JP5002531B2 - 記憶装置の制御装置、磁気記憶媒体、記憶装置及び記憶装置のオフセット量決定方法 - Google Patents
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- G11B5/59627—Aligning for runout, eccentricity or offset compensation
Description
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置として特定し、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置の制御装置。
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記1記載の記憶装置の制御装置。
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第1書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第1書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第1再生位置として特定し、前記記憶素子の第1書き込み位置及び前記再生素子の第1再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第1オフセット量を特定し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第2書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第2書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第2再生位置として特定し、前記記憶素子の第2書き込み位置及び前記再生素子の第2再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第2オフセット量を特定し、前記第1オフセット量及び前記第2オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする付記1又は2記載の記憶装置の制御装置。
この磁気記憶媒体の一部領域に、前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶装置の記憶素子と前記磁気記憶媒体に書き込んだデータを再生する前記記憶装置の再生素子との間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域を配置し、
前記オフセット量を測定する際に、前記オフセット量測定領域上に前記記憶素子の中心位置でのオフセット測定データの書き込みを確保できるように、前記オフセット量測定領域内に、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断して、前記オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを配置したことを特徴とする磁気記憶媒体。
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記4記載の磁気記憶媒体。
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有することを特徴とする付記4又は5記載の磁気記憶媒体。
前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶素子及び、前記磁気記憶媒体からデータを再生する再生素子を備えた磁気ヘッド部と、
前記磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向の前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置。
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記7記載の記憶装置。
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第1書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第1書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第1再生位置として特定し、前記記憶素子の第1書き込み位置及び前記再生素子の第1再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第1オフセット量を特定し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第2書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第2書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第2再生位置として特定し、前記記憶素子の第2書き込み位置及び前記再生素子の第2再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第2オフセット量を特定し、前記第1オフセット量及び前記第2オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする付記7又は8記載の記憶装置。
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御ステップと、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部にオフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御ステップと、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御ステップと、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定ステップと
を含むことを特徴とする記憶装置のオフセット量決定方法。
前記ガード帯を介して隣接するトラック間を斜行方向に横断するように、前記オフセット量測定領域内部に配置したことを特徴とする付記10記載の記憶装置のオフセット量決定方法。
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接するトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御ステップは、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第1書き込み位置として記憶し、
前記再生制御ステップは、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記再生素子の中心位置を、前記第1書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定ステップは、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第1再生位置として特定し、前記記憶素子の第1書き込み位置及び前記再生素子の第1再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第1オフセット量を特定し、
さらに、前記書き込み制御ステップは、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第2書き込み位置として記憶し、
前記再生制御ステップは、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記再生素子の中心位置を、前記第2書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定ステップは、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第2再生位置として特定し、前記記憶素子の第2書き込み位置及び前記再生素子の第2再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第2オフセット量を特定し、前記第1オフセット量及び前記第2オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする付記10又は11記載の記憶装置のオフセット量決定方法。
1A HDD装置
3 DTM
3A DTM
3B DTM
4 磁気ヘッド部
4A 記憶素子
4B 再生素子
8 制御回路
12 サーボ制御部
15 メイン制御部
21 書き込み制御部
21A 書込み制御部
22 再生制御部
22A 再生制御部
23 ピーク値記憶部
24 オフセット量決定部
31 データトラック
32 サーボパターン
33 トラック
34 ガード帯
35 オフセット量測定領域
35A 補正用オフセット量測定領域
36 横断トラック
36A 補正用横断トラック
Claims (6)
- データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接する前記データトラック間を斜行方向に横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を有する磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置として特定し、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置の制御装置。 - 前記磁気記憶媒体は、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接する前記データトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第1書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第1書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第1再生位置として特定し、前記記憶素子の第1書き込み位置及び前記再生素子の第1再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第1オフセット量を特定し、
前記書き込み制御部は、
前記記憶素子を通じて前記補正用オフセット量測定領域上の前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込んで、前記記憶素子の書き込み位置を第2書き込み位置として記憶し、
前記再生制御部は、
前記補正用横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記再生素子の中心位置を、前記第2書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力し、
前記オフセット量決定部は、
前記補正用横断トラックでの前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の第2再生位置として特定し、前記記憶素子の第2書き込み位置及び前記再生素子の第2再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離として第2オフセット量を特定し、前記第1オフセット量及び前記第2オフセット量の平均値を、前記記憶素子と前記再生素子との間のオフセット量として決定することを特徴とする請求項1記載の記憶装置の制御装置。 - データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置した磁気記憶媒体であって、
この磁気記憶媒体の一部領域に、前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶装置の記憶素子と前記磁気記憶媒体に書き込んだデータを再生する前記記憶装置の再生素子との間のオフセット量を測定する際に使用するオフセット量測定領域を配置し、
前記オフセット量を測定する際に、前記オフセット量測定領域上に前記記憶素子の中心位置でのオフセット測定データの書き込みを確保できるように、前記オフセット量測定領域内に、前記ガード帯を介して隣接する前記データトラック間を斜行方向に横断して、前記オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを配置したことを特徴とする磁気記憶媒体。 - 前記磁気記憶媒体の一部領域に、
前記オフセット量測定領域の他に、前記オフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接する前記データトラック間を横断するように、前記横断トラックと左右対称の補正用横断トラックを形成した補正用オフセット量測定領域を有することを特徴とする請求項3記載の磁気記憶媒体。 - データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、前記ガード帯を介して隣接する前記データトラック間を斜行方向に横断して、オフセット測定データの書き込み及び再生を可能にする横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体にデータを書き込む記憶素子及び、前記磁気記憶媒体からデータを再生する再生素子を備えた磁気ヘッド部と、
前記磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向の前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御部と、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御部を通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御部と、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定部と
を有することを特徴とする記憶装置。 - データの書き込み及び再生が可能な複数のデータトラック及び、これら複数のデータトラック間に配置し、前記データトラックの位置情報を再生可能にするサーボパターンを含むトラックと、隣接するトラック間を磁気的に分離するガード帯とを同心円状に交互に配置し、磁気ヘッド部の記憶素子と再生素子との間のオフセット量を測定するためのオフセット測定データに関わる前記記憶素子の中心位置での書き込みを可能にすべく、前記ガード帯を介して隣接する前記データトラック間を斜行方向に横断するように横断トラックを形成したオフセット量測定領域を備えた磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御ステップと、
前記磁気記憶媒体に対して、前記磁気ヘッド部をトラッキング方向に移動制御する磁気ヘッド駆動制御ステップと、
オフセット量測定開始信号を検出すると、前記記憶素子を通じて前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部にオフセット測定データを書き込むと共に、前記トラッキング方向での前記記憶素子の書き込み位置を記憶する書き込み制御ステップと、
前記オフセット量測定領域上の前記横断トラックの一部に前記オフセット測定データを書き込むと、前記磁気ヘッド駆動制御ステップを通じて前記磁気ヘッド部の前記再生素子の中心位置を、前記書き込み位置に関わる再生可能範囲内の再生位置に、所定距離単位で順次合わせて再生出力する再生制御ステップと、
前記再生位置毎の再生出力のピーク値の内、最大のピーク値に相当する再生位置を前記再生素子の再生位置とし、前記記憶素子の書き込み位置及び前記再生素子の再生位置に基づき、前記記憶素子と前記再生素子との間の移動距離としてオフセット量を決定するオフセット量決定ステップと
を含むことを特徴とする記憶装置のオフセット量決定方法。
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