JP2782957B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁性多層膜と初期補助
磁界を用いるオ−バライト可能な光磁気記録媒体に関す
る。
磁界を用いるオ−バライト可能な光磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、初期補助磁界と磁性多層膜を用い
ることにより、情報の重ね書きを可能にする光磁気記録
方式が注目されている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、 （ｂ）前記記録媒体を移動させること、 （ｃ）初期補助磁界を印加することによって、記録前に
前記記録補助層の磁化のみを上向きまたは下向きのいず
れか一方に揃えておくこと、 （ｄ）レ−ザビ−ムを前記記録媒体に照射すること、 （ｅ）前記レ−ザビ−ムの強度を記録すべき２値化情報
に従って、パルス状に変調すること、 （ｆ）前記レ−ザビ−ムを照射した前記記録媒体部分に
記録磁界を印加すること 、（ｇ）前記パルス状に変調したレ−ザビ−ムの強度が
高レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化
を有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レ
−ザビ−ムの強度が低レベルの時に他方のビットを形成
させること、からなることを特徴とする重ね書き（オ−
バライト）可能な記録方法である（例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報参照）。 以上は２層膜を用いる方法の説明であるが、記録層と記
録補助層の間にＧｄＦｅＣｏ層を交換結合制御層（中間
層，制御層）として挿入し、磁性３層膜を用いる方法も
知られている（ K. Aratani et. al.,SPIE Vol.1078,
p.258， OpticalData Storage Meeting, 1989 ）。
ることにより、情報の重ね書きを可能にする光磁気記録
方式が注目されている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、 （ｂ）前記記録媒体を移動させること、 （ｃ）初期補助磁界を印加することによって、記録前に
前記記録補助層の磁化のみを上向きまたは下向きのいず
れか一方に揃えておくこと、 （ｄ）レ−ザビ−ムを前記記録媒体に照射すること、 （ｅ）前記レ−ザビ−ムの強度を記録すべき２値化情報
に従って、パルス状に変調すること、 （ｆ）前記レ−ザビ−ムを照射した前記記録媒体部分に
記録磁界を印加すること 、（ｇ）前記パルス状に変調したレ−ザビ−ムの強度が
高レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化
を有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レ
−ザビ−ムの強度が低レベルの時に他方のビットを形成
させること、からなることを特徴とする重ね書き（オ−
バライト）可能な記録方法である（例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報参照）。 以上は２層膜を用いる方法の説明であるが、記録層と記
録補助層の間にＧｄＦｅＣｏ層を交換結合制御層（中間
層，制御層）として挿入し、磁性３層膜を用いる方法も
知られている（ K. Aratani et. al.,SPIE Vol.1078,
p.258， OpticalData Storage Meeting, 1989 ）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
媒体は作製されたままの状態でオ−バライトをした場
合、消去率があまり良くなく、そのためビットエラ−レ
−トが高くなってしまうという問題があった。本発明の
目的は、オ−バライト時の消去率が十分確保され、その
ために十分にビットエラ−レ−トの低い光磁気記録媒体
を提供することにある。
媒体は作製されたままの状態でオ−バライトをした場
合、消去率があまり良くなく、そのためビットエラ−レ
−トが高くなってしまうという問題があった。本発明の
目的は、オ−バライト時の消去率が十分確保され、その
ために十分にビットエラ−レ−トの低い光磁気記録媒体
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にスペ
ーサ層が形成され、該スペーサ層上に、記録層、制御層
および記録補助層の３層よりなる磁性多層膜が形成さ
れ、該磁性多層膜上に保護層が形成されてなるオーバラ
イト可能な光磁気記録媒体において、記録層の磁化の向
きを予め初期状態として一方向に揃えておくことを特徴
とする光磁気記録媒体である。
ーサ層が形成され、該スペーサ層上に、記録層、制御層
および記録補助層の３層よりなる磁性多層膜が形成さ
れ、該磁性多層膜上に保護層が形成されてなるオーバラ
イト可能な光磁気記録媒体において、記録層の磁化の向
きを予め初期状態として一方向に揃えておくことを特徴
とする光磁気記録媒体である。
【０００５】
【作用】作製されたままの媒体では、その記録層は磁区
構造を持つ。各磁区からの反磁界の影響で記録ビットが
横に広がるため、オ−バライトした時に前情報の消し残
りが生じる。それに対し、記録層の磁化の向きを一方向
に予め揃えておくと、作製されたままの状態で存在して
いた磁区構造が消滅するため記録ビットがあまり横に広
がらない。そのため消去率が良くなり、ビットエラ−レ
−トが改善される。この上にさらにオ−バライトした場
合も、作製されたままの媒体にあった磁区構造は消えて
いるので安定した消去動作が実現し、低ビットエラ−レ
−トが実現する。
構造を持つ。各磁区からの反磁界の影響で記録ビットが
横に広がるため、オ−バライトした時に前情報の消し残
りが生じる。それに対し、記録層の磁化の向きを一方向
に予め揃えておくと、作製されたままの状態で存在して
いた磁区構造が消滅するため記録ビットがあまり横に広
がらない。そのため消去率が良くなり、ビットエラ−レ
−トが改善される。この上にさらにオ−バライトした場
合も、作製されたままの媒体にあった磁区構造は消えて
いるので安定した消去動作が実現し、低ビットエラ−レ
−トが実現する。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。 実施例１（ＴｂＦｅ／ＮｄＦｅＣｏ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ
３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト（ＰＣ）基板上に、
ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）／ＴｂＦｅ（記録
層，２５５オングストロ―ム）／ＮｄＦｅＣｏ（制御
層，３５オングストロ―ム）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録
補助層，６００オングストロ―ム）／ＳｉＮ（８００オ
ングストロ―ム）の順に成膜した。各磁性層の単層での
特性を表１に示す。
３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト（ＰＣ）基板上に、
ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）／ＴｂＦｅ（記録
層，２５５オングストロ―ム）／ＮｄＦｅＣｏ（制御
層，３５オングストロ―ム）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録
補助層，６００オングストロ―ム）／ＳｉＮ（８００オ
ングストロ―ム）の順に成膜した。各磁性層の単層での
特性を表１に示す。
【０００７】
【表１】 ──────────────────────────── 記録層 制御層 記録補助層 ──────────────────────────── 合金系 TbFe NdFeCo GdTbFeCo 膜厚（オンク゛ストロ-ム） 255 35 600 キュリ−温度（℃） 150 200 300 補償温度（℃） なし なし 180 保磁力（kOe ） 20 0.05 1.6 飽和磁化(emu/cc) 70 850 70 ────────────────────────────
【０００８】まず比較例として、作製したままの媒体に
対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同
じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢ
が得られた。この場合の消去率は３０ｄＢであった。ビ
ットエラ−レ−トを測定したところ、６×１０-5であっ
た。次に実施例の１つとして、記録磁界を印加しないで
フォ−カスサ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１
ｍＷのＤＣ光をディスク全面に照射した。先行補助磁界
は印加している。これにより記録層の磁化は一方向に揃
えられた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ
／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次
に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたと
ころ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得られた。この場合の消去率は
４７ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定したとこ
ろ、３×１０-6であった。次に他の実施例として、作製
したままの媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界
を印加した。これにより記録層の磁化は一方向に揃えら
れた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓ
で記録したところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に３．
７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ
／Ｎ５３ｄＢが得られた。この場合の消去率は４７ｄＢ
であった。ビットエラ−レ−トを測定したところ、３×
１０-6であった。
対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同
じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢ
が得られた。この場合の消去率は３０ｄＢであった。ビ
ットエラ−レ−トを測定したところ、６×１０-5であっ
た。次に実施例の１つとして、記録磁界を印加しないで
フォ−カスサ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１
ｍＷのＤＣ光をディスク全面に照射した。先行補助磁界
は印加している。これにより記録層の磁化は一方向に揃
えられた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ
／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次
に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたと
ころ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得られた。この場合の消去率は
４７ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定したとこ
ろ、３×１０-6であった。次に他の実施例として、作製
したままの媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界
を印加した。これにより記録層の磁化は一方向に揃えら
れた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓ
で記録したところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に３．
７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ
／Ｎ５３ｄＢが得られた。この場合の消去率は４７ｄＢ
であった。ビットエラ−レ−トを測定したところ、３×
１０-6であった。
【０００９】実施例２（ＴｂＦｅＣｏ／ＧｄＮｄＦｅＣ
ｏ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−
ト（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―
ム）／ＴｂＦｅＣｏ（記録層，３００オングストロ―
ム）／ＧｄＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―
ム）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録補助層，８００オングス
トロ―ム）／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に
成膜した。各磁性層の単層での特性を表２に示す。
ｏ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−
ト（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―
ム）／ＴｂＦｅＣｏ（記録層，３００オングストロ―
ム）／ＧｄＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―
ム）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録補助層，８００オングス
トロ―ム）／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に
成膜した。各磁性層の単層での特性を表２に示す。
【００１０】
【表２】 ───────────────────────────── 記録層 制御層 記録補助層 ───────────────────────────── 合金系 TbFeCo GdNdFeCo GdTbFeCo 膜厚（オンク゛ストロ-ム） 300 35 800 キュリ−温度（℃） 160 180 300 補償温度（℃） なし なし 180 保磁力(kOe) 15 0.10 1.6 飽和磁化(emu/cc) 80 500 70 ─────────────────────────────
【００１１】まず比較例として、作製したままの媒体に
対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ４８ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同
じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５５ｄＢ
が得られた。この場合の消去率は２８ｄＢであった。ビ
ットエラ−レ−トを測定したところ、５×１０-5であっ
た。次に実施例の１つとして、記録磁界を印加しないで
フォ−カスサ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１
ｍＷのＤＣ光をディスク全面に照射した。先行補助磁界
は印加している。これにより記録層の磁化は一方向に揃
えられた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ
／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４９ｄＢであった。次
に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたと
ころ、Ｃ／Ｎ５５ｄＢが得られた。この場合の消去率は
４９ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定したとこ
ろ、１×１０-6であった。次に他の実施例として、作製
したままの媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界
を印加した。これにより記録層の磁化は一方向に揃えら
れた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓ
で記録したところ、Ｃ／Ｎ４９ｄＢであった。次に３．
７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ
／Ｎ５５ｄＢが得られた。この場合の消去率は４９ｄＢ
であった。ビットエラ−レ−トを測定したところ、１×
１０-6であった。
対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ４８ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同
じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５５ｄＢ
が得られた。この場合の消去率は２８ｄＢであった。ビ
ットエラ−レ−トを測定したところ、５×１０-5であっ
た。次に実施例の１つとして、記録磁界を印加しないで
フォ−カスサ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１
ｍＷのＤＣ光をディスク全面に照射した。先行補助磁界
は印加している。これにより記録層の磁化は一方向に揃
えられた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ
／ｓで記録したところ、Ｃ／Ｎ４９ｄＢであった。次
に、３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたと
ころ、Ｃ／Ｎ５５ｄＢが得られた。この場合の消去率は
４９ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定したとこ
ろ、１×１０-6であった。次に他の実施例として、作製
したままの媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界
を印加した。これにより記録層の磁化は一方向に揃えら
れた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓ
で記録したところ、Ｃ／Ｎ４９ｄＢであった。次に３．
７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ
／Ｎ５５ｄＢが得られた。この場合の消去率は４９ｄＢ
であった。ビットエラ−レ−トを測定したところ、１×
１０-6であった。
【００１２】実施例３（ＤｙＦｅＣｏ／ＧｄＮｄＦｅＣ
ｏ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−
ト（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―
ム）／ＤｙＦｅＣｏ（記録層，４００オングストロ―
ム）／ＧｄＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―
ム）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録補助層，５００オングス
トロ―ム）／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に
成膜した。各磁性層の単層での特性を表３に示す。
ｏ／ＧｄＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−
ト（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―
ム）／ＤｙＦｅＣｏ（記録層，４００オングストロ―
ム）／ＧｄＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―
ム）／ＧｄＴｂＦｅＣｏ（記録補助層，５００オングス
トロ―ム）／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に
成膜した。各磁性層の単層での特性を表３に示す。
【００１３】
【表３】 ───────────────────────────── 記録層 制御層 記録補助層 ───────────────────────────── 合金系 DyFeCo GdNdFeCo GdTbFeCo 膜厚（オンク゛ストロ-ム） 400 35 500 キュリ−温度（℃） 130 180 320 補償温度（℃） なし なし 200 保磁力(kOe) 18 0.08 1.8 飽和磁化(emu/cc) 65 450 90 ─────────────────────────────
【００１４】まず比較例として、作製したままの媒体に
対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同
じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢ
が得られた。この場合の消去率は３５ｄＢであった。ビ
ットエラ−レ−トを測定したところ、８×１０-5であっ
た。次に実施例の１つとして、記録磁界を印加しないで
フォ−カスサ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１
ｍＷのＤＣ光をディスク全面に照射した。先行補助磁界
は印加している。これにより記録層の磁化は一方向に揃
えられた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ
／ｓで記録したところ，Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に
３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたとこ
ろ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得られた。この場合の消去率は４
６ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定したとこ
ろ、７×１０-6であった。次に他の実施例として、作製
したままの媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界
を印加した。これにより記録層の磁化は一方向に揃えら
れた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓ
で記録したところ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に３．
７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ
／Ｎ５２ｄＢが得られた。この場合の消去率は４６ｄＢ
であった。ビットエラ−レ−トを測定したところ、７×
１０-6であった。
対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同
じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢ
が得られた。この場合の消去率は３５ｄＢであった。ビ
ットエラ−レ−トを測定したところ、８×１０-5であっ
た。次に実施例の１つとして、記録磁界を印加しないで
フォ−カスサ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１
ｍＷのＤＣ光をディスク全面に照射した。先行補助磁界
は印加している。これにより記録層の磁化は一方向に揃
えられた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ
／ｓで記録したところ，Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に
３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたとこ
ろ、Ｃ／Ｎ５２ｄＢが得られた。この場合の消去率は４
６ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定したとこ
ろ、７×１０-6であった。次に他の実施例として、作製
したままの媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界
を印加した。これにより記録層の磁化は一方向に揃えら
れた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓ
で記録したところ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に３．
７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ
／Ｎ５２ｄＢが得られた。この場合の消去率は４６ｄＢ
であった。ビットエラ−レ−トを測定したところ、７×
１０-6であった。
【００１５】実施例４（ＴｂＦｅ／ＧｄＦｅＣｏ／Ｇｄ
ＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト（Ｐ
Ｃ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）／Ｔ
ｂＦｅ（記録層，２５５オングストロ―ム）／ＧｄＦｅ
Ｃｏ（制御層，５０オングストロ―ム）／ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ（記録補助層，６００オングストロ―ム）／ＳｉＮ
（８００オングストロ―ム）の順に成膜した。各磁性層
の単層での特性を表４に示す。
ＴｂＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト（Ｐ
Ｃ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）／Ｔ
ｂＦｅ（記録層，２５５オングストロ―ム）／ＧｄＦｅ
Ｃｏ（制御層，５０オングストロ―ム）／ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ（記録補助層，６００オングストロ―ム）／ＳｉＮ
（８００オングストロ―ム）の順に成膜した。各磁性層
の単層での特性を表４に示す。
【００１６】
【表４】 ───────────────────────────── 記録層 制御層 記録補助層 ───────────────────────────── 合金系 TbFe GdFeCo GdTbFeCo 膜厚（オンク゛ストロ-ム） 180 50 600 キュリ−温度（℃） 150 200 300 補償温度（℃） なし なし 180 保磁力(kOe) 20 0.03 1.6 飽和磁化(emu/cc) 70 400 70 ─────────────────────────────
【００１７】まず比較例として、作製したままの媒体に
対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同
じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢ
が得られた。この場合の消去率は３０ｄＢであった。ビ
ットエラ−レ−トを測定したところ、７×１０-5であっ
た。次に実施例の１つとして、記録磁界を印加しないで
フォ−カスサ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１
ｍＷのＤＣ光をディスク全面に照射した。先行補助磁界
は印加している。これにより記録層の磁化は一方向に揃
えられた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ
／ｓで記録したところ，Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に
３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたとこ
ろ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得られた。この場合の消去率は４
７ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定したとこ
ろ、４×１０-6であった。次に他の実施例として、作製
したままの媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界
を印加した。これにより記録層の磁化は一方向に揃えら
れた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓ
で記録したところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に３．
７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ
／Ｎ５３ｄＢが得られた。この場合の消去率は４７ｄＢ
であった。ビットエラ−レ−トを測定したところ、４×
１０-6であった。
対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同
じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢ
が得られた。この場合の消去率は３０ｄＢであった。ビ
ットエラ−レ−トを測定したところ、７×１０-5であっ
た。次に実施例の１つとして、記録磁界を印加しないで
フォ−カスサ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１
ｍＷのＤＣ光をディスク全面に照射した。先行補助磁界
は印加している。これにより記録層の磁化は一方向に揃
えられた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ
／ｓで記録したところ，Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に
３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたとこ
ろ、Ｃ／Ｎ５３ｄＢが得られた。この場合の消去率は４
７ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定したとこ
ろ、４×１０-6であった。次に他の実施例として、作製
したままの媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界
を印加した。これにより記録層の磁化は一方向に揃えら
れた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓ
で記録したところ、Ｃ／Ｎ４７ｄＢであった。次に３．
７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ
／Ｎ５３ｄＢが得られた。この場合の消去率は４７ｄＢ
であった。ビットエラ−レ−トを測定したところ、４×
１０-6であった。
【００１８】実施例５（ＴｂＦｅ／ＧｄＮｄＦｅＣｏ／
ＧｄＤｙＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト
（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）
／ＴｂＦｅ（記録層，２２０オングストロ―ム）／Ｇｄ
ＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―ム）／Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ（記録補助層，８００オングストロ―ム）
／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に成膜した。
各磁性層の単層での特性を表５に示す。
ＧｄＤｙＦｅＣｏ ３層膜）初めにポリカ−ボネ−ト
（ＰＣ）基板上に、ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）
／ＴｂＦｅ（記録層，２２０オングストロ―ム）／Ｇｄ
ＮｄＦｅＣｏ（制御層，３５オングストロ―ム）／Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ（記録補助層，８００オングストロ―ム）
／ＳｉＮ（８００オングストロ―ム）の順に成膜した。
各磁性層の単層での特性を表５に示す。
【００１９】
【表５】 ───────────────────────────── 記録層 制御層 記録補助層 ───────────────────────────── 合金系 TbFe GdNdFeCo GdDyFeCo 膜厚（オンク゛ストロ-ム） 220 35 800 キュリ−温度（℃） 150 180 280 補償温度（℃） なし なし 190 保磁力(kOe) 20 0.10 1.3 飽和磁化(emu/cc) 70 550 60 ─────────────────────────────
【００２０】まず比較例として、作製したままの媒体に
対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同
じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢ
が得られた。この場合の消去率は４０ｄＢであった。ビ
ットエラ−レ−トを測定したところ、２×１０-5であっ
た。次に実施例の１つとして、記録磁界を印加しないで
フォ−カスサ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１
ｍＷのＤＣ光をディスク全面に照射した。先行補助磁界
は印加している。これにより記録層の磁化は一方向に揃
えられた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ
／ｓで記録したところ，Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に
３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたとこ
ろ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが得られた。この場合の消去率は４
６ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定したとこ
ろ、５×１０-6であった。次に他の実施例として、作製
したままの媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界
を印加した。これにより記録層の磁化は一方向に揃えら
れた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓ
で記録したところ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に３．
７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ
／Ｎ５１ｄＢが得られた。この場合の消去率は４６ｄＢ
であった。ビットエラ−レ−トを測定したところ、５×
１０-6であった。
対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ／ｓで記録したとこ
ろ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に、３．７ＭＨｚで同
じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢ
が得られた。この場合の消去率は４０ｄＢであった。ビ
ットエラ−レ−トを測定したところ、２×１０-5であっ
た。次に実施例の１つとして、記録磁界を印加しないで
フォ−カスサ−ボ，トラックサ−ボをかけた状態で１１
ｍＷのＤＣ光をディスク全面に照射した。先行補助磁界
は印加している。これにより記録層の磁化は一方向に揃
えられた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１．３ｍ
／ｓで記録したところ，Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に
３．７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたとこ
ろ、Ｃ／Ｎ５１ｄＢが得られた。この場合の消去率は４
６ｄＢであった。ビットエラ−レ−トを測定したとこ
ろ、５×１０-6であった。次に他の実施例として、作製
したままの媒体に強力な電磁石により３０ｋＯｅの磁界
を印加した。これにより記録層の磁化は一方向に揃えら
れた。この媒体に対し、７．４ＭＨｚ，１１，３ｍ／ｓ
で記録したところ、Ｃ／Ｎ４６ｄＢであった。次に３．
７ＭＨｚで同じトラックにオ−バライトしたところ、Ｃ
／Ｎ５１ｄＢが得られた。この場合の消去率は４６ｄＢ
であった。ビットエラ−レ−トを測定したところ、５×
１０-6であった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
オ−バライト時の消去率が良好で、ビットエラ−レ−ト
の改良された光磁気記録媒体が得られる。
オ−バライト時の消去率が良好で、ビットエラ−レ−ト
の改良された光磁気記録媒体が得られる。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にスペーサ層が形成され、該スペ
ーサ層上に、記録層、制御層および記録補助層の３層よ
りなる磁性多層膜が形成され、該磁性多層膜上に保護層
が形成されてなるオーバライト可能な光磁気記録媒体に
おいて、記録層の磁化の向きを予め初期状態として一方
向に揃えておくことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2412923A JP2782957B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2412923A JP2782957B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04222942A JPH04222942A (ja) | 1992-08-12 |
| JP2782957B2 true JP2782957B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=18521663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2412923A Expired - Lifetime JP2782957B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2782957B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63311645A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光磁気記録方式 |
| JPS6450257A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Nikon Corp | Multi-layered magneto-optical recording medium controlled in exchange bonding strength |
| JPH01273248A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Nikon Corp | 磁性層間の交換結合力が制御されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| JPH03194744A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Hitachi Ltd | オーバライト可能な光磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP2412923A patent/JP2782957B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04222942A (ja) | 1992-08-12 |
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