション比（ＯＲ）を
求めた。具体的には、使用した非磁性基板はディスク状
であり、テクスチャ処理の方向と平行な周方向と垂直な
径方向のオリエンテーション比（ＯＲ）を求めた。ここ
では、保磁力をHcで示すと、ＯＲ＝Hc（周方向）/Hc
（径方向）と定義する。図４は、このようなＯＲをNiAl
下地層の膜厚に対してプロットした結果を示す図であ
る。図４からわかるように、NiAl下地層を設けたこと
で、基板テクスチャによる周方向の異方性がなくなり、
周方向及び径方向の両方向に等方な媒体となることが確
認された。
の方向と垂直な方向のオリエンテーション比（ＯＲ）を
求めた。具体的には、使用した非磁性基板はディスク状
であり、テクスチャ処理の方向と平行な周方向と垂直な
径方向のオリエンテーション比（ＯＲ）を求めた。ここ
では、保磁力をHcで示すと、ＯＲ＝Hc（周方向）/Hc
（径方向）と定義する。図４は、このようなＯＲをNiAl
下地層の膜厚に対してプロットした結果を示す図であ
る。図４からわかるように、NiAl下地層を設けたこと
で、基板テクスチャによる周方向の異方性がなくなり、
周方向及び径方向の両方向に等方な媒体となることが確
認された。
【００３５】図５は、NiAl下地層の膜厚に対する２００
kfciの記録密度での出力と孤立波出力との比を示す図で
ある。図５からもわかるように、NiAl下地層が設けられ
ると、NiAl下地層が設けられない場合と比較べて、高記
録密度での出力が低下し、分解能が低下するため、高記
録密度での記録特性が低下することが確認された。次
に、NiAl下地層３の下に５ｎｍの膜厚のCrMoシード層２
を設けた磁気記録媒体１０について、実験によりGMR ヘ
ッドを用いて電磁変換特性を測定した。図６は、磁気記
録媒体１０の２００kfciでの規格化ノイズをNiAl下地層
の膜厚に対して示す図である。同図中、特性I は磁気記
録媒体１０の特性を示し、特性IIは比較のために磁気記
録媒体１００の特性を示す。特性I からも明らかなよう
に、CrMoシード層２を設けても、NiAl下地層３によるノ
イズの低減効果が失われないことが確認できた。
kfciの記録密度での出力と孤立波出力との比を示す図で
ある。図５からもわかるように、NiAl下地層が設けられ
ると、NiAl下地層が設けられない場合と比較べて、高記
録密度での出力が低下し、分解能が低下するため、高記
録密度での記録特性が低下することが確認された。次
に、NiAl下地層３の下に５ｎｍの膜厚のCrMoシード層２
を設けた磁気記録媒体１０について、実験によりGMR ヘ
ッドを用いて電磁変換特性を測定した。図６は、磁気記
録媒体１０の２００kfciでの規格化ノイズをNiAl下地層
の膜厚に対して示す図である。同図中、特性I は磁気記
録媒体１０の特性を示し、特性IIは比較のために磁気記
録媒体１００の特性を示す。特性I からも明らかなよう
に、CrMoシード層２を設けても、NiAl下地層３によるノ
イズの低減効果が失われないことが確認できた。
【００３６】次に、非磁性基板１に施したテクスチャ処
理の方向と垂直な方向のオリエンテーション比（ＯＲ）
を求めた。具体的には、使用した非磁性基板１はディス
ク状であり、テクスチャ処理の方向と平行な周方向と垂
直な径方向のオリエンテーション比（ＯＲ）を求めた。
ここでは、保磁力をHcで示すと、ＯＲ＝Hc（周方向）/H
c （径方向）と定義する。図７は、このようなＯＲをCr
Moシード層２の膜厚に対してプロットした結果を示す図
である。図４では、NiAl下地層を設けたことで、基板テ
クスチャによる周方向の異方性がなくなり、ＯＲが略１
となってしまったが、図７からもわかるように、磁気記
録媒体１０の場合は、CrMoシード層２をNiAl下地層３の
下に設けることで、基板テクスチャによる周方向の異方
性が保たれ、ＯＲが高い値に保たれることが確認され
た。
理の方向と垂直な方向のオリエンテーション比（ＯＲ）
を求めた。具体的には、使用した非磁性基板１はディス
ク状であり、テクスチャ処理の方向と平行な周方向と垂
直な径方向のオリエンテーション比（ＯＲ）を求めた。
ここでは、保磁力をHcで示すと、ＯＲ＝Hc（周方向）/H
c （径方向）と定義する。図７は、このようなＯＲをCr
Moシード層２の膜厚に対してプロットした結果を示す図
である。図４では、NiAl下地層を設けたことで、基板テ
クスチャによる周方向の異方性がなくなり、ＯＲが略１
となってしまったが、図７からもわかるように、磁気記
録媒体１０の場合は、CrMoシード層２をNiAl下地層３の
下に設けることで、基板テクスチャによる周方向の異方
性が保たれ、ＯＲが高い値に保たれることが確認され
た。
【００３７】図８は、CrMoシード層２の膜厚に対する２
００kfciの記録密度での出力と孤立波出力との比を示す
図である。図８からもわかるように、CrMoシード層２が
設けられると、分解能が向上し、NiAl下地層３が設けら
れることによる図５と共に説明したデメリットを回避
し、高記録密度での記録特性を向上できることが確認さ
れた。
００kfciの記録密度での出力と孤立波出力との比を示す
図である。図８からもわかるように、CrMoシード層２が
設けられると、分解能が向上し、NiAl下地層３が設けら
れることによる図５と共に説明したデメリットを回避
し、高記録密度での記録特性を向上できることが確認さ
れた。
【００３８】図９は、CrMoシード層２の膜厚に対する２
００kfciの高記録密度でのS/N 比を示す図である。同図
からも、CrMoシード層２を設けることで、S/N 比が著し
く向上することが確認された。尚、本発明者らによる実
験結果によると、磁気記録媒体１０の各層の成長温度
は、１５０から３５０℃の範囲内であると、特に特性の
良い磁気記録媒体１０を作成できることが確認された。
００kfciの高記録密度でのS/N 比を示す図である。同図
からも、CrMoシード層２を設けることで、S/N 比が著し
く向上することが確認された。尚、本発明者らによる実
験結果によると、磁気記録媒体１０の各層の成長温度
は、１５０から３５０℃の範囲内であると、特に特性の
良い磁気記録媒体１０を作成できることが確認された。
【００３９】更に、本発明者らは、DCマグネトロンスパ
ッタ装置を用いて、周方向にテクスチャ処理を施したデ
ィスク状のNiP 又はAl非磁性基板１を２４０℃に加熱
し、この非磁性基板１上に順次１０ｎｍのCr90Mo10シー
ド層２及び３０ｎｍのNiAl下地層３を成長した。このサ
ンプル１１について、ＸＲＤ装置により結晶配向性を調
べ、同様にしてCrMoシード層を設けないサンプル１２に
ついても結晶配向性を調べた。図１０は、このようにし
て調べられたサンプル１１，１０１の結晶配向性を示す
図である。同図中、（ａ）はサンプル１０１の結晶配向
性を示し、（ｂ）はサンプル１１の結晶配向性を示す。
同図（ａ）からわかるように、サンプル１０１の場合は
NiAl下地層の（００１）面又は（００２）面が非磁性基
板の基板表面と平行に成長しないのに対し、同図（ｂ）
からわかるように、サンプル１１の場合はNiAl下地層３
の（００１）面が非磁性基板１び基板表面と略平行に成
長していることが確認された。即ち、CrMoシード層２を
設けることで、NiAl下地層３の結晶配向性を制御し、非
磁性基板１のテクスチャ処理による異方性を持たせるこ
とができることが確認できた。
ッタ装置を用いて、周方向にテクスチャ処理を施したデ
ィスク状のNiP 又はAl非磁性基板１を２４０℃に加熱
し、この非磁性基板１上に順次１０ｎｍのCr90Mo10シー
ド層２及び３０ｎｍのNiAl下地層３を成長した。このサ
ンプル１１について、ＸＲＤ装置により結晶配向性を調
べ、同様にしてCrMoシード層を設けないサンプル１２に
ついても結晶配向性を調べた。図１０は、このようにし
て調べられたサンプル１１，１０１の結晶配向性を示す
図である。同図中、（ａ）はサンプル１０１の結晶配向
性を示し、（ｂ）はサンプル１１の結晶配向性を示す。
同図（ａ）からわかるように、サンプル１０１の場合は
NiAl下地層の（００１）面又は（００２）面が非磁性基
板の基板表面と平行に成長しないのに対し、同図（ｂ）
からわかるように、サンプル１１の場合はNiAl下地層３
の（００１）面が非磁性基板１び基板表面と略平行に成
長していることが確認された。即ち、CrMoシード層２を
設けることで、NiAl下地層３の結晶配向性を制御し、非
磁性基板１のテクスチャ処理による異方性を持たせるこ
とができることが確認できた。
【００４０】図１１は、異方性が異なる以外の条件を同
じにした磁気記録媒体の残留磁化の経時変化を示す図で
ある。同図中、III はＯＲが1.1 の異方性のある磁気記
録媒体の特性を示し、IVはＯＲが1.0 の異方性の無い磁
気記録媒体の特性を示す。同図からもわかるように、特
性III の場合、特性IVに比べて磁化が熱的に減少しにく
いことがわかる。つまり、磁気記録媒体は、異方性を有
することで熱的に安定であることがわかる。
じにした磁気記録媒体の残留磁化の経時変化を示す図で
ある。同図中、III はＯＲが1.1 の異方性のある磁気記
録媒体の特性を示し、IVはＯＲが1.0 の異方性の無い磁
気記録媒体の特性を示す。同図からもわかるように、特
性III の場合、特性IVに比べて磁化が熱的に減少しにく
いことがわかる。つまり、磁気記録媒体は、異方性を有
することで熱的に安定であることがわかる。
【００４１】従って、本実施例で作成される磁気記録媒
体は、分解能の向上によるS/N 比の改善、及び、熱安定
性の向上が実現できるので、高密度記録を行うことがで
きる。図１２は、本発明になる磁気記憶装置の一実施例
の要部を示す平面図である。磁気記憶装置は、大略ハウ
ジング５０と、複数のアーム５１と、各アーム５１の先
端に設けられた記録再生ヘッド５２と、複数の磁気記録
媒体１０からなり、同図ではハウジング５０の上部を封
止する蓋を取り外した状態を示す。記録再生ヘッドは、
例えばＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の再生ヘッド部と、
インダクティブヘッド等の記録ヘッド部とからなる、周
知の構成を有する。又、同図に示す磁気記憶装置の基本
構成自体は周知であるので、その詳細な説明は省略す
る。
体は、分解能の向上によるS/N 比の改善、及び、熱安定
性の向上が実現できるので、高密度記録を行うことがで
きる。図１２は、本発明になる磁気記憶装置の一実施例
の要部を示す平面図である。磁気記憶装置は、大略ハウ
ジング５０と、複数のアーム５１と、各アーム５１の先
端に設けられた記録再生ヘッド５２と、複数の磁気記録
媒体１０からなり、同図ではハウジング５０の上部を封
止する蓋を取り外した状態を示す。記録再生ヘッドは、
例えばＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等の再生ヘッド部と、
インダクティブヘッド等の記録ヘッド部とからなる、周
知の構成を有する。又、同図に示す磁気記憶装置の基本
構成自体は周知であるので、その詳細な説明は省略す
る。
【００４２】尚、本発明になる磁気記録媒体を適用可能
な磁気記憶装置の基本構成は、図１２に示す構成に限定
されるものではなく、各種磁気記憶装置に適用可能であ
る。又、上記実施例において、磁性層６は単一層からな
る構成であっても、複数層からなる構成であっても良い
ことは言うまでもない。更に、保護層７も同様に、単一
層からなる構成であっても、複数層からなる構成であっ
ても良い。
な磁気記憶装置の基本構成は、図１２に示す構成に限定
されるものではなく、各種磁気記憶装置に適用可能であ
る。又、上記実施例において、磁性層６は単一層からな
る構成であっても、複数層からなる構成であっても良い
ことは言うまでもない。更に、保護層７も同様に、単一
層からなる構成であっても、複数層からなる構成であっ
ても良い。
【００４３】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言う
までもない。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言う
までもない。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、非磁性基板上のB2構造
を有する下地層上に磁性層が設けられた構成の磁気記録
媒体において、磁性層に一方向の異方性を付与して記録
特性及び熱安定性を向上可能な磁気記録媒体、磁気記録
媒体の製造方法及び磁気記憶装置を実現できる。
を有する下地層上に磁性層が設けられた構成の磁気記録
媒体において、磁性層に一方向の異方性を付与して記録
特性及び熱安定性を向上可能な磁気記録媒体、磁気記録
媒体の製造方法及び磁気記憶装置を実現できる。
【図１】本発明になる磁気記録媒体の一実施例の要部を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】磁気記録媒体の製造方法の一実施例を説明する
フローチャートである。
フローチャートである。
【図３】磁気記録媒体１００の２００kfciでの規格化ノ
イズをNiAl下地層の膜厚に対して示す図である。
イズをNiAl下地層の膜厚に対して示す図である。
【図４】磁気記録媒体１００のＯＲをNiAl下地層の膜厚
に対してプロットした結果を示す図である。
に対してプロットした結果を示す図である。
【図５】磁気記録媒体１００のNiAl下地層の膜厚に対す
る２００kfciの記録密度での出力と孤立波出力との比を
示す図である。
る２００kfciの記録密度での出力と孤立波出力との比を
示す図である。
【図６】磁気記録媒体１０の２００kfciでの規格化ノイ
ズをNiAl下地層の膜厚に対して示す図である。
ズをNiAl下地層の膜厚に対して示す図である。
【図７】磁気記録媒体１０のＯＲをCrMoシード層の膜厚
に対してプロットした結果を示す図である。
に対してプロットした結果を示す図である。
【図８】磁気記録媒体１０のCrMoシード層の膜厚に対す
る２００kfciの記録密度での出力と孤立波出力との比を
示す図である。
る２００kfciの記録密度での出力と孤立波出力との比を
示す図である。
【図９】磁気記録媒体１０のCrMoシード層の膜厚に対す
る２００kfciの高記録密度でのS/N 比を示す図である。
る２００kfciの高記録密度でのS/N 比を示す図である。
【図１０】CrMoシード層を設けないサンプルと設けたサ
ンプルとの結晶配向性を示す図である。
ンプルとの結晶配向性を示す図である。
【図１１】異方性が異なる以外の条件を同じにした磁気
記録媒体の残留磁化の経時変化を示す図である。
記録媒体の残留磁化の経時変化を示す図である。
【図１２】本発明になる磁気記憶装置の一実施例の要部
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１ 非磁性基板 ２ シード層 ３ 下地層 ４ 第１の中間層 ５ 第２の中間層 ６ 磁性層 ７ 保護層
フロントページの続き (72)発明者 岡本 巌 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 BB06 BB07 BB08 DA03 EA03 FA04
Claims (12)
- 【請求項１】 一方向に沿ってテクスチャ処理を施され
た非磁性基板と、 該基板の上面に設けられ、（００２）結晶面が該基板の
上面と略平行なCr又はCr系合金からなるシード層と、 該シード層上に設けられ、B2構造を有する下地層と、 該下地層の上方に設けられ、Co系合金からなる磁性層と
を備えた、磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記シード層は、CrMo,CrW,CrTi,CrV,Cr
Cu,CrAl からなるグループから選択された１つのCr系合
金からなる、請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記下地層は、NiAl,FeAl,AlCo,FeTi,Co
Fe,CoTi,CoHf,CoZr,NiTi,CuBe,CuZn,AlMn,AlRe,AgMg,Ni
2FeMn2からなるグループから選択された１つの材料から
なる、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記下地層は、Cr,Hf,Nb,Ta,V,Zrからな
るグループから選択された１種類以上の材料を１〜１０
％含有する、請求項３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記磁性層は、CoCrPt,CoCrPtB,CoCrTa,
CoCrPtTa,CoCrPtTaNb からなるグループから選択された
１つの磁性材料からなる、請求項１〜４のいずれか１項
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記下地層と前記磁性層の間に設けら
れ、Cr又はCr系合金からなる第１の中間層を更に備え
た、請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記第１の中間層は、CrMo,CrW,CrTi,Cr
V,CrCu,CrAl からなるグループから選択された１つのCr
系合金からなる、請求項６記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記第１の中間層は前記下地層上に設け
られ、 前記第１の中間層と前記磁性層との間に設けられ、ｈｃ
ｐ構造を有する非磁性のCo系合金からなる第２の中間層
を更に備えた、請求項６又は７記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記第２の中間層は、CoCr,CoCrMo,CoCr
Ta,CoCrNb から選択された１つのCo系合金からなる、請
求項８記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 前記シード層は、１〜５０ｎｍの膜厚
を有する、請求項１〜９のいずれか１項記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれか１項記載の
磁気記録媒体と、 該磁気記録媒体に対して情報の記録及び/ 又は再生を行
うヘッドとを備えた、磁気記憶装置。 - 【請求項１２】 非磁性基板に対して、一方向に沿って
テクスチャ処理を施すステップと、 該基板の上面に、（００２）結晶面が該基板の上面と略
平行なCr又はCr系合金からなるシード層を形成するステ
ップと、 該シード層上に、B2構造を有する下地層を形成するステ
ップと、 該下地層の上方に、Co系合金からなる磁性層を形成する
ステップとを含む、磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161328A JP2000348323A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 |
| US10/357,247 US20030124389A1 (en) | 1999-06-08 | 2003-02-03 | Magnetic recording medium, method of producing magnetic recording medium and storage apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11161328A JP2000348323A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000348323A true JP2000348323A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15733006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11161328A Pending JP2000348323A (ja) | 1999-06-08 | 1999-06-08 | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030124389A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000348323A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US6942933B2 (en) * | 2002-07-08 | 2005-09-13 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| JP2006134533A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5693426A (en) * | 1994-09-29 | 1997-12-02 | Carnegie Mellon University | Magnetic recording medium with B2 structured underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
| WO1998032128A1 (en) * | 1997-01-15 | 1998-07-23 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic recording medium |
| US6010795A (en) * | 1997-02-26 | 2000-01-04 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic recording medium comprising a nickel aluminum or iron aluminum underlayer and chromium containing intermediate layer each having (200) dominant crystalographic orientation |
| US5993956A (en) * | 1997-04-22 | 1999-11-30 | Carnegie Mellon University | Manganese containing layer for magnetic recording media |
-
1999
- 1999-06-08 JP JP11161328A patent/JP2000348323A/ja active Pending
-
2003
- 2003-02-03 US US10/357,247 patent/US20030124389A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US20030124389A1 (en) | 2003-07-03 |
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