CN101583998B - 磁记录介质基板、磁记录介质以及磁记录介质基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种能够在记录区域有规则地形成磁性层的磁记录介质基板、磁记录介质以及磁记录介质基板的制造方法。为此，一种圆板状的磁记录介质基板，其表面形成了被形成有磁性层的多个记录区域，记录区域的大小，是构成磁性层的单晶结构的单位晶格之晶格常数的整数倍。例如，被用作记录区域的凸部3的宽，是构成磁性层的单晶结构的单位晶格之晶格常数的整数倍。也就是说，如果以凸部3的宽为宽d1，构成磁性层的单晶结构的单位晶格的晶格常数为宽d2，则成立关系：宽d1＝宽d2×n(n：正的整数)。

Description

磁记录介质基板、磁记录介质以及磁记录介质基板的制造方法

技术领域

本发明涉及用于磁盘记录装置基板的磁记录介质基板、磁记录介质以及磁记录介质基板的制造方法。

背景技术

硬盘驱动装置(HDD)等磁记录装置的记录容量有大容量化的倾向，作为记录方式，垂直记录方式越来越实用化。

该垂直记录方式是通过使磁记录介质记录层面内垂直方向磁化进行记录，能够进行高密度记录。但是，垂直记录方式时，记录密度达到100Gbit/inch2以上的话，从磁头侧面发生的侧呼吸导致向相邻轨迹的写入动作，存在记录不良和再生不良之问题。

为此，有一种所谓分离型介质(以下成为“DT介质”)被建议，它是在磁记录介质的圆周方向形成槽，用不能写入数据的非磁性区域(非记录区域)物理性分离轨迹与轨迹(例如专利文献1及专利文献2)。根据该DT介质，因为在轨迹间设非磁性区域(非记录区域)，所以能够避免：记录时误将数据写入相邻的轨迹；再生时误从邻接轨迹读出数据；记录比特边缘卷曲磁化引起信号噪声导致输出降低等问题；可以避免能够高密度记录的磁记录介质特有的问题。

但是，各轨迹上形成的磁性层，构成该磁性层的晶体结构的单位晶格并不一定被形成是规则性的。例如，在轨迹边缘部单位晶格有可能不规则。此时，有可能磁性层发生变形、不规则的部分变为非磁性、得不到所望的磁特性(矫顽力和再生输出等)。还有发生磁噪声等使记录再生特性大大降低之问题。

专利文献1：特开平5-28488号公报

专利文献2：特开2005-293633号公报。

发明内容

本发明为了解决上述问题，以提供一种在记录区域能够有规则地形成磁性层的磁记录介质基板、磁记录介质以及磁记录介质基板的制造方法为目的。

本发明的第1形态是一种磁记录介质基板，呈圆板状，表面形成了被形成有磁性层的多个记录区域，磁记录介质基板的特征在于，所述记录区域的大小，是构成所述磁性层的单晶结构的单位晶格之晶格常数的整数倍。

本发明的第2形态是第1形态涉及的磁记录介质基板，其特征在于，在所述表面形成槽，所述记录区域是所述槽的凹部，所述凹部的宽是所述单位晶格的晶格常数的整数倍。

本发明的第3形态是第1形态涉及的磁记录介质基板，其特征在于，在所述表面形成槽，所述记录区域是所述槽的凸部，所述凸部的宽是所述单位晶格的晶格常数的整数倍。

本发明的第4形态是第2形态或第3形态涉及的磁记录介质基板，其特征在于，用1个或多个几何图案组合形成所述槽。

本发明的第5形态是第4形态涉及的磁记录介质基板，其特征在于，所述几何图案是晶格状、放射状、同心圆状或龟甲状。

本发明的第6形态是第1形态至第5形态的任何一形态涉及的磁记录介质基板，其特征在于，所述记录区域通过成形法形成。

本发明的第7形态是第1形态至第5形态的任何一形态涉及的磁记录介质基板，其特征在于，所述记录区域通过图案结构法形成。

本发明的第8形态是第1形态至第7形态的任何一形态涉及的磁记录介质基板，其特征在于，基板的母材由树脂、玻璃、金属材料、半导体、氧化物、氮化物或硫化物的任意一种构成。

本发明的第9形态是一种磁记录介质，其特征在于，在第1形态至第8形态的任何一形态涉及的磁记录介质基板的所述记录区域上形成了所述磁性层。

本发明的第9形态是一种磁记录介质基板的制造方法，是在圆板状的基板表面形成了被形成有磁性层的多个记录区域，磁记录介质基板制造方法的特征在于，使所述记录区域的大小为构成所述磁性层的单晶结构的单位晶格之晶格常数的整数倍。

根据本发明，因为基板表面记录区域的大小是构成磁性层的单晶结构的单位晶格之晶格常数的整数倍，所以不需要复杂的工序，能够在记录区域形成规则化的磁性层。这样形成的磁性层不易发生变形等，能够提高磁记录介质的磁特性。

并且，对于像图案形记录介质那样通过使各个记录比特独立来进一步提高记录密度的方式，也能够根据本发明使记录比特内晶体配列规则化，所以能够在比特内构成没有晶体缺陷的单晶结构，构成安定的磁区域。由此能够表现良好的磁特性。

附图说明

图1：本发明第1实施方式涉及的磁记录介质基板的上面图。

图2：本发明第1实施方式涉及的磁记录介质基板的截面图。

图3：本发明第1实施方式涉及的磁记录介质的截面图。

图4：磁性层单晶结构的单位晶格与磁记录介质基板记录区域之间的关系上面示意图。

图5：本发明第2实施方式涉及的磁记录介质基板的截面图。

图6：本发明第2实施方式涉及的磁记录介质的截面图。

符号说明

1、5  磁记录介质基板

2、6  凹部

3、7  凸部

10、20  磁记录介质

11、21  磁性层

11a  单位晶格

具体实施方式

[第1实施方式]

参照图1至图4，对本发明第1实施方式涉及的磁记录介质基板作说明。图1是本发明第1实施方式涉及的磁记录介质基板的上面图。图2是本发明第1实施方式涉及的磁记录介质基板的截面图。

磁记录介质基板1呈圆板形状，中央有贯通孔，用作硬盘等磁记录介质的基板。如图1所示，磁记录介质基板1表面形成有相互垂直的槽(凹部2)，由该槽形成格子状的图案。通过如此在磁记录介质基板1表面形成槽，使基板表面形成凹部2和凸部3。槽的数目和间隔可以根据基板大小和磁性层材料等条件适宜变更。该槽除了格子图案之外，也可以是放射状、同心圆状或龟甲状等其他几何图案。而且还可以是组合多种图案形成的图案。

如图2截面图所示，磁记录介质基板1表面上每隔一定间隔形成了凹部2和凸部3。本实施方式中凸部3被用作记录区域。通过在凸部3上形成磁性层制成磁记录介质。图2的截面图表示磁记录介质基板1的一部分。

用作记录区域的凸部3的宽度是构成磁性层的单晶结构的单位晶格之晶格常数的整数倍。也就是说，如果以凸部3的宽为宽d1，构成磁性层的单晶结构的单位晶格的晶格常数(宽d2)的话，则成立关系：宽d1＝宽d2×n(n：正的整数)。

用长方体的磁性晶体粒子构成磁性层时，如果以晶格常数为a、b、c(立方体晶体时a＝b＝c)，则使磁性粒子的易磁化轴(实际上容易显示磁石特性的晶格方向)配列在希望排列磁化的朝向。例如，面内记录介质的情况时，使易磁化轴向水平方向(优选圆周方向)，配列磁性晶体粒子。垂直记录介质的情况时，使易磁化轴向垂直方向，配列磁性晶体粒子。例如在垂直记录介质中，以c轴的晶格方向为易磁化轴时，只要形成用a轴常数的整数倍和b轴常数的整数倍构成的凸部3即可。

作为形成在该磁记录介质基板1表面的磁性层的材料，采用例如Co类合金的CoPt。采用CoPt时，单位晶格的宽d (晶格常数)是2.7[

]，所以使作为记录区域的凸部3的宽d1为宽d2的整数倍的54[

]。

形成磁性层时，控制成膜温度、压力(真空度)、在溅射和CVD的真空镀膜的输出，优选用高真空低输出进行形成。

为了使得凸部3上形成的磁性层无关于凹部2侧壁面和底面上形成的磁性层地成长，优选使槽(凹部2)的深度在凸部3上形成的磁性层厚度的1.2倍以上。

磁记录介质

接下去参照图3、图4，对采用磁记录介质基板1的磁记录介质作说明。图3是本发明第1实施方式涉及的磁记录介质的截面图。图4是磁性层单晶结构的单位晶格与磁记录介质基板记录区域之间的关系上面示意图。

采用该磁记录介质基板1制作磁记录介质时，通过溅射法等在磁记录介质基板1表面上形成Co类合金等磁性层，制成磁记录介质。例如如图3截面图所示，通过在磁记录介质基板1的凸部3上形成磁性层11，制成磁记录介质10。磁记录介质10上，也可以用非磁性材料埋没磁记录介质基板1的凹部2。

因为凸部3的宽d1是单位晶格宽d2(晶格常数)的整数倍，所以能够在凸部3上规则性地形成磁性层11。尤其是在凸部3的边缘部，也能够规则性地形成磁性层11。

例如如图4(a)的上面图所示，凸部3的上面形状为正方形且1边宽为宽d1时，因为宽d1是磁性层11的单位晶格11a宽d2(晶格常数)的整数倍，所以能够在凸部3上规则性地形成磁性层11的单位晶格11a。此时，即使是凸部3上面的边缘附近，也能够规则性地形成单位晶格11a。

即使凸部3的上面形状为长方形，只要凸部3的宽是磁性层11的单位晶格11a的整数倍，也能够在凸部3上规则性地形成磁性层11。例如如图4(b)的上面图所示，凸部3上面的形状为长方形，1边的宽为宽d1，另一边的宽为宽d3时，宽d1和宽d3为单位晶格11a宽d2的整数倍时，能够在凸部3上规则性地形成磁性层11的单位晶格11a。

基板的材料

接下去，对磁记录介质基板1的材料作说明。作为磁记录介质基板1的材料，可以采用树脂、金属、氧化物、半导体、氮化物、硫化物、陶瓷、玻璃、玻璃陶瓷或有机无机复合材料等。

这里以树脂为例进行说明。磁记录介质基板1除了可以采用热塑性树脂、热固性树脂或活性线固化性树脂之外，还可以采用其他各种树脂。

比如作为热塑性树脂，磁记录介质基板1可以采用例如聚碳酸酯、聚醚醚酮树脂(PEEK树脂)、环状聚烯烃树脂、甲基丙烯酸苯乙烯树脂(MS树脂)、聚苯乙烯树脂(PS树脂)、聚醚酰亚胺树脂(PEI树脂)、ABS树脂、聚酯树脂(PET树脂、PBT树脂等)、聚烯烃树脂(PE树脂、PP树脂等)、聚砜树脂、聚醚砜树脂(PES树脂)、聚芳基化合物树脂、聚亚苯硫醚树脂、聚酰胺树脂或丙烯酸树脂等。作为热固性树脂，可以采用例如酚醛树脂、尿素树脂、不饱和聚酯树脂(BMC树脂等)、硅树脂、尿烷树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂或聚苯并咪唑树脂等。还可以采用聚萘乙二醇酯树脂(PEN树脂)等。

作为活性线固化性树脂，可以采用例如紫外线固化性树脂。作为紫外线固化性树脂，可以举出例如紫外线固化性丙烯酸尿烷类树脂、紫外线固化性聚酯丙烯酸酯类树脂、紫外线固化性环氧丙烯酸酯类树脂、紫外线固化性多元醇丙烯酸酯类树脂、紫外线固化性环氧树脂、紫外线固化性硅类树脂或紫外线固化性丙烯酸树脂等。

为了有效地体现出本发明的目的，对涂敷的固化前的层照射活性线进行固化时，优选用光引发剂促进固化反应。此时也可以并用光敏剂。

另外，当空气中的氧抑制上述固化反应时，为了降低或除去氧浓度，可以在例如惰性气大气下照射活性线。作为活性线，可以适宜选择红外线、可见光、紫外线等，尤其优选选择紫外线，但没有特殊限定。也可以在活性线照射中或照射前后，通过加热，强化固化反应。

磁记录介质基板1可以采用液晶聚合物、有机/无机混合树脂(例如作为骨架在高分子成分中嵌入硅)等。上述举出的树脂只不过是用于磁记录介质基板1的树脂一例，实际上并不局限于这些树脂。可以混合2种以上树脂，也可以使不同成分的各层相邻接，作为基板。

作为母材的树脂，尽量优选耐热温度或玻璃转移温度Tg高的材料。因为要在磁记录介质基板1上通过溅射形成磁性层，所以优选耐热温度或玻璃转移温度Tg在溅射时的温度以上。例如优选采用耐热温度或玻璃转移温度Tg≥200℃的树脂。

作为玻璃转移温度≥200℃的代表性树脂，可以举出聚醚砜树脂(PES树脂)、聚醚酰亚胺树脂(PEI树脂)、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯并咪唑树脂、BMC树脂或液晶聚合物等。更具体如下：作为聚醚砜树脂(PES树脂)可以举出ユ一デル(ソルベイアデバンストポリマ一ズ)；作为聚醚酰亚胺树脂(PEI树脂)，可以举出ウルテム(日本GE塑料)；作为聚酰胺酰亚胺树脂，可以举出ト一ロン(ソルベイアデバンストポリマ一ズ)；作为聚酰亚胺树脂(热塑性)，可以举出オ一ラム(三井化学)；作为聚酰亚胺树脂(热固性)，可以举出ユ一ピレツクス(宇部兴产)；作为聚苯并咪唑树脂，可以举出PBI/Celazole(クラリアントジヤパン)。另外，作为液晶聚合物，可以举出スミカス一パ一LCP(住友化学)；作为聚醚醚酮，可以举出ビクトレツクス(ビクトレツクスMC)。

作为磁记录介质基板1，为了防止因基板吸湿的尺寸变化引起与磁头的位置偏离，优选采用吸湿性低的树脂。作为吸湿性低的树脂代表，有聚碳酸酯和环状聚烯烃树脂。

以上说明的例子中基板由单一树脂构成，但基板并不局限于用单一树脂构成，也可以通过用树脂覆盖金属、玻璃等非磁性材料表面构成。此时，作为被树脂覆盖的非磁性材料，可以采用树脂、金属、半导体、氮化物、硫化物、陶瓷、玻璃、玻璃陶瓷或有机无机复合材料等适合用作基板的各种原材料。

但是，用单一树脂构成基板具有能够简略制造工序之效果，所以优选。

制造方法

采用树脂的磁记录介质基板1的制造，其方法是采用具有与磁记录介质基板1相应形状的模具，可以通过注射成型法、浇铸成型法、片材成型法、注射压缩成型法或压缩成型法等成型法制作。也就是说，使用具有与磁记录介质基板1的凹部2和凸部3相对应之形状的模具，通过注射成型法等，制作磁记录介质基板1。还可以根据需要，对成型后的基板进行裁剪、打穿或压榨成形，制作磁记录介质基板1。

用上述注射成型法等成型磁记录介质基板1时，至少可以同时形成磁记录介质基板1的内径尺寸、外径尺寸、内周端部形状或外周端部形状的1个。也就是说，按照磁记录介质基板1的内径尺寸和外径尺寸，制作注射成型等时使用的模具，通过使用该模具，在树脂成型时便完成内径尺寸和外径尺寸。另外，按照磁记录介质基板1的内周边缘形状和外周边缘形状制作模具，通过使用该模具，在树脂成型时便完成内周边缘形状和外周边缘形状。

除了成型法之外，也可以通过其他方法制作本实施方式涉及的磁记录介质基板1。例如在平板状的基板上设抗蚀膜，通过与凹部2(槽)相应的面罩，在抗蚀膜上形成图案，照射受激准分子激光等激光，在基板上形成凹部2(槽)。然后剥离基板上的抗蚀膜得到磁记录介质基板1。也可以如此通过图案结构工序制作磁记录介质基板1。也可以通过抗蚀膜在基板上形成图案之后，通过干腐蚀形成凹部2(槽)。

还可以用印刷法和纳米印刷法等方法在基板上形成2(槽)。

优选凸部3的宽d1的误差在晶格常数(宽d2)×n的3％以外，更优选在2％以内。因为该误差反映凸部3上形成的磁性层的晶格变形量，所以优选在3％以内。

也可以在磁记录介质基板1表面形成覆盖层，在该覆盖层上形成磁性层。覆盖层可以用金属层、陶瓷层、磁性层、玻璃层或无机有机复合层(混合层)。作为高密度化技术而被大大寄予期待的垂直磁记录介质，其中必须垂直于基板表面排列磁性体，因此必须在磁性层和基板之间形成软磁性层。作为该软磁性层的代表性合金，有镍钴(Ni-Co)合金。通过用Ni-Co合金作为覆盖层，还能够在垂直磁记录介质中起到作为软磁性层的功能。

[第2实施方式]

接下去，参照图5、图6，就有关本发明第2实施方式涉及的磁记录介质基板，以母材是由树脂构成的磁记录介质基板为例作说明。图5是本发明第2实施方式涉及的磁记录介质基板的截面图。图6是本发明第2实施方式涉及的磁记录介质的截面图。

第1实施方式中，将磁记录介质基板的凸部作为记录区域，在凸部上形成磁性层，第2实施方式中将凹部作为记录区域，在凹部中形成磁性层。例如如图5所示，通过在磁记录介质基板5表面形成槽，在基板表面形成凹部6和凸部7。然后通过在凹部6中形成磁性层，制成磁记录介质。图5的截面图表示磁记录介质基板5的一部分。

被用作为记录区域的凹部6，其宽是构成磁性层的单晶结构的单位晶格之晶格常数的整数倍。即，若以凹部6的宽为宽d4，构成磁性层的单晶结构的单位晶格的宽(晶格常数)为d2，则成立关系：宽d4＝宽d2×n(n：正的整数)。

磁记录介质

用本磁记录介质基板5制作磁记录介质时，在磁记录介质基板5表面通过溅射等形成Co类合金等磁性层，制成磁记录介质。例如如图6截面图所示，通过在磁记录介质基板5的凹部6中形成磁性层21，制成磁记录介质20。

因为凹部6的宽d4是单位晶格宽d2(晶格常数)的整数倍，所以能够在凹部6中规则性地形成磁性层21。尤其是在凹部6的边端，也能够规则性地形成磁性层21。

上述第1实施方式及第2实施方式中是在基板单面形成槽，但也可以在两面形成槽。此时，将凸部或凹部作为记录区域，使作为记录区域的凸部或凹部的宽，为构成磁性层的单晶结构的单位晶格的宽(晶格常数)的整数倍，由此能够得到与上述第1实施方式及第2实施方式同样的效果。

槽的侧面可以形成为垂直，也可以形成为倾斜。另外，槽的侧面可以形成为直线状，也可以形成为曲面状。

上述第1实施方式及第2实施方式中，作为记录区域的凸部或凹部的形状是矩形状的，但是根据构成磁性层的单晶结构的单位晶格的结构，也可以使凸部或凹部的形状为三角形状或五角形状以上。

[实施例]

接下去，对本发明实施方式涉及的具体实施例作说明。

(实施例1)

本实施例1中，对图1至图3所示的磁记录介质基板1的具体例作说明。本实施例1中将图1至图3所示的磁记录介质基板1的凸部3作为记录区域，在凸部3上形成了磁性层。如图4(a)所示，以凸部3的上面形状为正方形。

磁记录介质基板1的成型

作为基板材料采用聚酰亚胺，通过注射成型制成磁记录介质基板1。作为聚酰亚胺，采用オ一ラム(三井化学公司制造)。该磁记录介质基板1的尺寸如下。

外径：1英寸(25.4[mm])。

磁记录介质基板1的厚度：0.4[m m]。

凸部3(记录区域)的宽d1：88[

]。

凹部2的宽：200[

]。

磁性层的形成

用溅射法在磁记录介质基板1表面形成CoPd合金的磁性层，制成磁记录介质。

磁性层的厚度：26[nm]。

构成磁性层的单晶结构的单位晶格的宽d2(晶格常数)(111)：2.2[]。

评价

本实施例1中，作为记录区域的凸部3的宽d1为88[

]，单位晶格的宽d2(晶格常数)为2.2[

]，所以，宽d1是宽d2的整数倍。这样，能够在凸部3上规则性地形成磁性层。尤其是在凸部3上面的边缘，也能够规则性地形成磁性层。例如，通过电子衍射测定确认了晶体性和变形的程度，可以确认到凸部3上规则性地形成了磁性层。

(实施例2)

实施例2与实施例1相同，将磁记录介质基板1的凸部3作为记录区域，在凸部3上形成了磁性层。本实施例2中，如图4(b)所示，凸部3的上面形状为长方形。本实施例2涉及的磁记录介质基板1，采用与实施例1相同的树脂(聚酰亚胺)。

磁记录介质基板1的尺寸

外径：1英寸(25.4[mm])。

磁记录介质基板1的厚度：0.4[mm]。

凸部3(记录区域)的宽d1：81[

]。

凸部3(记录区域)的宽d3：108[]。

磁性层的形成

用溅射法在磁记录介质基板1表面形成CoPt磁性层，制成磁记录介质。

磁性层的厚度：30[nm]。

构成磁性层的单晶结构的单位晶格的宽d2(晶格常数)：2.7[

]。

评价

本实施例2中，作为记录区域的凸部3的宽d1为81[

]、宽d3为108[

]，单位晶格的宽d2(晶格常数)为2.7[

]，所以，宽d1和宽d3是宽d2的整数倍。这样，能够在凸部3上规则性地形成磁性层。

(实施例3)

实施例3与实施例1相同，将磁记录介质基板1的凸部3作为记录区域，在凸部3上形成了磁性层。本实施例3中，如图4(a)所示，凸部3的上面形状为正方形。本实施例3中，改变磁性层的材料。本实施例3涉及的磁记录介质基板1采用与实施例1相同的树脂(聚酰亚胺)。

磁记录介质基板1的尺寸

外径：1英寸(25.4[mm])。

磁记录介质基板1的厚度：0.4[mm]。

凸部3(记录区域)的宽d1：48[

]。

磁性层的形成

用溅射法在磁记录介质基板1表面形成CoCrPt磁性层，制成磁记录介质。

磁性层的厚度：20[nm]。

构成磁性层的单晶结构的单位晶格宽d2(晶格常数)：2.4[

]。

评价

本实施例3中，作为记录区域的凸部3的宽d1为48[

]，单位晶格的宽d2(晶格常数)为2.4[

]，所以宽d1是宽d2的整数倍。这样，能够在凸部3上规则性地形成磁性层。

(比较例)

接下去，对相对于上述实施例1至实施例3的比较例作说明。比较例涉及的磁记录介质基板与上述实施例1至实施例3同样，通过在磁记录介质基板表面形成槽，形成了凹部和凸部。比较例涉及的磁记录介质基板的材料，采用与实施例1等相同的树脂(聚酰亚胺)。

比较例涉及的磁记录介质基板的尺寸

外径：1英寸(25.4[mm])。

磁记录介质基板的厚度：0.4[mm]。

凸部(记录区域)的宽：40[

]。

磁性层的形成

用溅射法在磁记录介质基板表面形成CoPt磁性层，制成磁记录介质。

构成磁性层的单晶结构的单位晶格宽(晶格常数)：2.7[]。

评价

该比较例中，作为记录区域的凸部的宽为40[

]，单位晶格的宽(晶格常数)为2.7[

]，所以，凸部的宽不是单位晶格的宽(晶格常数)的整数倍。因此，在凸部上形成的磁性层不规则，尤其是在凸部上面的边缘部容易发生变形等。

如上所述，根据本发明实施例涉及的磁记录介质基板，不需要复杂的工序，能够在记录区域形成规则化的磁性层。由此，形成不易发生变形等的磁性层，能够提高磁记录介质的磁特性。

上述实施例中是采用聚酰亚胺作为磁记录介质基板1的材料，但采用上述实施方式中列举的其他树脂，也能够得到同样的效果。

上述实施例子中，是在第1实施方式涉及的磁记录介质基板1的凸部3上形成了磁性层，但在第2实施方式涉及的磁记录介质基板5的凹部6中形成磁性层的情况，也确认到在凹部6中规则性地形成磁性层。

Claims (10)

1.一种磁记录介质基板，呈圆板状，表面形成了被形成有磁性层的多个记录区域，磁记录介质基板的特征在于，所述记录区域的宽，是构成所述磁性层的单晶结构的单位晶格之晶格常数的整数倍。

2.权利要求1中记载的磁记录介质基板，其特征在于，在所述表面形成槽，所述记录区域是所述槽的凹部，所述凹部的宽是所述单位晶格的晶格常数的整数倍。

3.权利要求1中记载的磁记录介质基板，其特征在于，在所述表面形成槽，所述记录区域是所述槽的凸部，所述凸部的宽是所述单位晶格的晶格常数的整数倍。

4.权利要求2或3中记载的磁记录介质基板，其特征在于，用1个或多个几何图案组合形成所述槽。

5.权利要求4中记载的磁记录介质基板，其特征在于，所述几何图案是晶格状、放射状、同心圆状或龟甲状。

6.权利要求1至3的任何一项中记载的磁记录介质基板，其特征在于，所述记录区域通过成形法形成。

7.权利要求1至3的任何一项中记载的磁记录介质基板，其特征在于，所述记录区域通过图案结构法形成。

8.权利要求1至3的任何一项中记载的磁记录介质基板，其特征在于，基板的母材由树脂、玻璃、金属材料、半导体、氧化物、氮化物或硫化物的任意一种构成。

9.一种磁记录介质，其特征在于，在权利要求1至8的任何一项中记载的磁记录介质基板的所述记录区域上形成了所述磁性层。

10.一种磁记录介质基板的制造方法，是在圆板状的基板表面，形成了被形成有磁性层的多个记录区域，磁记录介质基板制造方法的特征在于，

使所述记录区域的宽，为构成所述磁性层的单晶结构的单位晶格之晶格常数的整数倍。

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