JP2006134533A - 磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 記録層の記録方向の保磁力の増加および耐熱揺らぎ性の向上の両立を図り、高記録密度化が可能な磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 表面にテクスチャ１１ａが形成された基板１１と、基板１１上に、シード層１２、ＡｌＦｅ基合金膜１３、下地層１４、非磁性中間層１５、第１磁性層１６、非磁性結合層１７、第２磁性層１８、保護膜２０、および潤滑層２１が順次形成された構成からなる。ＡｌＦｅ基合金膜１３がＡｌＦｅ膜の場合は、Ｆｅの原子濃度が３０原子％〜６０原子％の範囲に設定されることが好ましく、さらに、Ｆｅの原子濃度が３０原子％以上でかつ５０原子％未満に設定されることがさらに好ましい。テクスチャ１１ａにより誘起された記録層１９の記録方向の保磁力を大幅に増加し、記録層１９の耐熱揺らぎ性を大幅に向上させる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、面内磁気記録方式に用いられる磁気記録媒体および磁気記憶装置に関する。

近年、磁気記憶装置、例えば磁気ディスク装置は、デジタル化した動画や音楽の記憶装置として広汎な用途に用いられている。特に、家庭用の動画記録用として用いられ、従来のビデオテープを用いた家庭用ビデオ装置にかわって、高速アクセス・小型・大容量等の特長を生かし、著しく市場規模が増大している。動画は特に情報量が多く、磁気ディスク装置の大容量化が求められている。そのため、これまで年率１００％で増加してきた記録密度をさらに向上するため、磁気記録媒体および磁気ヘッドのいっそうの高記録密度化のための技術開発が不可欠である。

磁気記録媒体の高記録密度化、すなわち磁気記録媒体の記録層に情報をより微細に記録するためには、情報の１ビットに対応して記録層に磁気的に形成される最小記録単位の面積を低減する必要がある。最小記録単位面積低減の指標として、孤立再生波形半値幅（Ｗ50）が挙げられる。Ｗ50は、磁気記録媒体の記録層に記録磁界を１回だけ反転させて記録し、それを再生することにより得られる一つのピーク（再生波形）の半値幅である。一般的に、Ｗ50が小さいほど記録再生分解能が高くなるため、Ｗ50のより小さな磁気機器録媒体が高記録密度化に適している。

Ｗ50は２｛（ｇ／２）²＋（ｄ＋ａ）²｝^1/2と表される。ここで、ｇは磁気ヘッドの再生素子のギャップ長、ｄは磁気ヘッドの再生素子と記録層との磁気スペーシング、ａは記録層の磁化遷移幅である。この関係によれば、Ｗ50を低減するためには、その一手法として、記録層の磁化遷移幅ａを低減することが挙げられる。磁化遷移領域は、記録によって一方向に磁化した領域と、その領域に続いて形成された先の磁化方向に対して逆方向に磁化した領域（磁化領域）との間に形成される領域である。すなわち、磁化遷移領域は磁化の方向を反転させるために必要な領域である。磁化遷移幅ａは、磁化遷移領域の記録方向の長さである。

ところで、磁気記録媒体の記録層には、通常、強磁性のＣｏＣｒ系合金が用いられている。記録層は、ＣｏＣｒ系合金の多数の結晶粒子からなる多結晶体である。磁化遷移領域では、個々の結晶粒子が微細になるほど磁化遷移幅ａが減少することが知られており、磁化遷移幅ａの低減のために、個々の結晶粒子の微細化のための検討が進められてきた。

しかし、記録層の結晶粒子の微細化を過度に進めると、上記磁化領域の磁化が時間の経過に伴って減少する現象が顕著になる。この現象は以下のようにして生じる。磁化領域を構成する個々の結晶粒子の磁化を反転させるためのエネルギー障壁の障壁高さが結晶粒子の微細化により低下する。そして、障壁高さよりも、温度（熱エネルギー）とその磁化と反対方向に生ずる反磁界によるエネルギーの和が高くなり、結晶粒子の磁化が反転してしまう。この現象は、いわゆる耐熱揺らぎ性が劣化した現象である。

耐熱揺らぎ性の指標としてＫｕＶ／ｋＴが用いられている。ここで、Ｋｕは記録層の磁化容易軸方向の異方性エネルギーの大きさを示す一軸異方性定数、Ｖは結晶粒子の体積、ｋはボルツマン定数、Ｔは磁気記録媒体の温度である。ＫｕＶ／ｋＴは、磁化方向を固定する程度を表すエネルギーＫｕＶと、磁化方向を揺らがせる熱エネルギーｋＴとの比で表される。ＫｕＶ／ｋＴが大きいほど耐熱揺らぎ性が優れていることを示す。

従来、ＫｕＶ／ｋＴを増加させるために、記録層の組成の検討が行われきた。例えば、記録層のＣｏＣｒ系合金やＣｏＣｒＴａ系合金にＰｔを添加して一軸異方性定数Ｋｕを増加させ、その結果ＫｕＶ／ｋＴを増加させるというものである。

他方、ＫｕＶ／ｋＴを増加させるために、基板表面等に機械的に多数の溝を記録方向に沿って形成する、いわゆる機械的テクスチャの検討が行われてきた。機械的テクスチャの凹凸により誘起された内部応力によって、記録層の個々の結晶粒子の磁化容易軸を記録方向に配向させる。それにより記録層の一軸異方性定数Ｋｕを増加させ、その結果ＫｕＶ／ｋＴを増加させるというものである。
特開２００２−２６０２１０号公報

しかしながら、記録層のＰｔの添加量を過度に増すとＣｏＣｒからなる母相の結晶性が低下し、かえって耐熱揺らぎ性が低下し、さらに媒体ノイズの増加を招いてしまう。また、磁化を回転させるために必要な記録磁界の大きさを示す異方性磁界が増加し、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。

一方、機械的テクスチャのみによる記録方向の保磁力の向上には限界がある。すなわち、保磁力を高めるために機械的テクスチャの溝深さを増加させると、テクスチャの凹凸が増大する。その凹凸は磁気記録媒体の表面に引き継がれるので、磁気記録媒体の表面粗さを増大させてしまう。このような磁気記録媒体では、磁気記録媒体表面と磁気ヘッドとの距離（浮上量）の低減が困難となる。その結果、磁気ヘッドの再生素子と記録層との磁気スペーシングｄに依存するＷ50を低減する際の支障となる。

そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、記録方向の保磁力および耐熱揺らぎ性の向上の両立を図り、高記録密度化が可能な磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供することである。

本発明の一観点によれば、記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体であって、基板と、前記基板上に形成された下地層と、前記下地層上に形成された記録層と、を備え、前記基板は、その表面に略記録方向に沿って形成された溝からなるテクスチャを有し、該基板上にＡｌＦｅ基合金膜を備える磁気記録媒体が提供される。

本発明によれば、基板の表面にテクスチャが形成され、その上にＡｌＦｅ基合金膜が形成されている。したがって、テクスチャにより誘起された記録層の磁化容易軸の配向がＡｌＦｅ基合金膜より促進される。その結果、記録層の記録方向の保磁力が大幅に増加し、ＫｕＶ／ｋＴつまり耐熱揺らぎ性が大幅に向上する。よって、高記録密度化が可能な磁気記録媒体を提供できる。なお、ＫｕＶ／ｋＴは、従来の技術で説明した耐熱揺らぎ性の指標である。

本発明の他の観点によれば、記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体であって、基板と、前記基板上に形成されたテクスチャ形成層と、前記テクスチャ形成層上に形成された下地層と、前記下地層上に形成された記録層と、を備え、前記テクスチャ形成層の表面に記録方向に沿ってテクスチャが形成され、該テクスチャ形成層上にＡｌＦｅ基合金膜を備えることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。

本発明によれば、テクスチャは、テクスチャ形成層の表面に形成され、その上にＡｌＦｅ基合金膜が形成されている。本発明は、上記の発明と同様に、ＡｌＦｅ基合金膜により記録層の記録方向の保磁力が大幅に増加し、耐熱揺らぎ性が大幅に向上する効果を有する。それと共に、本発明は、テクスチャ形成層をテクスチャが形成し易い材料を選択でき、かつ基板材料の選択範囲を広げることができる。

本発明のその他の観点によれば、上記いずれかの磁気記録媒体と、記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置が提供される。

本発明によれば、磁気記録媒体が記録層の記録方向の保磁力が高くかつ耐熱揺らぎ性が良好であるので、磁気記憶装置は高記録密度化が可能である。

本願発明者は、本発明の目的を解決する様々な材料の非磁性層の検討を行ったところ、テクスチャが基板表面に形成された基板上にＡｌＦｅ膜を形成することでＡｌＦｅ膜を形成しない場合よりも記録層の磁気特性が大幅に向上することを見出した。その効果は、特に、記録層の周方向の保磁力耐熱揺らぎ性の指標であるＫｕＶ／ｋＴ、および一軸異方性定数Ｋｕの増加として現れた。さらに本願発明者は、ＡｌＦｅ膜を化学量論的組成であるＡｌ₅₀Ｆｅ₅₀からＦｅ濃度を減少させた組成に設定することで、上記の効果を大幅に高められることを見出した。

ＡｌＦｅ膜の効果は実験的に得られたものであるが、以下のような作用によるものであると推察される。

ＡｌＦｅ膜の結晶構造はＢ２結晶構造を有する。Ｂ２結晶構造は、具体的には、ｂｃｃ（体心立方格子）結晶構造を基本としたＣｓＣｌ（塩化セシウム）型の金属規則相である。図１に示すように、Ｂ２結晶構造は、ＡｌＦｅ膜の場合、Ａｌ、Ｆｅの各々の副格子ＳＬ−１、ＳＬ−２が単純立方格子を形成している。そして、４個のＡｌ原子が形成する立方格子の副格子ＳＬ−１の中心に１個のＡｌ原子が配置されている。他方、４個のＦｅ原子が形成する立方格子の副格子ＳＬ−２の中心に１個のＡｌ原子が配置されている。したがって、ＡｌＦｅ膜は組成比がＡｌ：Ｆｅ＝１：１であり、原子濃度で表すとＡｌ₅₀Ｆｅ₅₀である。

ここで、Ａｌ原子はＦｅ原子よりも原子半径が小さい。そのため、Ｆｅ副格子ＳＬ−２のＦｅ原子をＡｌ原子に置換すると、置換されたＡｌ原子（Ｆｅ副格子ＳＬ−２のＡｌ原子）と、もともとあったＡｌ原子（Ａｌ副格子ＳＬ−１のＡｌ原子）との間には隙間が生じる。置換されたＡｌ原子と、もともとあったＡｌ原子はその隙間を埋めるように原子位置をシフトするので、Ｆｅ副格子およびＡｌ副格子ＳＬ−１には歪みが生じる。すなわち、ＡｌＦｅ膜のＦｅ濃度を低くしていくと、ＡｌＦｅ膜には歪みが増加していく。

テクスチャにより凹凸が形成された表面にこのようなＡｌＦｅ膜を形成すると、凹凸により誘起された内部応力の影響でＡｌＦｅ膜の副格子ＳＬ−１、ＳＬ−２が歪み、内部応力をさらに増加させる。そして、増加した内部応力がＡｌＦｅ膜の上側に設けられた記録層に引き継がれ、記録層を構成する磁性粒子の磁化容易軸の周方向の配向が促進される。その結果、記録層の周方向の保磁力およびＫｕＶ／ｋＴつまり耐熱揺らぎ性が顕著に増加すると推察される。

なお、テクスチャは、一般に磁気記録媒体の記録方向に沿って形成された多数の溝からなる。磁気記録媒体がテープ状、すなわち磁気テープの場合で、磁気テープの長手方向が記録方向であるときはテクスチャがテープの長手方向に形成される。本発明を磁気テープに適用することで、記録層の長手方向の保磁力および耐熱揺らぎ性が顕著に増加する。

本発明によれば、記録層の記録方向の保磁力および耐熱揺らぎ性の向上の両立を図り、高記録密度化が可能な磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供できる。

以下図面を参照しつつ実施の形態を説明する。

（第１の実施の形態）
図２は、本発明の第１の実施の形態の第１例に係る磁気記録媒体の断面図である。

図２を参照するに、第１例に係る磁気記録媒体１０は、表面にテクスチャ１１ａが形成された基板１１と、基板１１上に、シード層１２、ＡｌＦｅ基合金膜１３、下地層１４、非磁性中間層１５、第１磁性層１６、非磁性結合層１７、第２磁性層１８、保護膜２０、および潤滑層２１が順次形成された構成からなる。第１磁性層１６、非磁性結合層１７、および第２磁性層１８からなる記録層１９は、第１磁性層１６と第２磁性層１８とが非磁性結合層１７を介して反強磁性的に交換結合された交換結合構造を有する。第１磁性層１６および第２磁性層１８の面内方向に配向した磁化は、外部磁界が印加されない状態で互いに反平行方向に向いている。なお、特に断らない限り、第１磁性層１６および第２磁性層１８を略称して記録層１９という。また、図２では、テクスチャ１１ａの上に堆積するシード層１２〜保護膜２０の表面にはテクスチャ１１ａの影響により凹凸が形成されるが、説明の便宜のため省略して示している。また、本実施の形態では、磁気記録媒体は磁気ディスクを例に説明する。

第１例に係る磁気記録媒体１０は、ディスク状の基板１１の表面に周方向に沿って形成テクスチャ１１ａが形成されている。さらに、その上にシード層１２を介してＡｌＦｅ基合金膜１３が形成されている。磁気記録媒体１０は、上述した作用により、記録層１９、具体的には第１磁性層１６および第２磁性層１８を構成する結晶粒子の磁化容易軸の周方向の配向が促進される。そのため、記録層１９の周方向の保磁力Ｈｃｃが増加すると共に耐熱揺らぎ性が向上する。その結果、磁気記録媒体１０は高記録密度化が可能となる。以下、具体的に磁気記録媒体１０を説明する。

基板１１は、特に制限はなく、ガラス基板、ＮｉＰめっきアルミ合金基板、シリコン基板、プラスチック基板、セラミックス基板、カーボン基板等を用いることができる。

テクスチャ１１ａは、記録層１９の周方向の配向度を向上するテクスチャであれば特に限定されない。テクスチャ１１ａは、例えば、基板１１の表面に周方向に沿って形成された多数の溝からなる機械的テクスチャが挙げられる。機械的テクスチャは、研磨剤を含んだスラリーをパッドに供給し、スラリーが保持されたパッドを基板表面に接触させながら基板やパッドを移動させて形成される。機械的テクスチャは、所定の方向に略平行に形成された多数の研磨痕からなり、基板１１がディスク状である場合、基板１１の周方向に沿って研磨痕が形成されたものである。

シード層１２は、非磁性材料でかつ非晶質のＣｏＷ、ＣｒＴｉ、ＮｉＰ、あるいはこれらの合金を主成分とする３元以上の合金等から選択される。シード層１２は、その表面が非晶質で結晶学的に一様であるので、シード層１２の上にＡｌＦｅ基合金膜１３を設けることにより、ＡｌＦｅ基合金膜１３に結晶学的な異方性の影響を与えない。その結果、ＡｌＦｅ基合金膜１３がそれ自体の結晶構造を形成し易くなる。よって、上述した本発明の作用により、記録層の周方向の保磁力の増加と耐熱揺らぎ性の向上がいっそう促進される。また、シード層１２の厚さは５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲に設定され、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。なお、シード層１２は設けてもよく、設けなくてもよい。

本実施の形態の特徴であるＡｌＦｅ基合金膜１３は、非磁性のＡｌＦｅから構成される。ＡｌＦｅ基合金膜１３がＡｌＦｅからなる場合は、Ｆｅの原子濃度が、３０原子％以上かつ６０原子％以下の範囲に設定されることが好ましい。ＡｌＦｅ膜の組成をこの範囲に設定することで、後述する実施例で説明するように、記録層１９の周方向の保磁力、ＫｕＶ／ｋＴ、および一軸異方性定数Ｋｕ等の磁気特性が増加する。さらに、ＡｌＦｅ膜は、Ｆｅの原子濃度が、３０原子％以上かつ５０原子％未満の範囲に設定されることが好ましい。ＡｌＦｅの組成をこの範囲に設定することで、上記磁気特性が顕著に増加する。

また、ＡｌＦｅ基合金膜１３の厚さは２ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。ＡｌＦｅ基合金膜１３の厚さが２ｎｍよりも小さいと、ＡｌＦｅ基合金膜１３を設ける効果が十分ではなく、１００ｎｍを超えると記録層１９の結晶粒子を過度に肥大化させ、従来の技術で説明した孤立再生波形半値幅Ｗ50を増加させる傾向となる。

下地層１４は、ｂｃｃ結晶構造を有する、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｘ2合金（Ｘ2＝Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ｍｏ、およびこれらの合金から選択される一種）から選択され、厚さが２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。下地層１４は、Ｃｒ−Ｘ2合金を用いることにより、その上に非磁性中間層１５を設けた場合は、非磁性中間層１５の結晶整合性を向上することで、第１磁性層１６および第２磁性層１８の結晶性を高めることができる。また、下地層１４は、Ｃｒ−Ｘ2合金を用いることにより、その上に非磁性中間層１５を設けない場合は、直接接触する第１磁性層１６との結晶整合性を向上し、第１磁性層１６および第２磁性層１８の結晶性を高めることができる。

また、下地層１４はＣｒまたはＣｒ−Ｘ2合金からなる層を複数積層してもよい。積層することにより下地層１４自体の結晶粒子の肥大化を抑制し、さらに第１磁性層１６および第２磁性層１８の結晶粒子の肥大化を抑制できる。

非磁性中間層１５は、ｈｃｐ（細密六方充填）構造を有するＣｏ−Ｘ3（Ｘ3＝Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｒｕ、およびこれらの合金から選択される一種）の非磁性材料から選択され、厚さが０．５ｎｍ〜５．０ｎｍ（さらには０．５ｎｍ〜３．０ｎｍ）の範囲に設定されることが好ましい。非磁性中間層１５は下地層１４の表面上にエピタキシャル成長し、下地層１４の結晶性及び結晶粒子の粒径分布を引き継ぐ。そして、非磁性中間層１５はその上にエピタキシャル成長する第１磁性層１６及び第２磁性層１８に結晶性及び結晶粒子の粒径分布に良い影響を与える。また、非磁性中間層１５は、ＣｏあるいはＣｏ−Ｘ3からなる層を複数積層してもよい。なお、非磁性中間層１５は設けてもよく、設けなくともよい。

第１磁性層１６は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ系合金、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金等の強磁性材料から選択され、厚さが０．５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。第１磁性層１６は、Ｃｏ系合金のうち、特にＣｏＣｒ、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＴａ系合金、及びＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ系合金が好ましい。第１磁性層１６は、第１磁性層１６自体の結晶粒子の粒径制御の点でＣｏＣｒ−Ｍ1（Ｍ1＝Ｐｔ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｃ、Ｆｅ、Ｒｅ、Ｎｂ、Ｈｆ及びこれらの合金から選択された一種）がさらに好ましい。また、第１磁性層１６は、第２磁性層１８の結晶配向性を向上する点で、上記の強磁性材料からなる層を複数積層することが好ましい。

非磁性結合層１７は、例えばＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金等から選択される。これらのうち、Ｒｈ、Ｉｒはｆｃｃ（面心立方格子）構造を有するのに対しＲｕはｈｃｐ構造を有する。非磁性結合層１７は、その上に形成される第２磁性層１８がｈｃｐ構造を有する場合、ＲｕあるいはＲｕ系合金であることが好ましい。特にに、第２磁性層１８がｈｃｐ構造のＣｏＣｒＰｔ系合金の場合は、ＣｏＣｒＰｔ系合金の格子定数ａ＝０．２５ｎｍに対しＲｕはａ＝０．２７ｎｍで近接しているので、非磁性結合層１７はＲｕあるいはＲｕ系合金であることが好ましい。Ｒｕ系合金としてはＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、及びＭｎのうちいずれか一つ、またはこれらの合金とＲｕの合金が挙げられる。

また、非磁性結合層１７の厚さは０．４ｎｍ〜１．２ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。この範囲非磁性結合層１７の厚さを設定することで、非磁性結合層１７を介して第１磁性層１６と第２磁性層１８とが反強磁性的に交換結合し、図２に示すように外部磁界が印加されていない状態では第１磁性層１６の磁化と第２磁性層１８の磁化とが互いに反平行となる。

第２磁性層１８は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ系合金、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金等から選択され、厚さが５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。Ｃｏ系合金では、特にＣｏＣｒ、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔ、およびＣｏＣｒＰｔ系合金が好ましく、特に結晶粒の粒径の制御の点で、第１磁性層１６と同様のＣｏＣｒ−Ｍ1からなることが好ましい。さらに、第２磁性層１８は異方性磁界の点で、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍ2（Ｍ2＝Ｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｃ、Ｆｅ、Ｒｅ、Ｎｂ、Ｈｆ及びこれらの合金）がさらに好ましい。

また、第１磁性層１６と第２磁性層１８との関係において、残留磁化と膜厚との積、いわゆる残留面積磁化の関係をＭｒ₁×ｔ₁＜Ｍｒ₂×ｔ₂に設定することが好ましい。ここで、Ｍｒ₁、Ｍｒ₂はそれぞれ第１磁性層１６、第２磁性層１８の残留磁化を表し、ｔ₁、ｔ₂はそれぞれ第１磁性層１６、第２磁性層１８の残留磁化を表す。このような関係に設定することで、記録層１９は、実質的に、Ｍｒ₂×ｔ₂−Ｍｒ₁×ｔ₁の大きさの残留面積磁化を有し、第２磁性層１８の残留磁化の方向と同じ方向の残留磁化を有することになる。実質的な残留面積磁化（＝Ｍｒ₂×ｔ₂−Ｍｒ₁×ｔ₁）の大きさは、２．０ｎＴｍ〜１０．０ｎＴｍの範囲に設定されることが好ましい。

また、第２磁性層１８を構成する強磁性材料は、第１磁性層１６を構成する強磁性材料と異ならせてもよい。例えば、第２磁性層１８を構成する強磁性材料は、第１磁性層１６を構成する強磁性材料よりも異方性磁界が大きい材料から選択される。このような強磁性材料を選択する手法としては、第１磁性層１６にＰｔを含まない強磁性材料を選択し、第２磁性層１８にＰｔを含む強磁性材料を用いる。他の手法としては、Ｐｔ濃度（原子濃度として）が第１磁性層１６よりも第２磁性層１８の方が高い強磁性材料を用いる。

以上のように記録層１９は、非磁性結合層１７を挟んで積層された第１磁性層１６と第２磁性層１８とが反強磁性的に交換結合して構成されている。したがって、記録によって形成される残留磁化の実質的な体積は、交換結合した第１磁性層１６と第２磁性層１８との和となるので、記録層１９が一層からなる場合よりも残留磁化の実質的な体積が増加し、すなわちＫｕＶ／ｋＴのＶが増加し、耐熱揺らぎ性が向上する。

なお、記録層１９は磁性層が２層に限定されず３層以上の磁性層が積層して構成されてもよい。磁性層が互い交換結合し、そのうちの少なくとも２つ層が反強磁性的に結合していればよい。また、第１例に係る磁気記録媒体の変形例として、記録層１９が一層の磁性層、例えば第２磁性層１８のみから構成されてもよい。

保護膜２０は、厚さが０．５ｎｍ〜１０ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍから５ｎｍ）の範囲に設定され、例えばダイヤモンドライクカーボン、窒化カーボン、アモルファスカーボンなどにより構成される。

潤滑層２１は、例えばパーフルオロポリエーテルを主鎖として末端基が−ＯＨ、ベンゼン環等よりなる有機系液体潤滑剤より構成される。なお、保護膜２０の種類に応じて、潤滑層２１は設けてもよく、設けなくてもよい。

上述した磁気記録媒体１０の各層は、潤滑層２１を除き、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（化学的気相成長）法等の真空プロセスや、電気めっき法、無電解めっき法等のウェットプロセスを用いて形成できる。また、潤滑層２１は、引き上げ法、液面低下法等の浸漬法や、スピンコート法等を用いて形成できる。

本実施の形態の第１例に係る磁気記録媒体１０は、基板１１の表面にテクスチャ１１ａが形成され、その上方にＡｌＦｅ基合金膜１３が形成されているので、テクスチャ１１ａにより誘起された記録層１９の周方向の磁化容易軸の配向がＡｌＦｅ基合金膜１３により促進され、記録層の周方向の保磁力が大幅に増加し、耐熱揺らぎ性が大幅に向上する。したがって、本実施の形態の第１例に係る磁気記録媒体１０は高記録密度化が可能である。さらに、ＡｌＦｅ基合金膜１３の下地として非晶質のシード層１２が形成されているので、ＡｌＦｅ基合金膜１３がそれ自体の結晶構造を形成し易くなり、上記の効果がさらに顕著になる。

図３は、第１の実施の形態の第２例に係る磁気記録媒体の断面図である。第２例に係る磁気記録媒体は、上述した第１例の変形例である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図３を参照するに、第２例に係る磁気記録媒体３０は、表面にテクスチャ１１ａが形成された基板１１と、基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層３１、ＡｌＦｅ基合金膜１３、下地層１４、非磁性中間層１５、第１磁性層１６、非磁性結合層１７、第２磁性層１８、保護膜２０、および潤滑層２１が順次形成された構成からなる。第２例に係る磁気記録媒体３０は、第２シード層３１が設けられた以外は、図２に示す第１例に係る磁気記録媒体と同様の構成からなる。なお、第１シード層１２は、図２に示す第１例に係る磁気記録媒体のシード層１２と同様であり、第２シード層と区別するため、第１例のシード層を第１シード層１２と称し同一の符号を付す。

第２シード層３１は、Ｂ２結晶構造を有する合金、例えばＡｌＲｕおよびＮｉＡｌから選択され、その厚さが５ｎｍ〜３０ｎｍに設定されることが好ましい。第２シード層３１を設けることにより、同じ結晶構造を有するＡｌＦｅ基合金膜１３が、それ自体の結晶構造を形成し易くなり、第１例に係る磁気記録媒体と同様の効果が顕著になる。

第２例に係る磁気記録媒体は、記録層の周方向の保磁力がいっそう増加し、耐熱揺らぎ性がいっそう向上する。

図４は、第１の実施の形態の第３例に係る磁気記録媒体の断面図である。第３例に係る磁気記録媒体は、上述した第１例に係る磁気記録媒体の変形例である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図４を参照するに、第３例に係る磁気記録媒体４０は、基板１１と、基板１１上にテクスチャ形成層４１、シード層１２、ＡｌＦｅ基合金膜１３、下地層１４、非磁性中間層１５、第１磁性層１６、非磁性結合層１７、第２磁性層１８、保護膜２０、および潤滑層２１が順次形成された構成からなり、テクスチャ形成層４１の表面にテクスチャ４１ａが形成されている。磁気記録媒体４０は、テクスチャ４１ａが形成されたテクスチャ形成層４１を設けた以外は、図２に示す第１例に係る磁気記録媒体１０と同様の構成からなる。

テクスチャ形成層４１は、非晶質または微結晶のＮｉＰ、ＣｏＷ、ＣｒＴｉの非磁性材料から選択される。テクスチャ形成層４１の表面には、第１例に係る磁気記録媒体の基板表面に形成されたテクスチャと同様のテクスチャ４１ａが形成されている。例えば、テクスチャ４１ａはテクスチャ形成層４１の表面にディスク状の基板１１の周方向に沿って多数の溝からなる機械的テクスチャが形成されている。テクスチャ形成層４１がＮｉＰからなる場合は、その表面が酸化されていることが好ましい。

第３例に係る磁気記録媒体４０は、テクスチャ４１ａが、テクスチャ形成層４１の表面に形成され、その上にシード層１２を介してＡｌＦｅ基合金膜１３が形成されているので、第１例に係る磁気記録媒体と同様の効果を有する。第３例に係る磁気記録媒体４０は、さらに、テクスチャ形成層４１をテクスチャ４１ａの形成し易い材料を選択でき、かつ基板１１の材料選択の範囲を広げることができる。なお、第３例に係る磁気記録媒体４０では、テクスチャ形成層４１とシード層１２が同種の材料からなるので、シード層１２を設けてもよく、設けなくてもよい。

図５は、第１の実施の形態の第４例に係る磁気記録媒体の断面図である。第４例に係る磁気記録媒体は、上述した第２例と第３例を組み合わせた例である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図５を参照するに、本変形例に係る磁気記録媒体５０は、基板１１と、基板１１上に、テクスチャ形成層４１、第１シード層１２、第２シード層３１、ＡｌＦｅ基合金膜１３、下地層１４、非磁性中間層１５、第１磁性層１６、非磁性結合層１７、第２磁性層１８、保護膜２０、および潤滑層２１が順次形成された構成からなり、テクスチャ形成層４１の表面にテクスチャ４１ａが形成されている。

第４例に係る磁気記録媒体は、第２例に係る磁気記録媒体と第３例に係る磁気記録媒体を組み合わせたものであり、これらの効果を合わせ備える。

次に第１の実施の形態に係る実施例を説明する。

［実施例１］
最初に、ガラス基板の表面に機械的テクスチャ形成装置を用いてテクスチャを形成した。機械的テクスチャは、平均粒径が０．１μｍのダイヤモンドスラリーを供給し、ダイヤモンドスラリーを含んだポリエステルからなるパッドをガラス基板に押圧し、ガラス基板を回転させて、ガラス基板の表面に平均表面粗さが０．４ｎｍ（ＡＦＭ測定）のテクスチャを形成した。

次にこのようにしてテクスチャの形成を行ったガラス基板を洗浄後、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて以下の構成の磁気ディスクを作製した。

ガラス基板（直径６５ｍｍ）／シード層：Ｃｒ₅₀Ｔｉ₅₀膜（２０ｎｍ）／ＡｌＦｅ基合金膜：Ａｌ_100-xＦｅ_x膜（１０ｎｍ）／下地層：Ｃｒ₇₅Ｍｏ₂₅膜（５ｎｍ）／非磁性中間層：Ｃｏ₅₈Ｃｒ₄₂膜（１ｎｍ）／第１磁性層：Ｃｏ₉₀Ｃｒ₁₀膜（１．８ｎｍ）／非磁性結合層：Ｒｕ膜（０．７ｎｍ）／第２磁性層：ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜／保護膜：カーボン膜（４．５ｎｍ） なお、上記のかっこ内の数値は膜厚を表し、組成の数値は原子％で表している。また、第２磁性層は、第１磁性層との正味の残留面積磁化が３．５ｎＴｍとなる膜厚とした。Ａｌ_100-xＦｅ_x膜は、Ｆｅの濃度Ｘ（原子％）を３０〜６０まで１０原子％毎に異ならせ、それぞれ実施例１−１〜１−４とした。

上記の各層は以下の条件で成膜を行った。まず、Ｃｒ₅₀Ｔｉ₅₀膜を形成する前にＰＢＮ（熱分解窒化ホウ素）ヒータを用いて真空中でガラス基板を１７０℃に加熱し、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いてＡｒガス雰囲気中（圧力０．６７Ｐａ）で、上記膜構成のうちＣｒ₅₀Ｔｉ₅₀膜からＣｏ₉₀Ｃｒ₁₀膜までを順次形成した。次いで、Ｒｕ膜を形成する前にさらにＰＢＮヒータを用いて真空中で２３０℃に加熱し、再びＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いてＡｒガス雰囲気中（圧力０．６７Ｐａ）でＲｕ膜からカーボン膜までを形成した。なお、ＤＣマグネトロンスパッタ装置の真空容器は予め１×１０^-5Ｐａ以下の高真空に排気した後、上記のアルゴンガスを供給した。

［実施例２］
実施例２に係る磁気ディスクは、実施例１のＣｒ₅₀Ｔｉ₅₀膜とＡｌ_100-xＦｅ_x膜との間に第２シード層としてＡｌ₅₀Ｒｕ₅₀膜（１０ｎｍ）を形成し、実施例１と同様にＡｌ_100-xＦｅ_x膜のＦｅの濃度Ｘ（原子％）を３０〜６０まで１０原子％毎に異ならせて形成し、それぞれ実施例２−１〜２−４とした。

［比較例］
比較例に係る磁気ディスクは、ＡｌＦｅ膜を形成しない以外は実施例１に係る磁気ディスクと同様の構成とした。

図６は、実施例１および比較例に係る磁気ディスクの磁気特性を示す図である。図６に示す保磁力および保磁力角型比は記録層の周方向の保磁力および保磁力角型比を示している。また、図６に示すＫｕＶ／ｋＴは、上述した耐熱揺らぎ性の指標であり、この数値が大きい程残留磁化が減少し難く、磁気ディスクの信頼性が良好であることを示す。ここで、Ｋｕは上述した記録層の一軸異方性定数、Ｖは残留磁化を担う記録層の結晶粒子の実質的な平均体積、ｋはボルツマン定数、Ｔは磁気ディスクの絶対温度である。また、一軸異方性定数Ｋｕも大きい程、周方向の保磁力およびＫｕＶ／ｋＴを増加させる点で良好であることを示す。

図６を参照するに、磁気ディスクの周方向の保磁力、ＫｕＶ／ｋＴ、およびＫｕについて、ＡｌＦｅ膜を形成しない比較例に対して、実施例１−１、実施例１−２、および実施例１−３は大幅に増加している。特に、実施例１−１〜実施例１−３のうち、Ｆｅ濃度が低いほど周方向の保磁力、ＫｕＶ／ｋＴ、およびＫｕがいっそう増加している。

また、保磁力角型比については、ＡｌＦｅ膜を形成しない比較例に対して実施例１−１および実施例１−２が増加している。特に、Ｆｅ濃度が４０原子％の実施例１−２よりも、Ｆｅ濃度が３０原子％の実施例１−１の方が、保磁力角型比が増加している。

したがって、実施例１−１から１−４および比較例によれば、ＡｌＦｅ膜のＦｅ濃度が３０原子％以上５０原子％以下の範囲である場合が、周方向の保磁力、ＫｕＶ／ｋＴ、およびＫｕを大幅に増加させることが分かった。さらにＡｌＦｅ膜のＦｅ濃度が３０原子％以上５０原子％未満の範囲では保磁力角型比を含む磁気特性を大幅に向上させることが分かった。さらに、ＡｌＦｅ膜のＦｅ濃度が低いほどこれらの磁気特性が向上することが分かった。

図７は、実施例２および比較例に係る磁気ディスクの磁気特性を示す図である。図７では、磁気特性として保磁力および保磁力角型比を示しており、これらの磁気特性の定義は、図６と同様である。また、比較例は図６と同様であり、説明の便宜のために示している。

図７を参照するに、磁気ディスクの周方向の保磁力および保磁力角型比は、ＡｌＦｅ膜を形成しない比較例に対して実施例２−１〜２−４には増加している。

したがって、実施例２−１から２−４および比較例によれば、ＡｌＦｅ膜のＦｅ濃度が３０原子％以上かつ６０％の範囲である場合が、周方向の保磁力、および周方向の保磁力角型比の向上に効果があることが確認できた。

なお、周方向の保磁力および保磁力角型比は、振動試料型磁力計を用いて、磁気ディスクの周方向に磁場（最大印加磁場：７９０ｋＡ／ｍ）を印加して測定した。また、ＫｕＶ／ｋＴは、実施例１−１から１−４および比較例の磁気ディスクについてスピンスタンド及び磁気ヘッドを用いて動的保磁力の書き込み時間依存性を求め、Ｂｅｒｔｒａｍ（Ｈ． Ｎ． Ｂｅｒｔｒａｍ， Ｈ． Ｊ． Ｒｉｃｈｔｅｒ， Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ−Ｎｅｅｌ：Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．， ｖｏｌ． ８５， Ｎｏ． ８、 ｐｐ．４９９１（１９９９））による動的保磁力と異方性磁界との関係からもとめた。またＫｕは、まずＶをＣｏ₉₀Ｃｒ₁₀膜およびＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜の膜厚の和と、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜の透過電子顕微鏡写真からＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜の結晶粒子の平均粒径から求め、このようにして得たＶと上述したＫｕＶ／ｋＴとからＫｕを求めた。なお、ｋはボルツマン定数、Ｔは動的保磁力の測定温度を用いた。

（第２の実施の形態）
本発明の実施の形態は、第１の実施の形態に係る磁気記録媒体を備えた磁気記憶装置に係るものである。

図８は、本発明の第２の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す図である。図８を参照するに、磁気記憶装置６０は大略ハウジング６１からなる。ハウジング６１内には、スピンドル（図示されず）により駆動されるハブ６２、ハブ６２に固定され回転される磁気記録媒体６３、アクチュエータユニット６４、アクチュエータユニット６４に取り付けられ磁気記録媒体６３の半径方向に移動されるアーム６５及びサスペンション６６、サスペンション６６に支持された磁気ヘッド６８が設けられている。磁気ヘッド６８は、ＭＲ素子（磁気抵抗効果型素子）、ＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果型素子）、又はＴＭＲ素子（トンネル磁気効果型）等の再生ヘッドと誘導型の記録ヘッドとの複合型ヘッドからなる。この磁気記憶装置６０の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。

本実施の形態の磁気記憶装置６０は磁気記録媒体６３に特徴がある。磁気記録媒体６３は、例えば第１の実施の形態の第１例〜第４例のいずれかに係る磁気記録媒体である。磁気記録媒体６３は、記録層の周方向の保磁力が高く、かつ耐熱揺らぎ性が良好であるので、磁気記憶装置６０の高記録密度化を図ることが可能である。さらに、テクスチャの表面粗さが抑制され、磁気記録媒体の表面粗さが低減されているので磁気ヘッド６８の浮上量を低減でき、磁気記憶装置６０はより一層の高記録密度化を図ることが可能である。

なお、本実施の形態に係る磁気記憶装置６０の基本構成は、図８に示すものに限定されるものではなく、磁気ヘッド６８は上述した構成に限定されず、公知の記録再生ヘッドを用いることができる。

以上本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

例えば、上記第１の実施の形態の第１例から第４例において、磁気記録媒体は磁気ディスクを例として説明したが磁気テープでもよい。磁気テープには、ディスク状の基板のかわりにテープ状の基板、例えば、テープ状のＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリイミド等のプラスチックフィルムを用いる。

なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１） 記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体であって、
基板と、
前記基板上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された記録層と、を備え、
前記基板は、その表面に略記録方向に沿って形成された溝からなるテクスチャを有し、該基板上にＡｌＦｅ基合金膜を備えることを特徴とする磁気記録媒体。
（付記２） 前記基板とＡｌＦｅ基合金膜との間に非晶質材料からなるシード層を備えることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
（付記３） 記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体であって、
基板と、
前記基板上に形成されたテクスチャ形成層と、
前記テクスチャ形成層上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された記録層と、を備え、
前記テクスチャ形成層は、その表面に略記録方向に沿って形成された溝からなるテクスチャが形成され、該テクスチャ形成層上にＡｌＦｅ基合金膜を備えることを特徴とする磁気記録媒体。
（付記４） 前記テクスチャ形成層とＡｌＦｅ基合金膜との間に非晶質材料からなるシード層を備えることを特徴とする付記３記載の磁気記録媒体。
（付記５） 前記シード層は、ＣｏＷ、ＣｒＴｉ、およびＮｉＰからなる群のうち、いずれか１種からなることを特徴とする付記３または４記載の磁気記録媒体。
（付記６） 前記ＡｌＦｅ基合金膜は、ＡｌＦｅからなり、Ｆｅの原子濃度が３０原子％以上かつ６０原子％以下の範囲に設定されてなることを特徴とする付記５記載の磁気記録媒体。
（付記７） 前記ＡｌＦｅ基合金膜の直下に、ＡｌＦｅ基合金を除くＢ２結晶構造を有する他のシード層を備えることを特徴とする付記１〜６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記８） 前記他のシード層は、ＡｌＲｕ基合金あるいはＮｉＡｌ基合金であることを特徴とする付記７記載の磁気記録媒体。
（付記９） 前記磁気記録媒体は磁気ディスクであり、
前記テクスチャが周方向に沿って形成されてなることを特徴とする付記１〜８のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１０） 前記ＡｌＦｅ基合金膜は、ＡｌＦｅからなり、Ｆｅの原子濃度が３０原子％以上かつ５０原子％未満の範囲に設定されてなることを特徴とする付記１〜９のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１１） 前記ＡｌＦｅ基合金膜は、その厚さが２ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に設定されてなることを特徴とする付記１〜１０のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１２） 前記下地層と第１磁性層との間に非磁性中間層を更に備え、該非磁性中間層はＣｏ−Ｘ3の非磁性材料からなり、該Ｘ3は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｒｕ、およびこれらの合金からなる群のうちいずれか一種から選択されることを特徴とする選択されることを特徴とする付記１〜１１のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１３） 前記記録層は、
前記下地上に、第１の磁性層、非磁性結合層、第２の磁性層が積層されてなり、
前記第１の磁性層と第２の磁性層とは交換結合すると共に、外部磁場が印加されない状態で該第１の磁性層の磁化と第２の磁性層との磁化とが互いに反平行であることを特徴とする付記１〜１２のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１４） 前記第１の磁性層および／または第２の磁性層は、ＣｏＣｒ−Ｍ1合金からなり、該Ｍ1はＰｔ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｃ、Ｆｅ、Ｒｅ、Ｎｂ、Ｈｆ及びこれらの合金からなる群のうちいずれか一種から選択されることを特徴とする付記１〜１３のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１５） 付記１〜１４のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体と、
記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置。
（付記１６） ディスク状の基板と、該基板上に形成された下地層と、該下地層上に形成された記録層とを備える磁気記録媒体と、
記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備え
前記基板は、その表面に略周方向に沿って形成された溝からなるテクスチャを有し、該基板上にＡｌＦｅ基合金膜を備えることを特徴とする磁気ディスク装置。
（付記１７） ディスク状の基板と、該基板上に形成されたテクスチャ形成層と、該テクスチャ形成層上に形成された下地層と、該下地層上に形成された記録層とを備える磁気記録媒体と、
記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備え
前記テクスチャ形成層は、その表面に略周方向に沿って形成された溝からなるテクスチャを有し、該テクスチャ形成層上にＡｌＦｅ基合金膜を備えることを特徴とする磁気ディスク装置。

ＡｌＦｅの結晶構造を示す図である。 本発明の第１の実施の形態の第１例に係る磁気記録媒体の断面図である。 第１の実施の形態の第２例に係る磁気記録媒体の断面図である。 第１の実施の形態の第３例に係る磁気記録媒体の断面図である。 第１の実施の形態の第４例に係る磁気記録媒体の断面図である。 実施例１および比較例に係る磁気ディスクの磁気特性を示す図である。 実施例２および比較例に係る磁気ディスクの磁気特性を示す図である。 本発明の第２の実施の形態の磁気記録装置の要部を示す図である。

符号の説明

１０、３０、４０、５０、６３ 磁気記録媒体
１１ 基板
１１ａ、４１ａ テクスチャ
１２ シード層（第１シード層）
１３ ＡｌＦｅ基合金膜
１４ 下地層
１５ 非磁性中間層
１６ 第１磁性層
１７ 非磁性結合層
１８ 第２磁性層
１９ 記録層
２０ 保護膜
２１ 潤滑層
３１ 第２シード層
４１ テクスチャ形成層

Claims (9)

1. 記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体であって、
   基板と、
   前記基板上に形成された下地層と、
   前記下地層上に形成された記録層と、を備え、
   前記基板は、その表面に略記録方向に沿って形成された溝からなるテクスチャを有し、該基板上にＡｌＦｅ基合金膜を備えることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記基板とＡｌＦｅ基合金膜との間に非晶質材料からなるシード層を備えることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
3. 記録層を所定の記録方向に磁化して情報を記録する磁気記録媒体であって、
   基板と、
   前記基板上に形成されたテクスチャ形成層と、
   前記テクスチャ形成層上に形成された下地層と、
   前記下地層上に形成された記録層と、を備え、
   前記テクスチャ形成層は、その表面に略記録方向に沿って形成された溝からなるテクスチャが形成され、該テクスチャ形成層上にＡｌＦｅ基合金膜を備えることを特徴とする磁気記録媒体。
4. 前記テクスチャ形成層とＡｌＦｅ基合金膜との間に非晶質材料からなるシード層を備えることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。
5. 前記ＡｌＦｅ基合金膜の直下に、ＡｌＦｅ基合金を除くＢ２結晶構造を有する他のシード層を備えることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
6. 前記磁気記録媒体は磁気ディスクであり、
   前記テクスチャが周方向に沿って形成されてなることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
7. 前記ＡｌＦｅ基合金膜は、ＡｌＦｅからなり、Ｆｅの原子濃度が３０原子％以上かつ５０原子％未満の範囲に設定されてなることを特徴とする請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
8. 前記記録層は、
   前記下地上に、第１の磁性層、非磁性結合層、第２の磁性層が積層されてなり、
   前記第１の磁性層と第２の磁性層とは交換結合すると共に、外部磁場が印加されない状態で該第１の磁性層の磁化と第２の磁性層との磁化とが互いに反平行であることを特徴とする請求項１〜７のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
9. 請求項１〜８のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体と、
   記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置。
   

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