JP4243758B2 - 磁気記録媒体及び磁気記録装置 - Google Patents

Description

本発明は、磁気記録媒体及び磁気記録装置に関するものであり、特に、Ｒｕ層等の非磁性結合層で分断した磁性層同士をフェリ結合させたＳＦＭ（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｆｅｒｒｉｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍｅｄｉａ）構造の磁気記録媒体における結晶粒の微細化に伴う結晶性の劣化を抑制するための構成に特徴のある磁気記録媒体及び磁気記録装置に関するものである。

近年、ＡＶ機器への適用化などの情報処理技術の高度化に伴い、コンピューターなどに用いられている磁気記録再生装置に対する大記録容量化が求められている。このような大記録容量を持つ磁気記録再生装置を実現するためには、記録ビットサイズの微細化が必要になる。

記録ビットサイズの微細化の指標として、Ｗ５０（孤立再生波形半価幅）が挙げられ、一般的に、このＷ５０値が小さいほど高記録密度化に適している磁気記録媒体であるということが報告されている。

このＷ５０値は、ｇを磁気抵抗素子のギャップ長、ｄを磁気スペーシング幅、ａを磁化遷移幅とすると、下記の式の
Ｗ５０＝２｛（ｇ／２）² ＋（ｄ＋ａ）² ｝^1/2
で表現することが出来ることが一般的に知られている。

上記の式より、Ｗ５０値を小さくするためには、即ち、高記録密度化を達成するためには、磁気抵抗素子のギャップ長ｇを小さくすること、磁化遷移幅ａを小さくすること、磁気抵抗素子と磁気記録媒体の記録層間の磁気スペーシング幅ｄを小さくすることが必要であることが分かる。

ここで、磁気記録媒体の磁化遷移幅ａを縮小するためには、記録層の薄膜化により磁気記録層の結晶粒を微細化させる方法が有効であるが、結晶粒の微細化は、1 ビット当たりの記録磁化の体積が減少することを意味するため、熱擾乱による記録破壊の問題が起こる。

この熱擾乱を抑制するには、磁気記録層を形成するＣｏＣｒＰｔ（ＢまたはＴａ）基合金のＰｔ組成量を増やし、保磁力Ｈ_c を向上させることが有効な方法であるが、過剰な保磁力の増大は、磁気記録ヘッドによるデータの書き込みを困難にするため好ましくない。

近年、この様な問題を回避するために、磁性層の層間に１ｎｍ以下の極薄のＲｕ層を挿入することにより、分断された磁性層同士がフェリ結合するＳＦＭが提案されている（例えば、特許文献１、或いは、特許文献２参照）。

このＳＦＭは、Ｒｕ層によって分断された磁性層同士がフェリ結合するため、一つの記録ビットを担う磁化の体積は、第２磁性層の磁化及び、この第２磁性層と反強磁性的に結合した第１磁性層の磁化の体積の和となり、一つの記録単位を担う磁化の体積を増加させて熱揺らぎ耐性を確保するものである。
特開２００１−０５６９２３号公報 特開２００１−０５６９２１号公報

しかしながら、このＳＦＭにおいても、更なる結晶粒の微細化を目指して記録層の薄膜化を行なうと、記録層の結晶性の劣化により、ＳＮＲ（孤立波信号Ｓ_iso ／媒体ノイズＮ_m ）の低減が引き起こされるという問題がある。

このような事情で、従来の技術ではＳＦＭにおいて媒体ノイズを増加させることなく、記録層薄膜化による記録層結晶性劣化を抑制させることは実現困難であるため、高記録密度化へに向けた更なる記録層結晶粒微細化による低ノイズ化は実現困難とされていた。

したがって、本発明は、媒体ノイズを増大させることなく記録層の薄膜化による結晶性の劣化を抑制することによって、磁気記録媒体の高記録密度化を実現することを目的とする。

図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、磁気記録媒体において、非磁性基板１上に、ＣｒまたはＣｒ基合金からなる少なくとも一層以上の下地層２、少なくとも一層以上のＣｏＣｒ基合金からなる第１磁性層４、非磁性結合層５、Ｃｏ基合金からなり、膜厚が０．１ｎｍ〜０．５ｎｍの範囲の非磁性層６、及び、ＣｏＣｒ基合金からなる第２磁性層７を順次積層するとともに、第１磁性層４と第２磁性層７とが交換結合を保ったままで、残留磁化状態における磁化方向が互いに反平行であることを特徴とする。

このように、記録層を非磁性結合層５によって第１磁性層４と第２磁性層７に分割して結晶粒を微細化する際に、非磁性結合層５上にＣｏ基合金からなる非磁性層６を設けることによって、第２磁性層７の初期成長における結晶欠陥を少なくすることができるので、第２磁性層７の結晶性の劣化を抑制することができ、また、結合層は非磁性であるのでｔＢr が増大することがなく、媒体ノイズを増大させることがない。
なお、非磁性層６の膜厚が０．１ｎｍ未満であると結晶性劣化抑制の効果が充分ではなく、０．５ｎｍを超えると第１磁性層４と第２磁性層７との間の交換結合力が働かなくなる。

この場合、ｈｃｐ構造を有する第２磁性層７の結晶性の劣化を抑制するためには、非磁性結合層５上に設けたＣｏ基合金からなる非磁性層６も、最密六方（ｈｃｐ）構造の結晶構造を有することが望ましい。

また、Ｃｏ基合金からなる非磁性層６としては、ＣｏＣｒ基合金、ＣｏＲｅ基合金、ＣｏＲｕ基合金、Ｃｏ−Ｐｄ基合金、ＣｏＣｒＲｅ基合金、或いは、ＣｏＣｒＲｕ基合金のいずれかが望ましい。

また、非磁性結合層５としては、Ｒｕ或いはＲｕを主成分とする合金が望ましく、膜厚としては、０．４ｎｍ〜１．２ｎｍの範囲が望ましく、これより薄くても或いは厚くても交換結合が起こらなくなる。

また、下地層２を構成するＣｒ基合金としては、Ｗ、Ｖ、或いは、Ｍｏの内の少なくとも１つ以上の元素が添加されたＣｒ基合金が望ましく、これらの結晶構造は体心立方（ｂｃｃ）構造となる。

また、下地層２と第１磁性層４との間にＣｏ基合金からなる中間層３を設けても良く、その場合には、中間層３を構成するＣｏ基合金は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｒｅ、或いは、Ｒｕの内の少なくとも一種以上の元素が添加されているとともに、ｈｃｐ構造の第１磁性層４との格子整合性を保つために、Ｃｏ基合金の結晶構造もｈｃｐ構造であることが望ましい。

また、中間層３の膜厚は、０．５ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲が望ましく、０．５ｎｍ未満の場合には挿入した効果が充分ではなく、３．０μｍを超えると残留磁束密度Ｂ_r とその膜厚ｔの積ｔＢｒが増大し、記録再生分解能が低下する。

また、第２磁性層７の残留磁束密度Ｂ_r とその膜厚ｔの積ｔＢｒは、２．０ｎＴｍ〜１０．０ｎＴｍの範囲であることが望ましく、２．５ｎＴｍ未満の場合には結晶性が著しく劣化するため、媒体ノイズの増大を招き、一方、１０．０ｎＴｍを超える記録再生分解能が低下する。

また、非磁性基板１と下地層２との間に非磁性であるＮｉＰ層を設けることが望ましく、それによって、非磁性基板１の機械的強度を高めることができるとともに、その上に成膜する各層の結晶性を高めることができる。
この場合、磁性層の配向性を高めるために、非磁性基板１の表面にテクスチャー処理を施すことが望ましい。

また、耐摩擦性を高めるために、第２磁性層７の上にカーボンを主成分とする保護層８を設けることが望ましく、この場合、保護層８の膜厚としては、０．５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲が望ましく、０．５ｎｍ未満であれば被覆性が充分はなく、１０ｎｍを超えると記録層からの信号強度が著しく減少する。

また、上述の磁気記録媒体の各層を成膜する場合には、成膜温度を１５０℃〜２７０℃の範囲にすることが望ましく、１５０℃未満の場合にはＣｒまたはＣｒ基合金からなる下地層２のＣｒの結晶配向性が充分ではなく、２７０℃を超えるとＣｒの結晶粒肥大化により媒体ノイズが増大する。

また、上述の磁気記録媒体を搭載することによって高記録密度の磁気記録装置を実現することができ、このような高記録密度の磁気記録媒体に書き込んだデータを読み出す場合には、高感度のＭＲ素子或いはＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドを用いることが望ましい。

本発明によれば、磁気記録媒体のノイズ性能を劣化させることなく、磁気記録層の結晶性を改善させることにより、記録層の薄膜化による結晶性の劣化を抑制させることができ、これによって、記録層薄膜化による結晶粒微細化による高ＳＮＲ化を実現させることが可能となり、ひいては、磁気記録媒体の高記録密度化を実現することができる。

本発明においては、非磁性基板上に、ＣｒまたはＣｒ合金からなる下地層を、少なくとも一層以上形成し、その上にＣｏ基合金からなる中間層を少なくとも一層以上形成し、その上層にＣｏＣｒ基合金からなる第１磁性層を少なくとも１層以上形成した後に、非磁性結合層を第１磁性層上に設け、その上層にＣｏＣｒ基合金からなる第２磁性層を設けた時に、第１磁性層と第２磁性層は交換結合すると共に、互いに反平行するである磁気記録媒体に対して、非磁性結合層の上に、Ｃｏ基合金からなる非磁性層を第１磁性層と第２磁性層の交換結合を保ったまま形成させる。

ここで、図２を参照して、本発明の実施例１の磁気記録媒体の製造工程を説明するが、実際には、基板の両側に各層が形成されるものである。
図２参照
まず、アルカリ洗浄したガラス基板１１上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて、スパッタ室内の真空度を例えば、１×１０^-5Ｐａ以下に排気し、成膜時には、スパッタ室内を０．６７Ｐａに保持した状態で、基板温度を１５０℃〜２７０℃、例えば、２２０℃にした状態で成膜を行う。

この時、基板温度を１５０℃以上にしているので、成膜前にガラス基板１１の表面に付着している不純物のクリーニングが行われるとともに、後述する下地層１４を構成するＣｒの結晶配向性制御を良好に行うことができる。
なお、基板温度が２７０℃を超えるとＣｒの結晶粒肥大化による媒体ノイズ増大が発生する。

この成膜工程において、まず、厚さが、例えば、２５ｎｍのＣｒＴｉ₅₀シード層１２及び厚さが、例えば、２５ｎｍのＡｌＲｕ₅₀シード層１３を成膜する。
この場合、ＣｒＴｉ₅₀シード層１２を設けることによりＡｌＲｕ₅₀シード層１３の結晶配向性が向上し、また、ＡｌＲｕ₅₀シード層１３を設けることにより、次に成膜させる下地層１４との格子整合性が改善されるので下地層１４が良好にエピタキシャル成長する。なお、各合金組成におけるサフィックスは原子％を示す。

引き続いて、ＡｌＲｕ₅₀シード層１３上に、厚さが、例えば、５ｎｍのＣｒＷ_12.5からなる下地層１４を成膜する。この場合のＣｒ基合金であるＣｒＷ_12.5からなる下地層１４はｂｃｃ構造を保っているので、その上に成膜する第１磁性層１６を面内方向に成長させることができ、また、第１磁性層１６、及び、ＡｌＲｕ₅₀シード層１３の格子間隔を考慮してＣｒより格子間隔の広い材料を添加している。

引き続いて、ＣｒＷ_12.5からなる下地層１４上にＣｏＣｒ₄₂からなるｈｃｐ構造を有する下部中間層１５を０．５〜３．０ｎｍの膜厚に設ける。このような下部中間層１５を設けることによって、その上に設ける第１磁性層１６の面内方向への結晶配向性が良好なものになる。

引き続いて、ＣｏＣｒ₄₂からなる下部中間層１５上にＣｏＣｒ₁₆からなる第１磁性層１６を例えば３ｎｍの膜厚に成膜したのち、Ｒｕからなる非磁性交換結合層１７を０．４〜１．２ｎｍ、例えば、０．７ｎｍの膜厚に成膜する。
なお、Ｒｕからなる非磁性交換結合層１７の膜厚が０．４〜１．２ｎｍの範囲以外では、第１磁性層１６と後述する第２磁性層１９が交換結合しなくなる。

引き続いて、非磁性交換結合層１７の直上に非磁性のＣｏ基合金からなる中間層１８を０．１ｎｍ〜０．５ｎｍ、例えば、０．５ｎｍの膜厚に成膜する。
なお、膜厚が０．１ｎｍでは挿入した効果が充分でなく、０．５ｎｍを超えると第１磁性層１６と第２磁性層１９との間に交換結合力が働かなくなる。

ここでは、Ｃｏ基合金としてＣｏＣｒ₄₂組成のＣｏ合金を用いるので、Ｃｏの母相であるｈｃｐ構造を保っているので第２磁性層１９の結晶性を改善出来るとともに、Ｃｒ添加量を多くして非磁性にしているのでｔＢ_r が増大することはない。

引き続いて、中間層１８上に、厚さが、例えば、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる第２磁性層１９を例えば、１８ｎｍの膜厚に成膜してｔＢ_r ＝３．５ｎＴｍとなるようにする。
なお、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕの原子組成比は、Ｃｏ₆₀Ｃｒ₁₈Ｐｔ₁₁Ｂ₈ Ｃｕ₃ である。

次いで、プラズマＣＶＤ法を用いて第２磁性層１９の上に厚さが、例えば、０．５〜１０ｎｍの範囲で、例えば、４．５ｎｍのＣを主成分とする保護層２０を、例えば、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を設ける。この場合、保護層２０の膜厚が０．５ｎｍ未満の場合に被覆性が悪くなるので耐蝕性が劣化し、１０ｎｍを超える場合には、記録層からの信号強度が著しく減少する。

この様に製造した磁気記録媒体について、磁気的特性を測定したので、図３乃至図７を参照して説明する。
図３参照
図３は、保磁力角型比Ｓ^* の中間層厚依存性の説明図であり、非磁性のＣｏ基合金からなる中間層１８の膜厚が増大するにつれて保磁力角型比Ｓ^* が増大する。この保磁力角型比Ｓ^* は結晶性の改善と比例するので、第２磁性層１９の結晶性が改善していることが分かる。

図４参照
図４は、保磁力Ｈ_c の中間層厚依存性の説明図であり、非磁性のＣｏ基合金からなる中間層１８を設けることによって保磁力Ｈ_c が向上していることが分かる。
なお、この場合にはＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｏｎ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｍｅｔｅｒ）を用いて測定したものである。

図５参照
図５は、Ｈ_exの中間層厚依存性の説明図であり、非磁性のＣｏ基合金からなる中間層１８を設けても膜厚が０．５ｎｍ程度までであれば、第１磁性層１６と第２磁性層１９との間の交換結合力の度合いを表すＨ_ex（Ｈ_exchange）が充分大きく、第１磁性層１６と第２磁性層１９とをフェリ結合の状態を保つことができる。

図６参照
図６は、上書き特性の中間層厚依存性の説明図であり、非磁性のＣｏ基合金からなる中間層１８を設けることによって、上書き特性が改善されていることが分かる。

図７参照
図７は、ＳＮＲの中間層厚依存性の説明図であり、非磁性のＣｏ基合金からなる中間層１８の膜厚が０．５ｎｍ以下であれば、ＳＮＲが改善されていることが分かる。
なお、強磁性体であるＣｏＣｒ₂₀を中間層１８として用いた場合には、媒体ノイズＮ_m が増大してＳＮＲが低下する。

以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は実施例に記載された構成・条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の膜厚，組成比等の数値は、単なる一例に過ぎず、結晶構造或いは磁性特性が保たれる範囲で必要に応じて適宜変更されるものである。

また、上記の実施例においては、ガラス基板１１上に直接シードを成膜しているが、ガラス基板１１上にＮｉＰ膜を無電解メッキコートしたのち、ＮｉＰ層の表面に同心円状にメカニカルまたはレーザーテクスチャによりに表面処理を行なっても良いものである。このＮｉＰ膜を設けることによって、その上に成膜する各層の結晶性を向上することができる。

また、上記の実施例においては、基板としてガラス基板１１を用いているが、ガラスに限られるものではなく、Ａｌ基板或いはＡｌ合金基板を用いても良いものであり、この場合にも基板上にＮｉＰ層等を設けても良いものである。

また、上記の実施例においては、下地層１４をＣｒＷ合金で構成しているが、Ｃｒ自体でも良く、或いは、Ｃｒ母相にＭｏ或いはＶ等のＣｒよりも格子間隔が広い他の材料を添加したＣｒ基合金を用いても良いものである。
但し、結晶配向性を確保するためには、
ＣｒＶ（Ｖ＝０〜１００原子％）
ＣｒＷ（Ｗ＝０〜１００原子％）
ＣｒＭｏ（Ｍｏ＝０〜１００原子％）
の範囲にすれば良い。

また、上記の実施例においては、下地層１４上にＣｏ基合金であるＣｏＣｒ₄₂からなるｈｃｐ構造を有する下部中間層１５を設けているが、この様な下部中間層１５は必ずしも必要なものではなく、下地層１４上に第１磁性層１６を直接堆積させても良いものであり、それによって、成膜工程を少なくすることができる。

この場合の下部中間層１５は、ｈｃｐ構造を有するＣｏ基合金であれば良く、必要に応じて、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｒｕを添加して下部中間層１５の格子間隔を調整しても良い。
但し、ｈｃｐ構造を保つためには、添加元素の組成比を、
ＣｏＣｒ（Ｃｒ＝０〜４５原子％）
ＣｏＴａ（Ｔａ＝０〜１原子％）
ＣｏＭｏ（Ｍｏ＝０〜４原子％）
ＣｏＭｎ（Ｍｎ＝０〜９原子％）
ＣｏＲｅ（Ｒｅ＝０〜１００原子％）
ＣｏＲｕ（Ｃｒ＝０〜１００原子％）
の範囲にすれば良い。

この場合、添加元素の組成によって、下部中間層１５は非磁性にも強磁性にもなるが、下部中間層１５が強磁性の場合、膜厚が３．０ｎｍを超えると残留磁束密度Ｂ_r と膜厚ｔとの積であるｔＢ_r が増大して記録再生分解能の低下を招くので好ましくない。

また、上記の実施例においては、第１磁性層１６としてＣｏＣｒ₁₆からＣｏＣｒ基合金を単層で用いているが、他の組成比でも良く、さらには、ＣｏＣｒ₅ ／ＣｏＣｒ₂₀等の多層構造で構成しても良いものである。

また、上記の実施例においては、非磁性結合層１７をＲｕで構成しているが、Ｒｕに限られるものではなく、ＲｕＣｏ（Ｃｏ＝０〜２０原子％）、ＲｕＰｄ（Ｐｄ＝０〜２０原子％）、ＲｕＣｒ（Ｃｒ＝０〜２０原子％）、或いは、ＲｕＲｅ（Ｒｅ＝０〜２０原子％）等のＲｕ基合金を用いても良いものである。

また、上記の実施例においては、非磁性結合層１７上に設ける中間層１８としてＣｏＣｒ基合金を用いているが、ＣｏＣｒ合金に限られるものではなく、ＣｏＲｅ基合金、ＣｏＲｕ基合金、Ｃｏ−Ｐｄ基合金、ＣｏＣｒＲｅ基合金、或いは、ＣｏＣｒＲｕ基合金を用いても良いものであり、添加する非磁性元素の添加量を調整することによって、ｈｃｐ構造と非磁性特性を保つようにすれば良い。
但し、ｈｃｐ構造を保つためには、添加元素の組成比を、
ＣｏＣｒ（Ｃｒ＝０〜４５原子％）
ＣｏＲｅ（Ｒｅ＝０〜１００原子％）
ＣｏＰｄ（Ｐｄ＝０〜４５原子％）
ＣｏＣｒＲｅ（Ｃｒ＝０〜４５原子％，Ｒｅ＝０〜１００原子％）
ＣｏＣｒＲｕ（Ｃｒ＝０〜４５原子％，Ｃｒ＝０〜１００原子％）
の範囲にすれば良い。

また、上記の実施例においては、第２磁性層１９としてＣｏ₆₀Ｃｒ₁₈Ｐｔ₁₁Ｂ₈ Ｃｕ₃ から強磁性体を単層で用いているが、他の組成比でも良く、さらには、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ等の他の強磁性体を用いても良いものであり、さらには、互いに異なる組成のＣｏＣｒＰｔＢ／ＣｏＣｒＰｔＢ等の多層構造で構成しても良いものである。

また、上記の実施例においては特に言及していないが、通常は保護層上にパーフルオロカーボン系の潤滑剤を設けるものである。

ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照
（付記１） 非磁性基板１上に、ＣｒまたはＣｒ基合金からなる少なくとも一層以上の下地層２、少なくとも一層以上のＣｏＣｒ基合金からなる第１磁性層４、非磁性結合層５、Ｃｏ基合金からなり、膜厚が０．１ｎｍ〜０．５ｎｍの範囲の非磁性層６、及び、ＣｏＣｒ基合金からなる第２磁性層７を順次積層するとともに、前記第１磁性層４と第２磁性層７とが交換結合を保ったままで、残留磁化状態における磁化方向が互いに反平行であることを特徴とする磁気記録媒体。
（付記２） 上記非磁性結合層５上に設けたＣｏ基合金からなる非磁性層６が、最密六方構造の結晶構造を有することを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
（付記３） 上記非磁性結合層５上に設けたＣｏ基合金からなる非磁性層６が、ＣｏＣｒ基合金、ＣｏＲｅ基合金、ＣｏＲｕ基合金、Ｃｏ−Ｐｄ基合金、ＣｏＣｒＲｅ基合金、或いは、ＣｏＣｒＲｕ基合金のいずれかからなることを特徴とする付記１または２に記載の磁気記録媒体。
（付記４） 上記非磁性結合層５が、Ｒｕ或いはＲｕを主成分とする合金からなることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の磁気記録媒体。
（付記５） 上記非磁性結合層５の膜厚が、０．４ｎｍ〜１．２ｎｍであることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１に記載の磁気記録媒体。
（付記６） 上記下地層２を構成するＣｒ基合金は、Ｗ、Ｖ、或いは、Ｍｏの内の少なくとも１つ以上の元素が添加されているとともに、結晶構造が体心立方構造であることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の磁気記録媒体。
（付記７） 上記下地層２と第１磁性層４との間にＣｏ基合金からなる中間層３を設けるとともに、中間層３を構成するＣｏ基合金は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｒｅ、或いは、Ｒｕの内の少なくとも一種以上の元素が添加されているとともに、結晶構造が最密六方構造であることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１に記載の磁気記録媒体。
（付記８） 上記中間層３の膜厚が、０．５ｎｍ〜３．０ｎｍであることを特徴とする付記１乃至７のいずれか１に記載の磁気記録媒体。
（付記９） 上記第２磁性層７の残留磁束密度Ｂr とその膜厚ｔの積ｔＢｒが、２．０ｎＴｍ〜１０．０ｎＴｍであることを特徴とする付記１乃至８のいずれか１に記載の磁気記録媒体。
（付記１０） 上記非磁性基板１と上記下地層２との間に、非磁性であるＮｉＰ層を有することを特徴とする付記１乃至９のいずれか１に記載の磁気記録媒体。
（付記１１） 上記非磁性基板１の表面にテクスチャー処理が施されていることを特徴とする付記１乃至１０のいずれか１に記載の磁気記録媒体。
（付記１２） 上記第２磁性層７の上にカーボンを主成分とする保護層８を有することを特徴とする付記１乃至１１のいずれか１に記載の磁気記録媒体。
（付記１３） 上記保護層８の膜厚が、０．５ｎｍ〜１０ｎｍであることを特徴とする付記１２記載の磁気記録媒体。
（付記１４） 付記１乃至９のいずれか１に記載の磁気記録媒体の製造方法において、成膜温度を、１５０℃〜２７０℃にしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（付記１５） 付記１乃至１３のいずれか１に記載の磁気記録媒体を搭載した磁気記録装置において、再生ヘッドとしてＭＲ素子或いはＧＭＲ素子のいずれかを用いたことを特徴とする磁気記録装置。

本発明の活用例としては、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）に用いる磁気記録媒体が典型的なものであり、磁気記録装置の高密度記録化、大容量化に寄与するものである。

本発明の原理的構成の説明図である。 本発明の実施例１の磁気記録媒体の概念的断面図である。 保磁力角型比Ｓ^* の中間層厚依存性の説明図である。 保磁力Ｈ_c の中間層厚依存性の説明図である。 Ｈ_exの中間層厚依存性の説明図である。 上書き特性の中間層厚依存性の説明図である。 ＳＮＲの中間層厚依存性の説明図である。

符号の説明

１ 非磁性基板
２ 下地層
３ 中間層
４ 第１磁性層
５ 非磁性結合層
６ 非磁性層
７ 第２磁性層
８ 保護層
１１ ガラス基板
１２ ＣｒＴｉ₅₀シード層
１３ ＡｌＲｕ₅₀シード層
１４ 下地層
１５ 下部中間層
１６ 第１磁性層
１７ 非磁性結合層
１８ 中間層
１９ 第２磁性層
２０ 保護層

Claims (5)

1. 非磁性基板上に、ＣｒまたはＣｒ基合金からなる少なくとも一層以上の下地層、少なくとも一層以上のＣｏＣｒ基合金からなる第１磁性層、非磁性結合層、Ｃｏ基合金からなり、膜厚が０．１ｎｍ〜０．５ｎｍの範囲の非磁性層、及び、ＣｏＣｒ基合金からなる第２磁性層を順次積層するとともに、前記第１磁性層と第２磁性層とが交換結合を保ったままで、残留磁化状態における磁化方向が互いに反平行であることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 上記非磁性結合層上に設けたＣｏ基合金からなる非磁性層が、最密六方構造を有することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
3. 上記非磁性結合層上に設けたＣｏ基合金からなる非磁性層が、ＣｏＣｒ基合金、ＣｏＲｅ基合金、ＣｏＲｕ基合金、Ｃｏ−Ｐｄ基合金、ＣｏＣｒＲｅ基合金、或いは、ＣｏＣｒＲｕ基合金のいずれかからなることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. 上記非磁性結合層が、Ｒｕ或いはＲｕを主成分とする合金からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を搭載したことを特徴とする磁気記録装置。

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