KR100699761B1 - 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기록층의 보자력을 향상시키는 동시에 S/N 비의 향상을 도모하여, 고기록 밀도화가 가능한 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판(11)과, 기판(11)상에 결정질 재료로 이루어지는 시드층(12)과, 입자 지름 제어층(13)과, 하지층(14)과, 기록층(19)으로 구성하여, 결정질 재료로 이루어지는 시드층(12)상에 Ag막이나 W막을 섬 형상 혹은 층상으로 퇴적시킨 입자 지름 제어층(13)을 설치한다. 입자 지름 제어층(13)은 하지층(14)의 성장핵으로서 기능하고, 그 위에 형성되는 하지층(14)의 결정 입자의 입자 지름을 제어한다. 특히 입자 지름 제어층(13)이 섬 형상으로 퇴적하는 경우는, 하지층(14)이 시드층(12)과 입자 지름 제어층(13)의 표면에서 성장하기 때문에 하지층(14)은 시드층(12) 표면의 영향에 의해 결정성이 향상된다.
Description
도 1은 본 발명에 따른 자기 기록 매체의 기본 구성을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태의 제1 예에 따른 자기 기록 매체의 단면도.
도 3은 제1 실시 형태의 제2 예에 따른 자기 기록 매체의 단면도.
도 4는 실시예 1 및 비교예에 따른 자기 디스크의 특성도.
도 5는 실시예 2 및 비교예에 따른 자기 디스크의 특성도.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태의 자기 기억 장치의 주요부를 도시한 도면.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
10, 30, 63 : 자기 기록 매체
11 : 기판
12 : 시드층(제2 시드층)
13 : 입자 지름 제어층
14 : 하지층
14a, 19a : 결정 입자
15 : 비자성 중간층
16 : 제1 자성층
17 : 비자성 결합층
18 : 제2 자성층
19 : 기록층
20 : 보호막
21 : 윤활층
31 : 제1 시드층
68 : 자기 헤드
본 발명은 면내 자기 기록 방식에 이용되는 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치에 관한 것이다.
최근, 자기 기억 장치, 예컨대 자기 디스크 장치는 디지털화한 동영상이나 음악의 기억 장치로서 광범위한 용도에 이용되고 있다. 특히, 가정용 동영상 기록용으로서 이용되고, 종래의 비디오 테이프를 이용한 가정용 비디오 장치를 대신하여, 고속 액세스·소형·대용량 등의 특징을 활용하여 현저히 시장 규모가 증대하고 있다. 동영상은 특히 정보량이 많아 자기 디스크 장치의 대용량화가 요구되고 있다. 그 때문에, 지금까지 연율 100%로 증가해 온 기록 밀도를 더욱 향상시키기 위해서, 자기 기록 매체 및 자기 헤드를 한층 더 고기록 밀도화하기 위한 기술 개발이 불가결하다.
자기 기록 매체의 고기록 밀도화의 한 방법으로서, 매체 노이즈를 줄여서 신호 대 매체 노이즈비(S/N 비)를 향상하는 것을 들 수 있다. 매체 노이즈는 직류 소자 노이즈와 천이성 노이즈로 이루어지지만, 기록층이 금속 박막인 경우는 천이성 노이즈가 매체 노이즈의 대부분을 차지한다. 천이성 노이즈는 자화 천이폭(a)에 의존하여 자화 천이폭(a)를 작게 할 수록 천이성 노이즈가 줄어든다. 자화 천이폭(a)는 하기 수학식 1로 나타내는 것이 보고되어 있다(T. C. Arnoldussen et al. , IEEE Trans. Magn., 36, (2000) p92-p97).
여기서, S*는 기록층의 보자력 각형비(保磁力 角型比), Mr은 기록층의 잔류 자화, d는 기록층의 막 두께, df는 자기 기록 매체와 자기 헤드의 실효 자기 스페이싱, Hc는 기록층의 보자력이다.
상기 수학식 1에 의해 자화 천이폭(a)을 줄이기 위해서는, 보자력 각형비 (S*)를 크게, Mr×d를 작게, 보자력(Hc)을 증가시키면 된다. 이들 중, 보자력 각형비(S*)의 증가 및 Mr×d의 저감은 기록층의 막 두께(d)를 줄이면 달성할 수 있다. 즉, 기록층은 결정 입자가 두께 방향으로 성장할 때에 동시에 폭 방향으로도 성장한다. 기록층의 막 두께(d)를 줄임으로써, 그 결정 입자의 폭 방향의 성장을 억제한다. 그 결과, 결정 입자의 미세화가 촉진되어, 보자력 각형비(S*)의 증가를 꾀할 수 있다.
한편, 기록층의 보자력(Hc)을 증가하기 위해서, 예컨대 기록층이 CoCrPt계합금으로 이루어지는 경우, Pt 함유량을 증가시키는 수법이 유효하다. 보자력(Hc)을 증가시킴으로써, 자화 천이폭(a)이 저감되는 동시에, 기록층에 기록된 잔류 자화의 장기간 안정성, 즉 내열 요동성의 향상도 기대할 수 있다.
[특허문헌 1]일본 특허 공개 제2001-52330호 공보
그러나, 기록층의 막 두께(d)를 줄임으로써, 재생 출력의 감소를 초래한다. 또한 기록층의 막 두께(d)의 저감과 결정 입자의 미세화에 의해 기록층에 자기적으로 형성되는 최소 기록 단위가 차지하는 체적이 감소하여, 소위 내열 요동성이 저하한다고 하는 문제가 생긴다.
또한, 기록층의 보자력(Hc)을 증가하기 위해서, 단순히 Pt를 지나치게 첨가하면 기록층의 모상인 CoCr에 의해 구성되는 결정 구조가 왜곡되어 기록층의 결정성이 저하한다. 그러면, 기록층의 결정성 저하에 의해 오히려 매체 노이즈가 증가하여 내열 요동성도 저하하는 현상이 일어난다. 또한, 기록시에 기록층의 자화를 반전시키기 위해서 인가하는 기록 자계의 크기가 증대하여, 오버라이트 특성 등의 기록 성능이 저하한다. 이러한 것으로 인해 기록층을 구성하는 재료의 Pt 량을 단순히 증가시켜 보자력을 증가시키더라도, 소기의 목적인 매체 노이즈의 저감은 달성할 수 없고, 나아가서는 내열 요동성의 저하도 초래한다.
그래서, 본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목 적은 내열 요동성의 저하를 회피하는 동시에, 기록층의 보자력을 향상시키고 S/N 비의 향상을 도모하여 고기록 밀도화가 가능한 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 관점에 따르면, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 결정질 재료로 이루어지는 시드층과, 상기 시드층 상에 형성된 입자 지름 제어층(입경 제어층)과, 상기 입자 지름 제어층 상에 형성된 하지층과, 상기 하지층 상에 형성된 기록층을 구비하고, 상기 입자 지름 제어층은 Ag, W, Cu, Mo, Cr, Au, Mn, Rh, Ta, V 및 이들의 합금으로 이루어지는 군 중에서 어느 한 종류의 재료로 이루어지는 자기 기록 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 결정질 재료로 이루어지는 시드층 위에 Cu, Mo, Cr, Au, Mn, Rh, Ta, V 및 이들의 합금으로 이루어지는 군 중에서 어느 한 종류의 재료로 이루어지는 입자 지름 제어층을 설치한다. 입자 지름 제어층은 그 위에 형성되는 하지층의 성장핵으로서 하지층의 입자 지름 제어를 행하여, 하지층의 입자 지름 분포를 양호한 것으로 한다. 또한, 시드층이 결정질 재료로 이루어지기 때문에, 그 위에 형성되는 입자 지름 제어층 및 하지층의 결정성을 향상시킨다. 따라서, 기록층은 양호한 입자 지름 분포 및 결정성을 갖는 하지층 상에서 결정 성장하기 때문에, 양호한 입자 지름 분포 및 결정성을 이어받는다. 그 결과, 기록층은 양호한 입자 지름 분포에 의해 내열 요동성의 저하를 회피하면서 보자력을 증가시키고, 더욱이 S/N 비를 향상시킴으로써, 고기록 밀도화가 가능한 자기 기록 매체가 실현된다.
상기 시드층은 B2 결정 구조를 갖는 합금으로 구성해도 좋다. 시드층은 B2 결정 구조를 갖기 때문에 하지층과의 결정 정합성이 높아지고, 하지층의 결정성을 한층 더 향상시킬 수 있다.
상기 입자 지름 제어층의 평균 두께가 0.1 nm 이상으로 또한 5 nm 미만의 범위로 설정되어도 좋다. 입자 지름 제어층은 섬 형상 혹은 층상으로 형성되지만, 평균 두께는 후술하는 바와 같이 입자 지름 제어층이 층상으로 형성되어 있다고 가정한 경우의 두께이다. 예컨대, 입자 지름 제어층이 섬 형상으로 형성되어 있는 경우는, 섬 형상의 입자 지름 제어층의 체적을 형성되어 있는 면의 면적으로 나눈 값에 해당한다. 이와 같이, 입자 지름제어층을 이러한 범위의 평균 두께로 설정함으로써, 시드층 상에 섬 형상 혹은 박층으로 퇴적시키고, 그 위에 형성하는 하지층의 성장핵으로서 기능시킨다. 특히, 입자 지름 제어층을 섬 형상으로 퇴적시키고 그 아래의 시드층 표면을 노출시킴으로써, 하지층이 시드층의 표면에 직접 접촉하도록 되어 하지층의 결정성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 상기 어느 하나의 자기 기록 매체와, 기록 소자와 자기 저항 효과형 재생 소자를 갖는 기록 재생 수단을 구비하는 자기 기억 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 자기 기록 매체가 기록층의 기록 방향의 보자력이 높고, 또한 S/N 비가 양호하기 때문에 자기 기억 장치는 고기록 밀도화가 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 자기 기록 매체의 기본 구성을 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 자기 기록 매체는 기판(11)과, 기판(11)상에 시드층(12), 입자 지름 제어층(13), 하지층(14), 기록층(19)으로 구성된다. 본원 발명자는 결정질 재료로 이루어지는 시드층(12) 상에 박막 혹은 섬 형상으로 Ag막이나 W막 등의 입자 지름 제어층(13)을 설치함으로써, 기록층(19)의 면내 방향의 보자력이 증가하여 S/N 비가 향상하는 것을 발견하였다.
본원 발명자는 본 발명의 작용을 이하와 같이 추찰하고 있다.
즉, 입자 지름 제어층(13)은 시드층(12)상에 섬 형상 혹은 박층 형상으로 퇴적하여, 그 위에 형성되는 하지층(14)의 성장핵이 된다. 성장핵을 기점으로서 하지층(14)의 결정 입자(14a)가 성장하고, 또한 그 위에 기록층(19)의 결정 입자(19a)가 성장한다. 즉, 입자 지름 제어층(13)의 성장핵의 배치에 대응하고, 하지층(14) 및 기록층(19)의 결정 입자(14a, 19a)의 입자 지름 분포가 결정된다. 입자 지름 제어층(13)에 Ag막이나 W막 등을 이용함으로써 입자 지름 제어층(13)의 성장핵이 똑같이 분포하고, 기록층(19) 결정 입자(19a)의 입자 지름 분포의 분포 폭이 저감되어 있다고 생각된다.
일반적으로 결정 입자의 입자 지름이 작은 경우, 결정 입자의 일축 이방성 정수가 작다. 일축 이방성 정수가 작으면 기록층의 보자력을 저하시킨다. 본 발명의 자기 기록 매체에 따르면, 입자 지름 분포의 분포 폭이 저감되므로, 입자 지름이 작은, 즉 기록층의 보자력을 저감시키는 결정 입자를 저감할 수 있어 기록층의 보자력이 증가한다. 또, 결정 입자의 입자 지름 분포의 분포 폭이란 결정 입자의 입자 지름을 횡축으로 하고, 그 도수를 종축으로 하여 히스토그램을 작성한 경우의, 예컨대 최대 도수의 반값폭을 말한다.
또한, 입자 지름 제어층(13)은 결정질의 시드층(12)상에 형성되어 있기 때문에 입자 지름 제어층(13) 자체의 결정성이 양호해진다. 또한, 입자 지름 제어층(13)이 섬 형상인 경우는, 하지층(14)이 시드층(12)에 접촉하기 때문에 결정성이 한층 더 양호해 진다. 이들에 의해 기록층(19) 결정 입자의 입자 지름 분포의 분포 폭이 저감되고 결정성이 양호하게 되어, 기록층(19)의 면내 방향의 보자력이 증가하며 S/N 비가 향상된다고 생각된다.
이하 도면을 참조하면서 실시 형태를 설명한다.
(제1 실시 형태)
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태의 제1 예에 따른 자기 기록 매체의 단면도이다. 도 2를 참조하면, 제1 예에 따른 자기 기록 매체(10)는, 기판(11)과, 기판(11)상에 시드층(12), 입자 지름 제어층(13), 하지층(14), 비자성 중간층(15), 제1 자성층(16), 비자성 결합층(17), 제2 자성층(18), 보호막(20), 및 윤활층(21)이 순차 형성된 구성으로 이루어진다.
기판(11)은 특별히 제한은 없고, 유리 기판, NiP 도금 알루미늄 합금 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 세라믹스 기판, 카본 기판 등을 이용할 수 있다.
또, 기판(11)의 표면에 기록 방향(자기 기록 매체가 자기 디스크의 경우는 둘레 방향에 해당함)을 따라 형성된 다수의 홈으로 이루어지는 텍스추어, 예컨대, 기계적 텍스추어를 형성해도 좋다. 이러한 텍스추어에 의해, 제1 자성층(16) 및 제2 자성층(18)의 자화 용이축(容易軸)을 기록 방향으로 배향시킬 수 있다. 텍스추어는 기판(11)의 표면에 형성하는 대신에, 후술하는 도 3에 도시하는 제2 예에 따른 자기 기록 매체의 제1 시드층(31) 표면에 설치해도 좋다.
시드층(12)은 결정질 재료의 금속 또는 합금, 금속간 화합물로 구성된다. 시드층(12)은 B2 결정 구조를 갖는 합금, 예컨대, AlRu 및 NiAl에서 선택되는 것이 바람직하다. 이러한 재료를 이용함으로써 이 위에 형성되는 입자 지름 제어층(13)의 결정성을 높일 수 있다.
시드층(12)의 두께는 5 nm∼100 nm의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 시드층(12)은 두꺼워 질수록 결정성이 양호해지기 때문에 두꺼울 수록 바람직하다. 종래의 자기 기록 매체에서 시드층 상에 하지층을 직접 설치했던 것에서는 시드층의 두께가 얇은 것이 좋다고 되어 있었다. 즉, 종래의 자기 기록 매체에서는, 시드층을 두껍게 형성하면 시드층을 구성하는 결정 입자의 결정 입자 직경이 증대하고, 그대로 결정 입자 직경이 하지층 및 기록층에 인계되어 매체 노이즈를 증가시켜 버린다. 그래서, 시드층의 두께를 얇게 함으로써 시드층의 결정 입자 지름의 비대화를 억제하고 있었다. 그러나, 박막의 시드층은 결정성이 양호하지 않기 때문에 하지층의 결정성을 향상하는 것이 곤란했다. 이에 대하여, 본 발명에서는 결정 입자 직경을 제어하는 입자 지름 제어층(13)을 시드층(12)상에 설치하고 있기 때문에 결정 입자 직경을 제어하는 동시에 시드층(12)의 두께를 두껍게 하여 시드층(12)의 결정성을 향상시키고, 그 결과 하지층(14)의 입자 지름 제어와 양호한 결정성을 양립할 수 있는 것이다.
입자 지름 제어층(13)은 Ag, W, Cu, Mo, Cr, Au, Mn, Rh, Ta, V 및 이들 합금으로부터 선택된 재료로 구성되고, 특히 이들 원소를 단체(單體)로 이용하는 것 이 바람직하다. 입자 지름 제어층(13)은 특히 Ag 또는 W로 구성되는것이 특히 바람직하다. 물론 이들 원소를 주성분으로 하고, 다른 원소가 포함되어 있더라도 좋다.
입자 지름 제어층(13)은 시드층(12)의 표면에 섬 형상 혹은 층 형상으로 퇴적한 것이다. 입자 지름 제어층(13)은 섬 형상으로 퇴적한 것이 바람직하다. 즉, 입자 지름 제어층(13)은 층 형상으로 면내 방향으로 연속한 연속 막이 아니라, 섬 형상 퇴적체로 상호 이간되고, 인접하는 섬 형상 퇴적체의 간극은 시드층(12)이 노출되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 형성하기 위해서는 입자 지름 제어층(13)의 퇴적량을 적게 한다. 스퍼터링에 의해 입자 지름 제어층(13)을 형성하는 경우를 예로 설명한다. 소정의 스퍼터링 전력량으로 입자 지름 제어층(13)의 재료로 이루어지는 스퍼터링 타겟을 스퍼터링하여 생긴 스퍼터링 입자를 시드층(12)상에 퇴적하기 시작하면 시드층(12)상에는 우선 섬 형상 퇴적체가 형성되고, 그리고 퇴적을 계속함으로써 섬 형상 퇴적체가 면내 방향으로 성장하여 연속막이 된다. 섬 형상 퇴적체를 형성하기 위해서는 연속막이 되기 전에 스퍼터링를 정지한다.
입자 지름 제어층(13)의 평균 두께는 얇은 것이 바람직하고, 0.1 nm 이상 또한 5 nm 미만의 범위(더 더욱 0.1 nm 이상 또한 4 nm 이하의 범위)로 설정하는 것이 바람직하다. 여기서, 입자 지름 제어층(13)의 평균 두께는, 예컨대 여러 가지의 스퍼터링 전력량에 의해 입자 지름 제어층(13)을 연속막에 형성하여 형광 X 선 막 두께 합으로부터 연속막의 두께를 구하고, 스퍼터링 전력량과 연속막 두께와의 관계로부터 구한 입자 지름 제어층(13)의 두께이다. 따라서, 입자 지름 제어층(13)의 평균 두께가 상기한 범위에서 얇은 측에서는 입자 지름 제어층(13)은 섬 형상으로 형성되어 있고, 입자 지름 제어층(13)은 섬 형상 및 층 형상 어느 쪽 형상의 경우도 포함한다.
하지층(14)은 bcc 결정 구조를 갖는 Cr, Cr-X1 합금(X1 = Mo, W, V, B, Mo 및 이들 합금으로부터 선택된 1종)으로부터 선택되어 두께가 3 nm∼10 nm의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 하지층(14)은 Cr-X1 합금을 이용하는 것에 의해, 그 위에 비자성 중간층(15)을 설치한 경우는, 비자성 중간층(15)의 결정 정합성을 향상시킴으로써 제1 자성층(16) 및 제2 자성층(18)의 결정성을 높일 수 있다. 또한, 하지층(14)은 Cr-X1 합금을 이용하는 것에 의해, 그 위에 비자성 중간층(15)을 설치하지 않는 경우는, 직접 접촉하는 제1 자성층(16)과의 결정 정합성을 향상하여 제1 자성층(16) 및 제2 자성층(18)의 결정성을 높일 수 있다.
또한, 하지층(14)은 Cr 또는 Cr-X1 합금으로 이루어지는 층을 복수 적층해도 된다. 적층함으로써 하지층(14) 자체의 결정 입자의 비대화를 억제하고, 또한 제1 자성층(16) 및 제2 자성층(18)의 결정 입자의 비대화를 억제할 수 있다.
또한, 하지층(14)은 입자 지름 제어층(13)이 섬 형상으로 퇴적해 있는 경우는, 시드층(12)과 입자 지름 제어층(13)을 덮도록 형성된다. 이 경우는, 입자 지름 제어층(13)을 성장핵으로서 시드층(12)의 표면에 하지층(14)이 결정 성장하기 때문에 시드층(12)이 B2 결정 구조를 갖는 합금의 경우, 시드층(12)과 하지층(14)의 결정 정합성이 양호해지고, 하지층(14)의 결정성을 대폭 향상시킬 수 있다.
비자성 중간층(15)은 hcp(세밀 육방 충전) 구조를 갖는 Co-X2(X2= Cr, Ta, Mo, Mn, Re, Ru 및 이들 합금으로부터 선택된 1종)의 비자성 재료로부터 선택되고, 두께가 0.5 nm∼5.0 nm(바람직하게는 0.5 nm∼3.0 nm)의 범위로 설정된다. 비자성 중간층(15)은 하지층(14)의 표면상에 에피텍셜 성장하여 하지층(14)의 결정성 및 결정 입자의 입자 지름 분포를 인계받는다. 그리고, 비자성 중간층(15)은 그 위에 에피텍셜 성장하는 제1 자성층(16) 및 제2 자성층(18)에 결정성 및 결정 입자의 입자 지름 분포에 좋은 영향을 준다. 또한, 비자성 중간층(15)은 Co 혹은 Co-X2로 이루어지는 층을 복수 적층해도 된다. 그리고, 비자성 중간층(15)은 설치해도 되고, 설치하지 않아도 된다.
기록층(19)은 제1 자성층(16), 비자성 결합층(17) 및 제2 자성층(18)으로 구성되고, 제1 자성층(16)과 제2 자성층(18)이 비자성 결합층(17)을 통해 반강자성적으로 교환 결합된 교환 결합 구조를 갖는다. 제1 자성층(16) 및 제2 자성층(18)의 면내 방향으로 배향한 자화는 외부 자계가 인가되지 않는 상태로 상호 반평행 방향을 향하고 있다.
제1 자성층(16)은 Co, Ni, Fe, Co계 합금, Ni계 합금, Fe계 합금 등의 강자성 재료로부터 선택되고, 두께가 0.5 nm∼20 nm의 범위로 설정된다. 제1 자성층(16)은 Co계 합금 중 특히 CoCr, CoCr계 합금, CoCrTa, CoCrTa계 합금 및 CoCrPt, CoCrPt계 합금이 바람직하다. 제1 자성층(16)은 제1 자성층(16) 자체의 결정 입자의 입자 지름 제어의 면에서 CoCr-Ml(M1=Pt, B, Ta, Ni, Cu, Ag, Pd, Si, C, Fe, Re, Nb, Hf 및 이들 합금으로부터 선택된 1종)이 더욱 바람직하다. 또한, 제1 자성층(16)은 제2 자성층(18)의 결정 배향성을 향상시킨다는 점에서 상기한 강자성 재료로 이루어지는 층을 복수 적층하는 것이 바람직하다.
비자성 결합층(17)은, 예컨대 Ru, Rh, Ir, Ru계 합금, Rh계 합금, Ir계 합금 등으로부터 선택된다. 이들 중, Rh, Ir은 fcc(면심 입방 격자) 구조를 갖는 데 대하여 Ru는 hcp 구조를 갖는다. 비자성 결합층(17)은 그 위에 형성되는 제2 자성층(18)이 hcp 구조를 갖는 경우, Ru 혹은 Ru계 합금인 것이 바람직하다. 특히, 제2 자성층(18)이 hcp 구조의 CoCrPt계 합금인 경우는, CoCrPt계 합금의 격자 정수 a = 0.25 nm에 대하여 Ru는 a = 0.27 nm에서 근접해 있기 때문에 비자성 결합층(17)은 Ru 혹은 Ru계 합금인 것이 바람직하다. Ru계 합금으로서는 Co, Cr, Fe, Ni 및 Mn 중 어느 하나 또는 이들 합금과 Ru의 합금을 들 수 있다.
또한, 비자성 결합층(17)의 두께는 0.4 nm∼1.2 nm의 범위로 설정된다. 이 범위로 비자성 결합층(17)의 두께를 설정함으로써, 비자성 결합층(17)을 통해 제1 자성층(16)과 제2 자성층(18)이 반강자성적으로 교환 결합한다.
제2 자성층(18)은 Co, Ni, Fe, Co계 합금, Ni계 합금, Fe계 합금 등으로부터 선택되어 두께가 5 nm∼20 nm의 범위로 설정된다. Co계 합금에서는, 특히 CoCr, CoCr계 합금, CoCrTa, CoCrTa계 합금, CoCrPt 및 CoCrPt계 합금이 바람직하고, 특히 결정 입자의 입자 지름의 제어면에서, 제1 자성층(16)과 같은 CoCr-M1로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 제2 자성층(18)은 이방성 자계의 면에서 CoCrPt-M2(M2 = B, Ta, Ni, Cu, Ag, Pd, Si, C, Fe, Re, Nb, Hf 및 이들 합금)이 보다 바람직하다.
또한, 제1 자성층(16)과 제2 자성층(18)과의 관계에 있어서, 잔류 자화와 막 두께와의 곱, 소위 잔류 면적 자화의 관계를 Mrl×tl<Mr2×t2로 설정하는 것이 바람직하다. 여기서, Mrl, Mr2는 각각 제1 자성층(16), 제2 자성층(18)의 잔류 자화를 나타내고, tl, t2는 각각 제1 자성층(16), 제2 자성층(18)의 잔류 자화를 나타낸다. 이러한 관계로 설정함으로써, 기록층(19)은 실질적으로 Mr2×t2-Mrl×tl 크기의 잔류 면적 자화를 갖고, 제2 자성층(18)의 잔류 자화의 방향과 동일한 방향의 잔류 자화를 갖게 된다. 실질적인 잔류 면적 자화(=Mr2×t2-Mrl×tl)의 크기는 2.0 nTm∼10.0 nTm의 범위로 설정되는 것이 바람직하다.
또한, 제2 자성층(18)을 구성하는 강자성 재료는 제1 자성층(16)을 구성하는 강자성 재료와 다르게 하더라도 좋다. 예컨대, 제2 자성층(18)을 구성하는 강자성 재료는 제1 자성층(16)을 구성하는 강자성 재료보다도 이방성 자계가 큰 재료로부터 선택된다. 이러한 강자성 재료를 선택하는 수법으로서는, 제1 자성층(16)에 Pt를 포함하지 않는 강자성 재료를 선택하고, 제2 자성층(18)에 Pt를 포함하는 강자성 재료를 이용한다. 다른 수법으로서는, Pt 농도(원자 농도로서)가 제1 자성층(16)보다도 제2 자성층(18) 쪽이 높은 강자성 재료를 이용한다.
이상과 같이 기록층(19)은 비자성 결합층(17)을 사이에 두고 적층된 제1 자성층(16)과 제2 자성층(18)이 반강자성적으로 교환 결합하여 구성되어 있다. 따라서, 기록에 의해서 형성되는 잔류 자화의 실질적인 체적은 교환 결합한 제1 자성층(16)과 제2 자성층(18)의 합이 되기 때문에 기록층(19)이 한 층으로 이루어지는 경 우보다도 잔류 자화의 실질적인 체적이 증가하여, 즉 KuV/kT의 V가 증가하여 내열 요동성이 향상한다.
또, 기록층(19)은 자성층이 2 층으로 한정되지 않고 3 층 이상의 자성층이 적층하여 구성되어도 된다. 자성층이 서로 교환 결합하고, 그 중의 적어도 2개 층이 반강자성적으로 결합해 있으면 된다. 또한, 제1 예에 따른 자기 기록 매체의 변형예로서 기록층(19)이 한 층인 자성층, 예컨대 제2 자성층(18)만으로 구성되어도 된다.
보호막(20)은 두께가 0.5 nm∼10 nm(바람직하게는 0.5 nm에서 5 nm)의 범위로 설정되어, 예컨대 다이아몬드형 카본, 질화 카본, 비정질 카본등에 의해 구성된다.
윤활층(21)은, 예컨대 파플루오로폴리에스테르를 주요 체인으로서 말단기가 -OH, 페닐기[예컨대, AM3001(Ausimont사 제조 상품명)]등으로 이루어지는 유기계 액체 윤활제로 구성된다. 또, 보호막(20)의 종류에 따라 윤활층(21)은 설치해도 되고, 설치하지 않아도 된다.
전술한 자기 기록 매체(10)의 각 층은 윤활층(21)을 제외하고, 스퍼터링, 진공 증착법, CVD(화학적 기상 성장)법 등의 진공 프로세스나, 전기 도금법, 무전해 도금법 등의 웨트 프로세스를 이용하여 형성한다. 또한, 윤활층(21)은 인상법, 액면 저하법 등의 침지법이나 스핀코트법 등의 도포법을 이용하여 형성한다.
본 실시 형태의 제1 예에 따른 자기 기록 매체(10)는 결정질의 시드층(12) 위에 입자 지름 제어층(13)을 설치하고 있기 때문에 입자 지름 제어층(13)의 성장 핵이 그 위에 형성되는 하지층(14)의 성장핵이 되는 동시에, 시드층(12)이 입자 지름 제어층(13) 및 하지층(14)의 결정성을 향상시키기 때문에 제1 자성층(16) 및 제2 자성층(18)의 결정 입자의 입자 지름 분포의 분포 폭을 줄여서 결정 입자의 결정성을 향상시킨다고 생각된다. 그 결과, 제1 자성층(16) 및 제2 자성층(18)의 면내 방향의 보자력을 향상시키는 동시에 S/N 비를 향상시킨다. 따라서, 제1 예에 따른 자기 기록 매체는 고기록 밀도화가 가능해진다.
도 3은 제1 실시 형태의 제2 예에 따른 자기 기록 매체의 단면도이다. 제2 예에 따른 자기 기록 매체는 상술한 제1 예의 변형예이다. 도면 중, 먼저 설명한 부분에 대응하는 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
도 3을 참조하면, 제2 예에 따른 자기 기록 매체(30)는 기판(11)과, 기판(11)상에 제1 시드층(31), 제2 시드층(12), 입자 지름 제어층(13), 하지층(14), 비자성 중간층(15), 제1 자성층(16), 비자성 결합층(17), 제2 자성층(18), 보호막(20) 및 윤활층(21)이 순차 형성된 구성으로 이루어진다. 제2 예에 따른 자기 기록 매체(30)는 제2 시드층(31)이 설치된 것 이외는, 도 2에 도시하는 제1 예에 따른 자기 기록 매체와 같은 구성으로 이루어진다. 또, 제2 시드층(12)은 도 2에 도시하는 제1 예에 따른 자기 기록 매체의 시드층(12)과 마찬가지이며 제2 시드층(12)과 동일한 부호를 붙인다.
제1 시드층(31)은 비자성 재료로 또한 비정질의 CoW, CrTi, NiP 혹은 이들 합금을 주성분으로 하는 3원 이상의 합금 등으로부터 선택된다. 제1 시드층(31)의 두께는 5 nm∼100 nm의 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 제1 시드층(31)은 그 표 면이 비정질로 결정학적으로 똑같기 때문에 기판 표면에 직접 제2 시드층(12)을 설치하는 경우보다도, 제2 시드층(12)에 결정학적인 이방성의 영향을 주는 것을 회피한다. 따라서, 제2 시드층(12)이 그것 자체의 결정 구조를 형성하기 쉬워진다. 그 결과, 제2 시드층(12)이 입자 지름 제어층(13), 하지층(14)에 좋은 영향을 주어 상술한 작용이 촉진되고, 현저한 효과가 나타난다. 특히, 제2 시드층(12)이 B2 결정 구조를 갖는 재료의 경우에 효과가 보다 현저해진다.
제2 예에 따른 자기 기록 매체는 제1 예에 따른 자기 기록 매체와 동일한 효과를 가지고, 그 효과가 현저해진다. 즉, 기록층의 면내 방향의 보자력 및 S/N 비가 제1 예에 따른 자기 기록 매체보다도 향상한다.
다음에 제1 실시 형태에 따른 실시예를 설명한다.
[실시예 1]
유리 기판의 표면을 세정한 후 이하의 구성의 자기 디스크를 제작하였다.
유리 기판(직경 65 mm)/제1 시드층 : Cr50Ti50막(50 nm)/제2 시드층 : A150Ru50막(80 nm)/입자 지름 제어층 : Ag막/하지층 : Cr75Mo25막(5 nm)/비자성 중간층 : Co58Cr42막(lnm)/제1 자성층 : Co88Cr12막(2.3 nm)/비자성 결합층 : Ru막(0.7 nm)/제2 자성층 : CoCrPtBCu막(18 nm)/보호막 : 카본막(5 nm)/윤활층 : AM3001(1.5 nm), 또한, 상기한 괄호 내의 수치는 두께를 나타내고, 조성 수치는 원자%로 나타내고 있다. 입자 지름 제어층의 Ag막은 평균 두께를 0.5 nm에서 5.0 nm까지 다르게 하여 각각 실시예 1-1∼1-6의 자기 디스크를 형성하였다. 또한, 실시예 1-1∼1-6의 Ag막 의 평균 두께는 후술하는 도 4에 도시하고 있다. 제1 자성층과 제2 자성층의 실질적인 잔류 면적 자화는 3.5 nTm이 되도록 각각의 두께를 설정했다. 또, Ag막의 평균 두께는 상술한 연속막으로 가정하여 설정한 평균 두께와 마찬가지이다.
상기한 각 층은 이하의 조건으로 성막을 행하였다. 우선, Cr50Ti50막을 형성하기 전에 가열 장치인 PBN(열 분해 질화 붕소) 히터를 이용하여 진공 중에서 유리 기판을 200℃로 가열했다. 이어서, DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 Ar 가스 분위기(압력 0.67 Pa)하에서 상기 막 구성 중 Cr50Ti50 막에서 카본막까지를 순차 형성했다. 이어서, 인상법에 의해 카본막의 표면에 윤활층을 도포했다. 또, 가열 장치 및 DC 마그네트론 스퍼터링 장치의 진공 용기는 미리 1×10-5 Pa 이하의 고진공으로 배기한 뒤 아르곤 가스를 공급하여 상기한 압력으로 설정했다.
[실시예 2]
실시예 2에 따른 자기 디스크는 실시예 1의 입자 지름 제어층의 Ag 막 대신에 W막을 형성한 것 이외는, 실시예 1의 자기 디스크와 같은 구성으로 하였다. W막은 평균 두께를 0.5 nm에서 5.0 nm까지 다르게 하여 각각 실시예 2-1∼2-6의 자기 디스크를 형성했다. 또, 실시예 2-1∼2-6의 W막의 평균 두께는 후술하는 도 5에 도시한다. 또, W막의 평균 두께도 상술한 Ag막과 같이 하여 설정했다.
[비교예]
비교예에 따른 자기 디스크는 입자 지름 제어층의 Ag막을 형성하지 않는 것 이외는 실시예 1의 자기 디스크와 같은 구성으로 했다.
도 4는 실시예 1 및 비교예에 따른 자기 디스크의 특성도이다. 도 4에 도시하는 보자력은 기록층의 면내 방향의 보자력이다. 보자력의 측정은 진동 시료형 자력계(VSM)를 이용하여 자기 디스크의 면내 방향으로 자장(최대 인가 자장 : 790 kA/m)을 인가하여 행했다. 또한, S/N 비는 고립파 출력과 매체 노이즈와의 비이다. 고립파 출력은 선기록 밀도가 104 kFCI 에서의 평균 출력 S(μV), 매체 노이즈 N(μVrms)은 천이성 노이즈와 DC 소자 노이즈와의 합이다. S/N 비(dB) = 20×1og(S/N)으로 했다.
도 4를 참조하면, 비교예에 대하여 실시예 1-1∼1-5, 즉 입자 지름 제어층의 Ag막의 평균 두께가 0.5 nm∼4.0 nm인 자기 디스크에서는 보자력이 증가하여 S/N 비가 향상하고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 1-6의 자기 디스크는 보자력이 비교예보다도 약간 저하되어 있지만, S/N 비는 비교예와 같은 것을 알 수 있다. 이것으로부터, Ag막의 평균 두께가 5.0 nm 미만이면 S/N 비가 비교예보다도 높은 것이 추찰된다. 또한, 실시예1에서는 Ag막의 평균 두께가 0.5 nm 미만에 대해서는 실험을 하고 있지 않지만, 비교예에 대하여 실시예 1-1이 보자력 및 S/N 비가 급격히 증가하고 있기 때문에 Ag막의 평균 두께가 0.1 nm이라도 효과를 갖는 것이 추찰된다. 즉, Ag막의 한 원자층이 섬 형상으로 퇴적해 있는 경우는, 상술한 평균 두께의 결정 방법으로부터 평균 두께가 0.l nm 정도가 되는 것이 예상된다.
따라서, 실시예 1에 따르면, Ag막의 평균 두께가 0.5 nm 이상 또한 4.0 nm 이하로 비교예보다도 실시예가 보자력 및 S/N 비의 면에서 우수한 것을 확인할 수 있었다. 또한, Ag막의 평균 두께가 0.1 nm 이상 5.0 nm 미만으로 비교예보다도 보 자력 및 S/N 비의 면에서 우수한 것이 추찰된다. 또한, 보자력이 비교예보다도 우수하기 때문에 내열 요동성이 비교예보다도 우수한 것이 추찰된다.
도 5는 실시예 2 및 비교예에 따른 자기 디스크의 특성도이다. 도 5에 도시하는 보자력과 S/N 비는 도 4와 같이 하여 측정한 것이다. 또, 비교예는 도 4와 동일한 것으로, 설명의 편의를 위해 도시하고 있다.
도 5를 참조하면, 비교예에 대하여 실시예 2-1∼2-6, 즉 입자 지름 제어층의 W막의 평균 두께가 0.5 nm∼5.0 nm인 자기 디스크에서는 보자력이 증가하고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 비교예에 대하여 실시예 2-1∼2-5, 즉 W막의 평균 두께가 0.5 nm∼4.0 nm인 자기 디스크에서는 S/N 비가 향상하고 있는 것을 알 수 있다. 실시예 2-6의 자기 디스크는 S/N 비는 비교예와 같지만, 보자력이 비교예보다도 우수하기 때문에 W막의 평균 두께가 5.0 nm 미만에서는 S/N 비가 비교예보다도 높은 것이 추찰된다.
따라서, 실시예 2에 따르면 W막의 평균 두께가 0.5 nm 이상 또한 4.0 nm 이하로 비교예보다도 실시예가 보자력 및 S/N 비의 면에서 우수한 것을 확인할 수 있었다. 또한, W막의 평균 두께가 0.1 nm 이상 5.0 nm 미만으로 비교예보다도 보자력 및 S/N 비의 면에서 우수한 것이 추찰된다. 또, W막의 평균 두께를 0.l nm 이상으로 한 것은 실시예 1과 같은 이유에 의한 것이다.
(제2 실시 형태)
본 발명의 실시 형태는 제1 실시 형태에 따른 자기 기록 매체를 구비한 자기 기억 장치에 관한 것이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 자기 기억 장치의 주요부를 도시한 도면이다. 도 6을 참조하면, 자기 기억 장치(60)는 대략 하우징(61)으로 이루어진다. 하우징(61) 내에는 스핀들(도시 생략)에 의해 구동되는 허브(62), 허브(62)에 고정되어 회전되는 자기 기록 매체(63), 액츄에이터 유닛(64), 액츄에이터 유닛(64)에 부착되어 자기 기록 매체(63)의 반경 방향으로 이동되는 아암(65) 및 서스펜션(66), 서스펜션(66)에 지지된 자기 헤드(68)가 설치되어 있다. 자기 헤드(68)는 MR 소자(자기 저항 효과형 소자), GMR 소자(거대 자기 저항 효과형 소자) 또는 TMR 소자(터널 자기 효과형) 등의 재생 헤드와 유도형 기록 헤드의 복합형 헤드로 이루어진다. 이 자기 기억 장치(60)의 기본 구성 자체는 이미 알고 있으므로, 그 상세한 설명은 본 명세서에서는 생략한다.
자기 기록 매체(63)는 예컨대 제1 실시 형태의 제1 예 및 제2 예의 어느 하나에 따른 자기 기록 매체이다. 자기 기록 매체(63)는 기록층의 면내 방향의 보자력이 높고, 또한 S/N 비가 양호하기 때문에 자기 기억 장치(60)의 고기록 밀도화를 꾀하는 것이 가능하다.
또, 본 실시 형태에 따른 자기 기억 장치(60)의 기본 구성은 도 6에 도시하는 것에 한정되는 것이 아니며, 자기 헤드(68)는 상술한 구성에 한정되지 않고 공지의 자기 헤드를 이용할 수 있다.
이상 본 발명의 바람직한 실시 형태에 관해서 상술했지만, 본 발명은 이러한 특정 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형·변경이 가능하다.
예컨대, 상기 제1 실시 형태의 제1 예 및 제2 예에서 자기 기록 매체는 자기 디스크를 예로서 설명했지만 자기 테이프라도 좋다. 자기 테이프에는 디스크형 기판 대신에 테이프형 기판, 예컨대, 테이프형의 PET, PEN, 폴리이미드 등의 플라스틱 필름을 이용한다.
또, 이상의 설명에 관해서 다시 이하의 부기를 개시한다.
(부기 1) 기판과,
상기 기판 상에 형성된 결정질 재료로 이루어지는 시드층과,
상기 시드층 상에 형성된 입자 지름 제어층과,
상기 입자 지름 제어층 상에 형성된 하지층과,
상기 하지층 상에 형성된 기록층을 구비하고,
상기 입자 지름 제어층은 Ag, W, Cu, Mo, Cr, Au, Mn, Rh, Ta, V, 및 이들 합금으로 이루어지는 군 중에서 어느 한 종류의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
(부기 2) 상기 시드층은 B2 결정 구조를 갖는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1 기재의 자기 기록 매체.
(부기 3) 상기 시드층은 AlRu 혹은 NiA1으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 2 기재의 자기 기록 매체.
(부기 4) 상기 시드층의 두께가 5 nm 이상 또한 100 nm 이하의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 부기 1∼4 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체.
(부기 5) 상기 기판과 상기 시드층 사이에 비정질의 CoW, CrTi 및 NiP으로 이루어지는 군 중에서 어느 한 종류의 재료로 이루어지는 다른 시드층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 부기 1∼4 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체.
(부기 6) 상기 입자 지름 제어층의 평균 두께가 0.l nm 이상 또한 5 nm 미만의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 부기 1∼5 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체.
(부기 7) 상기 입자 지름 제어층은 상기 시드층의 표면에 섬 형상으로 형성되고, 상기 하지층이 시드층 및 입자 지름 제어층을 덮도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 부기 1∼6 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체.
(부기 8) 상기 입자 지름 제어층은 Ag, Ag기 합금, W 및 W기 합금으로 이루어지는 군 중에서 어느 한 종류의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1∼7 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체.
(부기 9) 상기 하지층과 제1 자성층 사이에 비자성 중간층을 추가로 구비하고, 상기 비자성 중간층은 Co-X2의 비자성 재료로 이루어지고, 상기 X2는 Cr, Ta, Mo, Mn, Re, Ru 및 이들 합금으로 이루어지는 군 중 어느 한 종류로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 부기 1∼8 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체.
(부기 10) 상기 기록층은,
상기 기초상에 제1 자성층, 비자성 결합층, 제2 자성층이 적층되어 이루어지고,
상기 제1 자성층과 제2 자성층은 교환 결합하는 동시에, 외부 자장이 인가되지 않는 상태에서 상기 제1 자성층의 자화와 제2 자성층의 자화가 상호 반평행한 것을 특징으로 하는 부기 1∼9 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체.
(부기 11) 상기 제1 자성층 및/또는 제2 자성층은 CoCr-M1 합금으로 이루어지고, 상기 M1은 Pt, B, Ta, Ni, Cu, Ag, Pd, Si, C, Fe, Re, Nb, Hf 및 이들 합금으로 이루어지는 군 중에서 어느 한 종류로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 부기 1∼10 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체.
(부기 12) 부기 1∼11 중 어느 한 항에 기재된 자기 기록 매체와,
기록 소자와 자기 저항 효과형 재생 소자를 갖는 기록 재생 수단을 구비하는 자기 기억 장치.
(부기 13) 디스크형 기판과, 이 디스크형 기판 상에 형성된 결정질 재료로 이루어지는 시드층과, 이 시드층 상에 형성된 입자 지름 제어층과, 이 입자 지름 제어층 상에 형성된 하지층과, 이 하지층 상에 형성된 기록층을 갖는 자기 디스크 매체와,
기록 재생 수단을 구비하는 자기 디스크 장치로서,
상기 입자 지름 제어층은 Ag, W, Cu, Mo, Cr, Au, Mn, Rh, Ta, V, 및 이들 합금으로 이루어지는 군 중에서 어느 한 종류의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 디스크 장치.
본 발명에 따르면, 기록층의 보자력을 향상시키는 동시에, S/N 비의 향상을 꾀하여 고기록 밀도화가 가능한 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치를 제공할 수 있다.
Claims (9)
- 기판과,상기 기판 상에 형성된 결정질 재료로 이루어지는 시드층과,상기 시드층 상에 형성된 입자 지름 제어층과,상기 입자 지름 제어층 상에 형성된 하지층과,상기 하지층 상에 형성된 기록층을 구비하고, 상기 입자 지름 제어층은 Ag, W, Cu, Mo, Cr, Au, Mn, Rh, Ta, V 및 이들 합금으로 이루어지는 군 중에서 어느 한 종류의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항에 있어서, 상기 시드층은 B2 결정 구조를 갖는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 시드층은 AlRu 혹은 NiA1로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판과 상기 시드층 사이에 비정질의 CoW, CrTi 및 NiP로 이루어지는 군 중에서 어느 한 종류의 재료로 이루어지는 다른 시드층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 입자 지름 제어층의 평균 두께가 0.1 nm 이상 또한 5 nm 미만의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 입자 지름 제어층은 상기 시드층의 표면에 섬 형상으로 형성되고, 상기 하지층은 시드층 및 입자 지름 제어층을 덮도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 입자 지름 제어층은 Ag, Ag기 합금, W 및 W기 합금으로 이루어지는 군 중에서 어느 한 종류의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기록층은,상기 하지층 상에 제1 자성층, 비자성 결합층, 제2 자성층이 적층되어 이루어지고,상기 제1 자성층과 제2 자성층은 교환 결합하는 동시에, 외부 자장이 인가되지 않는 상태에서 상기 제1 자성층의 자화와 제2 자성층의 자화가 상호 반평행한 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 또는 제2항에 기재된 자기 기록 매체와,기록 소자와 자기 저항 효과형 재생 소자를 갖는 기록 재생 수단을 구비하는 자기 기억 장치.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |