JP2003115106A

JP2003115106A - 垂直磁気記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JP2003115106A
Application number: JP2002199249A
Authority: JP
Inventors: Manabu Shimozato; 学下里
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2001-07-31
Filing date: 2002-07-08
Publication date: 2003-04-18

Abstract

(57)【要約】【課題】媒体ノイズの低減された垂直磁気記録媒体を
提供すること。【解決手段】本発明は、基板上に少なくとも下地層、
中間層、記録層、保護層および潤滑層を順次積層した垂
直磁気記録媒体において、前記中間層がアモルファス構
造を有し、前記中間層をアモルファス構造とすることに
より中間層上に形成された前記記録層の材料が、結晶粒
径が微細化し、粒径分布が均一化される垂直磁気記録媒
体に関する。また、本発明は、上記中間層をアモルファ
ス層および結晶質層から構成する磁気記録媒体に関す
る。更に本発明は、上記垂直磁気記録媒体の製造方法を
開示する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク等
に使用される磁気記録媒体、特に垂直磁気記録媒体およ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報通信分野で扱う情報量の急増に対応
して、磁気記録装置に対しても高記録密度化が求められ
ている。近年の高密度化の要求は年率１００％にも達
し、これに伴い従来の面内磁気記録では高密度化に限界
が見えてきている。この限界を超えるための解決策とし
て、基板に垂直な方向に磁化を形成する垂直磁気記録媒
体が提案されている。

【０００３】一般に、高記録密度を達成するためには、
特に線記録密度に比例して増加する媒体ノイズを低減す
る必要がある。従来の垂直磁気記録媒体ではこの媒体ノ
イズが大きくその低減が問題であった。垂直磁気記録媒
体に関して媒体ノイズを低減するためには、例えば特開
平６−１７６３４０号公報に開示されているようにアモ
ルファスカーボンを中間層に用いる方法、または特開平
１０−１１７３５号公報若しくは特開２００１−９３１
３９号公報に開示されているようにＺｒ、Ｒｕ、Ｔｉ、
ＣｏＣｒ合金などを中間層または下地層に用いて媒体ノ
イズを低減する方法がある。しかし、これらは全て、中
間層上に付与される磁性層の結晶配向性を改善すること
により媒体ノイズを低減するものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】中間層上に付与される
磁性層の結晶配向性を改善する以外の手段により媒体ノ
イズを低減することに関して、まだ改善の要求がある。
すなわち、更なる媒体ノイズの低減を実現するために
は、既知の方法では不十分である。

【０００５】したがって、本発明は垂直磁気記録媒体に
おいて、媒体ノイズを高密度化に充分対応できるように
低減することを目的とする。さらに本発明は、保磁力
（Ｈｃ）および角形（Ｓ）を向上させることを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記観点に鑑み
てなされた発明であり、垂直磁気記録媒体の中間層を利
用して、記録層の結晶粒径を微細化し、記録層の結晶粒
の粒径の分散の均一化を図るものである。すなわち本発
明は、中間層をアモルファス構造とし、中間層をアモル
ファス構造としたことにより、中間層上に形成された記
録層の材料の結晶粒径がより微細化し、粒径の分散が均
一化（すなわち分散の値が低減）された垂直磁気記録媒
体とその製造方法を提供する。

【０００７】さらに、本発明は、上記中間層をアモルフ
ァス層と結晶質層の積層構造とすることにより、特に記
録層のＨｃとＳを向上させることと、磁気記録媒体の低
ノイズ化とを同時に実現する磁気記録媒体とその製造方
法を提供する。

【０００８】具体的には、以下の通りである。

【０００９】本発明の第一は、垂直磁気記録媒体に関す
る。第一の態様は、基板上に少なくとも下地層、中間
層、記録層、保護層および潤滑層を順次積層した垂直磁
気記録媒体において、前記中間層がアモルファス構造を
有し、前記中間層をアモルファス構造としたことにより
中間層上に形成された前記記録層の材料の結晶粒径が微
細化し、粒径分布が均一化される垂直磁気記録媒体に関
する。第一の態様では、中間層の材料がＴｉまたはＺｒ
を含む合金であることが好ましく、特に、中間層の材料
の組成が、Ｔｉ_100-aＸ_a（但しＸはＣｒまたはＲｕであ
り、ａは原子％で、０≦ａ＜１００である。）またはＺ
ｒ_100-bＹ_b（但しＹはＣｒまたはＲｕであり、ｂは原子
％で０≦ｂ＜１００である。）であることが好ましい。
また、中間層の材料の組成においては、上記ａが原子％
で０＜ａ≦５０、ｂが原子％で０＜ｂ≦７５であること
が特に好ましい。特に本発明では、上記ＸがＣｒであ
り、ＹがＲｕであることが好ましい。更に、中間層の膜
厚は１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。

【００１０】第一の発明の第二の態様は、基板上に少な
くとも下地層、中間層、記録層、保護層および潤滑層を
順次積層した垂直磁気記録媒体において、前記中間層が
アモルファス構造を有するアモルファス層および結晶質
構造を有する結晶質層を積層した積層構造を有する垂直
磁気記録媒体に関する。第二の態様では、上記のように
中間層をアモルファス層と結晶質層の積層構造とするこ
とにより、記録層のＨｃとＳを向上させることと、磁気
記録媒体の低ノイズ化とを同時に実現する。

【００１１】第二の態様において、アモルファス層と結
晶質層は、アモルファス層を下地層側に、そして結晶質
層を記録層側に設けることが好ましい。すなわち、アモ
ルファス層と結晶質層の成膜は、アモルファス層、次い
で結晶質層の順で成膜することが好ましい。

【００１２】アモルファス層の材料としては、Ｔｉ合金
が好ましく、ＴｉＣｒがより好ましい。特に、ＴｉＣｒ
の組成をＴｉ_{１００−ａ}Ｃｒ_ａ（但し、ａは原子％であ
る。）と表した場合、ａの値は、１０≦ａ≦２５である
ことが好ましい。

【００１３】第二の態様において、結晶質層の材料とし
ては、ＣｏＣｒＰｔ合金であることが好ましく、ＣｏＣ
ｒＰｔＢであることがより好ましい。第二の態様では、
必要に応じて、結晶質層の材料として、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐ
ｔおよびＢ以外の元素（例えば、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒ
ｕ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｎｉ）を加えることができる。また、
結晶質層は、六方最密構造を有することが好ましい。

【００１４】本発明の第二は、垂直磁気記録媒体の製造
方法に関する。本発明の第一の態様は、基板上に、少な
くとも下地層、中間層、記録層、保護層および潤滑層を
順次積層して垂直磁気記録媒体を製造する垂直磁気記録
媒体の製造方法において、前記中間層がアモルファス構
造で形成され、前記中間層がアモルファス構造であるこ
とにより前記中間層上に形成される前記記録層の材料の
結晶粒径が微細化され、粒径分布が均一化されて形成さ
れる製造方法である。第二の態様では、中間層の材料が
ＴｉまたはＺｒを含む合金であることが好ましく、特
に、中間層の材料の組成が、Ｔｉ_100-aＸ_a（但しＸはＣ
ｒまたはＲｕであり、ａは原子％で、０≦ａ＜１００で
ある。）またはＺｒ_100-bＹ_b（但しＹはＣｒまたはＲｕ
であり、ｂは原子％で０≦ｂ＜１００である。）である
ことがより好ましい。また、中間層の材料の組成におい
て、ａが原子％で０＜ａ≦５０、ｂが原子％で０＜ｂ≦
７５であることが好ましい。特に本発明では、上記Ｘが
Ｃｒであり、ＹがＲｕであることが好ましい。更に、中
間層の膜厚は１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ま
しい。

【００１５】また、第一の発明の第二の態様は、基板上
に、少なくとも下地層、中間層、記録層、保護層および
潤滑層を順次積層して垂直磁気記録媒体を製造する垂直
磁気記録媒体の製造方法において、前記中間層がアモル
ファス構造で形成されたアモルファス層および結晶質構
造で形成された結晶質層を順次積層して形成される製造
方法に関する。

【００１６】第二の態様において、中間層の結晶質層の
結晶構造が六方最密構造であることが好ましい。

【００１７】また、中間層の結晶質層は、Ｃｏ、Ｃｒお
よびＰｔから選択される少なくとも１つの元素を含むこ
とが好ましく、Ｃｏ、Ｃｒ、ＰｔおよびＢから選択され
る少なくとも１つの元素を含むことがさらに好ましい。

【００１８】第二の態様において、中間層のアモルファ
ス層は、Ｔｉ合金であることが好ましく、ＴｉＣｒであ
ることが特に好ましい。

【００１９】

【発明の実施の形態】垂直磁気記録媒体の媒体ノイズを
低減する方法として、記録層の結晶粒の磁化を低減する
方法、記録層の結晶粒同士の磁気的な相互作用を低減す
る方法、記録層の結晶粒の結晶配向性を改善する方法な
どがあるが、本発明は、記録層の結晶粒を微細化する手
段および記録層の結晶粒の粒径の分散を小さくする手
段、特に、垂直磁気記録媒体に中間層を形成し、この中
間層をアモルファス構造とすることにより垂直磁気記録
媒体の媒体ノイズを低減する。

【００２０】さらに、本発明では、中間層をアモルファ
ス層と結晶質層の積層構造とすることにより、更なる媒
体ノイズの低減化と、ＨｃおよびＳの向上を実現する。

【００２１】以下に、本発明を説明する。本発明の第一
は、垂直磁気記録媒体に関する。

【００２２】第一の態様は、基板上に少なくとも下地
層、中間層、記録層、保護層および潤滑層を順次積層し
た垂直磁気記録媒体において、前記中間層がアモルファ
ス構造を有し、前記中間層をアモルファス構造とするこ
とにより中間層上に形成された前記記録層の材料の結晶
粒径が微細化し、粒径分布が均一化される垂直磁気記録
媒体に関する。

【００２３】特に本発明では、図１に示すような構造を
有する垂直磁気記録媒体を提供する。以下に図１を参照
して、第一の態様を説明するが、図１はあくまで例示で
あり、本発明は、これに限定されない。

【００２４】第一の態様に係る垂直磁気記録媒体は、例
えば図１に示すような構造を有する。すなわち、基板１
１上に下地層１２、中間層１３、記録層１４、および保
護層１５が順に成膜された構造を有しており、更にその
上に潤滑層１６が成膜されている垂直磁気記録媒体であ
る。

【００２５】第一の態様において、基板１１は、通常の
磁気記録媒体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ
合金、強化ガラス、あるいは結晶化ガラスなどを用いる
ことができる。

【００２６】下地層１２は、垂直磁気記録用軟磁性下地
層として用いることができる材料から任意に選択するこ
とができるが、非晶質のＣｏ合金、ＮｉＦｅ合金、セン
ダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金などを用いることができ
る。特に本発明では、ＮｉＦｅ合金を好適に使用するこ
とができる。この他にも、非晶質のＣｏ合金として、例
えばＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどを例としてあげる
ことができる。下地層１２の膜厚は、記録に使用する磁
気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、５
ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜厚を有することが望まし
い。

【００２７】第一の態様においては、中間層１３は、そ
の材料として、Ｔｉ、Ｚｒまたはこれらを含む合金を用
いることが好ましい。本発明では、ＴｉまたはＺｒが好
ましいが、例えば、Ｔｉ_100-aＸ_a（但しＸはＣｒまたは
Ｒｕであり、ａは原子％で、０≦ａ＜１００である。）
またはＺｒ_100-bＹ_b（但しＹはＣｒまたはＲｕであり、
ｂは原子％で０≦ｂ＜１００である。）のような合金も
好適である。特に、ＴｉＣｒ合金、ＺｒＲｕ合金のよう
な合金が好ましい。

【００２８】上記合金を用いる場合は、組成を原子％で
表した場合に、Ｔｉ_100-aＸ_a（但し、０＜ａ≦５０）、
Ｚｒ_100-bＹ_b（但し、０＜ｂ≦７５）が好ましく、Ｔｉ
７５−Ｃｒ２５、Ｚｒ５０−Ｒｕ５０のような合金が最
も好ましい。

【００２９】第一の態様では、中間層１３に使用する材
料はアモルファス状態で用いることが必要である。すな
わち、中間層１３はアモルファス構造を有する必要があ
る。中間層をアモルファス構造とし、後述する垂直磁気
記録媒体の製造方法に従って、記録層１４を形成する
と、記録層の結晶粒径が微細化され、粒径分散が小さく
なり、媒体ノイズを低減することができる。

【００３０】中間層１３は、１〜２０ｎｍの膜厚を有す
る。これは、この範囲の膜厚が媒体のノイズを効果的に
低減することができるためである。更に第一の態様で
は、上記すべての材料において１〜１０ｎｍの膜厚の場
合に、特に媒体ノイズの低減の効果が大きく、膜厚は１
〜５ｎｍであることが最も好ましい。

【００３１】第一の態様の記録層１４は、ＣｏＣｒ系合
金結晶質を原料とする磁性層である。第一の態様の垂直
磁気記録媒体では、ＣｏＣｒ系合金結晶質膜として使用
できる好ましい材料の例は、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、
ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＸ（Ｘ
＝Ｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂなど）などのＣｏＣｒ合金系で
ある。

【００３２】記録層１４の前記ＣｏＣｒ系合金結晶質膜
は５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚を有することが好まし
い。

【００３３】第一の態様では、中間層をアモルファス構
造とし、後述する垂直磁気記録媒体の製造方法に従っ
て、記録層１４を形成すると、記録層の結晶粒径が微細
化され、粒径分散が小さくなり、媒体ノイズを低減する
ことができる。本発明において、結晶粒径は、５〜７ｎ
ｍであることが好ましく、粒径分散の値は、１．５〜
２．５ｎｍであることが好ましい。

【００３４】保護層１５は、従来より使用されている材
料を用いて成膜することができる。例えば、カーボンを
主体とする材料から形成することができる。保護層１５
の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸
条件をそのまま用いることができる。例えば、保護層１
５の膜厚は、２から１０ｎｍであることが好ましい。

【００３５】また、潤滑層１６も従来より使用されてい
る材料を用いることができる。例えば、パーフルオロポ
リエーテル系の潤滑剤を用いることができる。潤滑層１
６の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる
諸条件をそのまま用いることができる。例えば、膜厚は
１〜２ｎｍであることが好ましい。

【００３６】次に、本発明の第二の態様について説明す
る。

【００３７】本発明の第二の態様は、基板上に少なくと
も下地層、中間層、記録層、保護層および潤滑層を順次
積層した垂直磁気記録媒体において、前記中間層がアモ
ルファス構造を有するアモルファス層および結晶質構造
を有する結晶質層を積層した積層構造を有する垂直磁気
記録媒体に関する。第二の態様では、中間層をアモルフ
ァス層と結晶質層の積層構造とすることにより、記録層
のＨｃとＳを向上させることと、磁気記録媒体の低ノイ
ズ化とを同時に実現する。

【００３８】特に本発明では、図１に示すような構造を
有する垂直磁気記録媒体を提供する。以下に図２を参照
して、第二の態様を説明するが、図２はあくまで例示で
あり、本発明は、これに限定されない。

【００３９】本発明の垂直磁気記録媒体は、例えば図２
に示すような構造を有する。すなわち、基板１１上に下
地層１２、アモルファス層１３ａおよび結晶質層１３ｂ
からなる中間層１３、記録層１４、および保護層１５が
順に成膜された構造を有しており、更にその上に潤滑層
１６が成膜されている垂直磁気記録媒体である。

【００４０】本発明において、基板１１は上記第一の態
様で説明したものと同じ材料を用いることができる。

【００４１】下地層１２は、垂直磁気記録用軟磁性下地
層として用いることができる材料から任意に選択するこ
とができる。具体的には、上記第一の態様で説明した材
料を挙げることができる。第二の形態では、特に、Ｃｏ
Ｃｒを含む材料が好ましく、ＣｏＺｒＴａまたはＣｏＺ
ｒＮｂであることがさらに好ましい。また、第二の形態
では、下地層はアモルファス構造を有することが好まし
い。

【００４２】第二の態様において、中間層１３は、アモ
ルファス層１３ａと結晶質層１３ｂで構成される。これ
らの層は、図２に示されるように、アモルファス層１３
ａを下地層１２側に、そして結晶質層１３ｂを記録層１
４側に設けることが好ましい。すなわち、アモルファス
層と結晶質層は、アモルファス層１３ａ、次いで結晶質
層１３ｂの順で成膜することが好ましい。

【００４３】アモルファス層１３ａの材料としては、Ｔ
ｉ合金が好ましく、ＴｉＣｒがより好ましい。特に、Ｔ
ｉＣｒの組成をＴｉ_{１００−ａ}Ｃｒ_ａ（但し、ａは原子
％である。）と表した場合、ａの値は、１０≦ａ≦２５
であることが好ましい。

【００４４】第二の態様において、結晶質層１３ｂの材
料としては、ＣｏＣｒＰｔ合金であることが好ましく、
ＣｏＣｒＰｔＢであることがより好ましい。第二の態様
では、必要に応じて、結晶質層１３ｂの材料として、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、ＰｔおよびＢ以外の元素（例えば、Ｔａ、Ｎ
ｂ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｎｉ）を加えることがで
きる。また、結晶質層１３ｂは、六方最密構造を有する
ことが好ましい。

【００４５】第二の態様の中間層１３を構成するアモル
ファス層１３ａおよび結晶質層１３ｂの膜厚は、アモル
ファス層１３ａが１〜２０ｎｍ、そして結晶質層１３ｂ
が１〜２０ｎｍであることが好ましい。また、中間層１
３全体としては、上記第一の態様で説明した膜厚を有す
ることが好ましい。

【００４６】第二の態様において、記録層１４、保護層
１５および潤滑層１６の材料およびその他の諸条件は、
第一の態様で説明したとおりである。

【００４７】次に、第二の発明について説明する。本発
明の第二は、垂直磁気記録媒体を製造する方法に関す
る。

【００４８】第二の発明の第一の態様は、基板上に、少
なくとも下地層、中間層、記録層、保護層および潤滑層
を順次積層して垂直磁気記録媒体を製造する垂直磁気記
録媒体の製造方法において、前記中間層がアモルファス
構造で形成され、前記中間層がアモルファス構造である
ことにより前記中間層上に形成される前記記録層の材料
の結晶粒径が微細化され、粒径分布が均一化されて形成
される製造方法である。具体的には、基板１１上に、下
地層１２を成膜する工程と、中間層１３を成膜する工程
と、記録層１４を成膜する工程と、保護層１５を成膜す
る工程と、潤滑層１６を成膜する工程とを含む。本発明
においては、中間層１３をアモルファス構造とする。そ
して、このアモルファス構造の中間層１３上に記録層１
４を形成することにより磁気記録材料の平均粒径が微細
化され、粒径の分散の値を小さく（すなわち粒径分散の
均一化）することができる。

【００４９】次に、第一の発明の製造方法を上記の各成
膜工程に沿って説明する。

【００５０】第一の工程は、基板１１上に、下地層１２
を成膜する工程である。この工程において用いる基板１
は、通常の磁気記録媒体用に用いられるＮｉＰメッキを
施したＡｌ合金、強化ガラス、または結晶化ガラスなど
を用いることができる。基板１１上に積層が行われてい
くため、基板１１表面は平滑および汚れのない状態が好
ましい。

【００５１】このような基板１１上にスパッタリング法
またはメッキ法によって、下地層１２を成膜する。下地
層１２は、非晶質のＣｏ合金、ＮｉＦｅ合金、センダス
ト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、あるいはＦｅＴａＣ合金など
を用いることができる。本発明ではＮｉＦｅ合金が適切
であり、更に非晶質のＣｏ合金、例えばＣｏＮｂＺｒ、
ＣｏＴａＺｒなどを用いることができる。下地層１２の
膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によっ
て最適値が変化するが、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜
厚であることが望ましい。

【００５２】次に、第二の工程は、中間層１３を成膜す
る工程である。この工程では、スパッタリング法によっ
て中間層１３を成膜することができる。

【００５３】中間層１３は、下地層１２と記録層１４と
を磁気的に分離するための機能のほか、記録層１４のＣ
ｏＣｒ系合金結晶質膜の特性を制御するために用いられ
る。すなわち、本発明では記録層１４の結晶質膜の結晶
粒径を微細化し、粒径分散の値を低減するために用いら
れる。このため、中間層１３はアモルファス構造とする
必要がある。

【００５４】中間層１３をアモルファス構造とするに
は、例えば、室温から２５０℃、好ましくは室温〜１５
０℃の温度で、０．１〜１００ｍＴｏｒｒ、好ましくは
１〜２０ｍＴｏｒｒの圧力下において、スパッタリング
法を用いて中間層１３を成膜すればよい。

【００５５】中間層１３の材料としては、Ｔｉ、Ｚｒな
どの元素、またはＴｉＣｒ若しくはＺｒＲｕのようなＴ
ｉまたはＺｒを含む合金が好ましい。本発明では、Ｔｉ
またはＺｒが好ましいが、例えば、Ｔｉ_100-aＸ_a（但し
ＸはＣｒまたはＲｕであり、ａは原子％で、０≦ａ＜１
００である。）またはＺｒ_100-bＹ_b（但しＹはＣｒまた
はＲｕであり、ｂは原子％で０≦ｂ＜１００である。）
のような合金も好適である。特に、ＴｉＣｒ合金、Ｚｒ
Ｒｕ合金のような合金が好ましい。

【００５６】上記合金を用いる場合は、組成を原子％で
表した場合に、Ｔｉ_100-aＸ_a（但し、０＜ａ≦５０）、
Ｚｒ_100-bＹ_b（但し、０＜ｂ≦７５）が好ましく、特に
Ｔｉ７５−Ｃｒ２５、Ｚｒ５０−Ｒｕ５０であることが
最も好ましい。

【００５７】中間層１３は、１から２０ｎｍの膜厚を有
することが好ましい。これは、この範囲で媒体ノイズを
効果的に低減することができるからである。本発明で
は、上記すべての材料において１〜１０ｎｍの膜厚の場
合に特に媒体ノイズ低減の効果が大きく、５〜１０ｎｍ
であることが最も好ましい。

【００５８】次に第三の工程は、記録層１４を成膜する
工程である。この記録層１４は、ＣｏＣｒ系合金結晶質
をターゲットとして用いるスパッタリング法により形成
される。ＣｏＣｒ系合金結晶質には、例えばＣｏＣｒ、
ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、Ｃｏ
ＣｒＰｔＸ（Ｘ＝Ｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂなど）などの合
金系が含まれる。本発明のスパッタリング法は、所望の
組成の結晶質膜を形成できるターゲットを用いて行うこ
とが可能である。

【００５９】ＣｏＣｒ系合金結晶質膜を用いた場合の膜
厚は、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましい。スパッタリ
ングの条件は、例えば、スパッタリングに一般に用いら
れるＡｒガスを使用し、Ａｒガスの流量を調整するか、
あるいは真空ポンプとの間に設けられているバルブの開
閉度を調節することによりガス圧を０．１ｍＴｏｒｒか
ら１００ｍＴｏｒｒ程度まで変化することができる。好
ましくは、ガス圧は１から２０ｍＴｏｒｒである。

【００６０】第一の態様の垂直磁気記録媒体の製造にあ
たっては、中間層１３にアモルファス構造を持たせるこ
とにより、記録層１４の成膜で記録層の結晶粒径が微細
化し、結晶分散が低減される。これにより、媒体ノイズ
を低減することができる。

【００６１】次の第四の工程は、保護層１５を成膜する
工程である。保護層１５を成膜する方法としてはスパッ
タリング法、ＣＶＤ法およびカソーディック・アーク・
カーボン法があげられる。これらの方法によって保護層
１５が記録層１４上に成膜される。保護層１５は、従来
より使用されている材料を用いて成膜することができ
る。使用できる材料は例えば、カーボンを主体とする材
料から形成することができる。保護層１５の膜厚等の条
件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのま
ま用いることができる。例えば、２〜１０ｎｍの膜厚が
好ましい。

【００６２】第一の態様の上記各工程をスパッタリング
で行う場合、成膜時のガス圧は、一部上述したように
０．１ｍＴｏｒｒから１００ｍＴｏｒｒ程度、好ましく
は１から２０ｍＴｏｒｒに調整することが好ましい。ガ
ス圧の調整法は例えば、スパッタリングに一般に用いら
れるＡｒガスを使用し、Ａｒガスの流量を調整するか、
あるいは真空ポンプとの間に設けられているバルブの開
閉度を調節することにより行われる。また、これ以外
の、温度などの条件は、各層の成膜の条件に合わせて適
宜選択すればよい。例えば、温度は室温から５００℃の
間で調節することが可能である。

【００６３】第一の態様発明において、以上の工程まで
はスパッタリング法を主に使用することができる。この
方法は、一連の反応を真空装置内で一括して行うことが
できるので好ましい。しかし本発明では、上記の中間層
１３をアモルファス構造とし、記録層１４の結晶粒径を
微細化でき、かつ粒径分散を低減できる方法であれば、
他の従来法を使用することができる。

【００６４】次に、各層が成膜された磁気記録媒体を真
空装置から取り出し、最後に潤滑層１６を成膜する。

【００６５】潤滑層１６は従来より使用されている材料
を用いて成膜することができる。使用できる材料は例え
ば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いること
ができる。潤滑層１６は上記潤滑剤を所定の溶剤に溶か
した溶液を、ディップ法、スプレー法、スピンコート法
などによって先の工程で得られた磁気記録媒体上に成膜
すればよい。潤滑層１６の膜厚等の条件は、通常の磁気
記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることがで
きる。例えば、膜厚は、１〜２ｎｍであればよい。

【００６６】次に、本発明の第二の態様について説明す
る。

【００６７】本発明の第二の態様は、基板上に、少なく
とも下地層、中間層、記録層、保護層および潤滑層を順
次積層して垂直磁気記録媒体を製造する垂直磁気記録媒
体の製造方法において、前記中間層がアモルファス構造
を有するアモルファス層と結晶質構造を有する結晶質層
を順次積層した積層構造を有する製造方法である。具体
的には、基板１１上に、下地層１２を成膜する工程と、
中間層１３の構成要素であるアモルファス層１３ａと結
晶質層１３ｂをこの順序で成膜する工程と、記録層１４
を成膜する工程と、保護層１５を成膜する工程と、潤滑
層１６を成膜する工程とを含む。第二の態様において
は、中間層１３をアモルファス層１３ａと結晶質層１３
ｂとから構成される。そして、このアモルファス層１３
ａと結晶質層１３ｂで中間層１３を形成することによ
り、記録層のＨｃとＳを向上させることと、磁気記録媒
体の低ノイズ化とを同時に実現する。

【００６８】第二の形態において、中間層１３を成膜す
る工程以外の工程、すなわち、基板１１上に下地層１２
を成膜する工程、記録層１４を成膜する工程、保護層１
５を成膜する工程、および潤滑層１６を成膜する工程
は、上記第一の態様で説明したとおりである。従って、
中間層１３を成膜する工程以外の工程以外の工程の説明
は第一の態様の説明を援用する。

【００６９】なお、第二の態様においては、下地層は、
垂直磁気記録用軟磁性下地層として用いることができる
材料から任意に選択することができる。具体的には、上
記第一の態様で説明した材料を挙げることができる。第
二の形態では、特に、ＣｏＣｒを含む材料が好ましく、
ＣｏＺｒＴａまたはＣｏＺｒＮｂであることがさらに好
ましい。また、第二の形態では、下地層はアモルファス
構造を有することが好ましい。

【００７０】以下に、アモルファス層１３ａと結晶質層
１３ｂからなる中間層１３の成膜工程について説明す
る。

【００７１】第二の態様の第二の工程は、中間層１３を
成膜する工程である。中間層１３は、アモルファス層１
３ａおよび結晶質層１３ｂから構成され、それぞれの層
は、スパッタリング法によって成膜することができる。

【００７２】中間層１３は、下地層１２と記録層１４と
を磁気的に分離するための機能のほか、記録層１４のＣ
ｏＣｒ系合金結晶質膜の特性を制御するために用いられ
る。すなわち、本発明では、中間層１３を、アモルファ
ス層１３ａおよび結晶質層１３ｂで構成することによ
り、記録層のＨｃとＳを向上させることと、磁気記録媒
体の低ノイズ化とを同時に実現する。

【００７３】まず、アモルファス層１３ａの成膜につい
て説明する。アモルファス層１３ａをアモルファス構造
とするには、例えば、室温から２５０℃、好ましくは室
温〜１５０℃の温度で、０．１〜１００ｍＴｏｒｒ、好
ましくは１〜２０ｍＴｏｒｒの圧力下において、スパッ
タリング法を用いてアモルファス層１３ａを成膜すれば
よい。

【００７４】アモルファス層１３ａの材料としては、Ｔ
ｉ合金を好適に用いることができる。特に、本発明では
ＴｉＣｒが好ましい。本発明では、ＴｉＣｒは、例え
ば、Ｔｉ_100-aＣｒ_a（但し、ａは原子％である。）と表
した場合、１０≦ａ＜２５であることが好ましい。

【００７５】アモルファス層１３ａは、１から２０ｎｍ
の膜厚を有することが好ましい。これは、この範囲で媒
体ノイズを効果的に低減することができるからである。

【００７６】次に、結晶質層１３ｂの成膜について説明
する。結晶質層１３ｂは、室温から５００℃の範囲、１
から５０ｍＴｏｒｒの圧力下でスパッタリング法を用い
て成膜することができる。第二の態様では、例えば、室
温から５００℃、好ましくは１５０〜２５０℃の温度
で、１〜５０ｍＴｏｒｒ、好ましくは１０〜２５ｍＴｏ
ｒｒの圧力下において、スパッタリング法を用いて結晶
質層１３ｂを成膜することが好ましい。

【００７７】結晶質層１３ｂの材料は、ＣｏＣｒＰｔ合
金であることが好ましく、ＣｏＣｒＰｔＢであることが
より好ましい。第二の態様では、必要に応じて、結晶質
層１３ｂの材料として、Ｃｏ、Ｃｒ、ＰｔおよびＢ以外
の元素（例えば、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｐ
ｄ、Ｎｉ）を加えることができる。また、結晶質層１３
ｂは、六方最密構造を有することが好ましい。特に、六
方最密構造を有する結晶質層１３ｂを得るには、例え
ば、スパッタリング法を用いて、室温から５００℃、好
ましくは１５０〜２５０℃の温度で、１〜５０ｍＴｏｒ
ｒ、好ましくは１０〜２５ｍＴｏｒｒの圧力下において
成膜を行うことが好ましい。

【００７８】第二の態様の中間層１３を構成するアモル
ファス層１３ａおよび結晶質層１３ｂの膜厚は、アモル
ファス層１３ａが１〜２０ｎｍ、そして結晶質層１３ｂ
が１〜２０ｎｍであることが好ましい。

【００７９】本発明では、中間層１３全体として、上記
第一の態様で説明した膜厚（１〜２０ｎｍ）を有するこ
とが好ましい。

【００８０】

【実施例】以下に、実施例により本発明を更に説明する
が、以下の実施例はあくまで例示であり、本発明はこれ
に限定されない。また、下記実施例において、元素記号
に続いて数字を記載している場合、その数字は元素の原
子％を表す。すなわち、例えばＴｉ９０Ｃｒ１０と記載
している場合は、Ｔｉを９０原子％およびＣｒを１０原
子％含むことを表す。

【００８１】実施例１以下の説明（実施例１−１から実施例１−４）は、中間
層がアモルファス構造を有する磁気記録媒体の例であ
る。

【００８２】＜磁気記録媒体の製造＞基板として、外径
９５ｍｍ、厚さ１．０ｍｍの市販のガラス基板を用い
た。これを洗浄後、スパッタリング装置の真空装置内に
導入し、２０ｎｍのＮｉＦｅ合金からなる下地層、以下
の各実施例および比較例に示す中間層（５ｎｍ）、およ
びＣｏ６６−Ｃｒ２０−Ｐｔ１２−Ｂ２からなる記録層
（２８ｎｍ）を成膜した。スパッタ時の温度および圧力
は、２５０℃、５ｍＴｏｒｒであった。次いで、カーボ
ン保護層（７ｎｍ）をスパッタリング法で成膜し、真空
装置から取り出した。最後に、パーフルオロポリエーテ
ルからなる液体潤滑剤層２ｎｍをディップ法により形成
し、垂直磁気記録媒体とした。

【００８３】実施例１−１上記磁気記録媒体の製造方法に従い、中間層にＺｒ５０
−Ｒｕ５０を使用して垂直磁気記録媒体を調製した。

【００８４】実施例１−２上記磁気記録媒体の製造方法に従い、中間層にＺｒを使
用して垂直磁気記録媒体を調製した。

【００８５】実施例１−３上記磁気記録媒体の製造方法に従い、中間層にＴｉ７５
−Ｃｒ２５を使用して垂直磁気記録媒体を調製した。

【００８６】実施例１−４上記磁気記録媒体の製造方法に従い、中間層にＴｉを使
用して垂直磁気記録媒体を調製した。

【００８７】比較例１−１上記磁気記録媒体の製造方法に従い、中間層にＲｕを使
用して垂直磁気記録媒体を調製した。

【００８８】比較例１−２上記磁気記録媒体の製造方法に従い、中間層にＣｏ５５
−Ｃｒ４５を使用して垂直磁気記録媒体を調製した。

【００８９】比較例１−３上記磁気記録媒体の製造方法に従い、中間層にＣｏ５０
−Ｃｒ２５−Ｒｕ２５を使用して垂直磁気記録媒体を調
製した。

【００９０】＜評価＞得られた各垂直磁気記録媒体につ
いて、断面の透過型電子顕微鏡写真（ＴＥＭ写真）を撮
り、中間層の構造を観測した。また、記録層の粒径の分
布等を確認するため、粒径の測定を行った。粒径の測定
は、ＴＥＭの暗視野像を画像処理する方法を用いた。膜
厚の測定には、触針式段差計を用いた。また、電磁変換
特性の測定は、市販のハードディスク用ヘッドと電磁変
換測定回路を装備したスピンスタンドを用いて行った。

【００９１】電子顕微鏡写真の測定結果を図２から図８
に示す。

【００９２】図に示されるように、実施例１〜４は全て
アモルファス構造である。このことは、中間層として示
される部分に、結晶構造を持たない一様な層構造が観察
されることでわかる。一方、比較例１〜３は、全て結晶
構造を持ち、原子番号などの違いによる濃淡のコントラ
スト以外、下地層および記録層との結晶構造の違いは見
いだせない。

【００９３】次に、表１に実施例および比較例に示した
中間層を用いた場合の、記録層結晶粒径をＴＥＭにより
測定した結果をまとめた。実施例１〜４においては、比
較例１〜３に比べて平均結晶粒径、粒径の標準偏差、お
よびばらつきが大きく低減されていることがわかる。な
お、ばらつきの値は、下式により定義した。

【００９４】ばらつき＝標準偏差（ｎｍ）／平均結晶粒
径（ｎｍ）×１００（％）

【００９５】

【表１】

【００９６】次に、上記実施例１〜４および比較例１〜
３の試料の媒体Ｓ／Ｎ比を、市販の面記録密度１５Ｇｂ
ｉｔｓ／ｉｎ²用のＧＭＲヘッドを用い、回転数４５０
０ｒｐｍ、半径３０ｍｍの位置でｓｋｅｗ角＝０度で測
定した。このときのヘッド浮上量は約２５ｎｍである。
また線記録密度１６０ｋｆｃｉで比較した。Ｓ／Ｎ比を
計算する場合、出力として１トラック全周から得られる
平均出力、ノイズとして規定線記録密度時に得られる出
力スペクトル値から信号出力および回路ノイズを各周波
数で差し引いた値を、帯域１〜２００ＭＨｚの範囲にお
いて積分した値の平方根を用いた。この結果を表２に示
す。この表からわかるように、比較例１〜３に対し、本
実施例は３〜４ｄＢの改善効果が見られる。これらの実
施例間においては、Ｓ／Ｎ比に関して大きな変化はな
く、また比較例間においても大きなＳ／Ｎ比の違いはな
い。したがって、この３〜４ｄＢの改善効果は、上記で
主張したように、アモルファス中間層を用いて記録層の
平均結晶粒径および結晶粒径分散を低減したためと言え
る。

【００９７】

【表２】

【００９８】実施例２以下の説明（実施例２−１から実施例２−３）は、中間
層としてアモルファス層および結晶質層を積層した場合
の実施例である。

【００９９】＜磁気記録媒体の製造＞基板として、外径
９５ｍｍ、厚さ１．０ｍｍの市販のガラス基板を用い
た。これを洗浄後、スパッタリング装置の真空装置内に
導入し、Ｃｏ９２−Ｚｒ５−Ｔａ３からなるアモルファ
ス構造を有する下地層（２００ｎｍ）、以下の各実施例
および比較例に示す、アモルファス層および結晶質層か
らなる中間層（５ｎｍ）、およびＣｏ６２−Ｃｒ２０−
Ｐｔ１４−Ｂ４からなる記録層（２０ｎｍ）を成膜し
た。スパッタ時の温度および圧力は、２５０℃、５ｍＴ
ｏｒｒであった。次いで、カーボン保護層（７ｎｍ）を
スパッタリング法で成膜し、真空装置から取り出した。
最後に、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤
層１．５ｎｍをディップ法により形成し、垂直磁気記録
媒体とした。

【０１００】実施例２−１上記磁気記録媒体の製造方法に従い、アモルファス層１
３ａにＴｉ９０−Ｃｒ１０を用い、結晶質層１３ｂにＣ
ｏ５９−Ｃｒ２５−Ｐｔ１４−Ｂ２を用いて磁気記録媒
体を調製した。なお、下記評価において、透過型電子顕
微鏡（ＴＥＭ）での測定には、下地層に非磁性を示すＮ
ｉＦｅＣｒ合金を２０ｎｍ成膜した磁気記録媒体を用い
た。

【０１０１】実施例２−２上記磁気記録媒体の製造方法に従い、アモルファス層１
３ａにＴｉ７５−Ｃｒ２５を用い、結晶質層１３ｂにＣ
ｏ５９−Ｃｒ２５−Ｐｔ１４−Ｂ２を用いて磁気記録媒
体を調製した。

【０１０２】実施例２−３上記磁気記録媒体の製造方法に従い、下地層１２にＮｅ
８０−Ｆｅ２０アモルファス層１３ａにＴｉ９０−Ｃｒ
１０を用い、結晶質層１３ｂにＣｏ５９−Ｃｒ２５−Ｐ
ｔ１４−Ｂ２を用いて磁気記録媒体を調製した。

【０１０３】比較例２−１上記磁気記録媒体の製造方法に従い、中間層１３にＴｉ
を用いて磁気記録媒体を調製した。なお、下記評価にお
いて、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）での測定には、下地
層に非磁性を示すＮｉＦｅＣｒ合金を２０ｎｍ成膜した
磁気記録媒体を用いた。

【０１０４】比較例２−２上記磁気記録媒体の製造方法に従い、中間層１３にＲｕ
を用いて磁気記録媒体を調製した。

【０１０５】比較例２−３上記磁気記録媒体の製造方法に従い、中間層１３にＴｉ
９０−Ｃｒ１０を用いて磁気記録媒体を調製した。

【０１０６】＜評価＞得られた各垂直磁気記録媒体につ
いて、断面の透過型電子顕微鏡写真（ＴＥＭ写真）を撮
り、中間層の構造を観測した。また、記録層の粒径の分
布等を確認するため、粒径の測定を行った。粒径の測定
は、ＴＥＭの暗視野像を画像処理する方法を用いた。膜
厚の測定には、触針式段差計を用いた。また、電磁変換
特性の測定は、市販のハードディスク用ヘッドと電磁変
換測定回路を装備したスピンスタンドを用いて行った。

【０１０７】図１０および図１１に実施例２−１および
比較例２−１のＴＥＭ写真（断面図）をそれぞれ示し
た。図１０のアモルファス層１３ａおよび図１１の中間
層１３の部分に、結晶構造を持たない一様な層構造が観
察された。アモルファス構造の場合、このような観察像
が得られることはよく知られている。

【０１０８】図１０（実施例２−１）の写真では、アモ
ルファス層１３ａとそれ以外の部分に層が分かれて観測
されているが、結晶質層１３ｂと記録層１４の境界は明
確ではない。一般的に、組成が異なる材料がエピタキシ
ャル成長する場合、それらの境界面には異相が見られ
ず、ＴＥＭ写真においては、層それぞれの材料の原子番
号に依存する明暗のコントラストが観察されるのみであ
ることがよく知られている。図１０（実施例２−１）の
写真では、結晶質層１３ｂと記録層１４以外の層でそれ
が観察されている。図１０において、結晶質層１３ｂと
記録層１４においてコントラストがついていないが、こ
れは、これらの層の組成のうち、最も重いＰｔ原子の割
合が結晶質層１３ｂと記録層１４で同じ（すなわち４原
子％）であるからである。これらのことから、実施例２
−１では、記録層１４が結晶質層１３ｂ上に良好に結晶
成長していることがわかる。

【０１０９】次に、表３に実施例２−１から実施例２−
３および比較例２−１から比較例２−３で調製した磁気
記録媒体の磁気特性（ＨｃおよびＳ）を示す。測定に
は、ネオアーク社製の磁気カー効果測定装置を用い、最
大印加磁場１５ｋＯｅ、磁場掃引速度２ｋＯｅ／秒の条
件で極カー効果を測定した。この結果から、磁気特性
が、比較例に対して大幅に改善されたことがわかる。

【０１１０】さらに、表３に実施例２−１から実施例２
−３および比較例２−１から比較例２−３で調製した磁
気記録媒体のＳ／Ｎ比を示した。Ｓ／Ｎ比は、面記録密
度４５Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ^２用の単磁極型垂直磁気記録ヘ
ッドを用い、回転数５４００ｒｐｍ、半径３０ｍｍの位
置でｓｋｅｗ角＝０度で測定した。このときのヘッド浮
上量は約１３ｎｍである。また、線記録密度２００ｋｆ
ｃｉで比較した。Ｓ／Ｎ比を計算する場合、出力として
１トラック全周から得られる平均出力を用い、ノイズと
して規定線記録密度時に得られる出力スペクトル値から
信号成分および回路ノイズを各周波数で差し引いた値を
帯域１から２００ＭＨｚの範囲において積分した値の平
方根を用いた。なお、実施例２−１および比較例２−１
では、下地層としてＣｏ９２−Ｚｒ５−Ｔａ３を使用し
た。

【０１１１】表３から明らかなように、実施例２−１か
ら実施例２−３のＳ／Ｎ比は、比較例２−１のＳ／Ｎ比
と比較して、３〜４ｄＢ改善された。

【０１１２】比較例２−２は、比較例２−１において、
Ｔｉの代わりに徴候な結晶質材料であるＲｕを用いた例
である。この比較例２−２では、磁気特性（Ｈｃおよび
Ｓ）は、比較例２−１に比べ改善されているが、Ｓ／Ｎ
比は逆に低下している。

【０１１３】実施例２−３は、実施例２−１において、
下地層１２としてＣｏＺｒＴａの代わりにＮｉＦｅを用
いた例である。ＮｉＦｅは、ｆｃｃ構造をとる結晶質材
料であることがよく知られている。実施例２−３では、
表３に示されるように比較例２−１に比べ磁気特性およ
びＳ／Ｎ比は改善されており、本発明の範囲に含まれる
ことがわかる。一方、実施例２−１と実施例２−３を比
較すると、磁気特性およびＳ／Ｎ比とも実施例２−１が
優っており、本発明では、アモルファス構造を有する下
地層を用いることがより好ましいことがわかる。

【０１１４】さらに、本実施例２−１から実施例２−３
および比較例２−１から比較例２−３に関し、平均粒
径、標準偏差、ばらつきの各データを表３にあわせて記
載した。これらの結果から、本実施例２の磁気記録媒体
は、従来の磁気記録媒体に比べ平均粒径などが大きく改
善されていることがわかる。

【０１１５】

【表３】

【０１１６】以上のように、本発明では、アモルファス
層１３ａとしてＴｉＣｒ、結晶質層１３ｂとしてＣｏＣ
ｒＰｔ合金、特にＣｏＣｒＰｔＢ合金が適当である。ま
た、下地層１２としてアモルファス構造を持つ材料が好
ましい。特に下地層１２としては、ＣｏＺｒ系合金が好
ましい。

【０１１７】

【発明の効果】本発明では、基板上に中間層を、例えば
スパッタリング法により作成し、この中間層をアモルフ
ァス構造とすることにより媒体ノイズを低減することが
可能となった。これにより高記録密度の磁気記録媒体の
提供が可能である。特に本発明においては、中間層とし
てＴｉまたはＺｒ合金を使用することが適当である。

【０１１８】さらに、本発明では、基板上にアモルファ
ス層および結晶質層からなる中間層を、例えばスパッタ
リング法により作製することにより媒体ノイズを低減す
ることが可能である。特に結晶質層は、六方最密構造を
有することが好ましい。本発明により、高記録密度の磁
気記録媒体の提供が可能である。本発明では、アモルフ
ァス層１３ａとしてＴｉＣｒ、結晶質層１３ｂとしてＣ
ｏＣｒＰｔ合金が適当である。また、下地層１２として
アモルファス構造を持つ材料が好ましい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の概略断面図であ
る。

【図２】本発明の垂直磁気記録媒体の概略断面図であ
る。

【図３】実施例１−１の垂直磁気記録媒体の透過型電子
顕微鏡写真である。

【図４】実施例１−２の垂直磁気記録媒体の透過型電子
顕微鏡写真である。

【図５】実施例１−３の垂直磁気記録媒体の透過型電子
顕微鏡写真である。

【図６】実施例１−４の垂直磁気記録媒体の透過型電子
顕微鏡写真である。

【図７】比較例１−１の垂直磁気記録媒体の透過型電子
顕微鏡写真である。

【図８】比較例１−２の垂直磁気記録媒体の透過型電子
顕微鏡写真である。

【図９】比較例１−３の垂直磁気記録媒体の透過型電子
顕微鏡写真である。

【図１０】実施例２−１の垂直磁気記録媒体の透過型電
子顕微鏡写真である。

【図１１】比較例２−１の垂直磁気記録媒体の透過型電
子顕微鏡写真である。

【符号の説明】

１１基板１２下地層１３中間層１３ａアモルファス層１３ｂ結晶質層１４記録層１５保護層１６潤滑層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも下地層、中間層、記
録層、保護層および潤滑層を順次積層した垂直磁気記録
媒体において、前記中間層がアモルファス構造を有し、
前記中間層をアモルファス構造としたことにより中間層
上に形成された前記記録層の材料の結晶粒径が微細化さ
れ、粒径分布が均一化されることを特徴とする垂直磁気
記録媒体。
【請求項２】前記中間層の材料がＴｉまたはＺｒを含
む合金であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁
気記録媒体。
【請求項３】前記中間層の材料の組成が、Ｔｉ_100-a
Ｘ_a（但しＸはＣｒまたはＲｕであり、ａは原子％で、
０≦ａ＜１００である。）またはＺｒ_100-bＹ_b（但しＹ
はＣｒまたはＲｕであり、ｂは原子％で０≦ｂ＜１００
である。）であることを特徴とする請求項１または２に
記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】前記中間層の材料の組成においてａが原
子％で０＜ａ≦５０、ｂが原子％で０＜ｂ≦７５である
ことを特徴とする請求項３に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】前記中間層の材料の組成において、Ｘが
Ｃｒであり、ＹがＲｕであることを特徴とする請求項３
または４に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】前記中間層の膜厚が１ｎｍ以上２０ｎｍ
以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれか
に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】基板上に少なくとも下地層、中間層、記
録層、保護層および潤滑層を順次積層した垂直磁気記録
媒体において、前記中間層がアモルファス構造を有する
アモルファス層および結晶質構造を有する結晶質層を積
層した積層構造を有する垂直磁気記録媒体。
【請求項８】前記中間層の結晶質層の結晶構造が六方
最密構造であることを特徴とする請求項７に記載の垂直
磁気記録媒体。
【請求項９】前記中間層の結晶質層がＣｏ、Ｃｒおよ
びＰｔから選択される少なくとも１つの元素を含むこと
を特徴とする請求項７に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】前記中間層の結晶質層が、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、ＰｔおよびＢから選択される少なくとも１つの元素
を含むことを特徴とする請求項７に記載の垂直磁気記録
媒体。
【請求項１１】前記中間層のアモルファス層がＴｉ合
金であることを特徴とする請求項７から１０に記載の垂
直磁気記録媒体。
【請求項１２】前記中間層のアモルファス層がＴｉＣ
ｒであることを特徴とする請求項１１に記載の垂直磁気
記録媒体。
【請求項１３】前記下地層がアモルファス構造を有す
ることを特徴とする請求項７から１２に記載の垂直磁気
記録媒体。
【請求項１４】前記下地層がＣｏＺｒ合金アモルファ
ス層であることを特徴とする請求項１３に記載の垂直磁
気記録媒体。
【請求項１５】前記下地層がＣｏＺｒ合金アモルファ
ス層であり、該下地層に、Ｔａ、Ｎｂ、Ｂ、Ｃｕ、Ｎｉ
およびＣｒから選択される少なくとも１つの元素が添加
されていることを特徴とする請求項１３に記載の垂直磁
気記録媒体。
【請求項１６】基板上に、少なくとも下地層、中間
層、記録層、保護層および潤滑層を順次積層して垂直磁
気記録媒体を製造する垂直磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記中間層がアモルファス構造で形成され、前記
中間層をアモルファス構造としたことにより前記中間層
上に形成される前記記録層の材料の結晶粒径が微細化さ
れ、粒径分布が均一化されて形成されることを特徴とす
る垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】前記中間層の材料がＴｉまたはＺｒを
含む合金であることを特徴とする請求項１６に記載の垂
直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】前記中間層の材料の組成が、Ｔｉ
_100-aＸ_a（但しＸはＣｒまたはＲｕであり、ａは原子％
で、０≦ａ＜１００である。）またはＺｒ_100-bＹ_b（但
しＹはＣｒまたはＲｕであり、ｂは原子％で０≦ｂ＜１
００である。）であることを特徴とする請求項１６また
は１７に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】前記中間層の材料の組成においてａが
原子％で０＜ａ≦５０、ｂが原子％で０＜ｂ≦７５であ
ることを特徴とする請求項１８に記載の垂直磁気記録媒
体の製造方法。
【請求項２０】前記中間層の材料の組成において、Ｘ
がＣｒであり、ＹがＲｕであることを特徴とする請求項
１８または１９に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２１】前記中間層の膜厚が１ｎｍ以上２０ｎ
ｍ以下であることを特徴とする請求項１６から２０のい
ずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】基板上に、少なくとも下地層、中間
層、記録層、保護層および潤滑層を順次積層して垂直磁
気記録媒体を製造する垂直磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記中間層がアモルファス構造を有するアモルフ
ァス層および結晶質構造を有する結晶質層をこの順に積
層することにより形成されることを特徴とする垂直磁気
記録媒体の製造方法。
【請求項２３】前記中間層の結晶質層の結晶構造が六
方最密構造であることを特徴とする請求項２２に記載の
垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】前記中間層の結晶質層がＣｏ、Ｃｒお
よびＰｔから選択される少なくとも１つの元素を含むこ
とを特徴とする請求項２２に記載の垂直磁気記録媒体の
製造方法。
【請求項２５】前記中間層の結晶質層が、Ｃｏ、Ｃ
ｒ、ＰｔおよびＢから選択される少なくとも１つの元素
を含むことを特徴とする請求項２２に記載の垂直磁気記
録媒体の製造方法。
【請求項２６】前記中間層のアモルファス層がＴｉ合
金であることを特徴とする請求項２２から２５に記載の
垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２７】前記中間層のアモルファス層がＴｉＣ
ｒであることを特徴とする請求項２６に記載の垂直磁気
記録媒体の製造方法。