JP5999290B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 313
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 claims description 74
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 72
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 53
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910018936 CoPd Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910015187 FePd Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 350
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 96
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 85
- 239000010408 film Substances 0.000 description 68
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 30
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 23
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 20
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 17
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 4
- 241000511976 Hoya Species 0.000 description 3
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 3
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229920000314 poly p-methyl styrene Polymers 0.000 description 2
- 206010063401 primary progressive multiple sclerosis Diseases 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019233 CoFeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 CoNiP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000002447 crystallographic data Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013080 microcrystalline material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000034655 secondary growth Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/7379—Seed layer, e.g. at least one non-magnetic layer is specifically adapted as a seed or seeding layer
Description
平滑な表面を有する化学強化ガラス基板(HOYA社製N−10ガラス基板)を洗浄し、基板10を準備した。洗浄後の基板10を、インライン式のスパッタ装置内に導入した。圧力0.3PaのArガス中で純Taターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタ法により、膜厚5nmのTa密着層を形成した。Ta密着層形成時の基板温度は室温(25℃)であった。Ta密着層形成時のスパッタ電力は200Wであった。
実験例Aと同様の手順により、Ta密着層を形成した。
実験例Aと同様の手順により、Ta密着層を形成した。
本比較例は、ZnO第1シード層31を持たない磁気記録媒体に関する。
本比較例は、MgO第2シード層32を持たない磁気記録媒体に関する。
本比較例は、MgO第2シード層32を持たない磁気記録媒体に関する。
本比較例は、ZnO第1シード層31およびMgO第2シード層32の両方を有する本発明の磁気記録媒体に関する。本実施例において、300℃の基板温度でZnO第1シード層31を形成した。
本比較例は、ZnO第1シード層31およびMgO第2シード層32の両方を有する本発明の磁気記録媒体に関する。本実施例において、室温(25℃)でZnO第1シード層31を形成した。
本比較例は、ZnO第1シード層31およびMgO第2シード層32の両方を有する本発明の磁気記録媒体に関する。本実施例において、室温(25℃)でZnO第1シード層31を形成し、MgO第2シード層32の膜厚を2nmに変更した。
本実施例は、ZnO第1シード層31およびMgO第2シード層32の両方を有する本発明の磁気記録媒体に関する。本実施例において、室温(25℃)でZnO第1シード層31を形成し、400℃でMgO第2シード層32を形成した。
本実施例は、ZnO第1シード層31およびMgO第2シード層32の両方を有する本発明の磁気記録媒体に関する。本実施例において、室温(25℃)でZnO第1シード層31を形成し、300℃でMgO第2シード層32を形成した。
本比較例は、ZnO第1シード層31を持たない磁気記録媒体に関する。本実施例において、400℃でMgO第2シード層32を形成した。
本比較例は、ZnO第1シード層31を持たない磁気記録媒体に関する。本実施例において、300℃でMgO第2シード層32を形成した。
本実施例は、ZnO第1シード層31およびMgO第2シード層32の両方を有する本発明の磁気記録媒体に関する。本実施例において、室温(25℃)でZnO第1シード層31を形成し、300℃でMgO第2シード層32を形成した。
本実施例は、ZnO第1シード層31およびMgO第2シード層32の両方を有する本発明の磁気記録媒体に関する。本実施例において、室温(25℃)で膜厚10nmのZnO第1シード層31を形成し、300℃で膜厚5nmのMgO第2シード層32を形成した。
平滑な表面を有する化学強化ガラス基板(HOYA社製N−10ガラス基板)を洗浄し、基板10を準備した。洗浄後の基板10を、実験例Aで用いたものとは別のタイプのインライン式のスパッタ装置内に導入した。圧力0.18PaのArガス中で純Taターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタ法により、膜厚5nmのTa密着層を形成した。Ta密着層形成時の基板温度は室温(25℃)であった。Ta密着層形成時のスパッタ電力は200Wであった。
平滑な表面を有する化学強化ガラス基板(HOYA社製N−10ガラス基板)を洗浄し、基板10を準備した。洗浄後の基板10を、実施例8で用いたものと同一のタイプのインライン式のスパッタ装置内に導入した。圧力0.2PaのArガス中で純Taターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタ法により、膜厚5nmのTa密着層を形成した。Ta密着層形成時の基板温度は室温(25℃)であった。Ta密着層形成時のスパッタ電力は200Wであった。
本実施例は、ZnO第1シード層31およびMgO第2シード層32の両方を有し、かつグラニュラー構造を有する磁気記録層40を有する本発明の磁気記録媒体に関する。
本比較例は、ZnO第1シード層31を持たず、かつグラニュラー構造を有する磁気記録層40を有する磁気記録媒体に関する。
20 下地層
31 第1シード層
32 第2シード層
40 磁気記録層
Claims (7)
- 基板と、ZnOを含む第1シード層と、MgOを含む第2シード層と、規則合金を含む磁気記録層とをこの順に含むことを特徴とする磁気記録媒体。
- 前記基板と前記第1シード層との間に、面心立方格子構造または六方最密充填構造の下地層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記規則合金は、FeおよびCoから選択される少なくとも一種の元素と、Pt、Pd、AuおよびIrからなる群から選択される少なくとも一種の元素とを含むL10型規則合金であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記規則合金は、Ni、Mn、Cu、Ru、Ag、Au、およびCrからなる群から選択される少なくとも1種の元素をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の磁気記録媒体。
- 前記規則合金は、FePt、CoPt、FePd、およびCoPdからなる群から選択されるL10型規則合金であることを特徴とする請求項3に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁気記録層が、磁性結晶粒と、前記磁性結晶粒を包囲する非磁性結晶粒界とを含むグラニュラー構造を有し、前記磁性結晶粒は前記規則合金を含むことを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記非磁性結晶粒界は、炭素、酸化物、および窒化物からなる群から選択される非磁性材料を含むことを特徴とする請求項6に記載の磁気記録媒体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014164286 | 2014-08-12 | ||
JP2014164286 | 2014-08-12 | ||
PCT/JP2015/004019 WO2016024403A1 (ja) | 2014-08-12 | 2015-08-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5999290B2 true JP5999290B2 (ja) | 2016-09-28 |
JPWO2016024403A1 JPWO2016024403A1 (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=55304039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016529484A Active JP5999290B2 (ja) | 2014-08-12 | 2015-08-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9646640B2 (ja) |
JP (1) | JP5999290B2 (ja) |
CN (1) | CN105874536B (ja) |
MY (1) | MY163246A (ja) |
WO (1) | WO2016024403A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP6428943B2 (ja) * | 2015-08-24 | 2018-11-28 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
WO2017221573A1 (ja) | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
US10373637B2 (en) | 2017-03-02 | 2019-08-06 | Seagate Technology Llc | Granularity in overlying magnetic and non-magnetic layers |
JP6665963B2 (ja) | 2017-03-10 | 2020-03-13 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
US10090014B1 (en) | 2017-11-15 | 2018-10-02 | Western Digital Technologies, Inc. | Heat assisted magnetic recording with an anisotropic heat sink |
JP6932628B2 (ja) | 2017-12-07 | 2021-09-08 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体 |
JP6989427B2 (ja) | 2018-03-23 | 2022-01-05 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
JP7049182B2 (ja) | 2018-05-21 | 2022-04-06 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
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-
2015
- 2015-08-10 MY MYPI2016701622A patent/MY163246A/en unknown
- 2015-08-10 WO PCT/JP2015/004019 patent/WO2016024403A1/ja active Application Filing
- 2015-08-10 US US15/033,951 patent/US9646640B2/en active Active
- 2015-08-10 CN CN201580002549.7A patent/CN105874536B/zh active Active
- 2015-08-10 JP JP2016529484A patent/JP5999290B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2016024403A1 (ja) | 2017-04-27 |
WO2016024403A1 (ja) | 2016-02-18 |
US9646640B2 (en) | 2017-05-09 |
MY163246A (en) | 2017-08-30 |
CN105874536B (zh) | 2018-08-31 |
US20160267934A1 (en) | 2016-09-15 |
CN105874536A (zh) | 2016-08-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20160622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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