JP5010536B2 - 記憶装置 - Google Patents

Description

本発明は、例えばビットパターンドメディア（Ｂｉｔ Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｍｅｄｉａ：以下、単にＢＰＭと称する）等の磁気記憶媒体に対してデータの書き込みタイミングを合わせるための最適位相調整量を決定する機能を備えた、位相調整装置、磁気記憶媒体及び記憶装置に関する。

例えば記憶装置としてのハードディスクは、パソコンの記憶装置やハードディスクドライブ（以下、単にＨＤＤと称する）レコーダ等の記憶装置に使用されている。そして、その記憶密度は、年々、高くなっているのが現状である。

そこで、近年では、長手記録方式から垂直磁気記録方式を採用することで、更なる記憶密度の改善が図られている。

また、更なる記憶密度を改善する策として、ＢＰＭ等の様々な媒体に対する研究開発も盛んに行われている。

図１７は、一般的なＢＰＭ内部のトラックの配置構成を端的に示す模式図である。

図１７に示すＢＰＭ１００は、磁界を印加することでデータを書き込む、又は書き込んだデータを再生可能にする複数の磁性ドット１０１をダウントラック方向（ビット長方向）に、所定間隔で磁気的に分断配置すると共に、複数の磁性ドット１０１を、ダウントラック方向と直交するクロストラック方向に、磁気的に分断配置する複数のトラック１０２を備えたものである。

ＢＰＭ１００は、複数の磁性ドット１０１をダウントラック方向及びクロストラック方向に所定間隔で磁気的に分断配置する構成にしたので、ダウントラック方向に対しては隣接トラック１０２へのサイドイレーズを抑制することができると共に、クロストラック方向に対してはビット密度の改善を図ることで記憶密度の大幅向上を図ることができる。

また、従来のＨＤＤ装置においては、ＢＰＭではないが、追記型の磁気記憶媒体を実装し、書き込みタイミングの位相ズレを解決する方法として、クロック補正用の連続パターンを追記してクロック補正を実行する技術が知られている。

特開平８−３６８３９号公報

しかしながら、ＢＰＭ等の磁気記憶媒体においては、データを書き込み又は再生する複数の磁性ドット１０１を固定パターンとしてダウントラック方向及びクロストラック方向に磁気的に分断配置する構成にしたので、磁性ドット１０１に対する書き込みタイミングの位相ズレが生じると、ダウントラック方向に隣接する磁性ドット１０１に対して異なるデータを書き込んでしまうおそれがある。

本発明は上記点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ＢＰＭの磁性ドットに対する、磁気ヘッド部の書き込みタイミングの位相ズレを解消することで書き込み精度の向上を図ることができる位相調整装置、磁気記憶媒体及び記憶装置を提供することにある。

開示装置は、ダウントラック方向に沿って、互いに磁気的に分断配置された複数の磁性ドットと、クロストラック方向に隣接する前記磁性ドット列間に設けられた位相調整用トラックに沿って交互に配置される、ダウントラック方向に所定間隔に所定個数配置した磁性ドットで構成される位相検出ドット及び所定長に設定された空白ビットとを有し、ダウントラック方向にこの空白ビットを介して隣接する前記位相検出ドット間に対して、この空白ビットの前記所定長により所定位相差を与える磁気記憶媒体と、この磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、前記磁気記憶媒体の前記磁性ドットに対する、磁気ヘッド部の書き込みタイミング及び再生タイミングを調整制御する磁気ヘッド駆動制御部と、前記位相調整用トラック内の前記位相検出ドットの位置情報を管理する位置情報管理部と、位相検出開始信号を検出すると、前記磁気ヘッド部を通じて前記位相調整用トラック上に、所定ドット数周期で磁化方向の反転を繰り返し実行する位相検出データの書き込みを開始すると共に、その書き込み開始位置を管理する書き込み制御部と、前記位相検出データの書き込み後、前記書き込み開始位置に前記磁気ヘッド部の再生タイミングを合わせて、前記位相調整用トラック上の前記位相検出ドットに書き込んだ前記位相検出データを再生出力する再生制御部と、この再生制御部にて再生出力した前記位相調整用トラック上の前記位相検出ドットに書き込んだ前記位相検出データの再生出力波形を取得する再生出力波形取得部と、この再生出力波形取得部にて取得した再生出力波形の内、マイナス側及びプラス側が最大ピークの出力パターンを検出する最大出力パターン検出部と、この最大出力パターン検出部にて検出した最大ピークの出力パターンに関わる零クロス位置を検出する零クロス位置検出部と、この零クロス位置検出部にて検出した前記零クロス位置及び、前記位置情報管理部に管理中の前記位相検出ドットの位置情報に基づき、前記磁気記憶媒体の前記磁性ドットに対する、前記磁気ヘッド部の書き込みタイミングの位相を合わせるための最適位相調整量を決定する最適位相調整量決定部とを有することを要件とする。

開示の記憶装置では、最適位相調整量に基づき、ＢＰＭの磁性ドットに対する書き込みタイミングの位相ズレを解消することで、書き込み精度の向上を図ることができるという効果を奏する。

以下、図面に基づき本発明の位相調整装置、磁気記憶媒体及び記憶装置に関わる実施例について詳細に説明する。

まず、本実施例の概要を説明するとすれば、その概要は、複数の磁性ドットをダウントラック方向及びクロストラック方向に磁気的に分断配置するＢＰＭであっても、磁性ドットに対して磁気ヘッド部の書き込みタイミングの位相を合わせるための最適位相調整量を決定できるようにした。その結果、ＢＰＭの磁性ドットに対する書き込みタイミングの位相ズレを解消することで書き込み精度の向上を図ることができるというものである。

図１は、実施例１のＨＤＤ装置の概略構成を示す斜視図である。

図１に示すＨＤＤ装置１は、ベース本体２にＢＰＭ３を実装し、ＢＰＭ３へのデータ書き込み及びＢＰＭ３に書き込んだデータを再生する装置である。

ＨＤＤ装置１は、実装したＢＰＭ３のトラック上の磁性ドットに対してデータを書き込み又は再生する磁気ヘッド部４と、磁気ヘッド部４をＢＰＭ３のトラッキング方向に懸架するサスペンション部材５とを有している。

また、ＨＤＤ装置１は、サスペンション部材５を通じて磁気ヘッド部４をＢＰＭ３のトラッキング方向に移動するボイスコイルモータ６と、ＢＰＭ３を所定回転速度で回転駆動するスピンドルモータ７と、このＨＤＤ装置１全体を制御する制御回路８とを有している。

図２は、ＨＤＤ装置１に実装するＢＰＭ３上のトラックの配置構成を端的に示す模式図である。

図２に示すＢＰＭ３は、データを書き込み又は再生する複数の磁性ドット３１をダウントラック方向（ビット長方向）に所定間隔に磁気的に分断配置すると共に、複数の磁性ドット３１を、ダウントラック方向と直交するクロストラック方向に磁気的に分断配置する複数のトラック３２を備えたものである。

尚、磁性ドット３１のダウントラック方向におけるドット長さＤＬは約３０ｎｍ、磁性ドット３１のクロストラック方向におけるドット幅ＤＷは約４０ｎｍ、ダウントラック方向に隣接する磁性ドット３１間の間隔ＤＰは約１５ｎｍに相当するものである。

図３は、ＨＤＤ装置１の磁気ヘッド部４のＢＰＭ３へのアクセスを端的に示す説明図である。

磁気ヘッド部４は、図２及び図３に示すように、ＢＰＭ３のトラック３２上の磁性ドット３１に磁界を印加して磁性ドット３１の磁化方向を変えることで磁性ドット３１に対してデータを書き込む、高飽和磁束密度を有するＦｅＣｏを主磁極材料の記憶素子４Ａと、トラック３２内の磁性ドット３１及びサーボパターン（図示せず）からデータを再生する、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）の再生素子４Ｂとを備えている。

磁気ヘッド部４は、サスペンション部材５を通じてＢＰＭ３上を数ｎｍの浮上量で安定的に浮上するものである。

図４は、ＨＤＤ装置１内部の概略構成を示すブロック図、図５は、ＨＤＤ装置１に実装するＢＰＭ３のトラック３２への位相検出データの書き込み動作を端的に示す説明図である。

図４に示す制御回路８は、磁気ヘッド部４を通じてＢＰＭ３のトラック３２上の磁性ドット３１にデータを書き込む又は書き込んだデータを再生する際に信号処理を施すプリアンプ１１と、ボイスコイルモータ６及びスピンドルモータ７を駆動制御するサーボ制御部１２と、各種情報を記憶するメモリ部１３と、各種情報を一時記憶するバッファメモリ部１４と、制御回路８全体を制御するメイン制御部１５とを有している。

また、制御回路８は、プリアンプ１１を通じてＢＰＭ３の再生信号から基準クロックを取得するＰＬＬ（Ｐｈａｓｅｄ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）回路１６を有している。

サーボ制御部１２は、ボイスコイルモータ６を駆動制御するボイスコイルモータ制御部１２Ａと、スピンドルモータ７を駆動制御するスピンドルモータ制御部１２Ｂとを有している。

また、メイン制御部１５は、磁性ドット３１に対する書き込みタイミング及び再生タイミングを合わせる位相検出開始信号を検出すると、記憶素子４Ａを通じて、トラック３２上の磁性ドット３１に対して位相検出データを書き込む書き込み制御部２１と、位相検出データの書き込み後、再生素子４Ｂを通じて、書き込み開始位置に再生タイミングを合わせて再生出力する再生制御部２２とを有している。

また、メイン制御部１５は、再生制御部２２の再生出力からＢＥＲ（Ｂｉｔ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ）を検出するＢＥＲ検出部２３と、ＢＥＲ検出部２３にて検出した現在ＢＥＲが記憶中のＢＥＲよりも大きいか否かを判定し、現在ＢＥＲが記憶中のＢＥＲよりも大きい場合、ＢＥＲを最大ＢＥＲ及び、その最大ＢＥＲに関わる書き込み開始位置を記憶するＢＥＲ判定部２４と、ＢＥＲ判定部２４の判定結果に基づき、最適位相位置を決定する最適位相位置決定部２５とを有している。

書き込み制御部２１は、位相検出開始信号を検出すると、図５に示すように、複数のトラック３２の内、任意のトラック３２の磁性ドット３１の書き込み開始位置からダウントラック方向に、所定ドット数周期、例えば２ドット周期で磁化方向の反転を繰り返す位相検出データを書き込み、その書き込み開始位置を記憶するものである。

再生制御部２２は、位相検出データの書き込み後、書き込み開始位置から磁性ドット３１に書き込んだ位相検出データを再生出力するものである。

さらに、ＢＥＲ検出部２３は、再生制御部２２の再生出力から書き込み開始位置毎のＢＥＲを検出するものである。

ＢＥＲ判定部２４は、ＢＥＲ検出部２３にて書き込み開始位置に関わる再生出力のＢＥＲを検出すると、現在ＢＥＲが記憶中のＢＥＲよりも大きい場合、ＢＥＲを最大ＢＥＲ及び、その最大ＢＥＲに関わる書き込み開始位置を記憶するものである。

また、書き込み制御部２１は、磁性ドット３１のドット長さＤＬを１６分割し、ＤＬの１／１６単位で書き込み開始位置をダウントラック方向に順次シフトするものである。

そして、書き込み開始制御部２１は、ＢＥＲ判定部２４の判定処理後、ドット長さＤＬの１／１６単位で書き込み開始位置を順次シフトして、位相検出データを順次書き込み、その書き込み開始位置を順次記憶するものである。

再生制御部２２は、書き込み制御部２１にて書き込み開始位置を順次シフトして位相検出データを順次書き込む度に、書き込んだ位相検出データを再生出力し、書き込み開始位置毎に書き込んだ位相検出データの再生出力に対するＢＥＲ検出部２３及びＢＥＲ判定部２４の動作を順次実行するものである。

図６は、ＨＤＤ装置１の書き込み開始位置毎のＢＥＲの関係を端的に示す説明図である。

再生制御部２２は、磁性ドット３１のドット長さＤＬの１／１６単位でシフトする書き込み開始位置毎に、位相検出データを再生出力し、ＢＥＲ検出部２３を通じて書き込み開始位置毎の再生出力に対するＢＥＲを検出するものである。

さらに、ＢＥＲ判定部２４は、全書き込み開始位置、すなわち最大シフト回数Ｎ＝１６個の書き込み開始位置の再生出力に関わるＢＥＲの内、最大ＢＥＲ及び最大ＢＥＲに関わる書き込み開始位置を記憶保持するものである。

尚、図６の例では、初期書き込み開始位置からドット長さＤＬの１２／１６シフトした“１２個目”の書き込み開始位置のＢＥＲが最大ＢＥＲとし、その最大ＢＥＲ及び、その書き込み開始位置を記憶保持するものである。

また、最適位相位置決定部２５は、ＢＥＲ判定部２４を通じて、全書き込み開始位置、すなわち１６個の書き込み開始位置の再生出力に関わるＢＥＲの内、最大ＢＥＲ及び最大ＢＥＲに関わる“１２個目”の書き込み開始位置を記憶保持すると、最大ＢＥＲに関わる書き込み開始位置を中心としてＮ／２回（Ｎ＝１６）、すなわち最大ＢＥＲの書き込み開始位置から前又は後に８回シフトしたドット長さＤＬの（１２−８）／１６の書き込み開始位置、つまり、初期書き込み開始位置からドット長さＤＬの４／１６シフトした“４個目”の書き込み開始位置を最適位相位置として決定するものである。

次に、実施例１のＨＤＤ装置１の動作について説明する。図７は、実施例１のＨＤＤ装置１の第１書き込み位相設定処理に関わる制御回路８の処理動作を示すフローチャートである。

図７に示す第１書き込み位相設定処理では、ＢＰＭ３の複数のトラック３２の内、任意のトラック３２のダウントラック方向に対して、磁性ドット３１のドット長さＤＬの１／１６単位で書き込み開始位置を順次シフトし、書き込み開始位置に関わる再生出力のＢＥＲに基づき、最適位相位置を決定し、この最適位相位置に、磁気ヘッド部４の書き込みタイミングの位相を合わせる処理である。

図７において制御回路８の書き込み制御部２１は、位相検出開始信号を検出すると、位相検出データを書き込むべく、ＢＰＭ３上のサーボパターンに基づき、複数のトラック３２の内、任意のトラック３２の書き込み開始位置にアクセスする（ステップＳ１１）。

尚、ＨＤＤ装置１の設定環境は、回転数を５４００ｒｐｍ、半径位置を１９．６８ｍｍ、周速を１１．１３ｍ／ｓｅｃ、Ｓｋｅｗ角を０ｄｅｇｒｅｅ、記録周波数を１２．７ＭＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃとする。

書き込み制御部２１は、初期書き込み開始位置から磁性ドット３１のドット長さＤＬの１／１６単位でシフトするシフト回数ｎを初期値の“１”に設定すると（ステップＳ１２）、書き込み開始位置Ｐを現在の書き込み開始位置Ｐｎに設定する（ステップＳ１３）。

さらに、書き込み制御部２１は、書き込み開始位置から磁性ドット３１の磁化方向を一方向（磁束上向き又は磁束下向き）に揃えるＤＣイレーズ処理を実行する（ステップＳ１４）。

書き込み制御部２１は、ＤＣイレーズ処理を実行すると、書き込み開始位置から位相検出データを書き込む（ステップＳ１５）。尚、位相検出データは、図５に示すように、２ドット周期で磁性ドット３１の磁化方向の反転を繰り返すデータである。

再生制御部２２は、書き込み制御部２１を通じて書き込み開始位置から位相検出データの書き込みを終了すると、書き込み開始位置から書き込んだ位相検出データを再生出力する（ステップＳ１６）。

ＢＥＲ検出部２３は、再生制御部２２を通じて位相検出データの現在再生出力からＢＥＲｎを検出する（ステップＳ１７）。

ＢＥＲ判定部２４は、現在再生出力のＢＥＲｎが記憶中の最大ＢＥＲｍａｘよりも大きいか否かを判定する（ステップＳ１８）。

ＢＥＲ判定部２４は、現在再生出力のＢＥＲｎが記憶中の最大ＢＥＲｍａｘよりも大きい場合（ステップＳ１８肯定）、現在ＢＥＲｎを最大ＢＥＲｍａｘとして記憶すると共に（ステップＳ１９）、現在書き込み開始位置Ｐｎを最大ＢＥＲｍａｘの最大ＢＥＲ位置Ｐｗｓｔとして記憶する（ステップＳ２０）。

その後、書き込み制御部２１は、シフト回数ｎを＋１インクリメント、すなわち、書き込み開始位置をダウントラック方向にドット長さＤＬの１／１６単位でシフトし（ステップＳ２１）、そのシフト回数ｎが最大シフト回数Ｎ（Ｎ＝１６）に到達したか否かを判定する（ステップＳ２２）。

書き込み制御部２１は、シフト回数ｎが最大シフト回数Ｎに到達していない場合（ステップＳ２２否定）、ステップＳ２１でドット長さＤＬの１／１６単位で１回シフトした書き込み開始位置Ｐを現在書き込み開始位置Ｐｎとして設定すべく、ステップＳ１３に移行する。

また、最適位相位置決定部２５は、シフト回数ｎが最大シフト回数Ｎに到達した場合（ステップＳ２２肯定）、全１６回のシフトによる全１６個の書き込み開始位置での再生出力のＢＥＲ判定が完了したものと判断し、ＢＥＲ判定部２４にて記憶中の最大ＢＥＲ及び最大ＢＥＲの書き込み開始位置を中心とし、その書き込み開始位置からシフト許容範囲内で前又は後ろにＮ／２＝１６／２＝８回シフトした書き込み開始位置を最適位相位置として決定する（ステップＳ２３）。

尚、図６に示す例では、１６個の書き込み開始位置での再生出力のＢＥＲを検出し、最大ＢＥＲの書き込み開始位置が初期書き込み開始位置からドット長さＤＬの１２／１６シフトした“１２個目”の書き込み開始位置の場合、この最大ＢＥＲの書き込み開始位置を中心にして、その書き込み開始位置からシフト許容範囲内で前又は後ろに８回シフトした書き込み開始位置、すなわち初期書き込み開始位置から４個目の書き込み開始位置を最適位相位置として決定するものである。

書き込み制御部２１は、最適位相位置決定部２５にて最適位相位置を決定すると、最適位相位置に磁気ヘッド部４の書き込みタイミングの位相を合わせ、その最適位相位置を書き込み開始位置としてＤＣイレーズ処理を実行する（ステップＳ２４）。

書き込み制御部２１は、ＤＣイレーズ処理を実行すると、その最適位相位置を現在書き込み開始位置Ｐｎとして設定し（ステップＳ２５）、書き込み開始位置から位相検出データを書き込む（ステップＳ２６）。

さらに、再生制御部２２は、書き込み開始位置から位相検出データの書き込み動作が終了すると、書き込み開始位置に書き込んだ位相検出データを再生出力する（ステップＳ２７）。

ＢＥＲ検出部２３は、書き込み開始位置に書き込んだ位相検出データの再生出力のＢＥＲを検出する（ステップＳ２８）。

書き込み制御部２１は、現在再生出力のＢＥＲが許容ＢＥＲ以内であるか否かを判定する（ステップＳ２９）。尚、許容ＢＥＲは、通常再生する際に、許容できるＢＥＲに相当するものである。

書き込み制御部２１は、現在再生出力のＢＥＲが許容ＢＥＲ以内の場合（ステップＳ２９肯定）、図７に示す処理動作を終了する。

また、書き込み制御部２１は、現在再生出力のＢＥＲが許容ＢＥＲ以内でない場合（ステップＳ２９否定）、再度、最適位相位置を決定すべく、ステップＳ１２に移行する。

また、ＢＥＲ判定部２４は、ステップＳ１８にて現在再生出力のＢＥＲｎが記憶中の最大ＢＥＲｍａｘよりも大きくない場合（ステップＳ１８否定）、シフト回数ｎを＋１インクリメントして書き込み開始位置をドット長さＤＬの１／１６単位で１回シフトすべく、ステップＳ２１に移行する。

図７に示す第１書き込み位相設定処理では、書き込み開始位置をダウントラック方向にドット長さＤＬの１／１６単位で順次シフトし、書き込み開始位置毎に位相検出データを書き込み、この書き込んだ位相検出データを再生出力し、その再生出力のＢＥＲを検出し、全書き込み開始位置に書き込んだ位相検出データのＢＥＲの内、最大ＢＥＲの書き込み開始位置を決定し、この最大ＢＥＲの書き込み開始位置を中心にして、その書き込み開始位置からシフト許容範囲内で前又は後ろに８回シフトした書き込み開始位置を最適位相位置として決定するようにした。その結果、ＨＤＤ装置１は、ＢＰＭ３であっても、最適位相位置に磁気ヘッド部４の書き込みタイミングの位相を合わせて、書き込みタイミングに対する位相ズレを解消することで書き込み精度の向上を図ることができる。

実施例１では、書き込み開始位置をダウントラック方向に、ドット長さＤＬの所定数分の１単位で順次シフトし、書き込み開始位置毎に位相検出データを書き込み、この書き込んだ位相検出データを再生出力し、その再生出力のＢＥＲを検出し、全書き込み開始位置に書き込んだ位相検出データのＢＥＲの内、最大ＢＥＲの書き込み開始位置を決定し、この最大ＢＥＲの書き込み開始位置を中心にして、その書き込み開始位置から前又は後ろに最大シフト回数Ｎから半分シフトした書き込み開始位置を最適位相位置として決定するようにした。その結果、ＨＤＤ装置１は、ＢＰＭ３であっても、最適位相位置に磁気ヘッド部４の書き込みタイミングの位相を合わせて、書き込みタイミングに対する位相ズレを解消することで、書き込み精度の向上を図ることができる。

尚、上記実施例１では、書き込み開始位置をダウントラック方向に１／１６単位で順次シフトし、書き込み開始位置毎に位相検出データを書き込み、この書き込んだ位相検出データを再生出力し、その再生出力のＢＥＲを検出し、全書き込み開始位置に書き込んだ位相検出データのＢＥＲの内、最大ＢＥＲの書き込み開始位置を決定し、この最大ＢＥＲの書き込み開始位置を中心にして最適位相位置を決定するようにしたが、書き込み開始位置を順次シフトし、その順次シフトした書き込み開始位置毎に位相検出データの書き込み及び再生を行う必要があるため、その処理負担が非常に大きい。

そこで、このような処理負担を解消するＨＤＤ装置につき、実施例２として以下に説明する。図８は、実施例２のＨＤＤ装置内部の概略構成を示すブロック図、図９は、ＨＤＤ装置に実装するＢＰＭのトラック配置構成を端的に示す模式図、図１０は、ＢＰＭ上の位相調整用トラックの要部を端的に示す説明図である。尚、実施例１のＨＤＤ装置１と同一の構成については同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

実施例１のＨＤＤ装置１と実施例２のＨＤＤ装置１Ａとが異なるところは、図８乃至図１０に示すように、複数のトラック３２の内、任意のトラックに、磁性ドット３１に対する書き込みタイミングの位相調整に使用する最適位相調整量を決定する位相調整用トラック３２Ａを配置したＢＰＭ３Ａを実装した点にある。

位相調整用トラック３２Ａは、位相検出データの書き込み及び再生を可能にする、ダウントラック方向に配置した位相検出ドット４１と、次に連続する位相検出ドット４１に対して、ダウントラック方向に所定位相差を与える空白ビット４２とを交互に連続配置している。

位相検出ドット４１は、図１０に示すように、所定間隔ＤＰに対してダウントラック方向に所定個数、例えば４個配置した磁性ドット３１で構成するものである。尚、位相検出ドット４１のダウントラック方向の長さに相当する距離Ｗ１は、例えば（磁性ドット３１のドット長さＤＬ＋所定間隔ＤＰ）×磁性ドット個数ｍ（ｍ＝４）で算出するものである。

また、空白ビット４２は、位相検出ドット４１のダウントラック方向の長さに相当する距離Ｗ１と、磁性ドット３１のダウントラック方向のドット長さＤＬに対する所定複数分の１、例えば１／３に相当する距離Ｗ２とを加えた距離Ｗ３を、空白ビット４２のダウントラック方向の長さとし、次に連続する位相検出ドット４１に対して、ダウントラック方向にドット長さＤＬの１／３に相当する位相差を与えるようにしている。

その結果、位相調整用トラック３２Ａは、複数の位相検出ドット４１の内、任意の位相検出ドット４１を１番目の位相検出ドット４１とした場合、１番目から２番目の位相検出ドット４１までに磁性ドット３１のドット長さＤＬの１／３の距離Ｗ２に相当する位相差が生じ、１番目から３番目の位相検出ドット４１までに磁性ドット３１のドット長さ２／３の距離（Ｗ２＋Ｗ２）に相当する位相差が生じ、１番目から４番目の位相検出ドット４１までに磁性ドット３１のドット長さ３／３の距離（Ｗ２＋Ｗ２＋Ｗ２＝ＤＬ）に相当する位相差となる構成配置としている。

また、位相調整用トラック３２Ａは、位相検出ドット４１及び空白ビット４２を交互に連続配置することになるが、その１番目の位相検出ドット４１の前に、図１２に示すように基準クロック取得用の基準クロック取得用ドット４３を配置している。

図８に示す制御回路８内部のメモリ部１３には、ＢＰＭ３Ａ上のトラック３２内の磁性ドット３１の位置情報を管理すると共に、位相調整用トラック３２Ａ内の位相検出ドット４１の位置情報を管理する位置情報管理部１３Ａを備えている。

また、制御回路８内部のメイン制御部１５Ａは、図８に示すように、ＰＬＬ回路１６からの基準クロックを取得する基準クロック取得部５１と、位相検出開始信号を検出すると、磁気ヘッド部４を通じて位相調整用トラック３２Ａ上に、所定ドット数周期、例えば２ドット周期で磁化方向の反転を繰り返す位相検出データの書き込みを開始する書き込み制御部５２と、位相検出データの書き込み後、書き込み開始位置に磁気ヘッド部４の再生タイミングを合わせて再生動作を開始する再生制御部５３とを有している。

ＰＬＬ回路１６は、図１２に示すように、位相調整用トラック３２Ａ上の基準クロック取得用ドット４３を再生することでＰＬＬ引き込み動作を開始し、その後、クロック検出パターンの再生出力波形を得ることで基準クロックを取得することになる。

また、書き込み制御部５２は、位相検出開始信号を検出すると、図１２に示すように、位相調整用トラック３２Ａ上の位相検出ドット４１の書き込み開始位置からダウントラック方向に、２ドット周期で磁化方向の反転を繰り返す位相検出データを書き込み、その書き込み開始位置を記憶するものである。

尚、図１２は、ＨＤＤ装置１Ａに実装するＢＰＭ３Ａの位相調整用トラック３２Ａへの位相検出データの書き込み動作を端的に示す説明図である。図１２では、位相調整用トラック３２Ａに対して位相検出データを書き込んだ例を図示しているが、説明の便宜上、比較のために、通常のトラック３２に対して同一の書き込みタイミングで位相検出データを書き込んだ場合も合わせて図示する。

再生制御部５３は、位相検出データの書き込み後、書き込み開始位置から位相検出ドット４１に書き込みの位相検出データを再生出力するものである。

また、メイン制御部１５Ａは、図８に示すように、再生制御部５３にて位相調整用トラック３２Ａ上の位相検出ドット４１上に書き込んだ位相検出データの再生出力から再生出力波形を取得する再生出力波形取得部５４を有している。

さらに、メイン制御部１５Ａは、再生出力波形取得部５４にて取得した再生出力波形の内、マイナス側及びプラス側が最大ピークの出力パターンを検出する最大出力パターン検出部５５と、最大出力パターン検出部５５にて検出した最大ピークの出力パターンに関わる零クロス位置を検出する零クロス位置検出部５６とを有している。

零クロス位置検出部５６は、最大出力パターン検出部５５にて検出した最大ピークの出力パターンに関わる零クロスを検出すると、基準クロック取得部５１にて取得した書き込み開始位置から零クロス検出までのクロック数に基づき、零クロス位置を検出するものである。

さらに、メイン制御部１５Ａは、零クロス位置検出部５６にて検出した零クロス位置と、位置情報管理部１３Ａに管理中の零クロス位置に関わる位相検出ドット４１の位置情報とに基づき、最適位相調整量を決定する最適位相調整量決定部５７と、再生制御部５３の再生出力からＢＥＲを検出するＢＥＲ検出部５８とを有している。

図１１は、最大出力パターン検出部５５内部の概略構成を示すブロック図である。

図１１に示す最大出力パターン検出部５５は、図１２に示すように、再生出力波形取得部５４にて取得した再生出力波形のプラス側のプラス閾値ＴＨ１を超えたピーク出力波形を取り込んで出力するバッファ５５Ａと、再生出力波形取得部５４にて取得した再生出力波形のマイナス側のマイナス閾値ＴＨ２を超えたピーク出力波形を取り込んで反転出力する反転バッファ５５Ｂとを有している。

さらに、最大出力パターン検出部５５は、バッファ５５Ａで出力したプラス側のピーク出力波形と、反転バッファ５５Ｂで反転出力したマイナス側のピーク出力波形とを加算出力する加算器５５Ｃと、加算器５５Ｃの加算出力を積分化するローパスフィルタ５５Ｄと、この積分化したピーク出力波形をデジタル出力する第１コンパレータ５５Ｅと、この第１コンパレータ５５Ｅの出力結果に基づき、再生出力波形の内、プラス側及びマイナス側が最大ピークの出力パターンを検出する検出制御部５５Ｆとを有している。

さらに、最大出力パターン検出部５５は、再生出力波形のノイズ発生を検出する第２コンパレータ５５Ｇを備え、検出制御部５５Ｆは、第２コンパレータ５５Ｇを通じてノイズ発生を検出すると、そのノイズ発生に関わる再生出力波形の最大ピークの出力パターンの検出動作を禁止するものである。

次に、位相調整用トラック３２Ａを配置したＢＰＭ３Ａの製造工程について説明する。図１３は、ＨＤＤ装置１Ａに実装するＢＰＭ３Ａの電子線露光処理を実行する電子線露光処理装置６０内部の概略構成を示すブロック図である。

図１３に示す電子線露光処理装置６０は、原盤６１を縦横方向（Ｘ軸及びＹ軸方向）に移動するＸ−Ｙステージ６２と、Ｘ−Ｙステージ６２上の原盤６１を所定回転速度に回転駆動するスピンドルモータ６３と、電子ビームを出力する電子ビーム源６４と、電子ビーム源６４からの電子ビームをトラッキング方向に調整する電子ビーム調整系６５と、電子ビーム源６４からの電子ビームをフォーカシング方向に調整する電子ビーム集束系６６とを有している。

尚、Ｘ−Ｙステージ６２、スピンドルモータ６３、電子ビーム源６４、電子ビーム調整系６５及び電子ビーム集束系６６は、１０の−４乗パスカルの真空のチャンバ６７内に配置されるものである。

また、電子線露光処理装置６０は、Ｘ−Ｙステージ６２を駆動制御するステージ駆動制御部６８と、スピンドルモータ６３を駆動制御するスピンドルモータ駆動制御部６９と、電子ビーム源６４を駆動制御する電子ビーム制御部７０と、電子ビーム調整系６５及び電子ビーム集束系６６を駆動制御する電子ビーム駆動制御部７１とを有している。

電子線露光処理装置６０は、原盤６１のトラック３２上の磁性ドット３１及び位相調整用トラック３２Ａ上の位相検出ドット４１の配置情報（露光制御情報）を管理するフォーマッタ７２と、電子線露光処理装置６０全体を制御するメインコントローラ７３とを有している。

図１４は、ＢＰＭ３Ａに関わる製造装置の処理動作を示すフローチャートである。

図１４において製造装置では、精密に研磨したガラスの原盤６１上に厚み５〜１０ｎｍのレジストを塗布し（ステップＳ４１）、電子線露光処理装置６０の電子線露光で、磁性ドット３１や位相検出ドット４１を含むパターンを原盤６１上に形成する（ステップＳ４２）。

電子線露光処理装置６０のメインコントローラ７３は、図１５に示すように、フォーマッタ７２からの露光制御情報の位相調整間隔に基づき、レジスト層を形成した原盤６１上に十から数十ナノのスポットサイズの電子ビームを集束させる。この際、メインコントローラ７３は、スピンドルモータで原盤６１を回転させると共に、Ｘ−Ｙステージ６２で原盤６１の露光半径位置を調整しながら露光処理を実行するものである。

尚、露光時には、フォーマッタ７２からの露光制御情報の位相調整間隔に基づき、原盤６１の位置情報及び露光量を調整するものである。その結果、原盤６１上に、トラック３２は勿論のこと、位相検出ドット４１及び空白ビット４２を含む位相調整用トラック３２Ａのパターンを形成するものである。

また、製造装置は、電子線露光処理を施した原盤６１に原盤現像を施し（ステップＳ４３）、原盤現像後、スパッタリング法で金属膜を形成するメタライズ処理を施す（ステップＳ４４）。その後、製造装置は、原盤６１上に約１５０μｍ程度のＮｉ層を形成する電解メッキ処理を施す（ステップＳ４５）。

そして、製造装置は、原盤６１からＮｉを剥離し（ステップＳ４６）、レジスト除去のための原盤洗浄処理を実行する（ステップＳ４７）。さらに、製造装置は、原盤６１の裏面をテープ研磨で磨いた後（ステップＳ４８）、金型打ち抜きで外形加工を施すことで（ステップＳ４９）、磁性ドット３１及び位相検出ドット４１を含むパターンを形成した原盤６１が完成する。

また、一方、製造装置は、円盤形状したガラス基板を配置し（ステップＳ５０）、このガラス基板上に、耐食性に優れ、かつガラスとの密着性を向上させたＴａ等を含む金属の密着層を形成し（ステップＳ５１）、この密着層上に、ＳＵＬ（Ｓｏｆｔ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｕｎｄｅｒ Ｌａｙｅｒ）層を形成する（ステップＳ５２）。尚、ＳＵＬ層は、磁気ヘッド部４を通じての書き込みをアシストするものである。

さらに、製造装置は、ＳＵＬ層上に、下地層又は中間層を形成し（ステップＳ５３）、この下地層又は中間層上に、垂直磁性層を形成する（ステップＳ５４）。尚、垂直磁性層は、従来のＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２等のグラニュラー層を使用することも可能であるが、垂直磁気異方性が大きく粒界に酸化物の析出のないＦｅ／ＰｔやＣｏ／Ｐｄ等の多膜層を使用するものとする。

そして、製造装置は、垂直磁性層上に、５ｎｍ程度のＴａ等の金属の保護層を形成することで（ステップＳ５５）、パターン形成前の垂直磁気記録媒体が完成する。

その後、製造装置は、磁性ドット３１及び位相検出ドット４１を含むパターンを形成した原盤６１を使用して、パターン形成前の垂直磁気記録媒体の垂直磁性層上に、ＵＶ−ナノプリント方式でレジストパターンを形成する（ステップＳ５６）。

その後、製造装置は、エッチング処理で垂直磁性層に凹凸パターンを形成し（ステップＳ５７）、レジストを除去する洗浄処理を実行する（ステップＳ５８）。

そして、製造装置は、洗浄処理後に、カーボン等の保護膜を形成した後（ステップＳ５９）、保護膜上に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成することで（ステップＳ６０）、ＢＰＭ３Ａが完成する。

尚、ＢＰＭ３Ａでは、磁性ドット３１のダウントラック方向のドット長さＤＬを約３０ｎｍ、磁性ドット３１間の所定間隔ＤＰを約１５ｎｍ、磁性ドット３１のクロストラック方向のドット幅ＤＷを約４０ｎｍ、トラック３２間の磁性ドット３１間の間隔を約１５ｎｍとしている。

次に、実施例２のＨＤＤ装置１Ａの動作について説明する。図１６は、第２書き込み位相設定処理に関わる制御回路８Ａの処理動作を示すフローチャートである。

図１６に示す第２書き込み位相設定処理は、ＢＰＭ３Ａの複数のトラック３２の内、位相調整用トラック３２Ａ上に位相検出データを書き込んだ後、位相検出ドット４１上に書き込んだ位相検出データから最適位相調整量を決定し、この決定した最適位相調整量に基づき、磁気ヘッド部４の書き込みタイミングの位相を合わせる処理である。

図１６において制御回路８Ａのメイン制御部１５Ａ内部の書き込み制御部５２は、位相検出開始信号を検出すると、位相検出データを書き込むべく、ＢＰＭ３Ａ上のサーボパターンに基づき、複数のトラック３２の内、位相調整用トラック３２Ａにアクセスする（ステップＳ７１）。

尚、ＨＤＤ装置１Ａの設定環境は、回転数を５４００ｒｐｍ、半径位置を１９．６８ｍｍ、周速を１１．１３ｍ／ｓｅｃ、Ｓｋｅｗ角を０ｄｅｇｒｅｅ、記録周波数を１２．７ＭＦｌｕｘＣｈａｎｇｅ／ｓｅｃとする。

書き込み制御部５２は、位相調整用トラック３２Ａ上に磁気ヘッド部４の書き込み開始位置を設定すると（ステップＳ７２）、書き込み開始位置から磁性ドット３１の磁化方向を一方向（磁束上向き又は磁束下向き）に揃えるＤＣイレーズ処理を実行する（ステップＳ７３）。

書き込み制御部５２は、ＤＣイレーズ処理を実行すると、書き込み開始位置から位相検出ドット４１上に位相検出データを書き込む（ステップＳ７４）。尚、位相検出データは、図１２に示すように、２ドット周期で磁性ドット３１の磁化方向の反転を繰り返すデータである。

再生制御部５３は、書き込み制御部５２を通じて書き込み開始位置から位相検出データの書き込み動作を終了すると、書き込み開始位置から位相検出ドット４１上に書き込んだ位相検出データを再生出力する（ステップＳ７５）。

再生出力波形取得部５４は、位相検出ドット４１上に書き込んだ位相検出データの再生出力から再生出力波形を取得する（ステップＳ７６）。

最大出力パターン検出部５５は、再生出力波形取得部５４にて取得した再生出力波形の内、プラス側及びマイナス側の最大ピークの出力パターンを検出する（ステップＳ７７）。

零クロス位置検出部５６は、最大出力パターン検出部５５にて最大ピークの出力パターンを検出すると、出力パターンに関わる零クロスを検出する（ステップＳ７８）。

零クロス位置検出部５６は、出力パターンの零クロスを検出すると、書き込み開始位置から零クロス検出までの基準クロックのクロック数を取得し（ステップＳ７９）、書き込み開始位置から零クロス検出までのクロック数に基づき、零クロス位置を検出する（ステップＳ７９Ａ）。

最適位相調整量決定部５７は、零クロス位置及び、位置情報管理部１３Ａに管理中の零クロス位置に関わる位相検出ドット４１の位置情報に基づき、最適位相調整量を決定する（ステップＳ８０）。

最適位相調整量決定部５７は、最適位相調整量を決定すると、ＢＰＭ３Ａ上のトラック３２へアクセスし（ステップＳ８１）、最適位相調整量に基づき、磁気ヘッド部４の書き込みタイミングの位相を合わせ、その書き込み開始位置から磁性ドット３１の磁化方向に一方向に揃えるＤＣイレーズ処理を実行する（ステップＳ８２）。

書き込み制御部５２は、ＤＣイレーズ処理を実行すると、その書き込み開始位置を現在書き込み開始位置Ｐｎとして設定し（ステップＳ８３）、書き込み開始位置から位相検出データを書き込む（ステップＳ８４）。

さらに、再生制御部５３は、書き込み開始位置から位相検出データの書き込み動作が終了すると、書き込み開始位置に書き込んだ位相検出データを再生出力する（ステップＳ８５）。

ＢＥＲ検出部５８は、書き込み開始位置に書き込んだ位相検出データの再生出力のＢＥＲを検出する（ステップＳ８６）。

書き込み制御部５２は、現在再生出力のＢＥＲが許容ＢＥＲ以内であるか否かを判定する（ステップＳ８７）。書き込み制御部５２は、現在再生出力のＢＥＲが許容ＢＥＲ以内の場合（ステップＳ８７肯定）、図１６に示す処理動作を終了する。

また、書き込み制御部５２は、現在再生出力のＢＥＲが許容ＢＥＲ以内でない場合（ステップＳ８７否定）、再度、最適位相調整量を決定するために位相調整用トラック３２Ａへアクセスすべく、ステップＳ７１に移行する。

図１６に示す第２書き込み位相設定処理では、位相調整用トラック３２Ａに位相検出データを書き込んだ後、位相調整用トラック３２Ａ上の書き込み開始位置に磁気ヘッド部４の再生タイミングを合わせて、位相検出ドット４１に書き込んだ位相検出データの再生出力波形を取得し、この取得した再生出力波形の内、最大ピークの出力パターンを検出し、出力パターンに関わる零クロス位置を検出し、この零クロス位置及び、この零クロス位置に関わる位相検出ドット４１の位置情報に基づき、磁性ドット３１に対する磁気ヘッド部４の書き込みタイミングの位相を合わせるための最適位相調整量を決定するようにしたので、最適位相調整量に基づき、ＢＰＭ３Ａの磁性ドット３１に対する書き込みタイミングの位相ズレを解消することで書き込み精度の向上を図ることができる。

実施例２では、ＢＰＭ３Ａに位相調整用トラック３２Ａを配置し、この位相調整用トラック３２Ａに、位相検出ドット４１と、次に連続する位相検出ドット４１に所定位相差を与える空白ビット４２とを交互に連続配置し、位相調整用トラック３２Ａに位相検出データを書き込んだ後、位相調整用トラック３２Ａ上の書き込み開始位置に磁気ヘッド部４の再生タイミングを合わせて、位相検出ドット４１に書き込んだ位相検出データの再生出力波形を取得し、この取得した再生出力波形の内、最大ピークの出力パターンを検出し、出力パターンに関わる零クロス位置を検出し、この零クロス位置及び、この零クロス位置に関わる位相検出ドット４１の位置情報に基づき、磁性ドット３１に対する磁気ヘッド部４の書き込みタイミングを合わせるための最適位相調整量を決定するようにした。その結果、実施例２では、実施例１のような書き込み開始位置を順次シフトし、その順次シフトした書き込み開始位置毎に位相検出データの書き込み及び再生を行うような処理を行う必要はなく、１回の位相検出データの書き込み及び再生で最適位相調整量を決定し、この最適位相調整量に基づき、ＢＰＭ３Ａの磁性ドット３１に対する書き込みタイミングの位相ズレを解消することで書き込み精度の向上を図ることができる。

尚、実施例２においては、位相検出ドット４１を４個の磁性ドット３１で構成し、位相検出ドット４１の長さに相当する距離Ｗ１と磁性ドット３１のドット長さＤＬの１／３に相当する距離Ｗ２とを加えた距離Ｗ３の空白ビット４２を構成するようにしたが、位相検出ドット４１を構成する磁性ドット個数はｍ個（ｍ≧２）とし、空白ビット４２の長さは（ｍ＋ｎ／Ｎ）×（ＤＬ＋ＤＰ）で１≦ｎ＜Ｎの条件を満たせば、位相検出ドット４１及び空白ビット４２の長さを適宜変更したとしても、同様の効果が得られることは言うまでもない。

以上、本発明の実施例について説明したが、本実施例によって本発明の技術的思想の範囲が限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した技術的思想の範囲を逸脱しない限り、各種様々な実施例が実施可能であることは言うまでもない。また、本実施例に記載した効果は、これに限定されるものではない。

また、本実施例で説明した各種処理の内、自動的に行われるものとして説明した処理の全部又は一部を手動で行うことも可能であることは勿論のこと、その逆に、手動で行われるものとして説明した処理の全部又は一部を自動で行うことも可能であることは言うまでもない。また、本実施例で説明した処理手順、制御手順、具体的名称、各種データやパラメータを含む情報についても、特記した場合を除き、適宜変更可能であることは言うまでもない。

また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的に記載したものであって、必ずしも物理的に図示のように構成されるものではなく、その各装置の具体的な態様は図示のものに限縮されるものでは到底ないことは言うまでもない。

さらに、各装置で行われる各種処理機能は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）（又はＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ Ｕｎｉｔ）等のマイクロ・コンピュータ）上、又は同ＣＰＵ（又はＭＰＵ、ＭＣＵ等のマイクロ・コンピュータ）で解析実行するプログラム上、又はワイヤードロジックによるハードウェア上で、その全部又は任意の一部を実行するようにしても良いことは言うまでもない。

実施例１のＨＤＤ装置の概略構成を示す斜視図である。 ＨＤＤ装置に実装するＢＰＭ上のトラックの配置構成を端的に示す模式図である。 ＨＤＤ装置の磁気ヘッド部のＢＰＭへのアクセスを端的に示す説明図である。 ＨＤＤ装置内部の概略構成を示すブロック図である。 ＨＤＤ装置に実装するＢＰＭのトラックへの位相検出データの書き込み動作を端的に示す説明図である。 ＨＤＤ装置の書き込み開始位置毎のＢＥＲの関係を端的に示す説明図である。 ＨＤＤ装置の第１書き込み位相設定処理に関わる制御回路の処理動作を示すフローチャートである。 実施例２のＨＤＤ装置内部の概略構成を示すブロック図である。 ＨＤＤ装置に実装するＢＰＭ上のトラックの配置構成を端的に示す模式図である。 ＢＰＭ上の位相調整用トラックの要部を端的に示す説明図である。 最大出力パターン検出部内部の概略構成を示すブロック図である。 ＨＤＤ装置に実装するＢＰＭの位相調整用トラックへの位相検出データの書き込み動作を端的に示す説明図である。 ＨＤＤ装置に実装するＢＰＭの電子線露光処理を実行する電子線露光処理装置内部の概略構成を示すブロック図である。 ＢＰＭに関わる製造装置の処理動作を示すフローチャートである。 ＢＰＭの位相調整用トラックの露光フォーマットを端的に示す説明図である。 第２書き込み位相設定処理に関わる制御回路の処理動作を示すフローチャートである。 一般的なＢＰＭのトラック構成を端的に示す模式図である。

符号の説明

１Ａ ＨＤＤ装置
３Ａ ＢＰＭ
４ 磁気ヘッド部
８Ａ 制御回路
３１ 磁性ドット
３２ トラック
３２Ａ 位相調整用トラック
４１ 位相検出ドット
４２ 空白ビット
５１ 基準クロック取得部
５２ 書き込み制御部
５３ 再生制御部
５４ 再生出力波形取得部
５５ 最大出力パターン検出部
５６ 零クロス位置検出部
５７ 最適位相調整量決定部

Claims (4)

1. ダウントラック方向に沿って、互いに磁気的に分断配置された複数の磁性ドットと、クロストラック方向に隣接する前記磁性ドット列間に設けられた位相調整用トラックに沿って交互に配置される、ダウントラック方向に所定間隔に所定個数配置した磁性ドットで構成される位相検出ドット及び所定長に設定された空白ビットとを有し、ダウントラック方向にこの空白ビットを介して隣接する前記位相検出ドット間に対して、この空白ビットの前記所定長により所定位相差を与える磁気記憶媒体と、
   この磁気記憶媒体を回転駆動する回転駆動制御部と、
   前記磁気記憶媒体の前記磁性ドットに対する、磁気ヘッド部の書き込みタイミング及び再生タイミングを調整制御する磁気ヘッド駆動制御部と、
   前記位相調整用トラック内の前記位相検出ドットの位置情報を管理する位置情報管理部と、
   位相検出開始信号を検出すると、前記磁気ヘッド部を通じて前記位相調整用トラック上に、所定ドット数周期で磁化方向の反転を繰り返し実行する位相検出データの書き込みを開始すると共に、その書き込み開始位置を管理する書き込み制御部と、
   前記位相検出データの書き込み後、前記書き込み開始位置に前記磁気ヘッド部の再生タイミングを合わせて、前記位相調整用トラック上の前記位相検出ドットに書き込んだ前記位相検出データを再生出力する再生制御部と、
   この再生制御部にて再生出力した前記位相調整用トラック上の前記位相検出ドットに書き込んだ前記位相検出データの再生出力波形を取得する再生出力波形取得部と、
   この再生出力波形取得部にて取得した再生出力波形の内、マイナス側及びプラス側が最大ピークの出力パターンを検出する最大出力パターン検出部と、
   この最大出力パターン検出部にて検出した最大ピークの出力パターンに関わる零クロス位置を検出する零クロス位置検出部と、
   この零クロス位置検出部にて検出した前記零クロス位置及び、前記位置情報管理部に管理中の前記位相検出ドットの位置情報に基づき、前記磁気記憶媒体の前記磁性ドットに対する、前記磁気ヘッド部の書き込みタイミングの位相を合わせるための最適位相調整量を決定する最適位相調整量決定部と
   を有することを特徴とする記憶装置。
2. 前記再生出力から基準クロックを取得する基準クロック取得部を有し、
   前記零クロス位置検出部は、
   前記最大出力パターン検出部にて検出した前記最大ピークの出力パターンに関わる零クロスを検出すると、前記書き込み開始位置から前記零クロス検出までの基準クロック数に基づき、前記零クロス位置を検出することを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
3. 前記空白ビットの前記所定長が、前記位相検出ドットのダウントラック方向の長さに相当する距離と、前記磁性ドットのダウントラック方向のドット長さに対する所定複数分の１に相当する距離とを加えた長さであり、
   ダウントラック方向に前記空白ビットを介して隣接する前記位相検出ドットの所定位相差が、前記磁性ドットのドット長さに対する前記所定複数分の１に相当する距離であることを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
4. 前記位相検出ドットは、前記所定間隔に４個配置した磁性ドットで構成され、
   前記空白ビットの前記所定長が、前記位相検出ドットの前記所定間隔に４個配置した磁性ドットで構成する前記位相検出ドットの長さに相当する距離と、前記磁性ドットのドット長さに対する３分の１に相当する距離とを加えた距離であり、
   ダウントラック方向に前記空白ビットを介して隣接する前記位相検出ドットの位相差が、前記磁性ドットのドット長さに対する３分の１に相当する距離であることを特徴とする請求項３記載の記憶装置。

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