JPH11328646A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH11328646A JPH11328646A JP7434199A JP7434199A JPH11328646A JP H11328646 A JPH11328646 A JP H11328646A JP 7434199 A JP7434199 A JP 7434199A JP 7434199 A JP7434199 A JP 7434199A JP H11328646 A JPH11328646 A JP H11328646A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】媒体ノイズが大幅に低減された高密度磁気記録
媒体を得る。 【解決手段】非磁性基板上に下地層を介して形成されて
いる磁気記録膜を有する磁気記録媒体であって、前記磁
気記録膜が複数の磁性層とそれら各磁性層間に形成され
ている中間層とからなり、前記中間層は結晶構造がＢ２
構造を有する材料からなる中間層またはＲｕからなる中
間層であることを特徴とする。
媒体を得る。 【解決手段】非磁性基板上に下地層を介して形成されて
いる磁気記録膜を有する磁気記録媒体であって、前記磁
気記録膜が複数の磁性層とそれら各磁性層間に形成され
ている中間層とからなり、前記中間層は結晶構造がＢ２
構造を有する材料からなる中間層またはＲｕからなる中
間層であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はハードディスク装置
の記録媒体として好適な磁気記録媒体に関する。
の記録媒体として好適な磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体は高記録密度化がな
されており、そのために低ノイズの媒体が要求されてい
る。従来、媒体ノイズを低減する方法の一つとして、磁
気記録膜を複数の磁性層と各磁性層間の磁気的結合を弱
めるために各磁性層間に中間層を設けて多層構造とする
ことが、特開昭６３−１４６２１９やＩＥＥＥ ＴＲＡ
ＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，２６
（５），２７００（１９９０）に開示されている。ま
た、高記録密度化のために高保磁力を得る手段として下
地層としてＢ２構造を有するＮｉＡｌを用いることが、
ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮ
ＥＴＩＣＳ，３０（６），３９５１（１９９４）、ヨー
ロッパ公開特許第７０４８３９号公報に報告されてい
る。
されており、そのために低ノイズの媒体が要求されてい
る。従来、媒体ノイズを低減する方法の一つとして、磁
気記録膜を複数の磁性層と各磁性層間の磁気的結合を弱
めるために各磁性層間に中間層を設けて多層構造とする
ことが、特開昭６３−１４６２１９やＩＥＥＥ ＴＲＡ
ＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，２６
（５），２７００（１９９０）に開示されている。ま
た、高記録密度化のために高保磁力を得る手段として下
地層としてＢ２構造を有するＮｉＡｌを用いることが、
ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮ
ＥＴＩＣＳ，３０（６），３９５１（１９９４）、ヨー
ロッパ公開特許第７０４８３９号公報に報告されてい
る。
【０００３】上記多層構造の磁気記録膜をもつ磁気記録
媒体に用いる中間層として、前記特開昭６３−１４６２
１９においてＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 またはＣｒ膜が検討
され低ノイズ化は図られているが、今後ＧＭＲヘッドを
使用した場合のノイズ低減としては不充分である。ま
た、前記ヨーロッパ公開特許第７０４８３９号公報では
下地層としてＮｉＡｌが検討されているが、磁気記録膜
を複数の磁性層と各磁性層間に配置された磁気的結合を
弱めるための中間層とからなる多層構造とすることの検
討はなされていない。
媒体に用いる中間層として、前記特開昭６３−１４６２
１９においてＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 またはＣｒ膜が検討
され低ノイズ化は図られているが、今後ＧＭＲヘッドを
使用した場合のノイズ低減としては不充分である。ま
た、前記ヨーロッパ公開特許第７０４８３９号公報では
下地層としてＮｉＡｌが検討されているが、磁気記録膜
を複数の磁性層と各磁性層間に配置された磁気的結合を
弱めるための中間層とからなる多層構造とすることの検
討はなされていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、媒体
ノイズが大幅に低減された高密度の記録再生が可能な磁
気記録媒体を提供することにある。
ノイズが大幅に低減された高密度の記録再生が可能な磁
気記録媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題を解
決すべくなされたものであり、非磁性基板上に下地層を
介して形成されている磁気記録膜を有する磁気記録媒体
であって、前記磁気記録膜が複数の磁性層とそれら各磁
性層間に形成されている中間層とからなり、前記中間層
は結晶構造がＢ２構造を有する材料からなる中間層また
はＲｕからなる中間層であることを特徴とする磁気記録
媒体を提供する。
決すべくなされたものであり、非磁性基板上に下地層を
介して形成されている磁気記録膜を有する磁気記録媒体
であって、前記磁気記録膜が複数の磁性層とそれら各磁
性層間に形成されている中間層とからなり、前記中間層
は結晶構造がＢ２構造を有する材料からなる中間層また
はＲｕからなる中間層であることを特徴とする磁気記録
媒体を提供する。
【０００６】本発明における磁気記録膜は、２層の磁性
層とその間に結晶構造がＢ２構造を有する材料からなる
中間層を形成してなる構成や、３層以上の磁性層とそれ
らの各磁性層の間にＢ２構造を有する材料からなる中間
層を形成してなる構成をとることができる。
層とその間に結晶構造がＢ２構造を有する材料からなる
中間層を形成してなる構成や、３層以上の磁性層とそれ
らの各磁性層の間にＢ２構造を有する材料からなる中間
層を形成してなる構成をとることができる。
【０００７】上記Ｂ２構造を有する中間層の材料として
は、ＮｉＡｌ、ＮｉＡｌＲｕ、ＮｉＡｌＮｄ、ＮｉＡｌ
Ｃｒ、ＮｉＡｌＰｔおよびＮｉＡｌＰｄからなる群から
選ばれた１種を用いることができる。
は、ＮｉＡｌ、ＮｉＡｌＲｕ、ＮｉＡｌＮｄ、ＮｉＡｌ
Ｃｒ、ＮｉＡｌＰｔおよびＮｉＡｌＰｄからなる群から
選ばれた１種を用いることができる。
【０００８】また、本発明における磁気記録膜は、２層
の磁性層とその間にＲｕからなる中間層を形成してなる
構成や、３層以上の磁性層とそれらの各磁性層の間にＲ
ｕからなる中間層を形成してなる構成をとることができ
る。このＲｕからなる中間層は、六方最密構造のものが
特に好ましい。
の磁性層とその間にＲｕからなる中間層を形成してなる
構成や、３層以上の磁性層とそれらの各磁性層の間にＲ
ｕからなる中間層を形成してなる構成をとることができ
る。このＲｕからなる中間層は、六方最密構造のものが
特に好ましい。
【０００９】上記Ｂ２構造を有する材料からなる中間層
またはＲｕからなる中間層の膜厚は３Å以上、さらには
５Å以上が好ましく、５０Å以下、さらには３０Å以下
が好ましい。中間層の膜厚が薄すぎる場合はノイズ低減
の効果が充分でない。中間層の膜厚が厚すぎる場合はノ
イズ低減の効果は認め難く、また、保磁力の著しい低下
や磁気記録媒体として必要な分解能、ＰＷ５０（孤立再
生波半値幅）といった特性が悪くなる。これらの点から
中間層の膜厚は３〜３０Å、特に３〜２０Åが好まし
い。なお、上記中間層を３層以上の磁性層のそれぞれの
間に形成する場合には、各中間層の膜厚は３〜３０Å、
特に３〜２０Åが好ましい。
またはＲｕからなる中間層の膜厚は３Å以上、さらには
５Å以上が好ましく、５０Å以下、さらには３０Å以下
が好ましい。中間層の膜厚が薄すぎる場合はノイズ低減
の効果が充分でない。中間層の膜厚が厚すぎる場合はノ
イズ低減の効果は認め難く、また、保磁力の著しい低下
や磁気記録媒体として必要な分解能、ＰＷ５０（孤立再
生波半値幅）といった特性が悪くなる。これらの点から
中間層の膜厚は３〜３０Å、特に３〜２０Åが好まし
い。なお、上記中間層を３層以上の磁性層のそれぞれの
間に形成する場合には、各中間層の膜厚は３〜３０Å、
特に３〜２０Åが好ましい。
【００１０】本発明における非磁性基板は、アルミニウ
ム合金やガラス、結晶化ガラスなどの材料からなる基板
から選ぶことができる。本発明における下地層としてＣ
ｒまたはＣｒ合金を採用することができる。Ｃｒ合金と
しては、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、ＣｒＴｉ、ＣｒＶまたはＣ
ｒＭｎなどを用いることができる。
ム合金やガラス、結晶化ガラスなどの材料からなる基板
から選ぶことができる。本発明における下地層としてＣ
ｒまたはＣｒ合金を採用することができる。Ｃｒ合金と
しては、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、ＣｒＴｉ、ＣｒＶまたはＣ
ｒＭｎなどを用いることができる。
【００１１】また、本発明において前記ガラスまたは結
晶化ガラスなどの材料からなる非磁性基板を用いる場合
には、該基板上に結晶構造がＢ２構造を有する材料から
なるシード層を設け、その上に前記下地層を介して前記
磁気記録膜を設けた構成をとることが特に好ましい。
晶化ガラスなどの材料からなる非磁性基板を用いる場合
には、該基板上に結晶構造がＢ２構造を有する材料から
なるシード層を設け、その上に前記下地層を介して前記
磁気記録膜を設けた構成をとることが特に好ましい。
【００１２】上記シード層として用いられるＢ２構造を
有する材料として、ＮｉＡｌ、ＮｉＡｌＲｕ、ＮｉＡｌ
Ｎｄ、ＮｉＡｌＣｒ、ＮｉＡｌＰｔまたはＮｉＡｌＰｄ
を用いることができる。
有する材料として、ＮｉＡｌ、ＮｉＡｌＲｕ、ＮｉＡｌ
Ｎｄ、ＮｉＡｌＣｒ、ＮｉＡｌＰｔまたはＮｉＡｌＰｄ
を用いることができる。
【００１３】前記ガラスまたは結晶化ガラスなどの材料
からなる非磁性基板上に上記シード層を設けることによ
り、その上のＣｒまたはＣｒ合金下地層の粒成長と膜生
成が適切に制御され、それにより該下地層の上に形成さ
れる磁気記録膜の粒成長と膜生成が適切に制御される。
からなる非磁性基板上に上記シード層を設けることによ
り、その上のＣｒまたはＣｒ合金下地層の粒成長と膜生
成が適切に制御され、それにより該下地層の上に形成さ
れる磁気記録膜の粒成長と膜生成が適切に制御される。
【００１４】本発明における磁気記録膜を構成する磁性
層は、Ｃｏ系合金からなることが好ましい。例えば、本
発明における磁性層は、Ｃｏを主成分とし、これに少な
くともＣｒとＰｔとを含むＣｏ系合金からなる磁性層を
選ぶことができる。また、さらにＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎ
ｂ、Ｖ、Ｚｒ、ＢおよびＴｉからなる群から選ばれた少
なくとも１種を含むＣｏ系合金からなる磁性層を選ぶこ
とができる。特に、該磁性層としては、ＣｏＣｒＰｔ合
金またはＣｏＣｒＴａＰｔ合金からなる磁性層を選ぶこ
とができる。
層は、Ｃｏ系合金からなることが好ましい。例えば、本
発明における磁性層は、Ｃｏを主成分とし、これに少な
くともＣｒとＰｔとを含むＣｏ系合金からなる磁性層を
選ぶことができる。また、さらにＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎ
ｂ、Ｖ、Ｚｒ、ＢおよびＴｉからなる群から選ばれた少
なくとも１種を含むＣｏ系合金からなる磁性層を選ぶこ
とができる。特に、該磁性層としては、ＣｏＣｒＰｔ合
金またはＣｏＣｒＴａＰｔ合金からなる磁性層を選ぶこ
とができる。
【００１５】上記した磁気記録膜の上にさらに保護膜、
潤滑膜をこの順に設けることにより、本発明の磁気記録
媒体を得ることができる。保護膜としては、例えば炭素
系の材料、潤滑膜としては例えばパーフルオロポリエー
テル系の潤滑剤を用いることができる。
潤滑膜をこの順に設けることにより、本発明の磁気記録
媒体を得ることができる。保護膜としては、例えば炭素
系の材料、潤滑膜としては例えばパーフルオロポリエー
テル系の潤滑剤を用いることができる。
【００１６】
【実施例】［例１（実施例）および例２（比較例）］ス
パッタリング室内を到達真空度１×１０-6Ｔｏｒｒまで
排気した後、５ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気かつ基板温度２
２０℃で基板バイアスを−２００Ｖ印加し、下記のよう
に成膜を行った。
パッタリング室内を到達真空度１×１０-6Ｔｏｒｒまで
排気した後、５ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気かつ基板温度２
２０℃で基板バイアスを−２００Ｖ印加し、下記のよう
に成膜を行った。
【００１７】テクスチャ処理の施されたＮｉＰ／Ａｌ基
板上に、Ｃｒ85Ｍｏ15（各成分量は原子％）からなるタ
ーゲットを用いマグネトロンスパッタリング法によりＣ
ｒＭｏ層（厚さ：３００Å）を形成し下地層とした。
板上に、Ｃｒ85Ｍｏ15（各成分量は原子％）からなるタ
ーゲットを用いマグネトロンスパッタリング法によりＣ
ｒＭｏ層（厚さ：３００Å）を形成し下地層とした。
【００１８】次に同上のマグネトロンスパッタリング法
により、前記ＣｒＭｏ層上にＣｏ71Ｃｒ17Ｔａ5 Ｐｔ7
（各成分量は原子％）からなる第一磁性層を１１０Åの
厚さで形成し、次いで、その上にＮｉ45Ａｌ50Ｒｕ5
（各成分量は原子％）ターゲットを用い、ＮｉＡｌＲｕ
中間層を厚さ５〜７０Åの範囲で形成した。さらにその
上に同様な操作によりＣｏ71Ｃｒ17Ｔａ5 Ｐｔ7 からな
る第二磁性層を１１０Åの厚さで形成した後、その上に
炭素系保護膜、潤滑膜をこの順で設けて本発明の磁気記
録媒体の例１の試料とした。Ｘ線回折法により上記Ｎｉ
ＡｌＲｕ中間層はＢ２構造であることを同定した。
により、前記ＣｒＭｏ層上にＣｏ71Ｃｒ17Ｔａ5 Ｐｔ7
（各成分量は原子％）からなる第一磁性層を１１０Åの
厚さで形成し、次いで、その上にＮｉ45Ａｌ50Ｒｕ5
（各成分量は原子％）ターゲットを用い、ＮｉＡｌＲｕ
中間層を厚さ５〜７０Åの範囲で形成した。さらにその
上に同様な操作によりＣｏ71Ｃｒ17Ｔａ5 Ｐｔ7 からな
る第二磁性層を１１０Åの厚さで形成した後、その上に
炭素系保護膜、潤滑膜をこの順で設けて本発明の磁気記
録媒体の例１の試料とした。Ｘ線回折法により上記Ｎｉ
ＡｌＲｕ中間層はＢ２構造であることを同定した。
【００１９】また、中間層としてＣｒからなる中間層を
厚さ５〜７０Åの範囲で形成した他は例１の試料と同じ
構成をもつ磁気記録媒体を同様な方法で作製し例２の試
料とした。
厚さ５〜７０Åの範囲で形成した他は例１の試料と同じ
構成をもつ磁気記録媒体を同様な方法で作製し例２の試
料とした。
【００２０】図１に例１のＮｉＡｌＲｕ中間層の膜厚お
よび例２のＣｒ中間層の膜厚を０〜５０Åの範囲で変化
させたときのトータルノイズに対する信号出力の比（Ｓ
／Ｎｔ）の変化を示す。ＮｉＡｌＲｕ中間層の場合には
膜厚が０から増すと３０Åまでの範囲において、Ｓ／Ｎ
ｔが改善されることがわかる。またＣｒ中間層の場合と
比較してもＳ／Ｎｔが改善されることがわかる。
よび例２のＣｒ中間層の膜厚を０〜５０Åの範囲で変化
させたときのトータルノイズに対する信号出力の比（Ｓ
／Ｎｔ）の変化を示す。ＮｉＡｌＲｕ中間層の場合には
膜厚が０から増すと３０Åまでの範囲において、Ｓ／Ｎ
ｔが改善されることがわかる。またＣｒ中間層の場合と
比較してもＳ／Ｎｔが改善されることがわかる。
【００２１】図２に例１のＮｉＡｌＲｕ中間層の膜厚お
よび例２のＣｒ中間層の膜厚を０〜７０Åの範囲で変化
させたときの保磁力（Ｈｃ）の変化を示す。ＮｉＡｌＲ
ｕ中間層の場合にはＣｒ中間層に比べ保磁力（Ｈｃ）の
低下は小さいことがわかる。
よび例２のＣｒ中間層の膜厚を０〜７０Åの範囲で変化
させたときの保磁力（Ｈｃ）の変化を示す。ＮｉＡｌＲ
ｕ中間層の場合にはＣｒ中間層に比べ保磁力（Ｈｃ）の
低下は小さいことがわかる。
【００２２】上記したように、磁気記録膜をＣｏ系合金
磁性層／Ｂ２構造ＮｉＡｌＲｕ中間層／Ｃｏ系合金磁性
層の構成とし、かつ該Ｂ２構造ＮｉＡｌＲｕ中間層の膜
厚を３〜３０Å、特に３〜２０Åの範囲で適切に選ぶこ
とにより、Ｓ／Ｎｔの顕著な改善が得られ、その値はＣ
ｒ中間層の場合に比較して大きい。この選択により保磁
力（Ｈｃ）は多少減少するが、その程度は小さく、高記
録密度を達成するための支障となるほどではない。Ｃｒ
中間層の場合にはＳ／Ｎｔの改善が小さいうえに保磁力
（Ｈｃ）の減少が著しく大きい。
磁性層／Ｂ２構造ＮｉＡｌＲｕ中間層／Ｃｏ系合金磁性
層の構成とし、かつ該Ｂ２構造ＮｉＡｌＲｕ中間層の膜
厚を３〜３０Å、特に３〜２０Åの範囲で適切に選ぶこ
とにより、Ｓ／Ｎｔの顕著な改善が得られ、その値はＣ
ｒ中間層の場合に比較して大きい。この選択により保磁
力（Ｈｃ）は多少減少するが、その程度は小さく、高記
録密度を達成するための支障となるほどではない。Ｃｒ
中間層の場合にはＳ／Ｎｔの改善が小さいうえに保磁力
（Ｈｃ）の減少が著しく大きい。
【００２３】Ｓ／Ｎｔの改善が顕著であるＮｉＡｌＲｕ
中間層膜厚１５Åでの電磁変換特性を表１に示す。Ｎｉ
ＡｌＲｕ中間層膜厚１５Åにおいて、Ｎｍｅｄｉａ（媒
体ノイズ）、Ｓ／Ｎｔ、Ｓ／Ｎｍ（媒体ノイズに対する
信号出力の比）のみでなく、分解能、ＰＷ５０（孤立再
生波半値幅）において、Ｃｒ中間層を用いた場合に比べ
著しく優れていることが明らかである。
中間層膜厚１５Åでの電磁変換特性を表１に示す。Ｎｉ
ＡｌＲｕ中間層膜厚１５Åにおいて、Ｎｍｅｄｉａ（媒
体ノイズ）、Ｓ／Ｎｔ、Ｓ／Ｎｍ（媒体ノイズに対する
信号出力の比）のみでなく、分解能、ＰＷ５０（孤立再
生波半値幅）において、Ｃｒ中間層を用いた場合に比べ
著しく優れていることが明らかである。
【００２４】［例３（実施例）および例４（比較例）］
スパッタリング室内を到達真空度１×１０-6Ｔｏｒｒま
で排気した後、５ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気かつ基板温度
２７０℃で基板バイアスを印加せず、下記のように成膜
を行った。
スパッタリング室内を到達真空度１×１０-6Ｔｏｒｒま
で排気した後、５ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気かつ基板温度
２７０℃で基板バイアスを印加せず、下記のように成膜
を行った。
【００２５】アルミノシリケートガラスからなる非磁性
基板上に、まずＢ２構造を有するＮｉ50Ａｌ50（各成分
量は原子％）からなるターゲットを用いマグネトロンス
パッタリング法によりＮｉＡｌシード層（厚さ：５００
Å）を形成し、次いで下地層としてＣｒ層（厚さ：３０
０Å）を形成した。
基板上に、まずＢ２構造を有するＮｉ50Ａｌ50（各成分
量は原子％）からなるターゲットを用いマグネトロンス
パッタリング法によりＮｉＡｌシード層（厚さ：５００
Å）を形成し、次いで下地層としてＣｒ層（厚さ：３０
０Å）を形成した。
【００２６】次に同上のマグネトロンスパッタリング法
により、前記Ｃｒ層上にＣｏ71Ｃｒ17Ｔａ4 Ｐｔ8 （各
成分量は原子％）からなる第一磁性層を１１０Åの厚さ
で形成し、次いで、その上にＲｕターゲットを用い、Ｒ
ｕ中間層を膜厚５〜５０Åの範囲で形成した。さらにそ
の上に同様な操作によりＣｏ71Ｃｒ17Ｔａ4 Ｐｔ8 から
なる第二磁性層を１１０Åの厚さで形成した後、その上
に炭素系保護膜、潤滑膜をこの順で設けて本発明の磁気
記録媒体の例３の試料とした。Ｘ線回折法により上記Ｎ
ｉＡｌシード層はＮｉ50Ａｌ50の組成をもつＢ２構造の
ＮｉＡｌであること、上記Ｒｕ中間層は六方最密構造で
あることを同定した。
により、前記Ｃｒ層上にＣｏ71Ｃｒ17Ｔａ4 Ｐｔ8 （各
成分量は原子％）からなる第一磁性層を１１０Åの厚さ
で形成し、次いで、その上にＲｕターゲットを用い、Ｒ
ｕ中間層を膜厚５〜５０Åの範囲で形成した。さらにそ
の上に同様な操作によりＣｏ71Ｃｒ17Ｔａ4 Ｐｔ8 から
なる第二磁性層を１１０Åの厚さで形成した後、その上
に炭素系保護膜、潤滑膜をこの順で設けて本発明の磁気
記録媒体の例３の試料とした。Ｘ線回折法により上記Ｎ
ｉＡｌシード層はＮｉ50Ａｌ50の組成をもつＢ２構造の
ＮｉＡｌであること、上記Ｒｕ中間層は六方最密構造で
あることを同定した。
【００２７】また、中間層としてＣｒからなる中間層を
膜厚５〜５０Åの範囲で形成した他は例３の試料と同じ
構成をもつ磁気記録媒体を同様な方法で作製し、例４の
試料とした。
膜厚５〜５０Åの範囲で形成した他は例３の試料と同じ
構成をもつ磁気記録媒体を同様な方法で作製し、例４の
試料とした。
【００２８】図３に例３のＲｕ中間層の膜厚および例４
のＣｒ中間層の膜厚を０〜５０Åの範囲で変化させたと
きのトータルノイズに対する信号出力の比（Ｓ／Ｎｔ）
の変化を示す。Ｒｕ中間層を用いた場合に膜厚が０から
増すと３０Åまでの範囲において、Ｓ／Ｎｔが改善され
ることがわかる。またＣｒ中間層を用いた場合と比較し
てもＳ／Ｎｔが改善されることがわかる。
のＣｒ中間層の膜厚を０〜５０Åの範囲で変化させたと
きのトータルノイズに対する信号出力の比（Ｓ／Ｎｔ）
の変化を示す。Ｒｕ中間層を用いた場合に膜厚が０から
増すと３０Åまでの範囲において、Ｓ／Ｎｔが改善され
ることがわかる。またＣｒ中間層を用いた場合と比較し
てもＳ／Ｎｔが改善されることがわかる。
【００２９】図４に例３のＲｕ中間層の膜厚および例４
のＣｒ中間層の膜厚を０〜５０Åの範囲で変化させたと
きの保磁力（Ｈｃ）の変化を示す。Ｒｕ中間層の場合に
はＣｒ中間層に比べ保磁力の低下は小さいことがわか
る。
のＣｒ中間層の膜厚を０〜５０Åの範囲で変化させたと
きの保磁力（Ｈｃ）の変化を示す。Ｒｕ中間層の場合に
はＣｒ中間層に比べ保磁力の低下は小さいことがわか
る。
【００３０】上記したように磁気記録膜をＣｏ系合金磁
性層／Ｒｕ中間層／Ｃｏ系合金磁性層の構成とし、かつ
該Ｒｕ中間層の膜厚を３〜３０Å、特に３〜２０Åの範
囲で適切に選ぶことにより、Ｓ／Ｎｔの著しい改善が得
られ、その値はＣｒ中間層の場合に比較して大きい。こ
の選択により保磁力（Ｈｃ）は多少減少するが、その程
度は小さく、高記録密度を達成するための支障となるほ
どではない。Ｃｒ中間層の場合にはＳ／Ｎｔの改善が小
さいうえに、保磁力（Ｈｃ）の減少が著しく大きい。
性層／Ｒｕ中間層／Ｃｏ系合金磁性層の構成とし、かつ
該Ｒｕ中間層の膜厚を３〜３０Å、特に３〜２０Åの範
囲で適切に選ぶことにより、Ｓ／Ｎｔの著しい改善が得
られ、その値はＣｒ中間層の場合に比較して大きい。こ
の選択により保磁力（Ｈｃ）は多少減少するが、その程
度は小さく、高記録密度を達成するための支障となるほ
どではない。Ｃｒ中間層の場合にはＳ／Ｎｔの改善が小
さいうえに、保磁力（Ｈｃ）の減少が著しく大きい。
【００３１】Ｓ／Ｎｔの改善が顕著であるＲｕ中間層膜
厚１０Åでの電磁変換特性を表１に示す。Ｒｕ中間層膜
厚１０ÅにおいてＮｍｅｄｉａ（媒体ノイズ）、Ｓ／Ｎ
ｔ、Ｓ／Ｎｍ（媒体ノイズに対する信号出力の比）のみ
でなく、分解能、ＰＷ５０（孤立再生波半値幅）におい
て、Ｃｒ中間膜を用いた場合に比べ著しく優れているこ
とが明らかである。
厚１０Åでの電磁変換特性を表１に示す。Ｒｕ中間層膜
厚１０ÅにおいてＮｍｅｄｉａ（媒体ノイズ）、Ｓ／Ｎ
ｔ、Ｓ／Ｎｍ（媒体ノイズに対する信号出力の比）のみ
でなく、分解能、ＰＷ５０（孤立再生波半値幅）におい
て、Ｃｒ中間膜を用いた場合に比べ著しく優れているこ
とが明らかである。
【００３２】［例５（実施例）および例６（比較例）］
スパッタリング室内を到達真空度１×１０-6Ｔｏｒｒま
で排気した後、５ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気かつ基板温度
２７０℃で基板バイアスを印加せず、下記のように成膜
を行った。
スパッタリング室内を到達真空度１×１０-6Ｔｏｒｒま
で排気した後、５ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気かつ基板温度
２７０℃で基板バイアスを印加せず、下記のように成膜
を行った。
【００３３】アルミノシリケートガラスからなる非磁性
基板上に、まずＢ２構造を有するＮｉ50Ａｌ50（各成分
量は原子％）からなるターゲットを用いマグネトロンス
パッタリング法によりＮｉＡｌシード層（厚さ：５００
Å）を形成し、次いで下地層としてＣｒ85Ｍｏ15層（各
成分量は原子％）（厚さ：１００Å）を形成した。
基板上に、まずＢ２構造を有するＮｉ50Ａｌ50（各成分
量は原子％）からなるターゲットを用いマグネトロンス
パッタリング法によりＮｉＡｌシード層（厚さ：５００
Å）を形成し、次いで下地層としてＣｒ85Ｍｏ15層（各
成分量は原子％）（厚さ：１００Å）を形成した。
【００３４】次に同上のマグネトロンスパッタリング法
により、前記ＣｒＭｏ層上にＣｏ68Ｃｒ20Ｔａ2 Ｐｔ10
（各成分量は原子％）からなる第一磁性層を１１０Åの
厚さで形成し、次いで、その上にＲｕターゲットを用
い、Ｒｕ中間層を膜厚１０Å（例３においてＳ／Ｎｔの
最大値が得られたＲｕ中間層膜厚）で形成した。さらに
その上に同様な操作によりＣｏ68Ｃｒ20Ｔａ2 Ｐｔ10か
らなる第二磁性層を１１０Åの厚さで形成した後、その
上に炭素系保護膜、潤滑膜をこの順で設けて本発明の磁
気記録媒体の例５の試料とした。Ｘ線回折法により上記
ＮｉＡｌシード層はＮｉ50Ａｌ50の組成をもつＢ２構造
のＮｉＡｌであること、上記Ｒｕ中間層は六方最密構造
であることを同定した。
により、前記ＣｒＭｏ層上にＣｏ68Ｃｒ20Ｔａ2 Ｐｔ10
（各成分量は原子％）からなる第一磁性層を１１０Åの
厚さで形成し、次いで、その上にＲｕターゲットを用
い、Ｒｕ中間層を膜厚１０Å（例３においてＳ／Ｎｔの
最大値が得られたＲｕ中間層膜厚）で形成した。さらに
その上に同様な操作によりＣｏ68Ｃｒ20Ｔａ2 Ｐｔ10か
らなる第二磁性層を１１０Åの厚さで形成した後、その
上に炭素系保護膜、潤滑膜をこの順で設けて本発明の磁
気記録媒体の例５の試料とした。Ｘ線回折法により上記
ＮｉＡｌシード層はＮｉ50Ａｌ50の組成をもつＢ２構造
のＮｉＡｌであること、上記Ｒｕ中間層は六方最密構造
であることを同定した。
【００３５】また、下地層上の磁気記録膜としてＣｏ68
Ｃｒ20Ｔａ2 Ｐｔ10からなる磁性層１層からなる磁気記
録膜（単層膜）を膜厚２２０Åで形成した他は例５の試
料と基板、シード層、下地層の構成を同じくする磁気記
録媒体を同様な方法で作製し、例６の試料とした。
Ｃｒ20Ｔａ2 Ｐｔ10からなる磁性層１層からなる磁気記
録膜（単層膜）を膜厚２２０Åで形成した他は例５の試
料と基板、シード層、下地層の構成を同じくする磁気記
録媒体を同様な方法で作製し、例６の試料とした。
【００３６】シード層としてＢ２構造をもつＮｉＡｌを
用いた場合、磁気記録膜をＣｏ系合金磁性層／Ｒｕ中間
層／Ｃｏ系合金磁性層の膜構成とし、かつ該Ｒｕ中間層
の膜厚を３〜３０Å、特に３〜２０Åの範囲で適切に選
ぶことにより、Ｓ／Ｎｔの著しい改善が得られる。この
選択により保磁力（Ｈｃ）は多少減少するが、その程度
は小さく、高記録密度を達成するための支障となるほど
ではない。
用いた場合、磁気記録膜をＣｏ系合金磁性層／Ｒｕ中間
層／Ｃｏ系合金磁性層の膜構成とし、かつ該Ｒｕ中間層
の膜厚を３〜３０Å、特に３〜２０Åの範囲で適切に選
ぶことにより、Ｓ／Ｎｔの著しい改善が得られる。この
選択により保磁力（Ｈｃ）は多少減少するが、その程度
は小さく、高記録密度を達成するための支障となるほど
ではない。
【００３７】Ｓ／Ｎｔの改善が顕著であるＲｕ中間層膜
厚１０ÅでのＨｃ（Ｏｅ）および電磁変換特性を表１に
示す。Ｒｕ中間層膜厚１０Åにおいて、Ｎｍｅｄｉａ
（媒体ノイズ）、Ｓ／Ｎｔ、Ｓ／Ｎｍ（媒体ノイズに対
する信号出力の比）のみでなく、分解能、ＰＷ５０（孤
立再生波半値幅）において、本発明の複層構成の磁気記
録膜をもつ磁気記録媒体は、磁性層１層からなる磁気記
録膜（単層膜）を用いた場合に比べ著しく優れているこ
とが明らかである。
厚１０ÅでのＨｃ（Ｏｅ）および電磁変換特性を表１に
示す。Ｒｕ中間層膜厚１０Åにおいて、Ｎｍｅｄｉａ
（媒体ノイズ）、Ｓ／Ｎｔ、Ｓ／Ｎｍ（媒体ノイズに対
する信号出力の比）のみでなく、分解能、ＰＷ５０（孤
立再生波半値幅）において、本発明の複層構成の磁気記
録膜をもつ磁気記録媒体は、磁性層１層からなる磁気記
録膜（単層膜）を用いた場合に比べ著しく優れているこ
とが明らかである。
【００３８】
【表１】
【００３９】［例７（実施例）および例８（比較例）］
スパッタリング室内を到達真空度１×１０-6Ｔｏｒｒま
で排気した後、５ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気かつ基板温度
２７０℃で基板バイアスを印加せず、下記のように成膜
を行った。
スパッタリング室内を到達真空度１×１０-6Ｔｏｒｒま
で排気した後、５ｍＴｏｒｒのＡｒ雰囲気かつ基板温度
２７０℃で基板バイアスを印加せず、下記のように成膜
を行った。
【００４０】アルミノシリケートガラスからなる非磁性
基板上に、まずＢ２構造を有するＮｉ50Ａｌ50（各成分
量は原子％）からなるターゲットを用いマグネトロンス
パッタリング法によりＮｉＡｌシード層（厚さ：５００
Å）を形成し、次いで下地層としてＣｒ層（厚さ：３０
０Å）を形成した。
基板上に、まずＢ２構造を有するＮｉ50Ａｌ50（各成分
量は原子％）からなるターゲットを用いマグネトロンス
パッタリング法によりＮｉＡｌシード層（厚さ：５００
Å）を形成し、次いで下地層としてＣｒ層（厚さ：３０
０Å）を形成した。
【００４１】次に同上のマグネトロンスパッタリング法
により、前記Ｃｒ層上にＣｏ79Ｃｒ15Ｔａ3 Ｐｔ3 （各
成分量は原子％）からなる第一磁性層を１１０Åの厚さ
で形成し、次いで、その上にＮｉ50Ａｌ50ターゲットを
用い、ＮｉＡｌ中間層を膜厚５〜１０８Åの範囲で形成
した。さらにその上に同様な操作によりＣｏ79Ｃｒ15Ｔ
ａ3 Ｐｔ3 からなる第二磁性層を１１０Åの厚さで形成
した後、その上に炭素系保護膜、潤滑膜をこの順で設け
て本発明の磁気記録媒体の例７の試料とした。Ｘ線回折
法により上記ＮｉＡｌシード層およびＮｉＡｌ中間層は
いずれもＮｉ50Ａｌ50の組成をもつＢ２構造のＮｉＡｌ
であることを同定した。
により、前記Ｃｒ層上にＣｏ79Ｃｒ15Ｔａ3 Ｐｔ3 （各
成分量は原子％）からなる第一磁性層を１１０Åの厚さ
で形成し、次いで、その上にＮｉ50Ａｌ50ターゲットを
用い、ＮｉＡｌ中間層を膜厚５〜１０８Åの範囲で形成
した。さらにその上に同様な操作によりＣｏ79Ｃｒ15Ｔ
ａ3 Ｐｔ3 からなる第二磁性層を１１０Åの厚さで形成
した後、その上に炭素系保護膜、潤滑膜をこの順で設け
て本発明の磁気記録媒体の例７の試料とした。Ｘ線回折
法により上記ＮｉＡｌシード層およびＮｉＡｌ中間層は
いずれもＮｉ50Ａｌ50の組成をもつＢ２構造のＮｉＡｌ
であることを同定した。
【００４２】また、中間層としてＣｒからなる中間層を
膜厚５〜７５Åの範囲で形成した他は例７の試料と同じ
構成をもつ磁気記録媒体を同様な方法で作製し、例８の
試料とした。
膜厚５〜７５Åの範囲で形成した他は例７の試料と同じ
構成をもつ磁気記録媒体を同様な方法で作製し、例８の
試料とした。
【００４３】図５に例７のＮｉＡｌ中間層の膜厚および
例８のＣｒ中間層の膜厚を変化させた場合の媒体の規格
化ノイズの変化を示す。横軸は、１インチ当たりの磁化
遷移数×１０3 （ｋＦＣＩ）である。横軸は、ＧＵＺＩ
Ｋ社製リードライトテスターとヒューレットパッカード
社製スペクトラムアナライザを用いて測定した各周波数
における媒体出力のノイズ部分をＭｒｔ（残留磁化・膜
厚積）の違いを消去するために２０ｋＦＣＩにおける出
力のシグナル部分で規格化した値である。
例８のＣｒ中間層の膜厚を変化させた場合の媒体の規格
化ノイズの変化を示す。横軸は、１インチ当たりの磁化
遷移数×１０3 （ｋＦＣＩ）である。横軸は、ＧＵＺＩ
Ｋ社製リードライトテスターとヒューレットパッカード
社製スペクトラムアナライザを用いて測定した各周波数
における媒体出力のノイズ部分をＭｒｔ（残留磁化・膜
厚積）の違いを消去するために２０ｋＦＣＩにおける出
力のシグナル部分で規格化した値である。
【００４４】ＮｉＡｌ中間層を用いた場合に膜厚３〜３
０Åの範囲、特に３〜２０Åの範囲で媒体ノイズが著し
く低減していることがわかる。また、Ｃｒ中間層を用い
た従来技術の場合と比較しても、中間層の膜厚３〜３０
Åの範囲、特に３〜２０Åの範囲で媒体ノイズが著しく
低減していることがわかる。
０Åの範囲、特に３〜２０Åの範囲で媒体ノイズが著し
く低減していることがわかる。また、Ｃｒ中間層を用い
た従来技術の場合と比較しても、中間層の膜厚３〜３０
Åの範囲、特に３〜２０Åの範囲で媒体ノイズが著しく
低減していることがわかる。
【００４５】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上
に下地層を介して形成されている磁気記録膜を有する磁
気記録媒体であって、前記磁気記録膜が複数の磁性層と
それら各磁性層間に形成されている中間層とからなり、
前記中間層は結晶構造がＢ２構造を有する材料からなる
中間層またはＲｕからなる中間層である構成とすること
により、ノイズが著しく低減する優れた特徴を有する。
に下地層を介して形成されている磁気記録膜を有する磁
気記録媒体であって、前記磁気記録膜が複数の磁性層と
それら各磁性層間に形成されている中間層とからなり、
前記中間層は結晶構造がＢ２構造を有する材料からなる
中間層またはＲｕからなる中間層である構成とすること
により、ノイズが著しく低減する優れた特徴を有する。
【００４６】また、特にガラスまたは結晶化ガラスから
なる非磁性基板を用いる場合、該基板上に結晶構造がＢ
２構造を有する材料からなるシード層を設け、その上に
ＣｒまたはＣｒ合金からなる下地層を介して上記した複
層構成の磁気記録膜を設けることにより、ノイズが著し
く低減する優れた特徴を有する。
なる非磁性基板を用いる場合、該基板上に結晶構造がＢ
２構造を有する材料からなるシード層を設け、その上に
ＣｒまたはＣｒ合金からなる下地層を介して上記した複
層構成の磁気記録膜を設けることにより、ノイズが著し
く低減する優れた特徴を有する。
【図１】例１のＮｉＡｌＲｕ中間層および例２のＣｒ中
間層の膜厚とＳ／Ｎｔの関係を示すグラフ。
間層の膜厚とＳ／Ｎｔの関係を示すグラフ。
【図２】例１のＮｉＡｌＲｕ中間層および例２のＣｒ中
間層の膜厚とＨｃの関係を示すグラフ。
間層の膜厚とＨｃの関係を示すグラフ。
【図３】例３のＲｕ中間層および例４のＣｒ中間層の膜
厚とＳ／Ｎｔの関係を示すグラフ。
厚とＳ／Ｎｔの関係を示すグラフ。
【図４】例３のＲｕ中間層および例４のＣｒ中間層の膜
厚とＨｃの関係を示すグラフ。
厚とＨｃの関係を示すグラフ。
【図５】例７のＮｉＡｌ中間層および例８のＣｒ中間層
の膜厚と媒体の規格化ノイズの関係を示すグラフ。
の膜厚と媒体の規格化ノイズの関係を示すグラフ。
Claims (9)
- 【請求項１】非磁性基板上に下地層を介して形成されて
いる磁気記録膜を有する磁気記録媒体であって、前記磁
気記録膜が複数の磁性層とそれら各磁性層間に形成され
ている中間層とからなり、前記中間層は結晶構造がＢ２
構造を有する材料からなる中間層またはＲｕからなる中
間層であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記Ｂ２構造を有する中間層の材料がＮｉ
Ａｌ、ＮｉＡｌＲｕ、ＮｉＡｌＮｄ、ＮｉＡｌＣｒ、Ｎ
ｉＡｌＰｔおよびＮｉＡｌＰｄからなる群から選ばれた
１種である請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記中間層の膜厚が３〜３０Åである請求
項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】前記中間層の膜厚が３〜２０Åである請求
項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】前記下地層がＣｒまたはＣｒ合金からなる
請求項１、２、３または４に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】前記非磁性基板上に結晶構造がＢ２構造を
有する材料からなるシード層が設けられ、その上に前記
下地層を介して前記磁気記録膜が形成されている請求項
１、２、３、４または５に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】前記Ｂ２構造を有するシード層の材料がＮ
ｉＡｌ、ＮｉＡｌＲｕ、ＮｉＡｌＮｄ、ＮｉＡｌＣｒ、
ＮｉＡｌＰｔおよびＮｉＡｌＰｄからなる群から選ばれ
た１種である請求項６に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】前記磁性層がＣｏ系合金からなる請求項
１、２、３、４、５、６または７に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項９】前記Ｃｏ系合金がＣｏＣｒＰｔ合金または
ＣｏＣｒＴａＰｔ合金である請求項８に記載の磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07434199A JP4716534B2 (ja) | 1998-03-20 | 1999-03-18 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1998072673 | 1998-03-20 | ||
| JP10-72673 | 1998-03-20 | ||
| JP7267398 | 1998-03-20 | ||
| JP07434199A JP4716534B2 (ja) | 1998-03-20 | 1999-03-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11328646A true JPH11328646A (ja) | 1999-11-30 |
| JP4716534B2 JP4716534B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=26413818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07434199A Expired - Lifetime JP4716534B2 (ja) | 1998-03-20 | 1999-03-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4716534B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002045081A1 (fr) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Fujitsu Limited | Support magnetique d'enregistrement et dispositif magnetique de stockage |
| US6593009B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-07-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands N.V. | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTi |
| US6602612B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6645646B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6689495B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6753101B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-06-22 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| US6761982B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-07-13 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process and apparatus thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US6808830B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-10-26 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, production process and apparatus thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US6821652B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6852430B2 (en) | 2001-03-02 | 2005-02-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTi |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP07434199A patent/JP4716534B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602612B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6645646B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6689495B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6753101B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-06-22 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| US6821652B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| WO2002045081A1 (fr) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Fujitsu Limited | Support magnetique d'enregistrement et dispositif magnetique de stockage |
| US6761982B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-07-13 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process and apparatus thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US6593009B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-07-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands N.V. | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTi |
| US6852430B2 (en) | 2001-03-02 | 2005-02-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTi |
| US6808830B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-10-26 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, production process and apparatus thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
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| JP4716534B2 (ja) | 2011-07-06 |
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