JP6932628B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
本発明は、磁気記録媒体、スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法および磁気記憶装置に関する。
近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に対する大容量化の要求が益々強まっている。このため、レーザー光源を搭載した磁気ヘッドにより、磁気記録媒体を加熱して記録する熱アシスト磁気記録方式が提案されている。
熱アシスト磁気記録方式では、磁気記録媒体を加熱することによって、保磁力を大幅に低減することができる。このため、磁気記録媒体の磁性層に、結晶磁気異方性定数Ｋｕの高い磁性材料を用いることができる。その結果、熱安定性を維持したまま、磁性材料を微細化することが可能となり、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２程度の記録密度を達成することができる。ここで、Ｋｕが高い磁性材料としては、Ｌ１０型ＦｅＰｔ合金、Ｌ１０型ＣｏＰｔ合金、Ｌ１１型ＣｏＰｔ合金等の規則合金等が提案されている。
また、上記規則合金からなる結晶粒を分断するために、粒界相を形成する材料として、ＳｉＯ２等の酸化物、Ｃ等を添加して、グラニュラー構造を有する磁性層とすることが知られている。これにより、磁性粒子間の交換結合を低減することができ、シグナル・ノイズ比（ＳＮＲ）を高くすることができる。
例えば、非特許文献１には、ＦｅＰｔに３８％のＳｉＯ２を添加することが記載されている。
また、非特許文献２には、Ｌ１０構造を有し、保磁力が高い薄膜として、グラニュラー構造を有する（ＦｅＰｔ）Ａｇ−Ｃが記載されている。
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ １０４，０２３９０４（２００８）
Ｊｏｕｒａｎａｌ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉｓｍ ａｎｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ３２２（２０１０）２６５８−２６６４
熱アシスト磁気記録方式では、レーザー光等を用いて、磁性層を局部的に加熱することによって、加熱された箇所の保磁力を低減させる。この場合、原理的には、記録ビットのみを加熱すれば、熱アシスト磁気記録方式の目的を果たすことができる。
しかしながら、実際の磁気記録媒体では、記録ビットが隣接する磁性層の横方向にも、熱が拡散し、記録ビットに隣接するビットも加熱されることになる。また、磁性層の下には、下地層、基板等が存在するため、磁性層の下方向にも、熱が拡散することになる。特に、磁性層の横方向に熱が拡散すると、平面方向における磁化遷移領域が拡大し、その結果、書きにじみが発生しやすくなり、磁気記録媒体のＳＮＲが低下する。
本発明は、上記問題に鑑み、ＳＮＲが高い磁気記録媒体を提供することを目的とする。
（１）基板と、下地層と、（００１）配向し、Ｌ１０構造を有する磁性層をこの順で有し、前記磁性層は、グラニュラー構造を有し、磁性粒子の粒界部に、メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物が存在していることを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記有機化合物は、含窒素有機化合物であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記含窒素有機化合物は、ポリイミド、メラミン樹脂、または、アミド結合もしくはウレタン結合を有する化合物であることを特徴とする（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記磁性層は、前記メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物の含有量が０．５体積％以上４０体積％以下であることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記磁性層は、厚さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下であることを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）前記磁性粒子は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金を含むことを特徴とする（１）〜（５）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（７）磁性層の形成に用いられるスパッタリングターゲットであって、含窒素有機化合物および磁性材料を含み、前記含窒素有機化合物は、ポリイミド、メラミン樹脂、または、アミド結合もしくはウレタン結合を有する化合物であり、前記含窒素有機化合物の含有量が０．５体積％以上４０体積％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
（８）磁性層の形成に用いられるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、含窒素有機化合物の前駆体と、磁性粉末を含む組成物を焼結する工程を含み、前記含窒素有機化合物は、ポリイミド、メラミン樹脂、または、アミド結合もしくはウレタン結合を有する化合物であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
（９）（１）〜（６）の何れか１項に記載の磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。
（２）前記有機化合物は、含窒素有機化合物であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記含窒素有機化合物は、ポリイミド、メラミン樹脂、または、アミド結合もしくはウレタン結合を有する化合物であることを特徴とする（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記磁性層は、前記メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物の含有量が０．５体積％以上４０体積％以下であることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記磁性層は、厚さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下であることを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）前記磁性粒子は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金を含むことを特徴とする（１）〜（５）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（７）磁性層の形成に用いられるスパッタリングターゲットであって、含窒素有機化合物および磁性材料を含み、前記含窒素有機化合物は、ポリイミド、メラミン樹脂、または、アミド結合もしくはウレタン結合を有する化合物であり、前記含窒素有機化合物の含有量が０．５体積％以上４０体積％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
（８）磁性層の形成に用いられるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、含窒素有機化合物の前駆体と、磁性粉末を含む組成物を焼結する工程を含み、前記含窒素有機化合物は、ポリイミド、メラミン樹脂、または、アミド結合もしくはウレタン結合を有する化合物であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
（９）（１）〜（６）の何れか１項に記載の磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。
本発明によれば、ＳＮＲが高い磁気記録媒体を提供することができる。
以下、本発明を実施するための形態について説明するが、本発明は、下記の実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施の形態に種々の変形および置換を加えることができる。
［磁気記録媒体］
図１に、本実施の形態における磁気記録媒体の一例を示す。
図１に、本実施の形態における磁気記録媒体の一例を示す。
磁気記録媒体１００は、基板１と、下地層２と、（００１）配向し、Ｌ１０構造を有する磁性層３と、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を含む保護層４がこの順で形成されている。このとき、磁性層３は、グラニュラー構造を有し、磁性粒子の粒界部に、メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物が存在している。
磁性層３は、上記のような構造を有するため、隣接する磁性粒子間の断熱性を向上させることができる。その結果、磁気ヘッドからレーザー光を照射する際に、磁性層３の横方向に熱が拡散しにくくなるため、書きにじみが発生しにくくなり、ＳＮＲが高くなる。
本願明細書及び特許請求の範囲において、メチレン骨格とは、化学式
メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物としては、特に限定されないが、ポリイミド、メラミン樹脂、ポリエチレン等が挙げられる。
ポリエチレンの具体例としては、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン等が挙げられ、二種以上併用してもよい。
磁性層３が上記のような構成を有することにより、隣接する磁性粒子間の断熱性が向上する理由として、以下のようなことが考えられる。
従来のグラニュラー構造を有する磁性層は、磁性粒子の粒界部には、炭素、炭化物、酸化物、窒化物等の無機化合物が存在している。ここで、例えば、炭素（グラファイト）、ＳｉＯ２の熱伝導率は、それぞれ１７００Ｗ／（ｍ・ｋ）、１．４Ｗ／（ｍ・ｋ）であるのに対し、例えば、ポリイミド、メラミン樹脂、低密度ポリエチレンの熱伝導率は、それぞれ０．１６Ｗ／（ｍ・ｋ）程度、０．０４Ｗ／（ｍ・ｋ）程度、０．３３Ｗ／（ｍ・ｋ）程度である。すなわち、メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物は、無機化合物に比べ、熱伝導率が極めて低い。このため、磁気記録媒体１００は、磁性層３の横方向、すなわち、隣接する磁性粒子間で、熱が拡散しにくくなると考えられる。
メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物は、熱伝導率が低いことが好ましいが、具体的には、ＳｉＯ２の熱伝導率の半分以下、すなわち、０．７Ｗ／（ｍ・ｋ）以下であることが好ましい。
メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物は、融点が高く、硬度の高いことから、含窒素有機化合物であることが好ましく、ポリイミド、メラミン樹脂、または、アミド結合もしくはウレタン結合を有する化合物であることがさらに好ましい。
ポリイミドとしては、特に限定されないが、ピロメリット酸二無水物、３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物等のテトラカルボン酸二無水物と、１，４−フェニレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ビフェニルジアミン等のジアミンの重縮合体が挙げられ、二種以上併用してもよい。
メラミン樹脂としては、特に限定されないが、メラミンとホルムアルデヒドの重縮合体、メチロール基、アルキル基、フェニル基等の置換基により置換されている２−置換メラミンとホルムアルデヒドの重縮合体等が挙げられ、二種以上併用してもよい。
アミド結合を有する化合物としては、特に限定されないが、ナイロン６、ナイロン６６等のポリアミド等が挙げられ、二種以上併用してもよい。
ウレタン結合を有する化合物としては、特に限定されないが、芳香族ポリオールまたは脂肪族ポリオールとポリイソシアネートの重縮合体であるウレタン樹脂等が挙げられ、二種以上併用してもよい。
磁性層３は、スパッタ法により形成することができる。
磁性層３の形成に用いられるスパッタリングターゲットは、メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物の含有量が０．５体積％以上４０体積％以下である。
磁性層３を形成する際には、スパッタリングターゲットの温度上昇を低減するため、ＲＦスパッタ法を用いることが好ましい。これにより、メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物の分解を抑制することができる。また、導電性の低いスパッタリングターゲットも使用することが可能となる。
なお、磁性層３に含まれるメチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物は、一部が分解していてもよい。
磁性層３の形成に用いられるスパッタリングターゲットは、メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物（の前駆体）と、磁性粉末を含む組成物を焼結することにより、製造することができる。このとき、メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物の前駆体を用いる場合は、前駆体が反応して、メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物が生成するため、焼結密度が高くなる。スパッタリングターゲットの焼結密度が低いと、スパッタ時の異常放電により、スパッタダストが発生したり、磁性層の組成と、スパッタリングターゲットの組成の差が大きくなったりする。
磁性層３中のメチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物の含有量は、０．５体積％以上４０体積％以下であることが好ましく、１体積％以上３０体積％以下であることがさらに好ましい。磁性層３中のメチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物の含有量が０．５体積％以上であると、隣接する磁性粒子間の断熱性が向上し、４０体積％以下であると、１ビット当たりの磁性粒子の体積が増大し、磁気記録媒体１００の熱揺らぎが生じにくくなる。
磁性層３の厚さは、１ｎｍ以上７ｎｍ以下であることが好ましく、１．５ｎｍ以上５．５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。磁性層３の厚さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下であると、Ｌ１０構造を有する磁性層３の（００１）配向性、規則化度を向上させることが可能となる。また、グラニュラー構造を有する磁性層３の隣接する磁性粒子間の断熱性を向上させることができる。
磁性粒子は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金を含むことが好ましい。これにより、磁性粒子の結晶磁気異方性定数Ｋｕが高くなる。
基板１としては、公知の基板を用いることができる。
ここで、磁気記録媒体１００を製造する際に、基板１を５００℃以上の温度に加熱することが必要となる場合がある。このため、基板１として、例えば、軟化温度が５００℃以上、好ましくは６００℃以上の耐熱ガラス基板を用いることができる。
下地層２を構成する材料としては、Ｌ１０構造を有する磁性層３を（００１）配向させるのに適していれば、特に限定されないが、例えば、（１００）配向している、Ｗ、ＭｇＯ等が挙げられる。
また、下地層２は、多層構造を有することができる。この場合、多層構造を有する下地層を構成する複数の層の間の格子ミスフィットは、１０％以下であることが好ましい。
多層構造を有する下地層としては、例えば、（１００）配向している、Ｗ、ＭｇＯを多層構造とした下地層が挙げられる。
また、下地層２を確実に（１００）配向させるために、下地層２の下に、Ｃｒ、Ｃｒを含み、ＢＣＣ構造を有する合金、または、Ｂ２構造を有する合金を含む層をさらに形成することができる。
ここで、Ｃｒを含み、ＢＣＣ構造を有する合金としては、例えば、ＣｒＭｎ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＲｕ等が挙げられる。
また、Ｂ２構造を有する合金としては、例えば、ＲｕＡｌ、ＮｉＡｌ等が挙げられる。
磁気記録媒体１００では、磁性層３上に、保護層４を形成されているが、省略することもできる。
保護層４の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、炭化水素からなる原料ガスを高周波プラズマで分解して成膜するＲＦ−ＣＶＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、フィラメントから放出された電子で原料ガスをイオン化して成膜するＩＢＤ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原料ガスを用いずに、固体炭素ターゲットを用いて成膜するＦＣＶＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ）法等が挙げられる。
保護層４の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１ｎｍ以上６ｎｍ以下であることが好ましい。保護層４の厚さが１ｎｍ以上であると、磁気ヘッドの浮上特性が良好となり、６ｎｍ以下であると、磁気スペーシングが小さくなり、ＳＮＲが向上する。
保護層４上に、パーフルオロポリエーテル系のフッ素樹脂を含む潤滑剤層をさらに形成することもできる。
［磁気記憶装置］
本実施の形態における磁気記憶装置は、前述の本実施の形態における磁気記録媒体を有していれば、特に限定されない。
本実施の形態における磁気記憶装置は、前述の本実施の形態における磁気記録媒体を有していれば、特に限定されない。
本実施の形態における磁気記憶装置は、例えば、磁気記録媒体を回転させるための磁気記録媒体駆動部と、先端部に近接場光発生素子が設けられている磁気ヘッドと、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号処理系を有する。また、磁気ヘッドは、例えば、磁気記録媒体を加熱するためのレーザー光発生部と、レーザー光発生部から発生したレーザー光を近接場光発生素子まで導く導波路を有する。
図２に、本実施の形態における磁気記憶装置の一例を示す。
図２の磁気記憶装置は、磁気記録媒体１００と、磁気記録媒体を回転させるための磁気記録媒体駆動部１０１と、磁気ヘッド１０２と、磁気ヘッドを移動させるための磁気ヘッド駆動部１０３と、記録再生信号処理系１０４を有する。
図３に、磁気ヘッド１０２の一例を示す。
磁気ヘッド１０２は、記録ヘッド２０８と、再生ヘッド２１１を有する。
記録ヘッド２０８は、主磁極２０１と、補助磁極２０２と、磁界を発生させるためのコイル２０３と、レーザー光発生部としての、レーザーダイオード（ＬＤ）２０４と、ＬＤ２０４から発生したレーザー光２０５を近接場光発生素子２０６まで伝達するための導波路２０７を有する。
再生ヘッド２１１は、シールド２０９で挟まれている再生素子２１０を有する。
以下、実施例により、本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
（スパッタリングターゲット１の作製）
以下に示す製造方法により、９０体積％（７０ｍｏｌ％（５２ａｔ％Ｆｅ−４８ａｔ％Ｐｔ）−３０ｍｏｌ％Ｃ）−１０体積％（ポリイミド）の組成を有するスパッタリングターゲットを製造した。
以下に示す製造方法により、９０体積％（７０ｍｏｌ％（５２ａｔ％Ｆｅ−４８ａｔ％Ｐｔ）−３０ｍｏｌ％Ｃ）−１０体積％（ポリイミド）の組成を有するスパッタリングターゲットを製造した。
まず、ガスアトマイズ法により、５２ａｔ％Ｆｅ−４８ａｔ％Ｐｔの組成を有するＦｅＰｔ合金粉末を得た。ＦｅＰｔ合金粉末は、平均粒径が１５μｍであった。
ＦｅＰｔ合金粉末と、カーボン粒子（平均粒径１５μｍ）と、ポリイミドの前駆体としての、ポリアミック酸ＵワニスＳ（宇部興産製）を、上記の比率で混合した後、混練して、ペーストを得た。
スピンコーターを用いて、直径２００ｍｍの銅板上に、厚さが２ｍｍとなるように、ペーストを塗布した後、真空乾燥させた。次に、オーブンを用いて、２００℃で１時間加熱した後、２７０℃で１時間加熱し、スパッタリングターゲット１を得た。このとき、ポリアミック酸は、脱水して、ポリイミドとなる。
（スパッタリングターゲット２の作製）
以下に示す製造方法により、９０体積％（７０ｍｏｌ％（５２ａｔ％Ｆｅ−４８ａｔ％Ｐｔ）−３０ｍｏｌ％Ｃ）−１０体積％（メラミン樹脂）の組成を有するスパッタリングターゲットを製造した。
以下に示す製造方法により、９０体積％（７０ｍｏｌ％（５２ａｔ％Ｆｅ−４８ａｔ％Ｐｔ）−３０ｍｏｌ％Ｃ）−１０体積％（メラミン樹脂）の組成を有するスパッタリングターゲットを製造した。
まず、ガスアトマイズ法により５２ａｔ％Ｆｅ−４８ａｔ％Ｐｔの組成を有するＦｅＰｔ合金粉末を得た。ＦｅＰｔ合金粉末は、平均粒径が１５μｍであった。
ＦｅＰｔ合金粉末と、カーボン粒子（平均粒径１５μｍ）と、メラミン樹脂の前駆体としての、メチロールメラミンを、上記の比率で混合した後、混練して、ペーストを得た。
スピンコーターを用いて、直径２００ｍｍの銅板上に、厚さが２ｍｍとなるように、ペーストを塗布した後、真空乾燥させた。次に、オーブンを用いて、１５０℃で１時間加熱した後、２００℃で１時間加熱し、スパッタリングターゲット２を得た。このとき、メチロールメラミンは、重縮合して、メラミン樹脂となる。
（スパッタリングターゲット３の作製）
以下に示す製造方法により、９０体積％（７０ｍｏｌ％（５２ａｔ％Ｆｅ−４８ａｔ％Ｐｔ）−３０ｍｏｌ％Ｃ）−１０体積％（ポリエチレン）の組成を有するスパッタリングターゲットを製造した。
以下に示す製造方法により、９０体積％（７０ｍｏｌ％（５２ａｔ％Ｆｅ−４８ａｔ％Ｐｔ）−３０ｍｏｌ％Ｃ）−１０体積％（ポリエチレン）の組成を有するスパッタリングターゲットを製造した。
まず、ガスアトマイズ法により、５２ａｔ％Ｆｅ−４８ａｔ％Ｐｔの組成を有するＦｅＰｔ合金粉末を得た。ＦｅＰｔ合金粉末は、平均粒径が１５μｍであった。
ＦｅＰｔ合金粉末と、カーボン粒子（平均粒径１５μｍ）と、低密度ポリエチレンのハイワックス４１０Ｐ（三井化学製）を、上記の比率で混合した後、１３０℃で混練して、混練物を得た。
１３０℃のロールコーターを用いて、直径２００ｍｍの銅板上に、厚さが２ｍｍとなるように、混練物を塗布した後、真空乾燥させた。次に、オーブンを用いて、２７０℃で２時間加熱し、スパッタリングターゲット３を得た。
（実施例１）
最初に、２．５インチのガラス基板上に、下地層を成膜した。具体的には、２．５インチのガラス基板上に、第１の下地層として、膜厚５０ｎｍの５０Ｃｏ−５０Ｔｉ（５０原子％のＣｏと５０原子％のＴｉとの合金。以下、同様に記載する。）膜を成膜した後、ガラス基板を３００℃で加熱した。次に、第２の下地層として、膜厚１２ｎｍの８０Ｃｒ−２０Ｖ膜を成膜し、第３の下地層として、膜厚４０ｎｍのＷ膜、第４の下地層として、膜厚３ｎｍのＭｇＯ膜をこの順で成膜した。なお、下地層を成膜する際には、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、スパッタガスとしては、Ａｒを用いた。
最初に、２．５インチのガラス基板上に、下地層を成膜した。具体的には、２．５インチのガラス基板上に、第１の下地層として、膜厚５０ｎｍの５０Ｃｏ−５０Ｔｉ（５０原子％のＣｏと５０原子％のＴｉとの合金。以下、同様に記載する。）膜を成膜した後、ガラス基板を３００℃で加熱した。次に、第２の下地層として、膜厚１２ｎｍの８０Ｃｒ−２０Ｖ膜を成膜し、第３の下地層として、膜厚４０ｎｍのＷ膜、第４の下地層として、膜厚３ｎｍのＭｇＯ膜をこの順で成膜した。なお、下地層を成膜する際には、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、スパッタガスとしては、Ａｒを用いた。
その後、ガラス基板を５２０℃で加熱した。次に、ＲＦスパッタ装置およびスパッタリングターゲット１を用いて、下地層上に、厚さ２ｎｍの磁性層を成膜した。このとき、スパッタガスとしては、Ａｒを用いた。その後、ガラス基板の温度を４８０℃とした。
磁性層のフーリエ変換赤外分光分析（ＦＴ−ＩＲ）を実施したところ、１１００ｃｍ−１付近に、メチレン骨格またはメチン骨格に起因するシグナルが観察され、磁性層中にポリイミドが含まれていることが確認された。メチレン骨格またはメチン骨格に起因するシグナルの強度から、磁性層中のポリイミドの含有量は、３体積％程度であると推定された。
その後、磁性層上に、厚さ３ｎｍのＤＬＣからなる保護層を形成した。次に、保護層の表面に、厚さ１．２ｎｍのパーフルオロポリエーテル系のフッ素樹脂からなる潤滑剤層をで形成し、磁気記録媒体を製造した。
磁気記録媒体のＸ線回折分析を実施したところ、下地層は、ＢＣＣ構造を有する（１００）配向膜であること、磁性層は、Ｌ１０構造を有する（００１）配向膜であることが確認された。
（実施例２）
スパッタリングターゲット１の代わりに、スパッタリングターゲット２を用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を製造した。
スパッタリングターゲット１の代わりに、スパッタリングターゲット２を用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を製造した。
磁性層のフーリエ変換赤外分光分析（ＦＴ−ＩＲ）を実施したところ、１５００ｃｍ−１付近に、メラミン樹脂に起因するシグナルが観察され、磁性層中にメラミン樹脂が含まれていることが確認された。メラミン樹脂に起因するシグナルの強度から、磁性層中のメラミン樹脂の含有量は、２体積％程度であると推定された。
磁気記録媒体のＸ線回折分析を実施したところ、下地層は、ＢＣＣ構造を有する（１００）配向膜であること、磁性層は、Ｌ１０構造を有する（００１）配向膜であることが確認された。
（実施例３）
スパッタリングターゲット１の代わりに、スパッタリングターゲット３を用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を製造した。
スパッタリングターゲット１の代わりに、スパッタリングターゲット３を用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を製造した。
磁性層のフーリエ変換赤外分光分析（ＦＴ−ＩＲ）を実施したところ、１４５０ｃｍ−１付近に、ポリエチレンに起因するシグナルが観察され、磁性層中にポリエチレンが含まれていることが確認された。ポリエチレンに起因するシグナルの強度から、磁性層中のポリエチレンの含有量は、２体積％程度であると推定された。
磁気記録媒体のＸ線回折分析を実施したところ、下地層は、ＢＣＣ構造を有する（１００）配向膜であること、磁性層は、Ｌ１０構造を有する（００１）配向膜であることが確認された。
（比較例１、２）
磁性層の組成を表１に示す組成とした以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を製造した。
磁性層の組成を表１に示す組成とした以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を製造した。
磁気記録媒体のＸ線回折分析を実施したところ、下地層は、ＢＣＣ構造を有する（１００）配向膜であること、磁性層は、Ｌ１０構造を有する（００１）配向膜であることを確認した。
次に、磁気記録媒体のＳＮＲおよび保磁力を測定した。
（ＳＮＲ）
図３の磁気ヘッドを用いて、磁気記録媒体のＳＮＲを測定した。
図３の磁気ヘッドを用いて、磁気記録媒体のＳＮＲを測定した。
（保磁力）
Ｋｅｒｒ効果を用いる磁化曲線測定装置（ネオアーク製）を用いて、磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）を測定した。
Ｋｅｒｒ効果を用いる磁化曲線測定装置（ネオアーク製）を用いて、磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）を測定した。
表１に、磁気記録媒体のＳＮＲおよびＨｃの測定結果を示す。
これに対して、比較例１、２の磁気記録媒体は、磁性粒子の粒界部に、メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物が存在していないため、ＳＮＲおよびＨｃが低い。
１ 基板
２ 下地層
３ 磁性層
４ 保護層
１００ 磁気記録媒体
１０１ 磁気記録媒体駆動部
１０２ 磁気ヘッド
１０３ 磁気ヘッド駆動部
１０４ 記録再生信号処理系
２０１ 主磁極
２０２ 補助磁極
２０３ コイル
２０４ レーザーダイオード（ＬＤ）
２０５ レーザー光
２０６ 近接場光発生素子
２０７ 導波路
２０８ 記録ヘッド
２０９ シールド
２１０ 再生素子
２１１ 再生ヘッド
２ 下地層
３ 磁性層
４ 保護層
１００ 磁気記録媒体
１０１ 磁気記録媒体駆動部
１０２ 磁気ヘッド
１０３ 磁気ヘッド駆動部
１０４ 記録再生信号処理系
２０１ 主磁極
２０２ 補助磁極
２０３ コイル
２０４ レーザーダイオード（ＬＤ）
２０５ レーザー光
２０６ 近接場光発生素子
２０７ 導波路
２０８ 記録ヘッド
２０９ シールド
２１０ 再生素子
２１１ 再生ヘッド
Claims (9)
- 基板と、下地層と、（００１）配向し、Ｌ１０構造を有する磁性層をこの順で有し、
前記磁性層は、グラニュラー構造を有し、磁性粒子の粒界部に、メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物が存在していることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記有機化合物は、含窒素有機化合物であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
- 前記含窒素有機化合物は、ポリイミド、メラミン樹脂、または、アミド結合もしくはウレタン結合を有する化合物であることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層は、前記メチレン骨格またはメチン骨格を有する有機化合物の含有量が０．５体積％以上４０体積％以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層は、厚さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性粒子は、ＦｅＰｔ合金またはＣｏＰｔ合金を含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
- 磁性層の形成に用いられるスパッタリングターゲットであって、
含窒素有機化合物および磁性材料を含み、
前記含窒素有機化合物は、ポリイミド、メラミン樹脂、または、アミド結合もしくはウレタン結合を有する化合物であり、
前記含窒素有機化合物の含有量が０．５体積％以上４０体積％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 磁性層の形成に用いられるスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
含窒素有機化合物の前駆体と、磁性粉末を含む組成物を焼結する工程を含み、
前記含窒素有機化合物は、ポリイミド、メラミン樹脂、または、アミド結合もしくはウレタン結合を有する化合物であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 請求項１〜６の何れか１項に記載の磁気記録媒体を有することを特徴とする磁気記憶装置。
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