JP2006260633A - 磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 優れたＳ／Ｎを有し、高記録密度化が可能な磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、下地層１４、中間層１５、記録層１６、保護膜２０、および潤滑層２１が順に設けられた構成とし、記録層１６は下地層１４側から第１磁性層１８および第２磁性層１９が順に設けられた２層構造を有する。第１磁性層１８および第２磁性層１９はＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなり、第１磁性層１８は第２磁性層よりもＢ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ない組成からなる。
【選択図】 図２
【解決手段】 基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、下地層１４、中間層１５、記録層１６、保護膜２０、および潤滑層２１が順に設けられた構成とし、記録層１６は下地層１４側から第１磁性層１８および第２磁性層１９が順に設けられた２層構造を有する。第１磁性層１８および第２磁性層１９はＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなり、第１磁性層１８は第２磁性層よりもＢ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ない組成からなる。
【選択図】 図２
Description
本発明は、磁気記録媒体および磁気記憶装置に係り、特に複数の磁性層を有する記録層を備えた磁気記録媒体および磁気記憶装置する。
近年、磁気記憶装置、例えば磁気ディスク装置は、デジタル化した動画や音楽の記憶装置として広汎な用途に用いられている。特に、家庭用の動画記録用として用いられ、従来のビデオテープを用いた家庭用ビデオ装置にかわって、高速アクセス・小型・大容量等の特長を生かし、著しく市場規模が増大している。動画は特に情報量が多く、磁気ディスク装置の大容量化が求められている。そのため、これまで年率１００％で増加してきた記録密度をさらに向上するため、磁気記録媒体および磁気ヘッドのいっそうの高記録密度化のための技術開発が不可欠である。
ところで、記録密度を向上させるため、磁気記録媒体の記録層の高保磁力化および残留磁束密度Ｂｒと膜厚ｔとの積ｔＢｒの低減が進められてきた。これは、記録密度の向上により、１ビットに相当する磁化単位が微小化されるにしたがって、増加する反磁界に対抗するためである。すなわち、保磁力を高めることで反磁界による磁化の減少を抑制し、積ｔＢｒを低減することで反磁界の強度を低減するものである。
一方、磁気記録媒体の記録層の強磁性材料として、従来からＣｏＣｒＰｔ合金に種々の元素を添加した４元系合金あるいは５元系合金が用いられてきた。その中で、媒体ノイズが低くＳ／Ｎ比の優れた強磁性材料として、ＣｏＣｒＰｔＢ合金が用いられてきた。さらに、記録層をＣｏＣｒＰｔＢ合金からなる２層とした磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照。）
特開２００３−１９６８２２号公報
ところで、磁気記録媒体の記録密度をさらに向上させるためには、高保磁力、残留磁束密度Ｂｒと膜厚ｔとの積ｔＢｒの低減、および媒体ノイズをさらに低減することが望まれる。しかし、記録層の膜厚ｔを単に低減すると保磁力が低下し、また、媒体ノイズが増加してＳ／Ｎ比が劣化するという問題が生じる。
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、優れたＳ／Ｎを有し、高記録密度化が可能な磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供することである。
本願発明者は、記録層の薄膜化および高保磁力化の検討において、記録層が過度に薄膜になると記録層の異方性磁界や飽和磁化が低下することを知得した。なお、異方性磁界は、磁化の方向が磁化容易軸方向に平行である場合に、磁化の方向と反対方向に磁界を印加して、磁化を反転させるために必要な磁界強度である。異方性磁界と保磁力は密接に関係しており、異方性磁界が低下すると保磁力が低下する。
図１は、磁気記録媒体の記録層の磁気特性と記録層の厚さとの関係を示す図である。図１の縦軸は、記録層の飽和磁化（“○”で示す。）および記録層の異方性磁界（“△”で示す。）であり、横軸は記録層の厚さである。磁気記録媒体は、記録層が１層のＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜を用いた以外は、後ほど説明する第１の実施の形態の比較例と略同様の構成とした。図１に示す特性は、記録層の厚さを異ならせた以外は同様の構成からなる磁気記録媒体から得られたものである。
図１を参照するに、記録層の厚さが厚い側、すなわち厚さが２０ｎｍや２８ｎｍの記録層では、飽和磁化および異方性磁界が略一定値である。しかし、記録層の厚さが小さくなるにつれて飽和磁化は漸次減少し、異方性磁界は１３ｎｍ以下で急激に減少することが確認された。この飽和磁化および異方性磁界の低下は、記録層が下地層の表面に成長する際に、その初期に形成される層（いわゆる初期成長層）が以下に説明するような構造になっていると考えられる。記録層は、強磁性の多数の結晶粒子と、結晶粒子間に形成される非磁性の粒界部からなる多結晶体である。結晶粒子はＣｏ含有量が高く、粒界部はＣｒ含有量が高い。結晶粒子の結晶性が低下したり、隣接する結晶粒子同士が粒界部により十分に分離されていない場合、記録層の飽和磁化が低下し、異方性磁界も低下する。図１に示す記録層の初期成長層はこのような状態になっていると考えられる。
記録層がこのような初期成長層を有する場合、記録層を薄膜化すると磁気特性（飽和磁化および異方性磁界）は急激に劣化し、薄膜化しない場合であっても磁気特性が良好でない記録層となる。このような記録層では、媒体ノイズが高くＳ／Ｎ比が低下するという問題が生じる。また、異方性磁界が低下するので保磁力が低下するという問題が生じる。さらには、記録層の耐熱揺らぎ性、すなわち、記録層に記録された磁化の熱安定性が劣化する。そこで、本願発明者は、かかる問題を解決するために以下に説明する発明をなしたものである。
本発明の一観点によれば、基板と、前記基板上に設けられた下地層と、前記下地層上に設けられた記録層と、を備え、前記記録層は、下地層側から第１の磁性層および第２の磁性層とからなり、前記第１の磁性層および第２の磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなり、前記第１の磁性層は、第２の磁性層よりも、Ｂ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
本発明によれば、記録層は下地層側から第１の磁性層および第２の磁性層が順に設けられてなる。第１の磁性層および第２の磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなり、第１の磁性層は、第２の磁性層よりもＢ含有量が多くかつＣｒ含有量が少ない組成に設定される。このようにＢ含有量を設定することで、Ｂ添加の作用により、第１の磁性層を構成する結晶粒子の微細化が促進される。すなわち、結晶粒子は、基板面に平行な断面における大きさが低減される。そして、第２の磁性層の結晶粒子は、第１の磁性層の結晶粒子のそれぞれの上に結晶成長するので、第２の磁性層の結晶粒子も微細化される。その結果、第１の磁性層および第２の磁性層の結晶粒子が共に微細化されるので磁気記録媒体の媒体ノイズが低減される。
また、このようにＢ含有量を設定することで、第１の磁性層は、隣接する結晶粒子を離隔する粒界部に非磁性元素のＣｒやＢが拡散し、いわゆるＣｒやＢの偏析が促進される。そのため粒界部の厚さが増加し、隣接する結晶粒子の間隙が大きくなる。これは、第２の磁性層にも引き継がれる。したがって、第１の磁性層および第２の磁性層の結晶粒子同士が離隔されて形成されることにより、結晶粒子間の磁気的あるいは交換相互作用が低減される。この点からも磁気記録媒体の媒体ノイズが低減される。
一方、Ｃｒ含有量を第１の磁性層が第２の磁性層よりも少ない組成に設定することで、第１の磁性層の結晶粒子のＣｏ含有量が多くなるので、結晶粒子の結晶性を高めることができる。これは、結晶粒子がＣｏＣｒＰｔＢを主成分とした組成を有するが、このうちＣｏ原子が結晶粒子の結晶構造（ｈｃｐ（六方細密充填）構造）の骨格を形成しているため、Ｃｏ含有量が多いほど結晶性が良好になるからである。さらに、第２の磁性層の結晶粒子は、第１の磁性層の結晶粒子の良好な結晶性を引き継ぐので、結晶性が良好となる。したがって、異方性磁界が増加し、その結果保磁力が増加する。さらに同様の理由により飽和磁化が増加する。よって、磁気記録媒体は高密度記録に適した特性を有することになる。
以上により、本発明の磁気記録媒体は、媒体ノイズが低く、優れたＳ／Ｎを有し、高記録密度化が可能である。
また、前記記録層は、前記第１の磁性層の下に、下地層側から下部磁性層および非磁性結合層をさらに有し、前記下部磁性層と第１の磁性層とは交換結合すると共に、外部磁場が印加されない状態で該下部磁性層の磁化と第１の磁性層との磁化とが互いに反平行である構成としてもよい。このように記録層が反強磁性的な交換結合構造を有することにより、記録層の記録された磁化の熱安定性を高めることができる。その結果、磁気記録媒体は信頼性が向上する。
本発明の他の観点によれば、上記いずれか一項記載の磁気記録媒体と、記録素子と磁気抵抗効果型再生素子とを有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置が提供される。
本発明によれば、優れたＳ／Ｎを有し、高記録密度化が可能な磁気記憶装置が実現される。
本発明によれば、記録層がＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなる第１の磁性層および第２の磁性層からなり、下地層側の第１の磁性層を第２の磁性層よりも、Ｂ含有量が多くかつＣｒ含有量が少ない強磁性材料とすることにより、優れたＳ／Ｎを有し、高記録密度化が可能な磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供できる。
以下図面を参照しつつ実施の形態を説明する。
（第１の実施の形態）
図２は、本発明の第１の実施の形態の第１例に係る磁気記録媒体の断面図である。
図２は、本発明の第１の実施の形態の第１例に係る磁気記録媒体の断面図である。
図２を参照するに、第１例に係る磁気記録媒体１０は、基板１１と、基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、下地層１４、中間層１５、記録層１６、保護膜２０、および潤滑層２１が順に設けられた構成からなる。記録層１６は下地層１４側から第１磁性層１８および第２磁性層１９が順に設けられた２層構造を有している。
基板１１は、特に制限はなく、ガラス基板、ＮｉＰめっきアルミ合金基板、シリコン基板、プラスチック基板、セラミック基板、カーボン基板等を用いることができる。
基板１１の表面には、所定の方向に沿って延在する多数の溝からなる、いわゆるテクスチャ（不図示）を設けてもよい。ここで所定の方向は、磁気記録媒体１０の記録方向と略同じ方向であることが好ましい。例えば、磁気記録媒体１０がディスク状の場合はその周方向である。これにより、記録層１６を構成するＣｏＣｒＰｔＢ合金膜のｃ軸を周方向に配向させることできる。ＣｏＣｒＰｔＢ合金膜のｃ軸は磁化容易軸であるので記録層１６の保磁力が増加し、その結果、高記録密度の磁気記録媒体１０として好ましい磁気特性となる。なお、このようなテクスチャは基板１１の表面に限定されず、その代わりに次に説明する第１シード層１２あるいは第２シード層１３の表面に設けてもよい。
第１シード層１２は、非磁性で非晶質の金属材料からなる。第１シード層１２に好適な金属材料としては、ＣｏＷ、ＣｒＴｉ、ＮｉＰ、ＣｏＣｒＺｒ、およびこれらの金属を主成分とする金属が挙げられる。また、第１シード層１２の厚さは５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。第１シード層１２は、その表面が非晶質で結晶学的に一様であるので、この上に形成される第２シード層１３に結晶学的な異方性の影響を与えない。その結果、第２シード層１３がそれ自体の結晶構造を形成しやすくなるので、第２シード層１３の結晶性および結晶配向性が向上する。この効果は、その上の下地層１４等を介して記録層１６の結晶性および結晶配向性を向上させる。なお、第２シード層１３を設けない場合は、第１シード層１２は下地層１４に同様の効果を与える。
第２シード層１３は、非磁性でＢ２構造を有する結晶質の金属材料からなる。第２シード層１３に好適な金属材料としては、例えば、ＡｌＲｕ、ＮｉＡｌが挙げられる。また、第２シード層１３の厚さは１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。Ｂ２構造は、ｂｃｃ（体心立方）構造を基本としたＣｓＣｌ（塩化セシウム）型の金属規則相である。また、第２シード層１３の上に形成される下地層１４はｂｃｃ構造を有するので、第２シード層１３と下地層１４とは互いに結晶構造が近似する。したがって、下地層１４の結晶配向性が向上する。
なお、第２シード層１３は、多数の結晶粒子からなる多結晶体である。基板面に平行な断面における結晶粒子の大きさの肥大化を抑制する点で、第２シード層１３は、上記の材料からなる薄膜（例えば厚さ５ｎｍ）を積層して構成してもよい。このようにすることで、第２シード層１３自体の結晶性を維持しつつ、その結晶粒子の肥大化を抑制でき、下地層１４を介して第１磁性層および第２磁性層の各々の結晶粒子の肥大化を抑制できる。
なお、磁気記録媒体１０は、第１シード層１２および第２シード層１３を設ける方がより好ましいが、いずれかを省略してもよく、さらには両方とも省略してもよい。
下地層１４は、Ｃｒまたはｂｃｃ結晶構造を有するＣｒ合金からなる。下地層１４に好適なＣｒ合金としてはＣｒ−Ｘ3合金からなり、Ｘ3がＷ、Ｖ、Ｍｏ、Ｍｎおよびこれらの合金から選択される一種からなる金属である。下地層１４の厚さは、３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。下地層１４は、Ｃｒに金属Ｘ3を添加することにより格子定数を制御して中間層１５との格子整合性を高めることができる。これにより、中間層１５の結晶性を向上できる。さらに、中間層１５の結晶配向性、すなわち中間層１５の結晶軸のｃ軸を基板面に平行な方向（以下、「面内方向」という。）に配向させる。この結晶配向性は、第１磁性層１８および第２磁性層１９に引き継がれ、第１磁性層１８および第２磁性層１９のｃ軸を面内方向に配向させる。なお、中間層１５を設けない場合は、下地層１４は第１磁性層１８に同様の効果を与える。
また、下地層１４は、上記の材料からなる薄膜（例えば厚さ２ｎｍ）を積層して構成してもよい。このようにすることで、下地層１４の結晶性を維持しつつ、その結晶粒子の肥大化を抑制できる。その結果、第１磁性層１８および第２磁性層１９の結晶粒子の肥大化を抑制できる。
中間層１５は、ｈｃｐ構造を有するＣｏ−Ｘ2合金からなる。ここで、Ｘ2は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｒｕ、およびこれらの合金から選択される一種である。中間層１５の厚さは、０．５ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。中間層１５は下地層１４の表面上にエピタキシャル成長しｈｃｐ構造を形成する。第１磁性層１８はＣｏＣｒＰｔＢ膜でｈｃｐ構造を有するため、中間層１５を設けることで、中間層１５と第１磁性層１８との結晶整合が良好となる。その結果、第１磁性層１８は中間層１５との界面付近の領域（いわゆる初期成長層）が、結晶粒子が粒界部により分離され、結晶粒子の結晶性が向上するという好ましい構造が形成される。その結果、記録層１６の媒体ノイズが低減される。
また、中間層１５はｃ軸が面内方向に配向するため、第１磁性層１８のｃ軸の面内方向の配向を促進させる。その結果、記録層１６の面内方向の保磁力が増加し、高密度記録に好適な磁気特性を有することになる。なお、中間層１５は、下地層１４と同様に、上記の材料からなる薄膜を複数積層してもよい。また、中間層１５を設ける方が好ましいが、必須ではない。
第１磁性層１８および第２磁性層１９はＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなる。第１磁性層１８および第２磁性層１９に好適な強磁性材料としては、ＣｏＣｒＰｔＢまたはＣｏＣｒＰｔＢ−Ｍ合金からなり、ここで添加成分Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔａ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、ＳｉおよびＰｄのうち少なくとも一種からなる。
第１磁性層１８は、第２磁性層１９よりもＢ含有量が多くかつＣｒ含有量が少ない組成に設定される。このようにＢ含有量を設定することで、第１磁性層１８は、結晶粒子の基板面に平行な断面における大きさが低減され、結晶粒子の微細化が促進される。そして、第２磁性層１９の結晶粒子はそれぞれ一つの第１磁性層１８の結晶粒子上に結晶成長するので、第２磁性層１９の結晶粒子も微細化される。その結果、第１磁性層１８および第２磁性層１９の結晶粒子が微細化されるので媒体ノイズが低減される。
また、このようにＢ含有量を設定することで、第１磁性層１８は、隣接する結晶粒子を離隔する粒界部に非磁性元素のＣｒやＢが拡散し、いわゆるＣｒやＢの偏析が促進される。そのため粒界部の厚さが増加し、隣接する結晶粒子の間隙が大きくなる。結晶粒子同士が離隔されて形成されることにより、結晶粒子間の磁気的あるいは交換相互作用が低減される。この点からも媒体ノイズが低減される。したがって、よりいっそう媒体ノイズが低減される。
一方、上述したように、Ｃｒ含有量を第１磁性層１８が第２磁性層１９よりも少ない組成に設定される。することで、第１磁性層１８の結晶粒子のＣｏ含有量を多くして結晶性を高めることができる。これは、結晶粒子がＣｏＣｒＰｔＢを主成分とした組成を有するが、このうちＣｏ原子がｈｃｐ構造の骨格を形成しているため、Ｃｏ含有量が多いほど結晶性が良好に維持されるからである。
さらに、第２磁性層１９の結晶粒子は、第１磁性層１８の結晶粒子の良好な結晶性を引き継ぐので、結晶性が良好となる。その結果、異方性磁界が増加して保磁力が増加する。さらにまた飽和磁化が増加する。よって、磁気記録媒体１０は高密度記録に適した特性を有することになる。
第１磁性層１８は、その表面に第２磁性層１９を良好に結晶成長させる点で、第２磁性層１９よりも厚い方が好ましい。第１磁性層１８と第２磁性層１９からなる記録層１６の全体の厚さは、磁気記録媒体１０の電磁変換特性における分解能やオーバーライト特性により所定の厚さに制限される。一方、第１磁性層１８は、厚く形成するほどその表面の状態が良好となる。具体的には、第１磁性層１８の表面の結晶粒子間の分離の程度や結晶粒子の結晶性が良好となる。これにより、第２磁性層１９の結晶性や、結晶配向性が良好となり、保磁力が増加する。
また、第２磁性層１９は、第１磁性層１８よりも媒体ノイズが低減される点で上記の添加成分Ｍの含有量が多い方が好ましい。
保護膜２０は、公知の保護膜材料から選択され、例えばダイヤモンドライクカーボン、窒化カーボン、アモルファスカーボン等から構成される。保護膜２０の厚さは、０．５ｎｍ〜１０ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍから５ｎｍ）の範囲に設定される。
潤滑層２１は、特に制限されないが、例えばパーフルオロポリエーテルを主鎖として末端基が−ＯＨ、ベンゼン環等よりなる有機系液体潤滑剤を用いることができる。なお、潤滑剤は保護膜２０の材料に合わせて適宜選定される。
次に第１例に係る磁気記録媒体１０の製造方法を図２を参照しつつ説明する。最初に、基板１１の表面にテクスチャを形成する場合は、スパッタ装置に載置する前にテクスチャ加工を行う。テクスチャ加工はテクスチャ形成装置を用いて行う。具体的には、基板１１の表面にパッドを押圧し、研磨剤を含むスラリーを基板１１の表面に供給しながら、基板１１とパッドとを相対的に移動させて、基板１１の表面に研磨痕を形成する。テクスチャを第１シード層１２あるいは第２シード層１３の表面に形成する場合も同様にして行う。
次いで、基板１１の表面を清浄化した後、スパッタ装置、例えばＤＣマグネトロンスパッタに基板１１を載置し、例えば約１８０℃に基板１１を加熱する。ＤＣマグネトロンスパッタのチャンバー内は予め真空度１×１０-5Ｐａ以下に排気後、Ａｒ等の不活性ガスやプロセスガスを供給することが好ましい。
次いで、チャンバー内にＡｒガス等の不活性ガスを供給し、第１シード層１２から第２磁性層１９までを各々の材料からなるスパッタターゲットを用いて成膜する。第１シード層１２から第２磁性層１９までを形成する間に基板１１の加熱をさらに行ってもよい。
次いで、第２磁性層１９上にスパッタ法、ＣＶＤ法、ＦＣＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄ Ａｒｃ）法等を用いて保護膜２０を形成する。さらに、保護膜２０上に潤滑層２１を形成する。具体的には、浸漬法、スピンコート法等を用いて希釈した潤滑剤溶液を保護膜２０上に塗布して潤滑層２１を形成する。以上により第１例に係る磁気記録媒体１０が形成される。なお、以下に説明する第２例〜第４例に係る磁気記録媒体も第１例に係る磁気記録媒体１０と略同様の方法で製造する。
以上説明したように、第１例に係る磁気記録媒体１０は、媒体ノイズが低く、優れたＳ／Ｎを有し、高記録密度化が可能である。また第１磁性層１８および第２磁性層１９の結晶粒子の結晶性が良好であるので、異方性磁界が大きい。その結果、面内方向の保磁力が増加する。この点においても磁気記録媒体１０は、高記録密度化が可能である。
図３は、第１の実施の形態の第２例に係る磁気記録媒体の断面図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図３を参照するに、第２例に係る磁気記録媒体３０は、基板１１と、基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、下地層１４、中間層１５、記録層３１、保護膜２０、および潤滑層２１が順に設けられた構成からなる。磁気記録媒体３０は、記録層３１が異なる以外は第１例に係る磁気記録媒体と同様の構成を有する。
記録層３１は、基板１１側から下部磁性層３２、非磁性結合層３３、第１磁性層１８、および第２磁性層１９が順に設けられている。記録層３１は、下部磁性層３２と第１磁性層１８とが非磁性結合層３３を介して反強磁性的に交換結合された交換結合構造を有する。すなわち、下部磁性層３２の磁化と第１磁性層１８の磁化とは、外部磁界が印加されない状態で互いに反平行方向に向いている。なお、第１磁性層１８と第２磁性層１９とは強磁性的に交換結合しているので、下部磁性層３２と第２磁性層１９とは間接的に反強磁性的に交換結合している。
下部磁性層３２は、ＣｏＣｒまたはＣｏＣｒ−Ｘ1合金の強磁性材料からなる。ここで、添加元素Ｘ1は、Ｐｔ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ａｕ、Ｍｎ、Ｉｒ、ＳｉおよびＰｄから少なくとも一種選択されたものである。ＣｏＣｒ−Ｘ1合金は、下部磁性層３２の粒径制御が良好な点で好ましい。なお、下部磁性層３２は、一層のみならず、上記の強磁性材料からなる膜を複数積層した構成を有してもよい。
非磁性結合層３３は、例えばＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ合金、Ｒｈ合金、Ｉｒ合金等から選択される。非磁性結合層３３は、第１磁性層１８との結晶整合性が良好な点で、Ｒｕまたはｈｃｐ構造を有するＲｕ合金からなることが好ましい。これは、第１磁性層１８がｈｃｐ構造を有し、かつ格子定数が近接していることによる。Ｒｕ合金としては、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＭｎのうちいずれか一種、またはこれらの合金とＲｕの合金が挙げられる。
また、非磁性結合層３３の厚さは０．４ｎｍ〜１．２ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。この範囲に非磁性結合層３３の厚さを設定することで、非磁性結合層３３を介して下部磁性層３２の磁化と第１磁性層１８の磁化とが反強磁性的に交換結合する。
このように、下部磁性層３２と、第１磁性層１８および第２磁性層１９とが反強磁性的に交換結合しているので、交換結合した磁化が占める総体積が増加する。これにより、記録された磁化の熱安定性が高まる。高密度記録では、この磁化が占める総体積は減少するが、下部磁性層３２によりその減少量を抑制できるので、記録された磁化の熱安定性の劣化を抑制できる。
第１磁性層１８は、下部磁性層３２との交換結合作用が強まる点で、第２磁性層１９よりもＣｏ含有量が多い方が好ましい。
第２例に係る磁気記録媒体３０は、第１例の磁気記録媒体と同様の効果を有し、さらに、記録層３１に記録された磁化の熱安定性が優れている。その結果、磁気記録媒体３０は高記録密度化が可能となる。また、第１磁性層１８のＣｏ含有量を第２磁性層１９よりも多く設定することで、下部磁性層３２と第１磁性層１８との反強磁性的な交換結合作用をいっそう強め、磁気記録媒体３０は、記録層３１に記録された磁化の熱安定性をいっそう高めることができる。
図４は、第１の実施の形態の第３例に係る磁気記録媒体の断面図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図４を参照するに、第３例に係る磁気記録媒体４０は、基板１１と、基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、下地層１４、中間層１５、記録層４１、保護膜２０、および潤滑層２１が順に設けられた構成からなる。磁気記録媒体４０は、記録層４１が異なる以外は第１例に係る磁気記録媒体と同様の構成を有する。
記録層４１は、基板１１側から第１磁性層４２1、第２磁性層４２2、…、第ｎ−１磁性層４２n-1、第ｎ磁性層４２nが順に設けられた、ｎ層の磁性層からなる。ここで、ｎは３以上の整数である。記録層４１は、第１例に係る磁気記録媒体の記録層を２層からｎ層に拡張したものである。
第１磁性層４２1〜第ｎ磁性層４２nの各々の磁性層は、図２に示す第１例に係る磁気記録媒体の第１磁性層１８および第２磁性層１９と同様の材料から構成される。
第１磁性層４２1〜第ｎ磁性層４２n-1の各々の磁性層は、その上側（直上）の磁性層よりも、Ｂ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ない組成に設定される。このようにすることで、下側の磁性層は結晶粒子の微細化が促進され、その結晶粒子の粒径が上側の磁性層に引き継がれ、上側の磁性層の結晶粒子も微細化される。その結果、第１磁性層４２1〜第ｎ磁性層４２n-1の結晶粒子が微細化されるので媒体ノイズが低減される。
第３例に係る磁気記録媒体４０は、第１例の磁気記録媒体と同様の効果を有すると共に、媒体ノイズが一層低減されるので、優れたＳ／Ｎを有し、高記録密度化が可能となる。
図５は、第１の実施の形態の第４例に係る磁気記録媒体の断面図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図５を参照するに、第４例に係る磁気記録媒体５０は、基板１１と、基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、下地層１４、中間層１５、記録層５１、保護膜２０、および潤滑層２１が順に設けられた構成からなる。磁気記録媒体５０は、記録層５１が異なる以外は第１例に係る磁気記録媒体と同様の構成を有する。
記録層５１は、基板１１側から、下部磁性層３２、非磁性結合層３３、第１磁性層４２1、第２磁性層４２2、…、第ｎ−１磁性層４２n-1、第ｎ磁性層４２nが順に設けられた構成を有する。すなわち、記録層５１は、図３に示す第２例に係る磁気記録媒体３０の記録層３１の交換結合構造と第３例に係る磁気記録媒体４０の記録層４１のｎ層の磁性層とを組み合わせたものである。
したがって、第４例に係る磁気記録媒体５０は、第１例に係る磁気記録媒体の効果を有すると共に、さらに媒体ノイズが一層低減される。さらに、磁気記録媒体５０は、記録層５１に記録された磁化の熱安定性が優れている。
次に本実施の形態に係る実施例と本発明によらない比較例を示す。
［実施例］
実施例に係る磁気ディスクは、その構成を図２に示す第１例の磁気記録媒体と同様の構成とした。その具体的構成を以下に示す。
実施例に係る磁気ディスクは、その構成を図２に示す第１例の磁気記録媒体と同様の構成とした。その具体的構成を以下に示す。
ガラス基板（直径６５ｍｍ）
第１シード層：Ｃｒ50Ｔｉ50膜（２５ｎｍ）
第２シード層：Ａｌ50Ｒｕ50膜（２５ｎｍ）
下地層：Ｃｒ75Ｍｏ25膜（５ｎｍ）
中間層：Ｃｏ58Ｃｒ42膜（１ｎｍ）
第１磁性層：Ｃｏ65Ｃｒ11Ｐｔ11Ｂ13膜（１０ｎｍ）
第２磁性層：Ｃｏ60Ｃｒ18Ｐｔ11Ｂ8Ｃｕ3膜（５ｎｍ）
保護膜：アモルファスカーボン膜（５ｎｍ）
潤滑層：ＡＭ３００１（１．５ｎｍ）
なお、上記のかっこ内の数値は厚さを表し、組成の数値は原子％で表している。
第１シード層：Ｃｒ50Ｔｉ50膜（２５ｎｍ）
第２シード層：Ａｌ50Ｒｕ50膜（２５ｎｍ）
下地層：Ｃｒ75Ｍｏ25膜（５ｎｍ）
中間層：Ｃｏ58Ｃｒ42膜（１ｎｍ）
第１磁性層：Ｃｏ65Ｃｒ11Ｐｔ11Ｂ13膜（１０ｎｍ）
第２磁性層：Ｃｏ60Ｃｒ18Ｐｔ11Ｂ8Ｃｕ3膜（５ｎｍ）
保護膜：アモルファスカーボン膜（５ｎｍ）
潤滑層：ＡＭ３００１（１．５ｎｍ）
なお、上記のかっこ内の数値は厚さを表し、組成の数値は原子％で表している。
実施例に係る磁気ディスクを以下のようにして作製した。最初にガラス基板の表面に周方向に沿って延在するテクスチャを形成した。次いで、表面を清浄化したガラス基板を真空中で２００℃に加熱した。
次いで、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いてＡｒガス雰囲気中（圧力０．６７Ｐａ）で、上記膜構成のうちＣｒ50Ｔｉ50膜からカーボン膜までを各々の真空チャンバー内で連続して形成した。次いで、引き上げ法によりアモルファスカーボン膜の表面に潤滑層を塗布した。なお、加熱装置およびＤＣマグネトロンスパッタ装置の真空チャンバー内を予め１×１０-5Ｐａ以下の高真空に排気した後、アルゴンガスを供給して上記の圧力に設定した。
［比較例］
比較例に係る磁気ディスクは、実施例の第２磁性層と同様の組成の強磁性材料を第１磁性層と第２磁性層の両方に用いた以外は実施例と同様の構成とした。比較例に係る磁気ディスクの作製方法は実施例と略同様である。なお、第１磁性層と第２磁性層とは異なる真空チャンバーで成膜し、第１磁性層と第２磁性層との間では成膜を一旦停止した。以下、実施例と異なる層のみを示す。
比較例に係る磁気ディスクは、実施例の第２磁性層と同様の組成の強磁性材料を第１磁性層と第２磁性層の両方に用いた以外は実施例と同様の構成とした。比較例に係る磁気ディスクの作製方法は実施例と略同様である。なお、第１磁性層と第２磁性層とは異なる真空チャンバーで成膜し、第１磁性層と第２磁性層との間では成膜を一旦停止した。以下、実施例と異なる層のみを示す。
第１磁性層：Ｃｏ60Ｃｒ18Ｐｔ11Ｂ8Ｃｕ3膜（１０ｎｍ）
第２磁性層：Ｃｏ60Ｃｒ18Ｐｔ11Ｂ8Ｃｕ3膜（５ｎｍ）
図６Ａは、実施例に係る磁気ディスクの第２磁性層のＴＥＭ（透過電子顕微鏡）写真、図６Ｂは、比較例に係る磁気ディスクの第２磁性層のＴＥＭ写真である。ＴＥＭ写真は第２磁性層の表面を示しており、暗い領域が結晶粒子、暗い領域を囲んでいる明るい領域が粒界部を示している。また、図７は、実施例および比較例に係る磁気ディスクの特性図である。なお、図７では磁気ディスクの磁気特性を合わせて示している。
第２磁性層：Ｃｏ60Ｃｒ18Ｐｔ11Ｂ8Ｃｕ3膜（５ｎｍ）
図６Ａは、実施例に係る磁気ディスクの第２磁性層のＴＥＭ（透過電子顕微鏡）写真、図６Ｂは、比較例に係る磁気ディスクの第２磁性層のＴＥＭ写真である。ＴＥＭ写真は第２磁性層の表面を示しており、暗い領域が結晶粒子、暗い領域を囲んでいる明るい領域が粒界部を示している。また、図７は、実施例および比較例に係る磁気ディスクの特性図である。なお、図７では磁気ディスクの磁気特性を合わせて示している。
図６Ａ、図６Ｂ、および図７を参照するに、第２磁性層の組成は実施例と比較例とで同様であるが、比較例に対して実施例は各々の結晶粒子が小さくなっていることが分かる。図７に示すように、実施例の結晶粒子の平均粒径が、比較例に対して２６％も低減されていることが分かる。すなわち、実施例は比較例よりも第２磁性層の結晶粒子の微細化が促進されていることが分かる。
また、第２磁性層の隣接する結晶粒子間の距離、すなわち、粒界部の厚さは比較例よりも実施例の方が大きい。図７に示すように、実施例の粒界部の平均厚さが、比較例に対して３５％も増加していることが分かる。このことにより、実施例ではＣｒやＢが、比較例よりも粒界部に多く移動しており、いわゆるＣｒやＢの偏析が促進されていることが分かる。また、このことから結晶粒子の組成が、比較例よりも実施例の方がＣｏ含有量が多くなっていることが容易に推察できる。Ｃｏ含有量が多くなると飽和磁化が増加するので、再生出力が増加するという好ましい効果が生ずる。
なお、結晶粒子の平均粒径と粒界部の平均厚さは、第２磁性層の表面ＴＥＭ写真（総合倍率約２００万倍）を用いて以下のようにして求めた。最初に、画像解析装置を用いて、所定の領域内の結晶粒子の面積を求めた。結晶粒子の面積は、各々の結晶粒子を楕円形に近似し、楕円形の面積を結晶粒子の面積とした。次いで、楕円形の面積と同面積の真円の直径を結晶粒子の粒径とした。このようにして、１００個から２００個程度の結晶粒子について、結晶粒子の粒径を求めて平均し、結晶粒子の平均粒径を求めた。
また、粒界部の平均厚さは、最初に画像解析装置を用いて所定の領域内の粒界部の総面積を求めた。また、上記真円の周長を結晶粒子の周長として、所定の領域内にある結晶粒子の周長の総計を求めた。そして、先に求めた粒界部の総面積を結晶粒子の周長の総計で除して得られた数値を粒界部の平均厚さとした。
一方、図７に示すように、実施例の保磁力は、比較例に対して６％程度増加している。これは主に実施例の結晶粒子の結晶性が比較例よりも良好であることによるものであると推察できる。
また、実施例のＳ／Ｎｍは、比較例に対して０．４ｄＢも向上していることが分かる。これは、結晶粒子の微細化および粒界部の平均厚さの増加（ＣｒやＢの偏析促進）によるものである。
以上説明したように、実施例によれば、第１磁性層を第２磁性層よりもＢ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ない組成とすることで、第２磁性層の結晶粒子の微細化および粒界部の平均厚さが増加し、その結果、高保磁力および高Ｓ／Ｎ比の磁気ディスクが得られた。
なお、保磁力の測定は振動試料型磁力計を用いた。また、Ｓ／Ｎｍの測定は、市販のスピンスタンドと、誘導型記録素子とＧＭＲ再生素子を有する複合型磁気ヘッドを用いた。Ｓ／Ｎｍは、平均出力Ｓiso（８９ｋＦＣＩ）と媒体ノイズＮｍから１０×ｌｏｇ（Ｓiso／Ｎｍ）（ｄＢ）として求めた。
（第２の実施の形態）
図８は、本発明の第２の実施の形態の磁気記憶装置の要部を示す平面図である。
図８は、本発明の第２の実施の形態の磁気記憶装置の要部を示す平面図である。
図８を参照するに、磁気記憶装置６０は大略ハウジング６１からなる。ハウジング６１内には、スピンドル（図示されず）により駆動されるハブ６２、ハブ６２に固定され回転される磁気記録媒体６３、アクチュエータユニット６４、アクチュエータユニット６４に取り付けられ磁気記録媒体６３の半径方向に移動されるアーム６５及びサスペンション６６、サスペンション６６に支持された磁気ヘッド６８が設けられている。磁気ヘッド６８は、ＭＲ素子（磁気抵抗効果型素子）、ＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果型素子）、あるいはＴＭＲ素子（トンネル磁気効果型）等の再生ヘッドと誘導型の記録ヘッドとの複合型ヘッドからなる。この磁気記憶装置６０の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
磁気記録媒体６３は、例えば第１の実施の形態の第１例から第４例の磁気記録媒体のいずれかである。磁気記録媒体６３は媒体ノイズが低くＳ／Ｎ比が良好であるので、磁気記憶装置６０の高記録密度化を図ることが可能である。
なお、本実施の形態に係る磁気記憶装置６０の基本構成は、図６に示すものに限定されるものではなく、磁気ヘッド６８は上述した構成に限定されず、公知の磁気ヘッドを用いることができる。
以上本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
例えば、上記第２の実施の形態の磁気記録媒体は磁気ディスクを例として説明したが磁気テープでもよい。磁気テープにはディスク状の基板の代わりにテープ状の基板、例えば、テープ状のＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリイミド等のプラスチックフィルムを用いる。
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１） 基板と、
前記基板上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた記録層と、を備え、
前記記録層は、下地層側から第１の磁性層および第２の磁性層とからなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなり、
前記第１の磁性層は、第２の磁性層よりも、Ｂ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする磁気記録媒体。
（付記２） 前記記録層は、
前記第１の磁性層の下に、下地層側から下部磁性層および非磁性結合層をさらに有し、
前記下部磁性層と第１の磁性層とは交換結合すると共に、外部磁場が印加されない状態で該下部磁性層の磁化と第１の磁性層との磁化とが互いに反平行であることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
（付記３） 前記下部磁性層はＣｏＣｒまたはＣｏＣｒ−Ｘ1合金からなり、該Ｘ1が、Ｐｔ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ａｕ、Ｍｎ、Ｉｒ、ＳｉおよびＰｄからなる群のうち少なくとも一種からなることを特徴とする付記２記載の磁気記録媒体。
（付記４） 前記第１の磁性層は、そのＣｏ含有量が、第２の磁性層と同程度あるいはそれよりも多いことを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記５） 前記第１の磁性層および第２の磁性層は添加成分Ｍを含むＣｏＣｒＰｔＢ−Ｍ合金からなり、
前記添加成分Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔａ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、ＳｉおよびＰｄからなる群のうち少なくとも一種からなることを特徴とする付記１〜４のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記６） 前記第２の磁性層は、第１の磁性層よりも、前記添加成分Ｍの含有量が多いことを特徴とする付記１〜５のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記７） 前記第１の磁性層の厚さは、第２の磁性層の厚さよりも大きいことを特徴とする付記１〜６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記８） 前記下地層はＣｒまたはｂｃｃ結晶構造を有するＣｒ合金からなることを特徴とする付記１〜７のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記９） 前記Ｃｒ合金はＣｒ−Ｘ3合金からなり、該Ｘ3がＷ、Ｖ、Ｍｏ、Ｍｎおよびこれらの合金から選択される一種からなることを特徴とする付記８記載の磁気記録媒体。
（付記１０） 前記下地層と記録層との間にｈｃｐ構造を有するＣｏ−Ｘ2合金からなる中間層をさらに備え、該Ｘ2がＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｒｅ、ＲｕおよびＨｆからなる群のうち少なくとも一種からなることを特徴とする付記１〜９のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１１） 前記基板と下地層との間にＢ２構造を有する結晶質のシード層を備えることを特徴とする付記１〜１０のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１２） 前記基板と下地層との間に非晶質の他のシード層を備え、
前記他のシード層は、ＣｏＷ、ＣｒＴｉ、ＮｉＰ、ＣｏＣｒＺｒおよびこれらの金属を主成分とする金属からなる群のうちいずれか１つからなることを特徴とする付記１〜１０のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１３） 前記基板と下地層との間に、基板側から他のシード層、シード層の順に設けられてなることを特徴とする付記１２記載の磁気記録媒体。
（付記１４） 当該磁気記録媒体はディスク状の形状を有し、
前記基板、シード層、および他のシード層のうち、いずれかの表面に周方向に沿って延在する凹凸が形成されてなることを特徴とする付記１２または１３記載の磁気記録媒体。
（付記１５） 基板と、
前記基板上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた記録層と、を備え、
前記記録層は、下地層側から第１の磁性層から第ｎの磁性層までが順に設けられたｎ層の磁性層からなり、
前記第１の磁性層から第ｎの磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ合金を主成分とする強磁性材料からなり、
前記第１の磁性層から第ｎ−１の磁性層は、各々の直上の磁性層よりも、Ｂ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする磁気記録媒体。
（付記１６） 前記記録層は、
前記下部磁性層の下に、下地層側から下部磁性層および非磁性結合層をさらに有し、
前記下部磁性層と第１の磁性層とは交換結合すると共に、外部磁場が印加されない状態で該下部磁性層の磁化と第１の磁性層との磁化とが互いに反平行であることを特徴とする付記１６記載の磁気記録媒体。
（付記１７） 付記１〜１６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体と、
記録素子と磁気抵抗効果型再生素子とを有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置。
（付記１８） ディスク状の基板と、前記基板上に設けられた下地層と、前記下地層上に設けられた記録層と、を有する磁気ディスクと、
記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気ディスク装置であって、
前記記録層は、下地層側から第１の磁性層および第２の磁性層とからなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなり、
前記第１の磁性層は、第２の磁性層よりも、Ｂ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする磁気ディスク装置。
（付記１） 基板と、
前記基板上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた記録層と、を備え、
前記記録層は、下地層側から第１の磁性層および第２の磁性層とからなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなり、
前記第１の磁性層は、第２の磁性層よりも、Ｂ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする磁気記録媒体。
（付記２） 前記記録層は、
前記第１の磁性層の下に、下地層側から下部磁性層および非磁性結合層をさらに有し、
前記下部磁性層と第１の磁性層とは交換結合すると共に、外部磁場が印加されない状態で該下部磁性層の磁化と第１の磁性層との磁化とが互いに反平行であることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
（付記３） 前記下部磁性層はＣｏＣｒまたはＣｏＣｒ−Ｘ1合金からなり、該Ｘ1が、Ｐｔ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ａｕ、Ｍｎ、Ｉｒ、ＳｉおよびＰｄからなる群のうち少なくとも一種からなることを特徴とする付記２記載の磁気記録媒体。
（付記４） 前記第１の磁性層は、そのＣｏ含有量が、第２の磁性層と同程度あるいはそれよりも多いことを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記５） 前記第１の磁性層および第２の磁性層は添加成分Ｍを含むＣｏＣｒＰｔＢ−Ｍ合金からなり、
前記添加成分Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔａ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、ＳｉおよびＰｄからなる群のうち少なくとも一種からなることを特徴とする付記１〜４のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記６） 前記第２の磁性層は、第１の磁性層よりも、前記添加成分Ｍの含有量が多いことを特徴とする付記１〜５のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記７） 前記第１の磁性層の厚さは、第２の磁性層の厚さよりも大きいことを特徴とする付記１〜６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記８） 前記下地層はＣｒまたはｂｃｃ結晶構造を有するＣｒ合金からなることを特徴とする付記１〜７のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記９） 前記Ｃｒ合金はＣｒ−Ｘ3合金からなり、該Ｘ3がＷ、Ｖ、Ｍｏ、Ｍｎおよびこれらの合金から選択される一種からなることを特徴とする付記８記載の磁気記録媒体。
（付記１０） 前記下地層と記録層との間にｈｃｐ構造を有するＣｏ−Ｘ2合金からなる中間層をさらに備え、該Ｘ2がＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｒｅ、ＲｕおよびＨｆからなる群のうち少なくとも一種からなることを特徴とする付記１〜９のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１１） 前記基板と下地層との間にＢ２構造を有する結晶質のシード層を備えることを特徴とする付記１〜１０のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１２） 前記基板と下地層との間に非晶質の他のシード層を備え、
前記他のシード層は、ＣｏＷ、ＣｒＴｉ、ＮｉＰ、ＣｏＣｒＺｒおよびこれらの金属を主成分とする金属からなる群のうちいずれか１つからなることを特徴とする付記１〜１０のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１３） 前記基板と下地層との間に、基板側から他のシード層、シード層の順に設けられてなることを特徴とする付記１２記載の磁気記録媒体。
（付記１４） 当該磁気記録媒体はディスク状の形状を有し、
前記基板、シード層、および他のシード層のうち、いずれかの表面に周方向に沿って延在する凹凸が形成されてなることを特徴とする付記１２または１３記載の磁気記録媒体。
（付記１５） 基板と、
前記基板上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた記録層と、を備え、
前記記録層は、下地層側から第１の磁性層から第ｎの磁性層までが順に設けられたｎ層の磁性層からなり、
前記第１の磁性層から第ｎの磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ合金を主成分とする強磁性材料からなり、
前記第１の磁性層から第ｎ−１の磁性層は、各々の直上の磁性層よりも、Ｂ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする磁気記録媒体。
（付記１６） 前記記録層は、
前記下部磁性層の下に、下地層側から下部磁性層および非磁性結合層をさらに有し、
前記下部磁性層と第１の磁性層とは交換結合すると共に、外部磁場が印加されない状態で該下部磁性層の磁化と第１の磁性層との磁化とが互いに反平行であることを特徴とする付記１６記載の磁気記録媒体。
（付記１７） 付記１〜１６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体と、
記録素子と磁気抵抗効果型再生素子とを有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置。
（付記１８） ディスク状の基板と、前記基板上に設けられた下地層と、前記下地層上に設けられた記録層と、を有する磁気ディスクと、
記録素子と磁気抵抗効果型再生素子を有する記録再生手段と、を備える磁気ディスク装置であって、
前記記録層は、下地層側から第１の磁性層および第２の磁性層とからなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなり、
前記第１の磁性層は、第２の磁性層よりも、Ｂ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする磁気ディスク装置。
１０、３０、４０、５０ 磁気記録媒体
１１ 基板
１２ 第１シード層
１３ 第２シード層
１４ 下地層
１５ 中間層
１６、３１、４１ 記録層
１８ 第１磁性層
１９ 第２磁性層
２０ 保護膜
２１ 潤滑層
３２ 下部磁性層
３３ 非磁性結合層
４２1〜４２n 第１磁性層〜第ｎ磁性層
６０ 磁気記憶装置
１１ 基板
１２ 第１シード層
１３ 第２シード層
１４ 下地層
１５ 中間層
１６、３１、４１ 記録層
１８ 第１磁性層
１９ 第２磁性層
２０ 保護膜
２１ 潤滑層
３２ 下部磁性層
３３ 非磁性結合層
４２1〜４２n 第１磁性層〜第ｎ磁性層
６０ 磁気記憶装置
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた記録層と、を備え、
前記記録層は、下地層側から第１の磁性層および第２の磁性層とからなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢを主成分とする強磁性材料からなり、
前記第１の磁性層は、第２の磁性層よりも、Ｂ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記記録層は、
前記第１の磁性層の下に、下地層側から下部磁性層および非磁性結合層をさらに有し、
前記下部磁性層と第１の磁性層とは交換結合すると共に、外部磁場が印加されない状態で該下部磁性層の磁化と第１の磁性層との磁化とが互いに反平行であることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 前記下部磁性層はＣｏＣｒまたはＣｏＣｒ−Ｘ1合金からなり、該Ｘ1が、Ｐｔ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ａｕ、Ｍｎ、Ｉｒ、ＳｉおよびＰｄからなる群のうち少なくとも一種からなることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
- 前記第１の磁性層は、そのＣｏ含有量が、第２の磁性層と同程度あるいはそれよりも多いことを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
- 前記第１の磁性層および第２の磁性層は添加成分Ｍを含むＣｏＣｒＰｔＢ−Ｍ合金からなり、
前記添加成分Ｍは、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔａ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｉｒ、ＳｉおよびＰｄからなる群のうち少なくとも一種からなることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。 - 前記第１の磁性層の厚さは、第２の磁性層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
- 前記下地層はＣｒまたはｂｃｃ構造を有するＣｒ合金からなることを特徴とする請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
- 前記下地層と記録層との間にｈｃｐ構造を有するＣｏ−Ｘ2合金からなる中間層をさらに備え、該Ｘ2がＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｒｅ、ＲｕおよびＨｆからなる群のうち少なくとも一種からなることを特徴とする請求項１〜７のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
- 基板と、
前記基板上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた記録層と、を備え、
前記記録層は、下地層側から第１の磁性層から第ｎの磁性層までが順に設けられたｎ層の磁性層からなり、
前記第１の磁性層から第ｎの磁性層は、ＣｏＣｒＰｔＢ合金を主成分とする強磁性材料からなり、
前記第１の磁性層から第ｎ−１の磁性層は、各々の直上の磁性層よりも、Ｂ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする磁気記録媒体。 - 請求項１〜９のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体と、
記録素子と磁気抵抗効果型再生素子とを有する記録再生手段と、を備える磁気記憶装置。
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080603 |