JP2008293559A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関し、リード／ライト特性を向上することを目的とする。
【解決手段】基板と、基板の上方に設けられた非磁性グラニュラ層と、非磁性グラニュラ層上に設けられた記録層とを備え、非磁性グラニュラ層は、略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態のｈｃｐ結晶構造或いはｆｃｃ結晶構造のＣｏＣｒ系合金であるように構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気記録媒体及び磁気記憶装置に係り、特に高密度記録に適した磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関する。

情報処理技術の発展に伴い、コンピュータの外部記録装置等として用いられている磁気ディスク装置に対しては、大容量化や高速転送化等の高性能化の要求がある。このような要求に鑑み磁気記録の高記録密度化を達成するために、近年、垂直磁気記録媒体の開発が活発になってきている。

垂直磁気記録媒体においても、水平磁気記録媒体の場合と同様に、高記録密度化に対して磁気記録媒体の記録層（又は、磁性層）の低ノイズ化を図ることが効果的であり、従来は、記録層の保磁力を高くしたり、記録層を構成する磁性粒子を微細化することでノイズを低減している。

記録層の保磁力を高くしたり、記録層を構成する磁性粒子を微細化するには、記録層を２層構造にしたり、記録層をグラニュラ層で構成したり、記録層の下側にＲｕ中間層を設けた構造とすることが比較的有効である。記録層を２層構造にしたり、グラニュラ層で構成することは、例えば特許文献１に記載されている。記録層をグラニュラ層で構成すると、磁性粒子の周りに酸化物が偏析した状態となり、磁性粒子同士の磁気的な分離が向上する。Ｒｕ中間層は、記録層を構成する磁性粒子同士の磁気的な分離をし易くするために設けられる。
特開２００６−３０９９１９号公報

しかし、記録層を２層構造にしたり、記録層をグラニュラ層で構成したり、記録層の下側にＲｕ中間層を設けた構造としても、信号対雑音比（ＳＮＲ）、エラーレートの指標となるＶＭＭ２Ｌ、実効トラック幅ＷＣｗ等で表される磁気記録媒体のリード／ライト特性を更に向上することは難しいという問題があった。これは、記録層を構成する磁性粒子同士の磁気的な分離が不十分であることに起因すると考えられる。

尚、実効トラック幅ＷＣｗは、磁気記録媒体上のトラックに対して磁気ヘッドをオフセットしながらデータをライトしてリードした結果のプロファイルから磁気ヘッドのライト幅を測定することで得られるトラックの実効幅である。

そこで、本発明は、リード／ライト特性が向上された磁気記録媒体及び磁気記憶装置を提供することを目的とする。

上記の課題は、基板と、該基板の上方に設けられた非磁性グラニュラ層と、該非磁性グラニュラ層上に設けられた記録層とを備え、該非磁性グラニュラ層は、略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態のｈｃｐ結晶構造或いはｆｃｃ結晶構造のＣｏＣｒ系合金であることを特徴とする磁気記録媒体により達成できる。

例えば、ＣｏＣｒ系合金はＣｏＣｒＸ１合金からなり、Ｘ１はＰｔ，Ｔａ，Ｒｕからなるグループから選択された１つの元素であり、非磁性材料はＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，Ｃｒ−Ｏ_ｘ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＺｒＯ_２，ＳｉＮ，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴａＮ，ＺｒＮからなるグループから選択された材料を少なくとも１種類以上含む。

上記の課題は、ヘッドと、上記の磁気記録媒体を少なくとも１つ備えたことを特徴とする磁気記憶装置によって達成できる。

本発明によれば、リード／ライト特性が向上された磁気記録媒体及び磁気記憶装置を実現することができる。

本発明では、磁気記録媒体の非磁性グラニュラ層上に記録層を設ける。非磁性グラニュラ層は、中間層上に設けても良い。

非磁性グラニュラを設けることにより磁気記録媒体のリード／ライト特性が向上する。これは、非磁性グラニュラ層により記録層を構成する磁性粒子同士の磁気的な分離が向上されることによると考えられ、中間層上に非磁性グラニュラ層を設けた場合には記録層を構成する磁性粒子同士の磁気的な分離が更に向上されることによると考えられる。

図１は、本発明の磁気記録媒体の第１実施例の要部を示す断面図である。本実施例では、本発明が垂直磁気記録媒体に適用されている。

図１に示す磁気記録媒体１−１は、ガラス基板１１上に、Ｃｏ合金からなるＡＰＳ−ＳＵＬ（Anti-Parallel Structure-Soft magnetic Underlayer）１２、Ｎｉ合金からなる下地層１３、非磁性グラニュラ層１５、記録層１６及び保護層１７が積層された構造を有する。保護層１７は例えばＤＬＣ（Diamond-Like Carbon）からなり、この保護層１７の上には、潤滑層（図示せず）が設けられていても良い。ＡＰＳ−ＳＵＬ１２の膜厚は例えば約５０ｎｍであり、下地層１３の膜厚は例えば約５ｎｍである。保護層１７の膜厚は、例えば約６ｎｍ〜約１０ｎｍである。基板１１、ＡＰＳ−ＳＵＬ１２、下地層１３等の下層の材質及び構造は、後述する実施例からも明らかなように特に限定されない。例えば、下地層１３はｆｃｃ結晶構造を有し、配向制御層として機能するものであればＮｉ合金に限定されず、Ｔａ合金、Ｔｉ合金、Ｃｏ合金等からなるものであっても良い。

非磁性グラニュラ層１５は、略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態のｈｃｐ結晶構造或いはｆｃｃ結晶構造のＣｏＣｒ系合金からなり、膜厚は例えば約１ｎｍ〜約８ｎｍである。このＣｏＣｒ系合金はＣｏＣｒＸ１合金からなり、Ｘ１はＰｔ，Ｔａ，Ｒｕ等から選択された１種類以上の元素を含む。非磁性材料は、ＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，Ｃｒ−Ｏ_ｘ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＺｒＯ_２等の酸化物及びＳｉＮ，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴａＮ，ＺｒＮ等の窒化物からなるグループから選択された材料を少なくとも１種類以上含む。非磁性グラニュラ層１５は、その膜面（即ち、基板表面）に対して垂直方向に、非磁性グラニュラ層１６の上に形成される記録層１６の磁性粒子の配向を揃えるように機能する。

記録層１６は、略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態のｈｃｐ結晶構造のＣｏ合金からなり、膜厚は例えば約８ｎｍ〜約１２ｎｍである。Ｃｏ合金は、ＣｏＦｅ，ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ等からなる。非磁性材料は、ＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，Ｃｒ−Ｏ_ｘ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＺｒＯ_２等の酸化物及びＳｉＮ，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴａＮ，ＺｒＮ等の窒化物からなるグループから選択された材料を少なくとも１種類以上含む。記録層１６は、単層構造を有しても、多層構造を有しても良い。

図２は、本発明の磁気記録媒体の第２実施例の要部を示す断面図である。本実施例では、本発明が垂直磁気記録媒体に適用されている。図２中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。

図２に示す磁気記録媒体１−２は、ガラス基板１１上に、Ｃｏ合金からなるＡＰＳ−ＳＵＬ１２、Ｎｉ合金からなる下地層１３、中間層１４、非磁性グラニュラ層１５、記録層１６及び保護層１７が積層された構造を有する。保護層１７の上には、潤滑層（図示せず）が設けられていても良い。中間層１４は、ｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ又はＲｕＸ２合金からなり、膜厚は例えば約１５ｎｍ〜約２１ｎｍである。ここで、Ｘ２はＣｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｒｅ等から選択された１種類以上の元素を含む。

図３は、磁気記録媒体１−１，１−２のリード／ライト特性を説明する図である。図３中、縦軸はエラーレートの指標となるＶＭＭ２Ｌを示し、横軸は実効トラック幅ＷＣｗを示す。図３は、サンプルＳＭＰ１，ＳＭＰ２，ＳＭＰ３について、２００Ｇｂｐｓクラスのヘッドを用いてリード／ライトテスタで測定することにより得られた実測値を示す。サンプルＳＭＰ１は図１において非磁性グラニュラ層１５がＲｕ中間層に置き換えられた従来の磁気記録媒体、サンプルＳＭＰ２は図１に示す磁気記録媒体１−１、サンプルＳＭＰ３は図２に示す磁気記録媒体１−２であり、基板がガラス、ＡＰＳ−ＳＵＬがＣｏ合金、下地層がＮｉ合金、中間層がＲｕ、非磁性グラニュラ層がＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２、記録層がＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ_２、保護層がＤＬＣの場合について、各サンプルＳＭＰ１，ＳＭＰ２，ＳＭＰ３の層の組成、膜厚等の条件を上記の範囲内で同じに設定して測定を行った。ＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２からなる非磁性グラニュラ層は、Ｃｒの含有量が４０ａｔ．％以下、ＳｉＯ_２の含有率は８ｍｏｌ％以下とし、膜厚は４ｎｍに設定した。図３において、白い×印（■内に白い×を有する印）はサンプルＳＭＰ１のデータ、白い＋印（■内に白い＋印を有する印）はサンプルＳＭＰ２のデータ、○印はサンプルＳＭＰ３のデータを示す。

サンプルＳＭＰ２の場合、サンプルＳＭＰ１に比べて実効トラック幅ＷＣｗが約８ｎｍ改善されることが確認された。又、サンプルＳＭＰ３の場合、サンプルＳＭＰ１に比べて同じ実効トラック幅ＷＣｗであればＶＭＭ２Ｌが約０．２改善され、同じＶＭＭ２Ｌであれば実効トラック幅ＷＣｗが約１３ｎｍ改善されることが確認された。又、本発明者らがＣｏＣｒＸ１−ＳｉＯ_２からなる非磁性グラニュラ層を有するサンプルＳＭＰ２'，ＳＭＰ３'とサンプルＳＭＰ１とを比べたところ、Ｘ１がＰｔ，Ｔａ，Ｒｕ等から選択された１種類以上の元素を含む場合についても、サンプルＳＭＰ２，ＳＭＰ３と同様の改善効果があることが確認された。このように、非磁性グラニュラ１５を設けることによりリード／ライト特性が向上するのは、非磁性グラニュラ層１５により記録層１６を構成する磁性粒子同士の磁気的な分離が向上されることによると考えられ、中間層１４の上に非磁性グラニュラ層１５を設けた場合には記録層１６を構成する磁性粒子同士の磁気的な分離が更に向上されることによると考えられる。

図４は、本発明の磁気記録媒体の第３実施例の要部を示す断面図である。本実施例では、本発明が垂直磁気記録媒体に適用されている。

図４に示す磁気記録媒体１−３は、ガラス基板２１上に、シード層２２、軟磁性裏打ち層２３、配向制御層（又は、下地層）２４、中間層２５、非磁性グラニュラ層２６、記録層２７及び保護層２８が積層された構造を有する。保護層１７の上には、潤滑層（図示せず）が設けられていても良い。本実施例では、記録層２７が多層構造を有する。

シード層２２は、例えば膜厚が約２ｎｍ〜約１０ｎｍのＣｒＴｉからなる。軟磁性裏打ち層２３は、例えば膜厚が約５ｎｍ〜約３０ｎｍのＣｏＦｅＺｒＴａからなる下側裏打ち層２３−１と、例えば膜厚が約０．４ｎｍ〜約３ｎｍのＲｕからなる磁区制御層２３−２と、例えばＣｏＦｅＺｒＴａからなる上側裏打ち層２３−３とを有する。ＣｏＦｅＺｒＴａ上側裏打ち層２３−３は、例えば膜厚が約５ｎｍ〜約３０ｎｍであり、Ｆｅの含有量が４０ａｔ．％〜５０ａｔ．％、Ｚｒの含有量が４ａｔ．％〜９ａｔ．％、Ｔａの含有量が２ａｔ．％〜１０ａｔ．％である。配向制御層２４は、例えば膜厚が約２ｎｍ〜約１５ｎｍのＮｉＣｒからなる。中間層２５は、例えば膜厚が約３ｎｍ〜約１５ｎｍのＲｕからなる下側非磁性層２５−１と、例えば膜厚が約３ｎｍ〜約１０ｎｍのＲｕからなる上側非磁性層２５−２とを有する。非磁性グラニュラ層２６は、例えば膜厚が約０．５ｎｍ〜約５ｎｍのＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２からなり、Ｃｒの含有量は３０ａｔ．％〜５０ａｔ．％、ＳｉＯ_２の含有率が４ｍｏｌ．％〜１２ｍｏｌ．％である。記録層２７は、例えばＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ_２からなり主記録層として機能する下側グラニュラ磁性層２７−１と、例えばＣｏＣｒＰｔＢからなり記録補助層として機能する上側磁性層２７−２とを有する。ＣｏＣｒＰｔＢ上側磁性層２７−２は、例えば膜厚が約３ｎｍ〜約１２ｎｍであり、Ｃｏの含有量が５ａｔ．％〜２５ａｔ．％、Ｐｔの含有量が５ａｔ．％〜２５ａｔ．％、Ｂの含有量が１ａｔ．％〜１５ａｔ．％である。保護層１７は、例えば膜厚が約４ｎｍのＤＬＣからなる。

次に、図４に示す磁気記録媒体１−３の製造方法について説明する。

先ず、ガラス等の非磁性材料からなる基板２１の基板表面の剛性を化学処理により高め、成膜圧力を０．３Ｐａ〜０．８Ｐａとするスパッタ法によりＣｒＴｉ合金を約３ｎｍの膜厚まで形成してシード層２２を形成する。シード層２２の成長レートは特に限定されないが、本実施例は、例えば２ｎｍ／秒である。このシード層２２は、後工程で積層される膜に基板２１の表面状態を伝えないようにすると共に、密着層としての機能も有する。尚、シード層２２を形成しなくても後の工程で積層される膜の結晶性に問題が生じないのであれば、シード層２２は省略可能である。

基板２１はガラス基板に限定されず、磁気記録媒体１−３がハードディスクのようなソリッドな媒体の場合には、基板２１はプラスチック基板、ＮｉＰめっきが施されたＡｌ合金基板、シリコン基板等を使用できる。又、磁気記録媒体１−３が可性のテープ状媒体の場合には、基板２１はＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）基板、ＰＥＮ（Poly Ethylene Naphthalate）基板、ポリイミド（Polyimide）基板等を使用できる。更に、カーボン基板を基板２１として用いても良い。

次に、成膜圧力を０．３Ｐａ〜０．８Ｐａ、成長レートを５ｎｍ／秒とするスパッタ法により、シード層２２上に軟磁性のアモルファスＦｅＣｏＺｒＴａを約２０ｎｍの膜厚まで形成して下側裏打ち層２３−１を形成する。尚、下側裏打ち層２３−１を構成する軟磁性のアモルファス材料はＦｅＣｏＺｒＴａに限定されず、Ｆｅ又はＣｏのいずれかを含む合金に１種類以上の元素を添加したアモルファス材料を用いても良い。

上記と同様のスパッタ法により、下側裏打ち層２３−１の上にＲｕを約０．４ｎｍ〜約３ｎｍのＲｕを形成して磁区制御層２３−２を形成する。尚、磁区制御層２３−２を構成する材料はＲｕに限定されず、Ｒｈ，Ｉｒ，Ｃｕ等を用いても良い。

更に、下側裏打ち層２３−１の形成時と同様の成膜条件を採用するスパッタ法により、磁区制御層２３−２上に軟磁性のアモルファスＦｅＣｏＺｒＴａを約２０ｎｍの膜厚まで形成して上側裏打ち層２３−３を形成する。尚、上側裏打ち層２３−３を構成する軟磁性のアモルファス材料はＦｅＣｏＺｒＴａに限定されず、Ｆｅ又はＣｏのいずれかを含む合金に１種類以上の元素を添加したアモルファス材料を用いても良い。

これにより、シード層２２上には、下側裏打ち層２３−１、磁区制御層２３−２及び上側裏打ち層２３−３が積層された構成の軟磁性裏打ち層２３が形成される。このような構成の軟磁性裏打ち層２３では、磁区制御層２３−２を介して下側裏打ち層２３−１と上側裏打ち層２３−３とが反強磁性結合をするため、各裏打ち層２３−１，２３−３の磁化は互いに反平行の状態で安定する。たとえ、上側裏打ち層２３−３或いは下側裏打ち層２３−１の膜面内に隣り合う磁化が反対方向を向く場合に見られる「突き合わせ」が存在したとしても、そこから漏れる磁束は裏打ち層２３−３，２３−１の磁化が反平行状態にあるため軟磁性裏打ち層２３内で還流する。この結果、磁壁を発生源とする磁束が軟磁性裏打ち層２３の上方に延びにくくなるため、磁気ヘッドがその磁束を拾わなくなり、磁束に起因してリード時に発生するスパイクノイズを減少させることができる。

尚、スパイクノイズを減少させる構造としては、反強磁性層の上に単層の軟磁性裏打ち層を形成した構造もある。この場合の反強磁性層は、例えばＩｒＭｎやＦｅＭｎで構成される。

次に、成膜圧力を０．３Ｐａ〜０．８Ｐａ、成長レートを２ｎｍ／秒とするスパッタ法により、軟磁性裏打ち層２３上に軟磁性の例えばＮｉ_９０Ｃｒ_１０を約５ｎｍの膜厚まで形成して配向制御層２４を形成する。配向制御層２４を構成するＮｉＣｒ層は、ＦｅＣｏ合金基のアモルファス材料を上側裏打ち層２３−３に用いることで、良好なｆｃｃ結晶構造となる。このような良好なｆｃｃ結晶構造を有する配向制御層２４は、ＮｉＣｒに限らず、ＮｉＦｅＣｒ，Ｐｔ，Ｐｄ，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＳｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｉｎのいずれか、若しくは、これらの合金を用いることによっても実現することができる。

配向制御層２４をＮｉＦｅ等の軟磁性材料で構成すると、配向制御層２４が上側裏打ち層２３−３の機能をも兼ね備えることになるため、磁気ヘッドから上側裏打ち層２３−３までの見かけ上の距離が短くなり、磁気ヘッドにより磁気記録媒体１−３上にライトされている情報を感度良くリードすることができる。

次に、成膜圧力を４Ｐａ〜１０Ｐａ、成長レートを２ｎｍ／秒〜５ｎｍ／秒とするスパッタ法により、配向制御層２４上にＲｕを約１０ｎｍの膜厚まで形成して下側非磁性層２５−１を形成する。又、成膜圧力を４Ｐａ〜１０Ｐａ、成長レートを下側非磁性層２５−１の場合より低い０．５ｎｍ／秒とするスパッタ法により、下側非磁性層２５−１上にＲｕを約５ｎｍの膜厚まで形成して上側非磁性層２５−２を形成する。これにより、中間層２５が形成される。

中間層２５において、非磁性層２５−１，２５−２を構成するＲｕ層はｈｃｐ結晶構造を有するが、このｈｃｐ結晶構造は配向制御層２４を構成する軟磁性層のｆｃｃ結晶構造と格子整合性が良い。このような配向制御層２４の作用により、配向が一方向に揃えられて良好な結晶性を有する非磁性層２５−１，２５−２が配向制御層２４上に成長する。

尚、中間層２５を構成する各非磁性層２５−１，２５−２は、ｈｃｐ結晶構造を有するＲｕに限定されず、ｈｃｐ結晶構造を有するＲｕＸ２合金で構成されていても良い。この場合、Ｘ２はＣｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｒｅ等から選択された１つの元素である。

次に、成膜圧力を０．５Ｐａ〜７Ｐａ、成長レートを比較的低い０．５ｎｍ／秒とするスパッタ法により、中間層２５上に（Ｃｏ_６０Ｃｒ_４０）_９４−（ＳｉＯ_２）_６を約２ｎｍの膜厚まで形成して非磁性グラニュラ層２６を形成する。非磁性グラニュラ層２６は、ＣｏＣｒからなる略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態にある。非磁性材料は、ＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，ＣｒＯ_ｘ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＺｒＯ_２等の酸化物及びＳｉＮ，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴａＮ，ＺｒＮ等の窒化物からなるグループから選択された材料を少なくとも１種類以上含む。

次に、微量のＯ_２、例えば流量比で０．２％〜２％のＯ_２をＡｒガスに添加した混合ガスをスパッタガスとしてスパッタチャンバ内に導入して圧力を比較的高圧の約３Ｐａ〜約７Ｐａに安定させると共に、基板温度を比較的低温の約１０℃〜約８０℃に保持する。この状態で、ターゲットと既に非磁性グラニュラ層２６までが形成された基板２１との間にパワーが４００Ｗ〜１０００Ｗの高周波電力を印加することにより、Ｃｏ_６６Ｃｒ_１４Ｐｔ_２０とＴｉＯ_２とのスパッタを開始する。尚、高周波電力の周波数は例えば１３．５６ＭＨｚであるが、特に限定されない。更に、このような高周波電力に代えて、パワーが４００Ｗ〜１０００Ｗ程度のＤＣ電力を用い、スパッタチャンバ内で放電を行っても良い。

上記の如く、スパッタ法において比較的高圧（約３Ｐａ〜約７Ｐａ）、且つ、比較的低温（約１０℃〜約８０℃）の成膜条件を採用すると、比較的低圧、且つ、比較的高温で成膜する場合と比較すると疎な膜を形成することができる。このため、非磁性グラニュラ層２６上では、ターゲット材料のＣｏ_６６Ｃｒ_１４Ｐｔ_２０とＴｉＯ_２とが互いに混ざり合わず、ＴｉＯ_２よりなる非磁性材料中にＣｏ_６６Ｃｒ_１４Ｐｔ_２０よりなる磁性粒子が分散されたグラニュラ構造の主記録層、即ち、下側グラニュラ磁性層２７−１が形成される。このような下側グラニュラ磁性層２７−１では、非磁性材料の含有率が約５ｍｏｌ％〜約１２ｍｏｌ％であることが好ましく、本実施例では、非磁性材料の含有率が約８ｍｏｌ％の（Ｃｏ_６６Ｃｒ_１４Ｐｔ_２０）_９２（ＴｉＯ_２）_８が下側グラニュラ磁性層２７−１として形成される。下側グラニュラ磁性層２７−１の膜厚は特に限定されないが、本実施例では成長レートを３ｎｍ／秒として、下側グラニュラ磁性層２７−１を例えば約１２ｎｍの膜厚に形成した。

下側グラニュラ磁性層２７−１の下方に設けられた中間層２５のうち、ｈｃｐ結晶構造を有する上側非磁性層２５−２はその膜面に対して垂直方向に下側グラニュラ磁性層２７−１の磁性粒子の配向を揃えるように機能する。このため、下側グラニュラ磁性層２７−１の磁性粒子は、上側非磁性層２５−２と同様に垂直方向に延びたｈｃｐ結晶構造になると共に、ｈｃｐ結晶構造中六角柱の高さ方向が磁化容易軸の方向と平行になるため、下側グラニュラ磁性層２７−１が垂直磁気異方性を呈するようになる。

このようなグラニュラ構造の下側グラニュラ磁性層２７−１で構成された主記録層の場合、夫々の磁性粒子が磁化容易軸を揃えて孤立化しているため、主記録層でのノイズを低減することが可能となる。

又、下側グラニュラ磁性層２７−１の磁性粒子において、Ｐｔ含有量を２５ａｔ．％以上とすると、磁気異方性定数Ｋｕが低下するので、磁性粒子でのＰｔ含有率は２５ａｔ．％未満とすることが好ましい。

更に、上記の如くスパッタガス中に流量比で０．２％〜２％程度の微量のＯ_２をＡｒガスに添加した混合ガスをスパッタガスとして用いることにより、下側グラニュラ磁性層２７−１の磁性粒子の孤立化が促進され、電磁変換特性を向上させることが可能となる。

下側グラニュラ磁性層２７−１の磁性粒子の孤立化、即ち、各磁性粒子同士の間隔の拡大は、下側グラニュラ磁性層２７−１の下方に設けられた上側非磁性層２５−２の表面の凹凸を比較的大きくすることによっても促進することができる。このように上側非磁性層２５−２の表面の凹凸を比較的大きくするには、上側非磁性層２５−２を構成するＲｕを０．５ｎｍ／秒程度の低成長レートで形成すれば良い。

尚、下側グラニュラ磁性層２７−１に用いる非磁性材料はＴｉＯ_２に限定されず、他の酸化物又は窒化物を用いても良い。他の酸化物は、例えばＳｉＯ_２，Ｃｒ−Ｏ_ｘ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＺｒＯ_２等であり、他の窒化物は、例えばＳｉＮ，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴａＮ，ＺｒＮ等である。又、下側グラニュラ磁性層２７−１に用いる磁性粒子は、ＣｏＦｅ又はＣｏＦｅ合金であっても良い。ＣｏＦｅ合金で磁性粒子を構成する場合、下側グラニュラ磁性層２７−１に対して熱処理を施し、磁性粒子の構造をＨＣＴ（Honeycomb Chained Triangle）構造にすることが好ましい。更に、ＣｏＦｅ合金にＣｕやＡｇを添加しても良い。

次に、Ａｒガスをスパッタガスとするスパッタ法により、下側グラニュラ磁性層２７−１上に、ＣｏとＣｒを含む合金（ＣｏＣｒ合金）、例えばＣｏ_６７Ｃｒ_１９Ｐｔ_１０Ｂ_４を、約６ｎｍの膜厚に形成して記録補助層として機能するＣｏＣｒＰｔＢ上側磁性層２７−２を形成する。ＣｏＣｒＰｔＢ上側磁性層２７−２の成膜条件は特に限定されないが、本実施例では、成膜圧力は０．３Ｐａ〜０．８Ｐａ、成長レートは２ｎｍ／秒とした。

記録補助層として機能するＣｏＣｒＰｔＢ上側磁性層２７−２は、その下方に設けられ主記録層として機能する下側グラニュラ磁性層２７−１と同じｈｃｐ結晶構造を有する。このため、ＣｏＣｒＰｔＢ上側磁性層２７−２の磁性粒子と下側グラニュラ磁性層２７−１との格子整合性は良好であり、結晶性の良いＣｏＣｒＰｔＢ上側磁性層２７−２が下側グラニュラ磁性層２７−１上に成長する。

その後に、Ｃ_２Ｈ_２ガスを反応ガスとするＲＦ−ＣＶＤ（Radio Frequency-Chemical Vapor Deposition）法により、下側グラニュラ磁性層２７−１及びＣｏＣｒＰｔＢ上側磁性層２７−２で構成された記録層２７上にＤＬＣからなる保護層２８を約４ｎｍの膜厚まで形成する。この保護層２８の成膜条件は、例えば成膜圧力が約４Ｐａ、高周波電力のパワーが１０００Ｗ、ＣｏＣｒＰｔＢ上側磁性層２７−２までが形成された基板２１とチャンバ内のシャワーヘッドとの間のバイアス電圧が２００Ｖである。

以上の如き工程により、図４に示す構成の磁気記録媒体１−３が作成された。

図５〜図８は、図４に示す磁気記録媒体１−３の特性を示す図である。

図５は、Ｒｕ中間層２５とＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２非磁性グラニュラ層２６の合計膜厚が８ｎｍと一定になるようにＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２非磁性グラニュラ層２６の膜厚を変化させた場合の記録層２７の保磁力Ｈｃを示す図である。図５は、極カーを用いた磁化測定装置に測定された実測値を示す。図５中、縦軸は保磁力Ｈｃの実測値を示し、横軸はＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２非磁性グラニュラ層２６の膜厚を示す。

図６は、図５の場合と同じ条件で、Ｒｕ中間層２５とＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２非磁性グラニュラ層２６の合計膜厚が８ｎｍとなるようにＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２非磁性グラニュラ層２６の膜厚を変化させた場合の記録層２７の下側グラニュラ磁性層２７−１における磁性粒子の分離の度合α'を示す図である。図６は、極カーを用いた磁化測定装置に測定された実測値を示す。図６中、縦軸は磁性粒子の分離の度合α'の実測値を示し、横軸はＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２非磁性グラニュラ層２６の膜厚を示す。磁性粒子の分離の度合は、α'の値が小さい程大きい。一般的に、αは磁場をＯｅ、磁化をＧａｕｓｓとしたときの記録層の磁化ループのＨｃ近傍の傾きを表しており、上記α'は記録層の飽和磁化を５００ｅｍｕ／ｃｃと仮定した場合の傾きを表す。

図５及び図６から、ＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２非磁性グラニュラ層２６の膜厚が２ｎｍ程度の場合に保磁力Ｈｃが極大となり、３ｎｍ程度の場合にα'が極小となることが確認された。

図７及び図８は、磁気記録媒体１−３のリード／ライト特性を説明する図である。図７及び図８中、縦軸はエラーレートの指標となるＶＭＭ２Ｌを示し、横軸は実効トラック幅ＷＣｗを示す。

図７は、サンプルＳＭＰ４，ＳＭＰ５について、２００Ｇｂｐｓクラスのヘッドを用いてリード／ライトテスタで測定することにより得られた実測値を示す。サンプルＳＭＰ４は図４において非磁性グラニュラ層２６が設けられていない従来の磁気記録媒体、サンプルＳＭＰ５は図４に示す磁気記録媒体１−３であり、各サンプルＳＭＰ４，ＳＭＰ５の層の組成、膜厚等の条件を同じに設定して測定を行った。ＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２からなる非磁性グラニュラ層は、Ｃｒの含有量が４０ａｔ．％以下、ＳｉＯ_２の含有率は６ｍｏｌ％又は８ｍｏｌ％以下とし、膜厚は２〜４ｎｍに設定した。図７において、白い×印（■内に白い×を有する印）はサンプルＳＭＰ４のデータ、白い○印はＳｉＯ_２の含有率が６ｍｏｌ％のサンプルＳＭＰ４のデータ、白い△印はＳｉＯ_２の含有率が８ｍｏｌ％のサンプルＳＭＰ４のデータを示す。又、図７において、ｘ＝２，３，４は夫々ＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２からなる非磁性グラニュラ層の膜厚が２ｎｍ，３ｎｍ，４ｎｍの場合を示す。

サンプルＳＭＰ５の場合、サンプルＳＭＰ４に比べて実効トラック幅ＷＣｗが約１０ｎｍ改善されることが確認された。又、サンプルＳＭＰ５の場合、サンプルＳＭＰ４に比べてＶＭＭ２Ｌが約０．１５改善されることが確認された。このように、非磁性グラニュラ２６を設けることによりリード／ライト特性が向上するのは、非磁性グラニュラ層２６により記録層２７を構成する磁性粒子同士の磁気的な分離が向上されることによると考えられ、中間層２５の上に非磁性グラニュラ層２６を設けた場合には記録層２７を構成する磁性粒子同士の磁気的な分離が更に向上されることによると考えられる。

図８は、サンプルＳＭＰ６，ＳＭＰ７，ＳＭＰ８，ＳＭＰ９について、２００Ｇｂｐｓクラスのヘッドを用いてリード／ライトテスタで測定することにより得られた実測値を示す。サンプルＳＭＰ６は図４において非磁性グラニュラ層２６が設けられていない従来の磁気記録媒体、サンプルＳＭＰ７，ＳＭＰ８，ＳＭＰ９は図４に示す磁気記録媒体１−３であり、各サンプルＳＭＰ６〜ＳＭＰ９の層の組成、膜厚等の条件を同じに設定して測定を行った。ＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２からなる非磁性グラニュラ層は、Ｃｒの含有量が４０ａｔ．％以下、ＴｉＯ_２又はＳｉＯ_２の含有率は６ｍｏｌ％以下とし、膜厚は２ｎｍに設定した。サンプルＳＭＰ７は非磁性グラニュラ層がＣｏＣｒＲｕ−ＴｉＯ_２からなり、サンプルＳＭＰ８では非磁性グラニュラ層がＣｏＣｒＲｕ−ＳｉＯ_２からなり、サンプルＳＭＰ９では非磁性グラニュラ層がＣｏＣｒ−ＳｉＯ_２からなる。図８において、白い×印（■内に白い×を有する印）はサンプルＳＭＰ６のデータ、白い△印はサンプルＳＭＰ７のデータ、黒い×印（□印内に黒い×を有する印）サンプルＳＭＰ８のデータ、●印はサンプルＳＭＰ９のデータを示す。

サンプルＳＭＰ７〜ＳＭＰ９の場合、サンプルＳＭＰ６に比べて実効トラック幅ＷＣｗが改善されることが確認された。又、サンプルＳＭＰ７〜ＳＭＰ９の場合、サンプルＳＭＰ６に比べてＶＭＭ２Ｌも改善されることが確認された。従って、非磁性材料としてＣｏＣｒＲｕを用いても、ＣｏＣｒを用いた場合と同様の改善効果が得られることが確認された。又、非磁性材料に添加する添加物としてＴｉＮのような窒化物を用いても、ＳｉＯ_２のような酸化物を用いた場合と同様の改善効果が得られることが確認された。このように、非磁性グラニュラ２６を設けることによりリード／ライト特性が向上するのは、非磁性グラニュラ層２６により記録層２７を構成する磁性粒子同士の磁気的な分離が向上されることによると考えられ、中間層２５の上に非磁性グラニュラ層２６を設けた場合には記録層２７を構成する磁性粒子同士の磁気的な分離が更に向上されることによると考えられる。

図９は、Ｒｕからなる中間層２５（上側非磁性層２５−２）の上に直接ＣｏＣｒＰｔ合金かなる下側グラニュラ磁性層２７−１を形成した比較例を説明する図である。ＣｏはＲｕに対してヌレ性が非常に良いため、Ｒｕ上に略柱状の磁性粒子（ＣｏＣｒＰｔ合金）の周りに非磁性材料（酸化物や窒化物）が偏析した状態のグラニュラ磁性層を成長させると、グラニュラ磁性層の初期成長で図９中ＣＬで示す如き横方向に連続した層が成長し、破線で囲んだ箇所ＭＡでグラニュラ磁性層の磁性粒子間に磁気的な相互作用が働くために、グラニュラ磁性層の磁性粒子同士の磁気的な分離が不十分となって媒体ノイズの原因になると考えられる。

図１０は、Ｒｕからなる中間層２５の上に、略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態のＣｏＣｒ系合金からなる非磁性グラニュラ層２６を介してＣｏＣｒＰｔ合金からなる下側グラニュラ磁性層２７−１を形成した第３実施例を説明する図である。この場合、初期成長の部分を非磁性材料（Ｒｕ，ＣｏＣｒＰｔの結晶成長を考慮してここではＣｏＣｒ系合金）としているので、非磁性グラニュラ層の初期成長で図１０に示す如き横方向に連続した層が成長するが、破線で囲んだ箇所ＮＭＡでグラニュラ磁性層の磁性粒子間で磁気的な相互作用が働くことはないために、非磁性グラニュラ層によりグラニュラ磁性層の磁性粒子同士の磁気的な分離が良好となり、媒体ノイズが低減されると考えられる。

次に、本発明の磁気記憶装置の一実施例を、図１１及び図１２と共に説明する。図１１は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図であり、図１２は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図である。

図１１及び図１２に示すように、磁気記憶装置は、ハウジング１１３内に設けられたモータ１１４、ハブ１１５、複数の磁気記録媒体１１６、複数の記録再生ヘッド１１７、複数のサスペンション１１８、複数のアーム１１９及びアクチュエータ装置２１０からなる。磁気記録媒体１１６は、モータ１１４により回転されるハブ１１５に取り付けられている。記録再生ヘッド１１７は、再生ヘッドと記録ヘッドから構成されている。各記録再生ヘッド１１７は、対応するアーム１１９の先端にサスペンション１１８を介して取り付けられている。アーム１１９は、アクチュエータ装置２１０により移動される。このような磁気記憶装置の基本構成自体は周知であり、本明細書ではその詳細な説明は省略する。

本実施例では、磁気記憶装置は、磁気記録媒体１１６に特徴がある。各磁気記録媒体１１６は、図１、図２及び図４のいずれかと共に説明した実施例の構造を有する。尚、磁気記録媒体１１６の数は３つに限定されるものではなく、２つであっても、４以上であっても良い。

磁気記憶装置の基本構成は、図１１及び図１２に示すものに限定されない。又、本発明で用いられる磁気記録媒体は、磁気ディスクに限定されるものではなく、磁気テープや磁気カード等の他の形状の磁気記録媒体であっても良い。更に、磁気記録媒体は、磁気記憶装置のハウジング１１３内に固定されている必要はなく、磁気記録媒体はハウジング１１３に対してロードされアンロードされる可搬型の媒体であっても良い。

上記各実施例では、本発明が垂直磁気記録媒体に適用された場合について説明したが、本発明は水平磁気記録媒体にも同様に適用可能であることは、言うまでもない。これは、水平磁気記録媒体においても、本発明の如き非磁性グラニュラ層を記録層の下に設けることで、記録層を構成する磁性粒子同士の磁気的な分離が向上されてリード／ライト特性を向上されるからである。

尚、本発明は、以下に付記する発明をも包含するものである。
（付記１）
基板と、
該基板の上方に設けられた非磁性グラニュラ層と、
該非磁性グラニュラ層上に設けられた記録層とを備え、
該非磁性グラニュラ層は、略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態のｈｃｐ結晶構造或いはｆｃｃ結晶構造のＣｏＣｒ系合金であることを特徴とする、磁気記録媒体。
（付記２）
前記ＣｏＣｒ系合金はＣｏＣｒＸ１合金からなり、Ｘ１はＰｔ，Ｔａ，Ｒｕからなるグループから選択された１つの元素であり、前記非磁性材料はＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，Ｃｒ−Ｏ_ｘ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＺｒＯ_２，ＳｉＮ，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴａＮ，ＺｒＮからなるグループから選択された材料を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする、磁気記録媒体。
（付記３）
該記録層は、略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態のｈｃｐ結晶構造のＣｏ合金からなることを特徴とする、付記１又は２記載の磁気記録媒体。
（付記４）
該記録層を構成するＣｏ合金は、ＣｏＦｅ，ＣｒＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢからなるグループから選択された１つの材料からなり、該記録層を構成する非磁性材料はＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，Ｃｒ−Ｏ_ｘ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＺｒＯ_２，ＳｉＮ，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴａＮ，ＺｒＮからなるグループから選択された材料を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする、付記３記載の磁気記録媒体。
（付記５）
該記録層は、単層構造を有することを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記６）
該記録層は、多層構造を有し、略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態のｈｃｐ結晶構造のＣｏ合金からなり主記録層として機能する下側グラニュラ磁性層と、該下側グラニュラ磁性層上に設けられＣｏ合金からなり記録補助層として機能する上側磁性層とを有することを特徴とする、付記１又は２記載の磁気記録媒体。
（付記７）
該下側グラニュラ磁性層を構成するＣｏ合金は、ＣｏＦｅ，ＣｒＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢからなるグループから選択された１つの材料からなり、該下側グラニュラ磁性層を構成する非磁性材料はＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，Ｃｒ−Ｏ_ｘ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＺｒＯ_２，ＳｉＮ，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴａＮ，ＺｒＮからなるグループから選択された材料を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする、付記６記載の磁気記録媒体。
（付記８）
非磁性中間層を更に備え、
該非磁性グラニュラ層は該非磁性中間層上に設けられていることを特徴とする、付記１〜７のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記９）
該中間層は、ｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ又はＲｕＸ２合金からなり、Ｘ２はＣｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｒｅからなるグループから選択された１種類以上の元素を含むことを特徴とする、付記８記載の磁気記録媒体。
（付記１０）
該基板の上方に設けられた軟磁性裏打ち層と、
該軟磁性裏打ち層上に設けられた配向制御層とを更に備え、
該非磁性中間層は該配向制御層上に設けられていることを特徴とする、付記８又は９記載の磁気記録媒体。
（付記１１）
該配向制御層は、ＮｉＣｒからなることを特徴とする、付記１０記載の磁気記録媒体。
（付記１２）
該軟磁性裏打ち層は、Ｃｏ合金からなる下側裏打ち層と、該下側裏打ち層上に設けられＲｕからなる磁区制御層、該磁区制御層上に設けられＣｏ合金からなる上側裏打ち層とを有することを特徴とする、付記１０又は１１記載の磁気記録媒体。
（付記１３）
該軟磁性裏打ち層は、Ｃｏ合金からなるＡＰＳ−ＳＵＬ（Anti-Parallel Structure-Soft magnetic Underlayer）からなることを特徴とする、付記１０記載の磁気記録媒体。
（付記１４）
該基板上に設けられたシード層を更に備え、
該シード層上には該軟磁性裏打ち層が設けられていることを特徴とする、付記１０又は１１記載の磁気記録媒体。
（付記１５）
該シード層は、ＣｒＴｉ合金からなることを特徴とする、付記１４記載の磁気記録媒体。
（付記１６）
該基板は、ガラス基板、カーボン基板、プラスチック基板、ＮｉＰめっきが施されたＡｌ合金基板、シリコン基板、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）基板、ＰＥＮ（Poly Ethylene Naphthalate）基板、ポリイミド（Polyimide）基板からなるグループから選択された１つの基板であることを特徴とする、付記１〜１５のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
（付記１７）
ヘッドと、
付記１〜１６のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少なくとも１つ備えたことを特徴とする、磁気記憶装置。

以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。

本発明の磁気記録媒体の第１実施例の要部を示す断面図である。 本発明の磁気記録媒体の第２実施例の要部を示す断面図である。 磁気記録媒体の第１及び第２実施例のリード／ライト特性を説明する図である。 本発明の磁気記録媒体の第３実施例の要部を示す断面図である。 中間層と非磁性グラニュラ層の合計膜厚が一定となるように非磁性グラニュラ層の膜厚を変化させた場合の記録層の保磁力を示す図である。 中間層と非磁性グラニュラ層の合計膜厚が一定となるように非磁性グラニュラ層の膜厚を変化させた場合の記録層の下側グラニュラ磁性層における磁性粒子の分離の度合を示す図である。 磁気記録媒体の第３実施例のリード／ライト特性を説明する図である。 磁気記録媒体の第３実施例のリード／ライト特性を説明する図である。 中間層の上に下側グラニュラ磁性層を形成した比較例を説明する図である。 中間層の上に非磁性グラニュラ層を介して下側グラニュラ磁性層を形成した第３実施例を説明する図である。 本発明の磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図である。 磁気記憶装置の要部を示す平面図である。

符号の説明

１−１，１−２，１−３ 磁気記録媒体
１１，２１ 基板
１２ ＡＰＳ−ＳＵＬ
１３，２４ 下地層
１４，２５ 中間層
１５，２６ 非磁性グラニュラ層
１６，２７ 記録層
１７，２８ 保護層
２２ シード層
２３ 軟磁性裏打ち層
１１３ ハウジング
１１６ 磁気記録媒体
１１７ 記録再生ヘッド

Claims (11)

1. 基板と、
   該基板の上方に設けられた非磁性グラニュラ層と、
   該非磁性グラニュラ層上に設けられた記録層とを備え、
   該非磁性グラニュラ層は、略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態のｈｃｐ結晶構造或いはｆｃｃ結晶構造のＣｏＣｒ系合金であることを特徴とする、磁気記録媒体。
2. 前記ＣｏＣｒ系合金はＣｏＣｒＸ１合金からなり、Ｘ１はＰｔ，Ｔａ，Ｒｕからなるグループから選択された１つの元素であり、前記非磁性材料はＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，Ｃｒ−Ｏ_ｘ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＺｒＯ_２，ＳｉＮ，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴａＮ，ＺｒＮからなるグループから選択された材料を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする、請求項１記載の磁気記録媒体。
3. 該記録層は、略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態のｈｃｐ結晶構造のＣｏ合金からなることを特徴とする、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
4. 該記録層を構成するＣｏ合金は、ＣｏＦｅ，ＣｒＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢからなるグループから選択された１つの材料からなり、該記録層を構成する非磁性材料はＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，Ｃｒ−Ｏ_ｘ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＺｒＯ_２，ＳｉＮ，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴａＮ，ＺｒＮからなるグループから選択された材料を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする、請求項３記載の磁気記録媒体。
5. 該記録層は、多層構造を有し、略柱状の磁性粒子の周りに非磁性材料が偏析した状態のｈｃｐ結晶構造のＣｏ合金からなり主記録層として機能する下側グラニュラ磁性層と、該下側グラニュラ磁性層上に設けられＣｏ合金からなり記録補助層として機能する上側磁性層とを有することを特徴とする、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
6. 該下側グラニュラ磁性層を構成するＣｏ合金は、ＣｏＦｅ，ＣｒＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢからなるグループから選択された１つの材料からなり、該下側グラニュラ磁性層を構成する非磁性材料はＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，Ｃｒ−Ｏ_ｘ，Ｔａ_２Ｏ_５，ＺｒＯ_２，ＳｉＮ，ＴｉＮ，ＣｒＮ，ＴａＮ，ＺｒＮからなるグループから選択された材料を少なくとも１種類以上含むことを特徴とする、請求項５記載の磁気記録媒体。
7. 非磁性中間層を更に備え、
   該非磁性グラニュラ層は該非磁性中間層上に設けられていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
8. 該中間層は、ｈｃｐ結晶構造を有するＲｕ又はＲｕＸ２合金からなり、Ｘ２はＣｏ，Ｃｒ，Ｗ，Ｒｅからなるグループから選択された１種類以上の元素を含むことを特徴とする、請求項７記載の磁気記録媒体。
9. 該基板の上方に設けられた軟磁性裏打ち層と、
   該軟磁性裏打ち層上に設けられた配向制御層とを更に備え、
   該非磁性中間層は該配向制御層上に設けられていることを特徴とする、請求項７又は８記載の磁気記録媒体。
10. 該基板は、ガラス基板、カーボン基板、プラスチック基板、ＮｉＰめっきが施されたＡｌ合金基板、シリコン基板、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）基板、ＰＥＮ（Poly Ethylene Naphthalate）基板、ポリイミド（Polyimide）基板からなるグループから選択された１つの基板であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
11. ヘッドと、
    請求項１〜１０のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少なくとも１つ備えたことを特徴とする、磁気記憶装置。

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