JPH07182704A

JPH07182704A - 光磁気記録媒体および光磁気記録再生方式

Info

Publication number: JPH07182704A
Application number: JP32228493A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Shintaku; 一彦新宅; Masahiko Sekiya; 昌彦関谷; Kiyoshi Chiba; 潔千葉
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1993-12-21
Filing date: 1993-12-21
Publication date: 1995-07-21

Abstract

(57)【要約】【目的】光パルスのパワーレベルおよび／またはパルス
幅の変調のみによるオーバーライトを行い、かつ超解像
方式による再生を行なう光磁気記録媒体におけるＣ／Ｎ
の向上。【構成】レーザー光照射により昇温された磁壁境界領域
において、磁壁の移動により正味残留磁化の方向を自己
反転できる自己反転可能な書き込み層を有し、かつ再生
のためのレーザー光による高温領域でのみ書き込み層の
情報を転写することが可能な読み出し層を有し、そして
書き込み層と読み出し層とは隣接して設けらる。さら
に、読み出し層の飽和磁化Ｍs2（emu ／ｃｍ³）と保磁
力Ｈc2（Oe）と膜厚ｈ2 （ｃｍ）と、書き込み層と読み
出し層との間に作用する磁壁エネルギーσw （erg ／ｃ
ｍ²）との間で、2 ×Ｍs2×Ｈc2×ｈ2 ＝σw の関係を
満たす最小温度をＴ1 とするとき、書き込み層の補償温
度Ｔcompとキュリー温度Ｔc との間に、（Ｔc ＋Ｔcom
p）／2 ＞Ｔ1 の関係が成り立つ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光パルスのパワーレベ
ルおよび／またはパルス幅の変調のみによるダイレクト
オーバーライト可能な光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体は、高密度、大容量の情報記
録媒体として種々の研究開発が行なわれている。特に情
報の消去可能な光磁気記録媒体は応用分野が広く、種々
の材料、システムが発表されており、すでに実用化が始
まっている。

【０００３】ところで、フロッピーディスク、ハードデ
ィスク等と光磁気記録媒体とを特性面で比較したとき、
光磁気記録媒体媒体の欠点は、書き込み済の古い情報を
消去しつつ新しい情報の書き込みを行なうダイレクトオ
ーバーライトが難しい点、ならびに、最近ではハードデ
ィスクの記録密度が向上してきているために、光磁気記
録媒体の記録密度の優位性が感じられなくなってきた点
の２つがあげられる。

【０００４】こうした課題を解決するために、ダイレク
トオーバーライトによる高速化、および、材料ならびに
システムからの高密度化の検討が積極的に行なわれてい
る。

【０００５】現在、光磁気ディスクに情報を書き込む際
には、消去、書き込み、確認と大きく分けて３つの動作
を行なっている。ハードディスクでは、ダイレクトオー
バーライトが可能であるために消去過程が不要であるの
に対し、光磁気記録媒体では消去の過程が必要であるた
めに書き込みに要する時間が長くなる。この書き込みに
要する時間を短縮するためには、光磁気記録媒体でもオ
ーバーライトを可能とすることが好ましい考えられる。
これにより、消去動作が要らなくなるため、書き込み時
間を短縮できる。

【０００６】光磁気記録媒体のオーバーライト方式に
は、幾つかのものが提案されている。そうした中に、特
開平1-251357号公報、J. Appl. Phys. Vol.63 No.8 (19
88) 3844、 IEEE TRANS. Magn. Vol.23 No.1 (1987) 17
1 、 Appl. Phys. Lett. Vol.49 No.8 (1986) 473 、 I
EEE TRANS. Magn. Vol.25 No.5 (1989) 3530、 J. App
l. Phys. Vol.69 No.8 (1991) 4967 等に記載された方
式がある。

【０００７】これは、レーザー光照射により昇温された
磁壁境界領域の一部において、磁壁の移動により正味残
留磁化の方向を自己反転できる自己反転可能な書き込み
層を用い、バイアス磁界の方向および大きさを変えるこ
となく、光パルスのパワーレベルおよび／またはパルス
幅の変調のみにより、ダイレクトオーバーライトを行な
う方式である。そしてこの方式は、現在市販が開始され
ている光磁気記録装置に比べ、光学系、磁石等の構造に
大幅な変更が無く、将来技術として注目される方式であ
る。なおこのダイレクトオーバーライト方式を、以下に
おいてはＣＭＵ方式と便宜上呼ぶことにする。

【０００８】一方、従来、光磁気記録媒体の書き込み密
度は、レーザー光のビーム径によって制約されるものと
されていた。しかし、最近、このビーム径以下の情報を
再生することを可能とし、書き込み密度を向上させる方
法が提案された（特開平3-88156 号公報）。

【０００９】これは、少なくとも書き込み層と読み出し
層からなる光磁気記録媒体において、再生のためのレー
ザー光スポットの中心付近の温度が上昇した部分での
み、書き込み層の情報が読み出し層に転写されることを
利用したものである。これにより、レーザー光のビーム
径よりも小さな書き込みビットを再生することができ
る。なおこの方式を、以下においてはＭＳＲ方式と便宜
上呼ぶことにする。

【００１０】このＭＳＲ方式においては、まずはレンズ
で集光されたレーザー光を透明基板側から読み出し層に
照射する。そして光スポットの中心付近の温度が上昇し
た部分でのみ、書き込み層と読み出し層の間に交換結合
力が働き、書き込み層の情報が読み出し層に転写され
る。

【００１１】このとき、光スポット内の転写されない部
分の磁化の向きは、磁界の向きに揃える必要がある。そ
のためには、例えば、レーザー光が照射されると同時に
弱い補助磁界を印加することにより可能である。この時
の磁界の向きや大きさは、採用するＭＳＲ方式に依存す
る。装置構成が最も簡単になるようなＭＳＲ方式を採用
することが望ましいが、このことは採用するＭＳＲ方式
を制限するものではない。

【００１２】これをレーザー光で再生する際には、光ス
ポット内のうち転写されていない部分はマスクされ、転
写された部分のみの情報が読み出されることになり、レ
ーザー光のビーム径よりも小さな書き込みビットを再生
することができる。

【００１３】なお、書き込み層と読み出し層の間に中間
層を入れて、書き込み層と読み出し層の交換結合力をコ
ントロールすることもできる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、実際に
前述のＣＭＵ方式によるダイレクトオーバーライトの確
認試験を行った。その際に用いた媒体は、直径130 ｍ
ｍ、厚さ1.2 ｍｍで、1.6μｍピッチのスパイラル状の
グルーブを有するポリカーボネート樹脂（ＰＣ）基板上
に、前述の正味残留磁化を自己反転できる自己反転可能
な光磁気記録層として、（Gd₂₅Tb₇₅）₂₈（Fe₈₀Co₂₀）₇₂
（添数字はatom％による組成を示す）の希土類遷移金属
非晶質合金磁性薄膜（膜厚150 ｎｍ）を、透明誘電体で
あるAlSiＮ膜（膜厚80ｎｍ）で挟んだ構成のものであ
る。

【００１５】続いて、上述の媒体のダイレクトオーバー
ライト動作の試験を行った。評価用ドライブに設置した
媒体の回転数は、半径30ｍｍの位置にて線速度11.3ｍ／
secとなるように設定した。書き込みと消去は、ビット
の書き込み方向に350Oe の大きさの外部バイアス磁界を
印加した状態で、図２に示す4 ＭHzのパルス信号によっ
て行った。その際、波長830 ｎｍのレーザーを用いての
レーザーパワーは、書き込みには15.0ｍＷ、消去には9.
0 ｍＷとした。その後1.0 ｍＷのＤＣ光すなわち連続光
を照射して、再生信号の測定を行った。このとき再生信
号のＣ／Ｎは約37dBであった。

【００１６】続いてこの測定を行った同じトラック上に
て、ビットの書き込み方向に350Oeの大きさの外部バイ
アス磁界を印加した状態で図３に示す3 ＭHzの信号によ
り書き込みと消去を行った。すなわち、図２による元の
信号を、図３の信号にてダイレクトオーバーライトし
た。その後、1.0 ｍＷのＤＣ光すなわち連続光を照射し
て、再生信号の測定を行った。すると初めに書き込みさ
れていた4 ＭHzの信号は完全に消去され、3 ＭHzの信号
のみが書き込みされていた。この時の再生信号Ｃ／Ｎは
約37dBであった。

【００１７】このＣ／Ｎが低い原因を明らかにするため
に、本発明者らは、ダイレクトオーバーライト後のドメ
イン形状を偏光顕微鏡で観察した。その結果を図４に示
す。本来は図２と図３に示すレーザーパワーのうち、書
き込みレベルであるPHのみにより分離されたドメインが
書き込みされるはずである。しかしここでは図４の上段
に示したように、消去レベルであるPLによっても記録ピ
ット７間に部分的に書き込み８が起こっていることが確
認された。このために書き込みドメインの磁気光学的な
コントラストが低下してキャリアレベルが低下し、かつ
図４の下段に示したように、消し残り９によってノイズ
レベルが上昇し、Ｃ／Ｎが低下してしまうと考えられ
る。

【００１８】以上の通り、前述のＣＭＵ方式を用いるこ
とによる基本的なダイレクトオーバーライト動作の確認
はできた。しかし、再生特性に関しては、Ｃ／Ｎ〜37dB
と低く、また高密度で実用化レベルに到達させるために
は、大幅なＣ／Ｎの改善が必要であることがわかった。
本発明の目的は、ＣＭＵ方式によるオーバーライトを
行い、かつＭＳＲ方式による再生により、再生信号のＣ
／Ｎと書き込み密度の高い書き込み再生の行える光磁気
記録媒体を提供することである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、消去レベルのレーザー光照射により昇温された磁壁
境界領域の一部において、磁壁の移動により正味残留磁
化の方向を自己反転できる自己反転可能な書き込み層を
有し、かつ、再生レベルのレーザー光による高温領域で
のみ前記書き込み層の情報を転写することが可能な読み
出し層を有し、さらに書き込み層と読み出し層とは隣接
して設けられた構成を有することを特徴とする。

【００２０】かつ本発明の光磁気記録媒体は、読み出し
層の飽和磁化Ｍs2（emu ／ｃｍ³）と保磁力Ｈc2（Oe）
と膜厚ｈ2 （ｃｍ）と、書き込み層と読み出し層との間
に作用する磁壁エネルギーσw （erg ／ｃｍ²）との間
で、「 2 ×Ｍs2×Ｈc2×ｈ2 ＝σw 」の関係を満た
す最小温度をＴ1 とするとき、書き込み層の補償温度Ｔ
compとキュリー温度Ｔc との間に、「（Ｔc ＋Ｔcom
p）／2 ＞Ｔ1 」の関係が成り立つ構成からなること
を特徴とする。

【００２１】ここで読み出し層としては、再生レーザー
光の照射による昇温状態において、書き込み層からの情
報が転写されるようなものであれば、材料、構成におい
て特に制限はない。例えば希土類遷移金属合金系のGdC
o、GdFe、GdFeCo、GdTbFe、GdTbCo、GdTbFeCo、NdFeC
o、GdNdFeCo、DyFeCo等の希土類と遷移金属との非晶質
合金、あるいはガーネット膜、Co/Pt 、Co/Pd 等の多層
膜、CoPt合金膜、CoPd合金膜等があげられる。磁壁の移
動動作の良好さより希土類リッチのGdTbFeCoが特に好ま
しい。

【００２２】書き込み層としては、レーザー照射により
加熱された磁壁境界領域の少なくとも一部において、バ
イアス磁界の方向および大きさを変えることなく、磁壁
の移動を伴い正味残留磁化の方向を自己反転することが
できるような材料であれば特に制限はない。例えば希土
類遷移金属合金系のTbFeCo、GdFeCo、GdTbFe、GdTbFeC
o、GdDyFeCo、NdDyFeCo、NdDyTbFeCo等の希土類と遷移
金属との非晶質合金等があげられる。

【００２３】読み出し層と書き込み層の間に中間層を設
けてもよい。中間層は単層であっても複数の層であって
もよく、読み出し層と書き込み層の間の交換結合力をコ
ントロールできるものであれば特に制限はない。例えば
希土類遷移金属合金系のGdCo、GdFe、TbFe、GdFeCo、Gd
TbFe、GdTbCo、GdTbFeCo、GdFeCoAl等の希土類と遷移金
属との非晶質合金、あるいはガーネット膜、Co／Pt、Co
／Pd等の多層膜、CoPt合金膜、CoPd合金膜等があげられ
る。

【００２４】また本発明の光磁気記録媒体においては、
読み出し時に書き込み層の磁化の自己反転による書き込
みの消えが起こることを防ぐため、書き込み層の補償温
度Ｔcomp及びキュリー温度Ｔc と、前述のＴ1 との間に
は、「 ( Ｔc ＋Ｔcomp) ／2 ＞Ｔ1 」次の関係が成
り立つことが必要である。なおここで、前述の磁壁移動
エネルギーσw は、中間層を介する場合には書き込み層
と読み出し層の間の等価的な値で表される。

【００２５】さらに本発明の光磁気記録再生方法は、本
発明の光磁気記録媒体を用いて、光パルスのパワーレベ
ルおよびまたはパルス幅の変調のみによるダイレクトオ
ーバーライトを行う光磁気記録再生方式において、消去
のためのレーザー光照射により昇温された磁壁境界領域
の一部において、磁壁の移動により正味残留磁化の方向
を自己反転させる一方、再生のためのレーザー光による
高温領域でのみ書き込み層の情報を読み出し層に転写し
て情報の読み出しを行ない、さらに情報の読み出し時に
は読み出し層の最高到達温度Ｔ2 を、「（Ｔc ＋Ｔco
mp）／2 ＞Ｔ2≧Ｔ1 」にすることを特徴とする。

【００２６】すなわち光磁気記録媒体の書き込み層に書
き込みされた情報を、再生レーザー光スポットの中心付
近の温度が上昇した部分でのみ、書き込み層の情報が読
み出し層に転写されることにより、レーザー光のビーム
径よりも小さな書き込みビットを再生することができ
る。

【００２７】この時読み出し層の読み出し時の最高到達
温度Ｔ2 は、転写が起こるためにＴ1 以上であることが
必要である。Ｔ1 は前記した関係を満たす温度である。
また、読み出し光の照射により書き込み層の自己反転で
書き込みの消えが起こることを抑えるため、上述の温度
関係を満たすことが必要になる。さらに、この効果を増
すためにＴ2 は、「Ｔcomp＞Ｔ2 ≧Ｔ1 」の関係を
満たすことがより好ましい。

【００２８】本発明で用いる基板の材料としては、ポリ
カーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、２−
メチルペンテン樹脂など、またそれらの共重合体等の高
分子樹脂、もしくはガラスなどが適用できる。中でも機
械強度、耐候性、耐熱性、透湿性の点でポリカーボネー
ト樹脂が好ましい。

【００２９】本発明では、カー効果エンハンスメントを
高め、再生信号品質を向上させるために、読み出し層と
書き込み層とからなる記録層と基板との間に、透明誘電
体層を設ける構成も使用可能である。そのためには、屈
折率の高い材料、すなわち1.8 以上の屈折率を有する材
料、さらに好ましくは2.0 以上である材料を用いること
が望ましい。このような材料としては、AlＮ、MgＦ₂、
ZnＳ、CeＦ₃、Si₃Ｎ ₄、AlSiＮ、SiＯ、Zr₂Ｏ₃、In
₂Ｏ₃、SnＯ₂、Ta₂Ｏ₅、AlＯＮ、SiＯＮ、ZrＯＮ、
InＯＮ、SnＯＮ、TaＯＮまたこれらの混合体などが適用
できる。特に屈折率が2.0 以上という点ではAlSiＮ、Zn
Ｓ、Zr₂Ｏ₃、Ta₂Ｏ₅、ZrＯＮ、TaＯＮが好ましい。

【００３０】あるいは、読み出し層と書き込み層とから
なる記録層の基板とは反対の側に透明誘電体層を設け、
さらにその透明誘電体層の外側に金属層を形成してもよ
い。金属層としては、例えば、Al、AlTi、AlAu、AlAuTi
を用いる。

【００３１】本発明の光磁気記録媒体を用いれば、オー
バーライトにより情報の書き換えが行えるため書き込み
時間を大幅に短縮できる。しかも、このオーバーライト
にＣＭＵ方式をとるために、印加磁界の方向および大き
さを変える必要がなく、また、光変調方式であるために
両面貼り合わせ媒体に関しても使用可能である。また、
本発明の光磁気記録媒体においては、読み出し層の存在
がオーバーライト時の磁壁移動を助け、オーバーライト
が正確かつ確実に行えるようになる。

【００３２】再生においては、再生レーザー光のスポッ
トの中心付近の温度が上昇した部分でのみ、書き込み層
の情報が読み出し層に転写され、その部分を再生レーザ
ー光で読み出す。このとき、ＣＭＵ方式における雑音の
原因であった部分的な書き込みや消し残りは読み出し層
には転写されず、書き込みパルスによって書き込みされ
た部分のみが転写される作用がある。

【００３３】この原因としては、部分的な書き込みや消
し残り部分は、書き込みドメインに比べて磁化の状態が
不安定で、配向が不十分であるために、読み出し層への
転写が十分に行なわれなくなるためと考えられる。した
がって、再生時には読み出したい情報だけを得ることが
でき、ＣＭＵ方式における問題を改善し、高いＣ／Ｎ比
を実現することが可能となる。

【００３４】さらには、書き込み層に書き込みされた情
報を読み出し層に転写するＭＳＲ方式をとるため、高密
度の書き込み再生が実現できる。

【００３５】

【実施例】以下のようにして基板上に図１に示す構成の
光磁気記録媒体を作成した。図において１は基板、２は
第１透明誘電体層、３は読み出し層、４は書き込み層、
５は第２透明誘電体層、６は有機保護層である。

【００３６】基板１としては、ポリカーボネート樹脂
（ＰＣ）よりなる、直径130 ｍｍ、厚さ1.2 ｍｍの円盤
で、1.6 μｍピッチのグルーブを有する物を用いた。こ
の基板１を、3 ターゲットの高周波マグネトロンスパッ
タ装置（アネルバ製SPC-350UHV）の真空槽内に固定し、
13μPa（＝1 ×10^-7Torr）になるまで排気する。なお、
以下の膜形成において基板１は15rpm で回転させた。

【００３７】まず、第１透明誘電体層２としてAlSiＮ膜
を形成した。すなわち、ターゲットとしては直径100 ｍ
ｍ、厚さ5 ｍｍの円盤状のAlSi（50：50）の焼結体を用
い、真空槽内にAr／Ｎ２混合ガス（Ｎ₂ 30vol％）を導
入し、圧力0.4Pa （＝3 ｍTorr）になるようにガス流量
を調整した。放電電力400 Ｗ、放電周波数13.56 ＭHzで
高周波スパッタリングを行い、第1 透明誘電体層として
AlSiN 膜を80ｎｍ堆積した。

【００３８】次に読み出し層３として、ターゲットをGd
FeCo合金の円盤を用い、スパッタリングガスを純Ar（濃
度99.999％）とし、圧力0.67Pa（＝5 ｍTorr）、放電電
力100 ＷでGd₂₂Fe₆₆Co₁₂膜（キュリー温度Ｔc ＝250
℃、保磁力Ｈｃ＝0.8 ｋOe、遷移金属rich）を30ｎｍ堆
積した。

【００３９】続いて、書き込み層４としてターゲットを
GdTbFeCo合金の円盤を用い、スパッタリングガスを純Ar
（濃度99.999％）とし、圧力0.67Pa、放電電力100 Ｗで
Gd₆Tb₂₀Fe₅₉Co₁₅膜（Ｔc ＝320 ℃、Ｔcomp＝120 ℃、
保磁力Ｈｃ＝12ｋOe）を60ｎｍ堆積した。

【００４０】さらに、第２透明誘電体層５としてターゲ
ットを前記のAlSiの焼結体ターゲットに戻し、スパッタ
リングガスもAr／Ｎ₂混合ガス（Ｎ₂ 30vol％）に戻
し、第１透明誘電体層と同様の放電条件で、AlSiＮ膜を
60ｎｍ堆積した。

【００４１】これらのサンプルをスパッタリング装置か
ら取り出し、スピンコーターに取り付けた。ディスクを
回転させながら、紫外線硬化性のフェノールノボラック
エポキシアクリレート樹脂を塗布した後、紫外線照射装
置を通過させて樹脂を硬化させ、約20μｍの有機保護層
６を設けた。

【００４２】以上のようにして作成した媒体の性能評価
を行った。測定には光磁気記録再生装置（パルステック
工業製DDU-1000型）を用い、半径30ｍｍ位置のトラック
において、ディスク回転数3600rpm 、線速度11.3ｍ／se
c で、ビットの書き込み方向にバイアス磁界を印加し、
図２と３に示すような変調をかけた光パルスを順に照射
することによりダイレクトオーバーライトを行い、その
ときのＣ／Ｎを求めた。すなわち、図２に示す4 ＭHzの
信号によって書き込みした書き込みビットを、図３に示
す3 ＭHzの信号によってダイレクトオーバーライトし
た。なおこのために用いたレーザーの波長は830 ｎｍ、
対物レンズのN.A.は0.55である。

【００４３】そして、PH＝15ｍＷ、PL＝5 ｍＷ、外部印
加磁界強度Hext＝300 （Oe）とし、再生レーザーパワー
PR＝2.0 ｍＷとした。その結果、得られたＣ／Ｎは49d
B、また消し残り信号は0dB であった。次に最大のＣ／
Ｎが得られる条件を求めたところ、Ｃ／Ｎ＝49dB、PH＝
15ｍＷ、PL＝5 ｍＷ、Hext＝300 （Oe）であった。

【００４４】さらに以下のような測定を行った。半径30
ｍｍ位置のトラックにおいて、ディスク回転数3600rpm
、線速度11.3ｍ／sec で、ビットの書き込み方向にバ
イアス磁界を印加し、図６と７に示すような変調をかけ
た光パルスを順に照射することによりダイレクトオーバ
ーライトを行い、そのときのＣ／Ｎを求めた。すなわ
ち、図６に示す19.8ＭHzの信号によって書き込みした書
き込みビットを、図７に示す14.9ＭHzの信号によってダ
イレクトオーバーライトした。

【００４５】そして、PH＝15ｍＷ、PL＝5 ｍＷ、外部印
加磁界強度Hext＝300 （Oe）とし、再生レーザーパワー
PR＝2.0 ｍＷとした。このときの理論ビット長は0.4 μ
ｍである。その結果、得られたＣ／Ｎは45dB、また消し
残り信号は0dB であった。

【００４６】

【比較例】読み出し層３を設けない以外は実施例と同様
の手順で、図５に示す構成からなる光磁気記録媒体を作
製した。そして得られた媒体を、実施例と同じ条件で評
価した。

【００４７】その結果、まず図２に示す4 ＭHzの信号に
よって書き込みした書き込みビットを、図３に示す3 Ｍ
Hzの信号によってダイレクトオーバーライトした場合
に、得られたＣ／Ｎは35dB、また消し残り信号は20dBで
あった。

【００４８】次に最大のＣ／Ｎが得られる条件を求めた
ところ、Ｃ／Ｎ＝37dB、PH＝15ｍＷ、PL＝7 ｍＷ、Hext
＝300Oe であった。すなわち比較例のほうが高い消去レ
ベルパワーが必要であることがわかった。これは、読み
出し層を設けたことによりオーバーライト時の磁壁移動
動作が改善され、消去動作が良好になったためと考えら
れる。

【００４９】さらに図６に示す19.8ＭHzの信号によって
書き込みした書き込みビットを、図７に示す14.9ＭHzの
信号によってダイレクトオーバーライトした場合に、得
られたＣ／Ｎは20dB、また消し残り信号は17dBであっ
た。

【００５０】また、PR＝5 ｍＷとして媒体1 の読み出し
を行ったところ、書き込み信号の部分的な消えが観測さ
れた。この時読み出し部の最高温度は局所的に120 ℃を
超えた。

【００５１】

【発明の効果】以上のように、本発明の光磁気記録媒体
に対して、ＣＭＵ方式でオーバーライトが可能で、ま
た、レーザー光のビーム径以下のビットを読み出すＭＳ
Ｒ方式による書き込み再生を行った。これにより、書き
込み時間が短縮され、書き込み密度が向上した。さらに
ＭＳＲ方式とＣＭＵ方式の組み合わせにより、従来のＣ
ＭＵ方式における問題点を克服し、Ｃ／Ｎが飛躍的に向
上した。また、媒体構成、装置構成が簡単で生産性が大
幅に向上した。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の光磁気記録媒体の構成

【図２】光ビームの変調波形

【図３】光ビームの変調波形

【図４】オーバーライトによる部分的な書き込みや消し
残り

【図５】比較例の光磁気記録媒体の構成

【図６】光ビームの変調波形

【図７】光ビームの変調波形

【符号の説明】

１透明基板２第１透明誘電体層３読み出し層４書き込み層５第２透明誘電体層６有機保護層７記録ピット８部分的書き込み９消し残り

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光パルスのパワーレベルおよび／または
パルス幅の変調のみによるダイレクトオーバーライトが
可能な光磁気記録媒体において、レーザー光照射により
昇温された磁壁境界領域において、磁壁の移動により正
味残留磁化の方向を自己反転できる自己反転可能な書き
込み層を有し、かつ再生のためのレーザー光による高温
領域でのみ書き込み層の情報を転写することが可能な読
み出し層を有し、さらに書き込み層と読み出し層とは隣
接して設けられた構成であって、読み出し層の飽和磁化
Ｍs2（emu ／ｃｍ³）と保磁力Ｈc2（Oe）と膜厚ｈ2
（ｃｍ）と、書き込み層と読み出し層との間に作用する
磁壁エネルギーσw （erg ／ｃｍ²）との間で、「 2
×Ｍs2×Ｈc2×ｈ2 ＝σw 」の関係を満たす最小温度
をＴ1 とするとき、書き込み層の補償温度Ｔcompとキュ
リー温度Ｔc との間に、「（Ｔc ＋Ｔcomp）／2 ＞Ｔ
1 」の関係が成り立つ構成からなることを特徴とする
光磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１記載の光磁気記録媒体を用い
て、光パルスのパワーレベルおよびまたはパルス幅の変
調のみによるダイレクトオーバーライトを行う光磁気記
録再生方式において、消去のためのレーザー光照射によ
り昇温された磁壁境界領域の一部において、磁壁の移動
により正味残留磁化の方向を自己反転させる一方、再生
のためのレーザー光による高温領域でのみ書き込み層の
情報を読み出し層に転写して情報の読み出しを行ない、
さらに情報の読み出し時には読み出し層の最高到達温度
Ｔ2 を、「（Ｔc ＋Ｔcomp）／2 ＞Ｔ2 ≧Ｔ1 」に
することを特徴とする光磁気記録再生方式。