JP6439869B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、磁気記録媒体に関する。具体的には、本発明は、ハードディスク磁気記録装置（ＨＤＤ）に用いられる磁気記録媒体に関する。

磁気記録の高密度化を実現する技術として、垂直磁気記録方式が採用されている。垂直磁気記録媒体は、非磁性基板と、硬質磁性材料から形成される磁気記録層を少なくとも含む。垂直磁気記録媒体は、任意選択的に、軟磁性材料から形成されて、磁気ヘッドが発生する磁束を磁気記録層に集中させる役割を担う軟磁性裏打ち層、磁気記録層の硬質磁性材料を目的の方向に配向させるための下地層、磁気記録層の表面を保護する保護膜などをさらに含んでもよい。

良好な磁気特性を得ることを目的として、グラニュラー磁性材料を用いて垂直磁気記録媒体の磁気記録層を形成することが提案されている。グラニュラー磁性材料は、磁性結晶粒と、磁性結晶粒の周囲を取り囲むように偏析した非磁性体とを含む。グラニュラー磁性材料中の個々の磁性結晶粒は、非磁性体によって磁気的に分離されている。

近年、垂直磁気記録媒体の記録密度のさらなる向上を目的として、グラニュラー磁性材料中の磁性結晶粒の粒径を縮小させる必要に迫られている。一方で、磁性結晶粒の粒径の縮小は、記録された磁化（信号）の熱安定性を低下させる。そのため、磁性結晶粒の粒径の縮小による熱安定性の低下を補償するために、グラニュラー磁性材料中の磁性結晶粒を、より高い結晶磁気異方性を有する材料を用いて形成することが求められている。求められる高い結晶磁気異方性を有する材料として、特開２００４−１７８７５３号公報（特許文献１）は、種々のＬ１₀型規則合金を提案している。代表的なＬ１₀型規則合金は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｄなどを含む。

Ｌ１₀型規則合金を含む磁気記録層の磁気特性を、磁気記録層の下に形成される層によって向上させる試みがなされてきている。たとえば、特開２０１１−１６５２３２号公報（特許文献２）は、主成分としてのＭｇＯ、および１種または複数種の追加の酸化物を含む下地層の上に、磁気記録層を形成した磁気記録媒体を提案している（特許文献２参照）。この提案では、追加の酸化物の添加によって下地層の結晶粒径を縮小し、下地層の１つの結晶粒の上に、磁気記録層の１つの磁性結晶粒を形成すること（以下、「１対１形成」と称する）によって、磁性結晶粒間の分離の促進、交換結合の低減、および保磁力分散の低減を可能とする。

特開２０１１−１４６０８９号公報（特許文献３）は、ＳｉＯ₂のような非晶質のセラミックからなるシード層、ＭｇＯおよびＭｎＡｌ₂Ｏ₄のような結晶性材料からなる配向制御層、およびＦｅＰｔ合金を主成分とする磁性層をこの順に積層した磁気記録媒体を提案している（特許文献３参照）。この提案では、非晶質のセラミックからなるシード層を設けることにより、配向制御層の結晶配向性の向上および構造の微細化を可能としている。そして、磁性層のＦｅＰｔ合金の結晶配向性の乱れの抑制および磁性結晶粒の粒径の縮小により、高い磁気異方性定数Ｋｕ、優れた磁気特性、および優れた記録再生特性を有する磁性層が得られる。

あるいはまた、Ｌ１₀型規則合金を含む磁気記録層の磁気特性を、磁気記録層の下に形成される層の表面処理によって向上させる試みがなされてきている。たとえば、特開２０１４−８１９８０号公報（特許文献４）は、ＮａＣｌ型結晶構造を有するＣｒＮからなる下地層の表面を酸素に暴露し、引き続いて下地層の上に磁気記録層を形成する磁気記録媒体の製造方法を提案している。この提案では、酸素に対する暴露により、ＣｒＮ下地層の表面粗さが減少することによって、磁気記録層の表面粗さの低減および磁気特性の向上を可能とする。

磁気記録媒体の記録密度の向上を意図する場合に、考慮すべき事項の１つとして、磁気記録層と磁気ヘッドとの間の距離がある。一般的に、磁気記録層と磁気ヘッドとの間の距離を短くするほど、記録密度の向上が可能となる。一方、磁気記録層と磁気ヘッドとの間の距離は、磁気記録媒体の表面粗さより大きくする必要がある。磁気記録媒体の表面粗さが大きくなると、磁気ヘッドの浮上特性に悪影響を及ぼし、磁気記録媒体の記録再生特性が低下する恐れがある。従来から用いられているＭｇＯからなる下地層の場合、所望される表面粗さを実現するためには、下地層形成時の基板温度を４００℃以上とする必要があった。したがって、磁気記録媒体の表面粗さ、特に磁気記録層の表面粗さを低減する要求が存在する。

特開２００４−１７８７５３号公報 特開２０１１−１６５２３２号公報 特開２０１１−１４６０８９号公報 特開２０１４−８１９８０号公報

R. F. Penoyer、「Automatic Torque Balance for Magnetic Anisotropy Measurements」、The Review of Scientific Instruments、１９５９年８月、第３０巻第８号、ｐｐ．７１１−７１４ 近角聰信、「強磁性体の物理（下） −磁気特性と応用−」、第１版、裳華房、１９８４年３月、１０−２１頁

ＭｇＯを含むシード層とＬ１₀型規則合金を含む磁気記録層との積層構造を有する磁気記録媒体についても、特性のさらなる向上が求められている。

１つの実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、（１）基板を準備する工程と、（２）前記基板上に、（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏを含むシード層を形成する工程と、（３）前記シード層を、希ガスを含む雰囲気中でプラズマエッチングする工程と、（４）工程（３）を施した前記シード層上に、規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを含み、ｘは０以上、０．８以下である。工程（３）において、希ガスおよび酸素を含む雰囲気を用いてもよい。また、工程（３）において、シード層のエッチング量を０．４ｎｍ以上とすることが望ましい。さらに、規則合金が、Ｌ１₀型規則合金であってもよい。また、工程（１）が、（１ａ）非磁性基体を準備する工程と、（１ｂ）ＭｇＯを含む下地層を形成する工程と、（１ｃ）前記下地層を、希ガスを含む雰囲気中でプラズマエッチングする工程と、（１ｄ）工程（１ｃ）を施した前記下地層上に、中間層を形成する工程とを含んでもよい。あるいはまた、工程（１）が、（１ａ’）非磁性基体を準備する工程と、（１ｅ’）複数の層の積層構造を有する中間層を形成する工程とを含み、前記複数の層の少なくとも１つがグラニュラー材料を含んでもよい。

上記の構成を採用して、（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏを含むシード層表面のエッチングを行うことにより、良好な結晶性を有する表面が得られる。その結果、シード層上に形成される磁気記録層の表面粗さの減少、磁気記録層中の規則合金の配向分散の減少、ならびに磁気異方性定数などの当該規則合金の磁気特性の向上の効果が得られる。

本発明の構成例の１つである製造方法で得られる磁気記録媒体を示す模式断面図である。 実施例１、実施例２、および比較例１の磁気記録媒体に関してエッチング量と配向分散Δθ₅₀との関係を示すグラフである。 実施例１、実施例２、および比較例１の磁気記録媒体に関して、エッチング量と面内方向の保磁力Ｈｃ＿ｉｎとの関係を示すグラフである。 実施例１、実施例２、および比較例１の磁気記録媒体に関して、エッチング量と磁気記録層のＦｅＰｔの（００１）ピークの積分強度との関係を示すグラフである。 実施例１、実施例２、および比較例１の磁気記録媒体に関して、エッチング量と磁気異方性定数Ｋｕとの関係を示すグラフである。 実施例１、実施例２、および比較例１の磁気記録媒体に関して、処理時間とＭ−Ｈヒステリシスループのα値との関係を示すグラフである。 実施例３の磁気記録媒体に関して、酸素流量と磁気記録媒体の面内方向の保磁力Ｈｃ＿ｉｎとの関係を示すグラフである。 実施例３の磁気記録媒体に関して、酸素流量と算術表面粗さＲａとの関係を示すグラフである。 実施例３の磁気記録媒体に関して、酸素流量とＭ−Ｈヒステリシスループのα値との関係を示すグラフである。 比較例２および比較例３の磁気記録媒体に関して、酸素流量と面内方向の保磁力Ｈｃ＿ｉｎとの関係を示すグラフである。 比較例２および比較例３の磁気記録媒体に関して、酸素流量と磁気異方性定数Ｋｕとの関係を示すグラフである。 比較例２および比較例３の磁気記録媒体に関して、酸素流量と磁気記録層のＦｅＰｔの（００１）ピークの積分強度との関係を示すグラフである。 比較例２および比較例３の磁気記録媒体に関して、酸素流量と磁気記録層のＦｅＰｔの（００２）ピークの積分強度との関係を示すグラフである。 参考例１および参考例２の基板の特性を示すグラフであり、下地層の表面処理の時間とＣｒ中間層のＣｒの（００２）ピークの積分強度との関係を示すグラフである。 実施例５で得られた磁気記録媒体の断面の透過電子顕微鏡写真である。 比較例５で得られた磁気記録媒体の断面の透過電子顕微鏡写真である。

１つの実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、（１）基板を準備する工程と、（２）前記基板上に、（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏを含むシード層を形成する工程と、（３）前記シード層を、希ガスを含む雰囲気中でプラズマエッチングする工程と、（４）工程（３）を施した前記シード層上に、規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを含み、ｘは０以上、０．８以下である。図１に、この方法で製造した磁気記録媒体の構成例を示す。図１に示す磁気記録媒体は、基板１０、シード層２０および磁気記録層３０とをこの順に積層した構造を有する。また、図１に示す基板１０は、非磁性基体１２、密着層１４、下地層１６および中間層１８がこの順に積層した構造を有する。

工程（１）において準備される「基板１０」は、非磁性基体１２を含む。非磁性基体１２の上に密着層１４、軟磁性裏打ち層、ヒートシンク層、下地層１６、中間層１８などの当該技術において知られている層を形成した積層体を、工程（１）における「基板１０」として用いることができる。

非磁性基体１２は、表面が平滑である様々な基体であってもよい。たとえば、磁気記録媒体に一般的に用いられる材料を用いて、非磁性基体１２を形成することができる。用いることができる材料は、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、ＭｇＯ単結晶、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、ＳｒＴｉＯ₃、強化ガラス、結晶化ガラス等を含む。

任意選択的に設けてもよい密着層１４は、密着層１４の上に形成される層と密着層１４の下に形成される層との密着性を高めるために用いられる。密着層１４の下に形成される層としては非磁性基体１２を含む。密着層１４を形成するための材料はＮｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｕなどの金属、前述の金属を含む合金を含む。密着層１４は、単一の層であってもよいし、複数の層の積層構造を有してもよい。

任意選択的に設けてもよい軟磁性裏打ち層（不図示）は、磁気ヘッドからの磁束を制御して、磁気記録媒体の記録・再生特性を向上させる。軟磁性裏打ち層を形成するための材料は、ＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、ＣｏＦｅ合金などの結晶質材料、ＦｅＴａＣ，ＣｏＦｅＮｉ，ＣｏＮｉＰなどの微結晶質材料、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのＣｏ合金を含む非晶質材料を含む。軟磁性裏打ち層の膜厚の最適値は、磁気記録に用いる磁気ヘッドの構造および特性に依存する。他の層と連続成膜で軟磁性裏打ち層を形成する場合、生産性との兼ね合いから、軟磁性裏打ち層が１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内（両端を含む）の膜厚を有することが好ましい。

本実施形態の方法によって熱アシスト磁気記録用磁気記録媒体を製造する場合、ヒートシンク層（不図示）を設けてもよい。ヒートシンク層は、熱アシスト磁気記録時に発生する磁気記録層３０の余分な熱を効果的に吸収するための層である。ヒートシンク層は、熱伝導率および比熱容量が高い材料を用いて形成することができる。そのような材料は、Ｃｕ単体、Ａｇ単体、Ａｕ単体、またはそれらを主体とする合金材料を含む。ここで、「主体とする」とは、当該材料の含有量が５０質量％以上であることを示す。また、強度などの観点から、Ａｌ−Ｓｉ合金、Ｃｕ−Ｂ合金などを用いて、ヒートシンク層を形成することができる。さらに、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、軟磁性のＣｏＦｅ合金などを用いてヒートシンク層を形成し、ヒートシンク層に軟磁性裏打ち層の機能であるヘッドの発生する垂直方向磁界を磁気記録層３０に集中させる機能を付与することもできる。ヒートシンク層の膜厚の最適値は、熱アシスト磁気記録時の熱量および熱分布、ならびに磁気記録媒体の層構成および各構成層の厚さによって変化する。他の構成層との連続成膜で形成する場合などは、生産性との兼ね合いから、ヒートシンク層の膜厚は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。ヒートシンク層は、スパッタ法、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。本発明において、「スパッタ法」という記載は、ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法など当該技術において知られている任意の技術を含む。通常の場合、ヒートシンク層は、スパッタ法を用いて形成される。ヒートシンク層は、磁気記録媒体に求められる特性を考慮して、密着層１４の直下、軟磁性裏打ち層の直下、下地層１６の直下などに設けることができる。

下地層１６は、その下に形成される層の結晶構造が、磁気記録層３０の結晶配向性および磁性結晶粒のサイズなどに及ぼす影響を遮断するために設けられる層である。また、軟磁性裏打ち層を設ける場合、軟磁性裏打ち層に対する磁気的影響を抑制するために、下地層１６は非磁性であることが要求される。下地層１６を形成するための材料は、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ₃などの酸化物、あるいはＴｉＮなどの窒化物、ＣｒおよびＴａなどの金属、ＮｉＷ合金、およびＣｒＴｉ、ＣｒＺｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＲｕおよびＣｒＷなどのＣｒをベースとする合金を含む。

中間層１８は、磁気記録層３０の結晶配向性を高めるため、および磁性結晶粒のサイズなどを高めるために配置する層である。中間層の下に形成される層の結晶構造を引き継いで磁気記録層３０に継承する機能を担ってもよい。また、軟磁性裏打ち層を設ける場合、軟磁性裏打ち層が磁気記録層３０に与える磁気的影響を抑制する機能を担ってもよい。中間層１８は非磁性であることが好ましい。中間層１８を形成するための材料は、Ｃｒ、Ｒｕ、ＰｔおよびＴａなどの金属、ＮｉＷ合金、ＺｎＯ、およびＣｒＴｉ、ＣｒＺｒ、ＣｒＴａ、およびＣｒＷなどのＣｒをベースとする合金を含む。あるいはまた、Ｐｔ−ＴｉＯ_２およびＲｕ−ＴｉＯ_２などのグラニュラー材料を用いて、中間層１８を形成してもよい。中間層１８は、単一の層であってもよいし、複数の層の積層構造を有してもよい。複数の層の積層構造を有する中間層において、少なくとも１つの層を、グラニュラー材料を用いて形成してもよい。

非磁性基体１２の上に設けられる、密着層１４、軟磁性裏打ち層、ヒートシンク層、下地層１６および中間層１８は、スパッタ法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。密着層１４、軟磁性裏打ち層、ヒートシンク層、下地層１６または中間層１８が複数の層の積層構造を有する場合、それぞれの層を形成するサブ工程を、スパッタ法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて実施してもよい。

本実施形態において、ＭｇＯからなる下地層１６を含む基板１０を用いる場合、下地層１６に対して、後述の工程（３）と同様のプラズマエッチングを施してもよい。ただし、一般的に下地層１６の膜厚はシード層２０の膜厚より小さいため、エッチング量を０．２ｎｍ以上とし、かつ、プラズマエッチング後のＭｇＯの残り膜厚が０．６ｎｍ以上とすることが望ましい。ＭｇＯからなる下地層１６をプラズマエッチング処理することにより、その上に形成される中間層１８の結晶性を向上させることができる。中間層１８の結晶性の向上は、その上に形成されるシード層２０ならびに磁気記録層３０の特性を向上させると考えられる。この変形例において、工程（１）は、（１ａ）非磁性基体１２を準備する工程と、（１ｂ）ＭｇＯを含む下地層１６を形成する工程と、（１ｃ）下地層１６を、希ガスを含む雰囲気中でプラズマエッチングする工程と、（１ｄ）工程（１ｃ）を施した下地層１６上に、中間層１８を形成する工程とを含んでもよい。また、工程（１ａ）と工程（１ｂ）との間に、密着層１４を形成する工程をさらに含んでもよい。

本実施形態は、複数の層の積層構造を有する中間層１８を含む基板１０を用い、中間層１８を構成する少なくとも１つの層がグラニュラー材料を含む変形例を包含する。この変形例において、工程（１）は、（１ａ’）非磁性基体１２を準備する工程と、（１ｅ’）複数の層の積層構造を有する中間層１８を形成する工程とを含んでもよく、中間層１８を構成する複数の層の少なくとも１つがグラニュラー材料を含んでもよい。また、工程（１ａ’）と工程（１ｅ’）との間に、（１ｂ’）下地層１６を形成する工程をさらに含んでもよい。あるいはまた、工程（１ａ’）と工程（１ｅ’）との間、密着層１４を形成する工程をさらに含んでもよい。なお、工程（１ｂ’）が存在する場合、密着層１４を形成する工程を工程（１ａ’）と工程（１ｂ’）との間に実施することが望ましい。

工程（２）において、基板１０の上に、（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏ（式中、ｘは０以上、０．８以下である）を含む材料を堆積させてシード層２０を形成する。シード層２０の機能は、上層である磁気記録層３０中の磁性結晶粒の粒径および結晶配向を制御することである。シード層２０に、シード層２０の下にある層と磁気記録層３０との間の密着性を確保する機能を持たせてもよい。

本実施形態において、シード層２０を形成する（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏは、化学量論組成（Ｍｇ＋Ｔｉ：Ｏ＝１：１）であっても、非化学量論組成であってもよい。Ｍｇ、ＴｉおよびＯの組成比は、ラザフォード後方散乱分光法（ＲＢＳ）により決定することができる。本実施形態のシード層２０における「（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏ」は、面直方向のθ−２θ測定で得られるＸＲＤプロファイルにおいて、４２．０°〜４４．０°の２θの範囲にピークを有する化合物群を含む。

また、シード層２０は、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚を有する。この範囲内の膜厚を有することによって、工程（３）終了後に、優れた結晶性の表面を有するシード層２０を得ることができる。また、（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏの化学式中の変数ｘは、０．２以上、０．８以下の範囲内であることがより好ましい。変数ｘが上記の範囲内である（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏは、ターゲットの電気抵抗を低減してＤＣスパッタ法の適用を可能とする。ＤＣスパッタ法の適用は、量産性を向上させる点において有用である。

シード層２０は、スパッタ法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。

工程（３）において、（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏシード層２０を、希ガスを含む雰囲気中でプラズマエッチングする。本工程の「希ガスを含む雰囲気」は、希ガスのみで構成される雰囲気であってもよいし、希ガスとＯ₂とを含む雰囲気であってもよい。本実施形態における希ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）およびラドン（Ｒｎ）からなる群から選択される１つまたは複数の元素を含む。好ましくは、本実施形態における希ガスはＡｒである。希ガスとＯ₂とを含む雰囲気を用いる場合、Ｏ₂のモル分率を０．０６〜０．４の範囲内としてもよい。また、工程（３）は、０．０１Ｐａ〜１０Ｐａの範囲内で実施することが好ましい。

プラズマエッチングは、基板１０および（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏシード層２０を含む積層体をエッチング専用装置に移送して実施してもよいし、基板ホルダにプラズマ発生用の追加電極を含むスパッタ装置を用いてシード層２０を形成し、前記追加電極に交流電力を供給すること（いわゆる、「逆スパッタ」）によって実施してもよい。

工程（３）のプラズマエッチングにおける（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏシード層２０のエッチング量を、０．２ｎｍ以上、好ましくはエッチング量を０．４ｎｍ以上とし、かつ、プラズマエッチング後の（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏシード層２０の残り膜厚が０．６ｎｍ以上の範囲内とすることが望ましい。前述の範囲内のエッチングを行うことにより、良好な結晶性の表面を有する（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏシード層２０が得られ、その後に形成される磁気記録層３０の磁気特性が向上する。得られる磁気特性向上効果は、配向分散Δθ₅₀の減少、面内方向の保磁力Ｈｃ＿ｉｎの減少、Ｌ１₀型規則合金の（００１）ピークの増大、磁気異方性定数Ｋｕの増大、ならびにＭ−Ｈヒステリシスループのα値の増大を含む。前述の範囲内のエッチングを行うことにより、磁気記録層３０中の磁性結晶粒の粒径および結晶配向の制御という（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏシード層２０の効果を十分に発揮することが可能となる。

工程（４）において、シード層２０の上に、規則合金を含む磁気記録層３０を形成する。本実施形態における規則合金は、ＦｅおよびＣｏから選択される少なくとも一種の元素と、Ｐｔ、Ｐｄ、ＡｕおよびＩｒからなる群から選択される少なくとも一種の元素とを含む合金であってもよい。好ましい規則合金は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｄ、およびＣｏＰｄからなる群から選択されるＬ１₀型規則合金である。より好ましい規則合金は、Ｌ１₀型規則構造を有するＦｅＰｔ合金である。規則合金は、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含んでもよい。

あるいはまた、磁気記録層３０は、磁性結晶粒と、磁性結晶粒を取り囲む非磁性結晶粒界とを含むグラニュラー構造を有してもよい。磁性結晶粒は、前述の規則合金を含んでもよい。非磁性結晶粒界は、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｎＯなどの酸化物、ＳｉＮ、ＴｉＮなどの窒化物、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）からなる群から選択される少なくとも１つの材料を含んでもよい。たとえば、非磁性結晶粒界は、炭素（Ｃ）およびホウ素（Ｂ）の混合物を含んでもよい。

あるいはまた、磁気記録層３０は複数の磁性層からなってもよい。複数の磁性層のそれぞれは、非グラニュラー構造であってもよいし、グラニュラー構造を有してもよい。さらに、Ｒｕなどの非磁性結合層を磁性層で挟んで積層したＥＣＣ（Ｅｘｃｈａｎｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）構造を有してもよい。また、グラニュラー構造を含まない連続層（ＣＡＰ層）として第２の磁性層を、グラニュラー構造を有する磁性層の上部に設けてもよい。

工程（４）は、スパッタ法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。スパッタ法により規則合金を含む磁気記録層３０を形成する場合、規則合金を形成する材料を含むターゲットを用いることができる。より詳細には、前述の規則合金を構成する元素を所定の比率で含むターゲットを用いることができる。あるいはまた、単一の元素を含む複数のターゲットを用い、それぞれのターゲットに印加する電力を調整して元素の比率を制御することによって、磁気記録層３０を形成してもよい。グラニュラー構造を有する磁気記録層３０を形成する場合、磁性結晶粒を形成する材料と非磁性結晶粒界を形成する材料とを所定の比率で含むターゲットを用いることができる。あるいはまた、磁性結晶粒を形成する材料を含むターゲットと非磁性結晶粒界を形成する材料を含むターゲットとを用い、それぞれのターゲットに印加する電力を調整して磁性結晶粒および非磁性結晶粒界の構成比率を制御することによって、磁気記録層３０を形成してもよい。ここで、磁性結晶粒を規則合金で形成する場合、規則合金を構成する元素を別個に含む複数のターゲットを用いてもよい。

磁気記録層３０が規則合金を含む場合、磁気記録層３０を形成する際に基板の加熱を伴う。この際の基板温度は、３００℃〜４５０℃の範囲内である。この範囲内の基板温度を採用することによって、磁気記録層３０中の規則合金の規則度を向上させることができる。

任意選択的に、磁気記録層３０の上に保護層（不図示）を形成してもよい。保護層は、磁気記録媒体の分野で慣用的に使用されている材料を用いて形成することができる。具体的には、Ｐｔ、Ｔａなどの非磁性金属、ダイアモンドライクカーボンなどのカーボン系材料、あるいは窒化シリコンなどのシリコン系材料を用いて、保護層６０を形成することができる。また、保護層は、単層であってもよく、積層構造を有してもよい。積層構造の保護層は、たとえば、特性の異なる２種のカーボン系材料の積層構造、金属とカーボン系材料との積層構造、特性の異なる２種の金属の積層構造、または金属酸化物膜とカーボン系材料との積層構造であってもよい。保護層は、スパッタ法、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。

さらに、任意選択的に、保護層の上に液体潤滑剤層（不図示）を形成してもよい。液体潤滑剤層は、磁気記録媒体の分野で慣用的に使用されている材料（たとえば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤など）を用いて形成することができる。液体潤滑剤層は、たとえば、ディップコート法、スピンコート法などの塗布法を用いて形成することができる。

（実施例１）
＜工程（１）＞
表面が平滑な化学強化ガラス基体（ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基体）を洗浄し、非磁性基体１２を準備した。洗浄後の非磁性基体１２をスパッタ装置内に導入して、基板１０を形成した。以下、基板１０形成途上の中間体を被積層基板と呼称する。圧力０．２ＰａのＡｒガス中で、被積層基板から１８０ｍｍの位置に配置したＴａターゲットを用いるＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚５ｎｍのＴａ密着層１４を形成した。ターゲットに印加した電力は２００Ｗであった。

次に、圧力０．２ＰａのＡｒガス中で、被積層基板から１８０ｍｍの位置に配置したＭｇＯターゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚１ｎｍのＭｇＯ下地層１６を形成した。ターゲットに印加した電力は２００Ｗであった。

次に、圧力０．２ＰａのＡｒガス中で、被積層基板から１８０ｍｍの位置に配置したＣｒターゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚２０ｎｍのＣｒ中間層１８を形成して、基板１０を得た。ターゲットに印加した電力は６００Ｗであった。

＜工程（２）＞
次に、基板１０に対して、圧力０．１８ＰａのＡｒガス中で、基板１０から２４０ｍｍの位置に配置したＭｇＯターゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚１０ｎｍのＭｇＯシード層２０を形成した。ターゲットに印加した電力は５００Ｗであった。また、この際の基板１０の温度を、４５０℃とした。

＜工程（３）＞
次に、ＭｇＯシード層２０にＡｒガス中プラズマエッチング処理を施した。ここで、Ａｒガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、圧力を０．１Ｐａに維持した。プラズマエッチング処理の時間を３０秒から４００秒までの範囲内で変化させた。また、プラズマ発生のために印加したＲＦ電力は５０Ｗであった。

＜工程（４）＞
次に、エッチング処理したＭｇＯシード層２０を形成した積層体を３５０℃に加熱し、圧力０．１８ＰａのＡｒガス中で、被積層基板から２４０ｍｍの位置に配置したＦｅＰｔターゲットを用いるＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚１０ｎｍのＦｅＰｔ磁気記録層３０を形成した。ＦｅＰｔターゲットに印加した電力は３００Ｗであった。

＜追加の工程＞
続いて、圧力０．１８ＰａのＡｒガス中で、被積層基板から３２０ｍｍの位置に配置したＰｔターゲットおよびＴａターゲットを用いるＲＦマグネトロンスパッタ法により膜厚５ｎｍのＰｔ膜および膜厚５ｎｍのＴａ膜の積層体である保護層（不図示）を形成して、磁気記録媒体を得た。保護層形成時の基板温度は、室温（２５℃）であった。ＰｔターゲットおよびＴａターゲットは、それぞれ、被積層基板から３２０ｍｍの位置に配置した。Ｐｔ膜の形成時のスパッタ電力は１００Ｗであり、Ｔａ膜の形成時のスパッタ電力は２００Ｗであった。

（実施例２）
工程（３）を、ＡｒおよびＯ₂を含む雰囲気で実施したことを除いて、実施例１の手順を繰り返して、磁気記録媒体を得た。工程（３）におけるＯ₂の流量を５ｓｃｃｍとし、圧力を０．１４Ｐａに維持した。

（比較例１）
工程（３）を実施しなかったことを除いて、実施例１の手順を繰り返して、磁気記録媒体を得た。

（実施例３）
工程（３）をＡｒおよびＯ₂を含む雰囲気で実施し、工程（３）の処理時間を１８０秒に固定し、Ｏ₂流量を２〜２０ｓｃｃｍの範囲内で変化させたことを除いて、実施例２の手順を繰り返して、磁気記録媒体を得た。

（比較例２）
工程（２）において、ＭｇＯターゲットに代えてＭｎＣｒ₂Ｏ₄ターゲットを用い、基板１０の温度を４００℃に変更して膜厚１０ｎｍのＭｎＣｒ₂Ｏ₄シード層を得たこと、ならびに、工程（３）において、Ｏ₂流量を２〜３０ｓｃｃｍの範囲内で変化させたことを除いて、実施例３の手順を繰り返して、磁気記録媒体を得た。

（比較例３）
工程（３）を実施しなかったことを除いて、比較例２の手順を繰り返して、２つの磁気記録媒体を得た。

（実施例４）
工程（２）において、ＭｇＯターゲットに代えてＭｇ_０．５Ｔｉ_０．５Ｏターゲットを用いてＭｇ_０．５Ｔｉ_０．５Ｏシード層２０を形成したこと、および、工程（３）の処理時間を３００秒としたことを除いて、実施例１の手順を繰り返して、磁気記録媒体を得た。

（比較例４）
工程（３）を実施しなかったことを除いて、実施例４の手順を繰り返して、磁気記録媒体を得た。

（評価１）
実施例１の工程（２）終了時のサンプル、実施例１の工程（３）においてＡｒガス中１０００秒間のプラズマエッチングを行ったサンプル、実施例２の工程（３）においてＡｒおよびＯ₂の混合ガス中１０００秒間のプラズマエッチングを行ったサンプルについて、ＥＳＣＡによりＭｇの深さ方向プロファイルを測定し、ＭｇＯシード層２０の膜厚を求めた。その結果、実施例１のＡｒガス中のプラズマエッチングおよび実施例２のＡｒおよびＯ₂の混合ガス中のプラズマエッチングの両方において、エッチング速度は０．００４ｎｍ／秒であることが分かった。

実施例および比較例のそれぞれにおいて得られた磁気記録媒体について、以下の評価を行った。振動試料型磁力計（ＶＳＭ）で磁化曲線を測定し、面内方向の保磁力Ｈｃ＿ｉｎを求めた。Ｘ線回折（ＸＲＤ）により、ＦｅＰｔ磁気記録層３０中のＦｅＰｔに起因するＦｅＰｔの（００１）ピークおよび（００２）ピークの積分強度を測定した。次いで、ＦｅＰｔの（００２）ピークについて、ロッキングカーブ法による分析を行い、ＦｅＰｔ磁気記録層３０の結晶配向分散Δθ₅₀を求めた。

さらに、ＰＰＭＳ装置（Quantum Design社製；Physical Property Measurement System）により、得られた磁気記録媒体の垂直方向におけるＭ−Ｈヒステリシスループを測定した。得られたＭ−Ｈヒステリシスループから、垂直方向のヒステリシスループのα値を求めた。「ヒステリシスループのα値」は、保磁力付近（Ｈ＝Ｈｃ）における磁化曲線の傾きを意味し、α＝４π×（ｄＭ／ｄＨ）の式で求められる。α値の決定においては、Ｍの単位として「ｅｍｕ／ｃｍ³」を用い、Ｈの単位として「Ｏｅ」を用いる。また、ＰＰＭＳ装置を用いて自発磁化の磁場印加角度依存性を評価し、磁気異方性定数Ｋｕを決定した。磁気異方性定数Ｋｕの決定には、R. F. Penoyer、「Automatic Torque Balance for Magnetic Anisotropy Measurements」、The Review of Scientific Instruments、１９５９年８月、第３０巻第８号、７１１−７１４、ならびに近角聰信、強磁性体の物理（下） 裳華房、１０−２１に記載の手法を用いた（非特許文献１および２参照）。

また、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて、磁気記録媒体の１μｍ×１μｍの領域を観察し、当該領域における算術表面粗さＲａを求めた。本実施例および比較例においては、無作為に選択された２個の領域について測定を行い、その平均値を磁気記録媒体の算術表面粗さＲａとした。

実施例１、実施例２および比較例１の磁気記録媒体の特性を第１表に示す。また、図２Ａはエッチング量と配向分散Δθ₅₀との関係を示すグラフであり、図２Ｂはエッチング量と面内方向の保磁力Ｈｃ＿ｉｎとの関係を示すグラフであり、図２Ｃはエッチング量と磁気記録層のＦｅＰｔの（００１）ピークの積分強度との関係を示すグラフであり、図２Ｄはエッチング量と磁気異方性定数Ｋｕとの関係を示すグラフであり、図２Ｅは処理時間とＭ−Ｈヒステリシスループのα値との関係を示すグラフである。

第１表および図２Ａ〜２Ｅから、エッチング量が０．２ｎｍ以上の領域、特にエッチング量が０．４ｎｍ以上の領域で磁気記録媒体の特性が向上していることが分かる。具体的には、磁気記録層３０の配向分散Δθ₅₀の減少、面内方向の保磁力Ｈｃ＿ｉｎの減少、ＸＲＤ解析におけるＦｅＰｔ（００１）ピークの積分強度の増大、磁気異方性定数Ｋｕの増大、ならびにＭ−Ｈヒステリシスループのα値の増大が認められる。Δθ₅₀、Ｈｃ＿ｉｎ、ＦｅＰｔ（００１）ピークの積分強度、およびＫｕについては、Ａｒ雰囲気中でプラズマエッチングを行った実施例１と、ＡｒとＯ₂とを含む雰囲気中で酸化性プラズマエッチングを行った実施例２とで、同様の傾向が得られることが分かる。一方、詳細な理由は不明であるが、酸化性プラズマエッチングを行った実施例２において、Ｍ−Ｈヒステリシスループのα値がより増大することが分かる。

実施例３の磁気記録媒体の特性を第２表に示す。なお、比較のために、比較例１および実施例１において１８０秒間のプラズマエッチングを実施した磁気記録媒体の特性も、第２表に示した。また、図３Ａは酸素流量と面内方向の保磁力Ｈｃ＿ｉｎとの関係を示すグラフであり、図３Ｂは酸素流量と磁気記録媒体の算術表面粗さＲａとの関係を示すグラフであり、図３Ｃは酸素流量とＭ−Ｈヒステリシスループのα値との関係を示すグラフである。

[表２]

第２表から分かるように、Δθ₅₀、ＦｅＰｔ（００１）ピークの積分強度、およびＫｕは、プラズマエッチング時のＯ₂の有無および１０ｓｃｃｍ未満の領域におけるＯ₂の流量に大きな影響を受けない。これに対して、第２表および図３Ａから分かるように、プラズマエッチング時のＯ₂の流量の増加にともなって、Ｈｃ＿ｉｎは減少する。さらに、第２表、図３Ｂおよび図３Ｃから、磁気記録媒体の表面粗さＲａは、Ｏ₂の流量が１０ｓｃｃｍ未満の領域において減少し、Ｏ₂の流量が１０ｓｃｃｍ以上で増大することが分かる。また、Ｍ−Ｈヒステリシスループのα値は、Ｏ₂の流量が１０ｓｃｃｍ未満の領域において増大し、Ｏ₂の流量が１０ｓｃｃｍ以上で減少する。以上のことから、工程（３）のプラズマエッチングにおいて、適度な流量のＯ₂の使用が、いくつかの特性の改善に有効であることが分かる。一方、Ｏ₂の流量を過剰にしても、特性の改善は認められず、それどころかいくつかの特性が劣化することが分かった。以上の結果から分かるように、希ガスとＯ₂とを含む雰囲気を用いる場合、Ｏ₂のモル分率を、０．０６以上０．４以下の範囲内とすることが好ましい。

比較例２および比較例３の磁気記録媒体の特性を第３表に示す。また、図４Ａは酸素流量と面内方向の保磁力Ｈｃ＿ｉｎとの関係を示すグラフであり、図４Ｂは酸素流量と磁気異方性定数Ｋｕとの関係を示すグラフであり、図４Ｃは酸素流量と磁気記録層のＦｅＰｔの（００１）ピークの積分強度との関係を示すグラフであり、図４Ｄは酸素流量と磁気記録層のＦｅＰｔの（００２）ピークの積分強度との関係を示すグラフである。

第３表および図４Ａ〜４Ｄから分かるように、ＭｎＣｒ₂Ｏ₄シード層において、Ａｒ中またはＡｒおよびＯ₂の混合ガス中のプラズマエッチングによる磁気記録媒体の特性向上は認められなかった。具体的には、第３表および図４Ａから、面内方向の保磁力Ｈｃ＿ｉｎが増大していることが分かる。これに伴って、第３表および図４Ｂに示されるように、磁気異方性定数Ｋｕが減少した。さらに、第３表ならびに図４Ｃおよび図４Ｄから、ＦｅＰｔの（００１）ピークおよび（００２）ピークの積分強度がともに減少していることが分かる。

Ｍｇ_０．５Ｔｉ_０．５Ｏシード層２０を有する実施例４および比較例４の磁気記録媒体の特性を第４表に示す。

第４表から分かるように、Ｍｇ_０．５Ｔｉ_０．５Ｏシード層２０を有する磁気記録媒体においても、Ｍｇ_０．５Ｔｉ_０．５Ｏシード層２０のＡｒプラズマエッチングにより、磁気記録媒体の特性が向上していることが分かる。具体的には、プラズマエッチングを行わなかった比較例４と比較して、プラズマエッチングを行った実施例４の磁気記録媒体では、面内方向の保磁力Ｈｃ＿ｉｎの減少、ＸＲＤ解析におけるＦｅＰｔ（００１）ピークの積分強度の増大、磁気異方性定数Ｋｕの増大、ならびにＭ−Ｈヒステリシスループのα値の増大が認められる。

（参考例１）
表面が平滑な化学強化ガラス基体（ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基体）を洗浄し、非磁性基体１２を準備した。洗浄後の非磁性基体１２を、スパッタ装置内に導入した。圧力０．２ＰａのＡｒガス中で、被積層基板から１８０ｍｍの位置に配置したＴａターゲットを用いるＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚５ｎｍのＴａ密着層１４を形成した。ターゲットに印加した電力は２００Ｗであった。

次に、圧力０．２ＰａのＡｒガス中で、被積層基板から１８０ｍｍの位置に配置したＭｇＯターゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚１ｎｍのＭｇＯ下地層１６を形成した。ターゲットに印加した電力は２００Ｗであった。

次に、ＭｇＯ下地層１６にＡｒおよびＯ₂を含むガス中プラズマエッチング処理を施した。ここで、ＡｒガスおよびＯ₂ガスの流量を、それぞれ３０ｓｃｃｍおよび５ｓｃｃｍとし、圧力を０．１４Ｐａに維持した。プラズマエッチング処理の時間を０秒から１８０秒までの範囲内で変化させた。また、プラズマ発生のために印加したＲＦ電力は５０Ｗであった。なお、「０秒」は、プラズマエッチング処理を実施しなかったことを意味する。

次に、圧力０．２ＰａのＡｒガス中で、被積層基板から１８０ｍｍの位置に配置したＣｒターゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚２０ｎｍのＣｒ中間層１８を形成して、基板１０を得た。ターゲットに印加した電力は６００Ｗであった。

（参考例２）
ＭｇＯ下地層１６の膜厚を２ｎｍに変更したことを除いて、参考例１の手順を繰り返した、基板１０を得た。

（評価２）
プラズマエッチングの条件が実施例２の条件と同一であることから、参考例１および参考例２におけるエッチング速度は、０．００４ｎｍ／秒である。得られた基板１０を、Ｘ線回折（ＸＲＤ）により、Ｃｒ中間層１８のＣｒの（００２）ピークの積分強度を測定した。測定結果を第５表および図５に示す。

第５表および図５から、ＭｇＯ下地層１６を、ＡｒおよびＯ₂を含む混合ガス中でプラズマエッチングすることにより、その上に形成されるＣｒ中間層１８の結晶性が向上することが分かる。なお、参考例１において、エッチング量が０．４８ｎｍ以上の領域におけるＣｒ中間層１８の結晶性の低下は、処理後のＭｇＯ下地層１６の膜厚が小さくなりすぎて、その結晶性制御機能を発揮できなくなったためと考えられる。

（実施例５）
＜工程（１）＞
表面が平滑な化学強化ガラス基体（ＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基体）を洗浄し、非磁性基体１２を準備した。洗浄後の非磁性基体１２をスパッタ装置内に導入して、基板１０を形成した。以下、基板１０形成途上の中間体を被積層基板と呼称する。圧力０．３ＰａのＡｒガス中で、Ｃｒ_５０Ｔｉ_５０ターゲットを用いるＤＣマグネトロンスパッタ法により、膜厚１５ｎｍのＣｒＴｉ膜を形成した。次に、圧力０．３ＰａのＡｒガス中で、Ｒｕ_７０Ｃｒ_３０ターゲットを用いるＤＣマグネトロンスパッタ法により、膜厚５ｎｍのＲｕＣｒ膜を形成し、ＣｒＴｉ膜およびＲｕＣｒ膜の積層構造を有する下地層１６を得た。ＣｒＴｉ膜およびＲｕＣｒ膜形成時の被積層基板の温度は、室温（２５℃）であった。

次に、圧力０．３ＰａのＡｒガス中で、Ｒｕターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により、膜厚５．９ｎｍのＲｕ膜を形成した。次に、圧力０．３ＰａのＡｒガス中で、Ｒｕ−２４体積％ＴｉＯ_２ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により、膜厚０．６５ｎｍのＲｕ−ＴｉＯ_２膜を形成した。次に、圧力０．３ＰａのＡｒガス中で、Ｐｔ−２４体積％ＴｉＯ_２ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により、膜厚８ｎｍのＰｔ−ＴｉＯ_２膜を形成した。続いて、圧力０．３ＰａのＡｒガス中で、ＺｎＯターゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚２ｎｍのＺｎＯ膜を形成した。この結果、Ｒｕ膜、Ｒｕ−ＴｉＯ_２膜、Ｐｔ−ＴｉＯ_２膜およびＺｎＯ膜の積層構造を有する中間層１８を有する基板１０が得られた。Ｒｕ膜、Ｒｕ−ＴｉＯ_２膜、Ｐｔ−ＴｉＯ_２膜およびＺｎＯ膜形成時の被積層基板の温度は、室温（２５℃）であった。

＜工程（２）＞
次に、基板１０に対して、圧力０．１８ＰａのＡｒガス中で、ＭｇＯターゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚５ｎｍのＭｇＯシード層２０を形成した。ターゲットに印加した電力は５００Ｗであった。また、この際の基板１０の温度を、４５０℃とした。

＜工程（３）＞
次に、ＭｇＯシード層２０にＡｒおよびＯ_２の混合ガス中でプラズマエッチング処理を施した。ここで、Ａｒガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、Ｏ_２ガスの流量を５ｓｃｃｍとし、圧力を０．１４Ｐａに維持した。プラズマエッチング処理の時間を１８０秒とした。また、プラズマ発生のために印加したＲＦ電力は５０Ｗであった。

＜工程（４）＞
次に、エッチング処理したＭｇＯシード層２０を形成した積層体を４５０℃に加熱し、圧力０．９ＰａのＡｒガス中で、ＦｅＰｔ−３０体積％Ｃターゲットを用いるＲＦマグネトロンスパッタ法により、膜厚４ｎｍのＦｅＰｔ−Ｃ磁気記録層３０を形成した。ＦｅＰｔ−３０体積％Ｃターゲットに印加した電力は３００Ｗであった。

＜追加の工程＞
続いて、圧力０．１８ＰａのＡｒガス中で、ＰｔターゲットおよびＴａターゲットを用いるＲＦマグネトロンスパッタ法により膜厚５ｎｍのＰｔ膜および膜厚５ｎｍのＴａ膜の積層体である保護層（不図示）を形成して、磁気記録媒体を得た。保護層形成時の基板温度は、室温（２５℃）であった。Ｐｔ膜の形成時のスパッタ電力は１００Ｗであり、Ｔａ膜の形成時のスパッタ電力は２００Ｗであった。

（比較例５）
工程（３）を実施しなかったことを除いて、実施例５の手順を繰り返して、磁気記録媒体を得た。

（評価１）
実施例５で得られた磁気記録媒体の断面、および比較例５で得られた磁気記録媒体の断面を、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察した。図６に、実施例５で得られた磁気記録媒体の断面のＴＥＭ写真を示し、図７に、比較例５で得られた磁気記録媒体の断面のＴＥＭ写真を示した。なお、図６および図７においては、設計上の層構成を合わせて示した。

図６および図７から分かるように、中間層１８を構成するＲｕ膜、Ｒｕ−ＴｉＯ_２膜、およびＰｔ−ＴｉＯ_２膜においては、それぞれの膜の結晶粒境界が膜厚方向で連続している。言い換えると、Ｒｕ膜のＲｕ結晶粒の上に、Ｒｕ−ＴｉＯ_２膜のＲｕ結晶粒が１対１で柱状成長しており、Ｒｕ−ＴｉＯ_２膜のＲｕ結晶粒の上に、Ｐｔ−ＴｉＯ_２膜のＰｔ結晶粒が１対１で柱状成長している。

一方、図７から分かるように、工程（３）におけるＭｇＯシード層２０のプラズマエッチングを実施しなかった比較例５の磁気記録媒体においては、中間層１８を構成するＰｔ−ＴｉＯ_２膜のＰｔ結晶粒境界と、ＦｅＰｔ−Ｃ磁気記録層３０のＦｅＰｔ磁性結晶粒境界とが、膜厚方向で一致していない。すなわち、ＦｅＰｔ−Ｃ磁気記録層３０のＦｅＰｔ磁性結晶粒は、Ｐｔ−ＴｉＯ_２膜のＰｔ結晶粒の上方で１対１で形成されていない。

これに対して、図６から分かるように、工程（３）におけるＭｇＯシード層２０のプラズマエッチングを実施した実施例５の磁気記録媒体においては、中間層１８を構成するＰｔ−ＴｉＯ_２膜のＰｔ結晶粒境界と、ＦｅＰｔ−Ｃ磁気記録層３０のＦｅＰｔ磁性結晶粒境界とが、膜厚方向で一致している。すなわち、ＦｅＰｔ−Ｃ磁気記録層３０のＦｅＰｔ磁性結晶粒は、Ｐｔ−ＴｉＯ_２膜のＰｔ結晶粒の上方で１対１で形成されている。

以上の結果から、工程（３）におけるＭｇＯシード層２０の表面のプラズマエッチングが、中間層１８の最下層であるＲｕ膜の優れた結晶粒構造を反映する１対１成長により、ＦｅＰｔ−Ｃ磁気記録層３０におけるＦｅＰｔ磁性結晶粒の優れた分離を可能にすることが明らかとなった。

１０ 基板
１２ 非磁性基体
１４ 密着層
１６ 下地層
１８ 中間層
２０ シード層
３０ 磁気記録層

Claims (6)

1. （１）基板を準備する工程と、
   （２）前記基板上に、（Ｍｇ_１−ｘＴｉ_ｘ）Ｏを含むシード層を形成する工程と、
   （３）前記シード層を、希ガスを含む雰囲気中でプラズマエッチングする工程と、
   （４）工程（３）を施した前記シード層上に、規則合金を含む磁気記録層を形成する工程と
   を含み、ｘは０以上、０．８以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 工程（３）において、希ガスおよび酸素を含む雰囲気を用いることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. 工程（３）において、前記シード層のエッチング量は０．４ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. 前記規則合金が、Ｌ１₀型規則合金であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
5. 工程（１）が、
   （１ａ）非磁性基体を準備する工程と、
   （１ｂ）ＭｇＯを含む下地層を形成する工程と、
   （１ｃ）前記下地層を、希ガスを含む雰囲気中でプラズマエッチングする工程と、
   （１ｄ）工程（１ｃ）を施した前記下地層上に、中間層を形成する工程と
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
6. 工程（１）が、
   （１ａ’）非磁性基体を準備する工程と、
   （１ｅ’）複数の層の積層構造を有する中間層を形成する工程と
   を含み、前記複数の層の少なくとも１つがグラニュラー材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。