TW202214881A - Ｐｔ－氧化物系濺鍍靶及垂直磁性記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供結晶磁異向性常數Ku及保磁力Hc高之磁性記錄媒體，及用於製造該磁性記錄媒體之濺鍍靶。 本發明之解決手段為一種Pt-氧化物系濺鍍靶，其係包含60vol%以上且未達100vol%的Pt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物之Pt-氧化物系濺鍍靶，其特徵為：Pt基合金相包含50at%以上100at%以下的Pt。

Description

Ｐｔ－氧化物系濺鍍靶及垂直磁性記錄媒體
本發明關於Pt-氧化物系濺鍍靶及垂直磁性記錄媒體，特別地，關於作為微波輔助磁性記錄媒體的垂直磁性記錄媒體及用於藉由磁控濺鍍形成該垂直磁性記錄媒體之Pt-氧化物系濺鍍靶。
於硬碟之磁碟中，資訊訊號係被記錄成磁性記錄媒體的微細位元。為了進一步提高磁性記錄媒體的記錄密度，必須一邊縮小能保持1個記錄資訊的位元之大小，一邊亦增大資訊品質之指標的訊號對雜訊之比率。為了增大訊號對雜訊之比率，訊號之增大或雜訊之減低為必要且不可欠缺。 於硬碟之磁碟中，作為擔任資訊訊號之記錄的磁性記錄膜之一個，使用由CoPt基合金-氧化物的粒狀構造所成之磁性薄膜(例如，參照非專利文獻1)。此粒狀構造係由柱狀的CoPt基合金結晶粒與包含其周圍的氧化物之結晶粒界所構成。於將如此的磁性記錄媒體高記錄密度化之際，必須將記錄位元間的過渡區域平滑化而使雜訊減低。為了將記錄位元間的過渡區域平滑化，磁性薄膜中含有的CoPt基合金結晶粒之微細化為必須。因此，於由室溫下形成CoPt基合金-氧化物的粒狀構造所構成的磁性薄膜中，為了進一步提高記錄密度，必須將磁性記錄層(磁性薄膜)中含有的CoPt基合金結晶粒予以微細化。 然而，CoPt基合金結晶粒之微細化進展的結果，因超順磁性現象而損害記錄訊號的熱安定性，記錄訊號會消失，發生所謂的熱波動現象。此熱波動現象係磁碟往高記錄密度化的大障礙。 為了解決該障礙，於各CoPt基合金結晶粒中，必須以磁能打敗熱能的方式使磁能增大。各CoPt基合金結晶粒的磁能係以CoPt基合金結晶粒的體積v與結晶磁異向性常數Ku之積v×Ku所決定。因此，為了增大CoPt基合金結晶粒的磁能，使CoPt基合金結晶粒的結晶磁異向性常數Ku增大者為必要且不可欠缺(例如，參照非專利文獻2)。 為了使具有大的Ku之CoPt基合金結晶粒成長成柱狀，必須實現CoPt基合金結晶粒與粒界材料的相分離。若CoPt基合金結晶粒與粒界材料的相分離不充分而CoPt基合金結晶粒間的粒間相互作用變大，則由CoPt基合金-氧化物的粒狀構造所構成的磁性薄膜之保磁力Hc會變小，損害熱安定性而容易發生熱波動現象。因此，減小CoPt基合金結晶粒間的粒間相互作用者亦重要。 作為使CoPt基合金結晶粒的Ku增大之對策，可舉出藉由各CoPt基合金結晶粒中的Co及Pt含量之調整所致的自旋軌域相互作用之增大或積層缺陷的減低或藉由高溫基板加熱程序中的成膜所致的Co原子與Pt原子的積層構造之周期性的提升等(例如，參照非專利文獻3、4)。然而，於現行的CoPt基合金-氧化物的磁性薄膜中，組成已經被充分地最佳化，無法超過其而調整。又，已知所用之現行的CoPt基合金-氧化物粒狀之磁性薄膜若在高溫基板加熱程序中製作，則Ku變差(例如，非專利文獻5)。再者，已知藉由將室溫下所成膜的Co與Pt之薄膜予以多層化，而使面垂直方向中展現界面磁異向性(例如，非專利文獻6)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [非專利文獻1] T. Oikawa etal., IEEE Trans. Magn., 38, 1976 (2002) [非專利文獻2] S.N. Piramanayagam, J. Appl. Phys., 102, 011301 (2007). [非專利文獻3]A. Ishikawa and R. Sinclair, IEEE Trans. Magn., 32, 3605 (1996). [非專利文獻4] S. Saito, S. Hinata, and M. Takahashi, IEEE Trans. Magn., 50, 3201205 (2014). [非專利文獻5] K.K Tham, S. Hinata, S. Saito, and M. Takahashi, J. Appl. Phys., 115, 17B752 (2014). [非專利文獻6] C.J. Lin, G.L. Grorman, C.H. Lee, R.F.C. Farrow, E.E. Marinero, H.V. Do, H. Notarys, and C.J. Chien, J. Magn. Magn. Mat., 93, 194 (1991).
[發明所欲解決的課題] 本發明之目的在於提供結晶磁異向性常數Ku及保磁力Hc高之磁性記錄媒體，及用於製造該磁性記錄媒體之濺鍍靶。 [解決課題的手段] 本發明者們得知構成磁性層的磁性薄膜之組成不是最佳化，藉由在磁性層之上或下層合不同組成的薄膜層(緩衝層)，可提高磁性記錄媒體的結晶磁異向性常數Ku及保磁力Hc，終於完成本發明。 根據本發明，提供一種Pt-氧化物系濺鍍靶，其係包含60vol%以上且未達100vol%的Pt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物之Pt-氧化物系濺鍍靶，其特徵為：Pt基合金相包含50at%以上100at%以下的Pt。 前述Pt基合金相較佳為進一步包含合計0at%以上50at%以下的由Si、Ti、Cr、B、V、Nb、Ta、Ru、Mn、Zn、Mo、W及Ge所選出的1種以上。 前述氧化物較佳為由B 2O 3、WO 3、Nb 2O 5、SiO 2、Ta 2O 5、TiO 2、Al 2O 3、Y 2O 3、Cr 2O 3、ZrO 2、HfO 2所選出的1種以上。 又，根據本發明，提供一種垂直磁性記錄媒體，其包含在含有Co豐富結晶粒的CoPt基合金-氧化物之粒狀(granular)構造的磁性層之上或下所層合之含有Pt豐富結晶粒的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)。前述粒狀構造的磁性層包含60vol%以上且未達100vol%的CoPt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物。前述磁性層的CoPt基合金相包含60at%以上85at%以下的Co及15at%以上40at%以下的Pt。前述Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)包含60vol%以上且未達100vol%的Pt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物。前述Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的Pt基合金相包含超過50at%且為100at%以下的Pt。 於本發明之垂直磁性記錄媒體的第1實施形態中，Pt基合金-氧化物之薄層(P豐富緩衝層)係被層合於CoPt基合金-氧化物之粒狀構造的磁性層之下，Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的厚度超過0nm且為2nm以下。 於本發明之垂直磁性記錄媒體的第2實施形態中，Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)係被層合於CoPt基合金-氧化物之粒狀構造的磁性層之上，Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的厚度超過0nm且為4nm以下。 於本發明之垂直磁性記錄媒體的第3實施形態中，包含複數的在CoPt基合金-氧化物之粒狀構造的磁性層之上所層合之Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)之組合，垂直磁性記錄媒體中含有的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)之總厚度超過0nm且為4nm以下。 前述Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的Pt基合金相較佳為進一步包含合計0at%以上50at%以下的由Si、Ti、Cr、B、V、Nb、Ta、Ru、Mn、Zn、Mo、W及Ge所選出的1種以上。 前述Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)較佳為包含合計0vol%以上40vol%以下的由B 2O 3、WO 3、Nb 2O 5、SiO 2、Ta 2O 5、TiO 2、Al 2O 3、Y 2O 3、Cr 2O 3、ZrO 2、HfO 2所選出的1種以上之氧化物。 [發明的效果] 本發明之垂直磁性記錄媒體係藉由包含在CoPt基合金-氧化物之粒狀構造的磁性層之上或下所層合之Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)，而相較於以往的垂直磁性記錄媒體，可使粒狀構造的磁性層中的磁性結晶粒良好地分離，因此在面垂直方向展現界面磁異向性，磁性薄膜全體的結晶磁異向性常數Ku提升，隨著Ku之提升，保磁力Hc亦提升。
[實施發明的形態] 本發明提供一種Pt-氧化物系濺鍍靶，其包含60vol%以上的Pt基合金相與40vol%以下的氧化物。Pt-氧化物系濺鍍靶較佳為包含65vol%以上(不含100vol%)的Pt基合金相與35vol%以下(不含0vol%)的氧化物，更佳為包含70vol%以上90vol%以下的Pt基合金相與10vol%以上30vol%以下的氧化物。 本發明之Pt-氧化物系濺鍍靶之特徵為Pt基合金相包含50at%以上(包含100at%)的Pt。Pt基合金相較佳為包含60at%以上100at%以下的Pt，更佳為包含70at%以上100at%以下的Pt。 Pt基合金相亦可進一步包含合計50at%以下(包含0at%)、較佳0at%以上40at%以下、更佳0at%以上30at%以下的由Si、Ti、Cr、B、V、Nb、Ta、Ru、Mn、Zn、Mo、W及Ge所選出的1種以上。 作為Pt基合金相之合適組成(at%)，可舉出下述。 (Pt) (Pt95Si5) (Pt95Ti5) (Pt95Cr5) (Pt95B5) (Pt95V5) (Pt95Nb5) (Pt95Ta5) (Pt95Ru5) (Pt95Mn5) (Pt95Zn5) (Pt95Mo5) (Pt95W5) (Pt95Ge5) (Pt95Ti5) (Pt80Ti10) (Pt80Ti20) (Pt70Ti30) (Pt60Ti40) (Pt50Ti50) 作為本發明之Pt-氧化物系濺鍍靶的氧化物，可適宜舉出由B 2O 3、WO 3、Nb 2O 5、SiO 2、Ta 2O 5、TiO 2、Al 2O 3、Y 2O 3、Cr 2O 3、ZrO 2、HfO 2所選出的1種以上。氧化物之含量係合計可設為40vol%以下(不含0vol%)，較佳為10vol%以上40vol%以下，更佳為20vol%以上40vol%以下，特佳為25vol%以上35vol%以下。 本發明之Pt-氧化物系濺鍍靶較佳為具有Pt基合金相與氧化物微細地分散之微構造。藉由使氧化物微細地分散，可減低濺鍍時所發生的顆粒。 本發明之Pt-氧化物系濺鍍靶係可使用球磨機，混合Pt金屬粉末或Pt基合金的霧化粉末與氧化物粉末，調製燒結用混合粉末，在1000℃以上1300℃以下的燒結溫度，於真空下進行加壓燒結而製造。 本發明之Pt-氧化物系濺鍍靶係可適用於垂直磁性記錄媒體之製造。例如，使用本發明之Pt-氧化物系濺鍍靶，(1)使Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)層合於Ru基底層之上，更在其上層合粒狀構造的磁性層，或(2)在Ru基底層之上所層合之粒狀構造的磁性層之上，使用本發明之Pt-氧化物系濺鍍靶，層合Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)，或(3)在Ru基底層之上所層合之粒狀構造的磁性層之上，使用本發明之Pt-氧化物系濺鍍靶，層合Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)，隨後層合粒狀構造的磁性層，再使用本發明之Pt-氧化物系濺鍍靶，層合Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)，重複該者，可製造新穎的本發明之垂直磁性記錄媒體。 本發明之垂直磁性記錄媒體之特徵為包含：在含有Co豐富結晶粒的CoPt基合金-氧化物之粒狀構造的磁性層之上或下所層合之含有Pt豐富結晶粒的Pt基合金-氧化物之薄層。即，重要的是在含有Co豐富結晶粒的磁性層之上或下，層合Pt豐富結晶粒。例如，如圖1所示，可使含有Pt豐富結晶粒的Pt基合金-氧化物之薄層介於含有Ru結晶粒的基底層與含有Co豐富結晶粒的磁性層之間存在。或者，可在含有Ru結晶粒的基底層之上，層合含有Co豐富結晶粒的磁性層，在含有Co豐富結晶粒的磁性層之上層合含有Pt豐富結晶粒的Pt基合金-氧化物之薄層。或者，可在含有Ru結晶粒的基底層之上，層合含有Co豐富結晶粒的磁性層，在含有Co豐富結晶粒的磁性層之上，層合含有Pt豐富結晶粒的Pt基合金-氧化物之薄層，進一步層合含有Co豐富結晶粒的磁性層。藉由在含有Co豐富結晶粒的磁性層之上或下，設置含有Pt豐富結晶粒的Pt基合金-氧化物之薄層，而如圖1所示，在磁性層的Co豐富之磁性結晶粒彼此、Pt豐富結晶粒彼此及Ru結晶粒彼此之間，氧化物存在而成為隔牆，可將此等結晶粒彼此良好地分離，減小磁性結晶粒彼此的磁性相互作用，增大磁性層的保磁力Hc。 本發明之垂直磁性記錄媒體之粒狀構造的磁性層包含60vol%以上(不含100vol%)的CoPt基合金相與40vol%以下(不含0vol%)的氧化物。磁性層較佳為包含60vol%以上90vol%以下的CoPt基合金相與10vol%以上40vol%以下的氧化物，更佳為包含70vol%以上80vol%以下的CoPt基合金相與20vol%以上30vol%以下的氧化物。 粒狀構造的磁性層之CoPt基合金相為包含60at%以上85at%以下的Co及15at%以上40at%以下的Pt之Co豐富結晶粒。Co為強磁性金屬元素，在粒狀構造的磁性結晶粒(微小的磁石)之形成中扮演中心的角色。Pt具有減低合金相的磁矩之功能，具有調整磁性結晶粒的磁性強度之作用。 CoPt基合金相較佳為包含60at%以上85at%以下的Co，更佳包含65at%以上80at%以下，尤佳包含70at%以上75at%以下，及包含15at%以上40at%以下的Pt，較佳包含20at%以上35at%以下，更佳包含25at%以上30at%以下。CoPt基合金相係在不妨礙磁特性之範圍內，可包含Co及Pt以外的元素。作為其他元素，可適宜舉出Cr、Ru、B、Ti、Si、V、Nb、Ta、Ru、Mn、Zn、Mo、W及Ge。其他元素之含量係合計可為0at%以上20at%以下，較佳為5at%以上15at%以下，更佳為5at%以上10at%以下。 作為CoPt基合金相之合適例，可舉出下述之組成(at%)。 (Co80Pt20) (Co85Pt15) (Co70Pt30) (Co60Pt40) (Co75Pt20Cr5) (Co75Pt20B5) (Co75Pt20Ru5) (Co75Pt20Ti5) 粒狀構造的磁性層之氧化物係存在於Co豐富結晶粒彼此之間，成為將Co豐富結晶粒彼此分離之隔牆。作為氧化物，可適宜舉出由B 2O 3、WO 3、Nb 2O 5、SiO 2、Ta 2O 5、TiO 2、Cr 2O 3、GeO 2、Al 2O 3、Y 2O 3、ZrO 2、HfO 2及CoO所選出的至少1種或任意之組合。氧化物全體之含量可設為40vol%以下(不含0vol%)，較佳為5vol%以上40vol%以下，更佳為10vol%以上35vol%以下。 在Co豐富的磁性層之上或下所層合的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)包含60vol%以上且未達100vol%的Pt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物。較佳為Pt基合金-氧化物之薄層包含65vol%以上(不含100vol%)的Pt基合金相與35vol%以下(不含0vol%)的氧化物，更佳為包含70vol%以上90vol%以下的Pt基合金相與10vol%以上30vol%以下的氧化物。 Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的Pt基合金相為含有50at%以上100at%以下的Pt之Pt豐富結晶粒。由於包含50at%以上的Pt，可提高結晶磁異向性常數Ku。Pt基合金相較佳為包含60at%以上100at%以下的Pt，更佳為包含70at%以上100at%以下的Pt。Pt基合金相係在不防礙Co豐富的磁性層之磁特性的範圍內，可包含Pt以外的元素。作為其他元素，可適宜舉出由Si、Ti、Cr、B、V、Nb、Ta、Ru、Mn、Zn、Mo、W及Ge所選出的1種以上。其他元素之含量係合計可設為50at%以下(包含0at%)，較佳為0at%以上40at%以下，更佳為0at%以上30at%以下。 作為Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的Pt基合金相之合適組成(at%)，可舉出下述。 (Pt) (Pt95Si5) (Pt95Ti5) (Pt95Cr5) (Pt95B5) (Pt95V5) (Pt95Nb5) (Pt95Ta5) (Pt95Ru5) (Pt95Mn5) (Pt95Zn5) (Pt95Mo5) (Pt95W5) (Pt95Ge5) (Pt95Ti5) (Pt80Ti10) (Pt80Ti20) (Pt70Ti30) (Pt60Ti40) (Pt50Ti50) 作為在Co豐富的磁性層之上或下所層合的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的氧化物，可適宜舉出由B 2O 3、WO 3、Nb 2O 5、SiO 2、Ta 2O 5、TiO 2、Al 2O 3、Y 2O 3、Cr 2O 3、ZrO 2、HfO 2所選出的1種以上。氧化物之含量係合計可設為40vol%以下(不含0vol%)，較佳為10vol%以上40vol%以下，更佳為20vol%以上40vol%以下，特佳為25vol%以上35vol%以下。藉由將氧化物之含量設為上述範圍內，可增大磁性記錄媒體的結晶磁異向性常數Ku(請參照後述的實施例)。 在Co豐富的磁性層之下所層合的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的厚度超過0nm且為2nm以下。根據本發明者們之研究，可知Pt豐富的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的厚度，係影響磁性記錄媒體的結晶磁異向性常數Ku及保磁力Hc，在0.6nm的厚度時結晶磁異方性常數Ku變最大，及在1.0nm的厚度時保磁力Hc變最大(請參照後述的實施例)。因此，為了製作結晶磁異向性常數Ku及保磁力Hc高的磁性記錄媒體，Pt豐富的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的厚度係設為超過0nm且為2nm以下，較佳為0.5nm以上1.5nm以下，更佳為0.8nm以上1.2nm以下。 在Co豐富的磁性層之上所層合的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的厚度超過0nm且為4nm以下。根據本發明者們之研究，可知Pt豐富的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的厚度，係影響磁性記錄媒體的結晶磁異向性常數Ku及保磁力Hc，在0.9～1.3nm的厚度時結晶磁異方性常數Ku變最大，及在2.6nm的厚度時保磁力Hc變最大(請參照後述的實施例)。因此，為了製作結晶磁異向性常數Ku及保磁力Hc高的磁性記錄媒體，Pt豐富的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的厚度係設為超過0nm且為4nm以下，較佳為0.4nm以上3nm以下，更佳為0.8nm以上2.6nm以下。 包含複數的在Co豐富的磁性層之上所層合的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)之組合時，Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的總厚度超過0nm且為4nm以下。根據本發明者們之研究，可知Pt豐富的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的總厚度，係影響磁性記錄媒體的結晶磁異向性常數Ku及保磁力Hc，在0.4～4nm的總膜厚時結晶磁異向性常數Ku升高，在1.6nm(=0.4nm×4層)的總厚度時結晶磁異方性常數Ku變最大，及在總膜厚0.4nm時保磁力Hc變最大(請參照後述的實施例)。因此，為了製作結晶磁異向性常數Ku及保磁力Hc高的磁性記錄媒體，Pt豐富的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的總厚度係設為0nm且為4nm以下，較佳為0.4nm(=0.2nm×2層)以上4nm(=0.4nm×10層)以下，更佳為0.8nm(=0.2nm×4層或0.4nm×2層)以上3.2nm(=0.32nm×10層或0.4nm×8層)以下，特佳為1nm以上3nm以下。若Pt豐富的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)的總厚度超過0nm且為4nm以下，則層合次數係沒有限制，但層合次數較佳為1次以上10次以下，更佳為1次以上8次以下。 本發明之垂直磁性記錄媒體的基底層係沒有特別的限定，但較佳為由Ru基合金相-氧化物所成之Ru基底層。例如，可適宜舉出Ru-SiO 2、Ru-TiO 2、Ru-Ta 2O 5、 Ru-B 2O 3、Ru-WO 3、Ru-Nb 2O 5、Ru-MoO 3、Ru-SnO、 Ru-Cr 2O 3、RuCo-SiO 2、RuCo-TiO 2、RuCo-Ta 2O 5、 RuCo-B 2O 3、RuCo-WO 3、RuCo-Nb 2O 5、RuCo-MoO 3、 RuCo-SnO、RuCo-Cr 2O 3、RuCoCr-SiO 2、RuCoCr-TiO 2、 RuCoCr-Ta 2O 5、RuCoCr-B 2O 3、RuCoCr-WO 3、 RuCoCr-Nb 2O 5、RuCoCr-MoO 3、RuCoCr-SnO、 RuCoCr-Cr 2O 3、RuTi-TiO 2、RuTa-Ta 2O 5、RuB-B 2O 3、 RuW-WO 3、RuNb-Nb 2O 5、RuMo-MoO 3、RuSn-SnO、 RuCr-Cr 2O 3。 本發明之垂直磁性記錄媒體之Pt豐富的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)，可藉由將本發明之濺鍍靶例如(1)在使Ru基底層層合後，使用Pt基合金-氧化物的濺鍍靶，藉由磁控濺鍍使其層合，(2)使Ru基底層及Co豐富的磁性層層合後，使用Pt基合金-氧化物的濺鍍靶，藉由磁控濺鍍使其層合，或(3)使Ru基底層及Co豐富的磁性層層合後，使用Pt基合金-氧化物的濺鍍靶，藉由磁控濺鍍使其層合，進一步在Pt豐富緩衝層之上，使用Co豐富的濺鍍靶，藉由磁控濺鍍使Co豐富的磁性層層合，接著在Co豐富的磁性層之上，使用Pt基合金-氧化物的濺鍍靶，藉由磁控濺鍍使其層合，重複該者而形成。 [實施例] 以下，使用實施例及比較例，更具體地說明本發明。 [濺鍍靶之製作] 以篩子將Pt粉末或Pt合金的霧化粉(以下簡稱「含Pt粉末」)分級，得到粒徑100μm以下的含Pt粉末。以成為下述實施例及比較例所示的「Pt豐富層的組成」中所示之目的組成之方式，用球磨機混合含Pt粉末與氧化物粉末，得到加壓燒結用混合粉末。 於燒結溫度：1000℃以上1300℃以下，燒結壓力：25MPa，燒結時間60分鐘，燒結環境：5×10 -2Pa以下的真空之條件下，將加壓燒結用混合粉末予以熱壓而得到燒結體。使用旋盤或平面研削盤，將燒結體成形加工，製作直徑161.0mm×厚度4.0mm的濺鍍靶。 調製含Pt粉末時所用的各原料粉末係如以下。 Pt金屬粉末； PtSi霧化粉末； PtTi霧化粉末； PtCr霧化粉末； PtB霧化粉末； PtV霧化粉末； PtNb霧化粉末； PtTa霧化粉末； PtRu霧化粉末； PtMn霧化粉末； PtZn霧化粉末； PtMo霧化粉末； Ptw霧化粉末； PtGe霧化粉末； [磁性記錄媒體樣品A之製作] 使用所製作的濺鍍靶，以DC濺鍍裝置進行濺鍍，在Ru基底層之上，以成為實施例及比較例所示的膜厚之方式，層合下述實施例及比較例所示之組成的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)，在Pt豐富緩衝層之上，以成為實施例及比較例所示的膜厚之方式，層合實施例及比較例所示之組成的CoPt基合金-氧化物之Co豐富磁性層，調製磁性記錄媒體的樣品A。 磁性記錄媒體的樣品A係如圖3-A所示，在玻璃基板之上，依Ta層(5nm、0.6Pa)、Ni90W10晶種層(6nm、0.6Pa)、Ru基底層1(10nm、0.6Pa)、Ru基底層2(10nm、8.0Pa)、Pt豐富層(0-2.5nm、4Pa)、Co豐富磁性層(0.5-16nm、4Pa)、C表面保護層(7nm、0.6Pa)之順序層合。此處，括弧內的數字表示膜厚(nm)與濺鍍時的Ar氣氛壓力(Pa)。Ru基底層2係為了形成表面凹凸形狀而層合之層。Pt豐富層及Co豐富磁性層係不使基板升溫，在室溫下成膜。 [磁性記錄媒體樣品B之製作] 使用所製作的濺鍍靶，以DC濺鍍裝置進行濺鍍，在Ru基底層之上，以成為實施例及比較例所示的膜厚之方式，層合下述實施例及比較例所示之組成的CoPt基合金-氧化物之Co豐富磁性層，在Co豐富磁性層之上，以成為實施例及比較例所示的膜厚之方式，層合實施例及比較例所示之組成的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)，調製磁性記錄媒體的樣品B。 磁性記錄媒體的樣品B係如圖3-B所示，在玻璃基板之上，依Ta層(5nm、0.6Pa)、Ni90W10晶種層(6nm、0.6Pa)、Ru基底層1(10nm、0.6Pa)、Ru基底層2(10nm、8.0Pa)、Co豐富磁性層(0.5-16nm、4Pa)、Pt豐富層(0-2.6nm、4Pa)、C表面保護層(7nm、0.6Pa)之順序層合。此處，括弧內的數字表示膜厚(nm)與濺鍍時的Ar氣氛壓力(Pa)。Ru基底層2係為了形成表面凹凸形狀而層合之層。Pt豐富層及Co豐富磁性層係不使基板升溫，在室溫下成膜。 [磁性記錄媒體樣品C之製作] 使用所製作的濺鍍靶，以DC濺鍍裝置進行濺鍍，在Ru基底層之上，以成為實施例及比較例所示的膜厚之方式，層合下述實施例及比較例所示之組成的CoPt基合金-氧化物之Co豐富磁性層，在Co豐富磁性層之上，以成為實施例及比較例所示的膜厚之方式，層合實施例及比較例所示之組成的Pt基合金-氧化物之薄層(Pt豐富緩衝層)，接著以上述順序重複3次的Co豐富磁性層與Pt豐富緩衝層之層合，調製磁性記錄媒體的樣品C。 磁性記錄媒體的樣品C係如圖3-C所示，在玻璃基板之上，依Ta層(5nm、0.6Pa)、Ni90W10晶種層(6nm、0.6Pa)、Ru基底層1(10nm、0.6Pa)、Ru基底層2(10nm、8.0Pa)、Co豐富磁性層1(4nm、4Pa)、Pt豐富層1(0-0.8nm、4Pa)、Co豐富磁性層2(4nm、4Pa)、Pt豐富層2(0-0.8nm、4Pa)、Co豐富磁性層3(4nm、4Pa)、Pt豐富層3(0-0.8nm、4Pa)、Co豐富磁性層4(4nm、4Pa)、Pt豐富層4(0-0.8nm、4Pa)、C表面保護層(7nm、0.6Pa)之順序層合。此處，括弧內的數字表示膜厚(nm)與濺鍍時的Ar氣氛壓力(Pa)。Ru基底層2係為了形成表面凹凸形狀而層合之層。Pt豐富層及Co豐富磁性層係不使基板升溫，在室溫下成膜。 於磁性記錄媒體的樣品之磁特性中，保磁力Hc係使用振動試料型磁力計(VSM：(股)玉川製作所製TM-VSM211483-HGC型)進行測定，結晶磁異向性常數Ku係使用轉矩磁力計((股)玉川製作所製TM-TR2050-HGC型)進行測定。 [Pt豐富緩衝層的膜厚與磁特性(1)] 比較例1～2及實施例1～9係將Pt豐富緩衝層的膜厚從0nm至2.5nm為止變化，調查磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為Pt-30vol%TiO 2、Co豐富磁性層係設為膜厚16nm的Co80Pt20-30vol%B 2O 3。表1及圖4～5中顯示結果。表及圖中，Ku grain表示各磁性結晶粒的結晶磁異向性常數(Ku)。
Figure 02_image001
以未設Pt豐富緩衝層的比較例1為基準，確認Pt豐富緩衝層的膜厚為0.1nm以上2.0nm以下時，結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc皆增加，若成為2.5nm則返回到與比較例1相同程度。關於結晶磁異向性常數Ku grain，可知在膜厚0.6nm時為1.38×10 7erg/cm 3之最高，在膜厚0.1nm以上1.5nm以下的範圍中為1.30×10 7erg/cm 3以上之高。關於保磁力Hc，可知在膜厚1.0nm時為9.94kOe之最高，在膜厚0.4nm以上1.5nm以下的範圍中為9.39kOe以上之高。 [Pt豐富緩衝層的膜厚與磁特性(2)] 比較例1、3及實施例10～18係將Pt豐富緩衝層的膜厚從0nm至2.5nm為止變化，調查磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為Pt-30vol%SiO 2，Co豐富磁性層係設為膜厚16nm的Co80Pt20-30vol%B 2O 3。表2及圖4～5中顯示結果。
Figure 02_image003
以未設Pt豐富緩衝層的比較例1為基準，確認Pt豐富緩衝層的膜厚為0.1nm以上2.0nm以下時，結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc皆增加，若成為2.5nm則返回到與比較例1相同程度。關於結晶磁異向性常數Ku grain，可知在膜厚1.0nm時為1.38×10 7erg/cm 3之最高，在膜厚0.2nm以上且未達2.0nm之範圍中為1.30×10 7erg/cm 3以上之高。關於保磁力Hc，可知在膜厚1.0nm時為9.35kOe之最高，在膜厚超過0.4nm且為1.5nm以下的範圍中為8.90kOe以上之高。 又，如圖4～5所示，可知不論氧化物之種類為何，在Pt豐富緩衝層的膜厚超過0nm且為2nm以下的範圍中，相較於比較例1，結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc皆增加。 [Pt豐富緩衝層的氧化物(TiO 2)含量與磁特性] 比較例4～6及實施例19～25係使Pt豐富層的氧化物(TiO 2)之含量從0vol%至45vol%為止變化，調查磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為膜厚1.0nm的Pt-TiO 2，Co豐富磁性層係設為膜厚16nm的Co80Pt20-30vol%B 2O 3。表3及圖6中顯示結果。
Figure 02_image005
以Pt豐富緩衝層不含氧化物的比較例4為基準，確認Pt豐富緩衝層的氧化物之含量為10vol%以上40vol%以下時，結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc皆增加，若成為45vol%則返回到與比較例1相同程度。關於結晶磁異向性常數Ku grain，可知氧化物含量為15vol%以上40vol%以下的範圍中為1.35×10 7erg/cm 3以上1.38×10 7erg/cm 3以下之非常高。關於保磁力Hc，可知在氧化物含量35vol%時為10.1kOe之最高，在氧化物含量15vol%以上40vol%以下的範圍中為8.95kOe以上之高。 又，如圖6所示，可知不論氧化物之種類為何，氧化物含量為10vol%以上40vol%以下時，結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc皆增加。 [Pt豐富緩衝層的氧化物(SiO 2)含量與磁特性] 比較例4、7～8及實施例26～32係使Pt豐富緩衝層的氧化物(SiO 2)之含量從0vol%至45vol%為止變化，調查磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為膜厚1.0nm的Pt-SiO 2，Co豐富磁性層係設為膜厚16nm的Co80Pt20-30vol%B 2O 3。表4及圖6中顯示結果。
Figure 02_image007
以Pt豐富緩衝層不含氧化物的比較例4為基準，確認Pt豐富緩衝層的氧化物之含量為10vol%以上40vol%以下時，結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc皆增加，若成為45vol%則返回到與比較例1相同程度。關於結晶磁異向性常數Ku grain，可知氧化物含量15vol%以上40vol%以下的範圍中為1.34×10 7erg/cm 3以上1.38×10 7erg/cm 3以下之非常高。關於保磁力Hc，可知在氧化物含量35vol%時為9.55kOe之最高，氧化物含量15vol%以上40vol%以下的範圍中為8.95kOe以上之高。 [Pt豐富緩衝層的氧化物之種類與磁特性] 比較例1及實施例33～43係改變Pt豐富緩衝層的氧化物，調查磁特性。 Pt豐富緩衝層的膜厚係設為1.0nm，Co豐富磁性層設為膜厚16nm的Co80Pt20-30vol%B 2O 3。表5中顯示結果。
Figure 02_image009
以未設Pt豐富緩衝層的比較例1為基準，確認設有Pt豐富緩衝層的實施例33～53係不管氧化物之種類，即使包含複數的氧化物，也皆結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc高。 [Pt豐富緩衝層的追加元素之種類與磁特性] 比較例1及實施例54～66係改變Pt豐富緩衝層的Pt基合金的追加元素，調查磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為膜厚1.0nm的Pt95M5-30vol% TiO 2(M表示追加元素)，Co豐富磁性層係設為膜厚16nm的Co80Pt20-30vol%B 2O 3。表6中顯示結果。
Figure 02_image011
以未設Pt豐富緩衝層的比較例1為基準，確認設有Pt豐富緩衝層的實施例54～66係不管追加元素之種類，皆結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc高。 [Pt豐富緩衝層的Pt含量與磁特性] 比較例1、9及實施例67～73係改變Pt豐富緩衝層的Pt含量，調查磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為膜厚1.0nm的PtTi-30vol%TiO 2，Co豐富磁性層係設為膜厚16nm的Co80Pt20-30vol%B 2O 3。表7中顯示結果。
Figure 02_image013
以未設Pt豐富緩衝層為比較例1為基準，確認Pt豐富緩衝層的Pt含量愈多，結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc愈高，Pt含量為45at%的比較例9係變低到與比較例1同等程度。 [Co豐富磁性層的膜厚與磁特性] 實施例74～78係調查Co豐富磁性層的膜厚與磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為膜厚1.0nm的Pt-30vol%TiO 2，Co豐富磁性層係設為Co80Pt20-30vol%B 2O 3。表8、圖7及圖8中顯示結果。
Figure 02_image015
確認Co豐富磁性層的厚度愈厚，結晶磁異向性常數Ku grain愈稍低，但保磁力Hc變高。 [Co豐富磁性層的氧化物含量與磁特性] 比較例10～11及實施例79～82係調查Co豐富磁性層的氧化物含量與磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為膜厚1.0nm的Pt-30vol%TiO 2，Co豐富磁性層係設為膜厚16nm的Co80Pt20-B 2O 3。表9中顯示結果。
Figure 02_image017
確認Co豐富磁性層的氧化物含量在10vol%以上40 vol%以下的範圍中，氧化物含量愈多，結晶磁異向性常數Ku grain愈低，但保磁力Hc變高。氧化物含量為45vol%時，雖然保磁力Hc高，但結晶磁異方性常數Ku grain為與不含氧化物的比較例10相同程度。 [Co豐富磁性層的氧化物之種類與磁特性] 實施例83～99係調查Co豐富磁性層的氧化物之種類與磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為膜厚1.0nm的Pt-30vol%TiO 2，Co豐富磁性層係設為膜厚16nm的Co80Pt20-30vol%XO(XO表示氧化物)。表10中顯示結果。
Figure 02_image019
確認不論Co豐富磁性層的氧化物之種類為何，即使包含複數的氧化物，也皆結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc高。 [Co豐富磁性層的Co含量與磁特性] 比較例12～14及實施例100～103係調查Co豐富磁性層的Co含量與磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為膜厚1.0nm的Pt-30vol%TiO 2，Co豐富磁性層係設為膜厚16nm的CoPt-30vol%B 2O 3。表11、圖9及圖10中顯示結果。
Figure 02_image021
確認Co豐富磁性層的Co含量為60at%以上85at%以下的範圍時，結晶磁異向性常數Ku grain為1.25×10 7erg/cm 3以上之高，保磁力Hc為8.72kOe以上之高。 [Co豐富磁性層的追加元素之種類與磁特性] 實施例104～107係調查Co豐富磁性層的追加元素之種類與磁特性。Pt豐富層係設為膜厚1.0nm的Pt-30vol%TiO 2，Co豐富磁性層係設為膜厚16nm的CoPtM-30vol%B 2O 3(M表示追加元素)。表12中顯示結果。
Figure 02_image023
確認不論Co豐富磁性層的追加元素之種類為何，皆結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc都高。 [Pt豐富緩衝層的層合位置與磁特性] 比較例1及實施例108～109係調查Pt豐富緩衝層的層合位置與磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為膜厚1.0nm的Pt-30vol%TiO 2，Co豐富磁性層係設為膜厚16nm的CoPt-30vol%B 2O 3。表13中顯示結果。
Figure 02_image025
以與未層合Pt豐富緩衝層的比較例1相比，確認即使將Pt豐富緩衝層層合於Co豐富磁性層之下或上的任一者，也結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc皆高，結晶磁異向性常數Ku grain皆為相同數值，保磁力Hc係層合於Co豐富磁性層之下者高。 [Pt豐富緩衝層的層合位置與膜厚與磁特性] 比較例15及16以及實施例110～122係調查Pt豐富緩衝層的層合位置、膜厚與磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為Pt-30vol%SiO 2，Co豐富磁性層係設為Co80Pt20-30vol%B 2O 3。實施例110～119之Co豐富磁性層的膜厚係設為16nm，實施例120～122及比較例15～16之Co豐富磁性層的膜厚係設為各層4nm、合計16nm。表14中顯示結果。又，將使Pt豐富緩衝層層合於Co豐富磁性層之間的實施例120～122及比較例16的Pt豐富緩衝層的膜厚與Ku grain之關係及Hc之關係分別顯示於圖11及圖12中。
Figure 02_image027
以與未層合Pt豐富緩衝層的比較例15相比，確認即使將Pt豐富緩衝層層合於Co豐富磁性層之上或之間的任一者，也結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc皆高，結晶磁異向性常數Ku grain皆大致相同的數值。確認Pt豐富緩衝層的膜厚愈高，保磁力Hc愈高，於相同膜厚的情況中，將Pt豐富緩衝層層合於Co豐富磁性層之上者，係高於層合於Co豐富磁性層之間者。 [Co豐富磁性層的各膜厚與磁特性] 比較例15及17以及實施例111、121、123～130係將各Pt豐富緩衝層之膜厚設為0.4nm，重複複數的在Co豐富磁性層之上層合Pt豐富緩衝層之組合，改變複數的Co豐富磁性層之各膜厚、Co豐富磁性層與Pt豐富緩衝層之層合次數，調查磁特性。 Pt豐富緩衝層係設為Pt-30vol%SiO 2，Co豐富磁性層係設為Co80Pt20-30vol%B 2O 3。表15中顯示結果。又，將Pt豐富磁性層的總膜厚與Kugrin之關係及Hc之關係分別顯示於圖13及圖14中。
Figure 02_image029
以與未層合Pt豐富緩衝層的比較例15相比，確認藉由重複Co豐富磁性層與Pt豐富緩衝層之層合，而結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc皆變高，但若將Co豐富磁性層與Pt豐富緩衝層之層合的重複設為11次，則Co豐富磁性層與Pt豐富緩衝層之總膜厚超越20nm，Pt豐富緩衝層之總膜厚超越4nm，結晶磁異向性常數Ku grain及保磁力Hc皆變低。
[圖1]係顯示本發明之磁性記錄媒體的Ru基底層、Pt豐富薄層(Pt豐富緩衝層)及Co豐富磁性層之積層狀態的垂直剖面模型圖。 [圖2]係顯示以往的磁性記錄媒體的Ru基底層、CoPt磁性層之積層狀態的垂直剖面模型圖。 [圖3-A]係顯示實施例1～108所製作的磁性記錄媒體樣品A之積層構造的模型圖。 [圖3-B]係顯示實施例109～119所製作的磁性記錄媒體樣品B之積層構造的模型圖。 [圖3-C]係顯示實施例120～122及比較例16所製作的磁性記錄媒體樣品C之積層構造的模型圖。 [圖4]係顯示實施例1～108所測定的Pt豐富薄層(Pt豐富緩衝層)的膜厚與磁性記錄媒體樣品之僅磁性粒子的結晶磁異向性常數Ku grain之關係的曲線圖。 [圖5]係顯示實施例1～108所測定的Pt豐富薄層(Pt豐富緩衝層)的膜厚與磁性記錄媒體樣品的保磁力Hc之關係的曲線圖。 [圖6]係顯示實施例1～108所測定的Pt豐富薄層(Pt豐富緩衝層)的氧化物含量與磁性記錄媒體樣品之僅磁性粒子的結晶磁異向性常數Ku grain之關係的曲線圖。 [圖7]係顯示實施例1～108所測定的Co豐富磁性層的膜厚與磁性記錄媒體樣品之僅磁性粒子的結晶磁異向性常數Ku grain之關係的曲線圖。 [圖8]係顯示實施例1～108所測定的Co豐富磁性層的膜厚與磁性記錄媒體樣品的保磁力Hc之關係的曲線圖。 [圖9]係顯示實施例1～108所測定的Co豐富磁性層的Co含量與磁性記錄媒體樣品之僅磁性粒子的結晶磁異向性常數Ku grain之關係的曲線圖。 [圖10]係顯示實施例1～108所測定的Co豐富磁性層的Co含量與磁性記錄媒體樣品的保磁力Hc之關係的曲線圖。 [圖11]係顯示實施例120～122及比較例15～16所測定的Pt豐富緩衝層的膜厚(BL膜厚)與磁性記錄媒體樣品之僅磁性粒子的結晶磁異向性常數Ku grain之關係的曲線圖。 [圖12]係顯示實施例120～122及比較例15～16所測定的Pt豐富緩衝層的膜厚(BL膜厚)與磁性記錄媒體樣品的保磁力Hc之關係的曲線圖。 [圖13]係顯示實施例111、121、123～130及比較例15、17所測定的Pt豐富緩衝層之總膜厚(總BL膜厚)與磁性記錄媒體樣品之僅磁性粒子的結晶磁異向性常數Ku grain之關係的曲線圖。 [圖14]係顯示實施例111、121、123～130及比較例15、17所測定的Pt豐富緩衝層之總膜厚(總BL膜厚)與磁性記錄媒體樣品的保磁力Hc之關係的曲線圖。

Claims (12)

  1. 一種Pt-氧化物系濺鍍靶，其係包含60 vol%以上且未達100vol%的Pt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物之Pt-氧化物系濺鍍靶，其特徵為： Pt基合金相包含50at%以上100at%以下的Pt。
  2. 如請求項1之Pt-氧化物系濺鍍靶，其中前述Pt基合金相進一步包含合計0at%以上50at%以下的由Si、Ti、Cr、B、V、Nb、Ta、Ru、Mn、Zn、Mo、W及Ge所選出的1種以上。
  3. 如請求項1或2之Pt-氧化物系濺鍍靶，其中前述氧化物係由B 2O 3、WO 3、Nb 2O 5、SiO 2、Ta 2O 5、TiO 2、Al 2O 3、Y 2O 3、Cr 2O 3、ZrO 2、HfO 2所選出的1種以上。
  4. 一種垂直磁性記錄媒體，其係包含在含有Co豐富結晶粒的CoPt基合金-氧化物之粒狀構造的磁性層之下所層合之含有Pt豐富結晶粒的Pt基合金-氧化物之薄層的垂直磁性記錄媒體，其特徵為： 前述粒狀構造的磁性層包含60vol%以上且未達100vol%的CoPt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物， 前述磁性層的CoPt基合金相包含60at%以上85at%以下的Co及15at%以上40at%以下的Pt， 前述Pt基合金-氧化物之薄層包含60vol%以上且未達100vol%的Pt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物，且是厚度超過0nm且為2nm以下的Pt基合金-氧化物之薄層， 前述Pt基合金-氧化物之薄層的Pt基合金相包含50at%以上100at%以下的Pt。
  5. 如請求項4之垂直磁性記錄媒體，其中前述Pt基合金-氧化物之薄層的Pt基合金相進一步包含合計0at%以上50at%以下的由Si、Ti、Cr、B、V、Nb、Ta、Ru、Mn、Zn、Mo、W及Ge所選出的1種以上。
  6. 如請求項4或5之垂直磁性記錄媒體，其中前述Pt基合金-氧化物之薄層包含合計0vol%以上40vol%以下的由B 2O 3、WO 3、Nb 2O 5、SiO 2、Ta 2O 5、TiO 2、Al 2O 3、Y 2O 3、Cr 2O 3、ZrO 2、HfO 2所選出的1種以上之氧化物。
  7. 一種垂直磁性記錄媒體，其係包含在含有Co豐富結晶粒的CoPt基合金-氧化物粒狀構造的磁性層之上所層合之含有Pt豐富結晶粒的Pt基合金-氧化物之薄層的垂直磁性記錄媒體，其特徵為： 前述粒狀構造的磁性層包含60vol%以上且未達100vol%的CoPt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物， 前述磁性層的CoPt基合金相包含60at%以上85at%以下的Co及15at%以上40at%以下的Pt， 前述Pt基合金-氧化物之薄層包含60vol%以上且未達100vol%的Pt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物，且是厚度超過0nm且為4nm以下的Pt基合金-氧化物之薄層， 前述Pt基合金-氧化物之薄層的Pt基合金相包含50at%以上100at%以下的Pt。
  8. 如請求項7之垂直磁性記錄媒體，其中前述Pt基合金-氧化物之薄層的Pt基合金相進一步包含合計0at%以上50at%以下的由Si、Ti、Cr、B、V、Nb、Ta、Ru、Mn、Zn、Mo、W及Ge所選出的1種以上。
  9. 如請求項7或8之垂直磁性記錄媒體，其中前述Pt基合金-氧化物之薄層包含合計0vol%以上40vol%以下的由B 2O 3、WO 3、Nb 2O 5、SiO 2、Ta 2O 5、TiO 2、Al 2O 3、Y 2O 3、Cr 2O 3、ZrO 2、HfO 2所選出的1種以上之氧化物。
  10. 一種垂直磁性記錄媒體，其係包含複數的在含有Co豐富結晶粒的CoPt基合金-氧化物之粒狀構造的磁性層之上所層合之含有Pt豐富結晶粒的Pt基合金-氧化物之薄層的組合之垂直磁性記錄媒體，其特徵為： 前述粒狀構造的磁性層包含60vol%以上且未達100 vol%的CoPt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物， 前述磁性層的CoPt基合金相包含60at%以上85at%以下的Co及15at%以上40at%以下的Pt， 前述Pt基合金-氧化物之薄層包含60vol%以上且未達100vol%的Pt基合金相與超過0vol%且為40vol%以下的氧化物， 前述Pt基合金-氧化物之薄層的Pt基合金相包含50at%以上100at%以下的Pt， 垂直磁性記錄媒體中含有的Pt基合金-氧化物之薄層的總厚度超過0nm且為4nm以下。
  11. 如請求項10之垂直磁性記錄媒體，其中前述Pt基合金-氧化物之薄層的Pt基合金相進一步包含合計0at%以上50at%以下的由Si、Ti、Cr、B、V、Nb、Ta、Ru、Mn、Zn、Mo、W及Ge所選出的1種以上。
  12. 如請求項10或11之垂直磁性記錄媒體，其中前述Pt基合金-氧化物之薄層包含合計0vol%以上40vol%以下的由B 2O 3、WO 3、Nb 2O 5、SiO 2、Ta 2O 5、TiO 2、Al 2O 3、Y 2O 3、Cr 2O 3、ZrO 2、HfO 2所選出的1種以上之氧化物。
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