JP2003022513A - 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高記録密度においても良好な電磁変換特性を
示し、なおかつ熱安定性に非常に優れ、更に生産性に優
れた垂直磁気記録媒体ならびにその製造方法。 【解決手段】 垂直記録媒体の磁気記録層をＣｏＣｒ系
合金結晶質膜と希土類−遷移金属合金非晶質膜とを積層
することにより成膜し、ＣｏＣｒ系合金結晶質膜は１０
ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有し、希土類−遷移金属
合金非晶質膜は２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有し、
該ＣｏＣｒ系合金結晶質膜の膜厚をａとし該希土類−遷
移金属合金非晶質膜の膜厚をｂとした時に膜厚比ａ／ｂ
が２以上であることを特徴とする垂直記録媒体および、
該希土類−遷移金属合金非晶質膜を、１０ｍＴｏｒｒ以
上２００ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは２０ｍＴｏｒｒ以
上１００ｍＴｏｒｒ以下のガス圧条件下にて成膜するこ
とを特徴とする垂直記憶媒体の製造方法。
示し、なおかつ熱安定性に非常に優れ、更に生産性に優
れた垂直磁気記録媒体ならびにその製造方法。 【解決手段】 垂直記録媒体の磁気記録層をＣｏＣｒ系
合金結晶質膜と希土類−遷移金属合金非晶質膜とを積層
することにより成膜し、ＣｏＣｒ系合金結晶質膜は１０
ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有し、希土類−遷移金属
合金非晶質膜は２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有し、
該ＣｏＣｒ系合金結晶質膜の膜厚をａとし該希土類−遷
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が２以上であることを特徴とする垂直記録媒体および、
該希土類−遷移金属合金非晶質膜を、１０ｍＴｏｒｒ以
上２００ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは２０ｍＴｏｒｒ以
上１００ｍＴｏｒｒ以下のガス圧条件下にて成膜するこ
とを特徴とする垂直記憶媒体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、種々の磁気記録装
置に搭載される垂直磁気記録媒体およびその製造方法に
関する。
置に搭載される垂直磁気記録媒体およびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク記録装置の大容量化に伴っ
て、磁気記録媒体の高記録密度化の要求が高まってい
る。従来の磁気記録方式では、長手磁気記録方式が主流
であるが、最近、磁気記録の高記録密度化を実現する技
術として、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
て、磁気記録媒体の高記録密度化の要求が高まってい
る。従来の磁気記録方式では、長手磁気記録方式が主流
であるが、最近、磁気記録の高記録密度化を実現する技
術として、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
【０００３】垂直磁気記録媒体は、硬質磁性材料の磁気
記録層と、該磁気記録層への記録に用いられる磁気ヘッ
ドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料で
形成される裏打ち層とを構成要素として備えている。垂
直磁気記録媒体の磁気記録層用の材料としては、現在主
にＣｏＣｒ系合金結晶質膜が使用されている。今後の更
なる高密度化に対し、このＣｏＣｒ系結晶粒の微細化、
粒径分布の低減、粒間の相互作用の制御などの試みが行
われている。
記録層と、該磁気記録層への記録に用いられる磁気ヘッ
ドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料で
形成される裏打ち層とを構成要素として備えている。垂
直磁気記録媒体の磁気記録層用の材料としては、現在主
にＣｏＣｒ系合金結晶質膜が使用されている。今後の更
なる高密度化に対し、このＣｏＣｒ系結晶粒の微細化、
粒径分布の低減、粒間の相互作用の制御などの試みが行
われている。
【０００４】一方、光磁気記録用材料として使用されて
いる希土類−遷移金属合金非晶質膜は、大きな垂直磁気
異方性定数Ｋｕを有し、熱安定性に非常に優れているた
め、垂直磁気記録媒体の磁気記録層材料として非常に有
望である。
いる希土類−遷移金属合金非晶質膜は、大きな垂直磁気
異方性定数Ｋｕを有し、熱安定性に非常に優れているた
め、垂直磁気記録媒体の磁気記録層材料として非常に有
望である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】現在主に使用されてい
るＣｏＣｒ系合金結晶質磁気記録材料の場合、膜厚方向
に結晶粒が成長して構成される柱状構造を有しており、
これが記録再生時に発生する媒体起因のノイズの主原因
の１つとなる。今後の記録の高密度化に伴い、この結晶
粒界が記録信号に及ぼす影響が益々大きな割合を占める
ようになってくる。これに対し、結晶粒径を微細化する
等により結晶粒界の影響を低減しようとする試みも行わ
れてはいるが、結晶粒径が小さくなり過ぎると記録され
た信号の熱安定性が急激に劣化し、場合によっては記録
された信号が消えてしまうという、いわゆる熱揺らぎの
問題が発生する。
るＣｏＣｒ系合金結晶質磁気記録材料の場合、膜厚方向
に結晶粒が成長して構成される柱状構造を有しており、
これが記録再生時に発生する媒体起因のノイズの主原因
の１つとなる。今後の記録の高密度化に伴い、この結晶
粒界が記録信号に及ぼす影響が益々大きな割合を占める
ようになってくる。これに対し、結晶粒径を微細化する
等により結晶粒界の影響を低減しようとする試みも行わ
れてはいるが、結晶粒径が小さくなり過ぎると記録され
た信号の熱安定性が急激に劣化し、場合によっては記録
された信号が消えてしまうという、いわゆる熱揺らぎの
問題が発生する。
【０００６】一方、希土類−遷移金属合金非晶質膜を使
用した場合、非晶質であるために結晶粒界というものは
存在せず、上記の問題は発生しない。しかしながら、逆
に、結晶粒界が存在しないため、書きこまれた信号をそ
の場所にとどめておくための核となるものが存在せず、
信号がシフトまたは消失することがある。特に、この現
象は高い周波数での記録時に発生しやすく、高記録密度
化を目指す垂直磁気記録媒体用の材料としてはあまり好
ましくない。
用した場合、非晶質であるために結晶粒界というものは
存在せず、上記の問題は発生しない。しかしながら、逆
に、結晶粒界が存在しないため、書きこまれた信号をそ
の場所にとどめておくための核となるものが存在せず、
信号がシフトまたは消失することがある。特に、この現
象は高い周波数での記録時に発生しやすく、高記録密度
化を目指す垂直磁気記録媒体用の材料としてはあまり好
ましくない。
【０００７】そこで本発明は、高記録密度においても良
好な電磁変換特性を示し、なおかつ熱安定性に非常に優
れ、さらに生産性に優れた垂直磁気記録媒体ならびにそ
の製造方法の提供を目的とする。
好な電磁変換特性を示し、なおかつ熱安定性に非常に優
れ、さらに生産性に優れた垂直磁気記録媒体ならびにそ
の製造方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下に示す
本発明の垂直磁気記録媒体およびその製造方法により解
決される。
本発明の垂直磁気記録媒体およびその製造方法により解
決される。
【０００９】本発明の第１は、垂直磁気記録媒体に関
し、その第１の形態は、非磁性基板上に少なくとも軟磁
性裏打ち層、中間層、二層磁気記録層、保護層、および
液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体に
おいて、前記二層磁気記録層の１層目はＣｏＣｒ系合金
結晶質膜からなる磁性層であり、２層目は希土類−遷移
金属合金非晶質膜からなる磁性層であり、前記ＣｏＣｒ
系合金結晶質膜は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有
し、前記希土類−遷移金属合金非晶質膜は２ｎｍ以上１
５ｎｍ以下の膜厚を有し、該ＣｏＣｒ系合金結晶質膜の
膜厚をａとし、該希土類−遷移金属合金非晶質膜の膜厚
をｂとした時に、膜厚比ａ／ｂが２以上となるように形
成される垂直記録媒体である。
し、その第１の形態は、非磁性基板上に少なくとも軟磁
性裏打ち層、中間層、二層磁気記録層、保護層、および
液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体に
おいて、前記二層磁気記録層の１層目はＣｏＣｒ系合金
結晶質膜からなる磁性層であり、２層目は希土類−遷移
金属合金非晶質膜からなる磁性層であり、前記ＣｏＣｒ
系合金結晶質膜は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有
し、前記希土類−遷移金属合金非晶質膜は２ｎｍ以上１
５ｎｍ以下の膜厚を有し、該ＣｏＣｒ系合金結晶質膜の
膜厚をａとし、該希土類−遷移金属合金非晶質膜の膜厚
をｂとした時に、膜厚比ａ／ｂが２以上となるように形
成される垂直記録媒体である。
【００１０】同じく第２の形態は、非磁性基板上に少な
くとも配向制御層、磁区制御層、軟磁性裏打ち層、中間
層、二層磁気記録層、保護層、および液体潤滑剤層が順
次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記二層
磁気記録層の１層目はＣｏＣｒ系合金結晶質膜からなる
磁性層であり、２層目は希土類−遷移金属合金非晶質膜
からなる磁性層であり、前記ＣｏＣｒ系合金結晶質膜は
１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有し、前記希土類−
遷移金属合金非晶質膜は２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚
を有し、該ＣｏＣｒ系合金結晶質膜の膜厚をａとし、該
希土類−遷移金属合金非晶質膜の膜厚をｂとした時に、
膜厚比ａ／ｂが２以上となるように形成される垂直記録
媒体である。
くとも配向制御層、磁区制御層、軟磁性裏打ち層、中間
層、二層磁気記録層、保護層、および液体潤滑剤層が順
次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記二層
磁気記録層の１層目はＣｏＣｒ系合金結晶質膜からなる
磁性層であり、２層目は希土類−遷移金属合金非晶質膜
からなる磁性層であり、前記ＣｏＣｒ系合金結晶質膜は
１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有し、前記希土類−
遷移金属合金非晶質膜は２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚
を有し、該ＣｏＣｒ系合金結晶質膜の膜厚をａとし、該
希土類−遷移金属合金非晶質膜の膜厚をｂとした時に、
膜厚比ａ／ｂが２以上となるように形成される垂直記録
媒体である。
【００１１】更に本発明の磁気記録媒体は、前記希土類
−遷移合金非晶質材料が少なくとも１０原子％以上３５
原子％以下のＰｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏのう
ち少なくとも１種類以上の元素を含み、残部をＮｉ、Ｆ
ｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類以上の遷移金属を含
む。
−遷移合金非晶質材料が少なくとも１０原子％以上３５
原子％以下のＰｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏのう
ち少なくとも１種類以上の元素を含み、残部をＮｉ、Ｆ
ｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類以上の遷移金属を含
む。
【００１２】本発明の第２は、上記第１の形態および第
２の形態の磁気記録媒体の製造方法に関する。
２の形態の磁気記録媒体の製造方法に関する。
【００１３】具体的には、第１の形態の垂直磁気記録媒
体の製造方法は、非磁性基板上に、軟磁性裏打ち層を成
膜する工程と、中間層を成膜する工程と、二層磁気記録
層の１層目であるＣｏＣｒ系合金結晶質膜からなる磁性
層を成膜する工程と、二層磁気記録層の２層目である希
土類−遷移金属合金非晶質膜を成膜する工程と、保護層
を成膜する工程と、液体潤滑剤層を成膜する工程とを含
む製造方法であり、特に前記希土類−遷移金属合金非晶
質膜の成膜時に使用するガス圧が１０ｍＴｏｒｒ以上２
００ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは２０ｍＴｏｒｒ以上１
００ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする。
体の製造方法は、非磁性基板上に、軟磁性裏打ち層を成
膜する工程と、中間層を成膜する工程と、二層磁気記録
層の１層目であるＣｏＣｒ系合金結晶質膜からなる磁性
層を成膜する工程と、二層磁気記録層の２層目である希
土類−遷移金属合金非晶質膜を成膜する工程と、保護層
を成膜する工程と、液体潤滑剤層を成膜する工程とを含
む製造方法であり、特に前記希土類−遷移金属合金非晶
質膜の成膜時に使用するガス圧が１０ｍＴｏｒｒ以上２
００ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは２０ｍＴｏｒｒ以上１
００ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする。
【００１４】また、第２の形態の垂直磁気記録媒体の製
造方法は、非磁性基板上に、配向制御層を成膜する工程
と、磁区制御層を成膜する工程と、軟磁性裏打ち層を成
膜する工程と、中間層を成膜する工程と、二層磁気記録
層の１層目であるＣｏＣｒ系合金結晶質膜からなる磁性
層を成膜する工程と、二層磁気記録層の２層目である希
土類−遷移金属合金非晶質膜を成膜する工程と、保護層
を成膜する工程と、液体潤滑剤層を成膜する工程とを含
む製造方法であり、前記希土類−遷移金属合金非晶質膜
の成膜時に使用するガス圧が１０ｍＴｏｒｒ以上２００
ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは２０ｍＴｏｒｒ以上１００
ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする。
造方法は、非磁性基板上に、配向制御層を成膜する工程
と、磁区制御層を成膜する工程と、軟磁性裏打ち層を成
膜する工程と、中間層を成膜する工程と、二層磁気記録
層の１層目であるＣｏＣｒ系合金結晶質膜からなる磁性
層を成膜する工程と、二層磁気記録層の２層目である希
土類−遷移金属合金非晶質膜を成膜する工程と、保護層
を成膜する工程と、液体潤滑剤層を成膜する工程とを含
む製造方法であり、前記希土類−遷移金属合金非晶質膜
の成膜時に使用するガス圧が１０ｍＴｏｒｒ以上２００
ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは２０ｍＴｏｒｒ以上１００
ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする。
【００１５】本発明は上記の第２の発明にかかる製造方
法により製造される垂直磁気記録媒体を含む。
法により製造される垂直磁気記録媒体を含む。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１７】本発明の第１は、垂直磁気記録媒体に関す
る。以下に、図１および図２を参照して本発明の磁気記
録媒体の第１の形態および第２の形態について説明す
る。なお、図１および図２は、本発明の例示のために示
すものであり、本発明はこれらに限定されない。
る。以下に、図１および図２を参照して本発明の磁気記
録媒体の第１の形態および第２の形態について説明す
る。なお、図１および図２は、本発明の例示のために示
すものであり、本発明はこれらに限定されない。
【００１８】図１は本発明の第１の形態である垂直磁気
記録媒体の構成を示す断面模式図である。この垂直磁気
記録媒体は非磁性基板１上に軟磁性裏打ち層４、中間層
５、二層磁気記録層６、および保護層７が順に成膜され
た構造を有しており、更にその上に液体潤滑剤層８が成
膜されている。
記録媒体の構成を示す断面模式図である。この垂直磁気
記録媒体は非磁性基板１上に軟磁性裏打ち層４、中間層
５、二層磁気記録層６、および保護層７が順に成膜され
た構造を有しており、更にその上に液体潤滑剤層８が成
膜されている。
【００１９】本発明において、非磁性基板１は、通常の
磁気記録媒体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ
合金、強化ガラス、あるいは結晶化ガラスなどを用いる
ことができる。
磁気記録媒体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ
合金、強化ガラス、あるいは結晶化ガラスなどを用いる
ことができる。
【００２０】軟磁性裏打ち層４は、非晶質のＣｏ合金、
ＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金などを
用いることができる。特に非晶質のＣｏ合金、例えばＣ
ｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることにより良好
な電磁変換特性を得ることができる。軟磁性裏打ち層４
の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によ
って最適値が変化する。生産性を考慮すると、軟磁性裏
打ち層４は１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有する
ことが望ましい。
ＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金などを
用いることができる。特に非晶質のＣｏ合金、例えばＣ
ｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることにより良好
な電磁変換特性を得ることができる。軟磁性裏打ち層４
の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によ
って最適値が変化する。生産性を考慮すると、軟磁性裏
打ち層４は１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚を有する
ことが望ましい。
【００２１】本発明においては、中間層５は、軟磁性裏
打ち層４と二層磁気記録層６とを磁気的に分離するた
め、ならびに二層磁気記録層６の１層目であるＣｏＣｒ
系合金結晶質膜の特性を制御するために用いられる。中
間層５の材料としては、Ｔｉ、Ｒｕなどの非磁性元素あ
るいはＴｉＣｒ、ＣｏＣｒなどの非磁性合金が適宜用い
られる。中間層５は、５から３０ｎｍの膜厚を有するこ
とが好ましい。
打ち層４と二層磁気記録層６とを磁気的に分離するた
め、ならびに二層磁気記録層６の１層目であるＣｏＣｒ
系合金結晶質膜の特性を制御するために用いられる。中
間層５の材料としては、Ｔｉ、Ｒｕなどの非磁性元素あ
るいはＴｉＣｒ、ＣｏＣｒなどの非磁性合金が適宜用い
られる。中間層５は、５から３０ｎｍの膜厚を有するこ
とが好ましい。
【００２２】本発明では磁気記録層として二層磁気記録
層６を設ける。この二層磁気記録層は、１層目９および
２層目１０からなる二層構造を有する。
層６を設ける。この二層磁気記録層は、１層目９および
２層目１０からなる二層構造を有する。
【００２３】本発明においては、１層目９は、ＣｏＣｒ
系合金結晶質を原料とする磁性層であり、２層目１０
は、希土類−遷移金属合金非晶質を原料とする磁性層で
ある。本発明の垂直磁気記録媒体では、ＣｏＣｒ系合金
結晶質膜として使用できる好ましい材料の例は、ＣｏＣ
ｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、
ＣｏＣｒＰｔＢなどのＣｏＣｒ合金系である。
系合金結晶質を原料とする磁性層であり、２層目１０
は、希土類−遷移金属合金非晶質を原料とする磁性層で
ある。本発明の垂直磁気記録媒体では、ＣｏＣｒ系合金
結晶質膜として使用できる好ましい材料の例は、ＣｏＣ
ｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、
ＣｏＣｒＰｔＢなどのＣｏＣｒ合金系である。
【００２４】１層目の前記ＣｏＣｒ系合金結晶質膜は１
０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有することが好まし
い。これは、１０ｎｍ未満の膜厚では良好な磁気特性が
得られず、ＳＮＲ（電磁変換特性の信号とノイズの比）
が低下し、３０ｎｍより厚い膜厚では、膜厚が厚くなっ
たことによりノイズが増加することによりＳＮＲが低下
するためである。
０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有することが好まし
い。これは、１０ｎｍ未満の膜厚では良好な磁気特性が
得られず、ＳＮＲ（電磁変換特性の信号とノイズの比）
が低下し、３０ｎｍより厚い膜厚では、膜厚が厚くなっ
たことによりノイズが増加することによりＳＮＲが低下
するためである。
【００２５】希土類−遷移金属合金非晶質からなる２層
目の膜は、少なくとも１０原子％以上３５原子％以下の
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏのうち、少なくと
も１種類以上の元素を含むことが好ましい。この２層目
の膜の残部はＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類
以上の遷移金属を含む。２層目に使用できる材料の例
は、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏといったＴｂ合金系があ
る。
目の膜は、少なくとも１０原子％以上３５原子％以下の
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏのうち、少なくと
も１種類以上の元素を含むことが好ましい。この２層目
の膜の残部はＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類
以上の遷移金属を含む。２層目に使用できる材料の例
は、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏといったＴｂ合金系があ
る。
【００２６】前記希土類−遷移金属合金非晶質膜は２ｎ
ｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有することが好ましい。こ
れは、２ｎｍ未満の膜厚では、希土類−遷移金属非晶質
膜としての特性が得られず、１５ｎｍより厚い膜厚では
希土類−遷移金属非晶質膜としての特性が強くなりす
ぎ、書き込まれた信号に揺らぎが生じることによりＳＮ
Ｒが低下するためである。
ｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有することが好ましい。こ
れは、２ｎｍ未満の膜厚では、希土類−遷移金属非晶質
膜としての特性が得られず、１５ｎｍより厚い膜厚では
希土類−遷移金属非晶質膜としての特性が強くなりす
ぎ、書き込まれた信号に揺らぎが生じることによりＳＮ
Ｒが低下するためである。
【００２７】本発明において、二層磁気記録層６の良好
な特性を維持するためには、二層磁気記録層６の１層目
９のＣｏＣｒ系合金結晶質膜および２層目１０の希土類
−遷移金属合金非晶質膜の膜厚比には一定の条件が存在
する。
な特性を維持するためには、二層磁気記録層６の１層目
９のＣｏＣｒ系合金結晶質膜および２層目１０の希土類
−遷移金属合金非晶質膜の膜厚比には一定の条件が存在
する。
【００２８】該ＣｏＣｒ系合金結晶質膜の膜厚をａと
し、該希土類−遷移金属合金非晶質膜の膜厚をｂとした
時に、膜厚比ａ／ｂが２以上になるように１層目および
２層目を形成することが好ましい。膜厚比ａ／ｂが２よ
りも小さい場合は、希土類−遷移金属合金非晶質膜の特
性が強くなり、ＳＮＲが低下するためである。
し、該希土類−遷移金属合金非晶質膜の膜厚をｂとした
時に、膜厚比ａ／ｂが２以上になるように１層目および
２層目を形成することが好ましい。膜厚比ａ／ｂが２よ
りも小さい場合は、希土類−遷移金属合金非晶質膜の特
性が強くなり、ＳＮＲが低下するためである。
【００２９】保護層７は、従来より使用されている材料
を用いて成膜することができる。例えば、カーボンを主
体とする材料から形成することができる。保護層７の膜
厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件
をそのまま用いることができる。
を用いて成膜することができる。例えば、カーボンを主
体とする材料から形成することができる。保護層７の膜
厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件
をそのまま用いることができる。
【００３０】また、液体潤滑層８も従来より使用されて
いる材料を用いることができる。例えば、パーフルオロ
ポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。液体潤
滑剤層８の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用い
られる諸条件をそのまま用いることができる。
いる材料を用いることができる。例えば、パーフルオロ
ポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。液体潤
滑剤層８の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用い
られる諸条件をそのまま用いることができる。
【００３１】図２は本発明の第２の形態である垂直磁気
記録媒体の構成を示す断面模式図である。磁気記録媒体
は非磁性基板１上に配向制御層２、磁区制御層３、軟磁
性裏打ち層４、中間層５、二層磁気記録層６、および保
護層７が順に成膜された構造を有しており、更にその上
に液体潤滑剤層８が成膜されている。
記録媒体の構成を示す断面模式図である。磁気記録媒体
は非磁性基板１上に配向制御層２、磁区制御層３、軟磁
性裏打ち層４、中間層５、二層磁気記録層６、および保
護層７が順に成膜された構造を有しており、更にその上
に液体潤滑剤層８が成膜されている。
【００３２】非磁性基板１は、上記第１の形態で説明し
た垂直記憶媒体と同様の材料を用いることができる。
た垂直記憶媒体と同様の材料を用いることができる。
【００３３】磁区制御層３は、Ｍｎを含む合金系からな
るＰｔＭｎ、ＩｒＭｎなどの反強磁性膜、あるいは非磁
性基板１の半径方向に磁化を配向させたＣｏＣｒＴａ、
ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢなどの硬質磁性膜を用い
ることができる。該磁区制御層３は５〜３００ｎｍ程度
の膜厚を有することが好ましい。
るＰｔＭｎ、ＩｒＭｎなどの反強磁性膜、あるいは非磁
性基板１の半径方向に磁化を配向させたＣｏＣｒＴａ、
ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢなどの硬質磁性膜を用い
ることができる。該磁区制御層３は５〜３００ｎｍ程度
の膜厚を有することが好ましい。
【００３４】配向制御層２は、磁区制御層３にＭｎ合金
系の反強磁性膜を用いる場合には、面心立方体構造を有
するＣｕ、Ｉｒなどの非磁性単金属、あるいはＮｉＦｅ
Ｃｒなどの非磁性合金などを用いることが望ましい。そ
の場合非磁性基板１と前記配向制御層２との間に、該配
向制御層２の微細構造を制御するために、３ｎｍ〜３０
ｎｍ、好ましくは５〜１０ｎｍの膜厚を有するＴａ、Ｚ
ｒ、Ｎｂなどの下地層を設けてもよい。また磁区制御層
３に硬質磁性膜を用いた場合には、配向制御層２は、Ｃ
ｒＭｏ、ＣｒＷなどのＣｒ合金などを用いることができ
る。この場合にも、非磁性基板１と前記配向制御層２と
の間に、該配向制御層２の微細構造を制御するために前
記と同様の条件の下地層を設けてもよい。配向制御層２
は３ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚を有することが好ましい。
系の反強磁性膜を用いる場合には、面心立方体構造を有
するＣｕ、Ｉｒなどの非磁性単金属、あるいはＮｉＦｅ
Ｃｒなどの非磁性合金などを用いることが望ましい。そ
の場合非磁性基板１と前記配向制御層２との間に、該配
向制御層２の微細構造を制御するために、３ｎｍ〜３０
ｎｍ、好ましくは５〜１０ｎｍの膜厚を有するＴａ、Ｚ
ｒ、Ｎｂなどの下地層を設けてもよい。また磁区制御層
３に硬質磁性膜を用いた場合には、配向制御層２は、Ｃ
ｒＭｏ、ＣｒＷなどのＣｒ合金などを用いることができ
る。この場合にも、非磁性基板１と前記配向制御層２と
の間に、該配向制御層２の微細構造を制御するために前
記と同様の条件の下地層を設けてもよい。配向制御層２
は３ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚を有することが好ましい。
【００３５】軟磁性裏打ち層４、中間層５、二層磁気記
録層６、保護層７、および液体潤滑剤層８は、上記第１
の形態で説明した垂直記憶媒体と同様の材料を用いるこ
とができる。
録層６、保護層７、および液体潤滑剤層８は、上記第１
の形態で説明した垂直記憶媒体と同様の材料を用いるこ
とができる。
【００３６】次に、第２の発明に係る、上記第１の発明
の垂直磁気記録媒体の製造方法について説明する。
の垂直磁気記録媒体の製造方法について説明する。
【００３７】第１の発明の第１の形態に係る垂直磁気記
録媒体の製造方法を以下に説明する。
録媒体の製造方法を以下に説明する。
【００３８】この垂直磁気記録媒体の製造方法では、非
磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層４を成膜する工程と、
中間層５を成膜する工程と、二層磁気記録層６の１層目
９を成膜する工程と、二層磁気記録層６の２層目１０を
成膜する工程と、保護層７を成膜する工程と、液体潤滑
剤層８を成膜する工程とを含む。
磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層４を成膜する工程と、
中間層５を成膜する工程と、二層磁気記録層６の１層目
９を成膜する工程と、二層磁気記録層６の２層目１０を
成膜する工程と、保護層７を成膜する工程と、液体潤滑
剤層８を成膜する工程とを含む。
【００３９】第１の工程は、非磁性基板１上に、軟磁性
裏打ち層４を成膜する工程である。この工程において用
いる非磁性基板１は、通常の磁気記録媒体用に用いられ
るＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、強化ガラス、あるい
は結晶化ガラスなどを用いることができる。非磁性基板
１上に積層が行われていくため、非磁性基板１表面は平
滑および汚れのない状態が好ましい。
裏打ち層４を成膜する工程である。この工程において用
いる非磁性基板１は、通常の磁気記録媒体用に用いられ
るＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、強化ガラス、あるい
は結晶化ガラスなどを用いることができる。非磁性基板
１上に積層が行われていくため、非磁性基板１表面は平
滑および汚れのない状態が好ましい。
【００４０】このような非磁性基板１上にスパッタリン
グ法またはメッキ法によって、軟磁性裏打ち層４を成膜
する工程を行う。軟磁性裏打ち層４は、非晶質のＣｏ合
金、ＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金な
どを用いることができる。特に非晶質のＣｏ合金、例え
ばＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることにより
良好な電磁変換特性を得ることができる。軟磁性裏打ち
層４の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性
によって最適値が変化するが、生産性を考慮すると、１
０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚であることが望まし
い。
グ法またはメッキ法によって、軟磁性裏打ち層４を成膜
する工程を行う。軟磁性裏打ち層４は、非晶質のＣｏ合
金、ＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金な
どを用いることができる。特に非晶質のＣｏ合金、例え
ばＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることにより
良好な電磁変換特性を得ることができる。軟磁性裏打ち
層４の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性
によって最適値が変化するが、生産性を考慮すると、１
０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の膜厚であることが望まし
い。
【００４１】次に、第２の工程は、中間層５を成膜する
工程である。この工程では、基板表面温度を２５０℃ま
で加熱を行った後、同様にスパッタリング法によって中
間層５を成膜する。中間層５は、軟磁性裏打ち層４と二
層磁気記録層６とを磁気的に分離するため、ならびに二
層磁気記録層６の１層目９であるＣｏＣｒ系合金結晶質
膜の特性を制御するために用いられる。中間層５の材料
としては、Ｔｉ、Ｒｕなどの非磁性元素、あるいはＴｉ
Ｃｒ、ＣｏＣｒなどの非磁性合金が適宜用いられる。中
間層５は、５から３０ｎｍの膜厚を有することが好まし
い。
工程である。この工程では、基板表面温度を２５０℃ま
で加熱を行った後、同様にスパッタリング法によって中
間層５を成膜する。中間層５は、軟磁性裏打ち層４と二
層磁気記録層６とを磁気的に分離するため、ならびに二
層磁気記録層６の１層目９であるＣｏＣｒ系合金結晶質
膜の特性を制御するために用いられる。中間層５の材料
としては、Ｔｉ、Ｒｕなどの非磁性元素、あるいはＴｉ
Ｃｒ、ＣｏＣｒなどの非磁性合金が適宜用いられる。中
間層５は、５から３０ｎｍの膜厚を有することが好まし
い。
【００４２】次に第３の工程は、二層磁気記録層６を成
膜する工程である。この二層磁気記録層６は、１層目９
および２層目１０より構成されるので、これらの層を順
次成膜する。まず、１層目９はＣｏＣｒ系合金結晶質を
ターゲットとして用いるスパッタリング法により形成さ
れる。この１層目は、ＣｏＣｒ系合金結晶質を材料と
し、例えばＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢなどの合金系を使用す
ることができる。本発明のスパッタリング法は、所望の
組成の結晶質膜を形成できるターゲットを用いて行うこ
とが可能である。
膜する工程である。この二層磁気記録層６は、１層目９
および２層目１０より構成されるので、これらの層を順
次成膜する。まず、１層目９はＣｏＣｒ系合金結晶質を
ターゲットとして用いるスパッタリング法により形成さ
れる。この１層目は、ＣｏＣｒ系合金結晶質を材料と
し、例えばＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢなどの合金系を使用す
ることができる。本発明のスパッタリング法は、所望の
組成の結晶質膜を形成できるターゲットを用いて行うこ
とが可能である。
【００４３】ＣｏＣｒ系合金結晶質膜を用いた場合の膜
厚は、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。１０ｎｍ
未満の膜厚では良好な磁気特性が得られず、ＳＮＲは低
下し、３０ｎｍより厚い膜厚では、膜厚が厚くなったこ
とによりノイズが増加するためにＳＮＲは低下するため
である。スパッタリングの条件は、例えば、スパッタリ
ングに一般に用いられるＡｒガスを使用し、Ａｒガスの
流量を調整するか、あるいは真空ポンプとの間に設けら
れているバルブの開閉度を調節することによりガス圧を
２ｍＴｏｒｒから１０ｍＴｏｒｒ程度とすることが好ま
しい。
厚は、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。１０ｎｍ
未満の膜厚では良好な磁気特性が得られず、ＳＮＲは低
下し、３０ｎｍより厚い膜厚では、膜厚が厚くなったこ
とによりノイズが増加するためにＳＮＲは低下するため
である。スパッタリングの条件は、例えば、スパッタリ
ングに一般に用いられるＡｒガスを使用し、Ａｒガスの
流量を調整するか、あるいは真空ポンプとの間に設けら
れているバルブの開閉度を調節することによりガス圧を
２ｍＴｏｒｒから１０ｍＴｏｒｒ程度とすることが好ま
しい。
【００４４】続いて二層磁気記録層６の２層目１０を成
膜する。２層目１０の成膜は、例えばＲＥ（１−Ｘ）−
ＴＭＸターゲット（希土類元素（ＲＥ）＝Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ／遷移金属（ＴＭ）＝Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ；ｘ＝
０．５〜０．９５）を用いてスパッタリング法により行
われる。希土類−遷移金属合金非晶質膜は、上記第１の
発明で説明したように、少なくとも１０原子％以上３５
原子％以下のＰｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏのう
ち、少なくとも１種類以上の元素を含み、残部にＮｉ、
Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類以上の遷移金属を含
んでいることが好ましい。したがって、このような組成
が得られるようにスパッタリング法の条件を制御する。
例えば、前記希土類−遷移金属合金非晶質膜の成膜時に
おいて使用するガスは、スパッタリングに一般に用いら
れるＡｒガスを使用し、Ａｒガスの流量を調整、あるい
は真空ポンプとの間に設けられているバルブの開閉度を
調節することによりガス圧を１０ｍＴｏｒｒ以上２００
ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは２０ｍＴｏｒｒ以上１００
ｍＴｏｒｒ以下に調整することが好ましい。このような
範囲とするのは、１０ｍＴｏｒｒ未満のガス圧では膜中
の交換結合が非常に強いために、特に高周波領域におい
て信号が位相シフトあるいは消滅することにより、ＳＮ
Ｒが５ｄＢ程度の小さな値となるからであり、また２０
０ｍＴｏｒｒより高圧のガス圧では面内磁化膜となり、
特性が急激に悪化するためである。
膜する。２層目１０の成膜は、例えばＲＥ（１−Ｘ）−
ＴＭＸターゲット（希土類元素（ＲＥ）＝Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ／遷移金属（ＴＭ）＝Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ；ｘ＝
０．５〜０．９５）を用いてスパッタリング法により行
われる。希土類−遷移金属合金非晶質膜は、上記第１の
発明で説明したように、少なくとも１０原子％以上３５
原子％以下のＰｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏのう
ち、少なくとも１種類以上の元素を含み、残部にＮｉ、
Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類以上の遷移金属を含
んでいることが好ましい。したがって、このような組成
が得られるようにスパッタリング法の条件を制御する。
例えば、前記希土類−遷移金属合金非晶質膜の成膜時に
おいて使用するガスは、スパッタリングに一般に用いら
れるＡｒガスを使用し、Ａｒガスの流量を調整、あるい
は真空ポンプとの間に設けられているバルブの開閉度を
調節することによりガス圧を１０ｍＴｏｒｒ以上２００
ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは２０ｍＴｏｒｒ以上１００
ｍＴｏｒｒ以下に調整することが好ましい。このような
範囲とするのは、１０ｍＴｏｒｒ未満のガス圧では膜中
の交換結合が非常に強いために、特に高周波領域におい
て信号が位相シフトあるいは消滅することにより、ＳＮ
Ｒが５ｄＢ程度の小さな値となるからであり、また２０
０ｍＴｏｒｒより高圧のガス圧では面内磁化膜となり、
特性が急激に悪化するためである。
【００４５】なお、前記希土類−遷移金属合金非晶質膜
は２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有することが好まし
い。これは、２ｎｍ未満の膜厚では、希土類−遷移金属
非晶質膜としての特性が得られず、１５ｎｍより厚い膜
厚では希土類−遷移金属非晶質膜としての特性が強くな
りすぎ、書き込まれた信号に揺らぎが生じることにより
ＳＮＲが低下するためである。
は２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有することが好まし
い。これは、２ｎｍ未満の膜厚では、希土類−遷移金属
非晶質膜としての特性が得られず、１５ｎｍより厚い膜
厚では希土類−遷移金属非晶質膜としての特性が強くな
りすぎ、書き込まれた信号に揺らぎが生じることにより
ＳＮＲが低下するためである。
【００４６】以上のように１層目９の成膜工程および２
層目１０の成膜工程の２つの工程により二層磁気記録層
６を成膜する。本発明の垂直磁気記録媒体は第１の発明
で説明したように、従って、本発明の垂直磁気記録媒体
の製造方法においても１層目９および２層目１０の膜厚
比が一定の条件を満たすように成膜条件を設定すること
が必要である。すなわち、１層目９である該ＣｏＣｒ系
合金結晶質膜の膜厚をａとし、２層目１０である該希土
類−遷移金属合金非晶質膜の膜厚をｂとした時に、膜厚
比ａ／ｂが２以上になるように１層目９および２層目１
０を形成するように成膜条件を設定する。膜厚の調節
は、各ターゲットに投入する電力並びに成膜時間を調節
して所望の厚さの膜を形成すればよい。このように膜厚
比を制限するのは、膜厚比ａ／ｂが２よりも小さい場合
は、希土類−遷移金属合金非晶質膜特性が強くなり、Ｓ
ＮＲが低下するためである。
層目１０の成膜工程の２つの工程により二層磁気記録層
６を成膜する。本発明の垂直磁気記録媒体は第１の発明
で説明したように、従って、本発明の垂直磁気記録媒体
の製造方法においても１層目９および２層目１０の膜厚
比が一定の条件を満たすように成膜条件を設定すること
が必要である。すなわち、１層目９である該ＣｏＣｒ系
合金結晶質膜の膜厚をａとし、２層目１０である該希土
類−遷移金属合金非晶質膜の膜厚をｂとした時に、膜厚
比ａ／ｂが２以上になるように１層目９および２層目１
０を形成するように成膜条件を設定する。膜厚の調節
は、各ターゲットに投入する電力並びに成膜時間を調節
して所望の厚さの膜を形成すればよい。このように膜厚
比を制限するのは、膜厚比ａ／ｂが２よりも小さい場合
は、希土類−遷移金属合金非晶質膜特性が強くなり、Ｓ
ＮＲが低下するためである。
【００４７】次にの工程は、保護層７を成膜する工程で
ある。保護層７を成膜する方法としてはスパッタリング
法、ＣＶＤ法およびカソーディック・アーク・カーボン
法があげられる。これらの方法によって保護層７が二層
磁気記録層６上に成膜される。保護層７は、従来より使
用されている材料を用いて成膜することができる。使用
できる材料は例えば、カーボンを主体とする材料から形
成することができる。保護層７の膜厚等の条件は、通常
の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いるこ
とができる。
ある。保護層７を成膜する方法としてはスパッタリング
法、ＣＶＤ法およびカソーディック・アーク・カーボン
法があげられる。これらの方法によって保護層７が二層
磁気記録層６上に成膜される。保護層７は、従来より使
用されている材料を用いて成膜することができる。使用
できる材料は例えば、カーボンを主体とする材料から形
成することができる。保護層７の膜厚等の条件は、通常
の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いるこ
とができる。
【００４８】本発明の上記各工程をスパッタリングで行
う場合、成膜時のガス圧は、希土類−遷移金属合金非晶
質膜の成膜時において使用するガスの圧力以外は全て２
ｍＴｏｒｒから１０ｍＴｏｒｒ程度に調整することが好
ましい。ガス圧の調整法は希土類−遷移金属合金非晶質
膜の成膜時のガス圧調整法と同様である。また、これ以
外の、温度などの条件は、各層の成膜の条件に合わせて
適宜選択すればよい。
う場合、成膜時のガス圧は、希土類−遷移金属合金非晶
質膜の成膜時において使用するガスの圧力以外は全て２
ｍＴｏｒｒから１０ｍＴｏｒｒ程度に調整することが好
ましい。ガス圧の調整法は希土類−遷移金属合金非晶質
膜の成膜時のガス圧調整法と同様である。また、これ以
外の、温度などの条件は、各層の成膜の条件に合わせて
適宜選択すればよい。
【００４９】本発明において、以上の工程まではスパッ
タリング法を主に使用することができる。この方法は、
一連の反応を真空装置内で一括して行うことができるの
で好ましい。しかし本発明では、上記の二層磁気記録層
６の諸条件を満足する限り、他の従来法を使用すること
ができる。
タリング法を主に使用することができる。この方法は、
一連の反応を真空装置内で一括して行うことができるの
で好ましい。しかし本発明では、上記の二層磁気記録層
６の諸条件を満足する限り、他の従来法を使用すること
ができる。
【００５０】次に、各層が成膜された磁気記録媒体を真
空装置から取り出し、最後に液体潤滑剤層８を成膜す
る。
空装置から取り出し、最後に液体潤滑剤層８を成膜す
る。
【００５１】液体潤滑層８は従来より使用されている材
料を用いて成膜することができる。使用できる材料は例
えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いるこ
とができる。液体潤滑層８は上記潤滑剤を所定の溶剤に
溶かした溶液を、ディップ法、スプレー法、スピンコー
ト法などによって先の工程で得られた磁気記録媒体上に
成膜すればよい。液体潤滑剤層８の膜厚等の条件は、通
常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いる
ことができる。
料を用いて成膜することができる。使用できる材料は例
えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いるこ
とができる。液体潤滑層８は上記潤滑剤を所定の溶剤に
溶かした溶液を、ディップ法、スプレー法、スピンコー
ト法などによって先の工程で得られた磁気記録媒体上に
成膜すればよい。液体潤滑剤層８の膜厚等の条件は、通
常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いる
ことができる。
【００５２】次に、上記第１の発明の第２の形態の垂直
磁気記録媒体の製造方法を以下に説明する。第２の形態
の垂直磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板１上に、
配向制御層２を成膜する工程と、磁区制御層３を成膜す
る工程と、軟磁性裏打ち層４を成膜する工程と、中間層
５を成膜する工程と、二層磁気記録層６の１層目９を成
膜する工程と、二層磁気記録層６の２層目１０を成膜す
る工程と、保護層７を成膜する工程と、液体潤滑剤層８
を成膜する工程とを含む方法である。
磁気記録媒体の製造方法を以下に説明する。第２の形態
の垂直磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板１上に、
配向制御層２を成膜する工程と、磁区制御層３を成膜す
る工程と、軟磁性裏打ち層４を成膜する工程と、中間層
５を成膜する工程と、二層磁気記録層６の１層目９を成
膜する工程と、二層磁気記録層６の２層目１０を成膜す
る工程と、保護層７を成膜する工程と、液体潤滑剤層８
を成膜する工程とを含む方法である。
【００５３】本発明の製造方法は、配向制御層２および
磁区制御層３を非磁性基板上に設ける以外、上記第１の
形態の垂直磁気記録媒体の製造方法と実質的に同様であ
る。したがって、この２工程について以下に説明する。
なお、他の工程は上記第１の形態の垂直磁気記録媒体の
製造方法と同じである。
磁区制御層３を非磁性基板上に設ける以外、上記第１の
形態の垂直磁気記録媒体の製造方法と実質的に同様であ
る。したがって、この２工程について以下に説明する。
なお、他の工程は上記第１の形態の垂直磁気記録媒体の
製造方法と同じである。
【００５４】配向制御層２を成膜する工程は、非磁性基
板１をスパッタ装置内に導入し、スパッタリング法によ
り配向制御層２を成膜することにより行うことができ
る。配向制御層２の材料は、次の工程で成膜される磁区
制御層３にＭｎ合金系の反強磁性膜を用いる場合には、
Ｃｕ、Ｉｒなどの面心立方体構造を有する非磁性単金属
あるいはＮｉＦｅＣｒなどの非磁性合金などを用いるこ
とが望ましい。その場合非磁性基板と前記配向制御層２
との間に、該配向制御層２の微細構造を制御するため
に、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂなどの下地層を設けてもよい。該
下地層は３〜３０ｎｍ、好ましくは５〜１０ｎｍの膜厚
を有することが好ましい。下地層は、スパッタ法などの
従来法により成膜できる。また磁区制御層３に硬質磁性
膜を用いた場合には、配向制御層２は、ＣｒＭｏ、Ｃｒ
ＷなどのＣｒ合金などを用いることができる。この場合
にも、非磁性基板１と前記配向制御層２との間に、該配
向制御層２の微細構造を制御するために前記と同様の条
件の下地層を設けてもよい。
板１をスパッタ装置内に導入し、スパッタリング法によ
り配向制御層２を成膜することにより行うことができ
る。配向制御層２の材料は、次の工程で成膜される磁区
制御層３にＭｎ合金系の反強磁性膜を用いる場合には、
Ｃｕ、Ｉｒなどの面心立方体構造を有する非磁性単金属
あるいはＮｉＦｅＣｒなどの非磁性合金などを用いるこ
とが望ましい。その場合非磁性基板と前記配向制御層２
との間に、該配向制御層２の微細構造を制御するため
に、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂなどの下地層を設けてもよい。該
下地層は３〜３０ｎｍ、好ましくは５〜１０ｎｍの膜厚
を有することが好ましい。下地層は、スパッタ法などの
従来法により成膜できる。また磁区制御層３に硬質磁性
膜を用いた場合には、配向制御層２は、ＣｒＭｏ、Ｃｒ
ＷなどのＣｒ合金などを用いることができる。この場合
にも、非磁性基板１と前記配向制御層２との間に、該配
向制御層２の微細構造を制御するために前記と同様の条
件の下地層を設けてもよい。
【００５５】配向制御層２は３ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚を
有することが好ましい。
有することが好ましい。
【００５６】次に、磁区制御層３を成膜する工程は、ス
パッタリング法を用いて行うことができる。スパッタリ
ングの条件としては、ランプヒーター等で基板表面温度
を２５０℃に加熱し、ＣｏＣｒＰｔターゲットを用いて
成膜する例を挙げることができる。
パッタリング法を用いて行うことができる。スパッタリ
ングの条件としては、ランプヒーター等で基板表面温度
を２５０℃に加熱し、ＣｏＣｒＰｔターゲットを用いて
成膜する例を挙げることができる。
【００５７】磁区制御層３の材料は、Ｍｎを含む合金系
からなるＰｔＭｎ、ＩｒＭｎなどの反強磁性膜、あるい
は非磁性基板１の半径方向に磁化を配向させたＣｏＣｒ
Ｔａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢなどの硬質磁性膜
を用いることができる。該磁区制御層３は５〜３００ｎ
ｍ程度の膜厚を有することが好ましい。
からなるＰｔＭｎ、ＩｒＭｎなどの反強磁性膜、あるい
は非磁性基板１の半径方向に磁化を配向させたＣｏＣｒ
Ｔａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢなどの硬質磁性膜
を用いることができる。該磁区制御層３は５〜３００ｎ
ｍ程度の膜厚を有することが好ましい。
【００５８】また、配向制御層と非磁性基板の間に下地
層を設ける場合には、該下地層はＴａ、Ｚｒ，Ｎｂなど
のような材料を用い、３〜３０ｎｍ、好ましくは５〜１
０ｎｍの膜厚とすることができる。
層を設ける場合には、該下地層はＴａ、Ｚｒ，Ｎｂなど
のような材料を用い、３〜３０ｎｍ、好ましくは５〜１
０ｎｍの膜厚とすることができる。
【００５９】軟磁性裏打ち層４、中間層５、二層磁気記
録層６、保護層７、および液体潤滑剤層８の材料等は、
本発明における第１の形態の磁気記録媒体の製造方法に
おいて説明されているものと同様である。
録層６、保護層７、および液体潤滑剤層８の材料等は、
本発明における第１の形態の磁気記録媒体の製造方法に
おいて説明されているものと同様である。
【００６０】本発明における第３の発明について説明す
る。本発明における第３の発明は、上記製造方法により
製造される垂直磁気記録媒体に関する。本発明における
第３の発明の垂直磁気記録媒体は、上記の本発明におけ
る第１の発明の第１の形態および第２の形態と同様の構
成を有する。
る。本発明における第３の発明は、上記製造方法により
製造される垂直磁気記録媒体に関する。本発明における
第３の発明の垂直磁気記録媒体は、上記の本発明におけ
る第１の発明の第１の形態および第２の形態と同様の構
成を有する。
【００６１】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。以下の実
施例は、本発明を説明するのに好適な代表例に過ぎず、
本発明を何ら限定するものではない。
施例は、本発明を説明するのに好適な代表例に過ぎず、
本発明を何ら限定するものではない。
【００６２】（実施例１）非磁性基板１として、表面が
平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ製Ｎ−５ガ
ラス基板）を用いた。該基板を洗浄した後にスパッタ装
置内に導入し、２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性
裏打ち層４、引き続いてランプヒータを用いて基板表面
温度が２５０℃になるように加熱を行った後、１５ｎｍ
のＴｉＣｒ中間層５を順次成膜し、ＣｏＣｒＰｔターゲ
ットを用いて２０ｎｍの１層目９、ＲＥ（１−Ｘ）−Ｔ
ＭＸターゲット（希土類元素（ＲＥ）＝Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ／遷移金属（ＴＭ）＝Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ；ｘ＝
０．５〜０．９５）を用い、１０ｎｍの２層目１０を成
膜して二層磁気記録層６とした。最後にカーボンからな
る５ｎｍの保護層７を成膜後、真空装置から取り出し
た。二層磁気記録層６の２層目１０である希土類−遷移
金属合金以外の成膜は、全てガス圧（Ａｒガス）５ｍＴ
ｏｒｒでのＤＣマグネトロンスパッタリング法で行っ
た。二層磁気記録層６の２層目１０の成膜時は、使用す
る成膜ガスの全流量、ならびに真空装置と真空ポンプの
間に設けられたバルブの開度を調整することにより、真
空装置内のガス圧（Ａｒガス）を所望の値（図４におけ
るガス圧、５ｍＴｏｒｒ〜３００ｍＴｏｒｒ）に調整し
た。
平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ製Ｎ−５ガ
ラス基板）を用いた。該基板を洗浄した後にスパッタ装
置内に導入し、２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性
裏打ち層４、引き続いてランプヒータを用いて基板表面
温度が２５０℃になるように加熱を行った後、１５ｎｍ
のＴｉＣｒ中間層５を順次成膜し、ＣｏＣｒＰｔターゲ
ットを用いて２０ｎｍの１層目９、ＲＥ（１−Ｘ）−Ｔ
ＭＸターゲット（希土類元素（ＲＥ）＝Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ／遷移金属（ＴＭ）＝Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ；ｘ＝
０．５〜０．９５）を用い、１０ｎｍの２層目１０を成
膜して二層磁気記録層６とした。最後にカーボンからな
る５ｎｍの保護層７を成膜後、真空装置から取り出し
た。二層磁気記録層６の２層目１０である希土類−遷移
金属合金以外の成膜は、全てガス圧（Ａｒガス）５ｍＴ
ｏｒｒでのＤＣマグネトロンスパッタリング法で行っ
た。二層磁気記録層６の２層目１０の成膜時は、使用す
る成膜ガスの全流量、ならびに真空装置と真空ポンプの
間に設けられたバルブの開度を調整することにより、真
空装置内のガス圧（Ａｒガス）を所望の値（図４におけ
るガス圧、５ｍＴｏｒｒ〜３００ｍＴｏｒｒ）に調整し
た。
【００６３】その後、パーフルオロポリエーテルからな
る２ｎｍの液体潤滑剤層８をディップ法により成膜し、
垂直磁気記録媒体とした。
る２ｎｍの液体潤滑剤層８をディップ法により成膜し、
垂直磁気記録媒体とした。
【００６４】（実施例２）非磁性基板１として、表面が
平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ製Ｎ−５ガ
ラス基板）を用いた。該基板を洗浄した後にスパッタ装
置内に導入し、５ｎｍのＴａ下地層、５ｎｍのＮｉＦｅ
Ｃｒ配向制御層２、１０ｎｍのＩｒＭｎ磁区制御層３、
２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層４、引
き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が２５０℃
になるように加熱を行った後、１５ｎｍのＴｉＣｒ中間
層５を順次成膜し、ＣｏＣｒＰｔターゲットを用いて２
０ｎｍの１層目９、ＲＥ（１−Ｘ）−ＴＭＸターゲット
（希土類元素（ＲＥ）＝Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ／遷移
金属（ＴＭ）＝Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ；ｘ＝０．５〜０．９
５）を用い、１０ｎｍの２層目１０を成膜して二層磁気
記録層６とした。最後にカーボンからなる５ｎｍの保護
層７を成膜後、真空装置から取り出した。二層磁気記録
層６の２層目１０である希土類−遷移金属合金以外の成
膜は、全てガス圧（Ａｒガス）５ｍＴｏｒｒ下によるＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法で行った。二層磁気記
録層６の２層目１０の成膜時は、使用する成膜ガスの全
流量、ならびに真空装置と真空ポンプの間に設けられた
バルブの開度を調整することにより、真空装置内のガス
圧（Ａｒガス）を所望の値（図４におけるガス圧、５ｍ
Ｔｏｒｒ〜３００ｍＴｏｒｒ）に調整した。
平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ製Ｎ−５ガ
ラス基板）を用いた。該基板を洗浄した後にスパッタ装
置内に導入し、５ｎｍのＴａ下地層、５ｎｍのＮｉＦｅ
Ｃｒ配向制御層２、１０ｎｍのＩｒＭｎ磁区制御層３、
２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層４、引
き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が２５０℃
になるように加熱を行った後、１５ｎｍのＴｉＣｒ中間
層５を順次成膜し、ＣｏＣｒＰｔターゲットを用いて２
０ｎｍの１層目９、ＲＥ（１−Ｘ）−ＴＭＸターゲット
（希土類元素（ＲＥ）＝Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ／遷移
金属（ＴＭ）＝Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ；ｘ＝０．５〜０．９
５）を用い、１０ｎｍの２層目１０を成膜して二層磁気
記録層６とした。最後にカーボンからなる５ｎｍの保護
層７を成膜後、真空装置から取り出した。二層磁気記録
層６の２層目１０である希土類−遷移金属合金以外の成
膜は、全てガス圧（Ａｒガス）５ｍＴｏｒｒ下によるＤ
Ｃマグネトロンスパッタリング法で行った。二層磁気記
録層６の２層目１０の成膜時は、使用する成膜ガスの全
流量、ならびに真空装置と真空ポンプの間に設けられた
バルブの開度を調整することにより、真空装置内のガス
圧（Ａｒガス）を所望の値（図４におけるガス圧、５ｍ
Ｔｏｒｒ〜３００ｍＴｏｒｒ）に調整した。
【００６５】その後、パーフルオロポリエーテルからな
る２ｎｍの液体潤滑剤層８をディップ法により成膜し、
垂直磁気記録媒体とした。
る２ｎｍの液体潤滑剤層８をディップ法により成膜し、
垂直磁気記録媒体とした。
【００６６】（比較例）実施例１に記載の製造方法にお
いて、ＣｏＣｒＰｔターゲットを用いて二層磁気記録層
６の１層目９を成膜後、２層目１０を成膜しなかったこ
とを除き実施例１と同様の手順で磁気記録媒体を作製し
た。
いて、ＣｏＣｒＰｔターゲットを用いて二層磁気記録層
６の１層目９を成膜後、２層目１０を成膜しなかったこ
とを除き実施例１と同様の手順で磁気記録媒体を作製し
た。
【００６７】＜評価＞上記方法において、二層磁気記録
層６の２層目１０のターゲット組成ならびに成膜時のガ
ス圧を変化させて、垂直磁気記録媒体を作製した。作製
された垂直磁気記録媒体の磁気特性は、上記実施例１に
おいては軟磁性裏打ち層４を成膜せずに作製した試料に
対して、上記実施例２においては配向制御層３ならびに
軟磁性裏打ち層４を成膜せずに作製した試料に対して、
磁化曲線を振動試料型磁力計にて測定し、算出した。上
記実施例に示した方法において全層成膜した垂直記録媒
体の電磁変換特性は、スピンスタンドテスターを用い、
ＧＭＲヘッドにより測定を行った。
層６の２層目１０のターゲット組成ならびに成膜時のガ
ス圧を変化させて、垂直磁気記録媒体を作製した。作製
された垂直磁気記録媒体の磁気特性は、上記実施例１に
おいては軟磁性裏打ち層４を成膜せずに作製した試料に
対して、上記実施例２においては配向制御層３ならびに
軟磁性裏打ち層４を成膜せずに作製した試料に対して、
磁化曲線を振動試料型磁力計にて測定し、算出した。上
記実施例に示した方法において全層成膜した垂直記録媒
体の電磁変換特性は、スピンスタンドテスターを用い、
ＧＭＲヘッドにより測定を行った。
【００６８】実施例１の方法において作製した垂直磁気
記録媒体、および実施例２の方法において作製した垂直
磁気記録媒体において、後述する諸特性に関する差異は
認められなかったため、結果は実施例１に示した垂直磁
気記録媒体の特性を代表とした。ただし、実施例２に示
した層構成にすることにより、軟磁性裏打ち層４に形成
される磁壁が原因であるスパイクノイズを完全に抑制す
ることができる。
記録媒体、および実施例２の方法において作製した垂直
磁気記録媒体において、後述する諸特性に関する差異は
認められなかったため、結果は実施例１に示した垂直磁
気記録媒体の特性を代表とした。ただし、実施例２に示
した層構成にすることにより、軟磁性裏打ち層４に形成
される磁壁が原因であるスパイクノイズを完全に抑制す
ることができる。
【００６９】二層磁気記録層６の１層目９（ＣｏＣｒ系
合金結晶質膜）および２層目１０（希土類−遷移金属合
金非晶質膜）の膜厚ならびに膜厚比を変化させて作製し
た垂直磁気記録媒体の記録密度３００ｋＦＣＩでのＳＮ
Ｒを表１〜表６に示す。表１〜６は、２層目１０（希土
類−遷移金属合金非晶質膜）の材料をそれぞれＴｂＣ
ｏ、ＰｒＣｏ、ＮｄＦｅＮｉ、ＧｄＣｏＮｉ、ＤｙＦｅ
Ｃｏ、ＨｏＦｅに変化させた場合を示している。ＳＮＲ
＝１５ｄＢを基準に行った良否判定の結果も合わせて表
中に示している。表よりＣｏＣｒ系合金結晶質膜の膜厚
を１０ｎｍ未満の膜厚にした場合は、良好な磁気特性が
得られないためにＳＮＲは低下する。逆にＣｏＣｒ系合
金結晶質膜の膜厚を３０ｎｍより厚くした場合は、膜厚
が厚くなったことにより、ノイズが増加し、ＳＮＲとし
てはやはり低下する。これよりＣｏＣｒ系合金結晶質膜
の膜厚は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする必要性が見出
された。希土類−遷移金属合金非晶質膜の膜厚に関して
は、２ｎｍよりも薄い場合には希土類−遷移金属合金非
晶質膜としての特性が得られず、また１５ｎｍよりも厚
い場合には、希土類−遷移金属合金非晶質膜の特性が強
くなりすぎ、書き込まれた信号に揺らぎが生じるために
ＳＮＲは低下する。これより１５ｄＢ以上の良好なＳＮ
Ｒを得ようとする場合、膜厚は２ｎｍ以上１５ｎｍ以下
にする必要性が見出された。更に、ＣｏＣｒ系合金結晶
質膜の膜厚をａとし、希土類−遷移金属合金非晶質膜の
膜厚をｂとした時の両磁気記録層の膜厚比ａ／ｂに関し
ては、ａ／ｂが２未満の場合にＳＮＲが低下する。これ
よりａ／ｂを２以上にする必要性が見出された。これら
の条件範囲は表１〜６を通じて共通であり、希土類−遷
移金属合金非晶質膜に関して異なる材料系を用いた場合
においても同様の条件範囲を適用できることが示され
た。
合金結晶質膜）および２層目１０（希土類−遷移金属合
金非晶質膜）の膜厚ならびに膜厚比を変化させて作製し
た垂直磁気記録媒体の記録密度３００ｋＦＣＩでのＳＮ
Ｒを表１〜表６に示す。表１〜６は、２層目１０（希土
類−遷移金属合金非晶質膜）の材料をそれぞれＴｂＣ
ｏ、ＰｒＣｏ、ＮｄＦｅＮｉ、ＧｄＣｏＮｉ、ＤｙＦｅ
Ｃｏ、ＨｏＦｅに変化させた場合を示している。ＳＮＲ
＝１５ｄＢを基準に行った良否判定の結果も合わせて表
中に示している。表よりＣｏＣｒ系合金結晶質膜の膜厚
を１０ｎｍ未満の膜厚にした場合は、良好な磁気特性が
得られないためにＳＮＲは低下する。逆にＣｏＣｒ系合
金結晶質膜の膜厚を３０ｎｍより厚くした場合は、膜厚
が厚くなったことにより、ノイズが増加し、ＳＮＲとし
てはやはり低下する。これよりＣｏＣｒ系合金結晶質膜
の膜厚は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする必要性が見出
された。希土類−遷移金属合金非晶質膜の膜厚に関して
は、２ｎｍよりも薄い場合には希土類−遷移金属合金非
晶質膜としての特性が得られず、また１５ｎｍよりも厚
い場合には、希土類−遷移金属合金非晶質膜の特性が強
くなりすぎ、書き込まれた信号に揺らぎが生じるために
ＳＮＲは低下する。これより１５ｄＢ以上の良好なＳＮ
Ｒを得ようとする場合、膜厚は２ｎｍ以上１５ｎｍ以下
にする必要性が見出された。更に、ＣｏＣｒ系合金結晶
質膜の膜厚をａとし、希土類−遷移金属合金非晶質膜の
膜厚をｂとした時の両磁気記録層の膜厚比ａ／ｂに関し
ては、ａ／ｂが２未満の場合にＳＮＲが低下する。これ
よりａ／ｂを２以上にする必要性が見出された。これら
の条件範囲は表１〜６を通じて共通であり、希土類−遷
移金属合金非晶質膜に関して異なる材料系を用いた場合
においても同様の条件範囲を適用できることが示され
た。
【００７０】
【表１】
【００７１】
【表２】
【００７２】
【表３】
【００７３】
【表４】
【００７４】
【表５】
【００７５】
【表６】
【００７６】表７には希土類−遷移金属合金非晶質膜の
遷移金属をＣｏとし、希土類元素の材料を各種変更した
時の磁気異方性の向き（垂直／面内）と垂直方向の保磁
力Ｈｃの値を示す。今回検討した材料系の中ではＰｒ、
Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏが垂直磁気異方性を示
し、更に垂直磁気記録媒体として必要な垂直方向での良
好なＨｃが得られていることが見出された。更にこれら
の元素を２種類以上組み合わせた場合においても垂直磁
気記録媒体としての良好な特性が得られる。
遷移金属をＣｏとし、希土類元素の材料を各種変更した
時の磁気異方性の向き（垂直／面内）と垂直方向の保磁
力Ｈｃの値を示す。今回検討した材料系の中ではＰｒ、
Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏが垂直磁気異方性を示
し、更に垂直磁気記録媒体として必要な垂直方向での良
好なＨｃが得られていることが見出された。更にこれら
の元素を２種類以上組み合わせた場合においても垂直磁
気記録媒体としての良好な特性が得られる。
【００７７】
【表７】
【００７８】次に希土類−遷移金属合金非晶質材料をＴ
ｂＣｏ、ＰｒＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＮｉ、Ｈｏ
Ｆｅ、ＧｄＣｏＮｉ、ＴｂＧｄＣｏとし、希土類元素
（ＲＥ）濃度を変化させたときのＨｃの変化を図３に示
す。試験を行った全ての希土類−遷移金属合金非晶質材
料において、希土類元素（ＲＥ）の濃度が１０原子％以
上３５原子％以下の領域で垂直磁気記録媒体として使用
可能な１０００Ｏｅ以上の保磁力が得られている。
ｂＣｏ、ＰｒＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＮｉ、Ｈｏ
Ｆｅ、ＧｄＣｏＮｉ、ＴｂＧｄＣｏとし、希土類元素
（ＲＥ）濃度を変化させたときのＨｃの変化を図３に示
す。試験を行った全ての希土類−遷移金属合金非晶質材
料において、希土類元素（ＲＥ）の濃度が１０原子％以
上３５原子％以下の領域で垂直磁気記録媒体として使用
可能な１０００Ｏｅ以上の保磁力が得られている。
【００７９】図４には、希土類−遷移金属合金非晶質材
料をＴｂＣｏ、ＰｒＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＮ
ｉ、ＨｏＦｅ、ＧｄＣｏＮｉ、ＴｂＧｄＣｏとし、実施
例において作製した垂直記録媒体の希土類−遷移金属合
金非晶質膜成膜時の、ガス圧を変更した時の３００ｋＦ
ＣＩにおけるＳＮＲの値を示したグラフである。試験を
行った全ての希土類−遷移金属合金非晶質膜において、
１０ｍＴｏｒｒ未満のガス圧では膜中の交換結合が非常
に強いために、特に高周波領域において信号が位相シフ
トあるいは消滅することにより、ＳＮＲは５ｄＢ程度の
小さな値となる。一方１０ｍＴｏｒｒ以上のガス圧で
は、保磁力角型比Ｓ＊（保磁力Ｈｃ近傍での磁化曲線の
傾きの度合いを評価する目安となる指標であり、磁化曲
線の傾きが大きいほどＳ＊は小さくなる。一般的に磁化
曲線の傾きが大きいほど媒体のノイズが小さくＳＮＲが
増加する）が低下傾向にある。それに伴いＳＮＲは急激
に増加し、１５ｄＢ程度の良好な特性を示す。そして２
０ｍＴｏｒｒから１００ｍＴｏｒｒの範囲では、どの材
料においても１５ｄＢ以上の好ましい特性を示し、特に
ＴｂＣｏ、ＰｒＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＣｏにお
いては、ＳＮＲが２０ｄＢ以上という優れた特性を示し
た。しかし、２００ｍＴｏｒｒより高圧のガス圧では面
内磁化膜となるため、特性は急激に劣化する。
料をＴｂＣｏ、ＰｒＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＮ
ｉ、ＨｏＦｅ、ＧｄＣｏＮｉ、ＴｂＧｄＣｏとし、実施
例において作製した垂直記録媒体の希土類−遷移金属合
金非晶質膜成膜時の、ガス圧を変更した時の３００ｋＦ
ＣＩにおけるＳＮＲの値を示したグラフである。試験を
行った全ての希土類−遷移金属合金非晶質膜において、
１０ｍＴｏｒｒ未満のガス圧では膜中の交換結合が非常
に強いために、特に高周波領域において信号が位相シフ
トあるいは消滅することにより、ＳＮＲは５ｄＢ程度の
小さな値となる。一方１０ｍＴｏｒｒ以上のガス圧で
は、保磁力角型比Ｓ＊（保磁力Ｈｃ近傍での磁化曲線の
傾きの度合いを評価する目安となる指標であり、磁化曲
線の傾きが大きいほどＳ＊は小さくなる。一般的に磁化
曲線の傾きが大きいほど媒体のノイズが小さくＳＮＲが
増加する）が低下傾向にある。それに伴いＳＮＲは急激
に増加し、１５ｄＢ程度の良好な特性を示す。そして２
０ｍＴｏｒｒから１００ｍＴｏｒｒの範囲では、どの材
料においても１５ｄＢ以上の好ましい特性を示し、特に
ＴｂＣｏ、ＰｒＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＣｏにお
いては、ＳＮＲが２０ｄＢ以上という優れた特性を示し
た。しかし、２００ｍＴｏｒｒより高圧のガス圧では面
内磁化膜となるため、特性は急激に劣化する。
【００８０】このように、成膜時のガス圧を１０ｍＴｏ
ｒｒ以上２００ｍＴｏｒｒ以下として成膜することによ
り、高記録密度においても良好な特性を示し、より好ま
しいガス圧は、２０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以
下であることが見出された。
ｒｒ以上２００ｍＴｏｒｒ以下として成膜することによ
り、高記録密度においても良好な特性を示し、より好ま
しいガス圧は、２０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以
下であることが見出された。
【００８１】次に実施例１の方法において製造された磁
気記録媒体および比較例の方法において製造された磁気
記録媒体を用いて熱安定性に関して調査した。
気記録媒体および比較例の方法において製造された磁気
記録媒体を用いて熱安定性に関して調査した。
【００８２】熱安定性を調査する測定は以下の手順で行
った。スピンスタンドテスターを用いてＧＭＲヘッドに
より信号の書きこみを１回行った後、再生波形の読み込
みを連続して行った。書き込みの直後の出力値に対する
１０００秒後の出力の低下分を％で表し、熱安定性を示
す指標とした。
った。スピンスタンドテスターを用いてＧＭＲヘッドに
より信号の書きこみを１回行った後、再生波形の読み込
みを連続して行った。書き込みの直後の出力値に対する
１０００秒後の出力の低下分を％で表し、熱安定性を示
す指標とした。
【００８３】結果を以下の表８に示す。比較例としたＣ
ｏＣｒＰｔからなる磁性層のみで、希土類−遷移金属合
金非晶質を原料とする磁性層を持たない磁気記録媒体は
３．２％／ｄｅｃａｄｅ−ｓｅｃという大きな値を示し
ているが、実施例１の磁気記録媒体は、二層磁気記録層
とすることで０．１％／ｄｅｃａｄｅ−ｓｅｃというか
なり小さな値とすることができた。このように、本発明
に示す層構成にすることにより大幅に熱安定性が改善さ
れた。
ｏＣｒＰｔからなる磁性層のみで、希土類−遷移金属合
金非晶質を原料とする磁性層を持たない磁気記録媒体は
３．２％／ｄｅｃａｄｅ−ｓｅｃという大きな値を示し
ているが、実施例１の磁気記録媒体は、二層磁気記録層
とすることで０．１％／ｄｅｃａｄｅ−ｓｅｃというか
なり小さな値とすることができた。このように、本発明
に示す層構成にすることにより大幅に熱安定性が改善さ
れた。
【００８４】
【表８】
【００８５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、垂直
磁気記録媒体の磁気記録層を２層の磁性層を積層するこ
とにより構成し、その１層目はＣｏＣｒ系合金結晶質膜
からなる磁性層であり、２層目は希土類−遷移金属合金
非晶質膜であり、前記ＣｏＣｒ系合金結晶質膜は１０ｎ
ｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有し、前記希土類−遷移金
属合金非晶質膜は２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有
し、ＣｏＣｒ系合金結晶質膜の膜厚をａとし該希土類−
遷移金属合金非晶質膜の膜厚をｂとした時に膜厚比ａ／
ｂが２以上とすることにより、高記録密度においても良
好なＳＮＲ特性を得ることができる。
磁気記録媒体の磁気記録層を２層の磁性層を積層するこ
とにより構成し、その１層目はＣｏＣｒ系合金結晶質膜
からなる磁性層であり、２層目は希土類−遷移金属合金
非晶質膜であり、前記ＣｏＣｒ系合金結晶質膜は１０ｎ
ｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有し、前記希土類−遷移金
属合金非晶質膜は２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有
し、ＣｏＣｒ系合金結晶質膜の膜厚をａとし該希土類−
遷移金属合金非晶質膜の膜厚をｂとした時に膜厚比ａ／
ｂが２以上とすることにより、高記録密度においても良
好なＳＮＲ特性を得ることができる。
【００８６】更に、前記希土類−遷移合金非晶質材料が
少なくとも１０原子％以上３５原子％以下のＰｒ、Ｎ
ｄ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏのうち少なくとも１種類以上の元
素を含み、残部をＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１
種類以上の遷移金属とし、該希土類−遷移金属合金非晶
質膜を、１０ｍＴｏｒｒ以上２００ｍＴｏｒｒ以下、好
ましくは２０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下のガ
ス圧条件下にて成膜することにより、垂直磁気記録媒体
として良好な特性を得ることができるうえに、このよう
な積層媒体は既存の製造装置を用いて簡単に生産するこ
とができるため、今後大容量磁気記録体として大量生産
にも非常に適したものである。
少なくとも１０原子％以上３５原子％以下のＰｒ、Ｎ
ｄ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏのうち少なくとも１種類以上の元
素を含み、残部をＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１
種類以上の遷移金属とし、該希土類−遷移金属合金非晶
質膜を、１０ｍＴｏｒｒ以上２００ｍＴｏｒｒ以下、好
ましくは２０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下のガ
ス圧条件下にて成膜することにより、垂直磁気記録媒体
として良好な特性を得ることができるうえに、このよう
な積層媒体は既存の製造装置を用いて簡単に生産するこ
とができるため、今後大容量磁気記録体として大量生産
にも非常に適したものである。
【図１】本発明の実施例１による磁気記録媒体の構成を
示す断面模式図である。
示す断面模式図である。
【図２】本発明の実施例２による磁気記録媒体の構成を
示す断面模式図である。
示す断面模式図である。
【図３】本発明の実施例を説明するためのもので、実施
例において作製した垂直記録媒体の希土類−遷移金属合
金非晶質膜の材料をＴｂＣｏ、ＰｒＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＮｄＦｅＮｉ、ＨｏＦｅ、ＧｄＣｏＮｉ、ＴｂＧｄ
Ｃｏとし、希土類元素の濃度を変更したときの保磁力の
値を示したグラフである。
例において作製した垂直記録媒体の希土類−遷移金属合
金非晶質膜の材料をＴｂＣｏ、ＰｒＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＮｄＦｅＮｉ、ＨｏＦｅ、ＧｄＣｏＮｉ、ＴｂＧｄ
Ｃｏとし、希土類元素の濃度を変更したときの保磁力の
値を示したグラフである。
【図４】本発明の実施例を説明するためのもので、実施
例において作製した垂直記録媒体の希土類−遷移金属合
金非晶質膜成膜時の材料をＴｂＣｏ、ＰｒＣｏ、ＤｙＦ
ｅＣｏ、ＮｄＦｅＮｉ、ＨｏＦｅ、ＧｄＣｏＮｉ、Ｔｂ
ＧｄＣｏとし、該希土類−遷移金属合金非晶質膜成膜時
のガス圧を変更したときのＳＮＲの値を示したグラフで
ある。
例において作製した垂直記録媒体の希土類−遷移金属合
金非晶質膜成膜時の材料をＴｂＣｏ、ＰｒＣｏ、ＤｙＦ
ｅＣｏ、ＮｄＦｅＮｉ、ＨｏＦｅ、ＧｄＣｏＮｉ、Ｔｂ
ＧｄＣｏとし、該希土類−遷移金属合金非晶質膜成膜時
のガス圧を変更したときのＳＮＲの値を示したグラフで
ある。
１ 非磁性基板
２ 配向制御層
３ 磁区制御層
４ 軟磁性裏打ち層
５ 中間層
６ 二層磁気記録層
７ 保護層
８ 液体潤滑剤層
９ 二層磁気記録層の１層目
１０ 二層磁気記録層の２層目
フロントページの続き
(72)発明者 榎本 一雄
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
(72)発明者 渡辺 貞幸
神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
富士電機株式会社内
Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB02 BB07 BB08 CA03
CA06 DA03 DA08 EA03 FA09
5D112 AA05 AA24 BB01 BB05 FA04
FB20
Claims (8)
- 【請求項１】 非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち
層、中間層、二層磁気記録層、保護層、および液体潤滑
剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、
前記二層磁気記録層の１層目はＣｏＣｒ系合金結晶質膜
からなる磁性層であり、２層目は希土類−遷移金属合金
非晶質膜からなる磁性層であり、前記ＣｏＣｒ系合金結
晶質膜は１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有し、前記
希土類−遷移金属合金非晶質膜は２ｎｍ以上１５ｎｍ以
下の膜厚を有し、該ＣｏＣｒ系合金結晶質膜の膜厚をａ
とし該希土類−遷移金属合金非晶質膜の膜厚をｂとした
時に膜厚比ａ／ｂが２以上であることを特徴とする垂直
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板上に少なくとも配向制御層、
磁区制御層、軟磁性裏打ち層、中間層、二層磁気記録
層、保護層、および液体潤滑剤層が順次積層されてなる
垂直磁気記録媒体において、前記二層磁気記録層の１層
目はＣｏＣｒ系合金結晶質膜からなる磁性層であり、２
層目は希土類−遷移金属合金非晶質膜からなる磁性層で
あり、前記ＣｏＣｒ系合金結晶質膜は１０ｎｍ以上３０
ｎｍ以下の膜厚を有し、前記希土類−遷移金属合金非晶
質膜は２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の膜厚を有し、該ＣｏＣ
ｒ系合金結晶質膜の膜厚をａとし該希土類−遷移金属合
金非晶質膜の膜厚をｂとした時に膜厚比ａ／ｂが２以上
であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記希土類−遷移合金非晶質材料がＰ
ｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏのうち少なくとも１
種類以上の元素を含むことを特徴とする請求項１〜２に
記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記希土類−遷移合金非晶質材料が少な
くとも１０原子％以上３５原子％以下の１種類以上の希
土類元素を有し、残部にＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なく
とも１種類の遷移金属を含むことを特徴とする請求項１
〜３に記載の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性基板上に、少なくとも軟磁性裏打
ち層を成膜する工程と、中間層を成膜する工程と、二層
磁気記録層の１層目であるＣｏＣｒ系合金結晶質膜から
なる磁性層を成膜する工程と、前記二層磁気記録層の２
層目である希土類−遷移金属合金非晶質膜を成膜する工
程と、保護層を成膜する工程と、液体潤滑剤層を成膜す
る工程とを含む請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製
造方法において、前記希土類−遷移金属合金非晶質膜の
成膜時に使用するガス圧を１０ｍＴｏｒｒ以上２００ｍ
Ｔｏｒｒ以下とすることを特徴とする垂直磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項６】 非磁性基板上に、少なくとも配向制御層
を成膜する工程と、磁区制御層を成膜する工程と、軟磁
性裏打ち層を成膜する工程と、中間層を成膜する工程
と、二層磁気記録層の１層目であるＣｏＣｒ系合金結晶
質膜からなる磁性層を成膜する工程と、前記二層磁気記
録層の２層目である希土類−遷移金属合金非晶質膜を成
膜する工程と、保護層を成膜する工程と、液体潤滑剤層
を成膜する工程とを含む請求項２に記載の垂直磁気記録
媒体の製造方法において、前記希土類−遷移金属合金非
晶質膜の成膜時に使用するガス圧は１０ｍＴｏｒｒ以上
２００ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする垂直磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 前記希土類−遷移金属合金非晶質膜の成
膜時に使用するガス圧が２０ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴ
ｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項５または６に
記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 請求項５〜７に記載された方法により製
造される磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2001206698A JP4332832B2 (ja) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| MYPI20022522A MY130690A (en) | 2001-07-06 | 2002-07-03 | Perpendicular magnetic recording medium and fabrication method thereof |
| SG200204068A SG115484A1 (en) | 2001-07-06 | 2002-07-03 | Perpendicular magnetic recording medium and fabrication method thereof |
| US10/189,784 US6913837B2 (en) | 2001-07-06 | 2002-07-08 | Perpendicular magnetic recording medium and fabrication method thereof |
| US11/115,312 US7635498B2 (en) | 2001-07-06 | 2005-04-27 | Fabrication method for perpendicular magnetic recording media |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001206698A JP4332832B2 (ja) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (2) | US6913837B2 (ja) |
| JP (1) | JP4332832B2 (ja) |
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| SG (1) | SG115484A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4626840B2 (ja) | 2001-08-31 | 2011-02-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP4332833B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2009-09-16 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2003162806A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| JP4582978B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2010-11-17 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4019703B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-12-12 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP2003217107A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP3730627B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2006-01-05 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| US7837836B2 (en) * | 2004-02-12 | 2010-11-23 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for multi-stage sputter deposition of uniform thickness layers |
| JP4424015B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2010-03-03 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2005107817A2 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-17 | Orbus Medical Technologies, Inc. | Medical device with coating for capturing genetically-altered cells and methods of using same |
| JP2006012285A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Tdk Corp | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 |
| US7465501B1 (en) * | 2004-12-22 | 2008-12-16 | Seagate Technology Llc | High density magnetic recording media |
| US8110298B1 (en) | 2005-03-04 | 2012-02-07 | Seagate Technology Llc | Media for high density perpendicular magnetic recording |
| US8119263B2 (en) | 2005-09-22 | 2012-02-21 | Seagate Technology Llc | Tuning exchange coupling in magnetic recording media |
| KR100738105B1 (ko) * | 2006-02-09 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 확산 방지층이 삽입된 연자성 하지층을 포함하는 수직 자기기록 매체 |
| US20080078268A1 (en) | 2006-10-03 | 2008-04-03 | H.C. Starck Inc. | Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof |
| US20080145688A1 (en) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | H.C. Starck Inc. | Method of joining tantalum clade steel structures |
| US8197894B2 (en) | 2007-05-04 | 2012-06-12 | H.C. Starck Gmbh | Methods of forming sputtering targets |
| JP2009187608A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録パターンド媒体および磁気記録再生装置 |
| US8697260B2 (en) * | 2008-07-25 | 2014-04-15 | Seagate Technology Llc | Method and manufacture process for exchange decoupled first magnetic layer |
| US8246903B2 (en) | 2008-09-09 | 2012-08-21 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| US9142240B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
| US8703233B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-04-22 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets by cold spray |
| US9275669B1 (en) | 2015-03-31 | 2016-03-01 | WD Media, LLC | TbFeCo in PMR media for SNR improvement |
| CN110016649A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-07-16 | 东华理工大学 | 一种调节含Gd离子的稀土-过渡合金薄膜矫顽力的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6246449A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
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| US5049451A (en) * | 1990-08-15 | 1991-09-17 | Hmt Technology Corporation | High-coercivity thin-film recording medium |
| JPH05205253A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Hitachi Ltd | 回転型磁気記録媒体 |
| JPH05303724A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-11-16 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク装置 |
| US5815342A (en) * | 1992-07-13 | 1998-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording/reproducing apparatus |
| JPH07334832A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録装置 |
| US6403203B2 (en) * | 1997-05-29 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using the same |
| US6183893B1 (en) * | 1998-04-06 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus using the same |
| US6221442B1 (en) * | 1998-05-19 | 2001-04-24 | Seagate Technology Llc | Method of making a magnetic recording medium with laser-formed differential zone lubrication |
| US6680133B2 (en) * | 1999-12-08 | 2004-01-20 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and sputtering target |
| JP3836294B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2006-10-25 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気ヘッド、及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
| JP2001331985A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2002025031A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| US20020058159A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-16 | Yukiko Kubota | Soft magnetic underlayer (SUL) for perpendicular recording medium |
| JP4332833B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2009-09-16 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
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