JP4940418B2 - 磁気記憶装置及び磁気記憶媒体 - Google Patents
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Description
本実施形態においては、磁気記憶媒体4は、例えばパターンドメディアである。磁気記憶媒体4のトラック5には、互いに物理的に孤立した磁性ドットが形成されている。また、磁気記憶媒体4のビットは、1又は複数の磁性ドットを含む。例えば、トラック5には、位相ずれ量測定用ビットとデータ記録用ビットとが形成されており、位相ずれ量測定用ビットとデータ記録用ビットの各々が、1又は複数の磁性ドットを含んでいる。位相ずれ量測定用ビットは、その再生信号からライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量を測定するために用いられるビットである。
本実施形態においては、位相ずれ量測定用ビットには、所定のライトクロックでデータが予め記録されているものとする。位相ずれ量測定用ビットに、データ記録用ビットへデータを記録する際のライトクロックが有する最高周波数でデータが予め記録されていてもよい。データ記録用ビットは、ユーザデータを記録するために用いられるビットである。データ記録用ビットは、データ記録用ビットが形成されている領域と異なる領域に形成されている。
再生信号が不定であるとは、再生信号の信号レベルが、ライトクロックに基づく記録磁界によって磁化される位相ずれ量測定用ビットの、磁化のどの方向に対応する信号レベルであるかが定まらないことをいう。具体的には、位相ずれ量測定部12は、不定であると判断された再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットを決定する。そして、位相ずれ量測定部12は、予め位相ずれ量テーブル13に記憶された、位相ずれ量測定用ビットとライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量との対応情報に基づいて、上記決定された位相ずれ量測定用ビットに対応する位相ずれ量を、ライトクロックの位相ずれ量として決定する。これにより、ライトクロックの位相ずれ量を精度よく決定することができる。位相ずれ量テーブル13には、位相ずれ量測定用ビットとライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量との対応情報が予め記憶される。
図5(A)中の太線で示すライト電流波形は、図5(B)に示すデータ記録用ビット100との位相ずれ量、すなわち、隣り合う2つのデータ記録用ビット100間の中央と記録磁界の遷移位置との位相ずれ量が0degであるライト電流波形である。本実施形態においては、各々の位相ずれ量測定用ビット101は、データ記録用ビット100の周期的な基準位置200から所定の量だけずらして配置されている。例えば、nを磁気記憶媒体4上に形成された磁性ドットを含む位相ずれ量測定用ビット101の配置順序、p(n)をn番目の位相ずれ量測定用ビット101の上記基準位置200からのずれ量、Pdをデータ記録用ビットの周期、N0を位相ずれ量の測定分解能Δωに対応した2πの分割数として、各々の位相ずれ量測定用ビット101が、p(n)=Pdn/N0を満たすように配置されている。なお、上記位相ずれ量の測定分解能Δωは、2π/N0で表される。
前記磁気記憶媒体に形成された位相ずれ量測定用ビットを読み取って再生信号を出力する再生手段と、
前記再生信号が不定であるかを判断し、該判断結果に基づいて、ライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量を測定する位相ずれ量測定手段とを備える
ことを特徴とする磁気記憶装置。
ことを特徴とする付記1記載の磁気記憶装置。
ことを特徴とする付記1記載の磁気記憶装置。
前記生成されたライトクロックを用いて、前記データ記録用ビットにデータを記録する記録手段とを備える
ことを特徴とする付記1記載の磁気記憶装置。
前記位相ずれ量測定手段が、前記データ記録用ビットが形成されている領域の後ろの領域に配置された位相ずれ量測定用ビットに対応する再生信号が不定であるかを判断し、該判断結果に基づいて、ライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量を測定し、
前記測定された位相ずれ量と所定の閾値とを比較し、前記測定された位相ずれ量が前記閾値より大きい場合に、前記記録手段に指示して、前記位相ずれ量測定用ビットが形成されている領域の前の領域に形成されているデータ記録用ビットに対してデータを記録させる制御手段を備える
ことを特徴とする付記4記載の磁気記憶装置。
前記記録手段が、前記データ記録用ビットが形成されている領域の前の領域に形成されている位相ずれ量測定用ビットの再生信号に基づいて測定された位相ずれ量に基づいて生成されたライトクロックを用いて、前記データ記録用ビットにデータを記録し、
前記制御手段が、前記データ記録用ビットが形成されている領域の後ろの領域に形成されている位相ずれ量測定用ビットの再生信号に基づいて測定された位相ずれ量と所定の閾値とを比較し、該測定された位相ずれ量が該閾値より大きい場合に、前記記録手段に指示して、前記データ記録用ビットに対してデータを再記録させる
ことを特徴とする付記4記載の磁気記憶装置。
各々の位相ずれ量測定用ビットが、p(n)=Pdn/N0を満たすように配置されている
ことを特徴とする付記1記載の磁気記憶装置。
前記磁気記憶媒体のビットが1又は複数の磁性ドットを含んでおり、
前記磁気記憶媒体のデータ記録用ビットが形成されている領域と異なる領域に、ライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量の測定に用いられる位相ずれ量測定用ビットが形成されており、
前記位相ずれ量が、前記位相ずれ量測定用ビットの再生信号が不定であるかについての判断結果に基づいて測定される
ことを特徴とする磁気記憶媒体。
ことを特徴とする付記8記載の磁気記憶媒体。
ことを特徴とする付記8記載の磁気記憶媒体。
ことを特徴とする付記8記載の磁気記憶媒体。
前記位相ずれ量が、前記データ記録用ビットが形成されている領域の後ろの領域に形成されている位相ずれ量測定用ビットの再生信号が不定であるかについての判断結果に基づいて測定され、
前記測定された位相ずれ量と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記位相ずれ量測定用ビットが形成されている領域の前の領域に形成されているデータ記録用ビットに対してデータが記録される
ことを特徴とする付記11記載の磁気記憶媒体。
前記データ記録用ビットが形成されている領域の前の領域に形成されている位相ずれ量測定用ビットの再生信号に基づいて測定された位相ずれ量に基づいて生成されたライトクロックを用いて、前記データ記録用ビットにデータが記録され、
前記データ記録用ビットが形成されている領域の後ろの領域に形成されている位相ずれ量測定用ビットの再生信号に基づいて測定された位相ずれ量と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記データ記録用ビットに対してデータが再記録される
ことを特徴とする付記11記載の磁気記憶媒体。
各々の位相ずれ量測定用ビットが、p(n)=Pdn/N0を満たすように配置されている
ことを特徴とする付記8記載の磁気記憶媒体。
2 記録系
3 制御系
4 磁気記憶媒体
5 トラック
6 記録再生用ヘッド
7 ヘッド支持機構/位置決め機構
11 再生部
12 位相ずれ量測定部
13 位相ずれ量テーブル
21 クロック位相調整部
22 記録部
31 位相ずれ閾値発生部
32 比較部
Claims (8)
- 孤立した磁性ドットが形成されている磁気記憶媒体の、1又は複数の磁性ドットを含む
ビットに対してデータを記録する磁気記憶装置であって、
前記磁気記憶媒体に形成された位相ずれ量測定用ビットを読み取って再生信号を出力する再生手段と、
前記再生信号が不定であるかを判断し、該判断結果に基づいて、ライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量を測定する位相ずれ量測定手段と
を具備する磁気記憶装置。 - 前記位相ずれ量測定手段が、前記不定であると判断された再生信号に対応する位相ずれ量測定用ビットを決定し、予め所定の記憶手段に記憶された、位相ずれ量測定用ビットとライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量との対応情報に基づいて、前記決定された位相ずれ量測定用ビットに対応する位相ずれ量を決定する請求項1に記載の磁気記憶装置。
- 前記位相ずれ量測定用ビットが、前記磁気記憶媒体上の領域のうち、前記データ記録用ビットが形成されている領域の前の領域に形成されている請求項1に記載の磁気記憶装置。
- 前記測定された位相ずれ量に基づいて前記データ記録用ビットにデータを記録するときのライトクロックを生成するライトクロック生成手段と、
前記生成されたライトクロックを用いて、前記データ記録用ビットにデータを記録する記録手段と
を具備する請求項1に記載の磁気記憶装置。 - 前記位相ずれ量測定用ビットが、前記磁気記憶媒体上の領域のうち、前記データ記録用ビットが形成されている領域の後ろの領域に形成されており、
前記位相ずれ量測定手段が、前記データ記録用ビットが形成されている領域の後ろの領域に配置された位相ずれ量測定用ビットに対応する再生信号が不定であるかを判断し、該判断結果に基づいて、ライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量を測定し、
前記測定された位相ずれ量と所定の閾値とを比較し、前記測定された位相ずれ量が前記閾値より大きい場合に、前記記録手段に指示して、前記位相ずれ量測定用ビットが形成されている領域の前の領域に形成されているデータ記録用ビットに対してデータを記録させる制御手段を具備する請求項4に記載の磁気記憶装置。 - 孤立した磁性ドットが形成されている磁気記憶媒体であって、
前記磁気記憶媒体のビットが1又は複数の磁性ドットを含んでおり、
前記磁気記憶媒体のデータ記録用ビットが形成されている領域と異なる領域に、ライトクロックのデータ記録用ビットに対する位相ずれ量の測定に用いられる位相ずれ量測定用ビットが形成されており、
nを前記磁気記憶媒体上に形成された前記位相ずれ量測定用ビットの配置順序、p(n)をn番目の位相ずれ量測定用ビットのデータ記録用ビットの周期的な基準位置からのずれ量、Pdをデータ記録用ビットの周期、N0を位相ずれ量の測定分解能に対応した2πの分割数として、各々の位相ずれ量測定用ビットが、p(n)=Pdn/N0を満たすように配置されている磁気記憶媒体。 - 前記位相ずれ量測定用ビットが、前記磁気記憶媒体上の領域のうち、前記データ記録用ビットが形成されている領域の前の領域に形成されている請求項6に記載の磁気記憶媒体。
- 前記位相ずれ量測定用ビットが、前記磁気記憶媒体上の領域のうち、前記データ記録用ビットが形成されている領域の後ろの領域に形成されている請求項6に記載の磁気記憶媒体。
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