JP2770836B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気カー効果を利用し
てレーザー光により情報の記録・再生を行う光磁気記録
媒体の製造方法に関するものであり、とくに交換結合力
を利用した光磁気記録媒体の製造方法に関する。
てレーザー光により情報の記録・再生を行う光磁気記録
媒体の製造方法に関するものであり、とくに交換結合力
を利用した光磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気記録媒体の記録特性および
記録信号対雑音信号比特性の向上を目的として、光磁気
記録膜として交換結合力の働いた２層の光磁気膜を用い
たものが提案されている（特公平２−３５３７１号公
報）。この光磁気記録媒体は低いキュリー温度を有する
高保磁力の光磁気層に小さな記録パワーで書込むことが
でき、この書込まれた記録マークが高いキュリー温度と
大きな磁気カー効果を有する低保磁力の光磁気層に転写
されるので、この転写された記録マークを読出すことに
より、磁気カー効果の大きな読出を行うことができると
いうものである。
記録信号対雑音信号比特性の向上を目的として、光磁気
記録膜として交換結合力の働いた２層の光磁気膜を用い
たものが提案されている（特公平２−３５３７１号公
報）。この光磁気記録媒体は低いキュリー温度を有する
高保磁力の光磁気層に小さな記録パワーで書込むことが
でき、この書込まれた記録マークが高いキュリー温度と
大きな磁気カー効果を有する低保磁力の光磁気層に転写
されるので、この転写された記録マークを読出すことに
より、磁気カー効果の大きな読出を行うことができると
いうものである。
【０００３】一方、光磁気記録媒体への他の付加機能と
して書込済み情報の有無にかかわらず新たな情報をその
場で書込むことができるオーバーライト機能を付加した
いわゆるオーバーライト可能な光磁気記録媒体も提案さ
れている（例えば、特開平２−１５８９３９号公報）。
このオーバーライト可能な光磁気記録媒体は垂直磁化可
能な記録層と垂直磁化可能な補助層とを積層し、先行補
助磁界により記録層の磁化はそのままにして補助層の磁
化のみを書き込みの直前までに「Ａ向き」に揃えるもの
である（層平面に対して磁化の向きが「上向き」又は
「下向き」の何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆
Ａ向き」と定義する）。そして、情報に従い高レベルと
低レベルとの間でパルス変調されたレーザー光が記録層
に照射された場合に、（１）高レベルのレーザー光によ
って、室温に戻った状態でいうと、補助層が「逆Ａ向
き」の磁化であり、記録層がＰタイプの場合には「逆Ａ
向き」、Ａタイプの場合には「Ａ向き」の磁化を有する
記録マークが形成され、（２）低レベルのレーザー光に
よって、室温に戻った状態でいうと、補助層が「Ａ向
き」の磁化であり、記録層がＰタイプの場合には「Ａ向
き」、Ａタイプの場合には「逆Ａ向き」の磁化を有する
記録マークが形成される。ここでＰタイプとは、補助層
の鉄族遷移金属（ＴＭ）のスピンと希土類遷移金属（Ｒ
Ｅ）のスピンとが全体の磁化に対して優勢な方の金属と
記録層のそれとが同じである場合であり、Ａタイプとは
異なる場合である。
して書込済み情報の有無にかかわらず新たな情報をその
場で書込むことができるオーバーライト機能を付加した
いわゆるオーバーライト可能な光磁気記録媒体も提案さ
れている（例えば、特開平２−１５８９３９号公報）。
このオーバーライト可能な光磁気記録媒体は垂直磁化可
能な記録層と垂直磁化可能な補助層とを積層し、先行補
助磁界により記録層の磁化はそのままにして補助層の磁
化のみを書き込みの直前までに「Ａ向き」に揃えるもの
である（層平面に対して磁化の向きが「上向き」又は
「下向き」の何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆
Ａ向き」と定義する）。そして、情報に従い高レベルと
低レベルとの間でパルス変調されたレーザー光が記録層
に照射された場合に、（１）高レベルのレーザー光によ
って、室温に戻った状態でいうと、補助層が「逆Ａ向
き」の磁化であり、記録層がＰタイプの場合には「逆Ａ
向き」、Ａタイプの場合には「Ａ向き」の磁化を有する
記録マークが形成され、（２）低レベルのレーザー光に
よって、室温に戻った状態でいうと、補助層が「Ａ向
き」の磁化であり、記録層がＰタイプの場合には「Ａ向
き」、Ａタイプの場合には「逆Ａ向き」の磁化を有する
記録マークが形成される。ここでＰタイプとは、補助層
の鉄族遷移金属（ＴＭ）のスピンと希土類遷移金属（Ｒ
Ｅ）のスピンとが全体の磁化に対して優勢な方の金属と
記録層のそれとが同じである場合であり、Ａタイプとは
異なる場合である。
【０００４】又、先行補助磁界を必要としないオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体も提案されている（第１３
回日本応用磁気学会学術講演概要集 講演番号２３ａＣ
−４（１９８９））。このオーバーライト可能な光磁気
記録媒体は上記記録層・補助層の上にさらにスイッチ層
・初期化層と積層し、初期化層の磁化は高レベルのレー
ザー光の照射によっても反転しないようにし、低レベル
のレーザー光照射のときに補助層の磁化が初期化層の磁
化にそろうようにし、高レベルのレーザー光照射のとき
には初期化層の磁化が補助層に影響を与えないようにス
イッチ層がふるまうようにしたものである。
ライト可能な光磁気記録媒体も提案されている（第１３
回日本応用磁気学会学術講演概要集 講演番号２３ａＣ
−４（１９８９））。このオーバーライト可能な光磁気
記録媒体は上記記録層・補助層の上にさらにスイッチ層
・初期化層と積層し、初期化層の磁化は高レベルのレー
ザー光の照射によっても反転しないようにし、低レベル
のレーザー光照射のときに補助層の磁化が初期化層の磁
化にそろうようにし、高レベルのレーザー光照射のとき
には初期化層の磁化が補助層に影響を与えないようにス
イッチ層がふるまうようにしたものである。
【０００５】本発明者らも、光磁気層２層の間にさらに
ネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）
とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含
む光磁気層を挿入することによって交換結合力を制御で
きる光磁気記録媒体を既に提案している。
ネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）
とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含
む光磁気層を挿入することによって交換結合力を制御で
きる光磁気記録媒体を既に提案している。
【０００６】次に、従来の光磁気記録媒体の製造方法に
ついて、図面を用いて説明する。図９は従来の一例を説
明するための製造工程図、図１０は図９に示す従来例を
用いて製造した光磁気記録媒体の概略断面図である。
ついて、図面を用いて説明する。図９は従来の一例を説
明するための製造工程図、図１０は図９に示す従来例を
用いて製造した光磁気記録媒体の概略断面図である。
【０００７】図において、１は基板、２０は透明干渉
層、３０１は第１の光磁気層、３０２は第２の光磁気層
（ＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉ膜）、３０３は第３の光磁気
層、４０は保護層、５は放熱層である。基板１としては
ポリカーボネト樹脂板等が用いられ、透明干渉層２とし
ては窒化シリコン等が用いられる。第１の光磁気層３０
１としてはＴｂＦｅ等が用いられ、第３の光磁気層３０
３としてはＧｄＴｂＦｅＣｏ等が用いられる。保護層４
０としては窒化シリコン、放熱層５の材料としてはＡｌ
Ｔｉ等が用いられる。このような光磁気記録媒体の各層
の成膜は通常スパッタ装置が用いられる。
層、３０１は第１の光磁気層、３０２は第２の光磁気層
（ＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉ膜）、３０３は第３の光磁気
層、４０は保護層、５は放熱層である。基板１としては
ポリカーボネト樹脂板等が用いられ、透明干渉層２とし
ては窒化シリコン等が用いられる。第１の光磁気層３０
１としてはＴｂＦｅ等が用いられ、第３の光磁気層３０
３としてはＧｄＴｂＦｅＣｏ等が用いられる。保護層４
０としては窒化シリコン、放熱層５の材料としてはＡｌ
Ｔｉ等が用いられる。このような光磁気記録媒体の各層
の成膜は通常スパッタ装置が用いられる。
【０００８】従来の光磁気記録媒体の製造方法は、図９
に示すように、基板装着工程（ａ）で基板１をスパッタ
装置内に装着して、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で
真空排気した後に、透明干渉層成膜工程（ｃ）で透明干
渉層２を成膜し、次に第１の光磁気層成膜工程（ｄ）で
第１の光磁気層３０１を成膜し、次に第２の光磁気層成
膜工程（ｆ）で第２の光磁気層（ＮｄＧｄＦｅＣｏＴ
ｉ）３０２を成膜し、次に第３の光磁気層成膜工程
（ｇ）で第３の光磁気層３０３を成膜し、次に保護層成
膜工程（ｊ）で保護層４０を成膜し、最後に放熱層成膜
工程（ｋ）で放熱層５を成膜する。このようにして製造
された光磁気記録媒体をスパッタ装置から光磁気記録媒
体取出工程（ｌ）で取り出すものである。
に示すように、基板装着工程（ａ）で基板１をスパッタ
装置内に装着して、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で
真空排気した後に、透明干渉層成膜工程（ｃ）で透明干
渉層２を成膜し、次に第１の光磁気層成膜工程（ｄ）で
第１の光磁気層３０１を成膜し、次に第２の光磁気層成
膜工程（ｆ）で第２の光磁気層（ＮｄＧｄＦｅＣｏＴ
ｉ）３０２を成膜し、次に第３の光磁気層成膜工程
（ｇ）で第３の光磁気層３０３を成膜し、次に保護層成
膜工程（ｊ）で保護層４０を成膜し、最後に放熱層成膜
工程（ｋ）で放熱層５を成膜する。このようにして製造
された光磁気記録媒体をスパッタ装置から光磁気記録媒
体取出工程（ｌ）で取り出すものである。
【０００９】なお、透明干渉層２を成膜する前に基板１
と透明干渉層２との付着力を強めるために基板１の表面
を少しスパッタエッチングする場合もある。また、放熱
層５は省略する場合もある。
と透明干渉層２との付着力を強めるために基板１の表面
を少しスパッタエッチングする場合もある。また、放熱
層５は省略する場合もある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな上述した従来の方法で製造した光磁気記録媒体は、
記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加して記録され
た情報を読み出す場合、（１）記録層がＰタイプの場合
には、低レベルのレーザー光によって記録層に記録され
た「Ａ向き」の磁化を有する記録マークが、「逆Ａ向
き」の磁化を有する記録マークに書き換えられたり、
（２）記録層がＡタイプの場合には、低レベルのレーザ
ー光によって記録層に記録された「逆Ａ向き」の磁化を
有する記録マークが、「Ａ向き」の磁化を有する記録マ
ークに書き換えられたり、さらには、記録磁界と同一向
きにバイアス磁界を印加して低レベルのレーザー光を照
射したとき、（１）記録層がＰタイプの場合には、高レ
ベルのレーザー光によって記録層に記録された「逆Ａ向
き」の磁化を有する記録マークが、「Ａ向き」の磁化を
有する記録マークに書き換えることが困難になり、
（２）記録層がＡタイプの場合には、高レベルのレーザ
ー光によって記録層に記録された「Ａ向き」の磁化を有
する記録マークが、「逆Ａ向き」の磁化を有する記録マ
ークに書き換えることが困難になるという問題があっ
た。
うな上述した従来の方法で製造した光磁気記録媒体は、
記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加して記録され
た情報を読み出す場合、（１）記録層がＰタイプの場合
には、低レベルのレーザー光によって記録層に記録され
た「Ａ向き」の磁化を有する記録マークが、「逆Ａ向
き」の磁化を有する記録マークに書き換えられたり、
（２）記録層がＡタイプの場合には、低レベルのレーザ
ー光によって記録層に記録された「逆Ａ向き」の磁化を
有する記録マークが、「Ａ向き」の磁化を有する記録マ
ークに書き換えられたり、さらには、記録磁界と同一向
きにバイアス磁界を印加して低レベルのレーザー光を照
射したとき、（１）記録層がＰタイプの場合には、高レ
ベルのレーザー光によって記録層に記録された「逆Ａ向
き」の磁化を有する記録マークが、「Ａ向き」の磁化を
有する記録マークに書き換えることが困難になり、
（２）記録層がＡタイプの場合には、高レベルのレーザ
ー光によって記録層に記録された「Ａ向き」の磁化を有
する記録マークが、「逆Ａ向き」の磁化を有する記録マ
ークに書き換えることが困難になるという問題があっ
た。
【００１１】本発明者らは、これらの問題を解決すべく
鋭意検討した結果、これらの問題の原因は第１の光磁気
層と第３の光磁気層との相互作用が弱すぎるためである
ことを見出し、本発明に至った。
鋭意検討した結果、これらの問題の原因は第１の光磁気
層と第３の光磁気層との相互作用が弱すぎるためである
ことを見出し、本発明に至った。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
の製造方法は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザ光を該基板を通して該第１の光磁気層に
集束して照射することにより情報の書込を行い、レーザ
ー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動
させながら照射することにより情報の読出を行うように
した光磁気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄
族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質
合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁
性を示す膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属
と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ
少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す膜
であり、前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガド
リニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチ
タン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であ
り、前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層とは少な
くとも１０℃以上５０℃以下で交換結合しており、前記
第２の光磁気層と前記第３の光磁気層とは少なくとも１
０℃以上５０℃以下で交換結合している光磁気記録媒体
の製造方法であって、前記第２の光磁気層は前記第１の
光磁気層の表面をスパッタエッチングして平坦化したの
ちに成膜することにより、前記第１の光磁気層と前記第
３の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴として
いる。
の製造方法は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザ光を該基板を通して該第１の光磁気層に
集束して照射することにより情報の書込を行い、レーザ
ー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動
させながら照射することにより情報の読出を行うように
した光磁気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄
族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質
合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁
性を示す膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属
と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ
少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す膜
であり、前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガド
リニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチ
タン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であ
り、前記第１の光磁気層と前記第２の光磁気層とは少な
くとも１０℃以上５０℃以下で交換結合しており、前記
第２の光磁気層と前記第３の光磁気層とは少なくとも１
０℃以上５０℃以下で交換結合している光磁気記録媒体
の製造方法であって、前記第２の光磁気層は前記第１の
光磁気層の表面をスパッタエッチングして平坦化したの
ちに成膜することにより、前記第１の光磁気層と前記第
３の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴として
いる。
【００１３】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レ
ーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して
照射することにより情報の書込を行い、レーザー光を該
基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動させなが
ら照射することにより情報の読出を行うようにした光磁
気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金
属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でか
つ少なくとも１０℃以上５０以下でフェリ磁性を示す垂
直磁化可能な膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移
金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金で
かつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示
す垂直磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネオ
ジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコ
バルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非
晶質合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向き
と前記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して
上向きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、他
方を「逆Ａ向き」とするとき、前記第１の光磁気層の磁
化はそのままで前記第３の光磁気層の磁化のみが書込の
直前までに先行補助磁界により「Ａ向き」に揃えられ、
情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調され
たレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場合、
（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり
前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録マ
ークが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低
レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温
度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光
磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作
用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用すること
によるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０
℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調され
ない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁
化が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃
以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化
であり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有する
記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層が
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を制御するようなレーザー光の変調だけでオーバーライ
トが可能な光磁気記録媒体の製造方法であって、前記第
２の光磁気層は前記第１の光磁気層の表面をスパッタエ
ッチングして平坦化したのちに成膜することにより、前
記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用を
強くすることを特徴としている。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レ
ーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して
照射することにより情報の書込を行い、レーザー光を該
基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動させなが
ら照射することにより情報の読出を行うようにした光磁
気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金
属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でか
つ少なくとも１０℃以上５０以下でフェリ磁性を示す垂
直磁化可能な膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移
金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金で
かつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示
す垂直磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネオ
ジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコ
バルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非
晶質合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向き
と前記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して
上向きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、他
方を「逆Ａ向き」とするとき、前記第１の光磁気層の磁
化はそのままで前記第３の光磁気層の磁化のみが書込の
直前までに先行補助磁界により「Ａ向き」に揃えられ、
情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調され
たレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場合、
（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり
前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録マ
ークが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低
レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温
度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光
磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作
用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用すること
によるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０
℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調され
ない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁
化が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃
以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化
であり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有する
記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層が
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を制御するようなレーザー光の変調だけでオーバーライ
トが可能な光磁気記録媒体の製造方法であって、前記第
２の光磁気層は前記第１の光磁気層の表面をスパッタエ
ッチングして平坦化したのちに成膜することにより、前
記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用を
強くすることを特徴としている。
【００１４】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レ
ーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して
照射することにより情報の書込を行い、レーザー光を該
基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動させなが
ら照射することにより情報の読出を行うようにした光磁
気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金
属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でか
つ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す
垂直磁化可能な膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷
移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金
でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を
示す垂直磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネ
オジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）と
コバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む
非晶質合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向
きと前記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対し
て上向きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、
他方を「逆Ａ向き」とするとき、前記第１の光磁気層の
磁化はそのままで前記第３の光磁気層の磁化のみが書込
の直前までに先行補助磁界により「Ａ向き」に揃えら
れ、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにある
とき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その
温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前
記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下
の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の
温度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であ
り前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有する記録マ
ークが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低
レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温
度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光
磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作
用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用すること
によるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０
℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調され
ない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁
化が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃
以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化
であり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有す
る記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層
が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作
用を制御するようなレーザー光の変調だけでオーバーラ
イトが可能な光磁気記録媒体の製造方法であって、前記
第２の光磁気層は前記第１の光磁気層の表面をスパッタ
エッチングして平坦化したのちに成膜することにより、
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を強くすることを特徴としている。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レ
ーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して
照射することにより情報の書込を行い、レーザー光を該
基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動させなが
ら照射することにより情報の読出を行うようにした光磁
気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金
属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でか
つ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す
垂直磁化可能な膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷
移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金
でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を
示す垂直磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネ
オジム（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）と
コバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む
非晶質合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向
きと前記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対し
て上向きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、
他方を「逆Ａ向き」とするとき、前記第１の光磁気層の
磁化はそのままで前記第３の光磁気層の磁化のみが書込
の直前までに先行補助磁界により「Ａ向き」に揃えら
れ、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにある
とき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その
温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前
記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下
の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の
温度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であ
り前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有する記録マ
ークが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低
レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温
度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光
磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作
用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用すること
によるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０
℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調され
ない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁
化が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃
以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化
であり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有す
る記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層
が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作
用を制御するようなレーザー光の変調だけでオーバーラ
イトが可能な光磁気記録媒体の製造方法であって、前記
第２の光磁気層は前記第１の光磁気層の表面をスパッタ
エッチングして平坦化したのちに成膜することにより、
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を強くすることを特徴としている。
【００１５】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とをこの順に少
なくとも設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光
磁気層に集束して照射することにより情報の書込を行
い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集
束して移動させながら照射することにより情報の読出を
行うようにした光磁気記録媒体であって、前記第１の光
磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも
含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下
でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記第３
の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なく
とも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃
以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記
第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少
なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５
０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、
前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高いレベルと低レベルとの間でパルス変
調されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された
場合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあ
るとき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、そ
の温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、また
は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃
以下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、
前記第４の光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」で
ある記録マークが形成され、（２）前記変調されたレー
ザー光が低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温
度は中間温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前
記第３の光磁気層の磁化は残存しており変調されない記
録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作
用することによるか、又は前記レーザー光の照射がなく
なって１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程
で変調されない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気
層の残存磁化が作用することにより結果として１０℃以
上５０℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向
き」磁化であり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化
であり、前記第４の光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ
向き」である記録マークが形成されるように、前記第２
の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層
との相互作用を制御するような先行補助磁界がなくレー
ザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録
媒体の製造方法であって、前記第３の光磁気層は前記第
２の光磁気層の表面をスパッタエッチングして平坦化し
たのちに成膜することにより、前記第１の光磁気層と前
記第３の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴と
している。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とをこの順に少
なくとも設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光
磁気層に集束して照射することにより情報の書込を行
い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集
束して移動させながら照射することにより情報の読出を
行うようにした光磁気記録媒体であって、前記第１の光
磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも
含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下
でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記第３
の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なく
とも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃
以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記
第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少
なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５
０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、
前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高いレベルと低レベルとの間でパルス変
調されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された
場合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあ
るとき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、そ
の温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、また
は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃
以下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、
前記第４の光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」で
ある記録マークが形成され、（２）前記変調されたレー
ザー光が低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温
度は中間温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前
記第３の光磁気層の磁化は残存しており変調されない記
録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作
用することによるか、又は前記レーザー光の照射がなく
なって１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程
で変調されない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気
層の残存磁化が作用することにより結果として１０℃以
上５０℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向
き」磁化であり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化
であり、前記第４の光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ
向き」である記録マークが形成されるように、前記第２
の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層
との相互作用を制御するような先行補助磁界がなくレー
ザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録
媒体の製造方法であって、前記第３の光磁気層は前記第
２の光磁気層の表面をスパッタエッチングして平坦化し
たのちに成膜することにより、前記第１の光磁気層と前
記第３の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴と
している。
【００１６】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とをこの順に少
なくとも設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光
磁気層に集束して照射することにより情報の書込を行
い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集
束して移動させながら照射することにより情報の読出を
行うようにした光磁気記録媒体であって、前記第１の光
磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも
含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下
でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記第３
の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なく
とも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃
以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記
第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少
なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５
０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、
前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにある
とき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その
温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、または
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下
の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であ
り、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記
第４の光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である
記録マークが形成され、（２）前記変調されたレーザー
光が低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は
中間温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第
３の光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁
界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用す
ることによるか、又は前記レーザー光の照射がなくなっ
て１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変
調されない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の
残存磁化が作用することにより結果として１０℃以上５
０℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」
磁化であり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化で
あり、前記第４の光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向
き」である記録マークが形成されるように、前記第２の
光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層と
の相互作用を制御するような先行補助磁界がなくレーザ
ー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒
体の製造方法であって、前記第２の光磁気層は前記第１
の光磁気層の表面をスパッタエッチングして平坦化した
のちに成膜することにより、前記第１の光磁気層と前記
第３の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴とし
ている。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とをこの順に少
なくとも設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光
磁気層に集束して照射することにより情報の書込を行
い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集
束して移動させながら照射することにより情報の読出を
行うようにした光磁気記録媒体であって、前記第１の光
磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも
含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下
でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記第３
の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なく
とも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃
以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記
第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少
なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５
０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、
前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにある
とき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その
温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、または
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下
の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であ
り、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記
第４の光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である
記録マークが形成され、（２）前記変調されたレーザー
光が低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は
中間温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第
３の光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁
界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用す
ることによるか、又は前記レーザー光の照射がなくなっ
て１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変
調されない記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の
残存磁化が作用することにより結果として１０℃以上５
０℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」
磁化であり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化で
あり、前記第４の光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向
き」である記録マークが形成されるように、前記第２の
光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層と
の相互作用を制御するような先行補助磁界がなくレーザ
ー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒
体の製造方法であって、前記第２の光磁気層は前記第１
の光磁気層の表面をスパッタエッチングして平坦化した
のちに成膜することにより、前記第１の光磁気層と前記
第３の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴とし
ている。
【００１７】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第５の光磁気
層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を
通して該第１の光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体であっ
て、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０
℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜
であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷
移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも
１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能
な膜であり、前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土
類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なく
とも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化
可能な膜であり、前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と
希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少
なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直
磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネオジム
（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバル
ト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質
合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向きと前
記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して上向
きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を
「逆Ａ向き」とするとき、情報に従い高レベルと低レベ
ルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第１の光
磁気層に照射された場合、（１）前記変調されたレーザ
ー光が高レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度
は高温に上昇し、その温度状態で変調されない記録磁界
が作用するか、又は前記レーザー光の照射がなくなって
１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調
されない記録磁界が作用することにより、結果として１
０℃以上５０℃以下の温度範囲で前記第１の光磁気層が
「逆Ａ向き」磁化であり、前記第３の光磁気層の磁化は
前記第４の光磁気層のために前記第５の光磁気層の磁化
の影響を受けないで「Ａ向き」磁化となり前記第５の光
磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マー
クが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低レ
ベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温度
に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光磁
気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作用
しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用することに
よるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃
以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調されな
い記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前
記第５の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」である
記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層が
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を制御するような先行補助磁界がなくレーザー光の変調
だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造方
法であって、前記第２の光磁気層は前記第１の光磁気層
の表面をスパッタエッチングして平坦化したのちに成膜
することにより、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁
気層との相互作用を強くすることを特徴としている。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第５の光磁気
層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を
通して該第１の光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体であっ
て、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０
℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜
であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷
移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも
１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能
な膜であり、前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土
類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なく
とも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化
可能な膜であり、前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と
希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少
なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直
磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネオジム
（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバル
ト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質
合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向きと前
記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して上向
きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を
「逆Ａ向き」とするとき、情報に従い高レベルと低レベ
ルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第１の光
磁気層に照射された場合、（１）前記変調されたレーザ
ー光が高レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度
は高温に上昇し、その温度状態で変調されない記録磁界
が作用するか、又は前記レーザー光の照射がなくなって
１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調
されない記録磁界が作用することにより、結果として１
０℃以上５０℃以下の温度範囲で前記第１の光磁気層が
「逆Ａ向き」磁化であり、前記第３の光磁気層の磁化は
前記第４の光磁気層のために前記第５の光磁気層の磁化
の影響を受けないで「Ａ向き」磁化となり前記第５の光
磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マー
クが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低レ
ベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温度
に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光磁
気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作用
しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用することに
よるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃
以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調されな
い記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前
記第５の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」である
記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層が
前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作用
を制御するような先行補助磁界がなくレーザー光の変調
だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造方
法であって、前記第２の光磁気層は前記第１の光磁気層
の表面をスパッタエッチングして平坦化したのちに成膜
することにより、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁
気層との相互作用を強くすることを特徴としている。
【００１８】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第５の光磁気
層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を
通して該第１の光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体であっ
て、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０
℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜
であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷
移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも
１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能
な膜であり、前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土
類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なく
とも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化
可能な膜であり、前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と
希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少
なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直
磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネオジム
（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバル
ト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質
合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向きと前
記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して上向
きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を
「逆Ａ向き」とするとき、情報に従い高レベルと低レベ
ルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第１の光
磁気層に照射された場合、（１）前記変調されたレーザ
ー光が高レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度
は高温に上昇し、その温度状態で変調されない記録磁界
が作用するか、又は前記レーザー光の照射がなくなって
１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調
されない記録磁界が作用することにより、結果として１
０℃以上５０℃以下の温度範囲で前記第１の光磁気層が
「逆Ａ向き」磁化であり、前記第３の光磁気層の磁化は
前記第４の光磁気層のために前記第５の光磁気層の磁化
の影響を受けないで「Ａ向き」磁化となり前記第５の光
磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マー
クが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低レ
ベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温度
に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光磁
気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作用
しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用することに
よるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃
以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調されな
い記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、
前記第５の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」であ
る記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層
が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作
用を制御するような先行補助磁界がなくレーザー光の変
調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造
方法であって、前記第２の光磁気層は前記第１の光磁気
層の表面をスパッタエッチングして平坦化したのちに成
膜することにより、前記第１の光磁気層と前記第３の光
磁気層との相互作用を強くすることを特徴としている。
は、基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と第２の光磁
気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第５の光磁気
層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を
通して該第１の光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体であっ
て、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０
℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜
であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷
移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも
１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能
な膜であり、前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土
類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なく
とも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化
可能な膜であり、前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と
希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少
なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直
磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層はネオジム
（Ｎｄ）とガドリニウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバル
ト（Ｃｏ）とチタン（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質
合金の膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向きと前
記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して上向
きまたは下向きの何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を
「逆Ａ向き」とするとき、情報に従い高レベルと低レベ
ルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第１の光
磁気層に照射された場合、（１）前記変調されたレーザ
ー光が高レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度
は高温に上昇し、その温度状態で変調されない記録磁界
が作用するか、又は前記レーザー光の照射がなくなって
１０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調
されない記録磁界が作用することにより、結果として１
０℃以上５０℃以下の温度範囲で前記第１の光磁気層が
「逆Ａ向き」磁化であり、前記第３の光磁気層の磁化は
前記第４の光磁気層のために前記第５の光磁気層の磁化
の影響を受けないで「Ａ向き」磁化となり前記第５の光
磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マー
クが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低レ
ベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は中間温度
に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第３の光磁
気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作用
しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用することに
よるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって１０℃
以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調されな
い記録磁界が作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化
が作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以
下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化で
あり、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、
前記第５の光磁気層の磁化の向き不変で「Ａ向き」であ
る記録マークが形成されるように、前記第２の光磁気層
が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互作
用を制御するような先行補助磁界がなくレーザー光の変
調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造
方法であって、前記第２の光磁気層は前記第１の光磁気
層の表面をスパッタエッチングして平坦化したのちに成
膜することにより、前記第１の光磁気層と前記第３の光
磁気層との相互作用を強くすることを特徴としている。
【００１９】
【実施例】本発明のオーバーライト可能な光磁気記録媒
体の実施例について、図面を参照して説明する。
体の実施例について、図面を参照して説明する。
【００２０】図１は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図２は図１に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
製造工程図であり、図２は図１に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
【００２１】図２において、１は基板、２は透明干渉
層、３１１はその上に成膜した第１の光磁気層の膜を成
膜した後その表面を少しスパッタエッチングすることに
よりある程度平坦化した第１の光磁気層、３１２はその
上に成膜したＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層、
３１３はその上に成膜した第３の光磁気層、４１はその
上に成膜した保護層、５はその上に成膜した放熱層であ
る。
層、３１１はその上に成膜した第１の光磁気層の膜を成
膜した後その表面を少しスパッタエッチングすることに
よりある程度平坦化した第１の光磁気層、３１２はその
上に成膜したＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層、
３１３はその上に成膜した第３の光磁気層、４１はその
上に成膜した保護層、５はその上に成膜した放熱層であ
る。
【００２２】本発明者らは、本発明の製造方法で製造し
た光磁気記録媒体がＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁
気層の成膜を第１の光磁気層の表面をスパッタエッチン
グすることにより平坦化した後に行うことにより、第１
の光磁気層と第３の光磁気層との相互作用が強くなると
いう現象を見い出し、本発明に至った。
た光磁気記録媒体がＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁
気層の成膜を第１の光磁気層の表面をスパッタエッチン
グすることにより平坦化した後に行うことにより、第１
の光磁気層と第３の光磁気層との相互作用が強くなると
いう現象を見い出し、本発明に至った。
【００２３】膜表面をスパッタエッチングすると、本発
明者らが行った実験の範囲では一般的に膜表面は平坦に
なるようである。この確認はレプリカ法により約２０万
倍の透過型電子顕微鏡写真により行った。平坦になる理
由は、スパッタエッチングを行っているアルゴンガスの
膜表面への入射角度が垂直以外にも種々の角度をもって
いるためと思われる。
明者らが行った実験の範囲では一般的に膜表面は平坦に
なるようである。この確認はレプリカ法により約２０万
倍の透過型電子顕微鏡写真により行った。平坦になる理
由は、スパッタエッチングを行っているアルゴンガスの
膜表面への入射角度が垂直以外にも種々の角度をもって
いるためと思われる。
【００２４】第１の光磁気層をスパッタエッチングする
ことにより平坦化した後に第２の光磁気層を成膜する場
合にスパッタエッチングしないときよりも第１の光磁気
層と第３の光磁気層との相互作用が強くなる理由は定か
ではないが、第２の光磁気層の膜成長時に下地の表面形
状によって誘導形成される磁気特性が異なり、さらに第
３の光磁気層も少なからずその影響により磁気特性が異
なるためと思われる。
ことにより平坦化した後に第２の光磁気層を成膜する場
合にスパッタエッチングしないときよりも第１の光磁気
層と第３の光磁気層との相互作用が強くなる理由は定か
ではないが、第２の光磁気層の膜成長時に下地の表面形
状によって誘導形成される磁気特性が異なり、さらに第
３の光磁気層も少なからずその影響により磁気特性が異
なるためと思われる。
【００２５】次に、本発明の実施例について、図面を参
照しながら具体的に説明する。
照しながら具体的に説明する。
【００２６】図１に示すように、基板装着工程（ａ）で
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装着真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの透明干渉層２を形成した。次
に、第１の光磁気層成膜工程（ｄ）でＴｂＦｅＴｉター
ゲットをアルゴンガスによりスパッタすることにより２
００オングストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第１
の光磁気層３１１を形成し、次に第１の光磁気層スパッ
タエッチング工程（ｅ）でこの表面をアルゴンガスで１
０オングストローム程度スパッタエッチングして第１の
光磁気層３１１の表面を比較的平坦にし、次に第２の光
磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉターゲッ
トをアルゴンガスによりスパッタすることにより５０オ
ングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁
気層３１２を形成した。次に第３の光磁気層成膜工程
（ｇ）でＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより６００オングストロー
ム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光磁気層
３１３を形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシリコ
ンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより反応
性スパッタすることにより８００オングストローム厚の
窒化シリコンの保護層４１を設けた。次に放熱層成膜工
程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットをアルゴンガスによりス
パッタすることにより４００オングストローム厚のＡｌ
Ｎｉの放熱層５を設け、図２のような構成にした。この
ようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録媒体
取出工程（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出される。こ
の光磁気記録媒体を３６００rpm で回転させ、波長８３
００オングストロームの半導体レーザー光を基板１を通
して第１の光磁気層３１１上でおよそφ１．４μm に絞
って照射した。半径３０．０mmのところで記録周波数
２．１２MHz の信号をデューティ比５０％の３値の光変
調で高レベル記録パワー９mW、低レベル記録パワー４．
５mW、先行補助磁界６．５kOe、記録磁界３５０エルス
テッドでオーバーライト記録した後、再生時に記録磁界
と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁界を印加
して再生しても、記録されていない状態の領域が記録さ
れた状態に変化することなく良好な再生特性を得られ、
また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しながら
低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録パワ
ーによって記録された記録マークが低レベル記録パワー
によって記録されるべき記録マークに良好に書き換えら
れることが確認された。
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装着真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの透明干渉層２を形成した。次
に、第１の光磁気層成膜工程（ｄ）でＴｂＦｅＴｉター
ゲットをアルゴンガスによりスパッタすることにより２
００オングストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第１
の光磁気層３１１を形成し、次に第１の光磁気層スパッ
タエッチング工程（ｅ）でこの表面をアルゴンガスで１
０オングストローム程度スパッタエッチングして第１の
光磁気層３１１の表面を比較的平坦にし、次に第２の光
磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉターゲッ
トをアルゴンガスによりスパッタすることにより５０オ
ングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁
気層３１２を形成した。次に第３の光磁気層成膜工程
（ｇ）でＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより６００オングストロー
ム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光磁気層
３１３を形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシリコ
ンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより反応
性スパッタすることにより８００オングストローム厚の
窒化シリコンの保護層４１を設けた。次に放熱層成膜工
程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットをアルゴンガスによりス
パッタすることにより４００オングストローム厚のＡｌ
Ｎｉの放熱層５を設け、図２のような構成にした。この
ようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録媒体
取出工程（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出される。こ
の光磁気記録媒体を３６００rpm で回転させ、波長８３
００オングストロームの半導体レーザー光を基板１を通
して第１の光磁気層３１１上でおよそφ１．４μm に絞
って照射した。半径３０．０mmのところで記録周波数
２．１２MHz の信号をデューティ比５０％の３値の光変
調で高レベル記録パワー９mW、低レベル記録パワー４．
５mW、先行補助磁界６．５kOe、記録磁界３５０エルス
テッドでオーバーライト記録した後、再生時に記録磁界
と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁界を印加
して再生しても、記録されていない状態の領域が記録さ
れた状態に変化することなく良好な再生特性を得られ、
また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しながら
低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録パワ
ーによって記録された記録マークが低レベル記録パワー
によって記録されるべき記録マークに良好に書き換えら
れることが確認された。
【００２７】比較のため、図９に示すような第１の光磁
気層３０１の表面をスパッタエッチングせずにその上に
第２の光磁気層３０２を形成して製造した光磁気記録媒
体について上記と同一方法で測定したところ、再生時に
記録磁界と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁
界を印加して再生すると、記録されていない状態の領域
が記録された状態に変化してしまい良好な再生特性が得
られず、また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加
しながら低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル
記録パワーによって記録された記録マークが低レベル記
録パワーによって記録されるべき記録マークに良好に書
き換えられなかった。
気層３０１の表面をスパッタエッチングせずにその上に
第２の光磁気層３０２を形成して製造した光磁気記録媒
体について上記と同一方法で測定したところ、再生時に
記録磁界と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁
界を印加して再生すると、記録されていない状態の領域
が記録された状態に変化してしまい良好な再生特性が得
られず、また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加
しながら低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル
記録パワーによって記録された記録マークが低レベル記
録パワーによって記録されるべき記録マークに良好に書
き換えられなかった。
【００２８】基板１としてはポリカーボネイト樹脂板、
フォトポリマーのついたガラス板、フォトポリマーのつ
いたアクリル樹脂板などを用いる。この基板１には、ト
ラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成して
おくことが望ましい。
フォトポリマーのついたガラス板、フォトポリマーのつ
いたアクリル樹脂板などを用いる。この基板１には、ト
ラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成して
おくことが望ましい。
【００２９】透明干渉層２の材料としては窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層２は多層膜で形成してもかまわない。
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層２は多層膜で形成してもかまわない。
【００３０】第１の光磁気層３１１の材料としては、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３１２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３１３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３１３のほうが高いようにする。
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３１２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３１３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３１３のほうが高いようにする。
【００３１】保護層４１の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４１は多層膜で形成してもかまわない。
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４１は多層膜で形成してもかまわない。
【００３２】放熱層５の材料としてはＡｌ、ＡｉＴｉ、
ＡｌＮｉ、高熱伝導率の金属を含む合金が望ましい。放
熱層５を設けなければならない必然性はないが、設けた
ほうが記録パワーの余裕度が大きくなるので設けたほう
が望ましい。
ＡｌＮｉ、高熱伝導率の金属を含む合金が望ましい。放
熱層５を設けなければならない必然性はないが、設けた
ほうが記録パワーの余裕度が大きくなるので設けたほう
が望ましい。
【００３３】次に、本発明の他の実施例について、図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００３４】図３は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図４は図３に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
製造工程図であり、図４は図３に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
【００３５】図４において、１は基板、２は透明干渉
層、３２１は第１の光磁気層の膜を成膜した後その表面
を少しスパッタエッチングすることによりある程度平坦
化した第１の光磁気層、３２２はその上に成膜したＮｄ
ＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層、３２３はその上に
成膜した第３の光磁気層、４２はその上に成膜した保護
層、５はその上に成膜した放熱層である。
層、３２１は第１の光磁気層の膜を成膜した後その表面
を少しスパッタエッチングすることによりある程度平坦
化した第１の光磁気層、３２２はその上に成膜したＮｄ
ＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層、３２３はその上に
成膜した第３の光磁気層、４２はその上に成膜した保護
層、５はその上に成膜した放熱層である。
【００３６】図４に示すように、基板装着工程（ａ）で
フォトポリマーによって案内溝が形成されている直径２
００mm、厚さ１．１８mmのガラス製の基板１をスパッタ
装置内に装着し、スパッタ装着真空排気工程（ｂ）で５
×１０-7Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程
（ｃ）でアルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコ
ンターゲットを反応性スパッタすることにより８００オ
ングストローム厚の窒化シリコンの透明干渉層２を形成
した。次に第１の光磁気層成膜工程（ｄ）でＧｅＦｅＣ
ｏターゲットをアルゴンガスによりスパッタすることに
より２００オングストローム厚のＧｅＦｅＣｏの非晶質
の第１の光磁気層３２１を形成した。次に第１の光磁気
層スパッタエッチング工程（ｅ）でこの表面をアルゴン
ガスで１０オングストローム程度スパッタエッチングし
て第１の光磁気層３２１の表面を比較的平坦にした。次
に第２の光磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴ
ｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタすることに
より５０オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの
第２の光磁気層３２２を形成した。次に第３の光磁気層
成膜工程（ｇ）でＴｂＦｅＴｉターゲットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより６００オングストロー
ム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第３の光磁気層３２３を
形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシリコンターゲ
ットをアルゴンと窒素との混合ガスにより反応性スパッ
タすることにより８００オングストローム厚の窒化シリ
コンの保護層４２を設けた。次に放熱層成膜工程（ｋ）
でＡｌＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタす
ることにより４００オングストローム厚のＡｌＴｉの放
熱層５を設け、図４のような構成にした。このようにし
て製造された光磁気記録媒体は光磁気記録媒体取出工程
（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出される。次にこの放
熱層５の上にＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合わせ保護
膜を形成し、このような２枚ディスクを、基板１が外側
で各膜が内側になるようにホットメルトで貼合わせた。
このようにして作製した光磁気記録媒体を３６００rpm
で回転させ、波長８３００オングストロームの半導体レ
ーザー光を基板１を通して第１の光磁気層３２１上でお
よそφ１．４μm に絞って照射した。半径８７．５mmの
ところで記録周波数１０MHz の信号をデューティ比５０
％の２値の光変調で記録パワー９mW、記録磁界４００エ
ルステッドで記録した後、再生時に記録磁界と同一方向
に４００エルステッドのバイアス磁界を印加して再生し
ても、記録されていない状態の領域が記録された状態に
変化することなく良好な再生特性を得られることが確認
された。
フォトポリマーによって案内溝が形成されている直径２
００mm、厚さ１．１８mmのガラス製の基板１をスパッタ
装置内に装着し、スパッタ装着真空排気工程（ｂ）で５
×１０-7Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程
（ｃ）でアルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコ
ンターゲットを反応性スパッタすることにより８００オ
ングストローム厚の窒化シリコンの透明干渉層２を形成
した。次に第１の光磁気層成膜工程（ｄ）でＧｅＦｅＣ
ｏターゲットをアルゴンガスによりスパッタすることに
より２００オングストローム厚のＧｅＦｅＣｏの非晶質
の第１の光磁気層３２１を形成した。次に第１の光磁気
層スパッタエッチング工程（ｅ）でこの表面をアルゴン
ガスで１０オングストローム程度スパッタエッチングし
て第１の光磁気層３２１の表面を比較的平坦にした。次
に第２の光磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴ
ｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタすることに
より５０オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの
第２の光磁気層３２２を形成した。次に第３の光磁気層
成膜工程（ｇ）でＴｂＦｅＴｉターゲットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより６００オングストロー
ム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第３の光磁気層３２３を
形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシリコンターゲ
ットをアルゴンと窒素との混合ガスにより反応性スパッ
タすることにより８００オングストローム厚の窒化シリ
コンの保護層４２を設けた。次に放熱層成膜工程（ｋ）
でＡｌＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタす
ることにより４００オングストローム厚のＡｌＴｉの放
熱層５を設け、図４のような構成にした。このようにし
て製造された光磁気記録媒体は光磁気記録媒体取出工程
（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出される。次にこの放
熱層５の上にＵＶ硬化樹脂の１０μm 厚の貼合わせ保護
膜を形成し、このような２枚ディスクを、基板１が外側
で各膜が内側になるようにホットメルトで貼合わせた。
このようにして作製した光磁気記録媒体を３６００rpm
で回転させ、波長８３００オングストロームの半導体レ
ーザー光を基板１を通して第１の光磁気層３２１上でお
よそφ１．４μm に絞って照射した。半径８７．５mmの
ところで記録周波数１０MHz の信号をデューティ比５０
％の２値の光変調で記録パワー９mW、記録磁界４００エ
ルステッドで記録した後、再生時に記録磁界と同一方向
に４００エルステッドのバイアス磁界を印加して再生し
ても、記録されていない状態の領域が記録された状態に
変化することなく良好な再生特性を得られることが確認
された。
【００３７】第１の光磁気層３２１の材料としては、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３２２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３２３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３２３のほうが低いようにする。
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３２２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３２３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３２３のほうが低いようにする。
【００３８】保護層４２の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４２は多層膜で形成してもかまわない。
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４２は多層膜で形成してもかまわない。
【００３９】次に、本発明のオーバーライト可能な光磁
気記録媒体の他の実施例について、図面を参照して説明
する。
気記録媒体の他の実施例について、図面を参照して説明
する。
【００４０】図５は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図６は図５に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
製造工程図であり、図６は図５に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
【００４１】図６において、１は基板、２は透明干渉
層、３３１は第１の光磁気層の膜を成膜した後その表面
を少しスパッタエッチングすることによりある程度平坦
化した第１の光磁気層、３３２はその上に成膜したＮｄ
ＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層、３３３はその上に
成膜した第３の光磁気層、３３４はその上に成膜した第
４の光磁気層、４３はその上に成膜した保護層、５はそ
の上に成膜した放熱層である。
層、３３１は第１の光磁気層の膜を成膜した後その表面
を少しスパッタエッチングすることによりある程度平坦
化した第１の光磁気層、３３２はその上に成膜したＮｄ
ＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層、３３３はその上に
成膜した第３の光磁気層、３３４はその上に成膜した第
４の光磁気層、４３はその上に成膜した保護層、５はそ
の上に成膜した放熱層である。
【００４２】図５に示すように、基板装着工程（ａ）で
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚のシリコンの透明干渉層２を形成した。次に第１
の光磁気層成膜工程（ｄ）でＴｂＦｅＴｉターゲットを
アルゴンガスによりスパッタすることにより２００オン
グストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第１の光磁気
層３３１を形成し、次に第１の光磁気層スパッタエッチ
ング工程（ｅ）でこの表面をアルゴンガスで１０オング
ストローム程度スパッタエッチングして第１の光磁気層
３３１の表面を比較的平坦にした。次に第２の光磁気層
成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉターゲットをア
ルゴンガスによりスパッタすることにより５０オングス
トローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層３
３２を形成した。次に第３の光磁気層成膜工程（ｇ）で
ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガスにより
スパッタすることにより１０００オングストローム厚の
ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光磁気層３３３
を形成した。次に第４の光磁気層成膜工程（ｈ）でＴｂ
ＣｏＴｉターゲットをアルゴンによりスパッタすること
により４００オングストローム厚のＴｂＣｏＴｉの非晶
質の第４の光磁気層３３４を形成した。次に保護層成膜
工程（ｊ）でシリコンターゲットをアルゴンと窒素との
混合ガスにより反応性スパッタすることにより８００オ
ングストローム厚の窒化シリコンの保護層４３を設け
た。次に放熱層成膜工程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットを
アルゴンガスによりスパッタすることにより４００オン
グストローム厚のＡｌＮｉの放熱層５を設け、図６のよ
うな構成にした。このようにして製造された光磁気記録
媒体は光磁気記録媒体取出工程（ｌ）でスパッタ装置の
外に取り出される。この光磁気記録媒体を３６００rpm
で回転させ、波長８３００オングストロームの半導体レ
ーザー光を基板１を通して第１の光磁気層３３１上でお
よそφ１．４μm に絞って照射した。半径３０．０mmの
ところで３値の光変調で、先行補助磁界なしで、記録磁
界３５０エルステッドでオーバーライト記録した後、再
生時に記録磁界と同一方向に３５０エルステッドのバイ
アス磁界を印加して再生しても、記録されていない状態
の領域が記録された状態に変化することなく良好な再生
特性を得られ、また記録磁界と同一向きにバイアス磁界
を印加しながら低レベル記録パワーを照射したとき、高
レベル記録パワーによって記録された記録マークが低レ
ベル記録パワーによって記録されるべき記録マークに良
好に書き換えられることが確認された。
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚のシリコンの透明干渉層２を形成した。次に第１
の光磁気層成膜工程（ｄ）でＴｂＦｅＴｉターゲットを
アルゴンガスによりスパッタすることにより２００オン
グストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第１の光磁気
層３３１を形成し、次に第１の光磁気層スパッタエッチ
ング工程（ｅ）でこの表面をアルゴンガスで１０オング
ストローム程度スパッタエッチングして第１の光磁気層
３３１の表面を比較的平坦にした。次に第２の光磁気層
成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉターゲットをア
ルゴンガスによりスパッタすることにより５０オングス
トローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層３
３２を形成した。次に第３の光磁気層成膜工程（ｇ）で
ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガスにより
スパッタすることにより１０００オングストローム厚の
ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光磁気層３３３
を形成した。次に第４の光磁気層成膜工程（ｈ）でＴｂ
ＣｏＴｉターゲットをアルゴンによりスパッタすること
により４００オングストローム厚のＴｂＣｏＴｉの非晶
質の第４の光磁気層３３４を形成した。次に保護層成膜
工程（ｊ）でシリコンターゲットをアルゴンと窒素との
混合ガスにより反応性スパッタすることにより８００オ
ングストローム厚の窒化シリコンの保護層４３を設け
た。次に放熱層成膜工程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットを
アルゴンガスによりスパッタすることにより４００オン
グストローム厚のＡｌＮｉの放熱層５を設け、図６のよ
うな構成にした。このようにして製造された光磁気記録
媒体は光磁気記録媒体取出工程（ｌ）でスパッタ装置の
外に取り出される。この光磁気記録媒体を３６００rpm
で回転させ、波長８３００オングストロームの半導体レ
ーザー光を基板１を通して第１の光磁気層３３１上でお
よそφ１．４μm に絞って照射した。半径３０．０mmの
ところで３値の光変調で、先行補助磁界なしで、記録磁
界３５０エルステッドでオーバーライト記録した後、再
生時に記録磁界と同一方向に３５０エルステッドのバイ
アス磁界を印加して再生しても、記録されていない状態
の領域が記録された状態に変化することなく良好な再生
特性を得られ、また記録磁界と同一向きにバイアス磁界
を印加しながら低レベル記録パワーを照射したとき、高
レベル記録パワーによって記録された記録マークが低レ
ベル記録パワーによって記録されるべき記録マークに良
好に書き換えられることが確認された。
【００４３】第１の光磁気層３３１の材料としては、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＣｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３３２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３３３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３３３のほうが高いようにする。
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＣｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３３２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３３３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３３３のほうが高いようにする。
【００４４】第４の光磁気層３３４は、高レベルのレー
ザー光の照射によっても磁化が反転しないように第３の
光磁気層３３３よりもキュリー温度が高い膜とし、低レ
ベルのレーザー光の照射のときに補助層として働く第３
の光磁気層３３３の磁化が初期化層として働く第４の光
磁気層３３４の磁化に揃うようにし、高レベルのレーザ
ー光の照射のときには第４の光磁気層３３４の磁化が第
３の光磁気層３３３に影響を与えないような物性を選
ぶ。第４の光磁気層３３４の材料としては、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、
ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＴ
ａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＣｏ、ＴｂＣｏＴｉ、ＴｂＣｏＣｒ、ＴｂＣｏ
Ｎｉ、ＴｂＣｏＴａ、ＴｂＣｏＮｂ、ＴｂＣｏＰｔが望
ましい。
ザー光の照射によっても磁化が反転しないように第３の
光磁気層３３３よりもキュリー温度が高い膜とし、低レ
ベルのレーザー光の照射のときに補助層として働く第３
の光磁気層３３３の磁化が初期化層として働く第４の光
磁気層３３４の磁化に揃うようにし、高レベルのレーザ
ー光の照射のときには第４の光磁気層３３４の磁化が第
３の光磁気層３３３に影響を与えないような物性を選
ぶ。第４の光磁気層３３４の材料としては、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、
ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＴ
ａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＣｏ、ＴｂＣｏＴｉ、ＴｂＣｏＣｒ、ＴｂＣｏ
Ｎｉ、ＴｂＣｏＴａ、ＴｂＣｏＮｂ、ＴｂＣｏＰｔが望
ましい。
【００４５】保護層４３の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４３は多層膜で形成してもかまわない。
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４３は多層膜で形成してもかまわない。
【００４６】次に、本発明のオーバーライト可能な光磁
気記録媒体の他の実施例について、図面を参照して説明
する。
気記録媒体の他の実施例について、図面を参照して説明
する。
【００４７】図７は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図８は図７に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
製造工程図であり、図８は図７に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。
【００４８】図８において、１は基板、２は透明干渉
層、３４１は第１の光磁気層の膜を成膜した後その表面
を少しスパッタエッチングすることによりある程度平坦
化した第１の光磁気層、３４２はその上に成膜したＮｄ
ＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層、３４３はその上に
成膜した第３の光磁気層、３４４はその上に成膜した第
４の光磁気層、３４５はその上に成膜した第５の光磁気
層、４４はその上に成膜した保護層、５はその上に成膜
した放熱層である。
層、３４１は第１の光磁気層の膜を成膜した後その表面
を少しスパッタエッチングすることによりある程度平坦
化した第１の光磁気層、３４２はその上に成膜したＮｄ
ＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層、３４３はその上に
成膜した第３の光磁気層、３４４はその上に成膜した第
４の光磁気層、３４５はその上に成膜した第５の光磁気
層、４４はその上に成膜した保護層、５はその上に成膜
した放熱層である。
【００４９】図７に示すように、基板装着工程（ａ）で
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの透明干渉層２を形成した。次に
第１の光磁気層成膜工程（ｄ）でＴｂＦｅＴｉターゲッ
トをアルゴンガスによりスパッタすることにより２００
オングストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第１の光
磁気層３４１を形成した。次に第１の光磁気層スパッタ
エッチング工程（ｅ）でこの表面をアルゴンガスで１０
オングストローム程度スパッタエッチングして第１の光
磁気層３４１の表面を比較的平坦にした。次に第２の光
磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉターゲッ
トをアルゴンガスによりスパッタすることにより５０オ
ングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁
気層３４２を形成した。次に第３の光磁気層成膜工程
（ｇ）でＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより１４００オングストロ
ーム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光磁気
層３４３を形成した。次に第４の光磁気層成膜工程
（ｈ）でＴｂＣｏＴｉターゲットをアルゴンによりスパ
ッタすることにより２５０オングストローム厚のＴｂＣ
ｏＴｉの非晶質の第４の光磁気層３４４を形成した。次
に第５の光磁気層成膜工程（ｉ）でＴｂＣｏＴｉターゲ
ットをアルゴンによりスパッタすることにより４００オ
ングストローム厚のＴｂＣｏＴｉの非晶質の第５の光磁
気層３４５を形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシ
リコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより
反応性スパッタすることにより８００オングストローム
厚の窒化シリコンの保護層４４を設けた。次に放熱層成
膜工程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットをアルゴンガスによ
りスパッタすることにより４００オングストローム厚の
ＡｌＮｉの放熱層５を設け、図８のような構成にした。
このようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録
媒体取出工程（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出され
る。この光磁気記録媒体を３６００rpm で回転させ、波
長８３００オングストロームの半導体レーザー光を基板
１を通して第１の光磁気層３４１上でおよそφ１．４μ
m に絞って照射した。半径３０．０mmのところで３値の
光変調で、先行補助磁界なしで、記録磁界３５０エルス
テッドでオーバーライト記録した後、再生時に記録磁界
と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁界を印加
して再生しても、記録されていない状態の領域が記録さ
れた状態に変化することなく良好な再生特性を得られ、
また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しながら
低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録パワ
ーによって記録された記録マークが低レベル記録パワー
によって記録されるべき記録マークに良好に書き換えら
れることが確認された。
案内溝が形成されている直径１３０mm、厚さ１．２０mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板１をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装置真空排気工程（ｂ）で５×１０-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程（ｃ）でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの透明干渉層２を形成した。次に
第１の光磁気層成膜工程（ｄ）でＴｂＦｅＴｉターゲッ
トをアルゴンガスによりスパッタすることにより２００
オングストローム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第１の光
磁気層３４１を形成した。次に第１の光磁気層スパッタ
エッチング工程（ｅ）でこの表面をアルゴンガスで１０
オングストローム程度スパッタエッチングして第１の光
磁気層３４１の表面を比較的平坦にした。次に第２の光
磁気層成膜工程（ｆ）でＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉターゲッ
トをアルゴンガスによりスパッタすることにより５０オ
ングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁
気層３４２を形成した。次に第３の光磁気層成膜工程
（ｇ）でＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより１４００オングストロ
ーム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の第３の光磁気
層３４３を形成した。次に第４の光磁気層成膜工程
（ｈ）でＴｂＣｏＴｉターゲットをアルゴンによりスパ
ッタすることにより２５０オングストローム厚のＴｂＣ
ｏＴｉの非晶質の第４の光磁気層３４４を形成した。次
に第５の光磁気層成膜工程（ｉ）でＴｂＣｏＴｉターゲ
ットをアルゴンによりスパッタすることにより４００オ
ングストローム厚のＴｂＣｏＴｉの非晶質の第５の光磁
気層３４５を形成した。次に保護層成膜工程（ｊ）でシ
リコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより
反応性スパッタすることにより８００オングストローム
厚の窒化シリコンの保護層４４を設けた。次に放熱層成
膜工程（ｋ）でＡｌＮｉターゲットをアルゴンガスによ
りスパッタすることにより４００オングストローム厚の
ＡｌＮｉの放熱層５を設け、図８のような構成にした。
このようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録
媒体取出工程（ｌ）でスパッタ装置の外に取り出され
る。この光磁気記録媒体を３６００rpm で回転させ、波
長８３００オングストロームの半導体レーザー光を基板
１を通して第１の光磁気層３４１上でおよそφ１．４μ
m に絞って照射した。半径３０．０mmのところで３値の
光変調で、先行補助磁界なしで、記録磁界３５０エルス
テッドでオーバーライト記録した後、再生時に記録磁界
と同一方向に３５０エルステッドのバイアス磁界を印加
して再生しても、記録されていない状態の領域が記録さ
れた状態に変化することなく良好な再生特性を得られ、
また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しながら
低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録パワ
ーによって記録された記録マークが低レベル記録パワー
によって記録されるべき記録マークに良好に書き換えら
れることが確認された。
【００５０】第１の光磁気層３４１の材料としては、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＣｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３４２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３４３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３４３のほうが高いようにする。
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇ
ｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ
Ｔａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＣｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層３４２の材料は、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉとし、第３の光磁気層３４３の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦ
ｅＰｔ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣ
ｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
ＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましく、キュリー温度は
第３の光磁気層３４３のほうが高いようにする。
【００５１】第５の光磁気層３４５は、高レベルのレー
ザー光の照射によっても磁化が反転しないように第３の
光磁気層３４３よりもキュリー温度が高い膜とし、第４
の光磁気層３４４のキュリー温度は第１の光磁気層３４
１、第３の光磁気層３４３、第５の光磁気層３４５のな
かで最も低い膜とする。低レベルのレーザー光の照射の
ときに補助層として働く第３の光磁気層３４３の磁化が
初期化層として働く第５の光磁気層３４５の磁化に揃う
ようにし、高レベルのレーザー光の照射のときには第５
の光磁気層３４５の磁化が第３の光磁気層３４３に影響
を与えないように第４の光磁気層３４４がふるまうよう
に、第４の光磁気層３４４と第５の光磁気層３４５の物
性を選ぶ。第４の光磁気層３４４の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＴａ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＤｙＦ
ｅＣｏＮｉ、ＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＮｂが望ましく、第５の光磁気層３４５の材
料としては、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴ
ｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、Ｔｂ
ＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔｂ
ＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴ
ｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、Ｔ
ｂＣｏ、ＴｂＣｏＴｉ、ＴｂＣｏＣｒ、ＴｂＣｏＮｂ、
ＴｂＣｏＰｔが望ましい。
ザー光の照射によっても磁化が反転しないように第３の
光磁気層３４３よりもキュリー温度が高い膜とし、第４
の光磁気層３４４のキュリー温度は第１の光磁気層３４
１、第３の光磁気層３４３、第５の光磁気層３４５のな
かで最も低い膜とする。低レベルのレーザー光の照射の
ときに補助層として働く第３の光磁気層３４３の磁化が
初期化層として働く第５の光磁気層３４５の磁化に揃う
ようにし、高レベルのレーザー光の照射のときには第５
の光磁気層３４５の磁化が第３の光磁気層３４３に影響
を与えないように第４の光磁気層３４４がふるまうよう
に、第４の光磁気層３４４と第５の光磁気層３４５の物
性を選ぶ。第４の光磁気層３４４の材料としては、Ｔｂ
Ｆｅ、ＴｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＴａ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＤｙＦ
ｅＣｏＮｉ、ＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦ
ｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰ
ｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＮｂが望ましく、第５の光磁気層３４５の材
料としては、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴ
ｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、Ｔｂ
ＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔｂ
ＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴ
ｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、Ｔ
ｂＣｏ、ＴｂＣｏＴｉ、ＴｂＣｏＣｒ、ＴｂＣｏＮｂ、
ＴｂＣｏＰｔが望ましい。
【００５２】保護層４４の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４４は多層膜で形成してもかまわない。
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層４４は多層膜で形成してもかまわない。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体の製造方法は、第１の光磁気層の表面をスパッタ
エッチングして平坦にすることと、第２の光磁気層とし
てＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉを用いることにより、第１の光
磁気層と第３の光磁気層との相互作用が適度に強く、記
録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加して記録された
情報を読み出す場合、記録されていない状態の領域が記
録された状態に変化することなく、また記録磁界と同一
向きにバイアス磁界を印加して低レベルのレーザー光を
照射したとき、高レベルのレーザー光によって記録され
た記録マークが低レベルのレーザー光によって記録され
るべき記録マークに良好に書き換えられる光磁気記録媒
体を製造することができる。
録媒体の製造方法は、第１の光磁気層の表面をスパッタ
エッチングして平坦にすることと、第２の光磁気層とし
てＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉを用いることにより、第１の光
磁気層と第３の光磁気層との相互作用が適度に強く、記
録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加して記録された
情報を読み出す場合、記録されていない状態の領域が記
録された状態に変化することなく、また記録磁界と同一
向きにバイアス磁界を印加して低レベルのレーザー光を
照射したとき、高レベルのレーザー光によって記録され
た記録マークが低レベルのレーザー光によって記録され
るべき記録マークに良好に書き換えられる光磁気記録媒
体を製造することができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための製造工程図
である。
である。
【図２】図１に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。
録媒体の概略断面図である。
【図３】本発明の他の一実施例を説明するための製造工
程図である。
程図である。
【図４】図３に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。
録媒体の概略断面図である。
【図５】本発明の他の一実施例を説明するための製造工
程図である。
程図である。
【図６】図５に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。
録媒体の概略断面図である。
【図７】本発明の他の一実施例を説明するための製造工
程図である。
程図である。
【図８】図７に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。
録媒体の概略断面図である。
【図９】従来の光磁気記録媒体の一実施例を説明するた
めの製造工程図である。
めの製造工程図である。
【図１０】図９に示す実施例を用いて製造された光磁気
記録媒体の概略断面図である。
記録媒体の概略断面図である。
１ 基板 ２ 透明干渉層 ３１１，３２１，３３１，３４１，３０１ 第１の光
磁気層 ３１２，３２２，３３２，３４２，３０２ 第２の光
磁気層 ３１３，３２３，３３３，３４３，３０３ 第３の光
磁気層 ３３４，３４４ 第４の光磁気層 ３４５ 第５の光磁気層 ４１，４２，４３，４４，４０ 保護層 ５ 放熱層 （ａ） 基板装着工程 （ｂ） スパッタ装置真空排気工程 （ｃ） 透明干渉層成膜工程 （ｄ） 第１の光磁気層 （ｅ） 第１の光磁気層スパッタエッチング工程 （ｆ） ＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層成膜
工程 （ｇ） 第３の光磁気層成膜工程 （ｈ） 第４の光磁気層成膜工程 （ｉ） 第５の光磁気層成膜工程 （ｊ） 保護層成膜工程 （ｋ） 放熱層成膜工程 （ｌ） 光磁気記録媒体取出工程
磁気層 ３１２，３２２，３３２，３４２，３０２ 第２の光
磁気層 ３１３，３２３，３３３，３４３，３０３ 第３の光
磁気層 ３３４，３４４ 第４の光磁気層 ３４５ 第５の光磁気層 ４１，４２，４３，４４，４０ 保護層 ５ 放熱層 （ａ） 基板装着工程 （ｂ） スパッタ装置真空排気工程 （ｃ） 透明干渉層成膜工程 （ｄ） 第１の光磁気層 （ｅ） 第１の光磁気層スパッタエッチング工程 （ｆ） ＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉの第２の光磁気層成膜
工程 （ｇ） 第３の光磁気層成膜工程 （ｈ） 第４の光磁気層成膜工程 （ｉ） 第５の光磁気層成膜工程 （ｊ） 保護層成膜工程 （ｋ） 放熱層成膜工程 （ｌ） 光磁気記録媒体取出工程
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層
に集束して照射することにより情報の書込を行い、レー
ザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移
動させながら照射することにより情報の読出を行うよう
にした光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す膜であり、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す膜であり、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層と前記第２の光磁気層とは少なくとも１０
℃以上５０℃以下で交換結合しており、 前記第２の光磁気層と前記第３の光磁気層とは少なくと
も１０℃以上５０℃以下で交換結合している光磁気記録
媒体の製造方法において、 前記第２の光磁気層は前記第１の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのち成膜することによ
り、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項２】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層
に集束して照射することにより情報の書込を行い、レー
ザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移
動させながら照射することにより情報の読出を行うよう
にした光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニ
ウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン
（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、 前記第１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層
の磁化の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの
何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とす
るとき、前記第１の光磁気層の磁化はそのままで前記第
３の光磁気層の磁化のみが書込の直前までに先行補助磁
界により「Ａ向き」に揃えられ、情報に従い高レベルと
低レベルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第
１の光磁気層に照射された場合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり
前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録マ
ークが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲
で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第
１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有する記録マークが形
成されるように、前記第２の光磁気層が前記第１の光磁
気層と前記第３の光磁気層との相互作用を制御するよう
なレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁
気記録媒体の製造方法において、 前記第２の光磁気層は前記第１の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項３】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁気層
に集束して照射することにより情報の書込を行い、レー
ザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移
動させながら照射することにより情報の読出を行うよう
にした光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、前記第１の光磁気層の磁化はそのままで前記第３の
光磁気層の磁化のみが書込の直前までに先行補助磁界に
より「Ａ向き」に揃えられ、情報に従い高レベルと低レ
ベルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第１の
光磁気層に照射された場合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり
前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有する記録マー
クが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲で
前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第１
の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録マークが形
成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層との相互作用を制御するようなレーザー光の変
調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造
方法において、 前記第２の光磁気層は前記第１の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項４】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とを
この順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を通して
該第１の光磁気層に集束して照射することにより情報の
書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁
気層に集束して移動させながら照射することにより情報
の読出を行うようにした光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、または前
記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下
の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の
温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であ
り、前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、前
記第４の光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」であ
る記録マークが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲で
前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第１
の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第４の光磁気
層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マークが
形成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第２の光磁気層は前記第１の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項５】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層とを
この順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を通して
該第１の光磁気層に集束して照射することにより情報の
書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第１の光磁
気層に集束して移動させながら照射することにより情報
の読出を行うようにした光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニ
ウム（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン
（Ｔｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、 前記第１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層
の磁化の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの
何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とす
るとき、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス
変調されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射され
た場合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、または前
記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下
の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の
温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であ
り、前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記
第４の光磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である
記録マークが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲で
前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第１
の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、前記第４の光磁
気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マーク
が形成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第２の光磁気層は前記第１光磁気層の表面をスパッ
タエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項６】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第
５の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光
を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して照射する
ことにより情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通
して該第１の光磁気層に集束して移動させながら照射す
ることにより情報の読出を行うようにした光磁気記録媒
体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とすると
き、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射された場
合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であ
り、前記第３の光磁気層の磁化は前記第４の光磁気層の
ために前記第５の光磁気層の磁化の影響を受けないで
「Ａ向き」磁化となり前記第５の光磁気層の磁化の向き
は不変で「Ａ向き」である記録マークが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲
で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第
１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第５の光磁
気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マーク
が形成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第２の光磁気層は前記第１の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項７】 基板上に透明干渉層と第１の光磁気層と
第２の光磁気層と第３の光磁気層と第４の光磁気層と第
５の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光
を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して照射する
ことにより情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通
して該第１の光磁気層に集束して移動させながら照射す
ることにより情報の読出を行うようにした光磁気記録媒
体であって、 前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第４の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第５の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以
上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第２の光磁気層はネオジム（Ｎｄ）とガドリニウム
（Ｇｄ）と鉄（Ｆｅ）とコバルト（Ｃｏ）とチタン（Ｔ
ｉ）とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、 前記第１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層
の磁化の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの
何れか一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」とす
るとき、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス
変調されたレーザー光が前記第１の光磁気層に照射され
た場合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、
前記第３の光磁気層の磁化は前記第４の光磁気層のため
に前記第５の光磁気層の磁化の影響を受けないで「Ａ向
き」磁化となり前記第５の光磁気層の磁化の向きは不変
で「Ａ向き」である記録マークが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
３の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第３の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温度範囲
で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり、前記第
１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり、前記第５の光
磁気層の磁化の向きは不変で「Ａ向き」である記録マー
クが形成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第２の光磁気層は前記第１の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21733091A JP2770836B2 (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21733091A JP2770836B2 (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0554449A JPH0554449A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2770836B2 true JP2770836B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=16702490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21733091A Expired - Lifetime JP2770836B2 (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2770836B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-28 JP JP21733091A patent/JP2770836B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554449A (ja) | 1993-03-05 |
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