KR20080102986A - 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치 - Google Patents
자기 기록 매체 및 자기 기억 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080102986A KR20080102986A KR1020080046569A KR20080046569A KR20080102986A KR 20080102986 A KR20080102986 A KR 20080102986A KR 1020080046569 A KR1020080046569 A KR 1020080046569A KR 20080046569 A KR20080046569 A KR 20080046569A KR 20080102986 A KR20080102986 A KR 20080102986A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- nonmagnetic
- substrate
- recording medium
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 178
- 238000003860 storage Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 14
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- -1 CrCr Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 273
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 16
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- 102100036250 GPI mannosyltransferase 4 Human genes 0.000 description 7
- 101001074618 Homo sapiens GPI mannosyltransferase 4 Proteins 0.000 description 7
- 101000983850 Homo sapiens Phosphatidate phosphatase LPIN3 Proteins 0.000 description 7
- 101000648528 Homo sapiens Transmembrane protein 50A Proteins 0.000 description 7
- 102100025728 Phosphatidate phosphatase LPIN3 Human genes 0.000 description 7
- 102100028770 Transmembrane protein 50A Human genes 0.000 description 7
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- KXRZBTAEDBELFD-UHFFFAOYSA-N sulfamethopyrazine Chemical compound COC1=NC=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 KXRZBTAEDBELFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 101100129180 Streptococcus pyogenes serotype M5 emm5 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000424 chromium(II) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/736—Non-magnetic layer under a soft magnetic layer, e.g. between a substrate and a soft magnetic underlayer [SUL] or a keeper layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/667—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers including a soft magnetic layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
- G11B5/737—Physical structure of underlayer, e.g. texture
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7377—Physical structure of underlayer, e.g. texture
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73913—Composites or coated substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73927—Polyester substrates, e.g. polyethylene terephthalate
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73937—Substrates having an organic polymer comprising a ring structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0026—Pulse recording
- G11B2005/0029—Pulse recording using magnetisation components of the recording layer disposed mainly perpendicularly to the record carrier surface
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Abstract
본 발명은 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치에 관한 것으로, 리드(read)/라이트(write) 특성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
기판과, 기판의 위쪽에 설치된 비자성 그래뉼러층과, 비자성 그래뉼러층 상에 설치된 기록층을 구비하며, 비자성 그래뉼러층은 대략 기둥 형상의 자성 입자 주위에 비자성 재료가 편석(偏析)한 상태의 hcp 결정 구조 혹은 fcc 결정 구조의 CoCr계 합금이도록 구성한다.
Description
본 발명은 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치에 관한 것으로, 특히 고 밀도 기록에 적합한 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치에 관한 것이다.
정보 처리 기술의 발전에 따라, 컴퓨터의 외부 기록 장치 등으로서 이용되고 있는 자기 디스크 장치에 대해서는, 대 용량화나 고속 전송화 등의 고 성능화가 요구된다. 이러한 요구를 감안하여 자기 기록의 고 기록 밀도화를 달성하기 위해서, 최근, 수직 자기 기록 매체의 개발이 활발해져 왔다.
수직 자기 기록 매체에 있어서도, 수평 자기 기록 매체의 경우와 마찬가지로 고기록 밀도화에 대하여 자기 기록 매체의 기록층(또는 자성층)의 저 노이즈화를 도모하는 것이 효과적이며, 종래에는 기록층의 보자력(保磁力)을 높게 하거나, 기록층을 구성하는 자성 입자를 미세화함으로써 노이즈를 저감하고 있다.
기록층의 보자력을 높게 하거나, 기록층을 구성하는 자성 입자를 미세화하기 위해서는, 기록층을 2층 구조로 하거나, 기록층을 그래뉼러층으로 구성하거나, 기록층의 하측에 Ru 중간층을 설치한 구조로 하는 것이 비교적 유효하다. 기록층을 2 층 구조로 하거나, 그래뉼러층으로 구성하는 것은, 예컨대 특허문헌 1에 기재되어 있다. 기록층을 그래뉼러층으로 구성하면, 자성 입자의 주위에 산화물이 편석한 상태가 되어, 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 향상된다. Ru 중간층은 기록층을 구성하는 자성 입자끼리의 자기적인 분리를 하기 쉽게 하기 위해서 설치된다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-309919호 공보
그러나, 기록층을 2층 구조로 하거나, 기록층을 그래뉼러층으로 구성하거나, 기록층의 하측에 Ru 중간층을 설치한 구조로 해도, 신호 대 잡음비(SNR), 에러율의 지표가 되는 VMM2L, 실효 트랙폭 WCw 등으로 표시되는 자기 기록 매체의 리드(read)/라이트(write) 특성을 더욱 향상시키는 것은 어렵다는 문제가 있었다. 이것은 기록층을 구성하는 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 불충분한 것에 기인한다고 생각된다.
또한, 실효 트랙폭 WCw는 자기 기록 매체 상의 트랙에 대하여 자기 헤드를 오프셋하면서 데이터를 라이트하여 리드한 결과의 프로파일로부터 자기 헤드의 라이트폭을 측정함으로써 얻어지는 트랙의 실효폭이다.
그래서, 본 발명은 리드/라이트 특성이 향상된 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제는 기판과, 상기 기판의 위쪽에 설치된 비자성 그래뉼러층과, 상기 비자성 그래뉼러층 상에 설치된 기록층을 구비하며, 상기 비자성 그래뉼러층은, 대략 기둥 형상의 자성 입자 주위에 비자성 재료가 편석한 상태의 hcp 결정 구조 혹은 fcc 결정 구조의 CoCr계 합금인 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체에 의해 달성할 수 있다.
예컨대, CoCr계 합금은 CoCrX1 합금으로 이루어지며, X1은 Pt, Ta, Ru로 이루어지는 그룹에서 선택된 하나의 원소이며, 비자성 재료는 SiO2, TiO2, Cr-OX, Ta2O5, ZrO2, SiN, TiN, CrN, TaN, ZrN으로 이루어지는 그룹에서 선택된 재료를 적어도 1종류 이상 포함한다.
상기 과제는 헤드와, 상기 자기 기록 매체를 적어도 하나 구비한 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치에 의해 달성할 수 있다.
본 발명에 의하면, 리드/라이트 특성이 향상된 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치를 실현할 수 있다.
본 발명에서는 자기 기록 매체의 비자성 그래뉼러층 상에 기록층을 설치한다. 비자성 그래뉼러층은 중간층 상에 설치해도 된다.
비자성 그래뉼러층을 설치함으로써 자기 기록 매체의 리드/라이트 특성이 향상된다. 이것은 비자성 그래뉼러층에 의해 기록층을 구성하는 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 향상되는 것에 의한다고 생각되며, 중간층 상에 비자성 그래뉼러층을 설치한 경우에는, 기록층을 구성하는 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 더욱 향상되는 것에 의한다고 생각된다.
(실시예)
도 1은 본 발명의 자기 기록 매체의 제1 실시예의 주요부를 도시하는 단면도 이다. 본 실시예에서는 본 발명이 수직 자기 기록 매체에 적용되어 있다.
도 1에 도시하는 자기 기록 매체(1-1)는 유리 기판(11) 상에, Co 합금으로 이루어지는 APS-SUL(Anti-㎩rallel Structure-Soft magnetic Underlayer)(12), Ni 합금으로 이루어지는 하지층(13), 비자성 그래뉼러층(15), 기록층(16) 및 보호층(17)이 적층된 구조를 갖는다. 보호층(17)은, 예컨대 DLC(Diamond-Like Carbon)로 이루어지며, 이 보호층(17) 위에는 윤활층(도시하지 않음)이 설치되어 있어도 된다. APS-SUL(12)의 막 두께는, 예컨대 약 50 ㎚이며, 하지층(13)의 막 두께는, 예컨대 약 5 ㎚이다. 보호층(17)의 막 두께는, 예컨대 약 6 ㎚∼약 10 ㎚이다. 기판(11), APS-SUL(12), 하지층(13) 등의 하층의 재질 및 구조는 후술하는 실시예로부터도 알 수 있듯이, 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 하지층(13)은 fcc 결정 구조를 가지며, 배향 제어층으로서 기능하는 것이면 Ni 합금에 한정되지 않으며, Ta 합금, Ti 합금, Co 합금 등으로 이루어지는 것이어도 된다.
비자성 그래뉼러층(15)은, 대략 기둥 형상의 자성 입자 주위에 비자성 재료가 편석한 상태의 hcp 결정 구조 혹은 fcc 결정 구조의 CoCr계 합금으로 이루어지며, 막 두께는, 예컨대 약 1 ㎚∼약 8 ㎚이다. 이 CoCr계 합금은 CoCrX1 합금으로 이루어지며, X1은 Pt, Ta, Ru 등에서 선택된 1종류 이상의 원소를 포함한다. 비자성 재료는, SiO2, TiO2, Cr-OX, Ta2O5, ZrO2 등의 산화물 및 SiN, TiN, CrN, TaN, ZrN 등의 질화물로 이루어지는 그룹에서 선택된 재료를 적어도 1종류 이상 포함한다. 비자성 그래뉼러층(15)은 그 막면(즉, 기판 표면)에 대하여 수직 방향으로, 비자성 그래뉼러층(15)의 위에 형성되는 기록층(16)의 자성 입자의 배향을 맞추도록 기능한다.
기록층(16)은, 대략 기둥 형상의 자성 입자 주위에 비자성 재료가 편석한 상태의 hcp 결정 구조의 Co 합금으로 이루어지며, 막 두께는, 예컨대 약 8 ㎚~약 12 ㎚이다. Co 합금은 CoFe, CoCr, CoCrPt, CoCrPtB 등으로 이루어진다. 비자성 재료는 SiO2, TiO2, Cr-OX, Ta2O5, ZrO2 등의 산화물 및 SiN, TiN, CrN, TaN, ZrN 등의 질화물로 이루어지는 그룹에서 선택된 재료를 적어도 1종류 이상 포함한다. 기록층(16)은 단층 구조를 가져도, 다층 구조를 가져도 된다.
도 2는 본 발명의 자기 기록 매체의 제2 실시예의 주요부를 도시하는 단면도이다. 본 실시예에서는, 본 발명이 수직 자기 기록 매체에 적용되어 있다. 도 2 중, 도 1과 동일한 부분에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명은 생략한다.
도 2에 도시하는 자기 기록 매체(1-2)는, 유리 기판(11) 상에, Co 합금으로 이루어지는 APS-SUL(12), Ni 합금으로 이루어지는 하지층(13), 중간층(14), 비자성 그래뉼러층(15), 기록층(16) 및 보호층(17)이 적층된 구조를 갖는다. 보호층(17) 위에는, 윤활층(도시하지 않음)이 설치되어 있어도 된다. 중간층(14)은 hcp 결정 구조를 갖는 Ru 또는 RuX2 합금으로 이루어지며, 막 두께는, 예컨대 약 15 ㎚∼약 21 ㎚이다. 여기서 X2는 Co, Cr, W, Re 등에서 선택된 1종류 이상의 원소를 포함한다.
도 3은 자기 기록 매체(1-1, 1-2)의 리드/라이트 특성을 설명하는 도면이다. 도 3 중, 세로축은 에러율의 지표가 되는 VMM2L을 나타내고, 가로축은 실효 트랙폭 WCw를 나타낸다. 도 3은 샘플 SMP1, SMP2, SMP3에 대해서, 200 Gbps 클래스의 헤드를 이용하여 리드/라이트 테스터로 측정함으로써 얻어진 실측치를 도시한다. 샘플 SMP1은 도 1에 있어서 비자성 그래뉼러층(15)이 Ru 중간층으로 치환된 종래의 자기 기록 매체, 샘플 SMP2는 도 1에 도시하는 자기 기록 매체(1-1), 샘플 SMP3은 도 2에 도시하는 자기 기록 매체(1-2)이며, 기판이 유리, APS-SUL이 Co 합금, 하지층이 Ni 합금, 중간층이 Ru, 비자성 그래뉼러층이 CoCr-SiO2, 기록층이 CoCrPt-TiO2, 보호층이 DLC인 경우에 대해서, 각 샘플 SMP1, SMP2, SMP3의 층의 조성, 막 두께 등의 조건을 상기의 범위 내에서 동일하게 설정하여 측정을 행하였다. CoCr-SiO2로 이루어지는 비자성 그래뉼러층은, Cr의 함유량이 40 at.％ 이하, SiO2의 함유율은 8 ㏖％ 이하로 하고, 막 두께는 4 ㎚로 설정하였다. 도 3에 있어서, 흰색 ×표(■ 안에 흰색 ×를 갖는 표시)는 샘플 SMP1의 데이터, 흰색 ＋표(■ 안에 흰색 ＋를 갖는 표시)는 샘플 SMP2의 데이터, ○표는 샘플 SMP3의 데이터를 나타낸다.
샘플 SMP2의 경우, 샘플 SMP1에 비해서 실효 트랙폭 WCw가 약 8 ㎚ 개선되는 것이 확인되었다. 또, 샘플 SMP3의 경우, 샘플 SMP1에 비해서 동일한 실효 트랙폭 WCw이면 VMM2L이 약 0.2 개선되고, 동일한 VMM2L이면 실효 트랙폭 WCw가 약 13 ㎚ 개선되는 것이 확인되었다. 또, 본 발명자들이 CoCrX1-SiO2로 이루어지는 비자성 그래뉼러층을 갖는 샘플 SMP2', SMP3'와 샘플 SMP1을 비교한 결과, X1이 Pt, Ta, Ru 등에서 선택된 1종류 이상의 원소를 포함하는 경우에 대해서도, 샘플 SMP2, SMP3과 동일한 개선 효과가 있는 것이 확인되었다. 이와 같이, 비자성 그래뉼러층(15)을 설치함으로써 리드/라이트 특성이 향상되는 것은, 비자성 그래뉼러층(15)에 의해 기록층(16)을 구성하는 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 향상되는 것에 의한다고 생각되고, 중간층(14) 위에 비자성 그래뉼러층(15)을 설치한 경우에는 기록층(16)을 구성하는 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 더욱 향상되는 것에 의한다고 생각된다.
도 4는 본 발명의 자기 기록 매체의 제3 실시예의 주요부를 도시하는 단면도이다. 본 실시예에서는 본 발명이 수직 자기 기록 매체에 적용되어 있다.
도 4에 도시하는 자기 기록 매체(1-3)는, 유리 기판(21) 상에, 시드층(22), 연자성 보강층(23), 배향 제어층(또는, 하지층)(24), 중간층(25), 비자성 그래뉼러층(26), 기록층(27) 및 보호층(28)이 적층된 구조를 갖는다. 보호층(28)의 위에는 윤활층(도시하지 않음)이 설치되어 있어도 된다. 본 실시예에서는 기록층(27)이 다층 구조를 갖는다.
시드층(22)은, 예컨대 막 두께가 약 2 ㎚∼약 10 ㎚인 CrTi로 이루어진다. 연자성 보강층(23)은, 예컨대 막 두께가 약 5 ㎚∼약 30 ㎚인 CoFeZrTa로 이루어지는 하측 보강층(23-1)과, 예컨대 막 두께가 약 0.4 ㎚∼약 3 ㎚인 Ru로 이루어지는 자구(磁區, magnetic domain) 제어층(23-2)과, 예컨대 CoFeZrTa로 이루어지는 상측 보강층(23-3)을 갖는다. CoFeZrTa 상측 보강층(23-3)은, 예컨대 막 두께가 약 5 ㎚∼약 30 ㎚이며, Fe의 함유량이 40 at.％∼50 at.％, Zr의 함유량이 4 at.％∼9 at.％, Ta의 함유량이 2 at.％∼10 at.％이다. 배향 제어층(24)은, 예컨대 막 두께가 약 2 ㎚∼약 15 ㎚인 NiCr로 이루어진다. 중간층(25)은, 예컨대 막 두께가 약 3 ㎚∼약 15 ㎚인 Ru로 이루어지는 하측 비자성층(25-1)과, 예컨대 막 두께가 약 3 ㎚∼약 10 ㎚인 Ru로 이루어지는 상측 비자성층(25-2)을 갖는다. 비자성 그래뉼러층(26)은, 예컨대 막 두께가 약 0.5 ㎚∼약 5 ㎚인 CoCr-SiO2로 이루어지며, Cr의 함유량은 30 at.％∼50 at.％, SiO2의 함유율이 4 ㏖.％∼12 ㏖.％이다. 기록층(27)은, 예컨대 CoCrPt-TiO2로 이루어지며 주 기록층으로서 기능하는 하측 그래뉼러 자성층(27-1)과, 예컨대 CoCrPtB로 이루어지며 기록 보조층으로서 기능하는 상측 자성층(27-2)을 갖는다. CoCrPtB 상측 자성층(27-2)은, 예컨대 막 두께가 약 3 ㎚∼약 12 ㎚이며, Co의 함유량이 5 at.％∼25 at.％, Pt의 함유량이 5 at.％∼25 at.％, B의 함유량이 1 at.％∼15 at.％이다. 보호층(17)은, 예컨대 막 두께가 약 4 ㎚인 DLC로 이루어진다.
다음으로, 도 4에 도시하는 자기 기록 매체(1-3)의 제조 방법에 대해서 설명한다.
우선, 유리 등의 비자성 재료로 이루어지는 기판(21)의 기판 표면의 강성을 화학 처리에 의해 높이고, 성막(成膜) 압력을 0.3 ㎩∼0.8 ㎩로 하는 스퍼터법에 의해 CrTi 합금을 약 3 ㎚의 막 두께까지 형성하여 시드층(22)을 형성한다. 시드층(22)의 성장률는 특별히 한정되지 않지만, 본 실시예는 예컨대 2 ㎚/초이다. 이 시드층(22)은 후공정에서 적층되는 막에 기판(21)의 표면 상태를 전달하지 않도록 하고, 밀착층으로서의 기능도 갖는다. 또한, 시드층(22)을 형성하지 않더라도 나중의 공정에서 적층되는 막의 결정성에 문제가 생기지 않는다면, 시드층(22)은 생략 가능하다.
기판(21)은 유리 기판에 한정되지 않으며, 자기 기록 매체(1-3)가 하드 디스크와 같은 솔리드한 매체인 경우에는, 기판(21)은 플라스틱 기판, NiP 도금이 실시된 Al 합금 기판, 실리콘 기판 등을 사용할 수 있다. 또, 자기 기록 매체(1-3)가 가성(flexible)의 테이프형 매체인 경우에는, 기판(21)은 PET(Poly Ethylene Terephthalate) 기판, PEN(Poly Ethylene Naphthalate) 기판, 폴리이미드(Polyimide) 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 카본 기판을 기판(21)으로서 이용해도 된다.
다음으로, 성막 압력을 0.3 ㎩~0.8 ㎩, 성장률를 5 ㎚/초로 하는 스퍼터법에 의해, 시드층(22) 상에 연자성의 비정질(amorphous) FeCoZrTa를 약 20 ㎚의 막 두께까지 형성하여 하측 보강층(23-1)을 형성한다. 또한, 하측 보강층(23-1)을 구성하는 연자성의 비정질 재료는 FeCoZrTa에 한정되지 않으며, Fe 또는 Co 중 어느 하나를 포함하는 합금에 1종류 이상의 원소를 첨가한 비정질 재료를 이용해도 된다.
상기와 동일한 스퍼터법에 의해, 하측 보강층(23-1) 위에 Ru를 약 0.4 ㎚∼약 3 ㎚ 형성하여 자구 제어층(23-2)을 형성한다. 또한, 자구 제어층(23-2)을 구성하는 재료는 Ru에 한정되지 않으며, Rh, Ir, Cu 등을 이용해도 된다.
또한, 하측 보강층(23-1)의 형성 시와 동일한 성막 조건을 채용하는 스퍼터법에 의해, 자구 제어층(23-2) 상에 연자성의 비정질 FeCoZrTa를 약 20 ㎚의 막 두 께까지 형성하여 상측 보강층(23-3)을 형성한다. 또한, 상측 보강층(23-3)을 구성하는 연자성의 비정질 재료는 FeCoZrTa에 한정되지 않으며, Fe 또는 Co 중 어느 하나를 포함하는 합금에 1종류 이상의 원소를 첨가한 비정질 재료를 이용해도 된다.
이에 따라, 시드층(22) 상에는, 하측 보강층(23-1), 자구 제어층(23-2) 및 상측 보강층(23-3)이 적층된 구성의 연자성 보강층(23)이 형성된다. 이러한 구성의 연자성 보강층(23)에서는, 자구 제어층(23-2)을 통해 하측 보강층(23-1)과 상측 보강층(23-3)이 반강자성 결합을 하기 때문에, 각 보강층(23-1, 23-3)의 자화는 상호 반(反)평행의 상태에서 안정된다. 가령, 상측 보강층(23-3) 혹은 하측 보강층(23-1)의 막면 내에 인접하는 자화가 반대 방향을 향하는 경우에 보여지는 「버팅(butting)(in face-to-face direction)」이 존재했다고 해도, 거기에서 누설되는 자속은, 보강층(23-3, 23-1)의 자화가 반평행 상태에 있기 때문에, 연자성 보강층(23) 내에서 환류한다. 이 결과, 자벽(磁壁)을 발생원으로 하는 자속이 연자성 보강층(23)의 위쪽으로 연장되기 어려워지기 때문에, 자기 헤드가 그 자속에 의하여 영향을 받지 않게 되어, 자속에 기인하여 리드 시에 발생하는 스파이크 노이즈를 감소시킬 수 있다.
또한, 스파이크 노이즈를 감소시키는 구조로서는, 반강자성층 위에 단층의 연자성 보강층을 형성한 구조도 있다. 이 경우의 반강자성층은, 예컨대 IrMn이나 FeMn으로 구성된다.
다음으로, 성막 압력을 0.3 ㎩∼0.8 ㎩, 성장률을 2 ㎚/초로 하는 스퍼터법 에 의해, 연자성 보강층(23) 상에 연자성의, 예컨대 Ni90Cr10을 약 5 ㎚의 막 두께까지 형성하여 배향 제어층(24)을 형성한다. 배향 제어층(24)을 구성하는 NiCr 층은 FeCo 합금기의 비정질 재료를 상측 보강층(23-3)에 이용함으로써, 양호한 fcc 결정 구조가 된다. 이러한 양호한 fcc 결정 구조를 갖는 배향 제어층(24)은 NiCr에 한하지 않으며, NiFeCr, Pt, Pd, NiFe, NiFeSi, Al, Cu, In 중 어느 하나, 혹은, 이들의 합금을 이용하는 것에 의해서도 실현할 수 있다.
배향 제어층(24)을 NiFe 등의 연자성 재료로 구성하면, 배향 제어층(24)이 상측 보강층(23-3)의 기능도 겸비하게 되기 때문에, 자기 헤드로부터 상측 보강층(23-3)까지의 외관상의 거리가 짧아져서, 자기 헤드에 의해 자기 기록 매체(1-3) 상에 라이트되어 있는 정보를 감도 좋게 리드할 수 있다.
다음으로, 성막 압력을 4 ㎩∼10 ㎩, 성장률을 2 ㎚/초∼5 ㎚/초로 하는 스퍼터법에 의해, 배향 제어층(24) 상에 Ru를 약 10 ㎚의 막 두께까지 형성하여 하측 비자성층(25-1)을 형성한다. 또, 성막 압력을 4 ㎩∼10 ㎩, 성장률을 하측 비자성층(25-1)의 경우보다 낮은 0.5 ㎚/초로 하는 스퍼터법에 의해, 하측 비자성층(25-1) 상에 Ru를 약 5 ㎚의 막 두께까지 형성하여 상측 비자성층(25-2)을 형성한다. 이에 따라, 중간층(25)이 형성된다.
중간층(25)에 있어서, 비자성층(25-1, 25-2)을 구성하는 Ru층은 hcp 결정 구조를 갖지만, 이 hcp 결정 구조는 배향 제어층(24)을 구성하는 연자성층의 fcc 결정 구조와 격자 정합성이 좋다. 이러한 배향 제어층(24)의 작용에 의해, 배향이 한 방향으로 맞추어져 양호한 결정성을 갖는 비자성층(25-1, 25-2)이 배향 제어층(24) 상에 성장한다.
또한, 중간층(25)을 구성하는 각 비자성층(25-1, 25-2)은 hcp 결정 구조를 갖는 Ru에 한정되지 않으며, hcp 결정 구조를 갖는 RuX2 합금으로 구성되어 있어도 된다. 이 경우, X2는 Co, Cr, W, Re 등에서 선택된 하나의 원소이다.
다음으로, 성막 압력을 0.5 ㎩∼7 ㎩, 성장률을 비교적 낮은 0.5 ㎚/초로 하는 스퍼터법에 의해, 중간층(25) 상에 (Co60Cr40)94-(SiO2)6을 약 2 ㎚의 막 두께까지 형성하여 비자성 그래뉼러층(26)을 형성한다. 비자성 그래뉼러층(26)은, CoCr로 이루어지는 대략 기둥 형상의 자성 입자 주위에 비자성 재료가 편석한 상태에 있다. 비자성 재료는 SiO2, TiO2, CrOX, Ta2O5, ZrO2 등의 산화물 및 SiN, TiN, CrN, TaN, ZrN 등의 질화물로 이루어지는 그룹에서 선택된 재료를 적어도 1종류 이상 포함한다.
다음으로, 미량의 O2, 예컨대 유량비로 0.2％∼2％의 O2를 Ar 가스에 첨가한 혼합 가스를 스퍼터 가스로서 스퍼터 챔버 내에 도입하여, 압력을 비교적 고압인 약 3 ㎩∼약 7 ㎩로 안정시키고, 기판 온도를 비교적 저온인 약 10℃∼약 80℃로 유지한다. 이 상태에서, 타겟과 이미 비자성 그래뉼러층(26)까지가 형성된 기판(21) 사이에 파워가 400 W∼1000 W인 고주파 전력을 인가함으로써, Co66Cr14Pt20과 TiO2의 스퍼터를 개시한다. 또한, 고주파 전력의 주파수는, 예컨대 13.56 ㎒이지만, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이러한 고주파 전력을 대신해서, 파워가 400 W∼1000 W 정도인 DC 전력을 이용하여, 스퍼터 챔버 내에서 방전을 행해도 된다.
상기와 같이, 스퍼터법에 있어서 비교적 고압(약 3 ㎩∼약 7 ㎩), 또, 비교적 저온(약 10℃∼약 80℃)의 성막 조건을 채용하면, 비교적 저압, 또, 비교적 고온에서 성막하는 경우와 비교하면 성긴 막을 형성할 수 있다. 이 때문에, 비자성 그래뉼러층(26) 상에서는, 타겟 재료인 Co66Cr14Pt20과 TiO2가 상호 혼합되지 않고, TiO2로 이루어지는 비자성 재료 내에 Co66Cr14Pt20으로 이루어지는 자성 입자가 분산된 그래뉼러 구조의 주 기록층, 즉, 하측 그래뉼러 자성층(27-1)이 형성된다. 이러한 하측 그래뉼러 자성층(27-1)에서는, 비자성 재료의 함유율이 약 5 ㏖％∼약 12 ㏖％인 것이 바람직하며, 본 실시예에서는 비자성 재료의 함유율이 약 8 ㏖％인 (Co66Cr14Pt20)92(TiO2)8이 하측 그래뉼러 자성층(27-1)으로서 형성된다. 하측 그래뉼러 자성층(27-1)의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 본 실시예에서는 성장률을 3 ㎚/초로 하여, 하측 그래뉼러 자성층(27-1)을, 예컨대 약 12 ㎚의 막 두께로 형성하였다.
하측 그래뉼러 자성층(27-1)의 아래쪽에 설치된 중간층(25) 중, hcp 결정 구조를 갖는 상측 비자성층(25-2)은 그 막면에 대하여 수직 방향으로 하측 그래뉼러 자성층(27-1)의 자성 입자의 배향을 맞추도록 기능한다. 이 때문에, 하측 그래뉼러 자성층(27-1)의 자성 입자는 상측 비자성층(25-2)과 마찬가지로 수직 방향으로 연장된 hcp 결정 구조가 되며, hcp 결정 구조 중 육각 기둥의 높이 방향이 자화 용이 축의 방향과 평행해지기 때문에, 하측 그래뉼러 자성층(27-1)이 수직 자기 이방성을 나타내게 된다.
이러한 그래뉼러 구조의 하측 그래뉼러 자성층(27-1)으로 구성된 주 기록층의 경우, 각각의 자성 입자가 자화 용이축을 맞추도록 고립화되어 있기 때문에, 주 기록층에서의 노이즈를 저감하는 것이 가능해진다.
또, 하측 그래뉼러 자성층(27-1)의 자성 입자에 있어서, Pt 함유량을 25 at.％ 이상으로 하면, 자기 이방성 정수(定數) Ku가 저하되기 때문에, 자성 입자에서의 Pt 함유율은 25 at.％ 미만으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같이 스퍼터 가스 내에 유량비로 0.2％∼2％ 정도의 미량의 O2를 Ar 가스에 첨가한 혼합 가스를 스퍼터 가스로서 이용함으로써, 하측 그래뉼러 자성층(27-1)의 자성 입자의 고립화가 촉진되어, 전자 변환 특성을 향상시키는 것이 가능해진다.
하측 그래뉼러 자성층(27-1)의 자성 입자의 고립화, 즉, 각 자성 입자끼리의 간격의 확대는, 하측 그래뉼러 자성층(27-1)의 아래쪽에 설치된 상측 비자성층(25-2)의 표면의 요철을 비교적 크게 하는 것에 의해서도 촉진할 수 있다. 이와 같이 상측 비자성층(25-2)의 표면의 요철을 비교적 크게 하기 위해서는, 상측 비자성층(25-2)을 구성하는 Ru를 0.5 ㎚/초 정도의 저성장률로 형성하면 된다.
또한, 하측 그래뉼러 자성층(27-1)에 이용하는 비자성 재료는 TiO2에 한정되지 않으며, 다른 산화물 또는 질화물을 이용해도 된다. 다른 산화물은, 예컨대 SiO2, Cr-OX, Ta2O5, ZrO2 등이며, 다른 질화물은 예컨대 SiN, TiN, CrN, TaN, ZrN 등이다. 또, 하측 그래뉼러 자성층(27-1)에 이용하는 자성 입자는 CoFe 또는 CoFe 합금이어도 된다. CoFe 합금으로 자성 입자를 구성하는 경우, 하측 그래뉼러 자성층(27-1)에 대하여 열처리를 실시해서, 자성 입자의 구조를 HCT(Honeycomb Chained Triangle) 구조로 하는 것이 바람직하다. 또한, CoFe 합금에 Cu나 Ag를 첨가해도 된다.
다음으로, Ar 가스를 스퍼터 가스로 하는 스퍼터법에 의해, 하측 그래뉼러 자성층(27-1) 상에, Co와 Cr을 포함하는 합금(CoCr 합금), 예컨대 Co67Cr19Pt10B4를, 약 6 ㎚의 막 두께로 형성하여 기록 보조층으로서 기능하는 CoCrPtB 상측 자성층(27-2)을 형성한다. CoCrPtB 상측 자성층(27-2)의 성막 조건은 특별히 한정되지 않지만, 본 실시예에서는 성막 압력은 0.3 ㎩∼0.8 ㎩, 성장률는 2 ㎚/초로 하였다.
기록 보조층으로서 기능하는 CoCrPtB 상측 자성층(27-2)은, 그 아래쪽에 설치되어 주 기록층으로서 기능하는 하측 그래뉼러 자성층(27-1)과 동일한 hcp 결정 구조를 갖는다. 이 때문에, CoCrPtB 상측 자성층(27-2)의 자성 입자와 하측 그래뉼러 자성층(27-1)의 격자 정합성은 양호하며, 결정성이 좋은 CoCrPtB 상측 자성층(27-2)이 하측 그래뉼러 자성층(27-1) 상에 성장한다.
그 후에, C2H2 가스를 반응 가스로 하는 RF-CVD(Radio Frequency-Chemical Vapor Deposition)법에 의해, 하측 그래뉼러 자성층(27-1) 및 CoCrPtB 상측 자성 층(27-2)으로 구성된 기록층(27) 상에 DLC로 이루어지는 보호층(28)을 약 4 ㎚의 막 두께까지 형성한다. 이 보호층(28)의 성막 조건은, 예컨대 성막 압력이 약 4 ㎩, 고주파 전력의 파워가 1000 W, CoCrPtB 상측 자성층(27-2)까지가 형성된 기판(21)과 챔버 내의 샤워 헤드 간의 바이어스 전압이 200 V이다.
이상과 같은 공정에 의해, 도 4에 도시하는 구성의 자기 기록 매체(1-3)가 작성되었다.
도 5∼도 8은 도 4에 도시하는 자기 기록 매체(1-3)의 특성을 도시한 도면이다.
도 5는 Ru 중간층(25)과 CoCr-SiO2 비자성 그래뉼러층(26)의 합계 막 두께가 8 ㎚로 일정하게 되도록, CoCr-SiO2 비자성 그래뉼러층(26)의 막 두께를 변화시킨 경우의 기록층(27)의 보자력 Hc를 도시한 도면이다. 도 5는 극 커(kerr)를 이용한 자화 측정 장치에 측정된 실측치를 도시한다. 도 5 중, 세로축은 보자력 Hc의 실측치를 나타내며, 가로축은 CoCr-SiO2 비자성 그래뉼러층(26)의 막 두께를 나타낸다.
도 6은 도 5의 경우와 동일한 조건으로, Ru 중간층(25)과 CoCr-SiO2 비자성 그래뉼러층(26)의 합계 막 두께가 8 ㎚가 되도록, CoCr-SiO2 비자성 그래뉼러층(26)의 막 두께를 변화시킨 경우의 기록층(27)의 하측 그래뉼러 자성층(27-1)에 있어서의 자성 입자의 분리 정도 α'를 도시한 도면이다. 도 6은 극 커를 이용한 자화 측정 장치에 측정된 실측치를 도시한다. 도 6 중, 세로축은 자성 입자의 분리 정도 α'의 실측치를 나타내며, 가로축은 CoCr-SiO2 비자성 그래뉼러층(26)의 막 두께를 나타낸다. 자성 입자의 분리 정도는 α'의 값이 작을수록 크다. 일반적으로, α는 자장을 Oe, 자화를 Gauss로 했을 때의 기록층의 자화 루프의 Hc 근방의 기울기를 나타내고 있으며, 상기 α'는 기록층의 포화 자화를 500 emu/㏄라고 가정한 경우의 기울기를 나타낸다.
도 5 및 도 6으로부터, CoCr-SiO2 비자성 그래뉼러층(26)의 막 두께가 2 ㎚정도인 경우에 보자력 Hc가 극대가 되며, 3 ㎚ 정도인 경우에 α'가 극소가 되는 것이 확인되었다.
도 7 및 도 8은 자기 기록 매체(1-3)의 리드/라이트 특성을 설명하는 도이다. 도 7 및 도 8 중, 세로축은 에러율의 지표가 되는 VMM2L을 나타내며, 가로축은 실효 트랙폭 WCw를 나타낸다.
도 7은 샘플 SMP4, SMP5에 대해서, 200 Gbps 클래스의 헤드를 이용하여 리드/라이트 테스터로 측정함으로써 얻어진 실측치를 도시한다. 샘플 SMP4는 도 4에 있어서 비자성 그래뉼러층(26)이 설치되어 있지 않은 종래의 자기 기록 매체, 샘플 SMP5는 도 4에 도시하는 자기 기록 매체(1-3)이며, 각 샘플 SMP4, SMP5의 층의 조성, 막 두께 등의 조건을 동일하게 설정하여 측정을 행하였다. CoCr-SiO2로 이루어지는 비자성 그래뉼러층은, Cr의 함유량이 40 at.％ 이하, SiO2의 함유율은 6 ㏖％ 또는 8 ㏖％ 이하로 하고, 막 두께는 2 ㎚∼4 ㎚로 설정하였다. 도 7에 있어서, 흰 색 ×표(■ 안에 흰색 ×를 갖는 표시)는 샘플 SMP4의 데이터, 흰색 ○표는 SiO2의 함유율이 6 ㏖％인 샘플 SMP4의 데이터, 흰색 △표는 SiO2의 함유율이 8 ㏖％인 샘플 SMP4의 데이터를 나타낸다. 또, 도 7에 있어서, x=2, 3, 4는 각각 CoCr-SiO2로 이루어지는 비자성 그래뉼러층의 막 두께가 2 ㎚, 3 ㎚, 4 ㎚인 경우를 나타낸다.
샘플 SMP5의 경우, 샘플 SMP4에 비하여 실효 트랙폭 WCw가 약 10 ㎚ 개선되는 것이 확인되었다. 또, 샘플 SMP5의 경우, 샘플 SMP4에 비하여 VMM2L이 약 0.15 개선되는 것이 확인되었다. 이와 같이, 비자성 그래뉼러층(26)을 설치함으로써 리드/라이트 특성이 향상되는 것은, 비자성 그래뉼러층(26)에 의해 기록층(27)을 구성하는 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 향상되는 것에 의한다고 생각되며, 중간층(25)의 위에 비자성 그래뉼러층(26)을 설치한 경우에는 기록층(27)을 구성하는 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 더욱 향상되는 것에 의한다고 생각된다.
도 8은 샘플 SMP6, SMP7, SMP8, SMP9에 대해서, 200 Gbps 클래스의 헤드를 이용하여 리드/라이트 테스터로 측정함으로써 얻어진 실측치를 도시한다. 샘플 SMP6은 도 4에 있어서 비자성 그래뉼러층(26)이 설치되어 있지 않은 종래의 자기 기록 매체, 샘플 SMP7, SMP8, SMP9는 도 4에 도시하는 자기 기록 매체(1-3)이며, 각 샘플 SMP6∼SMP9의 층의 조성, 막 두께 등의 조건을 동일하게 설정하여 측정을 행하였다. CoCr-SiO2로 이루어지는 비자성 그래뉼러층은 Cr의 함유량이 40 at.％ 이하, TiO2 또는 SiO2의 함유율은 6 ㏖％ 이하로 하고, 막 두께는 2 ㎚로 설정하였 다. 샘플 SMP7은 비자성 그래뉼러층이 CoCrRu-TiO2로 이루어지며, 샘플 SMP8에서는 비자성 그래뉼러층이 CoCrRu-SiO2로 이루어지고, 샘플 SMP9에서는 비자성 그래뉼러층이 CoCr-SiO2로 이루어진다. 도 8에 있어서, 흰색 ×표(■ 안에 흰색 ×를 갖는 표시)는 샘플 SMP6의 데이터, 흰색 △표는 샘플 SMP7의 데이터, 검은색 ×표(□표 안에 검은색 ×를 갖는 표시)는 샘플 SMP8의 데이터, ●표는 샘플 SMP9의 데이터를 나타낸다.
샘플 SMP7∼SMP9의 경우, 샘플 SMP6에 비하여 실효 트랙폭 WCw가 개선되는 것이 확인되었다. 또, 샘플 SMP7∼SMP9의 경우, 샘플 SMP6에 비하여 VMM2L도 개선되는 것이 확인되었다. 따라서, 비자성 재료로서 CoCrRu를 이용하더라도, CoCr을 이용한 경우와 동일한 개선 효과를 얻을 수 있는 것이 확인되었다. 또, 비자성 재료에 첨가하는 첨가물로서 TiN과 같은 질화물을 이용하더라도, SiO2와 같은 산화물을 이용한 경우와 동일한 개선 효과를 얻을 수 있는 것이 확인되었다. 이와 같이, 비자성 그래뉼러층(26)을 설치함으로써 리드/라이트 특성이 향상되는 것은, 비자성 그래뉼러층(26)에 의해 기록층(27)을 구성하는 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 향상되는 것에 의한다고 생각되며, 중간층(25)의 위에 비자성 그래뉼러층(26)을 설치한 경우에는 기록층(27)을 구성하는 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 더욱 향상되는 것에 의한다고 생각된다.
도 9는 Ru로 이루어지는 중간층(25)(상측 비자성층(25-2)) 위에 직접 CoCrPt 합금으로 이루어지는 하측 그래뉼러 자성층(27-1)을 형성한 비교예를 설명하는 도 면이다. Co는 Ru에 대하여 젖음성(wettability)이 매우 좋기 때문에, Ru 상에 대략 기둥 형상의 자성 입자(CoCrPt 합금) 주위에 비자성 재료(산화물이나 질화물)가 편석한 상태의 그래뉼러 자성층을 성장시키면, 그래뉼러 자성층의 초기 성장에서 도 9 중 CL로 나타내는 바와 같은 가로 방향으로 연속된 층이 성장하고, 파선으로 둘러싼 개소(MA)에서 그래뉼러 자성층의 자성 입자 간에 자기적인 상호 작용이 일어나기 때문에, 그래뉼러 자성층의 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 불충분해져서 매체 노이즈의 원인이 된다고 생각된다.
도 10은 Ru로 이루어지는 중간층(25) 위에, 대략 기둥 형상의 자성 입자 주위에 비자성 재료가 편석한 상태의 CoCr계 합금으로 이루어지는 비자성 그래뉼러층(26)을 개재하여 CoCrPt 합금으로 이루어지는 하측 그래뉼러 자성층(27-1)을 형성한 제3 실시예를 설명하는 도면이다. 이 경우, 초기 성장의 부분을 비자성 재료(Ru, CoCrPt의 결정 성장을 고려하여 여기서는 CoCr계 합금)로 하고 있기 때문에, 비자성 그래뉼러층의 초기 성장에서 도 10에 도시하는 바와 같은 가로 방향으로 연속된 층이 성장하지만, 파선으로 둘러싼 개소(NMA)에서 그래뉼러 자성층의 자성 입자 간에 자기적인 상호 작용이 일어나는 일은 없기 때문에, 비자성 그래뉼러층에 의해 그래뉼러 자성층의 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 양호해져서, 매체 노이즈가 저감된다고 생각된다.
다음으로, 본 발명의 자기 기억 장치의 일실시예를 도 11 및 도 12와 함께 설명한다. 도 11은 자기 기억 장치의 일실시예의 주요부를 도시하는 단면도이며, 도 12는 자기 기억 장치의 일실시예의 주요부를 도시하는 평면도이다.
도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 자기 기억 장치는, 하우징(113) 내에 설치된 모터(114), 허브(115), 복수의 자기 기록 매체(116), 복수의 기록 재생 헤드(117), 복수의 서스펜션(118), 복수의 아암(119) 및 액츄에이터 장치(210)로 이루어진다. 자기 기록 매체(116)는 모터(114)에 의해 회전되는 허브(115)에 부착되어 있다. 기록 재생 헤드(117)는 재생 헤드와 기록 헤드로 구성되어 있다. 각 기록 재생 헤드(117)는 대응하는 아암(119)의 선단에 서스펜션(118)을 통해 부착되어 있다. 아암(119)은 액츄에이터 장치(210)에 의해 이동된다. 이러한 자기 기억 장치의 기본 구성 자체는 주지이며, 본 명세서에서는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예에서는, 자기 기억 장치는 자기 기록 매체(116)에 특징이 있다. 각 자기 기록 매체(116)는 도 1, 도 2 및 도 4 중 어느 하나와 함께 설명한 실시예의 구조를 갖는다. 또한, 자기 기록 매체(116)의 수는 3개에 한정되는 것은 아니며, 2개여도, 4개 이상이어도 된다.
자기 기억 장치의 기본 구성은 도 11 및 도 12에 도시하는 것에 한정되지 않는다. 또, 본 발명에서 이용되는 자기 기록 매체는, 자기 디스크에 한정되는 것이 아니며, 자기 테이프나 자기 카드 등의 다른 형상의 자기 기록 매체여도 된다. 또한, 자기 기록 매체는 자기 기억 장치의 하우징(113) 내에 고정되어 있을 필요는 없으며, 자기 기록 매체는 하우징(113)에 대하여 로드되어 언로드되는 휴대형의 매체여도 된다.
상기 각 실시예에서는 본 발명이 수직 자기 기록 매체에 적용된 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은 수평 자기 기록 매체에도 동일하게 적용 가능한 것은 물 론이다. 이것은 수평 자기 기록 매체에 있어서도, 본 발명과 같은 비자성 그래뉼러층을 기록층의 아래에 설치함으로써, 기록층을 구성하는 자성 입자끼리의 자기적인 분리가 향상되어 리드/라이트 특성이 향상되기 때문이다.
이상, 본 발명을 실시예에 의해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지 변형 및 개량이 가능한 것은 물론이다.
도 1은 본 발명의 자기 기록 매체의 제1 실시예의 주요부를 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 자기 기록 매체의 제2 실시예의 주요부를 도시하는 단면도이다.
도 3은 자기 기록 매체의 제1 및 제2 실시예의 리드/라이트 특성을 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 자기 기록 매체의 제3 실시예의 주요부를 도시하는 단면도이다.
도 5는 중간층과 비자성 그래뉼러층의 합계 막 두께가 일정해지도록 비자성 그래뉼러층의 막 두께를 변화시킨 경우의 기록층의 보자력을 도시하는 도이다.
도 6은 중간층과 비자성 그래뉼러층의 합계 막 두께가 일정해지도록 비자성 그래뉼러층의 막 두께를 변화시킨 경우의 기록층의 하측 그래뉼러 자성층에 있어서의 자성 입자의 분리의 정도를 도시하는 도면이다.
도 7은 자기 기록 매체의 제3 실시예의 리드/라이트 특성을 설명하는 도면이다.
도 8은 자기 기록 매체의 제3 실시예의 리드/라이트 특성을 설명하는 도면이다.
도 9는 중간층 위에 하측 그래뉼러 자성층을 형성한 비교예를 설명하는 도면이다.
도 10은 중간층 위에 비자성 그래뉼러층을 개재하여 하측 그래뉼러 자성층을 형성한 제3 실시예를 설명하는 도면이다.
도 11은 본 발명의 자기 기억 장치의 일실시예의 주요부를 도시하는 단면도이다.
도 12는 자기 기억 장치의 주요부를 도시하는 평면도이다.
[부호의 설명]
1-1, 1-2, 1-3: 자기 기록 매체 11, 21: 기판
12: APS-SUL 13, 24: 하지층
14, 25: 중간층 15, 26: 비자성 그래뉼러층
16, 27: 기록층 17, 28: 보호층
22: 시드층 23: 연자성 보강층
113: 하우징 116: 자기 기록 매체
117: 기록 재생 헤드
Claims (11)
- 기판과,상기 기판의 위쪽에 설치된 비자성 그래뉼러층과,상기 비자성 그래뉼러층 상에 설치된 기록층을 구비하고,상기 비자성 그래뉼러층은, 대략 기둥 형상의 자성 입자의 주위에 비자성 재료가 편석(偏析)한 상태의 hcp 결정 구조 혹은 fcc 결정 구조의 CoCr계 합금인 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항에 있어서, 상기 CoCr계 합금은 CoCrX1 합금으로 이루어지고, X1은 Pt, Ta, Ru로 이루어지는 그룹에서 선택된 하나의 원소이며, 상기 비자성 재료는 SiO2, TiO2, Cr-OX, Ta2O5, ZrO2, SiN, TiN, CrN, TaN, ZrN으로 이루어지는 그룹에서 선택된 재료를 적어도 1종류 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기록층은 대략 기둥 형상의 자성 입자의 주위에 비자성 재료가 편석한 상태의 hcp 결정 구조의 Co 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제3항에 있어서, 상기 기록층을 구성하는 Co 합금은, CoFe, CrCr, CoCrPt, CoCrPtB로 이루어지는 그룹에서 선택된 하나의 재료로 이루어지며, 상기 기록층을 구성하는 비자성 재료는, SiO2, TiO2, Cr-OX, Ta2O5, ZrO2, SiN, TiN, CrN, TaN, ZrN으로 이루어지는 그룹에서 선택된 재료를 적어도 1종류 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기록층은, 다층 구조를 가지며, 대략 기둥 형상의 자성 입자의 주위에 비자성 재료가 편석한 상태의 hcp 결정 구조의 Co 합금으로 이루어지고 주기록층으로서 기능하는 하측 그래뉼러 자성층과, 상기 하측 그래뉼러 자성층 상에 설치되며 Co 합금으로 이루어지고 기록 보조층으로서 기능하는 상측 자성층을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제5항에 있어서, 상기 하측 그래뉼러 자성층을 구성하는 Co 합금은, CoFe, CrCr, CoCrPt, CoCrPtB로 이루어지는 그룹에서 선택된 하나의 재료로 이루어지며, 상기 하측 그래뉼러 자성층을 구성하는 비자성 재료는, SiO2, TiO2, Cr-OX, Ta2O5, ZrO2, SiN, TiN, CrN, TaN, ZrN으로 이루어지는 그룹에서 선택된 재료를 적어도 1종류 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 비자성 중간층을 더 구비하고,상기 비자성 그래뉼러층은 상기 비자성 중간층 상에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제7항에 있어서, 상기 중간층은 hcp 결정 구조를 갖는 Ru 또는 RuX2 합금으로 이루어지며, X2는 Co, Cr, W, Re로 이루어지는 그룹에서 선택된 1종류 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제7항에 있어서,상기 기판의 위쪽에 설치된 연자성 보강층과,상기 연자성 보강층 상에 설치된 배향 제어층을 더 구비하고,상기 비자성 중간층은 상기 배향 제어층 상에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판은, 유리 기판, 카본 기판, 플라스틱 기판, NiP 도금이 실시된 Al 합금 기판, 실리콘 기판, PET(Poly Ethylene Terephthalate) 기판, PEN(Poly Ethylene Naphthalate) 기판, 폴리이미드(Polyimide) 기판으로 이루어지는 그룹에서 선택된 하나의 기판인 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
- 헤드와,제1항 또는 제2항에 기재된 자기 기록 매체를 적어도 하나구비한 것을 특징으로 하는 자기 기억 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007135972A JP2008293559A (ja) | 2007-05-22 | 2007-05-22 | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| JPJP-P-2007-00135972 | 2007-05-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080102986A true KR20080102986A (ko) | 2008-11-26 |
Family
ID=40072700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080046569A KR20080102986A (ko) | 2007-05-22 | 2008-05-20 | 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080292909A1 (ko) |
| JP (1) | JP2008293559A (ko) |
| KR (1) | KR20080102986A (ko) |
| CN (1) | CN101312048A (ko) |
| SG (1) | SG148110A1 (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5377015B2 (ja) | 2009-03-19 | 2013-12-25 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP5373469B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2013-12-18 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US8580409B2 (en) * | 2009-11-09 | 2013-11-12 | HGST Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording media having a dual onset layer |
| US9412404B2 (en) * | 2009-12-15 | 2016-08-09 | HGST Netherlands B.V. | Onset layer for perpendicular magnetic recording media |
| JP2011216141A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 垂直磁気ディスクの製造方法 |
| JP2011253597A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US20130155543A1 (en) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Patterned magnetic recording media and methods of production thereof utilizing crystal orientation control technology |
| MY178275A (en) * | 2012-09-27 | 2020-10-07 | Seagate Technology Llc | Magnetic stack including tin-x intermediate layer |
| US20140242419A1 (en) * | 2013-02-28 | 2014-08-28 | Showa Denko Hd Singapore Pte Ltd. | Perpendicular recording medium for hard disk drives |
| JP6307879B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2018-04-11 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| CN105874536B (zh) * | 2014-08-12 | 2018-08-31 | 富士电机株式会社 | 磁记录介质 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6689495B1 (en) * | 1999-06-08 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| JP4169663B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2008-10-22 | Ｈｏｙａ株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2005353256A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-12-22 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記憶装置 |
| JP2006268972A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Hoya Corp | 垂直磁気記録ディスク及びその製造方法 |
| JP2006309919A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-11-09 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記憶装置 |
| JP2006309922A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 |
-
2007
- 2007-05-22 JP JP2007135972A patent/JP2008293559A/ja not_active Abandoned
-
2008
- 2008-05-02 US US12/114,431 patent/US20080292909A1/en not_active Abandoned
- 2008-05-09 SG SG200803570-1A patent/SG148110A1/en unknown
- 2008-05-20 KR KR1020080046569A patent/KR20080102986A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-05-22 CN CNA2008100999462A patent/CN101312048A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080292909A1 (en) | 2008-11-27 |
| CN101312048A (zh) | 2008-11-26 |
| JP2008293559A (ja) | 2008-12-04 |
| SG148110A1 (en) | 2008-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20080102986A (ko) | 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치 | |
| US7611783B2 (en) | Magnetic recording medium and magnetic recording device | |
| EP2037452B1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same | |
| US8488276B1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium with grain isolation magnetic anistropy layer | |
| JP5260510B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP4292226B1 (ja) | 垂直磁気記録媒体、及びこれを用いた磁気記録再生装置 | |
| US5650889A (en) | Magnetic recording medium containing heavy rare gas atoms, and a magnetic transducing system using the medium | |
| US8202636B2 (en) | Magnetic recording capping layer with multiple layers for controlling anisotropy for perpendicular recording media | |
| US20060188753A1 (en) | Perpendicular magnetic recording media | |
| WO2002054390A1 (fr) | Support d'enregistrement magnetique et son procede de fabrication, dispositif de stockage magnetique | |
| US20090197119A1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
| US20060222900A1 (en) | Magnetic recording medium and magnetic recording device | |
| US20080124579A1 (en) | Magnetic recording medium, manufacturing method of the same and magnetic recording device | |
| EP1346348B1 (en) | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus | |
| US20070224453A1 (en) | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus | |
| CN100409319C (zh) | 垂直磁性记录介质、其制造方法及磁性读取/写入装置 | |
| US20060199042A1 (en) | Method and apparatus for improving signal-to-noise ratio in longitudinal recording media | |
| KR100623474B1 (ko) | 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치 | |
| JP2008276859A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 | |
| US20090201607A1 (en) | Patterned perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus | |
| US20080285177A1 (en) | Magnetic recording medium, method for manufacturing the same, and magnetic recording apparatus | |
| US9401170B1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium with epitaxial exchange coupling layer | |
| US8993133B1 (en) | Intermediate layer for perpendicular magnetic recording medium with high permeability grain boundaries | |
| US7295404B2 (en) | Magnetic recording medium for perpendicular recording and magnetic storage apparatus using the same | |
| JP5064145B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |