JP5143065B2 - 磁気記憶装置及び位相ずれ量測定方法 - Google Patents

磁気記憶装置及び位相ずれ量測定方法 Download PDF

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Description

本発明は、磁気記憶装置及び位相ずれ量測定方法に関する。
ＩＴ技術の急速な発展と各種情報に対する多様な要求によって、作り出される情報量は急激な伸びを示し、２００８年に４００ＥｘａＢｙｔｅｓであった総情報量は、２年後の２０１０年には１０００Ｅｘａｂｙｔｅｓ（１ＺＢｙｔｅｓ，１０の２１乗ｂｉｔｓ）に達すると予想されている。この大量の情報を記憶する主な手段としては、その容量、記憶のためのビットコスト、アクセス性能、及び信頼性等の観点から、未だに磁気ディスク装置以外の手段は見つからない。このような、磁気ディスク装置への大容量化の要求は、同時に高密度記録化の要求でもあり、高密度記録を達成するための種々の技術が研究開発されている。
高密度記録を達成する技術として、記録すべき情報の１ビットを、媒体上に形成された磁気的に孤立した磁性ドット又は磁性ドット群に対応させて記録する記録方式である、いわゆるビットパターンドメディア記録方式（以下、ＢＰＭ方式と記述）の研究開発が行われている。ＢＰＭ方式においては、媒体上の磁性ドット又は磁性ドット群（以下、単に磁性ドットと記述）とライト電流の遷移タイミングとの同期（以下、記録同期と記述）をとることが必要である。記録同期が不完全な場合、例えば、媒体上の磁性ドットの中央で記録電流の遷移が起こると、その磁性ドットとしての磁化方向が不定になってしまい、ライトエラーが発生することになる。
このような、ライトエラーの発生を抑えるためには、媒体上に形成されている磁性ドットと同期したライトクロックを精度良く生成する必要がある。ライトクロックの生成方法としては、連続パターンであるプリアンブルを各セクターの先頭に配置し、データ記録の際に、このプリアンブルを検出し、検出されたプリアンブルに基づいて、ライトクロックを生成する技術が提案されている。
上述した技術におけるプリアンブルの検出は、再生信号に同期しているので、磁性ドットに同期して記録するタイミングと磁性ドットとは周波数は合致しているが、ライトクロックと磁性ドットとの位相は必ずしも取れていない。この結果、正確な記録同期ができないという問題がある。再生回路と記録回路は別回路であるため遅延量は異なり、また、記録ヘッドと再生ヘッドとは物理的に異なる配置、構成であって、記録ヘッドと再生ヘッドでの遅延量も異なっているので、プリアンブルの検出が再生信号に同期したとしても、ライトクロックと磁性ドットとの正確な同期を図ることは困難である。
このような問題点を解決するために、ライトクロックをエラーレートが最適となる量だけ遅延させて記録同期を行う情報記憶装置が提案されている。
特開２０００−４８３５２号公報 特開２００４−１９９８０６号公報 特開２００６−１６４３４９号公報
上述したような情報記憶装置では、エラーレートを求めるために、再生回路が最適化されてなければならない。更に、再生回路系を最適化するためには、媒体のビットと媒体に記録するタイミングとの同期がとれてなければならない。ここで、上述した情報記憶装置は、再生波形をパーシャルレスポンスに波形等化する波形等化器を用いてエラーレートを求めている。しかし、上述した情報記憶装置では、上記波形等化器が最適化されているとは限らないため、求めたエラーレートが最適であるかどうかがわからない。その結果、媒体のビットと媒体に記録するタイミングとの同期をとることができない、すなわち、媒体のビットと同期したライトクロックを生成することができないという問題が生じる。
また、媒体のビットと同期したライトクロックを生成するためには、ライトクロックの位相ずれ量を精度良く測定した上で、測定された位相ずれ量を用いてライトクロックを生成する必要がある。
本発明は、媒体上に形成された磁性ドットを含む媒体のビットと同期したライトクロックを生成するために用いるライトクロックの位相ずれ量を精度良く測定する磁気記憶装置の提供を目的とする。
実施形態によれば、磁気記憶装置は、孤立した磁性ドットが形成されている磁気記憶媒体の、１又は複数の磁性ドットを含むビットに対してデータを記録する磁気記憶装置であって、前記磁気記憶媒体に形成され、ユーザデータを記録するためのデータ記録用ビットと周期的に同期し、かつ当該データ記録用ビットと所定量だけずれて配置される位相ずれ量測定用ビットを読み取って再生信号を出力する再生手段と、前記位相ずれ量測定用ビットから読み出された再生信号に基づいて位相ずれ量を測定する位相ずれ量測定手段とを備え、前記位相ずれ量測定手段は、前記再生信号を前記磁気記憶媒体に形成された前記データ記録用ビットの読み取り用クロックで読み取り、前記読み取った再生信号の量子化値を求め、前記求めた量子化値に基づいて前記再生信号が不定であるかを判断し、前記不定であると判断された再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットを決定し、予め所定の記憶手段に記憶された、位相ずれ量測定用ビットと所定周期のライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量との対応情報に基づいて、前記決定された位相ずれ量測定用ビットに対応する位相ずれ量を前記ライトクロックの位相ずれ量として決定する。
開示の磁気記憶装置及び位相ずれ量測定方法によれば、媒体上に形成された磁性ドットを含む媒体のビットと同期したライトクロックを生成するために用いるライトクロックの位相ずれ量を精度良く測定することが可能となる。
開示の磁気記憶装置の、本実施形態における構成例を示す図である。 位相ずれ量テーブルの例を示す図である。 本実施形態の磁気記憶媒体上のトラックフォーマット例を示す図である。 データ記録用ビットの例を示す図である。 不定である再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットの決定処理の例を説明する図である。 不定である再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットの決定処理の例を説明する図である。 不定である再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットの決定処理の例の詳細を説明する図である。 実施例１を説明する図である。 実施例２を説明する図である。 実施例２を説明する図である。 実施例３を説明する図である。 実施例３を説明する図である。
図１は、開示の磁気記憶装置の、本実施形態における構成例を示す図である。図１に示す磁気記憶装置は、記録再生用ヘッド６を介して磁気記憶媒体４からデータを読み出す再生系１、記録再生用ヘッド６を介してデータを磁気記憶媒体４に記録する記録系２を備える。図１中、７は記録再生用ヘッド６を支持するとともに、記録再生用ヘッド６の位置決め制御を行うヘッド指示機構／位置決め機構である。本実施形態においては、磁気記憶媒体４は、例えばパターンドメディアである。磁気記憶媒体４のトラック５には、互いに物理的に孤立した磁性ドットが形成されている。また、磁気記憶媒体４のビットは、１又は複数の磁性ドットを含む。例えば、トラック５には、位相ずれ量測定用ビットとデータ記録用ビットとが形成されており、位相ずれ量測定用ビットとデータ記録用ビットの各々が、１又は複数の磁性ドットを含んでいる。位相ずれ量測定用ビットは、その再生信号からライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量を測定するために用いられるビットである。本実施形態においては、位相ずれ量測定用ビットには、所定のライトクロックでデータが予め記録されているものとする。位相ずれ量測定用ビットに、データ記録用ビットへデータを記録する際のライトクロックが有する最高周波数で位相ずれ量測定用ビットが予め記録されていてもよい。データ記録用ビットは、ユーザデータを記録するために用いられるビットである。
再生系１は、再生部１１と位相ずれ量測定部１２とを備える。再生部１１は、トラック５に形成された位相ずれ量測定用ビットを読み取って再生信号を出力する。位相ずれ量測定部１２は、出力された再生信号を磁気記憶媒体４に形成されたデータ記録用ビットの読み取り用クロックで読み取って、読み取った再生信号の量子化値を求める。位相ずれ量測定部１２は、求めた量子化値に基づいて、再生信号が不定であるかを判断する。再生信号が不定であるとは、再生信号の信号レベルが、ライトクロックに基づく記録磁界によって磁化される位相ずれ量測定用ビットの、磁化のどの方向に対応する信号レベルであるかが定まらないことをいう。具体的には、位相ずれ量測定部１２は、不定であると判断された再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットを決定する。そして、位相ずれ量測定部１２は、予め位相ずれ量テーブル１３に記憶された、位相ずれ量測定用ビットとライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量との対応情報に基づいて、上記決定された位相ずれ量測定用ビットに対応する位相ずれ量をライトクロックの位相ずれ量として決定する。本実施形態の磁気記憶装置によれば、磁気記憶媒体４上に形成された磁性ドットと同期したライトクロックを生成するために用いるライトクロックの位相ずれ量を精度良く測定することが可能となる。
位相ずれ量測定部１２が、現在の量子化値と１クロック前の量子化値との排他的論理和の値が０であるかを判断し、該排他的論理和の値が０であると判断した場合に、再生信号が不定であると判断するようにしてもよい。これにより、現在の量子化値と１クロック前の量子化値とに基づいて、簡易な構成でライトクロックの位相ずれ量を精度良く測定することが可能となる。
また、位相ずれ量測定部１２が、現在の量子化値と１クロック前の量子化値との排他的論理和の値を求め、現在の排他的論理和の値と１クロック前の排他的論理和の値との否定論理和の値が１であるかを判断し、該否定的論理和の値が１であると判断した場合に、再生信号が不定であると判断するようにしてもよい。これにより、比較的簡易な構成でライトクロックの位相ずれ量を精度良く測定することが可能となる。
また、位相ずれ量測定部１２が、現在の量子化値と２クロック前の量子化値との排他的論理和の値が１であるかを判断し、該排他的論理和の値が１であると判断した場合に、再生信号が不定であると判断するようにしてもよい。これにより、現在の量子化値と２クロック前の量子化値とに基づいて、ライトクロックの位相ずれ量を精度良く測定することが可能となる。
位相ずれ量テーブル１３には、位相ずれ量測定用ビットとライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量との対応情報が予め記憶される。
記録系２は、クロック位相調整部２１と記録部２２とを備える。クロック位相調整部２１は、位相ずれ量測定部１２によって測定された位相ずれ量に基づいて、磁気記憶媒体４のデータ記録用ビットにデータを記録するときのライトクロックを生成する。例えば、クロック位相調整部２１は、上記測定された位相ずれ量をキャンセル又は最小化するようにライトクロックの位相を調整する。これにより、ライトクロックとデータ記録用ビットとが同期する。記録部２２は、生成（調整）されたライトクロックを用いて、ライト電流を記録再生用ヘッド６に供給し、該ライト電流によって生じる記録磁界でデータ記録用ビットにデータを記録する。これにより、データ記録用ビットにデータを記録する際の記録同期を図ることができる。
図２は、位相ずれ量テーブルの例を示す図である。位相ずれ量テーブルには、例えば、磁気記憶媒体４上に形成された位相ずれ量測定用ビットの配置順序をｎとして、ｎとライトクロックの位相ずれ量との対応情報が予め記憶される。
図３は、本実施形態の磁気記憶媒体上のトラックフォーマット例を示す図である。図３に示す例では、位相ずれ量測定用ビット（群）が、磁気記憶媒体４上の領域のうち、データ記録用ビットが形成されている領域（以下、データ記録領域）４１の前の領域に形成されている。なお、ギャップ領域は、少なくとも、位相ずれ量の測定処理とライトクロックの生成処理に要する時間に相当する長さを持つ。
図４は、データ記録用ビットの例を示す図である。図４に示す矩形で囲った部分は、それぞれデータの１ビットに対応する領域を示す。図４中の塗りつぶし部分が、データ記録用ビットに含まれる磁性ドットである。図４に示すように、データ記録用ビットには１又は複数の磁性ドットが含まれる。また、各々の磁性ドットの形状は、図４（Ａ）に示すように矩形でもよく、図４（Ｂ）及び図４（Ｄ）に示すように円形でもよく、図４（Ｃ）及び図４（Ｅ）に示すように楕円形でもよい。なお、位相ずれ量測定用ビットも、図４に示すデータ記録用ビットと同様に、１又は複数の磁性ドットを含んでいる。
図５及び図６は、不定である再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットの決定処理の例を説明する図である。図５（Ａ）はライト電流波形を示す。図５（Ｂ）は、ライト記録用ビット１００を示す。図５（Ｃ）は、位相ずれ量測定用ビット１０１を示す。
図５（Ａ）中の太線で示すライト電流波形は、図５（Ｂ）に示すデータ記録用ビット１００との位相ずれ量、すなわち、隣り合う２つのデータ記録用ビット１００間の中央部と記録磁界の遷移位置との位相ずれ量が０ｄｅｇであるライト電流波形である。本実施形態においては、各々の位相ずれ量測定用ビット１０１は、データ記録用ビット１００の周期的な基準位置２００から所定の量だけずらして配置されている。例えば、ｎを磁気記憶媒体４上に形成された位相ずれ量測定用ビット１０１の配置順序、ｐ（ｎ）をｎ番目の位相ずれ量測定用ビット１０１の上記基準位置２００からのずれ量、Ｐｄをデータ記録用ビットの周期、Ｎ０を位相ずれ量の測定分解能Δωに対応した２πの分割数として、各々の位相ずれ量測定用ビット１０１が、ｐ（ｎ）＝Ｐｄｎ／Ｎ０を満たすように配置されている。なお、上記位相ずれ量の測定分解能Δωは、２π／Ｎ０で表される。
また、図５（Ｃ）中に示す位相ずれ量測定用ビット１０１において、ハッチングが施された部分におけるハッチングパターンは、磁化の方向に対応している。異なるハッチングパターンは、異なる磁化の方向を示す。各々の位相ずれ量測定用ビット１０１において、ハッチングパターンが変化している部分が、記録磁界の遷移が起こっている部分である。記録磁界の遷移が位相ずれ量測定用ビット１０１の中央で記録磁界の遷移が起こっている場合、この位相ずれ量測定用ビット１０１の再生信号は不定となる。本実施形態の磁気記憶装置は、記録磁界の遷移が位相ずれ量測定用ビット１０１の中央で記録磁界の遷移が起こっている（再生信号が不定である）位相ずれ量測定用ビット１０１を決定し、位相ずれ量テーブル１３を参照して、上記決定された位相ずれ量測定用ビット１０１に対応する位相ずれ量を測定する。
例えば、図５（Ｃ）の第１列目の位相ずれ量測定用ビット１０１のうち、中央で記録磁界の遷移が起こっている位相ずれ量測定用ビット１０１は、点線の矩形で囲ったｎ＝３に対応する位相ずれ量測定用ビット１０１である。すなわち、図６に示すように、このｎ＝３に対応する位相ずれ量測定用ビット１０１の再生信号は、位相ずれ量測定用ビット１０１のどの磁化の方向に対応した信号レベルを有するかが定まらないので、不定となる。本実施形態の磁気記憶装置が備える位相ずれ量測定部１２は、例えば、図２に示す位相ずれ量テーブル１３を参照して、０ｄｅｇをｎ＝３の位相ずれ量測定用ビット１０１に対応する位相ずれ量として決定する。また、図５（Ｃ）の第２列目の位相ずれ量測定用ビット１０１については、位相ずれ量測定部１２は、ｎ＝４に対応する位相ずれ量測定用ビット１０１の再生信号が不定であると判断し、位相ずれ量テーブル１３を参照して、６０ｄｅｇをｎ＝４の位相ずれ量測定用ビット１０１に対応する位相ずれ量として決定する。同様にして、位相ずれ量測定部１２は、図５（Ｃ）の第３列目、第４列目、第５列目、第６列目の位相ずれ量測定用ビット１０１については、それぞれ、ｎ＝５、ｎ＝０、ｎ＝１、ｎ＝２の位相ずれ量測定用ビット１０１の再生信号が不定であると判断する。そして、１２０ｄｅｇ、１８０ｄｅｇ、２４０ｄｅｇ、３００ｄｅｇを、位相ずれ量測定用ビット１０１に対応する位相ずれ量として決定する。
図７は、不定である再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットの決定処理の例の詳細を説明する図である。図７に示す例では、位相ずれ量測定部１２が、再生部１１が出力した再生信号を磁気記憶媒体４に形成されたデータ記録用ビットの読み取り用クロックで読み取る。図７中の黒丸に対応する値が、読み取った再生信号の値（読み取り値）である。そして、位相ずれ量測定部１２が、読み取り値の量子化値を求める。位相ずれ量測定部１２は、求めた量子化値に基づいて、再生信号が不定であるかを判断する。そして、位相ずれ量測定部１２は、不定であると判断された再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットを決定する。
具体的には、位相ずれ量測定部１２が、再生信号が上に振れた場合を１、下に振れた場合を０として、読み取った再生信号の値（読み取り値）を量子化する。例えば、図７に示す例では、量子化値は１０１Ｘ1 Ｘ2 ０１と表される。Ｘ1 Ｘ2は、再生信号が不定となる部分に対応する量子化値である。この例では、ｎ＝３の位相ずれ量測定用ビットの付近の再生信号の読み取り値の量子化値がＸ1 Ｘ2 である。Ｘ1 Ｘ2 がとる値の可能性を考慮すれば、量子化値は、１０１０００１、１０１１００１、１０１０１０１、又は１０１１１０１の４通りである。しかし、図７に示す例では、Ｘ1 Ｘ2 が１０または０１となる確率は非常に小さいと考えられ、読み取り値としては１０１０００１、１０１１１０１の２つを考えればよい。そこで、位相ずれ量測定部１２は、量子化値における０の連続、又は１の連続を検出し、０の連続、又は１の連続が検出されたときの再生信号が不定であると判断し、該不定であると判断された再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットを決定する。図７に示す例において、Ｘ1 Ｘ2 が００又は１１である場合、ｎ＝３の位相ずれ量測定用ビットが、不定である再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットとして決定される。
図８は、実施例１を説明する図である。実施例１においては、位相ずれ量測定部１２が、図８中に示すような、遅延回路１２１と排他的論理和回路（ＥｘＯＲ）１２２とを備える。遅延回路１２１は、現在の量子化値の１クロック前の量子化値を出力する。ＥｘＯＲ１２２は、現在の量子化値と遅延回路１２１の出力値との排他的論理和をとって、該排他的論理和の値Ｙを出力する。例えば、図７に示すＸ2 がＥｘＯＲ１２２に入力され、Ｘ2 より１クロック前の量子化値であるＸ1 が遅延回路１２１から出力されてＥｘＯＲ１２２に入力されたとする。ＥｘＯＲ１２２の出力値Ｙが０である場合、Ｘ1 Ｘ2 は、００又は１１である。そこで、位相ずれ量測定部１２は、Ｙが０であるかを判断し、Ｙが０であると判断した場合に、０又は１が連続した、すなわち、再生信号が不定であると判断する。
図９及び図１０は、実施例２を説明する図である。実施例２においても、実施例１と同様に、位相ずれ量測定部１２が、再生部１１が出力した再生信号を磁気記憶媒体４に形成された磁性ドットを含むデータ記録用ビットの読み取り用クロックで読み取る。図９中の黒丸に対応する値が、読み取った再生信号の値（読み取り値）である。そして、位相ずれ量測定部１２が、読み取り値の量子化値を求める。
図９中のｂi が示す量子化値列１０１Ｘ1 Ｘ2０１は、位相ずれ量測定部１２によって求められた量子化値の列である。ｂi-1 が示す量子化値列０１０１Ｘ1Ｘ2 ０は、ｂi の１クロック前の量子化値列である。ｃi は、ｂi とｂi-1 との排他的論理和の値である。なお、図９に示す例では、ｂi 中のＸ1 Ｘ2は、ｎ＝３の位相ずれ量測定用ビットの付近の再生信号の読み取り値の量子化値であるものとする。
再生信号が通常状態（不定でない状態）である場合、連続する量子化値は、０１又は１０である。一方、再生信号が不定である場合、連続する量子化値は１１又は００である。例えば、図９中に示すｂi におけるＸ1 Ｘ2が１１である場合、図９中に示すｃi におけるＹ1 Ｙ2 Ｙ3は００１である。また、ｂi におけるＸ1 Ｘ2 が００である場合、ｃi におけるＹ1 Ｙ2 Ｙ3 は１００である。従って、再生信号が不定である場合、Ｙ1 Ｙ2 Ｙ3が示す量子化列中に、０が連続する部分が出現する。そこで、実施例２においては、位相ずれ量測定部１２は、ｃi 中の０が連続する部分を検出し、０が連続する部分が検出されたときの再生信号が不定であると判断する。そして、位相ずれ量測定部１２は、不定であると判断した再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビット（この例では、ｎ＝３の位相ずれ量測定用ビット）を決定する。
実施例２においては、位相ずれ量測定部１２は、図１０に示すように、２つの遅延回路１３１、１３２と、排他的論理和回路（ＥｘＯＲ）１３３と、否定論理和回路（ＮＯＲ）１３４とを備える。遅延回路１３１は、現在の量子化値の１クロック前の量子化値を出力する。現在の量子化値は、図９に示すｂi 中の量子化値である。現在の量子化値の１クロック前の量子化値は、図９に示すｂi-1 における、上記現在の量子化値の１クロック前の量子化値である。ＥｘＯＲ１３３は、現在の量子化値と遅延回路１２１の出力値との排他的論理和をとって、該排他的論理和の値ｃi を出力する。
遅延回路１３２は、ＥｘＯＲ１３３が出力した現在の排他的論理和の値ｃiの１クロック前の排他的論理和の値ｃi-1 を出力する。ＮＯＲ１３４は、ｃi とｃi-1 との否定論理和をとって、該否定論理和の値ｄを出力する。ｃi 中に、０が連続する部分が出現するためには、ＮＯＲ１３４の出力値ｄが１である必要がある。そこで、位相ずれ量測定部１２は、ｄが１であるかを判断し、ｄが１であると判断した場合に、ｃi 中に０が連続する部分が出現した、すなわち、再生信号が不定であると判断する。
図１１及び図１２は、実施例３を説明する図である。実施例３においても、実施例１と同様に、位相ずれ量測定部１２が、再生部１１が出力した再生信号を磁気記憶媒体４に形成された磁性ドットを含むデータ記録用ビットの読み取り用クロックで読み取る。図１１中の黒丸に対応する値が、読み取った再生信号の値（読み取り値）である。そして、位相ずれ量測定部１２が、読み取り値の量子化値を求める。
図１１中のｂi が示す量子化値列１０１Ｘ1 Ｘ2０１は、位相ずれ量測定部１２によって求められた量子化値の列である。ｂi-2 が示す量子化値列１０１０１Ｘ1Ｘ2 は、ｂi の２クロック前の量子化値列である。ｅi は、ｂi とｂi-2 との排他的論理和の値である。なお、図１１に示す例では、ｂi 中のＸ1 Ｘ2は、ｎ＝３の位相ずれ量測定用ビットの付近の再生信号の読み取り値の量子化値であるものとする。
再生信号が通常状態である場合、連続する量子化列は１０又は０１であり、ｅi は０である。一方、再生信号が不定である場合、連続する量子化列は１１又は００である。例えばＸ1 Ｘ2 が１１である場合、図１１中に示すｅi におけるＺ1 Ｚ2 Ｚ3 Ｚ4 は０１０１である。また、Ｘ1 Ｘ2が００である場合、ｅi におけるＺ1 Ｚ2 Ｚ3Ｚ4 は１０１０である。従って、再生信号が不定である場合、ｅi 中に１が出現する。そこで、実施例２においては、位相ずれ量測定部１２は、ｅi 中の１が出現する部分を検出し、１が出現する部分が検出されたときの再生信号が不定であると判断する。そして、位相ずれ量測定部１２は、不定であると判断した再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビット（この例では、ｎ＝３の位相ずれ量測定用ビット）を決定する。
実施例３においては、位相ずれ量測定部１２は、図１２に示すように、２つの遅延回路１４１、１４２と、排他的論理和回路（ＥｘＯＲ）１４３とを備える。遅延回路１４１、１４２は、それぞれ、入力される量子化値の１クロック前の量子化値を出力する。従って、遅延回路１４１に現在の量子化値が入力されると、遅延回路１４２は、現在の量子化値の２クロック前の量子化値（ｂi-2 ）を出力する。ＥｘＯＲ１２２は、現在の量子化値ｂi と遅延回路１２１の出力値ｂi-2 との排他的論理和をとって、該排他的論理和の値ｅi を出力する。位相ずれ量測定部１２は、ｅi が１であるかを判断し、ｅi が１であると判断した場合に、再生信号が不定であると判断する。
１ 再生系
２ 記録系
４ 磁気記憶媒体
５ トラック
６ 記録再生用ヘッド
７ ヘッド支持機構／位置決め機構
１１ 再生部
１２ 位相ずれ量測定部
１３ 位相ずれ量テーブル
２１ クロック位相調整部
２２ 記録部

Claims (10)

  1. 孤立した磁性ドットが形成されている磁気記憶媒体の、１又は複数の磁性ドットを含むビットに対してデータを記録する磁気記憶装置であって、
    前記磁気記憶媒体に形成され、ユーザデータを記録するためのデータ記録用ビットと周期的に同期し、かつ当該データ記録用ビットと所定量だけずれて配置される位相ずれ量測定用ビットを読み取って再生信号を出力する再生手段と、
    前記位相ずれ量測定用ビットから読み出された再生信号に基づいて位相ずれ量を測定する位相ずれ量測定手段とを備え、
    前記位相ずれ量測定手段は、
    前記再生信号を前記磁気記憶媒体に形成された前記データ記録用ビットの読み取り用クロックで読み取り、
    前記読み取った再生信号の量子化値を求め、
    前記求めた量子化値に基づいて前記再生信号が不定であるかを判断し、
    前記不定であると判断された再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットを決定し、
    予め所定の記憶手段に記憶された、位相ずれ量測定用ビットと所定周期のライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量との対応情報に基づいて、前記決定された位相ずれ量測定用ビットに対応する位相ずれ量を前記ライトクロックの位相ずれ量として決定する磁気記憶装置。
  2. 前記所定量は、２πの整数分の１である請求項１に記載の磁気記憶装置。
  3. 前記位相ずれ量測定手段は、
    現在の量子化値と１クロック前の量子化値との排他的論理和の値が０であるかを判断し、該排他的論理和の値が０であると判断した場合に、前記再生信号が不定であると判断する請求項２に記載の磁気記憶装置。
  4. 前記位相ずれ量測定手段は、
    現在の量子化値と１クロック前の量子化値との排他的論理和の値を求め、現在の排他的論理和の値と１クロック前の排他的論理和の値との否定論理和の値が１であるかを判断し、該否定論理和の値が１であると判断した場合に、前記再生信号が不定であると判断する請求項２に記載の磁気記憶装置。
  5. 前記位相ずれ量測定手段は、
    現在の量子化値と２クロック前の量子化値との排他的論理和の値が１であるかを判断し、該排他的論理和の値が１であると判断した場合に、前記再生信号が不定であると判断する請求項２に記載の磁気記憶装置。
  6. 孤立した磁性ドットが形成されている磁気記憶媒体の、１又は複数の磁性ドットを含むビットに対してデータを記録する磁気記憶装置に適用し、ライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量を測定する位相ずれ量測定方法であって、
    前記磁気記憶媒体に形成され、ユーザデータを記録するためのデータ記録用ビットと周期的に同期し、かつ当該データ記録用ビットと所定量だけずれて配置される位相ずれ量測定用ビットを読み取って再生信号を出力し、
    前記再生信号を前記磁気記憶媒体に形成された前記データ記録用ビットの読み取り用クロックで読み取り、
    前記読み取った再生信号の量子化値を求め、
    前記求めた量子化値に基づいて前記再生信号が不定であるかを判断し、
    前記不定であると判断された再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットを決定し、
    予め所定の記憶手段に記憶された、位相ずれ量測定用ビットと所定周期のライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量との対応情報に基づいて、前記決定された位相ずれ量測定用ビットに対応する位相ずれ量を前記ライトクロックの位相ずれ量として決定する位相ずれ量測定方法。
  7. 前記所定量は、２πの整数分の１である請求項６に記載の位相ずれ量測定方法。
  8. 現在の量子化値と１クロック前の量子化値との排他的論理和の値が０であるかを判断し、該排他的論理和の値が０であると判断した場合に、前記再生信号が不定であると判断する請求項７に記載の位相ずれ量測定方法。
  9. 現在の量子化値と１クロック前の量子化値との排他的論理和の値を求め、現在の排他的論理和の値と１クロック前の排他的論理和の値との否定的論理和の値が１であるかを判断し、該否定的論理和の値が１であると判断した場合に、前記再生信号が不定であると判断する請求項７に記載の位相ずれ量測定方法。
  10. 現在の量子化値と２クロック前の量子化値との排他的論理和の値が１であるかを判断し、該排他的論理和の値が１であると判断した場合に、前記再生信号が不定であると判断する請求項７に記載の位相ずれ量測定方法。
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