JP2006073137A - 磁気記録媒体、磁気記憶装置、およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 高密度記録化が可能な磁気記録媒体、磁気記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 磁気ディスクはの記録層４２は、非磁性基材４４に、基板面に垂直方向のナノホール４５が所定の位置に設けられ、ナノホール４５の内部に磁性材料が充填された磁性ドット４６が形成された構成とし、各トラック３８には、トラック幅方向に４個の磁性ドット４６₁〜４６₄が設けられ、磁性ドット４６₁〜４６₄の配列方向が、磁気ヘッドの再生素子３３の幅方向Ｄ_ELとほぼ同じ方向に配列された構成とする。再生素子３３が４個の磁性ドット４６₁〜４６₄からの漏洩磁界を同時に検知することができ、再生出力が増大すると共に、再生波形の半値幅がより狭小となり、高記録密度化が図れる。
【選択図】 図５

Description

本発明は磁気記録媒体、磁気記憶装置、およびその製造方法に関する。

近年、パーソナルコンピュータや家庭用ビデオ装置に搭載される磁気記憶装置、例えば磁気ディスク装置は、動画記録を主な目的として１００ＧＢを超える大容量が一般化してきている。かかる磁気ディスク装置への大容量化および低価格化へのニーズは、今後さらに強まる気配である。磁気ディスク装置に現在適用されている面内記録方式の面記録密度は２００Ｇｂｉｔ／平方インチが技術的限界といわれている。この技術的限界と克服するものとして、連続磁性薄膜内の磁気的な相互作用を低減すると共に記録単位の微小化を図るものとして、いわゆるパターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献１〜４参照。）。

パターンドメディアは強磁性材料の微少単位（以下、「磁性ドット」という。）を記録層の面内に規則的に配置し、磁性ドット間の間隙を一定として、磁性ドット間の静磁気的相互作用や交換相互作用の低減を図り、高記録密度においても良好なＳ／Ｎ比が達成されると期待されている。
特開２００４−０３９０１５号公報 特開２００２−１７５６２１号公報 特開２００３−１０９３３３号公報 特開２００３−１５７５０３号公報

ところで、このようなパターンドメディアでは、磁性ドットの微小化および磁性ドット間の適度な狭小化と共に、１ビットの情報を記録する磁性ドットの数を少なくし、さらに、磁性ドットから漏洩磁界を検知する磁気ヘッドの再生素子の面積を狭小化して、磁性ドットの情報を微細に読み出すことで、記録密度の向上を図れる。

しかしながら、再生素子の感知部が検出可能な磁性ドットの数が減少し、磁性ドットが離隔して配置されているため、感知部は個々の磁性ドットからの最大漏洩磁界を時間的にずれた状態で感知し易くなり、その結果、１ビットを担う数個の磁性ドットからの総合的な最大漏洩磁界が低下し、その結果再生出力およびＳ／Ｎ比が低下する。

そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、高密度記録化が可能な磁気記録媒体、磁気記憶装置およびその製造方法を提供することである。

本発明の一観点によれば、基板と、前記基板上に配設され、非磁性基材と、該非磁性基材に配置された磁性材料からなる磁性ドットを有する記録層とを備え、前記磁性ドットは、トラック毎あるいは隣接する複数のトラックからなるトラック群毎に所定の方向に配列されてなる磁気記録媒体が提供される。

本発明によれば、磁性ドットがトラック毎あるいは隣接する複数のトラックからなるトラック群毎に所定の方向、例えば、磁気ヘッドの再生素子のトラック幅方向に配列されているので、複数の磁性ドットからのそれぞれの漏洩磁界を同時に検知でき、その結果、再生出力値が増大すると共に、再生波形の半値幅がより狭小となり、高記録密度化を図れる。前記磁性ドットは、前記非磁性基材に該基板面に対し略垂直方向に形成されたナノホール内に磁性材料が充填されてもよい。

本発明の他の観点によれば、基板と、前記基板上に配設され、非磁性基材と、該非磁性基材に配置された磁性材料からなる磁性ドットを有する記録層とを備える磁気記録媒体と、前記磁性ドットに記録された情報を検知する再生素子を有する磁気ヘッドとを備え、前記磁性ドットが、トラック毎あるいは隣接する複数のトラックからなるトラック群毎に、再生素子の幅方向と略同じ方向に配列されてなる磁気記憶装置が提供される。

本発明によれば、磁性ドットが、トラック毎あるいは隣接する複数のトラックからなるトラック群毎に、再生素子のトラック幅方向と略同じ方向に配列されているので、複数の磁性ドットからのそれぞれの漏洩磁界を同時に検知でき、その結果、再生出力値が増大すると共に、再生波形の半値幅がより狭小となり、高記録密度化を図れる。

本発明のその他の観点によれば、基板と、該基板上に配設され、非磁性基材と、該非磁性基材に該基板面に対し略垂直方向に形成されたナノホール内に磁性材料が充填された磁性ドットとを有する記録層とを備える磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板上に形成した金属層の表面に所定の方向に長手方向を有する複数の凹部からなる凹状パターンを形成する凹部形成工程と、前記凹部内に前記基板面に対し略垂直方向に複数のナノホールを形成するナノホール形成工程と、前記ナノホール内に磁性材料を充填する磁性材料充填工程と、を含む磁気記録媒体の製造方法が提供される。

本発明によれば、凹部形成工程において記録層となる金属層の表面に、所定の方向に長手方向を有する凹部を形成し、ナノホール形成工程においてその凹部内に複数のナノホールを形成することにより、ナノホールに磁性材料を充填してなる磁性ドットを容易に形成できる。また、複数のナノホールを一つの凹部内に形成できるので凹部の形成数を低減でき、凹部形成工程の時間および製造コストを低減できる。

本発明のその他の観点によれば、上記の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された磁気記録媒体と、前記磁性ドットに記録された情報を検知する再生素子を有する磁気ヘッドとを備える磁気記憶装置の製造方法であって、前記所定の方向は、再生素子のトラック幅方向と略同じ方向であることを特徴とする磁気記憶装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、凹部の長手方向を再生素子のトラック幅方向と略同じ方向にすることで、磁性ドットの配列方向を再生素子のトラック幅方向と略同じ方向にすることができ、また、凹部内に複数のナノホールが自己形成的に規則的に形成されるので、規則性の良好な磁性ドットを容易に形成できる。

本願発明者等は、アルミニウム層の表面に溝を形成し、後述する印加電圧等の条件に設定した陽極酸化処理により、溝内にのみアルマイトポア（アルミニム層の面にほぼ垂直に形成された開口部あるいは孔）が形成され、溝が形成されていない平坦部にはアルマイトポアの形成が抑制されることを見出した。すなわち、溝をアルミニウム層（陽極酸化処理後は酸化アルミニウム層に変換される）の表面に設けることで、アルマイトポアを選択的に形成できることを見出した。

図１は、（Ａ）および（Ｂ）は本発明に係るナノホールが形成される様子を示す平面図であり、ＳＥＭ写真を模式的に示したものである。

図１（Ａ）を参照するに、ディスク基板上に形成したアルミニウム層１０（厚さ１００ｎｍ）に幅ＷＤが６０ｎｍ、溝１１と溝１１との間隙ＧＰが４０ｎｍのディスク基板の中心と同心円状の溝をインプリント転写により設け、２５Ｖの電圧で陽極酸化処理を行ったところ、図１（Ｂ）に示すように溝内に６０ｎｍのほぼ一定間隔にアルマイトポア１２が形成され、溝１１と溝１１との間隙ＧＰには、ナノホールが形成されなかった。ナノホールの間隔は若干の乱れが生じているが、本願発明者の検討によれば、溝の長さを短く設定することで、ナノホールの間隔の規則性が増し、同じ長さの溝内には同じ数のナノホールが形成されることが確認できている。

上記知見から、本発明は、所定の配列を有し制御性良く配列された多数の磁性ドットにより高記録密度化が可能な磁気記録媒体を実現するものである。

本発明によれば、磁性ドットがトラック毎あるいは隣接する複数のトラックからなるトラック群毎に所定の方向、例えば、磁気ヘッドの再生素子のトラック幅方向に配列されているので、複数の磁性ドットからのそれぞれの漏洩磁界を同時に検知でき、その結果、再生出力値が増大すると共に、再生波形の半値幅がより狭小となり、高密度記録化が可能な磁気記録媒体、磁気記憶装置およびその製造方法を提供できる。

以下図面を参照しつつ実施の形態を説明する。

図２は、本発明の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す平面図である。図２を参照するに、磁気記憶装置２０は、ハウジング２１と、ハウジング２１内にはスピンドル（図示されず）により回転駆動されるハブ２２およびハブ２２に固定された磁気ディスク２３と、アクチュエータユニット２４に取り付けられ、アーム２５およびサスペンション２６に支持された磁気ヘッド２８等から構成される。磁気ヘッド２８は、アクチュエータユニット２４を構成する軸受けユニット２９の中心軸２９ｃを回転中心として磁気ディスク２３の半径方向に回転移動され、磁気ディスクの各トラック（不図示）にアクセスし、記録・再生動作を行う。

図３（Ａ）は磁気ヘッドおよび磁気ディスクの概略断面図、図３（Ｂ）は概略平面図である。

図３（Ａ）を参照するに、磁気ヘッド２８は、アルチック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＯ₂）のスライダ３０にアルミナ絶縁層３１を介して、軟磁性材料からなる下部シールド層３２ａおよび上部シールド層３２ｂによりアルミナ絶縁層３１を介して挟まれた再生素子３３、例えばＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を有する再生ヘッド３４と、単磁極型の記録ヘッド３５が設けられた複合型磁気ヘッドの構成となっている。

単磁極型の記録ヘッド３５は、磁気ディスク２３に記録磁界を印加するための軟磁性体からなる主磁極３６と、主磁極３６に磁気的に接続されたリターンヨーク（不図示）と、主磁極３６とリターンヨークに記録磁界を誘導するための記録用コイル（不図示）等から構成されている。主磁極３６は、飽和磁束密度の高い、例えば５０ａｔ％Ｎｉ−５０ａｔ％Ｆｅ、ＦｅＣｏＮｉ合金、ＦｅＣｏＮＩＢ、ＦｅＣｏＡｌＯ等の磁性材料からなることが好ましい。磁気飽和を防止して高い磁束密度の磁束を集中して磁気ディスク２３に印加できる。

また、再生素子３３であるＧＭＲ素子は、例えばスピンバルブ構造を有し、磁気ディスク２３からの記録された情報に相当する漏洩磁界の方向を抵抗変化として検知する。ＧＭＲ素子のかわりにＴＭＲ（Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ ＭＲ）素子やバリスティックＭＲ素子を用いてもよい。

磁気ディスク２３は、基板４０と、基板４０上に設けられた軟磁性裏打ち層４１、記録層４２、および保護膜４３がこの順に積層された構成からなり、記録層４２は、非磁性基材４４に、基板面に垂直方向のナノホール（開口部）４５が後述する所定の位置に設けられ、ナノホール４５の内部に磁性材料が充填された磁性ドット４６が形成されている。

基板４０は、例えば、結晶化ガラス基板、強化ガラス基板、Ｓｉ基板、アルミニウム合金基板、プラスチック基板等から構成される。

軟磁性裏打ち層４１は、例えば厚さが５０ｎｍ〜２μｍであり、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃ、Ｂから選択された少なくとも１種類の元素を含む非晶質もしくは微結晶の合金、またはこれらの合金の積層膜から構成される。記録の際に主磁極からの磁束を集中できる点で飽和磁束密度Ｂｓが１．０Ｔ以上の軟磁性材料が好ましく、保磁力Ｈｃは７９０ｋＡ／ｍ以下であることが好ましい。軟磁性裏打ち層４１は、具体的には、ＮｉＦｅ（パーマロイ）、ＦｅＳｉ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＣ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＮｉＢ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＣｒＮｂ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＰなどを用いることができる。軟磁性裏打ち層４１は、記録ヘッドからのほぼ総ての磁束を吸収するためのものであり、記録層４２に飽和記録するためには飽和磁束密度と膜厚との積の値が大きい方が好ましい。また、軟磁性裏打ち層４１は、高転送レートでの書込性の点では高周波透磁率が高い方が好ましい。軟磁性裏打ち層４１は、磁気ヘッドの方式によっては設けなくてもよい。

記録層４２は、その厚さが５００ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下がより好ましく、２０〜２００ｎｍが特に好ましい。記録層４２の厚さが、５００ｎｍを超えると高密度記録を行うことができないことがあり、記録層の研磨が必要になり、この場合、時間を要し高コストであり、品質劣化の原因となることがある。

非磁性基材４４は、非磁性材料からなり、その材料に特に制限はないが、ナノホール４５がアルマイトポアの場合は酸化アルミニムからなる。

ナノホール４５は、非磁性基材４４を貫通する孔状であり、その大きさおよびナノホール４５同士の間隔が磁気ディスク２３の記録密度あるいは磁気ヘッドに応じて適宜選択される。ナノホール４５の形成方法は後ほど詳述する。

また、ナノホール４５の間隔は、ナノホールが所定の間隔で形成されている領域（例えば後述する所定の方向に磁性ドット配列されている領域）では、５〜５００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましい。間隔が５ｎｍ未満であると、ナノホールの形成が困難であり、５００ｎｍを超えると、ナノホール４５の規則的配列が困難である。

また、ナノホール４５の開口径は、磁性ドットを単磁区とすることができる大きさが好ましく、具体的には、２００ｎｍ以下が好ましく、５〜１００ｎｍがより好ましい。開口径が２００ｎｍを超えると磁性ドットが単磁区構造にならないことがある。

ナノホール４５における深さと開口径とのアスペクト比（深さ／開口径）としては、特に制限はなく適宜選択することができるが、高アスペクト比であると、形状異方性が大きくなり、磁性ドットの基板に垂直方向の垂直保磁力を向上させることができる点で好ましく、例えば１以上であるのが好ましく、２〜１５であるのがより好ましい。

磁性ドット４６の磁性材料は、基板面に対し垂直方向に磁化容易軸を有するいわゆる垂直磁化膜であり、例えば厚さ５ｎｍ〜１００ｎｍのＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ系合金、Ｃｏ系合金、Ｎｉ系合金からなる群のうちいずれかの材料から構成される。磁性材料として、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＦｅＣｏＮｉ、およびＣｏＮｉＰがか挙げられる。磁性ドット４６の厚さは５〜５０ｎｍであることが好ましい。なお、磁性ドット４６は非磁性基材４４に囲まれているので、記録の際に記録素子からの磁束が磁性ドットに集中し、磁束の広がりが抑制されるので、磁性ドット４６の厚さを連続薄膜の垂直磁気記録媒体の記録層よりも厚く設定できる。

また、磁性ドット４６の磁性材料は、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＰｔ−Ｍ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍを含むＣｏ系合金からなる群のうちいずれかの材料から構成してもよい。ここで、Ｍは、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの合金から選択される。これらの磁性材料は、飽和磁化や磁気異方性定数を制御し易い点で好ましい。このような磁性材料として、例えばＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂが挙げられる。さらに、磁性ドット４６の磁性材料は、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ等の規則化合金でもよい。

保護膜４３は、例えば、厚さが０．５ｎｍ〜１５ｎｍのアモルファスカーボン、水素化カーボン、窒化カーボン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどにより構成される。

なお、保護膜４３の表面に潤滑層を設けてもよい。潤滑層は、引き上げ法、スピンコート法などにより塗布され、厚さが０．５ｎｍ〜５ｎｍ、例えばパーフルオロポリエーテルが主鎖の潤滑剤などにより構成される。潤滑層は保護膜４３との組み合わせ、あるいは磁気ヘッドとの組み合わせに応じて、設けてもよく、設けなくてもよい。

図４（Ａ）〜（Ｃ）は、磁気ディスクの他の例を示す断面図である。

図４（Ａ）を参照するに、磁気ディスク５０は、軟磁性裏打ち層４１と記録層４２との間に非磁性層５１を設けた構成としてもよい。非磁性層５１は、例えば、厚さが１．０ｎｍ〜１０ｎｍの範囲のＣｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｇ、およびこれらの合金から選択される非磁性材料からなり、これらのうち、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｔｉおよびこれらの合金から選択される非磁性材料が、後述する電気めっき法により磁性ドット４６を形成できる点で好ましい。このように軟磁性裏打ち層４１と、記録層４２すなわち磁性ドット４６との間に非磁性層５１を設けることで、軟磁性裏打ち層４１と磁性ドット４６との磁性的な相互作用を切り、軟磁性裏打ち層４１が磁性ドット４６の結晶成長を妨げるおそれを回避できる。

また、図４（Ｂ）を参照するに、磁気ディスク５５は、磁性ドット４６の下層に軟磁性層５６を設けた構成としてもよい。軟磁性層５６は例えば厚さが１．０ｎｍ〜１０ｎｍの範囲の軟磁性裏打ち層４１と同様の材料からなる。このように軟磁性層５６を磁性ドット４６の下層に設けることで、図３（Ａ）に示す再生素子３３の表面と軟磁性裏打ち層４１の表面との距離（スペーシング）を低減し、スペーシングロスを低減できる。

さらにまた、図４（Ｃ）を参照するに、磁気ディスク６０は、磁性ドット４６と軟磁性層５６との間に非磁性中間層６１を設けた構成としてもよい。非磁性中間層６１は、例えば厚さが１．０ｎｍ〜１０ｎｍの範囲からなり、上述した図４（Ａ）の非磁性層５１と同様の材料からなる。

図３に戻り、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の上方からの平面図であり、磁気ヘッド２８が磁気ディスク２３に形成されたトラック３８上を浮上している様子を示している。図３（Ｂ）を参照するに、磁気ヘッド２８の再生素子３３は、矢印Ｄｒｏｔの方向に移動する磁気ディスク２３に形成されたトラック３８の磁性ドット（不図示）に記録された情報を再生する。

ここで、＋Ｘ方向が内周側、−Ｘ方向を外周側とし、磁気ディスクの移動方向（回転方向）を＋Ｙ方向とする。また、磁気ヘッドの回転駆動の中心（図２に示す軸受けユニットの中心）の方向をＤ_C、再生素子の幅方向をＤ_ELとし、方向Ｄ_Cと再生素子の幅方向Ｄ_ELとは直交するとする。もちろん、本発明は直交する場合に限定されない。これらの方向を、以下の図５〜図７、図１１〜図１５において同様とする。

図５〜図７は、記録層の磁性ドットの配列および磁気ヘッドの再生素子を模式的に示す平面図である。図５は磁気ディスク２３の内周、図６は中周、図７は外周を示し、それぞれ３トラック分の磁性ドット４６の配列を示している。また、なお、説明の便宜のため、磁気ヘッド３６は再生素子３３のみを示し、また、磁気ディスク２３の記録層４２を覆う保護膜４３は省略して示している。

図５〜図７を参照するに、記録層４２の各トラック３８には、トラック幅方向に４個の磁性ドット４６が設けられている。この４個の磁性ドット４６は、再生素子３３の幅方向Ｄ_ELとほぼ同じ方向に配列されている（以下、「磁性ドットの配列方向Ｄdot」という。）。このように磁性ドット４６を配列することで、再生素子３３が４個の磁性ドット４６からの漏洩磁界を同時に検知することができ、その結果、再生出力値が増大すると共に、再生波形の半値幅がより狭小となり、高記録密度化を図れる。また、再生素子３３の位置がトラック幅方向にわずかにずれた場合でも、再生出力値の急激な低下が抑制される。

磁性ドット４６の配列方向Ｄdotは、磁気ヘッド２８が内周（図５）、中周（図６）、および外周（図７）に位置する場合のそれぞれにおいて、トラック幅方向（Ｘ方向）に対してそれぞれ異なる角度を有する。これは、図２に示すように、磁気ヘッド２８がアクチュエータの軸受けユニットの中心２９ｃを回転中心として回転移動することにより再生素子３３の幅方向Ｄ_ELがトラック幅方向（Ｘ方向）に対して変化し、磁性ドット４６の配列方向Ｄdotが再生素子３３の幅方向Ｄ_ELとほぼ同じ方向になるように磁性ドット４６が配置されていることによる。磁性ドット４６は再生素子３３の幅方向Ｄ_ELに対して、それぞれのトラック３８あるいは隣接する複数のトラック３８からなるトラック群（例えば図５に示す３つのトラック）に亘り、磁性ドット４６の配列方向Ｄdotが平行になるように設定される。なお、図５〜図７には代表的な半径位置における磁性ドット４６の配列を示したが、磁気ディスクの全面に亘って上述した磁性ドット４６の配列方向Ｄdotと再生素子３３の幅方向Ｄ_ELとの関係を有して磁性ドット４６が配列されている。

なお、再生素子３３の幅方向Ｄ_ELは、磁気ヘッド２８のトラック位置に応じて連続的に変化するので、その変化に応じて１トラック毎に、磁性ドット４６の配列方向を設定してもよく、上記のトラック群毎に磁性ドット４６の配列方向Ｄdotを設定してもよい。トラック群を構成するトラック数が多くなると、磁性ドット４６の配列方向Ｄdotが再生素子３３の幅方向Ｄ_ELからずれがわずかに生じる。そのずれの許容範囲は、再生出力値、再生素子３３の厚さ（＝再生素子３３の幅方向に対して垂直方向の長さ）、あるいは磁性ドット４６の直径等から適宜選択される。

図８は従来の磁気記憶装置の問題を説明する図であり、（Ａ）はスキュー角と磁気ヘッドの半径位置との関係図、（Ｂ）は再生出力と磁気ヘッドの半径位置との関係図である。

図８（Ａ）に示すように、磁気記憶装置では、再生素子の幅方向とトラックの幅方向とがなす角は磁気ヘッドの半径位置により異なり、例えば、従来の３．５インチの磁気ディスク装置の場合、−９度から＋１７度まで変化し、２．５インチの磁気ディスクでもほぼ同様の角度変化となる。このことにより、記録層が連続金属薄膜からなる磁気ディスクでは、図８（Ｂ）に示すように、ヘッドのアジマス角（例えば、図２に示すD_ELとD_cとのなす角）を最適化した場合であっても再生出力が約５％変動する。さらに、磁気ディスクに磁性ドットが一定の方向に配列された従来のパターンドメディアを用いた場合は、再生素子が個々の磁性ドットからの最大漏洩磁界を感知するタイミングのずれが半径位置により異なり、その結果、再生出力変動がさらに増大し、Ｓ／Ｎ比が更に低下するという問題が生じる。

しかし、本実施の形態によれば、磁性ドットの配列方向が、再生素子の幅方向とほぼ同じ方向に配列されているので、半径位置によらず、再生素子が個々の磁性ドットからの最大漏洩磁界を感知するタイミングが揃うので、再生出力の変動が抑制され、Ｓ／Ｎ比が従来のパターンドメディアよりも向上し、高記録密度化を図れる。

なお、図５〜図７に示す磁性ドットの配列方向はその一例を示すものであり、再生素子の幅方向とトラック幅方向との関係が図５〜図７に示す場合とは異なる場合であっても、磁性ドットの配列方向と再生素子の幅方向がほぼ同じ方向になるように磁性ドットを配置すればよい。

次に、上述した磁性ドットが配置された磁気ディスクの製造方法について図９〜図１０を参照しつつ具体的に説明する。

図９（Ａ）〜（Ｃ）および図１０（Ａ）〜（Ｃ）は磁気ディスクの製造工程図である。各図の右側には断面図、左側には平面図を示す。

図９（Ａ）の工程では、基板４０上に例えば厚さ２００ｎｍの軟磁性裏打ち層４１を形成する。具体的には、軟磁性裏打ち層４１は、電気めっき法、無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成する。軟磁性裏打ち層４１は、量産性に優れる点でめっき法により形成することが好ましい。電気めっき法を絶縁性材料からなる基板４０を用いる場合は金属あるいは合金の下地層を無電解めっき法、スパッタ法等により基板４０上に予め形成する。

図９（Ａ）の工程ではさらに、軟磁性裏打ち層４１上に非磁性の金属層４４ａ（例えば厚さ１５０ｎｍ）を形成する。具体的には、金属層４４ａは、アルミニウムを用いることが好ましく、電気めっき法、無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等により形成する。金属層４４ａは純度を高く形成できる点でスパッタ法が好ましい。アルミニウム層を形成する場合は、純度が９９．９９０％以上のスパッタターゲットを用いることが好ましい。後述するナノホールの形成工程においてナノホール４５を規則性良く形成できる。なお、以下、金属層４４ａはアルミニウム層として説明する。

次いで図９（Ｂ）の工程では、金属層４４ａの表面に凹状パターンを形成する。具体的は、凹状パターンに対応する凸状パターンを有するＮｉスタンパ６５を用いて、金属層４４ａにインプリント転写を行う。なお、Ｎｉスタンパ６５のかわりにモールドを用いてもよい。

Ｎｉスタンパ６５は、以下のようにして形成する。まず、Ｎｉスタンパ６５の凸状パターン６５ａに対応する凹状パターンを有する凹型（不図示）を形成する。凹型は、最初に、例えばガラス基板上にフォトレジスト材料や電子線レジスト材料からなるレジスト膜を公知の塗布法により形成する。次いで、光ディスク原盤作製用のＤｅｅｐ ＵＶ露光装置（例えば波長：２５７ｎｍ）や、電子線描画装置（例えば加速電圧：１００ｋｅＶ）を用いて描画して凹状パターンの潜像を形成し、現像処理により凹状パターンを形成する。

なお、電子線描画装置によりマスクを形成し、そのマスクを用いて縮小光学系のＤｅｅｐ ＵＶ露光装置を用いてレジスト膜に凹状パターンを形成してもよい。マスクを繰り返し使用することで、電子描画のコストを低減できる。

図１１は凹状パターンの一例を示す平面図である。図１１は、図５に示す磁性ドット４６の配列を形成する際の凹状パターンの一例である。

図１１を参照するに、凹状パターンは、磁性ドットの配列方向Ｄdotに長手方向を有する多数の凹部６６からなり、１つの凹部６６は３トラック分の磁性ドット列に対応する。なお、符号は図９（Ｃ）の凹部と共通とした。

次いで、凹型の表面にスパッタ法によりＮｉ層を形成し、Ｎｉ層を電極として、スルファミン酸ニッケル浴を用いて、Ｎｉ層の厚みが例えば０．３ｍｍになるまで電気めっきを行い、レジスト膜及びガラス基板から剥離して、裏面を研磨することにより、Ｎｉスタンパ６５を得る。

図９（Ｂ）の工程ではさらに、Ｎｉスタンパ６５を金属層４４ａに押圧し、金属層４４ａの表面にＮｉスタンパ６５の凸状パターンに対応する図９（Ｃ）に示す凹状パターン６６ａを形成する。押圧圧力は例えば２．９４×１０⁹Ｐａ（３０００ｋｇ／ｃｍ²）に設定する。金属層４４ａに形成された凹状パターン６６ａは、図１１に示す凹状パターンが形成される。凹部６６の深さは、次の工程で形成されるナノホールが凹部６６に選択的に形成される点で、５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に設定することが好ましく、特に１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に設定することがより好ましい。また、凹部６６の形状（膜厚方向の断面形状）は、四角形状の他、Ｖ形状や半円形状でもよい。

次いで図１０（Ａ）の工程では、図９（Ｃ）の構造体を陽極酸化処理により凹部６６内にナノホール４５を形成する。金属層４４ａがアルミニウムの場合、ナノホール４５はアルマイトポアであり、アルミニム層は酸化され酸化アルミニウム層に変換される。ナノホール４５の形成は、具体的には、硫酸、リン酸あるいはシュウ酸の水溶液（電解液）中に、金属層４４ａに接する軟磁性裏打ち層４１を電極（陽極）、水溶液中に陰極を配置し、電圧を印加して陽極酸化処理を行う。なお、非磁性層を軟磁性裏打ち層４１と金属層４４ａとの間に設けた場合は、非磁性層を電極としてもよい。このようにして、凹部６６内に自己形成的にほぼ等間隔で多数のナノホール４５を規則性良く形成できる。

陽極酸化処理における電解液の種類、濃度、温度、時間等としては、特に制限はなく、形成するナノホール４５の数、大きさ、アスペクト比等に応じて適宜選択することができる。例えば、前記電解液の種類としては、隣接するナノホールの間隔（ピッチ）が、１５０ｎｍ〜５００ｎｍである場合は、希釈リン酸溶液が好適に挙げられ、８０ｎｍ〜２００ｎｍである場合は、希釈シュウ酸溶液が好適に挙げられ、１０ｎｍ〜１５０ｎｍである場合は、希釈硫酸溶液が好適に挙げられる。いずれの場合も、ナノホール４５のアスペクト比の調整は、陽極酸化処理後にリン酸溶液に浸漬させてナノホール４５の直径を増加させることにより行うことができる。

また、陽極酸化処理における印加電圧を、印加電圧（Ｖ）＝ナノホール４５の間隔（ｎｍ）÷Ａ（ｎｍ／Ｖ）（ただし、Ａ＝１．０〜４．０）に設定することが好ましい。ここでナノホール４５の間隔は、それぞれのナノホール４５の中心間距離である。

次いで図１０（Ｂ）の工程では、ナノホール４５に磁性材料を充填し磁性ドット４６を形成する。磁性ドット４６の形成は、具体的には、電気めっき法、無電解めっき法、スパッタ法、真空蒸着法を用いて、上述した磁性ドット４６を構成する磁性材料を形成する。電気めっき法は、ナノホール４５内に充填性良く磁性材料を形成でき、凹部６６の表面や凹部間の領域６８に磁性材料が付着し難い点で好ましい。

次いで図１０（Ｃ）の工程では、図１０の構造体の表面を研磨して平坦化する。研磨方法は特に制限はなく、例えば、ＣＭＰ（化学的機械研磨）法や、酸化アルミニウム粉末やダイアモンド粉末等の研磨材が塗布された研磨テープを圧縮空気の圧力で構造体の表面に接触させて研磨する。

図１０（Ｃ）の工程ではさらに、研磨された構造体の表面にスパッタ法、ＣＶＤ法、ＦＣＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ Ｃａｔｈｏｄｉｃ Ａｒｃ）法等により上述した水素化カーボン膜等を形成する。次いで、必要に応じて保護膜４３の表面に引き上げ法、スピンコート法などにより潤滑層を塗布する。以上により、磁気ディスクが形成される。

本実施の形態によれば、金属層４４ａの表面に凹状パターン６６ａを形成し、陽極酸化処理をすることで、凹部６６内に複数のナノホール４５を規則的に形成できる。従来のナノホールの形成においては、一つのナノホールを形成するために一つの凹部を形成していた。これと比較すると、効率的にナノホール４５を形成でき、また、凹部６６の数を大幅に低減できるので、凹型形成の際の電子線描画あるいはＤｅｅｐ ＵＶ描画に要する時間を大幅に短縮できる。

また、本実施の形態によれば、凹部６６内にナノホール４５が規則的に配列されているので、磁性ドット４６の配列方向Ｄdotのばらつきを低減でき、その結果、再生出力を増加できる。

次に本実施の形態の第１変形例に係る磁気記憶装置について説明する。第１変形例に係る磁気記憶装置は、磁気ディスクが予め形成されたサーボ領域を有する以外は、上記実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。

図１２は、実施の形態の第１変形例を構成する磁気ディスクのサーボ領域７０の磁性ドット４６の配列を示す平面図である。図１２は磁気ディスクの内周におけるサーボ領域を示し、先に示した図５に対応するものであり、３トラック分のサーボパターンを示している。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図１２を参照するに、磁気ディスクのサーボ領域７０には、磁性ドット４６の配置パターンによりデータ面サーボ方式の位相サーボのサーボパターン７１が形成されている。なお、データが記録されるデータ領域は図５と同様である。

サーボパターン７１は、トラック長手方向に、パッド領域７１P1、Ａ領域７１A、Ｂ領域７１B、Ｃ領域７１C、D領域７１D、Ａ領域７１A、Ｂ領域７１B、Ｃ領域７１C、D領域７１D、パッド領域７１P2の順に配列されている。サーボパターン７１は、トラック３８_Nを基準として、隣接するトラック３８_N+1から反対側トラック３８_N-1までを３６０度とすると、Ａ領域７１A、Ｂ領域７１B、Ｃ領域７１C、D領域７１Dはそれぞれ位相を９０度ずつずらして磁性ドット４６により形成されている。

サーボパターン７１は、それぞれの領域で、磁性ドット４６₁〜４６₄はトラック幅方向に４個設けられ、磁性ドット４６の配列方向は、図５と同様に再生素子３３の幅方向と平行となっている。すなわち、磁気ヘッドがトラック３８_Nにオントラックの状態からわずかに隣のトラック３８_N+1あるいはトラック３８_N-1側にずれた場合でも、磁性ドット４６が再生素子３３の幅方向と平行となっているので、トラック位置ずれ以外に起因する再生出力の変動が抑制され、正確に位相を検出でき、サーボトラック制御を精度良く行える。

なお、サーボパターン７１は、位相を１８０度ずつずらした、Ａ領域７１A、Ｃ領域７１C、Ｂ領域７１B、D領域７１Dの順に形成してもよい。

また、半径位置が中周、外周におけるサーボ領域のサーボパターンは、磁性ドットの配列がそれぞれ図６、図７のようになっている以外は図１２と同様であるので、その説明を省略する。サーボパターン７１は、Ａ領域７１A〜Ｄ領域７１Ｄの繰り返し数は適宜選択され、また、図１２に示すサーボパターンに限定されず、公知のサーボパターンを磁性ドットを配置して形成してもよい。

このようなサーボパターン７１を有する磁気ディスクは、次のようにして形成することができる。磁気ディスクの製造工程は、図５および図６に示したものとほぼ同様であるので、図５および図６を参照しつつ、磁気ディスクの製造工程を説明する。

最初に図５（Ａ）の工程と同様にして、基板４０／軟磁性裏打ち層４１／金属層４４ａの構造体を形成する。

次いで、図９（Ｂ）の工程において、Ｎｉスタンパ６５を形成するための凹型を、図９（Ｂ）の工程の手法と同様にして、図１２に示すサーボパターンを形成するための凹状パターンを形成する。

図１３はサーボ領域の凹状パターンの一例を示す平面図である。図１３を参照するに、磁性ドットを形成する領域に凹部６６を形成する。具体的には、凹部６６の長手方向を、磁性ドットの配列方向と同様に再生素子３３の幅方向に平行に形成する。上記図１２のパッド領域に対応する領域は、例えば３トラック分に亘って１つの凹部６６_P1、６６_P2を形成し、Ａ領域〜Ｄ領域に対応する領域には、１トラック分（磁性ドット４個分）に亘って１つの凹部６６A〜６６Dを形成する。なお、パッド領域に対応する領域は、１トラック分、２トラック分、あるいは、磁性ドットの配列方向が同じ方向である限り４トラック以上の分を１つの凹部で形成してもよく、Ａ領域〜Ｄ領域に対応する領域には１トラック分よりも少ない数の磁性ドットに亘る凹部を複数組み合わせてもよい。凹部形成の効率及び低コスト化の点では、同じ方向に連続的に配列された磁性ドットに対応する凹部を１つの凹部で形成することが好ましい。なお、データ領域は、図１１に示すものと同様である。

次いで、図５（Ｂ）の工程と同様に、凹状パターンが形成された凹型からＮｉスタンパを形成し、Ｎｉスタンパを金属層４４ａに押圧し、金属層４４ａの表面に図１３と同様の凹状パターンを形成する。以下の工程は、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）の工程と同様にして、第１変形例を構成する磁気ディスクが形成される。

次に本実施の形態の第２変形例に係る磁気記憶装置について説明する。第２変形例に係る磁気記憶装置は、磁気ディスクがトラック間にガードバンドを有する以外は上記実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。

図１４は、実施の形態の第２変形例を構成する磁性ドットの配列を示す平面図である。図１４は磁気ディスクの内周における配列を示し、先に示した図５に対応するものである。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図１４を参照するに、記録層４２には、各トラック３８_N-1〜３８_N+1に磁性ドット４６がトラック幅方向に４個設けられ、隣接するトラック、例えばトラック３８_N-1とトラック３８_Nとの間にガードバンド７２が設けられている。ガードバンド７２には磁性ドット４６が形成されていない。そのため記録ヘッドのサイドイレーズや、トラッキングずれによるクロスライトやクロスリードを抑制できる。

ガードバンド７２を挟む磁性ドット間の間隔４６_GP1（例えばトラック３８_N-1の磁性ドット４６₄とトラック３８_Nの磁性ドット４６₁との中心間距離）は、トラック内の磁性ドットの間隔４６_GP2（トラック３８_Nの磁性ドット４６₁と磁性ドット４６₂の中心間距離）よりも大きく、その２倍未満であることが好ましく、１．８倍よりも小さいことがより好ましい。ガードバンド７２にナノホールの発生を抑制できそれにより磁性ドットの形成を抑制できる。

このような磁性ドット４６の配列パターンを有する磁気ディスクは、次のようにして形成することができる。磁気ディスクの製造工程は、図５および図６に示したものとほぼ同様であり、図９（Ｂ）の工程における凹型の凹状パターンが異なる以外は同様であり、その説明を省略する。

図１５は、図１４に示す磁性ドット４６のパターンを形成するための凹状パターンを示す平面図である。

図１５を参照するに、図９（Ｂ）の工程において使用する凹型の凹状パターンは、凹部６６が磁性ドット４６の配列方向に沿って各トラック３８に設けられる。トラック間の凹部の間隙６６_GP1は、図１４に示すガードバンド７２を挟む磁性ドット間が間隔４６_GP1を保って磁性ドットが形成されるように設定される。例えば、磁性ドット４６の間隔を６０ｎｍとする場合は、凹部の間隙６６_GP1は６０ｎｍ以下、好ましくは４０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲に設定される。このように設定することで、図１０（Ｂ）の陽極酸化処理で、ガードバンド７２に相当する領域にナノホールの発生を抑制でき、それにより磁性ドットの形成を抑制できる。

また、トラック３８内のトラック長手方向の凹部の距離６６_GP2（間隙）も同様にトラック３８内の磁性ドット４６の間隔のよりも小さく設定されることが好ましい。

本変形例の製造方法によれば、トラック３８毎に凹部を形成し、トラック３８間の凹部を離隔することで、磁性ドットが形成されないガードバンド７２を備えた磁気ディスクを容易に形成できる。

以上本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

例えば、上述した実施の形態において、磁気ヘッドは複合型磁気ヘッドとしたが、単磁極型の記録ヘッドの主磁極が再生素子を兼ねる記録再生兼用ヘッドとしてもよい。

また、上述した実施の形態において、ディスク基板を用いた磁気ディスクを例に説明したが、基板の形状に制限はなく、長方形状等であってもよい。また、本発明は磁気ディスクに限定されず、磁気テープ、磁気カード等に適用できる。

なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１） 基板と、
前記基板上に配設され、非磁性基材と、該非磁性基材に配置された磁性材料からなる磁性ドットを有する記録層とを備え、
前記磁性ドットは、トラック毎あるいは隣接する複数のトラックからなるトラック群毎に所定の方向に配列されてなる磁気記録媒体。
（付記２） 前記磁性ドットは、前記非磁性基材に該基板面に対し略垂直方向に形成されたナノホール内に磁性材料が充填されてなることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
（付記３） 前記基板はディスク基板であり、
前記トラックは、ディスク基板の中心とほぼ一致する中心を有する円状あるいは螺旋状に配設されてなり、
前記所定の方向が略トラック幅方向であることを特徴とする付記１または２記載の磁気記録媒体。
（付記４） 互いに隣接する前記トラックの間に磁性ドットを有しないトラック間領域を備えることを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記５） 前記トラック間領域を挟んで位置する２つの磁性ドットの第１の間隔は、トラック内に配置された互いに隣接する磁性ドットの第２の間隔よりも大きく、かつ第２の間隔の１．５倍よりも小さいことを特徴とする付記４記載の磁気記録媒体。
（付記６） 前記磁性ドットは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ系合金、Ｃｏ系合金、Ｎｉ系合金からなる群のうちいずれかの磁性材料からなり、垂直磁化膜であることを特徴とする付記１〜５のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記７） 前記基板と記録層との間に軟磁性裏打ち層を備えることを特徴とする付記６記載の磁気記録媒体。
（付記８） 記録層と軟磁性裏打ち層との間に非磁性中間層を備えることを特徴とする付記７記載の磁気記録媒体。
（付記９） 前記ナノホール中に磁性ドットの下層として軟磁性層を備えることを特徴とする付記６〜８のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１０） 前記磁性ドットと軟磁性層との間に非磁性層を備えることを特徴とする付記９記載の磁気記録媒体。

（付記１１） 基板と、
前記基板上に配設され、非磁性基材と、該非磁性基材に配置された磁性材料からなる磁性ドットを有する記録層とを備え、
前記磁性ドットに記録された情報を検知する再生素子を有する磁気ヘッドとを備え、
前記磁性ドットが、トラック毎あるいは隣接する複数のトラックからなるトラック群毎に、再生素子の幅方向と略同じ方向に配列されてなる磁気記憶装置。
（付記１２） 前記磁性ドットは、前記非磁性基材に該基板面に対し略垂直方向に形成されたナノホール内に磁性材料が充填されてなることを特徴とする付記１１記載の磁気記憶装置。
（付記１３） 前記磁気記録媒体は磁気ディスクであり、
前記トラックは、磁気ディスクの中心とほぼ一致する中心を有する円状あるいは螺旋状に配設され、
前記磁気ヘッドを支持すると共に回動させるアクチュエータを備えることを特徴とする付記１１または１２記載の磁気記憶装置。
（付記１４） 前記トラックは磁気的に形成されてなることを特徴とする付記１１〜１３のうち、いずれか一項記載の磁気記憶装置。
（付記１５） 互いに隣接する前記トラックの間に磁性ドットを有しないトラック間領域が配設されてなること特徴とする付記１１〜１４のうち、いずれか一項記載の磁気記憶装置。
（付記１６） 前記トラック間領域を挟んで位置する２つの磁性ドットの第１の間隔は、トラック内に配置された互いに隣接する磁性ドットの第２の間隔よりも大きく、かつ第２の間隔の２倍未満であることを特徴とする付記１５記載の磁気記録媒体。
（付記１７） 前記トラックはサーボ領域を有し、
前記サーボ領域が、前記磁性ドットの配列に基づいてサーボパターンが形成されてなることを特徴とする付記１１〜１６のうち、いずれか一項記載の磁気記憶装置。
（付記１８） 前記サーボパターンは位相サーボであることを特徴とする付記１７記載の磁気記憶装置。

（付記１９） 基板と、該基板上に配設され、非磁性基材と、該非磁性基材に該基板面に対し略垂直方向に形成されたナノホール内に磁性材料が充填された磁性ドットとを有する記録層とを備える磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板上に形成した金属層の表面に所定の方向に長手方向を有する複数の凹部からなる凹状パターンを形成する凹部形成工程と、
前記凹部内に前記基板面に対し略垂直方向に複数のナノホールを形成するナノホール形成工程と、
前記ナノホール内に磁性材料を充填する磁性材料充填工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（付記２０） 前記凹部は、その長手方向が、トラック毎あるいは隣接する複数のトラックからなるトラック群毎に所定の方向に形成されてなることを特徴とする付記１９記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２１） 前記金属層はアルミニウム層であり、
前記ナノホール形成工程は陽極酸化法により凹部内に複数のナノホールを所定の間隔で自己形成的に形成することを特徴とする付記１９または２０記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２２） 前記所定の間隔を陽極酸化法における印加電圧により制御することを特徴とする付記２１記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２３） 前記所定の間隔と印加電圧との関係が、印加電圧（Ｖ）＝所定の間隔（ｎｍ）÷Ａ（ｎｍ／Ｖ）（ただし、Ａ＝１．０〜４．０）で表されることを特徴とする付記２２記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２４） 隣接する前記凹部の間隙を、前記所定の間隔よりも小さく設定することを特徴とする付記２２または２３記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２５） 前記凹部形成工程は、凹状パターンに対応する凸状パターンを有するモールドを金属層に押圧して凹状パターンを形成することを特徴とする付記１９〜２４のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２６） 前記凹部形成工程の前に、前記モールドの凸状パターンに対応する他の凹状パターンを有する凹型を形成し、
次いで、凹型によりモールドを形成するモールド形成工程をさらに備えることを特徴とする付記２５記載の磁気記録媒体の製造方法。

（付記２７） 付記１９〜２６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された磁気記録媒体と、
前記磁性ドットに記録された情報を検知する再生素子を有する磁気ヘッドとを備える磁気記憶装置の製造方法であって、
前記所定の方向は、再生素子のトラック幅方向と略同じ方向であることを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。

（Ａ）および（Ｂ）は本発明に係るナノホールが形成される様子を示す平面図である。 本発明の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す平面図である。 （Ａ）は磁気ヘッドおよび磁気ディスクの概略断面図、（Ｂ）は概略平面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は磁気ディスクの他の例を示す概略断面図である。 記録層の磁性ドットの配列と再生素子の関係を模式的に示す平面図（その１）である。 記録層の磁性ドットの配列と再生素子の関係を模式的に示す平面図（その２）である。 記録層の磁性ドットの配列と再生素子の関係を模式的に示す平面図（その３）である。 従来の磁気記憶装置の問題を説明する図であり、（Ａ）はスキュー角と磁気ヘッドの半径位置との関係図、（Ｂ）は再生出力と磁気ヘッドの半径位置との関係図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は磁気ディスクの製造工程図（その１）である。 （Ａ）〜（Ｃ）は磁気ディスクの製造工程図（その２）である。 凹型および金属層の表面に形成された凹状パターンの一例を示す平面図である。 実施の形態の第１変形例を構成する磁気ディスクのサーボ領域の磁性ドットの配列を示す平面図である。 凹型および金属層の表面に形成されたサーボ領域の凹状パターンの一例を示す平面図である。 実施の形態の第２変形例を構成する磁性ドットの配列を示す平面図である。 凹型および金属層の表面に形成された凹状パターンを示す平面図である。

符号の説明

１０ アルミニウム層
１１ 溝
１２ アルマイトポア
２０ 磁気記憶装置
２１ ハウジング
２２ ハブ
２３、５０、５５、６０ 磁気ディスク
２４ アクチュエータユニット
２５ アーム
２６ サスペンション
２８ 磁気ヘッド
２９ 軸受けユニット
２９ｃ 軸受けユニットの中心
３０ スライダ
３１ アルミナ絶縁層
３２ａ 下部シールド層
３２ｂ 上部シールド層
３３ 再生素子
３４ 再生ヘッド
３５ 記録ヘッド
３６ 主磁極
３８ トラック
４０ 基板
４１ 軟磁性裏打ち層
４２、５７、６２ 記録層
４３ 保護膜
４４ 非磁性基材
４５ ナノホール
４６ 磁性ドット
５１ 非磁性層
５６ 軟磁性層
６１ 非磁性中間層
６５ Ｎｉスタンパ
６６ 凹部
６８ 凹部間の領域
７０ サーボ領域
７１ サーボパターン
７２ ガードバンド
Ｄ_C 磁気ヘッドの回転駆動の中心の方向
Ｄ_EL 再生素子の幅方向
Ｄdot 磁性ドットの配列方向

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に配設され、非磁性基材と、該非磁性基材に配置された磁性材料からなる磁性ドットを有する記録層とを備え、
   前記磁性ドットは、トラック毎あるいは隣接する複数のトラックからなるトラック群毎に所定の方向に配列されてなる磁気記録媒体。
2. 前記磁性ドットは、前記非磁性基材に該基板面に対し略垂直方向に形成されたナノホール内に磁性材料が充填されてなることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
3. 前記基板はディスク基板であり、
   前記トラックは、ディスク基板の中心とほぼ一致する中心を有する円状あるいは螺旋状に配設されてなり、
   前記所定の方向が略トラック幅方向であることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体。
4. 基板と、該基板上に配設され、非磁性基材と、該非磁性基材に配置された磁性材料からなる磁性ドットを有する記録層とを備える磁気記録媒体と、
   前記磁性ドットに記録された情報を検知する再生素子を有する磁気ヘッドとを備え、
   前記磁性ドットが、トラック毎あるいは隣接する複数のトラックからなるトラック群毎に、再生素子の幅方向と略同じ方向に配列されてなる磁気記憶装置。
5. 前記磁性ドットは、前記非磁性基材に該基板面に対し略垂直方向に形成されたナノホール内に磁性材料が充填されてなることを特徴とする請求項４記載の磁気記憶装置。
6. 前記磁気記録媒体は磁気ディスクであり、
   前記トラックは、磁気ディスクの中心とほぼ一致する中心を有する円状あるいは螺旋状に配設され、
   前記磁気ヘッドを支持すると共に回動させるアクチュエータを備えることを特徴とする請求項４または５記載の磁気記憶装置。
7. 前記トラックはサーボ領域を有し、
   前記サーボ領域が、前記磁性ドットの配列に基づいてサーボパターンが形成されてなることを特徴とする請求項４〜６のうち、いずれか一項記載の磁気記憶装置。
8. 基板と、該基板上に配設され、非磁性基材と、該非磁性基材に該基板面に対し略垂直方向に形成されたナノホール内に磁性材料が充填された磁性ドットとを有する記録層とを備える磁気記録媒体の製造方法であって、
   前記基板上に形成した金属層の表面に所定の方向に長手方向を有する複数の凹部からなる凹状パターンを形成する凹部形成工程と、
   前記凹部内に前記基板面に対し略垂直方向に複数のナノホールを形成するナノホール形成工程と、
   前記ナノホール内に磁性材料を充填する磁性材料充填工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
9. 前記金属層はアルミニウム層であり、
   前記ナノホール形成工程は陽極酸化法により凹部内に複数のナノホールを所定の間隔で自己形成的に形成することを特徴とする請求項８記載の磁気記録媒体の製造方法。
10. 請求項８または９記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された磁気記録媒体と、
    前記磁性ドットに記録された情報を検知する再生素子を有する磁気ヘッドとを備える磁気記憶装置の製造方法であって、
    前記所定の方向は、再生素子のトラック幅方向と略同じ方向であることを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。
    
    

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