JP2001331985A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Y10S428/90—Magnetic feature
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は、再生磁界の上昇を抑制した
まま消去磁界を低減できる光磁気記録媒体を提供するこ
とである。 【解決手段】 光磁気記録媒体であって、膜面に対して
垂直方向の磁化容易性を有する磁性再生層と、磁性再生
層上に積層された室温で面内方向の磁化容易性を有する
磁性中間層と、磁性中間層上に積層された膜面に対して
垂直方向の磁化容易性を有する磁性記録層とを含んでい
る。磁性再生層は、ＧｄxＦｅＣｏy，２２ａｔ％≦ｘ≦
２５ａｔ％且つ１６ａｔ％≦ｙ≦２３ａｔ％の組成を有
している。
まま消去磁界を低減できる光磁気記録媒体を提供するこ
とである。 【解決手段】 光磁気記録媒体であって、膜面に対して
垂直方向の磁化容易性を有する磁性再生層と、磁性再生
層上に積層された室温で面内方向の磁化容易性を有する
磁性中間層と、磁性中間層上に積層された膜面に対して
垂直方向の磁化容易性を有する磁性記録層とを含んでい
る。磁性再生層は、ＧｄxＦｅＣｏy，２２ａｔ％≦ｘ≦
２５ａｔ％且つ１６ａｔ％≦ｙ≦２３ａｔ％の組成を有
している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は情報の高密度記録及
び再生が可能な光磁気記録媒体に関する。
び再生が可能な光磁気記録媒体に関する。
【０００２】光磁気ディスクは高密度記録媒体として知
られているが、情報量の増大に伴い更なる高密度化が要
望されている。高密度化は記録マークの間隔を詰めるこ
とによって実現できるが、その再生は、媒体上の光ビー
ムの大きさ（ビームスポット）によって制限される。
られているが、情報量の増大に伴い更なる高密度化が要
望されている。高密度化は記録マークの間隔を詰めるこ
とによって実現できるが、その再生は、媒体上の光ビー
ムの大きさ（ビームスポット）によって制限される。
【０００３】ビームスポット内に１つの記録マークしか
存在しないように設定した場合、記録マークがあるかな
いかによって‘１’，‘０’に対応する出力波形が再生
信号として観測できる。
存在しないように設定した場合、記録マークがあるかな
いかによって‘１’，‘０’に対応する出力波形が再生
信号として観測できる。
【０００４】しかし、記録マークの間隔を詰めてビーム
スポット内に複数個存在するようにすると、媒体上のビ
ームスポットが移動しても再生出力に変化が生じないた
め、出力波形は直線となって記録マークの有り無しを識
別できなくなる。
スポット内に複数個存在するようにすると、媒体上のビ
ームスポットが移動しても再生出力に変化が生じないた
め、出力波形は直線となって記録マークの有り無しを識
別できなくなる。
【０００５】このようなビームスポット以下の周期を持
つ小さな記録マークを再生するためには、ビームスポッ
トを小さく絞れば良いが、ビームスポットの大きさは光
源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡとで制約され、充
分に小さく絞ることはできない。
つ小さな記録マークを再生するためには、ビームスポッ
トを小さく絞れば良いが、ビームスポットの大きさは光
源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡとで制約され、充
分に小さく絞ることはできない。
【０００６】
【従来の技術】最近、現行の光学系をそのまま利用して
ビームスポット以下の記録マークを再生する磁気誘導超
解像（マグネティカリイ・インデュースト・スーパー・
リゾリューション：ＭＳＲ）技術を利用した再生方法を
採用した光磁気ディスク装置が市販されている。ＭＳＲ
は、ビームスポット内の１つのマークを再生していると
き他のマークをマスクすることで再生分解能を上げた再
生方法である。
ビームスポット以下の記録マークを再生する磁気誘導超
解像（マグネティカリイ・インデュースト・スーパー・
リゾリューション：ＭＳＲ）技術を利用した再生方法を
採用した光磁気ディスク装置が市販されている。ＭＳＲ
は、ビームスポット内の１つのマークを再生していると
き他のマークをマスクすることで再生分解能を上げた再
生方法である。
【０００７】このため超解像ディスク媒体には、マーク
を記録するための記録層以外に信号再生時に１つのマー
クのみが再生されるように他のマークを隠しておくため
のマスク層又は再生層が最低必要となる。
を記録するための記録層以外に信号再生時に１つのマー
クのみが再生されるように他のマークを隠しておくため
のマスク層又は再生層が最低必要となる。
【０００８】再生層に垂直磁化膜を用いた光磁気記録媒
体が、例えば特開平３−８８１５６号で提案されてい
る。しかし、この公開公報に記載された従来技術では、
再生層を初期化するために数キロエルステッド程度の初
期化磁界が必要であるため、装置を小型化できないとい
う問題がある。
体が、例えば特開平３−８８１５６号で提案されてい
る。しかし、この公開公報に記載された従来技術では、
再生層を初期化するために数キロエルステッド程度の初
期化磁界が必要であるため、装置を小型化できないとい
う問題がある。
【０００９】一方、再生層に室温で面内方向に磁化容易
軸を有し所定温度以上では垂直方向の磁化容易軸を有す
る磁性膜を用いた光磁気記録媒体が、例えば特開平５−
８１７１７号で提案されている。
軸を有し所定温度以上では垂直方向の磁化容易軸を有す
る磁性膜を用いた光磁気記録媒体が、例えば特開平５−
８１７１７号で提案されている。
【００１０】更に、米国特許第６，０２０，０７９号に
は、再生層及び記録層に加え、再生層と記録層の間の中
間層を有するＭＳＲ媒体が記載されている。この米国特
許に記載されたＭＳＲ媒体では、再生レーザビームの照
射によりビームスポット内に低温領域と、中間温度領域
と、高温領域とからなる温度分布を形成し、低温領域及
び高温領域でマスクを形成して中間温度領域のみから記
録されたマークを読み出す。
は、再生層及び記録層に加え、再生層と記録層の間の中
間層を有するＭＳＲ媒体が記載されている。この米国特
許に記載されたＭＳＲ媒体では、再生レーザビームの照
射によりビームスポット内に低温領域と、中間温度領域
と、高温領域とからなる温度分布を形成し、低温領域及
び高温領域でマスクを形成して中間温度領域のみから記
録されたマークを読み出す。
【００１１】このように低温側及び高温側でダブルマス
クが形成されるため、マークを読み出す中間温度領域を
非常に小さく絞ることが可能であるため、高密度記録及
び再生が可能である。
クが形成されるため、マークを読み出す中間温度領域を
非常に小さく絞ることが可能であるため、高密度記録及
び再生が可能である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来販売されているＭ
ＳＲ光磁気記録媒体は、ランドのみにデータを記録する
ランド記録方式であるか、或いはグルーブのみにデータ
を記録するグルーブ記録方式のいずれかである。
ＳＲ光磁気記録媒体は、ランドのみにデータを記録する
ランド記録方式であるか、或いはグルーブのみにデータ
を記録するグルーブ記録方式のいずれかである。
【００１３】更なる高密度記録及び再生を達成するため
に、ランド及びグルーブの双方にデータを記録するラン
ド・グルーブ記録方式が最近になり注目を浴びている。
このランド・グルーブ記録方式の光磁気記録媒体では、
交互に形成された複数のランド及び複数のグルーブを有
する透明基板を使用する。
に、ランド及びグルーブの双方にデータを記録するラン
ド・グルーブ記録方式が最近になり注目を浴びている。
このランド・グルーブ記録方式の光磁気記録媒体では、
交互に形成された複数のランド及び複数のグルーブを有
する透明基板を使用する。
【００１４】この基板上にＭＳＲ再生可能な光磁気記録
媒体を成膜すると、データの消去に必要なバイアス磁界
が大きくなるという問題がある。これはランド・グルー
ブ基板では隣接したランドとグルーブの中心間隔、即ち
トラックピッチが小さいので、トラックピッチの極小化
がその原因の１つではないかと考えられる。
媒体を成膜すると、データの消去に必要なバイアス磁界
が大きくなるという問題がある。これはランド・グルー
ブ基板では隣接したランドとグルーブの中心間隔、即ち
トラックピッチが小さいので、トラックピッチの極小化
がその原因の１つではないかと考えられる。
【００１５】更にトラックピッチが小さくなると、再生
磁界も一般的に大きなものが必要となる。この傾向は特
にグルーブ部の再生で顕著である。従来の媒体では、消
去磁界を小さくしようと媒体の組成、成膜条件等を選択
すると、一般的に再生磁界が大きくなってしまう傾向が
あった。
磁界も一般的に大きなものが必要となる。この傾向は特
にグルーブ部の再生で顕著である。従来の媒体では、消
去磁界を小さくしようと媒体の組成、成膜条件等を選択
すると、一般的に再生磁界が大きくなってしまう傾向が
あった。
【００１６】消去磁界及び／又は再生磁界を大きくする
ためには、光磁気ディスク装置内に組み込む磁石を大き
くしなければならず、光磁気ディスク装置の小型化が困
難になるという問題がある。また、光磁気ディスク装置
の消費電力も大きくなることも問題であった。
ためには、光磁気ディスク装置内に組み込む磁石を大き
くしなければならず、光磁気ディスク装置の小型化が困
難になるという問題がある。また、光磁気ディスク装置
の消費電力も大きくなることも問題であった。
【００１７】もちろん、ランドのみ又はグルーブのみに
データを記録する通常の光磁気記録媒体でも、消去磁界
を低減し、光磁気ディスク装置の磁石の小型化、低消費
電力化を図ることは重要な課題である。
データを記録する通常の光磁気記録媒体でも、消去磁界
を低減し、光磁気ディスク装置の磁石の小型化、低消費
電力化を図ることは重要な課題である。
【００１８】よって本発明の目的は、消去磁界を低減す
ることが可能な光磁気記録媒体を提供することである。
ることが可能な光磁気記録媒体を提供することである。
【００１９】本発明の他の目的は、消去磁界とともに再
生磁界も低減することが可能な光磁気記録媒体を提供す
ることである。
生磁界も低減することが可能な光磁気記録媒体を提供す
ることである。
【００２０】本発明の更に他の目的は、トラックピッチ
の挟ピッチ化に伴う消去磁界の増加を抑制することが可
能なランド・グルーブ記録用光磁気記録媒体を提供する
ことである。
の挟ピッチ化に伴う消去磁界の増加を抑制することが可
能なランド・グルーブ記録用光磁気記録媒体を提供する
ことである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明によると、膜面に
対して垂直方向の磁化容易性を有する磁性再生層と、該
磁性再生層上に積層された室温で面内方向の磁化容易性
を有する磁性中間層と、該磁性中間層上に積層された膜
面に対して垂直方向の磁化容易性を有する磁性記録層と
を具備し、前記磁性再生層は、ＧｄxＦｅＣｏy，２２ａ
ｔ％≦ｘ≦２５ａｔ％且つ１６ａｔ％≦ｙ≦２３ａｔ％
の組成を有していることを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
対して垂直方向の磁化容易性を有する磁性再生層と、該
磁性再生層上に積層された室温で面内方向の磁化容易性
を有する磁性中間層と、該磁性中間層上に積層された膜
面に対して垂直方向の磁化容易性を有する磁性記録層と
を具備し、前記磁性再生層は、ＧｄxＦｅＣｏy，２２ａ
ｔ％≦ｘ≦２５ａｔ％且つ１６ａｔ％≦ｙ≦２３ａｔ％
の組成を有していることを特徴とする光磁気記録媒体が
提供される。
【００２２】好ましくは、再生層は希土類遷移金属非品
質合金膜から形成され、遷移金属の磁気モーメントが希
土類の磁気モーメントより優勢な金属ドミナントであ
る。更に、中間層は２００℃以下のキュリー温度を有し
ており、中間層単層での磁化が垂直に変化する温度は１
３０℃以上である。
質合金膜から形成され、遷移金属の磁気モーメントが希
土類の磁気モーメントより優勢な金属ドミナントであ
る。更に、中間層は２００℃以下のキュリー温度を有し
ており、中間層単層での磁化が垂直に変化する温度は１
３０℃以上である。
【００２３】更に好ましくは、中間層のスパッタ成膜時
の成膜レートが７ｎｍ／秒〜９ｎｍ／秒であり、スパッ
タ成膜時のＡｒガス圧力は２Ｐａ〜４Ｐａであるのが良
い。
の成膜レートが７ｎｍ／秒〜９ｎｍ／秒であり、スパッ
タ成膜時のＡｒガス圧力は２Ｐａ〜４Ｐａであるのが良
い。
【００２４】本発明の他の側面によると、膜面に対して
垂直方向の磁化容易性を有する厚さ４０〜５７ｎｍのＧ
ａＦｅＣｏ再生層と、該再生層上に積層された室温で面
内方向の磁化容易性を有する厚さ３８〜５０ｎｍのＧａ
ＦｅＣｏＳｉ中間層と、該中間層上に積層された膜面に
対して垂直方向の磁化容易性を有するＴｂＦｅＣｏ記録
層と、を具備したことを特徴とする光磁気記録媒体が提
供される。
垂直方向の磁化容易性を有する厚さ４０〜５７ｎｍのＧ
ａＦｅＣｏ再生層と、該再生層上に積層された室温で面
内方向の磁化容易性を有する厚さ３８〜５０ｎｍのＧａ
ＦｅＣｏＳｉ中間層と、該中間層上に積層された膜面に
対して垂直方向の磁化容易性を有するＴｂＦｅＣｏ記録
層と、を具備したことを特徴とする光磁気記録媒体が提
供される。
【００２５】好ましくは、磁性再生層は、ＧｄxＦｅＣ
ｏy，２２ａｔ％≦ｘ≦２５ａｔ％且つ１６ａｔ％≦ｙ
≦２３ａｔ％の組成を有している。更に好ましくは、再
生層の膜厚は４５〜５０ｎｍの範囲内であり、中間層の
膜厚は４３〜４８ｎｍの範囲内である。
ｏy，２２ａｔ％≦ｘ≦２５ａｔ％且つ１６ａｔ％≦ｙ
≦２３ａｔ％の組成を有している。更に好ましくは、再
生層の膜厚は４５〜５０ｎｍの範囲内であり、中間層の
膜厚は４３〜４８ｎｍの範囲内である。
【００２６】本発明の更に他の側面によると、ランド及
びクルーブ記録用光磁気記録媒体であって、交互に形成
された複数のランド及び複数のグルーブを有する透明基
板と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直方向
の磁化容易性を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に
積層された室温で面内方向の磁化容易性を有する磁性中
間層と、該磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直
方向の磁化容易性を有する磁性記録層とを具備し、前記
磁性再生層は、ＧｄxＦｅＣｏy，２２ａｔ％≦ｘ≦２５
ａｔ％且つ１６ａｔ％≦ｙ≦２３ａｔ％の組成を有して
いることを特徴とするランド及びグルーブ記録用光磁気
記録媒体が提供される。
びクルーブ記録用光磁気記録媒体であって、交互に形成
された複数のランド及び複数のグルーブを有する透明基
板と、該透明基板上に積層された膜面に対して垂直方向
の磁化容易性を有する磁性再生層と、該磁性再生層上に
積層された室温で面内方向の磁化容易性を有する磁性中
間層と、該磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直
方向の磁化容易性を有する磁性記録層とを具備し、前記
磁性再生層は、ＧｄxＦｅＣｏy，２２ａｔ％≦ｘ≦２５
ａｔ％且つ１６ａｔ％≦ｙ≦２３ａｔ％の組成を有して
いることを特徴とするランド及びグルーブ記録用光磁気
記録媒体が提供される。
【００２７】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、本発明の光磁
気記録媒体１２の構成図が示されている。光磁気記録媒
体１２は通常はディスク形状をしている。ガラス等の透
明基板１４上に例えばスパッタリングによりＳｉＮ等か
らなる誘電体層１６が積層されている。誘電体層１６は
その上に積層される磁性層の酸化及び腐食を防止する。
気記録媒体１２の構成図が示されている。光磁気記録媒
体１２は通常はディスク形状をしている。ガラス等の透
明基板１４上に例えばスパッタリングによりＳｉＮ等か
らなる誘電体層１６が積層されている。誘電体層１６は
その上に積層される磁性層の酸化及び腐食を防止する。
【００２８】透明基板１４としては、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレ
フィン等の樹脂が採用可能である。また、誘電体層１６
としては、ＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3
等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可能で
ある。
ト、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレ
フィン等の樹脂が採用可能である。また、誘電体層１６
としては、ＡｌＮ等の金属窒化物、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3
等の金属酸化物及びＺｎＳ等の金属硫化物が採用可能で
ある。
【００２９】誘電体層１６上にはＧｄＦｅＣｏから形成
された磁性再生層１８が積層されている。磁性再生層１
８は膜面に対して垂直方向の磁化容易性を有している。
された磁性再生層１８が積層されている。磁性再生層１
８は膜面に対して垂直方向の磁化容易性を有している。
【００３０】磁性再生層１８は、遷移金属の磁気モーメ
ントが希土類の磁気モーメントより優勢な金属ドミナン
ト、又は金属リッチである。磁性再生層１８のキュリー
温度は約２５０℃〜約３００℃である。
ントが希土類の磁気モーメントより優勢な金属ドミナン
ト、又は金属リッチである。磁性再生層１８のキュリー
温度は約２５０℃〜約３００℃である。
【００３１】磁性再生層１８上にはＧｄＦｅＣｏＳｉか
ら形成された磁性中間層２０が積層されている。磁性中
間層２０は室温では面内方向の磁化容易性を有してい
る。
ら形成された磁性中間層２０が積層されている。磁性中
間層２０は室温では面内方向の磁化容易性を有してい
る。
【００３２】磁性中間層２０の磁化容易方向は、再生ビ
ームパワーで昇温される所定温度以上では面内方向から
垂直方向に変化する。後で詳細に説明するように、この
温度は約１３０℃以上であるのが好ましい。磁性中間層
２０のキュリー温度は約２００℃以下である。
ームパワーで昇温される所定温度以上では面内方向から
垂直方向に変化する。後で詳細に説明するように、この
温度は約１３０℃以上であるのが好ましい。磁性中間層
２０のキュリー温度は約２００℃以下である。
【００３３】磁性中間層２０上にはＴｂＦｅＣｏから形
成された磁性記録層２２が積層されている。磁性記録層
２２は膜面に対して垂直方向の磁化容易性を有してい
る。磁性記録層２２のキュリー温度は約２５０℃〜約２
７０℃である。
成された磁性記録層２２が積層されている。磁性記録層
２２は膜面に対して垂直方向の磁化容易性を有してい
る。磁性記録層２２のキュリー温度は約２５０℃〜約２
７０℃である。
【００３４】磁性記録層２２上にはＳｉＮから形成され
た保護層２４が積層されている。この保護層２４は、空
気中からの水や酸素或いはハロゲン元素のような物質の
進入を防止し、磁性記録層２２を保護する目的で設けら
れる。
た保護層２４が積層されている。この保護層２４は、空
気中からの水や酸素或いはハロゲン元素のような物質の
進入を防止し、磁性記録層２２を保護する目的で設けら
れる。
【００３５】保護層２４としては、ＳｉＮ，ＡｌＮ等の
金属窒化物、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3等の金属酸化物及びＺ
ｎＳ等の金属硫化物も採用可能である。保護層２４上に
はアルミニウム（Ａｌ）から形成された記録感度調整層
（反射層）２６が積層されて光磁気記録媒体１２が完成
する。
金属窒化物、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3等の金属酸化物及びＺ
ｎＳ等の金属硫化物も採用可能である。保護層２４上に
はアルミニウム（Ａｌ）から形成された記録感度調整層
（反射層）２６が積層されて光磁気記録媒体１２が完成
する。
【００３６】以上詳細に説明したように、光磁気記録媒
体１２は、透明基板１４上に誘電体層１６，磁性再生層
１８，磁性中間層２０，磁性記録層２２，保護層２４，
記録感度調整層２６を含んだ多層膜２８を積層して構成
されている。
体１２は、透明基板１４上に誘電体層１６，磁性再生層
１８，磁性中間層２０，磁性記録層２２，保護層２４，
記録感度調整層２６を含んだ多層膜２８を積層して構成
されている。
【００３７】図２を参照すると、本発明が適用されるラ
ンド・グルーブ記録用光磁気記録媒体１２´が示されて
いる。隣接したランド３０とグルーブ３２の中心間隔
（トラックピッチ）が０．６５μｍのランド・グルーブ
基板１４´上に図１に示した多層膜２８が積層されてい
る。ランド・グルーブ基板１４´のランド３０とグルー
ブ３２の段差は３５ｎｍである。
ンド・グルーブ記録用光磁気記録媒体１２´が示されて
いる。隣接したランド３０とグルーブ３２の中心間隔
（トラックピッチ）が０．６５μｍのランド・グルーブ
基板１４´上に図１に示した多層膜２８が積層されてい
る。ランド・グルーブ基板１４´のランド３０とグルー
ブ３２の段差は３５ｎｍである。
【００３８】この光磁気記録媒体１２´はランド・グル
ーブ記録方式用記録媒体であるため、ランド３０及びグ
ルーブ３２の双方にマーク３４が記録される。本発明は
このようにトラックピッチ間隔が小さい、ランド・グル
ーブ記録用光磁気記録媒体に適用すると特に効果が大き
いものである。
ーブ記録方式用記録媒体であるため、ランド３０及びグ
ルーブ３２の双方にマーク３４が記録される。本発明は
このようにトラックピッチ間隔が小さい、ランド・グル
ーブ記録用光磁気記録媒体に適用すると特に効果が大き
いものである。
【００３９】本発明のデータの消去方法、書きこみ方法
及び再生方法は上述した米国特許第６，０２０，０７９
号と同様であるが、図３乃至図５を参照してその概要を
説明する。まず、図３を参照して本発明のデータの消去
方法を説明する。
及び再生方法は上述した米国特許第６，０２０，０７９
号と同様であるが、図３乃至図５を参照してその概要を
説明する。まず、図３を参照して本発明のデータの消去
方法を説明する。
【００４０】バイアス磁界Ｈｂを下向きに印加しながら
レーザビームを記録媒体に照射し、記録層２２のキュリ
ー温度以上に昇温することによって記録層２２の磁化方
向を下向きにする。
レーザビームを記録媒体に照射し、記録層２２のキュリ
ー温度以上に昇温することによって記録層２２の磁化方
向を下向きにする。
【００４１】レーザビームから遠ざかると記録媒体は室
温まで降温される。室温では中間層２０は面内磁化膜と
なり、再生層１８と記録層２２は磁気的に結合していな
い状態になる。従って、再生層１８の磁化は消去用バイ
アス磁界Ｈｂにより下向きに揃う。
温まで降温される。室温では中間層２０は面内磁化膜と
なり、再生層１８と記録層２２は磁気的に結合していな
い状態になる。従って、再生層１８の磁化は消去用バイ
アス磁界Ｈｂにより下向きに揃う。
【００４２】次に図４を参照して、本発明のデータの書
きこみ方法について説明する。データ書きこみ時には、
バイアス磁界Ｈｂを消去方向とは逆向き、即ち上向きに
印加しながら、記録部分にのみ強いレーザビームを照射
すると、データが記録された部分の磁化のみ上向きにな
る。
きこみ方法について説明する。データ書きこみ時には、
バイアス磁界Ｈｂを消去方向とは逆向き、即ち上向きに
印加しながら、記録部分にのみ強いレーザビームを照射
すると、データが記録された部分の磁化のみ上向きにな
る。
【００４３】レーザビームから遠ざかると、記録媒体は
室温まで降温される。室温では、中間層２０は面内磁化
膜となり、再生層１８と記録層２２は磁気的結合が弱く
なる状態になる。従って、再生層１８の磁化はバイアス
磁界Ｈｂにより上向きに揃う。
室温まで降温される。室温では、中間層２０は面内磁化
膜となり、再生層１８と記録層２２は磁気的結合が弱く
なる状態になる。従って、再生層１８の磁化はバイアス
磁界Ｈｂにより上向きに揃う。
【００４４】次に図５を参照して、本発明におけるデー
タのダブルマスク再生方法について説明する。充分強い
再生レーザビームを記録媒体に照射すると、図５に示し
たようにビームスポット３８内に再生層１８の磁化が再
生バイアス磁界Ｈｒ方向を向く低温領域と、記録層２２
の磁化が交換結合によって中間層２０及び再生層１８に
転写される中間温度領域と、中間層２０のキュリー温度
Ｔｃ以上の高温領域が形成される。
タのダブルマスク再生方法について説明する。充分強い
再生レーザビームを記録媒体に照射すると、図５に示し
たようにビームスポット３８内に再生層１８の磁化が再
生バイアス磁界Ｈｒ方向を向く低温領域と、記録層２２
の磁化が交換結合によって中間層２０及び再生層１８に
転写される中間温度領域と、中間層２０のキュリー温度
Ｔｃ以上の高温領域が形成される。
【００４５】図５（Ａ）に示すように、トラック４４内
には破線で示した複数のマーク４６が形成されている。
低温領域及び高温領域では、再生層１８の磁化方向がバ
イアス磁界Ｈｒに揃うアップスピンマスク４０，４８が
形成され、２つのアップスピンマスク４０，４８の間の
中間温度領域に開口部４２が形成される。
には破線で示した複数のマーク４６が形成されている。
低温領域及び高温領域では、再生層１８の磁化方向がバ
イアス磁界Ｈｒに揃うアップスピンマスク４０，４８が
形成され、２つのアップスピンマスク４０，４８の間の
中間温度領域に開口部４２が形成される。
【００４６】アップスピンマスク部４８では、記録媒体
が中間層２０のキュリー温度Ｔｃ以上に加熱されている
ため、中間層２０の磁化がなくなり、再生層１８と記録
層２２は磁気的に結合していない状態である。
が中間層２０のキュリー温度Ｔｃ以上に加熱されている
ため、中間層２０の磁化がなくなり、再生層１８と記録
層２２は磁気的に結合していない状態である。
【００４７】従って、再生層１８は室温で保磁力が小さ
いことからその磁化方向は再生用バイアス磁界Ｈｒの方
向に向くことになる。即ち、中間層２０のキュリー温度
Ｔｃ以上の温度では、再生層１８の磁化は常に上向きと
なり、光磁気信号は出力されず一種のマスクとして機能
する。
いことからその磁化方向は再生用バイアス磁界Ｈｒの方
向に向くことになる。即ち、中間層２０のキュリー温度
Ｔｃ以上の温度では、再生層１８の磁化は常に上向きと
なり、光磁気信号は出力されず一種のマスクとして機能
する。
【００４８】従って、記録層２２に記録されたデータを
読み出す非常に小さな開口部４２を形成することができ
る。更に、ビームスポットの端に比べて相対的にレーザ
強度が強いビームスポット中心部に開口部４２が形成さ
れるので、大きな光磁気信号を得ることができる。
読み出す非常に小さな開口部４２を形成することができ
る。更に、ビームスポットの端に比べて相対的にレーザ
強度が強いビームスポット中心部に開口部４２が形成さ
れるので、大きな光磁気信号を得ることができる。
【００４９】上述したように、例えばランド・グルーブ
光磁気記録媒体のようにトラックピッチ間隔が小さくな
ると、消去に必要な磁界が大きくなるという傾向があ
る。以下、消去磁界を低減することが可能な本発明につ
いて詳細に説明する。
光磁気記録媒体のようにトラックピッチ間隔が小さくな
ると、消去に必要な磁界が大きくなるという傾向があ
る。以下、消去磁界を低減することが可能な本発明につ
いて詳細に説明する。
【００５０】隣接したランドとグルーブの中心間隔（ト
ラックピッチ）が０．６５μｍのランド・グルーブ基板
を用意した。この基板のランドとグルーブの段差は３５
ｎｍである。真空到達度が５×１０-5Ｐａ以下の複数の
成膜チャンバ（スパッタチャンバ）を有する静止対向型
のスパッタ装置を準備した。
ラックピッチ）が０．６５μｍのランド・グルーブ基板
を用意した。この基板のランドとグルーブの段差は３５
ｎｍである。真空到達度が５×１０-5Ｐａ以下の複数の
成膜チャンバ（スパッタチャンバ）を有する静止対向型
のスパッタ装置を準備した。
【００５１】まず、Ｓｉターゲットを装着した第１のチ
ャンバに上記基板を搬送し、ＡｒガスとＮ2ガスを導入
し、反応性スパッタリングにより９０ｎｍのＳｉＮ層を
基板上に成膜した。
ャンバに上記基板を搬送し、ＡｒガスとＮ2ガスを導入
し、反応性スパッタリングにより９０ｎｍのＳｉＮ層を
基板上に成膜した。
【００５２】次に基板をＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットを
装着した第２のチャンバに移動し、Ａｒガスを導入して
ＤＣスパッタリングにより厚さ５０ｎｍの再生層を成膜
した。
装着した第２のチャンバに移動し、Ａｒガスを導入して
ＤＣスパッタリングにより厚さ５０ｎｍの再生層を成膜
した。
【００５３】ここでの成膜条件はＡｒ圧力５．０Ｐａ、
スパッタレート５．５ｎｍ／秒である。ＧｄとＣｏの組
成を変えながら複数の再生層用ターゲットを準備し、Ｇ
ｄとＣｏの組成を変えた複数のＧｄＦｅＣｏ再生層を成
膜した。
スパッタレート５．５ｎｍ／秒である。ＧｄとＣｏの組
成を変えながら複数の再生層用ターゲットを準備し、Ｇ
ｄとＣｏの組成を変えた複数のＧｄＦｅＣｏ再生層を成
膜した。
【００５４】次に、Ｇｄ28Ｆｅ61Ｃｏ3Ｓｉ8からなる合
金ターゲットを装着した第３のチャンバに基板を移動
し、チャンバ内にＡｒガスを導入して膜厚４０ｎｍの中
間層を成膜した。この中間層成膜時に、スパッタレート
（パワー）とＡｒ圧力の条件を変更して複数の中間層を
成膜した。
金ターゲットを装着した第３のチャンバに基板を移動
し、チャンバ内にＡｒガスを導入して膜厚４０ｎｍの中
間層を成膜した。この中間層成膜時に、スパッタレート
（パワー）とＡｒ圧力の条件を変更して複数の中間層を
成膜した。
【００５５】次に、Ｔｂ22Ｆｅ61Ｃｏ17からなる合金タ
ーゲットを装着した第４のチャンバに基板を移動し、チ
ャンバ内にＡｒガスを導入して７ｎｍ／秒のスパッタレ
ート、Ａｒ圧力７Ｐａの条件下で膜厚５０ｎｍの記録層
を成膜した。
ーゲットを装着した第４のチャンバに基板を移動し、チ
ャンバ内にＡｒガスを導入して７ｎｍ／秒のスパッタレ
ート、Ａｒ圧力７Ｐａの条件下で膜厚５０ｎｍの記録層
を成膜した。
【００５６】次に、Ｓｉターゲットを装着した第５のチ
ャンバに基板を移動し、第１のチャンバでの成膜と同じ
条件で膜厚２５ｎｍのＳｉＮ層を記録層の上に成膜し
た。更に、基板をＡｌターゲットを装着した第６のチャ
ンバに移動し、膜厚２０ｎｍのＡｌ層を成膜した。最後
に、基板上に成膜した多層膜の上に樹脂保護層をスピン
コートし、光磁気ディスクを作成した。
ャンバに基板を移動し、第１のチャンバでの成膜と同じ
条件で膜厚２５ｎｍのＳｉＮ層を記録層の上に成膜し
た。更に、基板をＡｌターゲットを装着した第６のチャ
ンバに移動し、膜厚２０ｎｍのＡｌ層を成膜した。最後
に、基板上に成膜した多層膜の上に樹脂保護層をスピン
コートし、光磁気ディスクを作成した。
【００５７】一方、光磁気ディスクの評価測定用に使用
したディスクテスターの光ピックアップは波長６５０ｎ
ｍのレーザ光源と、開口数ＮＡ０．５５の対物レンズを
有している。ディスクテスターの線速は７．５ｍ／秒で
測定した。
したディスクテスターの光ピックアップは波長６５０ｎ
ｍのレーザ光源と、開口数ＮＡ０．５５の対物レンズを
有している。ディスクテスターの線速は７．５ｍ／秒で
測定した。
【００５８】消去磁界の評価は以下の手順で行った。
【００５９】（１）充分強いマイナス方向（下向き）の
消去用磁界を印加しながら充分なパワーのレーザビーム
を媒体に照射して、媒体を完全に消去する。即ち、再生
層及び記録層の磁化を下向きに揃える。
消去用磁界を印加しながら充分なパワーのレーザビーム
を媒体に照射して、媒体を完全に消去する。即ち、再生
層及び記録層の磁化を下向きに揃える。
【００６０】（２）マイナス方向（下向き）の磁界を印
加しながらパワー７．５ｍＷのレーザビームを媒体に照
射して、０．３２μｍのマークを媒体に記録し、Ｃ／Ｎ
を測定する。
加しながらパワー７．５ｍＷのレーザビームを媒体に照
射して、０．３２μｍのマークを媒体に記録し、Ｃ／Ｎ
を測定する。
【００６１】（３）（２）の測定において、Ｃ／Ｎ＝０
となる消去磁界の大きさをＨｗｔｈとする。
となる消去磁界の大きさをＨｗｔｈとする。
【００６２】通常、データを記録するには、プラス方向
（上向き）に磁界を印加しながら記録パワーのレーザビ
ームを媒体に照射して磁化方向が上向きの記録マークを
形成するが、マイナス方向に磁界を印加しながら記録を
行っても、マイナス方向の磁界の大きさが小さいとある
程度の割合で上向きの磁化が現れてしまう。
（上向き）に磁界を印加しながら記録パワーのレーザビ
ームを媒体に照射して磁化方向が上向きの記録マークを
形成するが、マイナス方向に磁界を印加しながら記録を
行っても、マイナス方向の磁界の大きさが小さいとある
程度の割合で上向きの磁化が現れてしまう。
【００６３】即ち、データが記録されてしまうことにな
る。よって、Ｈｗｔｈは通常マイナスとなる。Ｈｗｔｈ
が０に近いほうが消去し易い、つまり消去磁界が小さ
い。
る。よって、Ｈｗｔｈは通常マイナスとなる。Ｈｗｔｈ
が０に近いほうが消去し易い、つまり消去磁界が小さ
い。
【００６４】図６に再生層の組成がＧｄ24.5Ｆｅ62.5Ｃ
ｏ13とＧｄ24.5Ｆｅ56.5Ｃｏ19の場合のＨｗｔｈの測定
結果を示す。即ち、図６はＨｗｔｈの中間層スパッタ条
件依存性を示している。この測定では各再生層の組成に
ついてスパッタレートとＡｒ圧を３段階に変化させて３
種類の中間層を形成し、Ｈｗｔｈを測定した。
ｏ13とＧｄ24.5Ｆｅ56.5Ｃｏ19の場合のＨｗｔｈの測定
結果を示す。即ち、図６はＨｗｔｈの中間層スパッタ条
件依存性を示している。この測定では各再生層の組成に
ついてスパッタレートとＡｒ圧を３段階に変化させて３
種類の中間層を形成し、Ｈｗｔｈを測定した。
【００６５】図６から明らかなように、中間層成膜時の
スパッタレートを７ｎｍ／ｓｅｃ以上、Ａｒ圧を４Ｐａ
以下にすることにより、Ｈｗｔｈが実用レベルの−５０
０エルステッド（Ｏｅ）以下になっている。
スパッタレートを７ｎｍ／ｓｅｃ以上、Ａｒ圧を４Ｐａ
以下にすることにより、Ｈｗｔｈが実用レベルの−５０
０エルステッド（Ｏｅ）以下になっている。
【００６６】この傾向はＧｄ24.5Ｆｅ62.5Ｃｏ13再生層
及びＧｄ24.5Ｆｅ56.5Ｃｏ19再生層の何れの再生層でも
差がない。よって、消去磁界を充分小さくするために
は、Ａｒ圧４Ｐａ以下で且つスパッタレート７ｎｍ／ｓ
ｅｃ以上で中間層を成膜する必要がある。
及びＧｄ24.5Ｆｅ56.5Ｃｏ19再生層の何れの再生層でも
差がない。よって、消去磁界を充分小さくするために
は、Ａｒ圧４Ｐａ以下で且つスパッタレート７ｎｍ／ｓ
ｅｃ以上で中間層を成膜する必要がある。
【００６７】図７を参照すると、再生磁界の中間層スパ
ッタ条件依存性が示されている。即ち、図７は中間層の
スパッタ条件を３段階に変化させたときの再生に必要な
磁界Ｈｒの測定結果を示している。ここで、再生磁界Ｈ
ｒは６５℃の環境下でビットエラーレートが充分小さく
なるのに必要最低の磁界である。
ッタ条件依存性が示されている。即ち、図７は中間層の
スパッタ条件を３段階に変化させたときの再生に必要な
磁界Ｈｒの測定結果を示している。ここで、再生磁界Ｈ
ｒは６５℃の環境下でビットエラーレートが充分小さく
なるのに必要最低の磁界である。
【００６８】図７から明らかなように、Ｇｄ24.5Ｆｅ
56.5Ｃｏ19の再生層では中間層成膜時のスパッタレート
を高くし、Ａｒ圧を低くしても再生磁界Ｈｒの上昇はわ
ずかである。
56.5Ｃｏ19の再生層では中間層成膜時のスパッタレート
を高くし、Ａｒ圧を低くしても再生磁界Ｈｒの上昇はわ
ずかである。
【００６９】スパッタレートはスパッタ投入電力を変更
することにより調整している。ここで使用したスパッタ
装置のスパッタレート７ｎｍ／ｓｅｃは投入電力１．２
５ｋＷに相当する。
することにより調整している。ここで使用したスパッタ
装置のスパッタレート７ｎｍ／ｓｅｃは投入電力１．２
５ｋＷに相当する。
【００７０】一方、Ｇｄ24.5Ｆｅ62.5Ｃｏ13の再生層で
は中間層成膜時のスパッタレートを高くし、Ａｒ圧を低
くすると、再生磁界Ｈｒが上昇してしまう。即ち、図６
に示したＨｗｔｈを小さくする条件にすると再生磁界Ｈ
ｒが上昇してしまう。
は中間層成膜時のスパッタレートを高くし、Ａｒ圧を低
くすると、再生磁界Ｈｒが上昇してしまう。即ち、図６
に示したＨｗｔｈを小さくする条件にすると再生磁界Ｈ
ｒが上昇してしまう。
【００７１】再生層のＣｏ組成を１３ａｔ％〜２０ａｔ
％の範囲内で変化させて同様の実験を行った。再生層の
Ｃｏの含有率を１６ａｔ％以上に増加させると、中間層
成膜時に高スパッタレート化及び低ガス化しても再生磁
界の上昇を小さく抑制しつつ消去磁界の低減が可能とな
ることが判明した。
％の範囲内で変化させて同様の実験を行った。再生層の
Ｃｏの含有率を１６ａｔ％以上に増加させると、中間層
成膜時に高スパッタレート化及び低ガス化しても再生磁
界の上昇を小さく抑制しつつ消去磁界の低減が可能とな
ることが判明した。
【００７２】図８にＧｄ24.5Ｆｅ56.5Ｃｏ19再生層での
Ｈｗｔｈの中間層Ａｒ圧依存性を示す。図９に図８と同
様な再生層でのＨｗｔｈの中間層スパッタレート依存性
を示す。
Ｈｗｔｈの中間層Ａｒ圧依存性を示す。図９に図８と同
様な再生層でのＨｗｔｈの中間層スパッタレート依存性
を示す。
【００７３】図８及び図９から明らかなように、中間層
成膜時にＡｒ圧を低くし、スパッタレートを大きくする
ことにより、Ｈｗｔｈを低減できることが判明する。
成膜時にＡｒ圧を低くし、スパッタレートを大きくする
ことにより、Ｈｗｔｈを低減できることが判明する。
【００７４】以上の結果から、消去磁界は中間層のスパ
ッタ条件に依存し、消去磁界を−５００Ｏｅ以下に低減
するには中間層のスパッタレートを７ｎｍ／ｓｅｃ以
上、Ａｒ圧を４Ｐａ以下にすれば良いことが判明する。
ッタ条件に依存し、消去磁界を−５００Ｏｅ以下に低減
するには中間層のスパッタレートを７ｎｍ／ｓｅｃ以
上、Ａｒ圧を４Ｐａ以下にすれば良いことが判明する。
【００７５】データ上、スパッタレート７〜１０ｎｍ／
ｓｅｃが良さそうと考えられるが、消去磁界を−５００
Ｏｅ以下にするようなスパッタレートの範囲が含まれ
る。また、Ａｒ圧力２〜４Ｐａが良さそうと考えられる
が、消去磁界を−５００Ｏｅ以下にするＡｒ圧の範囲が
含まれる。
ｓｅｃが良さそうと考えられるが、消去磁界を−５００
Ｏｅ以下にするようなスパッタレートの範囲が含まれ
る。また、Ａｒ圧力２〜４Ｐａが良さそうと考えられる
が、消去磁界を−５００Ｏｅ以下にするＡｒ圧の範囲が
含まれる。
【００７６】また、再生磁界の上昇を抑制しつつ消去磁
界を低減するには、ＧｄＦｅＣｏ再生層のＣｏ組成を１
６ａｔ％以上に増加させれば良い。
界を低減するには、ＧｄＦｅＣｏ再生層のＣｏ組成を１
６ａｔ％以上に増加させれば良い。
【００７７】図１０に中間層の磁化が面内から垂直に変
化する温度の中間層スパッタレート依存性を示す。図１
１は中間層の磁化が面内から垂直に変化する温度のＡｒ
圧依存性を示している。
化する温度の中間層スパッタレート依存性を示す。図１
１は中間層の磁化が面内から垂直に変化する温度のＡｒ
圧依存性を示している。
【００７８】図１０から、中間層のスパッタレートを高
くすると、中間層の磁化の垂直化温度は高くなることが
分かる。また、図１１から中間層成膜時のＡｒ圧を低く
することにより、中間層の磁化の垂直化温度が高くなる
ことが分かる。
くすると、中間層の磁化の垂直化温度は高くなることが
分かる。また、図１１から中間層成膜時のＡｒ圧を低く
することにより、中間層の磁化の垂直化温度が高くなる
ことが分かる。
【００７９】この結果から、消去磁界を低減可能な中間
層の磁化の垂直化温度は１３０℃以上であるのが好まし
い。故に、中間層の磁化の垂直化温度を１３０℃以上に
するには、スパッタレートを４ｎｍ／ｓｅｃより大き
く、Ａｒ圧力を５Ｐａより小さくすれば良い。
層の磁化の垂直化温度は１３０℃以上であるのが好まし
い。故に、中間層の磁化の垂直化温度を１３０℃以上に
するには、スパッタレートを４ｎｍ／ｓｅｃより大き
く、Ａｒ圧力を５Ｐａより小さくすれば良い。
【００８０】また、本発明の光磁気記憶媒体のリアマス
クを安定化するには、中間層のキュリー温度Ｔｃを２０
０℃以下にするのが好ましい。中間層のキュリー温度Ｔ
ｃが２００℃より高くなると、リアマスク形成に必要な
磁界強度及び再生パワーが高くなり、動作マージンが狭
くなるという問題があるからである。
クを安定化するには、中間層のキュリー温度Ｔｃを２０
０℃以下にするのが好ましい。中間層のキュリー温度Ｔ
ｃが２００℃より高くなると、リアマスク形成に必要な
磁界強度及び再生パワーが高くなり、動作マージンが狭
くなるという問題があるからである。
【００８１】図１２を参照すると、再生層単層での保磁
力（Ｈｃ）温度特性のＧｄ組成依存性が示されている。
図１２より明らかなように、Ｇｄ組成２５．５ａｔ％の
再生層では室温から２００℃の範囲で保磁力Ｈｃが大き
くなっている。保磁力Ｈｃが大きくなると、リアマスク
形成に必要な再生磁場が大きくなってしまう。
力（Ｈｃ）温度特性のＧｄ組成依存性が示されている。
図１２より明らかなように、Ｇｄ組成２５．５ａｔ％の
再生層では室温から２００℃の範囲で保磁力Ｈｃが大き
くなっている。保磁力Ｈｃが大きくなると、リアマスク
形成に必要な再生磁場が大きくなってしまう。
【００８２】よって、Ｇｄの組成が２５．５ａｔ％の再
生層を有する光磁気記録媒体では、リアマスク形成に必
要な磁場が４５０エルステッド（Ｏｅ）となってしま
い、実用レベルの３５０エルステッドを超えてしまう。
生層を有する光磁気記録媒体では、リアマスク形成に必
要な磁場が４５０エルステッド（Ｏｅ）となってしま
い、実用レベルの３５０エルステッドを超えてしまう。
【００８３】Ｇｄ組成が２４．８ａｔ％の再生層では、
その保磁力Ｈｃが室温で約１８０エルステッドであり、
実用レベルの３５０エルステッド以下であるが、Ｇｄ組
成が２５ａｔ％より大きいとリアマスク形成に必要な磁
場が大きくなってしまい、光磁気ディスク装置で実用的
に発生可能な磁場の大きさを超えてしまう。よって、再
生層のＧｄ組成は２５ａｔ％以下である必要がある。
その保磁力Ｈｃが室温で約１８０エルステッドであり、
実用レベルの３５０エルステッド以下であるが、Ｇｄ組
成が２５ａｔ％より大きいとリアマスク形成に必要な磁
場が大きくなってしまい、光磁気ディスク装置で実用的
に発生可能な磁場の大きさを超えてしまう。よって、再
生層のＧｄ組成は２５ａｔ％以下である必要がある。
【００８４】図１３を参照すると、再生磁界Ｈｒの再生
層Ｃｏ組成依存性が示されている。再生磁界Ｈｒは２５
℃及び５５℃環境下で測定した。再生層のＧｄ組成は２
４．５ａｔ％である。更に、中間層はスパッタレート７
ｎｍ／ｓｅｃ，Ａｒ圧力４Ｐａのスパッタ条件で成膜し
た。
層Ｃｏ組成依存性が示されている。再生磁界Ｈｒは２５
℃及び５５℃環境下で測定した。再生層のＧｄ組成は２
４．５ａｔ％である。更に、中間層はスパッタレート７
ｎｍ／ｓｅｃ，Ａｒ圧力４Ｐａのスパッタ条件で成膜し
た。
【００８５】図１３から明らかなように、再生層のＣｏ
組成を１６ａｔ％以上にすることにより、再生磁界を実
用レベルの３５０エルステッド（Ｏｅ）程度まで低くす
ることができる。Ｃｏ組成１６ａｔ％未満では特に高温
での再生磁界の上昇が大きくて、望ましくない。
組成を１６ａｔ％以上にすることにより、再生磁界を実
用レベルの３５０エルステッド（Ｏｅ）程度まで低くす
ることができる。Ｃｏ組成１６ａｔ％未満では特に高温
での再生磁界の上昇が大きくて、望ましくない。
【００８６】図１４を参照すると、Ｃ／Ｎの再生層Ｃｏ
組成依存性が示されている。再生層のＧｄ組成及び中間
層のスパッタ条件は図１３の場合と同様である。
組成依存性が示されている。再生層のＧｄ組成及び中間
層のスパッタ条件は図１３の場合と同様である。
【００８７】図１４から明らかなように、再生層のＣｏ
組成を２３ａｔ％より大きくすると、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ
以下になって望ましくない。よって、図１３及び図１４
の結果から、再生層のＣｏ組成は再生磁界が４００Ｏｅ
以下である１６〜２３ａｔ％の範囲が好ましい。更に好
ましくは、最も再生磁界が低くなっている１８〜２０ａ
ｔ％である。
組成を２３ａｔ％より大きくすると、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ
以下になって望ましくない。よって、図１３及び図１４
の結果から、再生層のＣｏ組成は再生磁界が４００Ｏｅ
以下である１６〜２３ａｔ％の範囲が好ましい。更に好
ましくは、最も再生磁界が低くなっている１８〜２０ａ
ｔ％である。
【００８８】図１５を参照すると、再生磁界Ｈｒの再生
層Ｇｄ組成依存性が示されている。再生層のＣｏ組成は
１９ａｔ％で一定とした。更に、中間層はスパッタレー
ト７ｎｍ／ｓｅｃ，Ａｒ圧力４Ｐａのスパッタ条件で成
膜した。
層Ｇｄ組成依存性が示されている。再生層のＣｏ組成は
１９ａｔ％で一定とした。更に、中間層はスパッタレー
ト７ｎｍ／ｓｅｃ，Ａｒ圧力４Ｐａのスパッタ条件で成
膜した。
【００８９】図１５から明らかなように、再生層のＧｄ
組成を２５ａｔ％より大きくすると、リアマスク形成に
必要な磁界が上昇するため再生磁界Ｈｒが高くなってし
まう。
組成を２５ａｔ％より大きくすると、リアマスク形成に
必要な磁界が上昇するため再生磁界Ｈｒが高くなってし
まう。
【００９０】図１６を参照すると、Ｃ／Ｎの再生層Ｇｄ
組成依存性が示されている。再生層のＣｏ組成及び中間
層のスパッタ条件は図１５の場合と同様である。図１６
より明らかなように、再生層のＧｄ組成を２２ａｔ％よ
り小さくするとＣ／Ｎが４５ｄＢ以下に低下し、望まし
くない。よって、図１５及び図１６の結果から、再生層
のＧｄ組成は２２〜２５ａｔ％の範囲が好ましい。
組成依存性が示されている。再生層のＣｏ組成及び中間
層のスパッタ条件は図１５の場合と同様である。図１６
より明らかなように、再生層のＧｄ組成を２２ａｔ％よ
り小さくするとＣ／Ｎが４５ｄＢ以下に低下し、望まし
くない。よって、図１５及び図１６の結果から、再生層
のＧｄ組成は２２〜２５ａｔ％の範囲が好ましい。
【００９１】図１７を参照すると、Ｈｗｔｈの中間層ス
パッタレート依存性が示されている。中間層成膜時のＡ
ｒ圧力は５．０Ｐａで一定とした。更に、再生層の組成
はＧｄ24.5Ｆｅ56.5Ｃｏ19である。
パッタレート依存性が示されている。中間層成膜時のＡ
ｒ圧力は５．０Ｐａで一定とした。更に、再生層の組成
はＧｄ24.5Ｆｅ56.5Ｃｏ19である。
【００９２】図１７より明らかなように、中間層のスパ
ッタレートを７ｎｍ／ｓｅｃ以上とすることにより、Ｈ
ｗｔｈを実用レベルのマイナス５００エルステッド（Ｏ
ｅ）よりも小さくすることが可能である。
ッタレートを７ｎｍ／ｓｅｃ以上とすることにより、Ｈ
ｗｔｈを実用レベルのマイナス５００エルステッド（Ｏ
ｅ）よりも小さくすることが可能である。
【００９３】図１８を参照すると、再生磁界Ｈｒの中間
層スパッタレート依存性が示されている。再生層の組成
及び中間層成膜時のＡｒ圧力は図１７の場合と同様であ
る。
層スパッタレート依存性が示されている。再生層の組成
及び中間層成膜時のＡｒ圧力は図１７の場合と同様であ
る。
【００９４】図１８より明らかなように、中間層のスパ
ッタレートを９ｎｍ／ｓｅｃより大きくすると、再生磁
界Ｈｒが上昇し実用レベルの３５０エルステッド（Ｏ
ｅ）以上となってしまう。従って、図１７及び図１８の
結果から、中間層のスパッタレートは７〜９ｎｍ／ｓｅ
ｃが好ましい。
ッタレートを９ｎｍ／ｓｅｃより大きくすると、再生磁
界Ｈｒが上昇し実用レベルの３５０エルステッド（Ｏ
ｅ）以上となってしまう。従って、図１７及び図１８の
結果から、中間層のスパッタレートは７〜９ｎｍ／ｓｅ
ｃが好ましい。
【００９５】図１９を参照すると、Ｈｗｔｈの中間層Ａ
ｒ圧依存性が示されている。中間層のスパッタレートは
５．５ｎｍ／ｓｅｃで一定とした。再生層の組成はＧｄ
24.5Ｆｅ56.5Ｃｏ19である。
ｒ圧依存性が示されている。中間層のスパッタレートは
５．５ｎｍ／ｓｅｃで一定とした。再生層の組成はＧｄ
24.5Ｆｅ56.5Ｃｏ19である。
【００９６】図１９より明らかなように、中間層成膜時
のＡｒ圧力を４Ｐａ以下とすることにより、Ｈｗｔｈを
実用レベルのマイナス５００エルステッド（Ｏｅ）より
も小さくすることが可能になる。
のＡｒ圧力を４Ｐａ以下とすることにより、Ｈｗｔｈを
実用レベルのマイナス５００エルステッド（Ｏｅ）より
も小さくすることが可能になる。
【００９７】図２０を参照すると、再生磁界Ｈｒの中間
層Ａｒ圧依存性が示されている。中間層成膜時のスパッ
タレート及び再生層の組成は図１９の場合と同様であ
る。
層Ａｒ圧依存性が示されている。中間層成膜時のスパッ
タレート及び再生層の組成は図１９の場合と同様であ
る。
【００９８】図２０より明らかなように、中間層成膜時
のＡｒ圧力を２Ｐａより小さくすると、再生磁界Ｈｒが
上昇して実用レベルの３５０エルステッド（Ｏｅ）以上
になってしまう。従って、図１９及び図２０の結果か
ら、中間層成膜時のＡｒ圧力は２〜４Ｐａの範囲内が好
ましい。
のＡｒ圧力を２Ｐａより小さくすると、再生磁界Ｈｒが
上昇して実用レベルの３５０エルステッド（Ｏｅ）以上
になってしまう。従って、図１９及び図２０の結果か
ら、中間層成膜時のＡｒ圧力は２〜４Ｐａの範囲内が好
ましい。
【００９９】次に、図２１〜図２４を参照して、再生磁
場とＣ／Ｎが両立する再生層の膜厚及び中間層の膜厚に
ついて説明する。再生層、中間層及び記録層の組成はそ
れぞれＧａＦｅＣｏ，ＧａＦｅＣｏＳｉ，ＴｂＦｅＣｏ
である。
場とＣ／Ｎが両立する再生層の膜厚及び中間層の膜厚に
ついて説明する。再生層、中間層及び記録層の組成はそ
れぞれＧａＦｅＣｏ，ＧａＦｅＣｏＳｉ，ＴｂＦｅＣｏ
である。
【０１００】図２１を参照すると、再生必要磁場の中間
層膜厚依存性が示されている。図２２はＣ／Ｎの中間層
膜厚依存性を示している。中間層の膜厚は再生磁場とＣ
／Ｎが両立する範囲、即ち３８〜５０ｎｍの範囲が好ま
しい。更に好ましくは、Ｃ／Ｎが良く、再生磁場が最小
となる４３〜４８ｎｍである。
層膜厚依存性が示されている。図２２はＣ／Ｎの中間層
膜厚依存性を示している。中間層の膜厚は再生磁場とＣ
／Ｎが両立する範囲、即ち３８〜５０ｎｍの範囲が好ま
しい。更に好ましくは、Ｃ／Ｎが良く、再生磁場が最小
となる４３〜４８ｎｍである。
【０１０１】図２３を参照すると、再生必要磁場の再生
層膜厚依存性が示されている。図２４はＣ／Ｎの再生層
膜厚依存性を示している。再生層の膜厚は再生磁場とＣ
／Ｎが両立する範囲であり、４０〜５７ｎｍの範囲が好
ましい。更に好ましくは、４５〜５０ｎｍである。
層膜厚依存性が示されている。図２４はＣ／Ｎの再生層
膜厚依存性を示している。再生層の膜厚は再生磁場とＣ
／Ｎが両立する範囲であり、４０〜５７ｎｍの範囲が好
ましい。更に好ましくは、４５〜５０ｎｍである。
【０１０２】上述したところより明らかなように、再生
層の材料や中間層の成膜条件が相互に関係していると考
えられる。更に、再生層と中間層の相互作用により、Ｃ
／Ｎや磁場強度に影響があると考えられ、前述した材料
及び成膜条件の単独及び組み合わせによって、Ｃ／Ｎや
磁場強度の改善を図ることができる。
層の材料や中間層の成膜条件が相互に関係していると考
えられる。更に、再生層と中間層の相互作用により、Ｃ
／Ｎや磁場強度に影響があると考えられ、前述した材料
及び成膜条件の単独及び組み合わせによって、Ｃ／Ｎや
磁場強度の改善を図ることができる。
【０１０３】
【発明の効果】本発明は以上詳述したように、磁性再生
層のＧｄ及びＣｏの組成範囲を規定したことにより、再
生磁界の上昇を抑制したまま消去磁界を低減することが
可能な高密度光磁気記録媒体を提供できるという効果を
奏する。よって、光磁気ディスク装置の小型化が可能と
なり、低消費電力化を達成できる。
層のＧｄ及びＣｏの組成範囲を規定したことにより、再
生磁界の上昇を抑制したまま消去磁界を低減することが
可能な高密度光磁気記録媒体を提供できるという効果を
奏する。よって、光磁気ディスク装置の小型化が可能と
なり、低消費電力化を達成できる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体構成図である。
【図２】ランド・グルーブ記録用光磁気記録媒体の構成
図である。
図である。
【図３】本発明のデータの消去を説明する図である。
【図４】本発明のデータの書きこみを説明する図であ
る。
る。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は本発明のデータの
再生方法を説明する図であり、図５（Ａ）が平面図を、
図５（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示してい
る。
再生方法を説明する図であり、図５（Ａ）が平面図を、
図５（Ｂ）が記録媒体の縦断面図をそれぞれ示してい
る。
【図６】Ｈｗｔｈの中間層スパッタ条件依存性を示す図
である。
である。
【図７】再生磁界の中間層スパッタ条件依存性を示す図
である。
である。
【図８】Ｈｗｔｈの中間層Ａｒ圧依存性を示す図であ
る。
る。
【図９】Ｈｗｔｈの中間層スパッタレート依存性を示す
図である。
図である。
【図１０】中間層の磁化の垂直化温度の中間層スパッタ
レート依存性を示す図である。
レート依存性を示す図である。
【図１１】中間層の磁化の垂直化温度の中間層成膜時の
Ａｒ圧依存性を示す図である。
Ａｒ圧依存性を示す図である。
【図１２】再生層の保磁力温度特性の再生層Ｇｄ組成依
存性を示す図である。
存性を示す図である。
【図１３】再生磁界Ｈｒの再生層Ｃｏ組成依存性を示す
図である。
図である。
【図１４】Ｃ／Ｎの再生層Ｃｏ組成依存性を示す図であ
る。
る。
【図１５】再生磁界の再生層Ｇｄ組成依存性を示す図で
ある。
ある。
【図１６】Ｃ／Ｎの再生層Ｇｄ組成依存性を示す図であ
る。
る。
【図１７】Ｈｗｔｈの中間層スパッタレート依存性を示
す図である。
す図である。
【図１８】再生磁界Ｈｒの中間層スパッタレート依存性
を示す図である。
を示す図である。
【図１９】Ｈｗｔｈの中間層Ａｒ圧依存性を示す図であ
る。
る。
【図２０】再生磁界Ｈｒの中間層Ａｒ圧依存性を示す図
である。
である。
【図２１】再生必要磁場の中間層膜厚依存性を示す図で
ある。
ある。
【図２２】Ｃ／Ｎの中間層膜厚依存性を示す図である。
【図２３】再生必要磁場の再生層膜厚依存性を示す図で
ある。
ある。
【図２４】Ｃ／Ｎの再生層膜厚依存性を示す図である。
１２ 光磁気記録媒体 １４ 基板 １６ 誘電体層 １８ 磁性再生層 ２０ 磁性中間層 ２２ 磁性記録層 ２４ 保護層 ２６ 記録感度調整層 ２８ 多層膜 ３０ ランド ３２ グルーブ ３４，４６ 記録マーク ３８ ビームスポット ４０，４８ アップスピンマスク ４２ 開口部 ４４ トラック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１１Ｑ ５２１ ５２１Ｅ ５４６ ５４６Ｂ
Claims (10)
- 【請求項１】 膜面に対して垂直方向の磁化容易性を有
する磁性再生層と、 該磁性再生層上に積層された室温で面内方向の磁化容易
性を有する磁性中間層と、 該磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁
化容易性を有する磁性記録層とを具備し、 前記磁性再生層は、 ＧｄxＦｅＣｏy，２２ａｔ％≦ｘ≦２５ａｔ％且つ１６
ａｔ％≦ｙ≦２３ａｔ％の組成を有していることを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記磁性再生層は希土類遷移金属非品質
合金膜から形成され、遷移金属ドミナントである請求項
１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記磁性中間層は２００℃以下のキュリ
ー温度を有し、該磁性中間層の単層での磁化が垂直に変
化する温度が１３０℃以上である請求項１記載の光磁気
記録媒体。 - 【請求項４】 膜面に対して垂直方向の磁化容易性を有
する磁性再生層と、該磁性再生層上に積層された室温で
面内方向の磁化容易性を有する磁性中間層と、該磁性中
間層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁化容易性
を有する磁性記録層とを具備し、前記磁性再生層は、Ｇ
ｄxＦｅＣｏy，２２ａｔ％≦ｘ≦２５ａｔ％且つ１６ａ
ｔ％≦ｙ≦２３ａｔ％の組成を有している光磁気記録媒
体の製造方法であって、 スパッタ成膜時のＡｒガス圧力を２Ｐａ〜４Ｐａに保持
して、７ｎｍ／秒〜９ｎｍ／秒の成膜レートで前記磁性
中間層をスパッタリングで成膜することを特徴とする光
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 膜面に対して垂直方向の磁化容易性を有
する厚さ４０〜５７ｎｍのＧａＦｅＣｏ再生層と、 該再生層上に積層された室温で面内方向の磁化容易性を
有する厚さ３８〜５０ｎｍのＧａＦｅＣｏＳｉ中間層
と、 該中間層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁化容
易性を有するＴｂＦｅＣｏ記録層と、 を具備したことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 前記再生層は、 ＧｄxＦｅＣｏy，２２ａｔ％≦ｘ≦２５ａｔ％且つ１６
ａｔ％≦ｙ≦２３ａｔ％の組成を有している請求項５記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記再生層は４５〜５０ｎｍの厚さを有
しており、前記中間層は４３〜４８ｎｍの厚さを有して
いる請求項５記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記中間層は２００℃以下のキュリー温
度を有しており、該中間層の単層での磁化が垂直に変化
する温度が１３０℃以上である請求項６記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項９】 膜面に対して垂直方向の磁化容易性を有
する厚さ４０〜５７ｎｍのＧａＦｅＣｏ再生層と、該再
生層上に積層された室温で面内方向の磁化容易性を有す
る厚さ３８〜５０ｎｍのＧａＦｅＣｏＳｉ中間層と、該
中間層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁化容易
性を有するＴｂＦｅＣｏ記録層とを具備し、前記再生層
は、ＧｄxＦｅＣｏy，２２ａｔ％≦ｘ≦２５ａｔ％且つ
１６ａｔ％≦ｙ≦２３ａｔ％の組成を有している光磁気
記録媒体の製造方法であって、 スパッタ成膜時のＡｒガス圧力を２Ｐａ〜４ａに保持し
ながら、７ｎｍ／秒〜９ｎｍ／秒の成膜レートで前記中
間層をスパッタリングで成膜することを特徴とする光磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１０】 ランド及びクルーブ記録用光磁気記録
媒体であって、 交互に形成された複数のランド及び複数のグルーブを有
する透明基板と、 該透明基板上に積層された膜面に対して垂直方向の磁化
容易性を有する磁性再生層と、 該磁性再生層上に積層された室温で面内方向の磁化容易
性を有する磁性中間層と、 該磁性中間層上に積層された膜面に対して垂直方向の磁
化容易性を有する磁性記録層とを具備し、 前記磁性再生層は、 ＧｄxＦｅＣｏy，２２ａｔ％≦ｘ≦２５ａｔ％且つ１６
ａｔ％≦ｙ≦２３ａｔ％の組成を有していることを特徴
とするランド及びグルーブ記録用光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000151717A JP2001331985A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US09/745,113 US6649285B2 (en) | 2000-05-23 | 2000-12-20 | Magneto-optical recording medium and manufacturing method therefor |
| EP00311787A EP1158508A3 (en) | 2000-05-23 | 2000-12-29 | Magneto-optical recording medium and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000151717A JP2001331985A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001331985A true JP2001331985A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18657227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000151717A Pending JP2001331985A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6649285B2 (ja) |
| EP (1) | EP1158508A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001331985A (ja) |
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| WO2003003363A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Sony Corporation | sAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS PRODUCTION METHOD |
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| US20050188397A1 (en) * | 2002-12-24 | 2005-08-25 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and magneto-optical recording medium substrate manufacturing method |
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| JP3245704B2 (ja) | 1996-10-18 | 2002-01-15 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH10188379A (ja) | 1996-10-24 | 1998-07-21 | Nikon Corp | 光磁気記録媒体、及びその再生方法 |
| US6017620A (en) * | 1997-04-10 | 2000-01-25 | Tdk Corporation | Magneto-optical recording medium |
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| JP2002050090A (ja) * | 2000-05-25 | 2002-02-15 | Fujitsu Ltd | 光記録媒体 |
-
2000
- 2000-05-23 JP JP2000151717A patent/JP2001331985A/ja active Pending
- 2000-12-20 US US09/745,113 patent/US6649285B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-29 EP EP00311787A patent/EP1158508A3/en not_active Withdrawn
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| WO2003003363A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Sony Corporation | sAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS PRODUCTION METHOD |
| US7173884B2 (en) | 2001-06-29 | 2007-02-06 | Sony Corporation | Magnetooptic recording medium and its manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6649285B2 (en) | 2003-11-18 |
| US20020022153A1 (en) | 2002-02-21 |
| EP1158508A2 (en) | 2001-11-28 |
| EP1158508A3 (en) | 2005-09-14 |
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