JP2003059037A

JP2003059037A - 高密度磁気記録媒体

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Publication number: JP2003059037A
Application number: JP2001248817A
Authority: JP
Inventors: Hiroki Kodama; 宏喜児玉; Nobutaka Ihara; 宣孝井原; Takuya Uzumaki; 拓也渦巻
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2001-08-20
Filing date: 2001-08-20
Publication date: 2003-02-28

Abstract

(57)【要約】【課題】高密度磁気記録媒体に関し、磁性結晶粒径を
十分微細化且つ均一化し、再現性良く成長させて、Ｓ／
Ｎ比を高める。【解決手段】Ａｌ系合金基板或いはガラス基板のいず
れかからなる基板１上に、少なくとも非晶質膜２、下地
層３、及び、磁性層８を設けるとともに、下地層３を第
１の下地層４と第２の下地層５とにより構成し、第１の
下地層４と第２の下地層５との間に第１の下地層４より
表面エネルギの大きい材料からなるシード層６を設け
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高密度磁気記録媒体
に関するものであり、特に、低ノイズで高出力を得るた
めに微細な結晶粒を形成するためのシード（ｓｅｅｄ）
層の構成に特徴のある高密度磁気記録媒体に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスクに代表される磁気
記録装置の記録密度の上昇は著しく、そのため、記録ビ
ット間は記録密度の上昇に応じて狭くなってきている。
より小さな記録ビットを磁気記録媒体に形成するために
は、記録ヘッドの高性能化もさることながら、記録密度
を高くすると再生出力が低下するとともにノイズが増加
してＳ／Ｎ比が低下してしまうので、磁気記録媒体の低
ノイズ化による高Ｓ／Ｎ化が重要になる。

【０００３】そこで、従来の磁気記録媒体においては、
高Ｓ／Ｎ化のために様々な試みが成されており、例え
ば、下地層の結晶配向性の制御や磁性層の結晶配向性の
向上、格子整合、中間層の採用、或いは、磁性層の組成
調整による高保磁力化等の多数の方法が挙げられる。こ
こにあげた手法は、ごく一例に過ぎず、他にも様々な手
法が存在する。

【０００４】さらに、高Ｓ／Ｎ化のためには磁性結晶粒
径の微細化も重要であり、そのために、磁性層を構成す
る材料組成の調整、或いは、これらの材料組成にＴａや
Ｂ等の微量元素を添加する添加元素による構成元素の調
整が行われている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現状の
磁気記録媒体の磁性結晶粒径は約１０ｎｍ程度まで微細
化されており、上述の高Ｓ／Ｎ比を得るための磁性層を
構成する材料組成の調整や添加元素による調整では、所
期の微細化が必ずしも得られず、限界が見えはじめてい
るところが問題である。

【０００６】したがって、本発明は、磁性結晶粒径を十
分微細化且つ均一化し、再現性良く成長させて、Ｓ／Ｎ
比を高めることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図におけ
る符号１２は、ＤＬＣ等の保護膜である。図１参照上述の課題を解決するために、本発明においては、Ａｌ
系合金基板或いはガラス基板のいずれかからなる基板１
上に、少なくとも非晶質膜２、下地層３、及び、磁性層
８を設けた高密度磁気記録媒体において、下地層３が第
１の下地層４と第２の下地層５からなるとともに、第１
の下地層４と第２の下地層５との間に第１の下地層４よ
り表面エネルギの大きい材料からなるシード層６を設け
たことを特徴とする。

【０００８】また、下地層３と磁性層８との間に中間層
７を設けた場合には、中間層７と磁性層８との間に前記
中間層７より表面エネルギの大きい材料からなるシード
層６を設けても良く、或いは、磁性層８を、第１の磁性
層９、交換結合を行う介在層１０、及び、第２の磁性層
１１で構成した場合、介在層１０と第２の磁性層１１と
の間に介在層１０より表面エネルギの大きい材料からな
るシード層６を設けても良い。

【０００９】即ち、本発明は、磁性層８を構成する磁性
結晶粒径は、磁性層８より下に設けた層の結晶状態を反
映したエピタキシャル成長であることに着眼し、磁性層
８を成膜する前の段階で磁性層８より下に設ける層の結
晶粒径を微細化することにより磁性層８を構成するＣｏ
系合金の結晶粒径を微細化するといったアプローチであ
る。

【００１０】この様に、微細な磁性結晶粒を得るため
に、ＲｅやＷ等の表面エネルギの大きい材料からなるシ
ード層６を薄く、例えば、連続膜換算で、０．７ｎｍ以
下となるように設けることによって、ＲｅやＷ等を島状
成長させて下地から結晶粒径を微細化し、かつ、下地が
良い配向性であれば、その配向性を保持することができ
る。

【００１１】即ち、ＲｅやＷ等の表面エネルギの大きい
材料をシード層６として設けることで、シード層６の島
状成長を反映し、エピタキシャル成長するために、Ｃｒ
系合金の結晶粒径が微細化し、それに伴いＣｏ系磁性結
晶粒が微細化するので、組成調整や材料調整を行わなく
ても、Ｃｏ系の磁性結晶粒径が微細化することができ、
それによって、高記録密度の記録・再生に適した磁気記
録媒体の製造が可能となる。

【００１２】また、この様な高密度磁気記録媒体を用い
て高密度磁気記録装置を構成することによって、記録密
度の向上が可能になる。

【００１３】

【発明の実施の形態】ここで、図２を参照して、本発明
の第１の実施の形態の磁気記録媒体の製造工程を概念的
に説明する。なお、各図は本発明の第１の実施の形態の
磁気記録媒体の概略的構成図であり、実際には、基板の
両側に対称的に磁性層からなる記録層等を設けた構造と
なっている。図２（ａ）参照まず、例えば、２．５インチ（≒６．５ｃｍ）のガラス
基板２１上に、到達真空度が３×１０^-6Ｐａで複数のチ
ャンバーがゲートバルブによって仕切られた枚葉式の静
止対向型ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、Ａｒガ
ス圧が、例えば、０．７Ｐａの成膜条件で、厚さが、例
えば、１０ｎｍのＣｒ密着層２２、及び、厚さが、例え
ば、３０ｎｍのＮｉ₈₁Ｐ₁₉からなるＮｉＰ層２３を順次
成膜する。

【００１４】次いで、ＮｉＰ層２３を形成したガラス基
板２１を大気中に晒してＮｉＰ層２３の表面を自然酸化
して酸化膜２４を形成し、ＮｉＰ層２３の表面を確実に
アモルファス化することによって、Ｃｒ系下地層の（２
００）配向性を高める。

【００１５】図２（ｂ）参照次いで、再び、静止対向型ＤＣマグネトロンスパッタ装
置に酸化膜２４を形成したガラス基板２１をセットして
加熱したのち、厚さが、例えば、４ｎｍのＣｒ下地層２
５を成膜したのち、Ｃｒ下地層２５上にＲｅを連続膜換
算で０．７ｎｍ以下成膜して島状Ｒｅシード層２６を形
成する。

【００１６】この島状Ｒｅシード層２６の形成条件は、
０．６８ＰａのＡｒガス雰囲気において、基板を１５０
℃以上に加熱した状態で、例えば、０．２ｎｍ／秒の成
膜レートで、例えば、約３秒間成膜を行うものである。

【００１７】この場合、通常の金属膜の堆積と同様に、
膜厚が極めて薄い状態では、ＮｉＰ層２３上に微小な結
晶成長核が分散して発生し、この微小な結晶成長核を核
として結晶成長が進むが、膜厚が２ｎｍ以下においては
確実に互いに分離した島状膜となる。なお、０．７ｎｍ
の連続膜換算膜厚とは、仮に連続膜として成膜されたと
仮定したときに０．７ｎｍの層が得られるスパッタ量で
ある。

【００１８】図２（ｃ）参照引き続いて、島状Ｒｅシード層２６を形成したガラス基
板２１を隣接するチャンバー内へゲートバルブを介して
搬入し、基板温度を例えば、２２０℃にしたのち、厚さ
が、例えば、３ｎｍのＣｒ₉₀Ｍｏ₁₀からなるＣｒＭｏ下
地層２７を堆積させる。この場合、ＣｒＭｏ下地層２７
は島状Ｒｅシード層２６を成長核としてエピタキシャル
成長するので、島状Ｒｅシード層２６の分布密度に応じ
た大きさの柱状多結晶となるともに、結晶配向性は島状
Ｒｅシード層２６の間から露出するＣｒ下地層２５の影
響を受けるので（２００）配向となる。

【００１９】図２（ｄ）参照引き続いて、ＣｒＭｏ下地層２７を形成したガラス基板
２１を隣接するチャンバー内へゲートバルブを介して搬
入し、基板温度を２２０℃に保った状態で、厚さが、例
えば、１ｎｍのＣｏ₈₂Ｃｒ₁₃Ｔａ₅からなるＣｏＣｒＴ
ａ中間層２８、厚さが、例えば、５ｎｍのＣｏ₅₈Ｃｒ₂₄
Ｐｔ₁₀Ｂ₈からなるＣｏＣｒＰｔＢ磁性層２９、厚さ
が、例えば、０．８ｎｍの交換結合を行うためのＲｕ介
在層３０、及び、厚さが、例えば、１５ｎｍのＣｏ₅₆Ｃ
ｒ₂₁Ｐｔ₁₂Ｂ₆Ｃｕ₅からなるＣｏＣｒＰｔＢＣｕ磁性
層３１を順次エピタキシャル成長させる。

【００２０】次いで、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ磁性層３１を
形成したガラス基板２１を隣接するチャンバー内へゲー
トバルブを介して搬入したのち、厚さが、例えば、５ｎ
ｍのＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）膜３２を堆
積させる。以降は図示を省略するものの、ＤＬＣ膜３２
上にフッ素系の潤滑剤を塗布し、乾燥することによっ
て、高密度磁気記録媒体の基本構成が完成する。

【００２１】この様に製造した磁気記録媒体について各
種の測定を行ったので、図３乃至図５を参照して測定結
果を説明する。なお、測定した磁気記録媒体の場合に
は、テクスチャ加工は行っていない。図３参照図３は、孤立波Ｓ／ＮのＲｅ膜厚依存性の説明図であ
り、図に示すように、Ｒｅ膜厚が連続膜換算で約０．７
ｎｍの範囲までは孤立波Ｓ／Ｎの改善効果が得られ、約
０．３ｎｍにおいて＋０．４ｄＢの改善が見られた。

【００２２】図４参照図４は、面内配向性のＲｅ膜厚依存性の説明図であり、
磁性層の面内配向性を評価するための指標として垂直方
向の保磁力（Ｈ_c垂直）と面内方向の保磁力（Ｈ_c）の
比を用いており、一般にはＨ_c垂直／Ｈ_cが小さいほど
面内配向性が良いことを示している。

【００２３】図から明らかなように、Ｒｅの膜厚が０．
８ｎｍ以下においては、Ｒｅシード層を設けない場合
（Ｒｅ膜厚＝０）に比べて配向性が良いことが理解され
る。また、図４の挿入図は、垂直方向のｋｅｒｒヒステ
リシスループであり、Ｒｅ膜厚＝０．３ｎｍの薄い領域
では、ほとんど保磁力のないループを示し、面内配向性
が良いことはこの点からも理解される。

【００２４】一方、Ｒｅ膜厚が厚くなると、Ｈ_c垂直／
Ｈ_cを定量的に表すのが不可能なるが、右側のＲｅ膜厚
＝１．５ｎｍの挿入図のｋｅｒｒヒステリシスループか
らは、Ｒｅが厚いと垂直方向の保磁力が顕著になり面内
配向性が劣化するためと考えられる。

【００２５】これは、Ｒｅ膜が後述する図５に示してい
るようにＲｅ本来の結晶構造であるｈｃｐ構造をとって
おり、「膜」になると、配向性の劣化を引き起こすと考
えられる。逆にいえば、薄い領域では、島状の成長であ
ることが示唆され、島状であれば、下地のＣｒ結晶性を
引き継ぎ、磁性層も配向するためと考えられる。

【００２６】したがって、島状Ｒｅシード層２６を用い
た作用効果は、磁性層を島状Ｒｅシード層２６を核とし
て成長したＣｒＭｏ下地層２７を介してエピタキシャル
成長させることによって磁性層の結晶粒径を微細化する
ことによる効果であり、微細化の程度はＲｅ成膜時の基
板温度により制御することができる（必要ならば、特願
２００１−３１７７２号参照）。

【００２７】また、Ｒｅシード層２６が島状になる理由
は、Ｒｅシード層２６の連続膜換算膜厚が薄いことにも
よるが、表面張力、即ち、表面エネルギーを考えると、
Ｒｅの表面エネルギーがその下地となるＣｒより大きい
ことにもあると考えられる。即ち、理論上、成長させる
材料の表面エネルギーが下地の表面エネルギーより大き
い場合、表面張力の作用によって成長層が島状成長する
ことになる。

【００２８】図５参照図５は、各種の金属材料の表面エネルギーをその結晶構
造とともに表化して示したものであり、Ｒｅ，Ｗ，Ｍ
ｏ，Ｒｕ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｃｒについては、砂地を施して
ある。

【００２９】図５に示すように、Ｃｒ下地層２５の表面
エネルギーが２．１３９Ｎ／ｍであるのに対して、Ｒｅ
の表面エネルギーは３．６１Ｎ／ｍであり、Ｃｒに比べ
て非常に大きいものとなるので、島状成長が起こるもの
と考えられる。

【００３０】次に、図６を参照して、基板としてＡｌ−
Ｍｇ合金基板を用いた本発明の第２の実施の形態を説明
するが、基本的製造工程は上記の第１の実施の形態と全
く同様であるので、具体的製造方法の説明は省略する。図６参照図６は、本発明の第２の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図であり、実際には、基板の両側に対称的に磁
性層からなる記録層等を設けた構造となっている。ま
ず、例えば、３．５インチ（≒９．５ｃｍ）のＡｌ₉₅Ｍ
ｇ₅（重量比）からなるＡｌ−Ｍｇ合金基板３３上に、
静止対向型ＤＣマグネトロンスパッタ法によって、厚さ
が、例えば、１０ｎｍのＣｒ密着層２２を介して、Ｎｉ
₈₁Ｐ₁₉からなるＮｉＰ層２３を順次堆積させる。

【００３１】以降は、上記の第１の実施の形態と同様
に、ＮｉＰ層２３の表面に自然酸化による酸化膜２４を
形成してＮｉＰ層２３の表面をアモルファス化したの
ち、Ｃｒ下地層２５、島状Ｒｅシード層２６、ＣｒＭｏ
下地層２７、ＣｏＣｒＴａ中間層２８、ＣｏＣｒＰｔＢ
磁性層２９、Ｒｕ介在層３０、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ磁性
層３１、及び、ＤＬＣ膜３２を順次堆積させたのち、Ｄ
ＬＣ膜３２上にフッ素系の潤滑剤を塗布し、乾燥するこ
とによって、高密度磁気記録媒体の基本構成が完成す
る。

【００３２】この第２の実施の形態においては、基板の
構成が異なるだけで基本的特性は、上記の第１の実施の
形態と同様であり、直径が３．５インチ等の大型の磁気
記録媒体にとって有用となる。

【００３３】次に、図７を参照して、Ｒｅ島状シード層
２６をＣｏＣｒＴａ中間層２８とＣｏＣｒＰｔＢ磁性層
２９との間に設けた本発明の第３の実施の形態を説明す
るが、基本的成膜条件は上記の第１の実施の形態と同様
であるので、具体的製造方法の説明は省略する。図７参照図７は、本発明の第３の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図であり、実際には、基板の両側に対称的に磁
性層からなる記録層を設けた構造となっている。まず、
例えば、２．５インチ（≒６．５ｃｍ）のガラス基板２
１上に、Ｃｒ密着層２２及びＮｉＰ層２３を順次堆積さ
せたのち、ＮｉＰ層２３の表面に自然酸化による酸化膜
２４を形成してＮｉＰ層２３の表面をアモルファス化す
る。

【００３４】次いで、Ｃｒ下地層２５、ＣｒＭｏ下地層
２７、及び、ＣｏＣｒＴａ中間層２８を順次堆積したの
ち、Ｒｅを薄く堆積させることによって島状Ｒｅシード
層２６を形成する。

【００３５】次いで、島状Ｒｅシード層２６を結晶成長
核として、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層２９、Ｒｕ介在層３
０、及び、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ磁性層３１をエピタキシ
ャル成長させたのち、ＤＬＣ膜３２を堆積させ、次い
で、ＤＬＣ膜３２上にフッ素系の潤滑剤を塗布し、乾燥
することによって、高密度磁気記録媒体の基本構成が完
成する。

【００３６】この第３の実施の形態においては、Ｒｅの
下地となるのはＣｏＣｒＴａ中間層２８であるが、Ｃｏ
（２．３６Ｎ／ｍ），Ｃｒ（２．１３９Ｎ／ｍ），Ｔａ
（２．７７３Ｎ／ｍ）の表面エネルギーはＲｅ（３．６
１Ｎ／ｍ）の表面エネルギーより小さいので、それらの
合金であるＣｏＣｒＴａの表面エネルギーもＲｅの表面
エネルギーより小さくなり、したがって、Ｒｅは島状成
長することになる。

【００３７】したがって、この第３の実施の形態におい
ても、磁気記録層を構成する磁性層の結晶粒径を小さく
することができるので、上記の第１の実施の形態と同様
に低ノイズの高密度磁気記録媒体の実現が可能になる。

【００３８】次に、図８を参照して、Ｒｅ島状シード層
２６をＲｕ介在層３０とＣｏＣｒＰｔＢＣｕ磁性層３１
との間に設けた本発明の第４の実施の形態を説明する
が、基本的成膜条件は上記の第１の実施の形態と同様で
あるので、具体的製造方法の説明は省略する。図８参照図８は、本発明の第４の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的構成図であり、実際には、基板の両側に対称的に磁
性層からなる記録層等を設けた構造となっている。ま
ず、例えば、２．５インチ（≒６．５ｃｍ）のガラス基
板２１上に、Ｃｒ密着層２２及びＮｉＰ層２３を順次堆
積させたのち、ＮｉＰ層２３の表面に自然酸化による酸
化膜２４を形成してＮｉＰ層２３の表面をアモルファス
化する。

【００３９】次いで、Ｃｒ下地層２５、ＣｒＭｏ下地層
２７、ＣｏＣｒＴａ中間層２８、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層
２９、及び、Ｒｕ介在層３０を順次堆積したのち、Ｒｅ
を薄く堆積させることによって島状Ｒｅシード層２６を
形成する。

【００４０】次いで、島状Ｒｅシード層２６を結晶成長
核として、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ磁性層３１をエピタキシ
ャル成長させたのち、ＤＬＣ膜３２を堆積させ、次い
で、ＤＬＣ膜３２上にフッ素系の潤滑剤を塗布し、乾燥
することによって、高密度磁気記録媒体の基本構成が完
成する。

【００４１】この第４の実施の形態においては、Ｒｅの
下地となるのはＲｕ介在層３０であるが、Ｒｕ（２．７
９２Ｎ／ｍ）の表面エネルギーはＲｅ（３．６１Ｎ／
ｍ）の表面エネルギーより小さいので、Ｒｅは島状成長
することになる。

【００４２】したがって、この第４の実施の形態におい
ても、磁気記録層を構成する磁性層の結晶粒径を小さく
することができるので、上記の第１の実施の形態と同様
に低ノイズの高密度磁気記録媒体の実現が可能になる。

【００４３】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は上記の各実施の形態に記載した構成及び
条件に限られるものではなく、各種の変更が可能であ
る。例えば、アモルファス化層としてＮｉＰを用いてい
るが、ＮｉＰに限られるものではなく、ＣｒＰを用いて
も良いものである。

【００４４】また、上記の各実施の形態においてはシー
ド層をＲｅによって形成しているが、Ｒｅに限られるも
のではなく、その下地となる層の表面エネルギーより表
面エネルギーの大きな金属を用いれば良いものであり、
例えば、表面エネルギーが３．３４３Ｎ／ｍのＷが好適
であり、さらに、単体に限られるものではなく、合金を
用いても良いものである。

【００４５】また、上記の第３及び第４の実施の形態に
おいては、基板としてガラス基板を用いているが、上記
の第２の実施の形態と同様に、Ａｌ−Ｍｇ合金基板を用
いても良いものである。また、Ａｌ系合金基板を用いる
場合には、Ａｌ−Ｍｇ合金に限られるものではなく、Ａ
ｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｓｉ等の他のＡｌ系合金を用いても良
いものである。

【００４６】また、上記の各実施の形態においては、第
２の下地層としてＣｒ₉₀Ｍｏ₁₀を用いているが、他の組
成のＣｒＭｏでも良く、さらには、Ｃｒ、ＣｒＲｕ、或
いは、ＣｒＷを用いても良いものである。

【００４７】また、上記の各実施の形態においては、磁
性層として、Ｃｏ₅₈Ｃｒ₂₄Ｐｔ₁₀Ｂ ₈或いはＣｏ₅₆Ｃｒ
₂₁Ｐｔ₁₂Ｂ₆Ｃｕ₅を用いているが、他の組成比のＣｏ
ＣｒＰｔＢ合金或いはＣｏＣｒＰｔＢＣｕ合金でも良
く、また、Ｃｏ₆₉Ｃｒ₂₁Ｐｔ₈Ｔａ₂等のＣｏＣｒＰｔ
Ｔａ合金、Ｃｏ₇₄Ｃｒ₁₅Ｐｔ₄Ｔａ₄Ｎｂ₃等のＣｏＣ
ｒＰｔＴａＮｂ合金、或いは、Ｃｏ_76.3Ｃｒ₁₇Ｐｔ_6.7
等のＣｏＣｒＰｔ合金を用いても良いものであり、さら
には、Ｃｏ単体でも良く、いずれにしても、Ｃｏまた
は、Ｃｏを主成分とし少なくともＰｔを含むＣｏ合金で
あれば良い。これは、Ｃｏ合金は六方細密構造を有し、
且つ、Ｃｏ−Ｐｔ合金は１軸異方性を有し、適度に高い
保磁力を得ることができるためである。

【００４８】また、上記の各実施の形態においては、中
間層として、Ｃｏ₈₂Ｃｒ₁₃Ｔａ₅を用いているが、他の
組成比のＣｏＣｒＴａ合金を用いても良く、さらには、
ＣｏＣｒＰｔＴａ等の他の合金を用いても良いものであ
る。

【００４９】また、上記の各実施の形態においては、上
下の磁性層の交換結合を行う介在層としてＲｕを用いて
いるが、Ｒｕに限られるものではなく、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅを用いても
良い（必要ならば、Ｓ．Ｓ．Ｐ．Ｐａｒｋｉｎ，Ｐｈｙ
ｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．６７，ｐ．３５９
８，１９９１参照）。

【００５０】また、上記の第１及び第２の実施の形態に
おいては、中間層を用いているが、中間層は必ずしも必
要がないものであり、また、磁性層として交換結合を行
った多層構造の磁性層を用いているが単層の磁性層を用
いても良いものである。

【００５１】また、上記の第３の実施の形態において
は、下地層を２層構造の下地層としているが、単層の下
地層を用いても良く、また、磁性層として交換結合を行
った多層構造の磁性層を用いているが単層の磁性層を用
いても良いものである。

【００５２】また、上記の第４の実施の形態において
も、下地層を２層構造の下地層としているが、単層の下
地層を用いても良く、また、中間層を用いているが、中
間層は必ずしも必要がないものである。

【００５３】また、上記の各実施の形態においては島状
シード層を上下の下地層の間、中間層と磁性層との間、
或いは、介在層と第２磁性層との間に設けているが、第
２下地層と中間層との間に設けても良く、いずれにして
も、直接下地となる層の表面エネルギーがシード層の表
面エネルギーより小さければ良いものである。なお、Ｎ
ｉＰ層等の非晶質膜上に島状シード層を設けた磁気記録
媒体は、本発明者によって、既に提案している（必要な
らば、特願２００１−３１７７２号参照）。

【００５４】ここで、再び、図１を参照して、本発明の
詳細な特徴を改めて説明する。図１参照（付記１）Ａｌ系合金基板或いはガラス基板のいずれ
かからなる基板１上に、少なくとも非晶質膜２、下地層
３、及び、磁性層８を設けた高密度磁気記録媒体におい
て、前記下地層３が第１の下地層４と第２の下地層５か
らなるとともに、第１の下地層４と第２の下地層５との
間に前記第１の下地層４より表面エネルギの大きい材料
からなるシード層６を設けたことを特徴とする高密度磁
気記録媒体。（付記２）Ａｌ系合金基板或いはガラス基板のいずれ
かからなる基板１上に、少なくとも非晶質膜２、下地層
３、及び、磁性層８を設けた高密度磁気記録媒体におい
て、前記下地層３と前記磁性層８との間に中間層７を設
けるとともに、前記中間層７と磁性層８との間に前記中
間層７より表面エネルギの大きい材料からなるシード層
６を設けたことを特徴とする高密度磁気記録媒体。（付記３）Ａｌ系合金基板或いはガラス基板のいずれ
かからなる基板１上に、少なくとも非晶質膜２、下地層
３、及び、磁性層８を設けた高密度磁気記録媒体におい
て、前記磁性層８が、第１の磁性層９、交換結合を行う
介在層１０、及び、第２の磁性層１１からなるととも
に、前記介在層１０と第２の磁性層１１との間に前記介
在層１０より表面エネルギの大きい材料からなるシード
層６を設けたことを特徴とする高密度磁気記録媒体。（付記４）上記シード層６が、不連続の島状シード層
であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記
載の高密度磁気記録媒体。（付記５）上記シード層６の厚さが、連続膜換算で、
０．７ｎｍ以下であることを特徴とする付記４記載の高
密度磁気記録媒体。（付記６）上記シード層６が、Ｒｅ或いはＷのいずれ
かからなることを特徴とする付記４または５に記載の高
密度磁気記録媒体。（付記７）付記１乃至６のいずれか１に記載の高密度
磁気記録媒体を用いたことを特徴とする高密度磁気記録
装置。

【００５５】

【発明の効果】本発明によれば、基板上に下地となる層
より表面エネルギーの大きなＲｅ等の島状のシード層を
介してＣｒ系合金からなる下地層或いは磁性層を堆積さ
せているので、磁性層の結晶粒を島状のシード層の分布
密度に応じて微細化し、それによって、ノイズを低減す
るとともに出力を高めＳ／Ｎを大きくすることができる
ので、ハードディスク装置等の磁気ディスク記録装置の
大容量化及び高密度磁気記録化に寄与するところが大き
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒体の製
造工程の説明図である。

【図３】孤立波Ｓ／ＮのＲｅ膜厚依存性の説明図であ
る。

【図４】面内配向性のＲｅ膜厚依存性の説明図である。

【図５】各種の金属材料の表面エネルギー及び結晶構造
の説明図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的断面図である。

【図７】本発明の第３の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的断面図である。

【図８】本発明の第４の実施の形態の磁気記録媒体の概
略的断面図である。

【符号の説明】

１基板２非晶質膜３下地層４第１の下地層５第２の下地層６シード層７中間層８磁性層９第１の磁性層１０介在層１１第２の磁性層１２保護膜２１ガラス基板２２Ｃｒ密着層２３ＮｉＰ層２４酸化膜２５Ｃｒ下地層２６島状Ｒｅシード層２７ＣｒＭｏ下地層２８ＣｏＣｒＴａ中間層２９ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層３０Ｒｕ介在層３１ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ磁性層３２ＤＬＣ層３３Ａｌ−Ｍｇ合金基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者渦巻拓也神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 5D006 BB07 BB08 CA05 CA06 DA03 EA03 FA09 5E049 BA06 DB02 DB04 DB12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ａｌ系合金基板或いはガラス基板のいず
れかからなる基板上に、少なくとも非晶質膜、下地層、
及び、磁性層を設けた高密度磁気記録媒体において、前
記下地層が第１の下地層と第２の下地層からなるととも
に、第１の下地層と第２の下地層との間に前記第１の下
地層より表面エネルギの大きい材料からなるシード層を
設けたことを特徴とする高密度磁気記録媒体。
【請求項２】Ａｌ系合金基板或いはガラス基板のいず
れかからなる基板上に、少なくとも非晶質膜、下地層、
及び、磁性層を設けた高密度磁気記録媒体において、前
記下地層と前記磁性層との間に中間層を設けるととも
に、前記中間層と磁性層との間に前記中間層より表面エ
ネルギの大きい材料からなるシード層を設けたことを特
徴とする高密度磁気記録媒体。
【請求項３】Ａｌ系合金基板或いはガラス基板のいず
れかからなる基板上に、少なくとも非晶質膜、下地層、
及び、磁性層を設けた高密度磁気記録媒体において、前
記磁性層が、第１の磁性層、交換結合を行う介在層、及
び、第２の磁性層からなるとともに、前記介在層と第２
の磁性層との間に前記介在層より表面エネルギの大きい
材料からなるシード層を設けたことを特徴とする高密度
磁気記録媒体。
【請求項４】上記シード層が、不連続の島状シード層
であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項
に記載の高密度磁気記録媒体。
【請求項５】上記シード層が、Ｒｅ或いはＷのいずれ
かからなることを特徴とする請求項４記載の高密度磁気
記録媒体。