JP2000090504A - 光磁気記録媒体及び再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光の回折限界以下の周期の信号を光磁気記録
媒体の記録層に記録した場合においても、再生信号振幅
を低下させることなく再生することができ、記録密度を
大幅に向上できる光磁気記録媒体及び再生装置を提供す
る。 【解決手段】 単層では垂直磁化状態となる再生層１
と、面内磁化層２、垂直磁化状態の記録層３がこの順に
形成されている。再生層１，面内磁化層２，記録層３の
キュリー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３とした
とき、Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３なる条件を満足
する。Ｔｃ２未満の温度範囲において再生層１は面内磁
化層２との交換結合により面内磁化を示し、Ｔｃ２以上
の温度範囲において記録層３の磁化情報が拡大転写され
て、単磁区状態の垂直磁化を示す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体及びその再生装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔
が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという
欠点がある。

【０００３】このような欠点は、目的とする記録ビット
上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビ
ットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生す
ることができなくなることが原因である。

【０００４】上記の欠点を解消するために、特開平９−
３２０１３４号公報において、図３０及び図３１に記載
の光磁気記録媒体が提案されている。この光磁気記録媒
体は、室温において面内磁化状態であり、温度上昇とと
もに垂直磁化状態となる再生層ａ１と垂直磁化膜からな
る記録層ａ４とが、非磁性中間層ａ３を介して積層され
ており、該再生層ａ１と該記録層ａ４とが静磁結合した
光磁気記録媒体において、該再生層ａ１に隣接して面内
磁化層ａ２が形成された構成である。このような構成と
することにより、該面内磁化層ａ２のキュリー温度以下
の領域において、該再生層ａ１の磁化方向を膜面に対し
て水平な面内方向に強く固定することが可能となり、光
ビームａ５の照射により温度上昇していない、すなわ
ち、面内磁化層ａ２がキュリー温度以下の領域における
該再生層ａ１を完全な面内磁化状態とすることにより、
記録磁区ａ９のマスキングが実現される。

【０００５】一方、光ビーム照射により温度上昇し、面
内磁化層ａ２がキュリー温度以上となった領域における
該再生層ａ１は垂直磁化状態であり、該磁化方向を記録
層から発生する漏洩磁束の方向と一致させることによ
り、該記録層ａ４の記録磁区ａ８を該再生層ａ１に転写
させ、温度上昇した領域ａ７に存在し、かつ、光ビーム
スポットａ６の内側に存在する記録磁区ａ８のみを再生
することが可能となる。

【０００６】ここで、再生層ａ１は、室温において面内
磁化状態であり、温度上昇とともに垂直磁化状態となる
ため、希土類金属（ＲＥ）と遷移金属（ＴＭ）のモーメ
ントが釣り合う補償組成に対して、希土類金属を多く含
むＲＥｒｉｃｈ組成である必要がある。そのため、再生
層においては、遷移金属（ＴＭ）モーメントの向きとト
ータル磁化の向きとが反平行となっており、図３１にお
ける温度上昇した領域ａ７における、ＴＭモーメントの
向きは漏洩磁束の向きと反平行となっている。

【０００７】このように、温度上昇した領域のみの記録
磁区ａ８を再生層ａ１に転写させて再生することによ
り、光の回折限界以下の周期の信号を再生することが可
能となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
再生方法においては、記録磁区ａ８が小さくなると、再
生層ａ１に転写される磁区の大きさａ１１も同時に小さ
くなり、再生信号強度が小さくなるという問題点を有し
ている。

【０００９】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的は、再生信号振幅を
低下させることなく光の回折限界以下の周期の信号を再
生することが可能な光磁気記録媒体及び再生装置を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の光磁気
記録媒体は、単層においては室温からキュリー温度まで
垂直磁化を示す再生層と、室温からキュリー温度まで面
内磁化を示す面内磁化層と、室温からキュリー温度まで
垂直磁化を示す記録層と、がこの順に形成されており、
前記再生層及び前記面内磁化層及び前記記録層のキュリ
ー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３としたとき、 Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３ が成立し、前記再生層は、温度がＴｃ２未満の領域にお
いては、前記面内磁化層との交換結合により面内磁化を
示し、Ｔｃ２以上に加熱された領域においては、前記記
録層の磁化情報が拡大転写されることにより、単磁区状
態の垂直磁化を示すよう形成されてなるものである。

【００１１】請求項２に記載の光磁気記録媒体は、単層
においては室温からキュリー温度まで垂直磁化を示す再
生層と、室温からキュリー温度まで面内磁化を示す面内
磁化層と、室温からキュリー温度まで垂直磁化を示す記
録層と、がこの順に形成されており、前記再生層及び前
記面内磁化層及び前記記録層のキュリー温度をそれぞれ
Ｔｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３としたとき、 Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３ が成立し、Ｔｃ２より高い温度において、前記再生層及
び前記記録層のトータル磁化の極大値が存在するもので
ある。

【００１２】請求項３に記載の光磁気記録媒体は、請求
項２に記載の光磁気記録媒体において、前記再生層及び
前記記録層のトータル磁化の極大値が略等しいものであ
る。

【００１３】請求項４に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１乃至請求項３のいずれかに記載の光磁気記録媒体に
おいて、前記面内磁化層と前記記録層との間に非磁性層
が設けられているものである。

【００１４】請求項５に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１乃至請求項３のいずれかに記載の光磁気記録媒体に
おいて、前記面内磁化層と前記記録層との間に、キュリ
ー温度がＴｃ２より高くＴｃ１及びＴｃ３より低い面内
磁化を示す第２の面内磁化層が設けられているものであ
る。

【００１５】請求項６に記載の光磁気記録媒体は、請求
項５に記載の光磁気記録媒体において、第２の面内磁化
層と前記記録層との間に非磁性層が設けられているもの
である。

【００１６】請求項７に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１乃至請求項３のいずれかに記載の光磁気記録媒体に
おいて、前記面内磁化層と前記記録層との間に、キュリ
ー温度がＴｃ２より高くＴｃ１及びＴｃ３より低く、前
記記録層の磁気的極性が異なる垂直磁化を示す磁束調整
層が設けられているものである。

【００１７】請求項８に記載の光磁気記録媒体は、請求
項７に記載の光磁気記録媒体において、前記磁束調整層
と前記面内磁化層との間に非磁性層が設けられているも
のである。

【００１８】請求項９に記載の再生装置は、請求項１乃
至請求項８のいずれかに記載の光磁気記録媒体の前記記
録層に記録された磁化情報を再生する再生装置であっ
て、再生時に、前記光磁気記録媒体にレーザ光を照射し
て、前記面内磁化層をそのキュリー温度以上に加熱する
手段を有してなるものである。

【００１９】請求項１０に記載の再生装置は、請求項３
に記載の光磁気記録媒体の前記記録層に記録された磁化
情報を再生する再生装置であって、再生時に、前記光磁
気記録媒体にレーザ光を照射して、前記再生層及び前記
記録層を、それらのトータル磁化が極大となる温度近傍
まで加熱する手段を有してなるものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の再生原理を図面を
用いて詳細に説明する。

【００２１】図１は、本発明の光磁気記録媒体における
再生時の状態を示す平面図であり、図２はその断面図で
ある。

【００２２】本発明の光磁気記録媒体は、希土類遷移金
属合金の垂直磁化膜からなる再生層１と、キュリー温度
未満の温度範囲において面内磁化状態である面内磁化層
２と、希土類遷移金属合金の垂直磁化膜からなる記録層
３が順次積層されている。

【００２３】再生層１，面内磁化層２，記録層３のキュ
リー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３としたと
き、Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３が成立する。

【００２４】面内磁化層２は、室温からキュリー温度Ｔ
ｃ２まで面内磁化を示す。この面内磁化層２は、キュリ
ー温度未満の温度範囲では、再生層１と交換結合し、垂
直磁化膜である再生層１を面内磁化状態とする。これに
より、再生層１において面内磁化マスクが形成される。
この面内磁化マスク領域に位置する記録磁区９は、光ビ
ーム４により再生されることはない。

【００２５】一方、面内磁化層２におけるキュリー温度
Ｔｃ２以上に温度上昇した再生温度領域６においては、
交換結合により再生層１を面内磁化状態としていた面内
磁化層２の磁化が存在しなくなるため、再生層１は垂直
磁化状態となる。

【００２６】再生層１は、この再生温度領域６において
安定に存在し得る磁区の幅が光ビームスポット５の直径
と同程度の大きさ、または、それ以上の大きさになるよ
うに、磁気特性が設定されている。したがって、再生温
度領域６においては、磁壁の存在しない状態、すなわ
ち、すべての磁化が同一方向を向いた単磁区状態が最も
安定な状態となる。なお、この再生温度領域６は、図１
に示すように、光磁気記録媒体が移動するため、光ビー
ムスポット５の後方に位置している。

【００２７】記録層３のトータル磁化は、光ビーム４の
照射により形成される温度分布に応じてその大きさが変
化する。そして、記録層３からは、そのトータル磁化の
大きさに比例して漏洩磁束が発生する。記録層３は、結
合温度領域７（図１参照）において極大の漏洩磁束が発
生するように、磁気特性が設定されている。

【００２８】このような光磁気記録媒体は以下のように
して再生される。再生時には、再生装置における光照射
手段が、光磁気記録媒体に光ビーム４を照射して、光磁
気記録媒体を少なくとも結合温度領域７を形成できる程
度にまで加熱する。

【００２９】これにより、図１，２のように、その結合
温度領域７に存在する記録層３の記録磁区８から大きな
漏洩磁束が発生し、結合温度領域７内の記録磁区８の磁
化の向きが再生層１に転写される。さらに、再生温度領
域６において、再生層１は単磁区状態となるべく磁気特
性が設定されているため、再生層１における再生温度領
域６内全体の磁化の向きが、記録層３の記録磁区８の磁
化の向きに揃えられる。つまり、記録層３の磁化情報が
再生層１に拡大転写される。

【００３０】そして、光ビームスポット５の内側で、か
つ、再生温度領域６の内側である領域１０から、再生信
号が反射光として出現し、図示していない光ピックアッ
プ等により再生される。

【００３１】次に、図３，４に示すように、光磁気記録
媒体の移動に伴い、結合温度領域７が記録磁区８と記録
磁区９との間に移動した場合、記録層３からは下向きの
大きな漏洩磁束が発生することになり、再生層１がこの
下向きの漏洩磁束と静磁結合し、記録層３に存在する下
向き磁化が再生層１へと拡大転写されることにより、再
生層１における再生温度領域６の磁化の向きは、図２と
逆方向を向くことになる。

【００３２】このように、本発明の光磁気記録媒体で
は、再生温度領域６内に存在する１つの磁化情報（結合
温度領域７内に存在する磁化情報）のみが再生層１に拡
大転写され、再生温度領域６内に単磁区状態の大きな磁
区を形成するため、光ビームスポット５内の他の磁化情
報（図２中の８ａ，８ｂ，図４中の８，９）の影響を抑
制できる。よって、光の回折限界以下の周期の信号を記
録層３に記録した場合においても、再生信号振幅を低下
させることなく、その信号を再生することが可能とな
る。

【００３３】なお、上記した磁化情報の拡大転写を円滑
に行うためには、再生層１も、記録層３と同様に、室温
から温度上昇とともにトータル磁化が大きくなり上記結
合温度領域７において十分な大きさのトータル磁化を有
するように磁気特性を設定しておくことが望ましい。こ
のようにすれば、図１に示すように、結合温度領域７に
記録磁区８が存在する場合、この結合温度領域７に位置
する記録磁区８から発生する大きな漏洩磁束と、結合温
度領域７における再生層１の大きなトータル磁化とが静
磁結合して、記録層３における１つの磁区における磁化
の方向のみの影響を受けて、再生層１に大きな磁区を形
成することが容易となる。

【００３４】この場合、再生層１と記録層３とは、少な
くとも再生温度領域６において、希土類金属（ＲＥ）モ
ーメントと遷移金属（ＴＭ）モーメントとが釣り合う補
償組成に対して、ＴＭモーメントを多く含むＴＭｒｉｃ
ｈ組成であることが必要となる。図２及び図４において
は、再生層１と記録層３の磁化状態をＴＭモーメントの
向きで表しているが、両層ともＴＭｒｉｃｈ組成であ
り、このＴＭモーメントの向きとトータル磁化の向きは
同一である。

【００３５】さらに、上記のように、再生層１と記録層
３をともに上記結合温度領域７において十分な大きさの
トータル磁化を有するように磁気特性を設定した場合に
おいて、両者におけるトータル磁化が極大となる温度を
略一致させておき、再生装置の光照射手段によって、再
生時にその温度近傍まで光磁気記録媒体を加熱するよう
にすれば、より円滑な拡大再生動作を実現できる。

【００３６】〔第１の実施の形態〕本発明の実施の形態
について、図面に基づいて説明すれば以下の通りであ
る。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁気デ
ィスクを適用した場合について説明する。

【００３７】本発明の光磁気記録媒体は、図５に示すよ
うに、光磁気ディスク基板１１上に透明誘電体保護層１
２、再生層１、面内磁化層２、記録層３、保護層１３が
順次形成された構成を有している。

【００３８】このような光磁気ディスクでは、その記録
方式としてキュリー温度記録方式が用いられており、半
導体レーザから出射される光ビーム４が基板１１及び透
明誘電体保護層１２を通して、再生層１へ絞りこまれ、
記録層３をキュリー温度以上に温度上昇させると共に外
部磁界を加えることにより、記録層３の磁化方向を制御
することにより記録が行われる。また、再生は、同一光
ビーム４を記録時よりも弱いパワーに設定し、極カー効
果として知られる光磁気効果によって、情報の再生が行
われるようになっている。上記極カー効果とは、光入射
表面に垂直な磁化の向きにより、反射光の偏光面の回転
の向きが逆方向になる現象である。

【００３９】基板１１は、例えばポリカーボネート等の
透明な基材からなり、ディスク状に形成され、膜形成表
面に光ビーム４を導く案内溝等を有している。本発明に
おいて、該案内溝はランド部分のみまたは案内溝部分の
みに記録を行なうための案内溝であっても良く、また、
ランド部分及び案内溝部分の両方に記録を行なうための
案内溝であっても良い。

【００４０】透明誘電体保護層１２は、ＡｌＮ，Ｓｉ
Ｎ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ₂Ｏ₃等の透明誘電体を用いること
が望ましく、その膜厚は、入射する光ビーム４に対し
て、良好な干渉効果が実現し、媒体の極カー回転角が増
大すべく設定される必要があり、光ビーム４の波長を
λ、透明誘電体保護層１２の屈折率をｎとした場合、透
明誘電体保護層１２の膜厚は（λ／（４ｎ））程度に設
定される。例えば、光ビーム４の波長を６８０ｎｍとし
た場合、透明誘電体保護層１２の膜厚を４０ｎｍ〜１０
０ｎｍ程度に設定すれば良い。

【００４１】再生層１は、ＴＭｒｉｃｈ組成の垂直磁化
膜であり、再生温度近傍の温度において、再生層１にお
いて存在し得る安定な磁区の幅が、再生のために照射さ
れる光ビームスポット５の直径と同程度以上の大きさ
か、または、それ以上の大きさになるようその磁気特性
が設定されている。さらに、面内磁化層２と交換結合す
ることにより、面内磁化層２のキュリー温度未満の領域
において、再生層１が面内磁化状態となる特性を有する
ものである。

【００４２】再生層１のキュリー温度Ｔｃ１は、２００
℃以上３６０℃以下であることが望ましい。Ｔｃ１＜２
００℃においては、再生層１のキュリー温度低下にとも
なうカー回転角の低下が顕著となり、再生信号強度が低
下し、良好な再生特性が得られなくなるとともに、再生
層１のトータル磁化が小さくなることにより、記録層３
との静磁結合が不安定となるため再生信号品質が劣化し
てしまう。Ｔｃ１＞３６０℃においては、再生層１のキ
ュリー温度が上昇することにより、記録層３のキュリー
温度近傍において、再生層１が大きな磁化を有すること
となり、再生層１から発生する漏洩磁束が記録特性に影
響を及ぼし、記録磁界が増大するとともに、記録ノイズ
が上昇し再生信号品質が劣化してしまう。

【００４３】また、再生層１の膜厚は、２０以上８０ｎ
ｍ以下の範囲に設定されていることが望ましい。再生層
１の膜厚が２０ｎｍより薄くなると、光ビームが再生層
１を透過して面内磁化層２において反射されることによ
り、実際に再生層１を通過して帰ってくる光量が少なく
なり、再生信号強度が低下し、再生信号品質が劣化して
しまう。また、再生層１の膜厚が８０ｎｍより厚くなる
と、膜厚増加による記録感度劣化が顕著となってくる。

【００４４】上記磁気特性を満足する再生層１として
は、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＮｄＦｅＣｏ等の材
料からなる垂直磁化膜を採用することが可能である。

【００４５】面内磁化層２は、希土類遷移金属合金から
なる面内磁化膜からなり、少なくとも、そのキュリー温
度が、再生層１及び記録層３のキュリー温度よりも低く
設定されている。面内磁化層２のキュリー温度Ｔｃ２
は、４０℃以上１４０℃以下であることが望ましい。Ｔ
ｃ２＜４０℃においては、面内磁化層２のキュリー温度
が低くなり過ぎることにより、面内磁化層２の磁化が小
さくなることにより、再生層１の温度上昇していない部
分において、安定した面内磁化状態を維持することが困
難となり、再生信号品質が劣化してしまう。Ｔｃ１＞１
４０℃においては、高い温度領域まで再生層１の面内磁
化状態が維持され、磁区拡大する領域が狭くなり、再生
信号強度が低下し、信号品質が劣化してしまう。また、
面内磁化層２の膜厚は４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲
に設定されていることが望ましい。面内磁化層２の膜厚
が４０ｎｍより薄くなると、記録層３からの交換結合力
が面内磁化層２を介して再生層１へと伝わることによ
り、再生層１の温度上昇していない部分において、安定
した面内磁化状態を維持することが困難となり、再生信
号品質が劣化してしまう。また、面内磁化層２の膜厚が
８０ｎｍより厚くなると、膜厚増加による記録感度劣化
が顕著となってくる。

【００４６】上記磁気特性を満足する面内磁化層２とし
ては、ＧｄＦｅ、及び、ＧｄＦｅＤ、または、ＧｄＦｅ
ＣｏＤ（Ｄは、Ｙ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓ
ｉ，Ａｌの中から選ばれる元素、または、それら２種類
以上の元素からなる。）、及び、ＧｄＨＲＦｅ、また
は、ＧｄＨＲＦｅＣｏ、または、ＧｄＨＲＦｅＣｏＤ
（ＨＲは重希土類金属であり、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ
の中から選ばれる元素、または、それら２種類以上の元
素からなる。一方、Ｄは、Ｙ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｐｄ，
Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ａｌの中から選ばれる元素、また
は、それら２種類以上の元素からなる。）、及び、Ｇｄ
ＬＲＦｅ、または、ＧｄＬＲＦｅＣｏ、または、ＧｄＬ
ＲＦｅＣｏＤ（ＬＲは軽希土類金属であり、Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｓｍの中から選ばれる元素、または、それら
２種類以上の元素からなる。一方、Ｄは、Ｙ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，Ａｌの中から選ば
れる元素、または、それら２種類以上の元素からな
る。）等の材料からなる面内磁化膜を採用することが可
能である。

【００４７】記録層３は、希土類遷移金属合金からなる
垂直磁化膜からなり、そのキュリー温度が、少なくとも
面内磁化層２のキュリー温度よりも高く設定されてい
る。記録層３のキュリー温度Ｔｃ３は、１８０℃以上３
００℃以下であることが望ましい。Ｔｃ３＜１８０℃に
おいては、記録層３のキュリー温度が低くなり過ぎるこ
とにより、再生時、面内磁化層２をキュリー温度以上に
加熱し、記録磁区８を再生層１へと拡大転写する際、わ
ずかな温度上昇により記録層３がキュリー温度以上に加
熱され、記録された情報が失われることになり、再生パ
ワーマージンが狭くなってしまうとともに、記録層３の
キュリー温度低下に伴い、記録層３から発生する漏洩磁
束が小さくなり、再生層１と記録層３との安定な静磁結
合状態を維持することが困難となり、再生信号品質が劣
化してしまう。Ｔｃ３＞３００℃においては、記録を行
なうために、記録層３を３００℃以上に加熱する必要が
あり、記録感度劣化が顕著となってくるとともに、再生
層１及び面内磁化層２及び記録層３が３００℃以上に加
熱されることにより、各磁性層の磁気特性が劣化し、記
録消去にともない再生信号品質が劣化してしまう。ま
た、記録層３の膜厚は３０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の範
囲に設定されていることが望ましい。記録層３の膜厚が
３０ｎｍより薄くなると、記録層３が発生する漏洩磁束
が小さくなり、再生層１と記録層３との安定な静磁結合
状態を維持することが困難となり、再生信号品質が劣化
してしまう。また、記録層３の膜厚が１２０ｎｍより厚
くなると、膜厚増加による記録感度劣化が顕著となって
くる。

【００４８】上記磁気特性を満足する記録層３として
は、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＤ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＤ、ＤｙＦｅＤ、ＤｙＦｅＣｏＤ、ＴｂＤｙ
ＦｅＤ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＤ（Ｄは、Ｙ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ａｌの中から選ばれる元素、ま
たは、それら２種類以上の元素からなる。）等の材料か
らなる垂直磁化膜を採用することが可能である。

【００４９】保護層１３は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉ
Ｎ，Ｔａ₂Ｏ₃等の透明誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔ
ａ，Ｎｉ等の金属からなる非磁性金属合金からなり、再
生層１及び面内磁化層２及び記録層３に用いる希土類遷
移金属合金の酸化を防止する目的で形成されるものであ
り、その膜厚が５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定されてい
る。

【００５０】また、この構成に、更に、Ａｌ、ＡｌＴ
ａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。更に、場合によっ
ては、保護層１３上、または、上記熱拡散層上に紫外線
硬化樹脂または熱硬化樹脂または潤滑層が形成されるこ
ともある。

【００５１】また、低磁界記録を目的として、記録層３
に接して、記録層３の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層３のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有す
る垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記録補助
層を積層して形成しても良い。

【００５２】（実施例１）次に、この構成の光磁気ディ
スクの形成方法及び記録再生方法の具体例を説明する。

【００５３】（１） 光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。まず、ＡｌターゲットとＧｄＦｅＣｏ合金ターゲッ
トとＧｄＦｅＳｉ合金ターゲットとＴｂＦｅＣｏ合金タ
ーゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内に、案内溝
を有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基
板１１を配置する。そして、スパッタ装置内を１×１０
^-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合
ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス
圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記基板１１上にＡｌ
Ｎからなる透明誘電体保護層１２を膜厚８０ｎｍで形成
する。

【００５４】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０^-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記透明誘電体保護
層１２上に、Ｇｄ_0.25（Ｆｅ_0.88Ｃｏ_0.12）_0.75からな
る再生層１を膜厚４０ｎｍで形成する。その再生層１
は、補償温度が０℃であり、キュリー温度が２８０℃で
あった。また、再生層１のみを成膜して保護膜を形成し
て磁化状態を調べた結果、室温からそのキュリー温度ま
で、常に、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁
化膜であった。

【００５５】次に、引き続き、ＧｄＦｅＳｉ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記再生層１上に、（Ｇｄ_0.37Ｆｅ_0.63）_0.80Ｓ
ｉ_0.20からなる面内磁化層２を膜厚６０ｎｍで形成す
る。その面内磁化層２は、キュリー温度が８０℃であ
り、室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対し
て水平方向に磁化を有する面内磁化膜であった。

【００５６】次に、引き続き、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記面内磁化層２上に、Ｔｂ_0.26（Ｆｅ_0.84Ｃｏ
_0.16）_0.74からなる記録層３を膜厚６０ｎｍで形成す
る。その記録層３は、補償温度が５０℃、キュリー温度
が２６０℃であり、室温からそのキュリー温度まで、常
に、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜で
あった。

【００５７】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録層３上にＡｌＮからなる
保護層１３を膜厚２０ｎｍで形成する。

【００５８】ここで、透明誘電体保護層１２、再生層
１、面内磁化層２、記録層３、保護層１３を積層した状
態で再生層１の磁化状態を調べた結果、室温から面内磁
化層２のキュリー温度まで面内磁化状態であり、面内磁
化層２のキュリー温度以上の温度において垂直磁化状態
となっていることが確認された。

【００５９】次に、図６は、各磁性層のトータル磁化の
温度依存性を示す図である。面内磁化層２のトータル磁
化は、そのキュリー温度（８０℃）まで存在している。
よって、８０℃まで、再生層１は面内磁化層２と交換結
合することにより面内磁化状態となる。また、再生層１
と記録層３とは、再生温度領域６においてＴＭｒｉｃｈ
組成であり、そのトータル磁化の大きさは、結合温度領
域７において最大となる。再生層１と記録層３のトータ
ル磁化が大きくなることにより、この結合温度領域７に
おいて、再生層１と記録層３とが強く静磁結合し、記録
層３の磁化情報が再生層１へと転写され、さらに、再生
温度領域６において再生層１において安定に存在しうる
磁区の幅が光ビームスポット５の直径と同程度の大き
さ、または、それ以上の大きさになるように再生層１の
磁気特性を設定されているため、再生温度領域６におい
て磁壁の存在しない状態、すなわち、すべての磁化が同
一方向を向いた単磁区状態をもっとも安定な状態とする
ことが可能となり、結合温度領域７において、再生層１
へと転写された磁化状態は、再生温度領域６全体へと拡
大転写されることになる。

【００６０】（２） 記録再生特性 上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条
件で評価した結果について説明する。

【００６１】まず、記録再生用レーザを６ｍＷで連続照
射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調すること
により、記録層３に記録磁界の向きに対応した上向き磁
化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。記録
磁界の変調周波数を変えることにより、０．１〜０．５
μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを記録した。ここ
で、マーク長とは、マーク長に対応する長さの記録磁区
をマーク長の２倍の長さのピッチで形成していることを
意味する。

【００６２】次に、記録再生用レーザを２．５ｍＷで連
続照射して測定したキャリアレベル（信号強度レベル）
のマーク長依存性を実施例１として図７に示す。

【００６３】比較のため、従来技術の図３０及び図３１
において説明した特開平９−３２０１３４号公報に記載
の光磁気記録媒体のキャリアレベルのマーク長依存性を
比較例１として図７に示す。

【００６４】比較例１は、透明誘電体層として、膜厚８
０ｎｍのＡｌＮを用い、再生層として、室温においてＲ
Ｅｒｉｃｈ組成であり、膜厚４０ｎｍのＧｄ_0.30（Ｆｅ
_0.80Ｃｏ_0.20）_0.70を用い、面内磁化層として、膜厚２
０ｎｍの（Ｇｄ_0.11Ｆｅ_0.89）_0.75Ａｌ_0.25を用い、非
磁性中間層として、膜厚４ｎｍのＡｌＮを用い、記録層
として、膜厚４０ｎｍの（Ｇｄ_0.50Ｄｙ_0.50）_0.23（Ｆ
ｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.77を用い、保護層として、膜厚２０
ｎｍのＡｌＮを用いた光磁気記録媒体である。

【００６５】比較例１は実施例１と膜厚構成及び記録層
のキュリー温度が異なるため、記録レーザパワーを６．
２ｍＷとし、再生レーザパワーを２．０ｍＷとして評価
を行なっている。

【００６６】従来技術において説明したように、比較例
１においては、記録磁区ａ８がそのままの大きさで再生
層ａ１へと転写されることにより、マーク長が短くなる
と、キャリアレベルが急激に小さくなって行くのに対し
て、実施例１においては、記録磁区８が拡大されて再生
層１へと転写されることにより、比較例１のキャリアレ
ベルに比べて相対的に大きなキャリアレベルが得られる
とともに、マーク長減少にともなうキャリアレベルの減
少が比較的緩やかとなり、短いマーク長においても大き
なキャリアレベルが得られていることがわかる。

【００６７】〔第２の実施の形態〕本発明の第２の実施
の形態について、図面に基づいて説明すれば以下の通り
である。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁
気ディスクを適用した場合について説明する。

【００６８】図８，図９は、第２の実施の形態における
再生時の状態を示す平面図と断面図である。第２の実施
の形態は、図１及び図２に示す第１の実施の形態におけ
る面内磁化層２と記録層３との間に非磁性層１４が設け
られている。

【００６９】記録層３に形成された記録磁区８が、再生
層１へと拡大転写され、光ビーム４により再生される原
理は、第１の実施の形態と同じである。

【００７０】第２の実施の形態においては、非磁性層１
４を有しており、面内磁化層２と記録層３との交換結合
が完全に遮断されることにより、面内磁化層２のキュリ
ー温度以下の領域において、より薄い膜厚の面内磁化層
２を用いて、再生層１における面内磁化状態をより安定
して維持することが可能となる。

【００７１】本実施の形態の光磁気記録媒体は、図１０
に示すように、光磁気ディスク基板１１上に透明誘電体
保護層１２、再生層１、面内磁化層２、非磁性層１４、
記録層３、保護層１３が順次形成された構成を有してい
る。

【００７２】第２の実施の形態においては、面内磁化層
２の膜厚は５ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定するこ
とが望ましい。面内磁化層２の膜厚が５ｎｍより薄くな
ると、面内磁化層２が薄くなりすぎることにより、再生
層１の温度上昇していない部分において、安定した面内
磁化状態を維持することが困難となり、再生信号品質が
劣化してしまう。また、面内磁化層２の膜厚が８０ｎｍ
より厚くなると、膜厚増加による記録感度劣化が顕著と
なってくる。

【００７３】また、非磁性層１４は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，
ＡｌＳｉＮ，Ｔａ₂Ｏ₃等の透明誘電体、または、Ａｌ，
Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｉ等の金属からなる非磁性金属合金から
なり、再生層１及び面内磁化層２と記録層３との交換結
合を遮断する目的で形成されるものであり、その膜厚が
０．５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲に設定されることが
望ましい。非磁性層１４の膜厚が０．５ｎｍより小さく
なると、再生層１及び面内磁化層２と記録層３との交換
結合を安定して遮断することが困難となり、再生信号品
質が劣化してしまう。また、非磁性層１４の膜厚が４０
ｎｍより大きくなると、再生層１と記録層３との間隔が
大きくなり過ぎることにより、再生層１と記録層３との
安定した静磁結合状態を維持することが困難となり、再
生信号品質が劣化してしまう。

【００７４】また、この構成に、更に、Ａｌ、ＡｌＴ
ａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。更に、場合によっ
ては、保護層１３上、または、上記熱拡散層上に紫外線
硬化樹脂または熱硬化樹脂または潤滑層が形成されるこ
ともある。

【００７５】また、低磁界記録を目的として、記録層３
に接して、記録層３の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層３のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有す
る垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記録補助
層を積層して形成しても良い。

【００７６】（実施例２）次に，この構成の光磁気ディ
スクの形成方法及び記録再生方法の具体例を説明する。

【００７７】（１） 光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。まず、ＡｌＳｉ合金ターゲットとＧｄＦｅＣｏ合金
ターゲットとＧｄＦｅＳｉ合金ターゲットとＴｂＦｅＣ
ｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内
に、案内溝を有しディスク状に形成されたポリカーボネ
ート製の基板１１を配置する。そして、スパッタ装置内
を１×１０^-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと
窒素の混合ガスを導入し、ＡｌＳｉターゲットに電力を
供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記基
板１１上にＡｌＳｉＮからなる透明誘電体保護層１２を
膜厚８０ｎｍで形成する。

【００７８】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０^-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記透明誘電体保護
層１２上に、Ｇｄ_0.25（Ｆｅ_0.88Ｃｏ_0.12）_0.75からな
る再生層１を膜厚４０ｎｍで形成する。その再生層１
は、垂直磁化膜であり、その補償温度が０℃であり、そ
のキュリー温度が２８０℃であった。また、再生層１の
みを成膜して保護膜を形成して磁化状態を調べた結果、
室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対して垂
直方向に磁化を有する垂直磁化膜であった。

【００７９】次に、引き続き、ＧｄＦｅＳｉ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記再生層１上に、（Ｇｄ_0.37Ｆｅ_0.63）_0.80Ｓ
ｉ_0.20からなる面内磁化層２を膜厚２０ｎｍで形成す
る。その面内磁化層２は、キュリー温度が８０℃であ
り、室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対し
て水平方向に磁化を有する面内磁化膜であった。

【００８０】次に、引き続き、ＡｌＳｉ合金ターゲット
に電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記面内磁化層２上にＡｌＳｉからなる非磁性層１
４を膜厚３ｎｍで形成する。

【００８１】次に、引き続き、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記面内磁化層２上に、Ｔｂ_0.26（Ｆｅ_0.84Ｃｏ
_0.16）_0.74からなる記録層３を膜厚６０ｎｍで形成す
る。その記録層３は、補償温度が５０℃、キュリー温度
が２６０℃であり、室温からそのキュリー温度まで、常
に、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜で
あった。

【００８２】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、ＡｌＳｉ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録層３上にＡｌＳ
ｉＮからなる保護層１３を膜厚２０ｎｍで形成する。

【００８３】ここで、透明誘電体保護層１２、再生層
１、面内磁化層２、非磁性層１４、記録層３、保護層１
３を積層した状態で再生層１の磁化状態を調べた結果、
室温からその面内磁化層２のキュリー温度まで面内磁化
状態であり、面内磁化層２のキュリー温度以上の温度に
おいて垂直磁化状態となっていることが確認された。

【００８４】（２） 記録再生特性 上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条
件で評価した結果について説明する。

【００８５】まず、記録再生用レーザを５．５ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより記録層３に、記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
記録磁界の変調周波数を変えることにより、０．１〜
０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを記録し
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。

【００８６】次に、記録再生用レーザを２．２ｍＷで連
続照射して測定したキャリアレベル（信号強度レベル）
のマーク長依存性を実施例２として図１１に示す。

【００８７】比較のため、実施例１及び比較例１のキャ
リアレベルのマーク長依存性を図１１に示す。ここで、
比較例１と実施例１については、第１の実施の形態にお
いて説明した記録再生条件で評価を行なっている比較例
１と実施例１のキャリアレベルの差については、第１の
実施の形態において説明した通りである。実施例２のキ
ャリアレベルを見ると、実施例１とほぼ同程度のキャリ
アレベルの得られていることがわかる。実施例２におい
ても、実施例１と同様に、記録磁区８が拡大されて再生
層１へと転写されることにより、比較例１のキャリアレ
ベルに比べて相対的に大きなキャリアレベルが得られる
とともに、マーク長減少にともなうキャリアレベルの減
少が比較的緩やかとなり、短いマーク長においても比較
的大きなキャリアレベルが得られていることがわかる。

【００８８】このように、面内磁化層２と記録層３との
間に非磁性層１４を形成することにより、面内磁化層２
の膜厚を相対的に薄くすることが可能となり、再生層１
と記録層３とが近づくことにより、再生層１と記録層３
との間により強い静磁結合力が働き、より安定した再生
を行なうことができるとともに、相対的に低いレーザパ
ワーでの記録再生を実現することができる。

【００８９】〔第３の実施の形態〕本発明の第３の実施
の形態について、図面に基づいて説明すれば以下の通り
である。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁
気ディスクを適用した場合について説明する。

【００９０】図１２及び図１３は、第３の実施の形態に
おける再生時の状態を示す平面図と断面図である。第３
の実施の形態は、図１及び図２に示す第１の実施の形態
における面内磁化層２と記録層３との間に、面内磁化層
２のキュリー温度よりも高いキュリー温度であり、か
つ、再生層１及び記録層３のキュリー温度よりも低いキ
ュリー温度である第２の面内磁化層１５が設けられてい
る。

【００９１】第１の実施の形態においては、結合温度領
域７において、記録層３から発生する漏洩磁束と再生層
１とが強く静磁結合し、再生層１に転写された磁区が、
再生温度領域６において拡大再生されなくてはならな
い、しかし、図６を見るとわかるように、記録層３のト
ータル磁化は、結合温度領域７まで温度上昇する過程に
おいて、徐々に大きくなっている。すなわち、記録層３
から発生する漏洩磁束は、結合温度領域７において最大
となるが、結合温度領域７の温度以下の温度においても
存在しており、結合温度領域７の温度以下の温度におい
て、再生層１と記録層３とが静磁結合することにより、
再生温度領域６における安定した拡大再生が阻害され、
再生信号品質が劣化することになる。

【００９２】第３の実施の形態においては、図１３に示
すように、結合温度領域７においてキュリー温度以上と
なる第２の面内磁化層１５を設けることにより、結合温
度領域７の温度以下の温度において発生する漏洩磁束を
抑制する。そして、結合温度領域７のみにおいて、記録
層３から発生する漏洩磁束と再生層１とを強く静磁結合
させることにより、再生層１の再生温度領域６におい
て、安定した磁区拡大再生を実現することが可能とな
る。

【００９３】本発明の光磁気記録媒体は、図１４に示す
ように、光磁気ディスク基板１１上に透明誘電体保護層
１２、再生層１、面内磁化層２、第２の面内磁化層１
５、記録層３、保護層１３が順次形成された構成を有し
ている。

【００９４】第３の実施の形態における透明誘電体保護
層１２、再生層１、面内磁化層２、記録層３、保護層１
３は、第１の実施の形態と同じ材料を用いることが可能
である。

【００９５】第２の面内磁化層１５は、希土類遷移金属
合金からなる磁性膜からなり、少なくとも、そのキュリ
ー温度が、面内磁化層２のキュリー温度よりも高く、か
つ、再生層１及び記録層３のキュリー温度よりも低く設
定されている。第２の面内磁化層１５のキュリー温度Ｔ
ｃ１５は、１００℃以上２２０℃以下であることが望ま
しい。Ｔｃ２＜１００℃においては、第２の面内磁化層
１５のキュリー温度が低くなり、第２の面内磁化層１５
の磁化が小さくなることにより、結合温度領域７の温度
以下の温度において、記録層３から発生する漏洩磁束を
抑制することが困難となり、安定した磁区拡大再生をお
こなうという特性改善の効果を期待することができな
い。Ｔｃ１＞２２０℃においては、第２の面内磁化層１
５のキュリー温度と記録層３のキュリー温度が近接する
ことにより、記録層３から発生する漏洩磁束が比較的高
い温度まで抑制されることになる。そのため、結合温度
領域７における再生層１と記録層３との静磁結合力が極
めて弱くなり、再生層１への記録磁区の転写が不安定と
なり再生信号品質が劣化する。

【００９６】また、面内磁化層２と第２の面内磁化層１
５の膜厚は、面内磁化層２の膜厚が５ｎｍ以上であり、
かつ、第２の面内磁化層１５の膜厚が４０ｎｍ以上であ
り、かつ、面内磁化層２と第２の面内磁化層１５のトー
タル膜厚が８０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが
望ましい。第２の面内磁化層１５の膜厚が４０ｎｍより
薄くなると、記録層３から働く交換結合力により、第２
の面内磁化層１５を安定した面内磁化状態を維持するこ
とが困難となり、結合温度領域７の温度以下の温度にお
いて、記録層３から発生する漏洩磁束を効果的に抑制す
ることができず、安定した磁区拡大再生をおこなうとい
う特性改善の効果を期待することができなくなる。ま
た、面内磁化層２の膜厚が５ｎｍより薄くなると、再生
層１及び第２の面内磁化層１５による磁気的結合の影響
を受け、面内磁化層２のキュリー温度を安定して制御す
ることが困難となる。すなわち、よりキュリー温度の高
い再生層１と第２の面内磁化層１５との間に極めて薄い
面内磁化層２が挟まれることにより、実質的な面内磁化
層２のキュリー温度が高くなり、再生温度領域６が狭く
なることにより、再生信号強度が低下してしまう。ま
た、面内磁化層２と第２の面内磁化層１５のトータル膜
厚が８０ｎｍより厚くなると、膜厚増加による記録感度
劣化が顕著となってくる。

【００９７】上記磁気特性を満足する第２の面内磁化層
１５としては、ＧｄＦｅ、及び、ＧｄＦｅＣｏ、また
は、ＧｄＦｅＤ、または、ＧｄＦｅＣｏＤ（Ｄは、Ｙ，
Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ａｌの中から選ば
れる元素、または、それら２種類以上の元素からな
る。）、及び、ＧｄＨＲＦｅ、または、ＧｄＨＲＦｅＣ
ｏ、または、ＧｄＨＲＦｅＣｏＤ（ＨＲは重希土類金属
であり、Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒの中から選ばれる元
素、または、それら２種類以上の元素からなる。一方、
Ｄは、Ｙ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｓｉ，
Ａｌの中から選ばれる元素、または、それら２種類以上
の元素からなる。）、及び、ＧｄＬＲＦｅ、または、Ｇ
ｄＬＲＦｅＣｏ、または、ＧｄＬＲＦｅＣｏＤ（ＬＲは
軽希土類金属であり、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍの中から
選ばれる元素、または、それら２種類以上の元素からな
る。一方、Ｄは、Ｙ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ａｌの中から選ばれる元素、または、それら
２種類以上の元素からなる。）等の材料からなる面内磁
化膜を採用することが可能である。

【００９８】また、この構成に、更に、Ａｌ、ＡｌＴ
ａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。更に、場合によっ
ては、保護層１３上、または、上記熱拡散層上に紫外線
硬化樹脂または熱硬化樹脂または潤滑層が形成されるこ
ともある。

【００９９】また、低磁界記録を目的として、記録層３
に接して、記録層３の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層３のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有す
る垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記録補助
層を積層して形成しても良い。

【０１００】（実施例３）次に、この構成の光磁気ディ
スクの形成方法及び記録再生方法の具体例を説明する。

【０１０１】（１） 光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。まず、ＡｌＳｉ合金ターゲットとＧｄＦｅＣｏ合金
ターゲットとＧｄＦｅＳｉ合金ターゲットＧｄＦｅ合金
ターゲットとＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ
備えたスパッタ装置内に、案内溝を有しディスク状に形
成されたポリカーボネート製の基板１１を配置する。そ
して、スパッタ装置内を１×１０^-6Ｔｏｒｒまで真空排
気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、ＡｌＳ
ｉ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3
Ｔｏｒｒの条件で、上記基板１１上にＡｌＳｉＮからな
る透明誘電体保護層１２を膜厚８０ｎｍで形成する。

【０１０２】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０^-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記透明誘電体保護
層１２上に、Ｇｄ_0.25（Ｆｅ_0.88Ｃｏ_0.12）_0.75からな
る再生層１を膜厚４０ｎｍで形成する。その再生層１
は、垂直磁化膜であり、その補償温度が０℃であり、そ
のキュリー温度が２８０℃であった。また、再生層１の
みを成膜して保護膜を形成して磁化状態を調べた結果、
室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対して垂
直方向に磁化を有する垂直磁化膜であった。

【０１０３】次に、引き続き、ＧｄＦｅＳｉ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記再生層１上に、（Ｇｄ_0.37Ｆｅ_0.63）_0.80Ｓ
ｉ_0.20からなる面内磁化層２を膜厚１０ｎｍで形成す
る。その面内磁化層２は、キュリー温度が８０℃であ
り、室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対し
て水平方向に磁化を有する面内磁化膜であった。

【０１０４】次に、引き続き、ＧｄＦｅ合金ターゲット
に電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記面内磁化層２上にＧｄ_0.13Ｆｅ_0.87からなる第
２の面内磁化層１５を膜厚５０ｎｍで形成する。その第
２の面内磁化層１５は、キュリー温度が１４０℃であ
り、室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対し
て水平方向に磁化を有する面内磁化膜であった。

【０１０５】次に、引き続き、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記第２の面内磁化層１５上に、Ｔｂ_0.26（Ｆｅ
_0.84Ｃｏ_0.16）_0.74からなる記録層３を膜厚６０ｎｍで
形成する。その記録層３は、補償温度が５０℃、キュリ
ー温度が２６０℃であり、室温からそのキュリー温度ま
で、常に、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁
化膜であった。

【０１０６】次にアルゴンと窒素の混合ガスを導入し、
ＡｌＳｉ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×
１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録層３上にＡｌＳｉＮ
からなる保護層１３を膜厚２０ｎｍで形成する。

【０１０７】ここで、透明誘電体保護層１２、再生層
１、面内磁化層２、第２の面内磁化層１５、記録層３、
保護層１３を積層した状態で再生層１の磁化状態を調べ
た結果、室温から面内磁化層２のキュリー温度まで面内
磁化状態であり、面内磁化層２のキュリー温度以上の温
度において垂直磁化状態となっていることが確認され
た。

【０１０８】（２） 記録再生特性 上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条
件で評価した結果について説明する。まず、記録再生用
レーザを６ｍＷで連続照射しながら、記録磁界を±１５
ｋＡ／ｍで変調することにより記録層３に、記録磁界の
向きに対応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返しパ
ターンを形成した。記録磁界の変調周波数を変えること
により、０．１〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パ
ターンを記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に
対応する長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッ
チで形成していることを意味する。

【０１０９】次に、記録再生用レーザを２．５ｍＷで連
続照射して測定したキャリアレベル（信号強度レベル）
のマーク長依存性を実施例３として図１５に示す。

【０１１０】比較のため、実施例１及び比較例１のキャ
リアレベルのマーク長依存性を図１５に示す。ここで、
比較例１及び実施例１については、第１の実施の形態に
おいて説明した記録再生条件で評価を行なっている。

【０１１１】比較例１と実施例１のキャリアレベルの差
については、第１の実施の形態において説明した通りで
ある。実施例３のキャリアレベルを見ると、実施例１と
同様に比較例１よりも大きなキャリアレベルが得られて
おり、実施例１と同様に磁区の拡大再生が実現している
ことがわかる。さらに、実施例１と実施例３とを比較す
ると、短いマーク長において、より大きなキャリアレベ
ルが得られていることがわかる。例えば、０．１μｍの
マーク長において、実施例３のキャリアレベルは、実施
例１のキャリアレベルよりも４ｄＢ程度大きくなってい
る。これは、第２の面内磁化層１５を設けることによ
り、結合温度領域７の温度以下の温度において発生する
漏洩磁束が抑制され、結合温度領域７のみにおいて、記
録層３から発生する漏洩磁束と再生層１とが強く静磁結
合し、再生層１の再生温度領域６において安定した磁区
拡大再生が行われることにより、より短いマーク長にお
ける安定した磁区拡大再生が実現した結果である。

【０１１２】〔第４の実施の形態〕本発明の第４の実施
の形態について、図面に基づいて説明すれば以下の通り
である。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁
気ディスクを適用した場合について説明する。

【０１１３】図１６，図１７は、第４の実施の形態にお
ける再生時の状態を示す平面図と断面図である。第４の
実施の形態は、図１２及び図１３に示す第３の実施の形
態における第２の面内磁化層１５と記録層３との間に、
非磁性層１６が設けられている。

【０１１４】記録層３に形成された記録磁区８が、再生
層１へと拡大転写され、光ビーム４により再生される原
理は、第３の実施の形態と同じである。

【０１１５】第４の実施の形態においては、非磁性層１
６が形成されることにより、第２の面内磁化層１５と記
録層３との交換結合が完全に遮断されることにより、よ
り薄い膜厚の第２の面内磁化層１５を用いた場合におい
ても、第２の面内磁化層１５における面内磁化状態をよ
り安定して維持することが可能となり、結合温度領域７
の温度以下の温度において記録層３から発生する漏洩磁
束がより効果的に抑制され、結合温度領域７のみにおい
て、記録層３から発生する漏洩磁束と再生層１とを強く
静磁結合させ、再生層１の再生温度領域６において、安
定した磁区拡大再生を実現することが可能となる。

【０１１６】本発明の光磁気記録媒体は、図１８に示す
ように、光磁気ディスク基板１１上に透明誘電体保護層
１２、再生層１、面内磁化層２、第２の面内磁化層１
５、非磁性層１６、記録層３、保護層１３が順次形成さ
れた構成を有している。

【０１１７】第４の実施の形態における透明誘電体保護
層１２、再生層１、面内磁化層２、第２の面内磁化層１
５、記録層３、保護層１３は、第３の実施の形態と同じ
材料を用いることが可能である。ただし、第４の実施の
形態においては、非磁性層１６により第２の面内磁化層
１５と記録層３との交換結合が遮断されているため、第
２の面内磁化層１５の膜厚を第３の実施の形態より薄く
することが可能となる。

【０１１８】第４の実施の形態において、面内磁化層２
と第２の面内磁化層１５の膜厚は、面内磁化層２の膜厚
が５ｎｍ以上であり、かつ、第２の面内磁化層１５の膜
厚が５ｎｍ以上であり、かつ、面内磁化層２と第２の面
内磁化層１５のトータル膜厚が８０ｎｍ以下の範囲に設
定されていることが望ましい。第２の面内磁化層１５の
膜厚が５ｎｍより薄くなると、結合温度領域７の温度以
下の温度において記録層３から発生する漏洩磁束を効果
的に抑制することが困難となり、安定した磁区拡大再生
を行うという特性改善の効果を期待することができなく
なる。また、面内磁化層２の膜厚が５ｎｍより薄くなる
と、再生層１及び第２の面内磁化層１５による磁気的結
合の影響を受け、面内磁化層２のキュリー温度を安定し
て制御することが困難となる。すなわち、よりキュリー
温度の高い再生層１と第２の面内磁化層１５との間に極
めて薄い面内磁化層２が挟まれることにより、実質的な
面内磁化層２のキュリー温度が高くなり、再生温度領域
６が狭くなることにより、再生信号強度が低下してしま
う。また、面内磁化層２と第２の面内磁化層１５のトー
タル膜厚が８０ｎｍより厚くなると、膜厚増加による記
録感度劣化が顕著となってくる。

【０１１９】非磁性層１６は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳ
ｉＮ，Ｔａ₂Ｏ₃等の透明誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，
Ｔａ，Ｎｉ等の金属からなる非磁性金属合金からなり、
再生層１及び面内磁化層２及び第２の面内磁化層１５と
記録層３との交換結合を遮断する目的で形成されるもの
であり、その膜厚が０．５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲
に設定されることが望ましい。非磁性層１６の膜厚が
０．５ｎｍより小さくなると、再生層１及び面内磁化層
２及び第２の面内磁化層１５と記録層３との交換結合を
安定して遮断することが困難となり、再生信号品質が劣
化してしまう。また、非磁性層１６の膜厚が４０ｎｍよ
り大きくなると、再生層１と記録層３との間隔が大きく
なり過ぎることにより、再生層１と記録層３との安定し
た静磁結合状態を維持することが困難となり、再生信号
品質が劣化してしまう。

【０１２０】また、この構成に、更に、Ａｌ、ＡｌＴ
ａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。更に、場合によっ
ては、保護層１３上、または、上記熱拡散層上に紫外線
硬化樹脂または熱硬化樹脂または潤滑層が形成されるこ
ともある。

【０１２１】また、低磁界記録を目的として、記録層３
に接して、記録層３の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層３のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有す
る垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記録補助
層を積層して形成しても良い。

【０１２２】（実施例４）次に、この構成の光磁気ディ
スクの形成方法及び記録再生方法の具体例を説明する。 （１） 光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。

【０１２３】まず、ＡｌＳｉ合金ターゲットとＧｄＦｅ
Ｃｏ合金ターゲットとＧｄＦｅＳｉ合金ターゲットＧｄ
Ｆｅ合金ターゲットとＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットとを
それぞれ備えたスパッタ装置内に、案内溝を有しディス
ク状に形成されたポリカーボネート製の基板１１を配置
する。そして、スパッタ装置内を１×１０^-6Ｔｏｒｒま
で真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、ＡｌＳｉ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記基板１１上にＡｌＳ
ｉＮからなる透明誘電体保護層１２を膜厚８０ｎｍで形
成する。

【０１２４】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０^-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記透明誘電体保護
層１２上に、Ｇｄ_0.25（Ｆｅ_0.88Ｃｏ_0.12）_0.75からな
る再生層１を膜厚４０ｎｍで形成する。その再生層１
は、垂直磁化膜であり、その補償温度が０℃であり、そ
のキュリー温度が２８０℃であった。また、再生層１の
みを成膜して保護膜を形成して磁化状態を調べた結果、
室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対して垂
直方向に磁化を有する垂直磁化膜であった。

【０１２５】次に、引き続き、ＧｄＦｅＳｉ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記再生層１上に、（Ｇｄ_0.37Ｆｅ_0.63）_0.80Ｓ
ｉ_{0. 20}からなる面内磁化層２を膜厚１０ｎｍで形成す
る。その面内磁化層２は、キュリー温度が８０℃であ
り、室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対し
て水平方向に磁化を有する面内磁化膜であった。

【０１２６】次に、引き続き、ＧｄＦｅ合金ターゲット
に電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記面内磁化層２上にＧｄ_0.13Ｆｅ_0.87からなる第
２の面内磁化層１５を膜厚２０ｎｍで形成する。その第
２の面内磁化層１５は、キュリー温度が１４０℃であ
り、室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対し
て水平方向に磁化を有する面内磁化膜であった。

【０１２７】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、ＡｌＳｉ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記第２の面内磁化層１
５上にＡｌＳｉＮからなる非磁性層１６を膜厚５ｎｍで
形成する。

【０１２８】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０^-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記非磁性層１６上
に、Ｔｂ_0.26（Ｆｅ_0.84Ｃｏ_0.16）_0.74からなる記録層
３を膜厚６０ｎｍで形成する。その記録層３は、補償温
度が５０℃、キュリー温度が２６０℃であり、室温から
そのキュリー温度まで、常に、膜面に対して垂直方向に
磁化を有する垂直磁化膜であった。

【０１２９】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、ＡｌＳｉ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録層３上にＡｌＳ
ｉＮからなる保護層１３を膜厚２０ｎｍで形成する。

【０１３０】ここで、透明誘電体保護層１２、再生層
１、面内磁化層２、第２の面内磁化層１５、非磁性層１
６、記録層３、保護層１３を積層した状態で再生層１の
磁化状態を調べた結果、室温から面内磁化層２のキュリ
ー温度まで面内磁化状態であり、面内磁化層２のキュリ
ー温度以上の温度において垂直磁化状態となっているこ
とが確認された。

【０１３１】（２） 記録再生特性 上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条
件で評価した結果について説明する。

【０１３２】まず、記録再生用レーザを５．６ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより記録層３に、記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
記録磁界の変調周波数を変えることにより、０．１〜
０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを記録し
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。

【０１３３】次に、記録再生用レーザを２．３ｍＷで連
続照射して測定したキャリアレベル（信号強度レベル）
のマーク長依存性を実施例４として図１９に示す。

【０１３４】比較のため、実施例３及び比較例１のキャ
リアレベルのマーク長依存性を図１９に示す。ここで、
比較例１と実施例３については、第１の実施の形態及び
第３の実施の形態において説明した記録再生条件で評価
を行なっている。

【０１３５】比較例１と実施例３のキャリアレベルの差
については、第３の実施の形態において説明した通りで
ある。実施例４のキャリアレベルを見ると、実施例３と
ほぼ同程度のキャリアレベルの得られていることがわか
る。実施例４においても、実施例３と同様に、記録磁区
８が拡大されて再生層１へと転写されることにより、比
較例１のキャリアレベルに比べて相対的に大きなキャリ
アレベルが得られるとともに、マーク長減少にともなう
キャリアレベルの減少が比較的緩やかとなり、短いマー
ク長において比較的大きなキャリアレベルが得られてい
ることがわかる。

【０１３６】このように、第２の面内磁化層１５と記録
層３との間に非磁性層１６を形成することにより、第２
の面内磁化層１５の膜厚を相対的に薄くすることが可能
となり、再生層１と記録層３とが近づくことにより、再
生層１と記録層３との間により強い静磁結合力が働き、
より安定した再生を行なうことができるとともに、相対
的に低いレーザパワーでの記録再生を実現することがで
きる。

【０１３７】〔第５の実施の形態〕本発明の第５の実施
の形態の光磁気記録媒体について、図２０及び図２１及
び図２２を用いて詳細に説明する。

【０１３８】第１の実施の形態及び第２の実施の形態
は、結合温度領域７において記録層３から発生する漏洩
磁束と再生層１とを静磁結合させ、磁区拡大再生を実現
し、第３の実施の形態及び第４の実施の形態は、第２の
面内磁化層１５を用いて、結合温度領域７の温度以下に
おいて記録層３から発生する漏洩磁束を抑制することに
より、再生層１におけるより安定した磁区拡大再生を実
現するものであった。

【０１３９】第５の実施の形態は記録層３に接して、記
録層３と磁気的極性が異なり、かつ、記録層３のキュリ
ー温度より低いキュリー温度を有する磁束調整層１７を
積層し、記録層３及び磁束調整層１７から発生する漏洩
磁束を制御することにより、結合温度領域７の温度以下
において記録層３及び磁束調整層１７から発生する漏洩
磁束を抑制し、再生層１におけるより安定した磁区拡大
再生を実現するものである。

【０１４０】図２２は、図２１の記録層３と磁束調整層
１７のみの磁化状態を示す拡大断面図である。図２２に
おいて、磁束調整層１７は、室温からそのキュリー温度
まで常にＲＥｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜からなり、ＴＭ
モーメントの向きとトータル磁化の向きとが反平行とな
っている。一方、記録層３は、室温からそのキュリー温
度まで常にＴＭｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜からなり、Ｔ
Ｍモーメントの向きとトータル磁化の向きとが平行とな
っている。ここで、磁束調整層１７と記録層３とが積層
されることにより、交換結合力が働き、両層のＴＭモー
メントの向きが平行に揃えられる。この場合、磁束調整
層１７のトータル磁化の向きと記録層３のトータル磁化
の向きが反平行となる。磁束調整層１７及び記録層３か
ら発生する漏洩磁束は、これらのトータル磁化の総和で
あり、磁束調整層１７のトータル磁化と記録層３のトー
タル磁化とが打ち消し合うため、殆ど漏洩磁束の存在し
ない状態を実現することが可能となる。一方、磁束調整
層１７のキュリー温度以上の温度においては、磁束調整
層１７のトータル磁化が存在しなくなるため、記録層３
のみから漏洩磁束が発生することになる。従って、結合
温度領域７のみにおいて、記録層３から大きな漏洩磁束
が発生することになり、再生層１におけるより安定した
磁区拡大再生を実現することが可能となる。

【０１４１】次に、本発明の第５の実施の形態を光磁気
記録媒体として光磁気ディスクを適用した場合について
図面を用いて説明する。

【０１４２】本発明の光磁気記録媒体は、図２３に示す
ように、光磁気ディスク基板１１上に透明誘電体保護層
１２、再生層１、面内磁化層２、磁束調整層１７、記録
層３、保護層１３が順次形成された構成を有している。

【０１４３】第５の実施の形態における基板１１、透明
誘電体保護層１２、再生層１、面内磁化層２、保護層１
５は、第１の実施の形態に記載の材料を同様にして用い
ることが可能である。

【０１４４】磁束調整層１７及び記録層３は、希土類遷
移金属合金からなる垂直磁化膜であり、結合温度領域７
のみにおいて、記録層３から強い漏洩磁束を発生させる
ため、磁束調整層１７のキュリー温度が、記録層３のキ
ュリー温度より低く、かつ、面内磁化層２のキュリー温
度より高く設定されているとともに、磁束調整層１７と
記録層３の磁気的極性が異なるように設定されている。
すなわち、磁束調整層１７としてＲＥｒｉｃｈ組成の希
土類遷移金属合金垂直磁化膜を用いた場合、記録層３と
して、ＴＭｒｉｃｈ組成の希土類遷移金属合金垂直磁化
膜が用いられ、磁束調整層１７としてＴＭｒｉｃｈ組成
の希土類遷移金属合金垂直磁化膜を用いた場合、記録層
３として、ＲＥｒｉｃｈ組成の希土類遷移金属合金垂直
磁化膜が用いられる必要がある。

【０１４５】ここで、面内磁化層２及び記録層３及び磁
束調整層１７のキュリー温度をそれぞれＴｃ２、Ｔｃ
３、Ｔｃ１７とした時、少なくとも、Ｔｃ２＜Ｔｃ１７
＜Ｔｃ３である必要がある。さらに、（Ｔｃ３−１２０
℃≦Ｔｃ１７≦Ｔｃ３−６０℃）なる条件を満足するよ
うに設定されていることが望ましい。Ｔｃ１７＜Ｔｃ３
−１２０℃においては、磁束調整層１７のキュリー温度
低下にともない、磁束調整層１７のトータル磁化が小さ
くなることにより、記録層３から発生する漏洩磁束の調
整が不十分となり、結合温度領域７より広い範囲におい
て、記録層３から大きな漏洩磁束が発生することとな
り、短いマーク長における再生信号品質が劣化してしま
う。また、Ｔｃ１７＞Ｔｃ３−６０℃においては、磁束
調整層１７のキュリー温度が高くなりすぎることによ
り、結合温度領域において記録層３から発生する漏洩磁
束が小さくなりすぎるため、記録層３から再生層１への
記録磁区８の拡大転写が不安定となり、再生信号品質が
劣化してしまう。

【０１４６】また、記録層３の膜厚を３０ｎｍ以上に設
定し、かつ、磁束調整層１７の膜厚を１０ｎｍ以上に設
定し、かつ、記録層３と磁束調整層１７のトータル膜厚
を１２０ｎｍ以下に設定することが望ましい。記録層３
の膜厚が３０ｎｍより薄くなると、記録層３が発生する
漏洩磁束が小さくなり、再生層１と記録層３との安定な
静磁結合状態を維持することが困難となり、再生信号品
質が劣化してしまう。また、磁束調整層１７の膜厚が１
０ｎｍより薄くなると、磁束調整層１７の膜厚減少にと
もない、記録層３から発生する漏洩磁束の調整が不十分
となり、短いマーク長における再生信号品質が劣化して
しまう。また、記録層３と磁束調整層１７のトータル膜
厚が１２０ｎｍより厚くなると、膜厚増加による記録感
度劣化が顕著となってくる。

【０１４７】上記磁気特性を満足する記録層３及び磁束
調整層１７としては、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦ
ｅ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、
ＴｂＦｅＤ、ＴｂＦｅＣｏＤ、ＤｙＦｅＤ、ＤｙＦｅＣ
ｏＤ、ＴｂＤｙＦｅＤ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＤ（Ｄは、
Ｙ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ａｌの中から
選ばれる元素、または、それら２種類以上の元素からな
る。）等の材料からなる垂直磁化膜を採用することが可
能である。

【０１４８】本実施の形態においては、記録層３と磁束
調整層１７の磁気的極性が異なっていればよく、記録層
３と磁束調整層１７の形成順序は図２３と逆であっても
かまわない。

【０１４９】また、この構成に、更に、Ａｌ、ＡｌＴ
ａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。更に、場合によっ
ては、保護層１５上、または、上記熱拡散層上に紫外線
硬化樹脂または熱硬化樹脂または潤滑層が形成されるこ
ともある。

【０１５０】また、低磁界記録を目的として、記録層３
に接して、記録層３のキュリー温度よりも高いキュリー
温度を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からな
る記録補助層を積層して形成しても良い。

【０１５１】（実施例５）次に、この構成の光磁気ディ
スクの形成方法及び記録再生方法の具体例を説明する。

【０１５２】（１） 光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。まず、ＡｌターゲットとＧｄＦｅＣｏ合金ターゲッ
トとＧｄＦｅＳｉ合金ターゲットとＴｂＤｙＦｅＣｏ合
金ターゲットとＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞ
れ備えたスパッタ装置内に、案内溝を有しディスク状に
形成されたポリカーボネート製の基板１１を配置する。
そして、スパッタ装置内を１×１０^-6Ｔｏｒｒまで真空
排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌ
ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒ
ｒの条件で、上記基板１１上にＡｌＮからなる透明誘電
体保護層１２を膜厚８０ｎｍで形成する。

【０１５３】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０^-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記透明誘電体保護
層１２上に、Ｇｄ_0.25（Ｆｅ_{0. 88}Ｃｏ_0.12）_0.75からな
る再生層１を膜厚４０ｎｍで形成する。その再生層１
は、垂直磁化膜であり、その補償温度が０℃であり、そ
のキュリー温度が２８０℃であった。また、再生層１の
みを成膜して保護膜を形成して磁化状態を調べた結果、
室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対して垂
直方向に磁化を有する垂直磁化膜であった。

【０１５４】次に、引き続き、ＧｄＦｅＳｉ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記再生層１上に、（Ｇｄ_0.37Ｆｅ_0.63）_0.80Ｓ
ｉ_0.20からなる面内磁化層２を膜厚６０ｎｍで形成す
る。その面内磁化層２は、キュリー温度が８０℃であ
り、室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対し
て水平方向に磁化を有する面内磁化膜であった。

【０１５５】次に、引き続き、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金タ
ーゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒ
の条件で、上記面内磁化層２上に、（Ｔｂ_0.5Ｄｙ_0.5）
_0.29（Ｆｅ_0.84Ｃｏ_0.16）_0.71からなる磁束調整層１７
を膜厚３０ｎｍで形成する。その磁束調整層１７は、キ
ュリー温度が１４０℃であり、室温からそのキュリー温
度まで、常に、ＲＥｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜であっ
た。

【０１５６】次に、引き続き、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記磁束調整層１７上に、Ｔｂ_0.22（Ｆｅ_0.84Ｃ
ｏ_0.16）_0.78からなる記録層３を膜厚６０ｎｍで形成す
る。その記録層３は、補償温度が０℃であり、キュリー
温度が２８０℃であり、室温からそのキュリー温度ま
で、常に、ＴＭｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜であった。

【０１５７】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録層３上にＡｌＮからなる
保護層１３を膜厚２０ｎｍで形成する。

【０１５８】ここで、透明誘電体保護層１２、再生層
１、面内磁化層２、磁束調整層１７、記録層３、保護層
１３を積層した状態で再生層１の磁化状態を調べた結
果、室温から面内磁化層２のキュリー温度まで面内磁化
状態であり、面内磁化層２のキュリー温度以上の温度に
おいて垂直磁化状態となっていることが確認された。

【０１５９】次に、図２４は、磁束調整層１７のみのト
ータル磁化Ｍ１７と記録層３のみのトータル磁化Ｍ３の
温度依存性、及び、磁束調整層１７と記録層３とを積層
したときのトータル磁化に対応する磁化として、Ｍｔ
（Ｍｔ＝Ｍ３＋Ｍ１７／２）の温度依存性を示す図であ
る。ここで、磁束調整層１７と記録層３の磁気的極性が
異なるため、両者のトータル磁化の向きは反平行となっ
ている。そこで、記録層３のトータル磁化を正の値で、
磁束調整層１７の値を負の値で示している。

【０１６０】Ｍ３とＭｔとを比較すると、結合温度領域
７までの温度上昇にともなうトータル磁化の増加がより
急峻になっている。すなわち、磁束調整層１７を設ける
ことにより、結合温度領域７における記録層３と再生層
１との強い静磁結合を維持するとともに、結合温度領域
７の温度よりも低い温度領域において、記録層３及び磁
束調整層１７から発生する漏洩磁束を比較的小さくし、
再生層１との静磁結合を比較的弱くすることが可能とな
る。

【０１６１】（２） 記録再生特性 上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条
件で評価した結果について説明する。

【０１６２】まず、記録再生用レーザを６．５ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより記録層３及び磁束調整層１７に、記録磁界の
向きに対応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返しパ
ターンを形成した。記録磁界の変調周波数を変えること
により、０．１〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パ
ターンを記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に
対応する長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッ
チで形成していることを意味する。

【０１６３】次に、記録再生用レーザを２．８ｍＷで連
続照射して測定したキャリアレベル（信号強度レベル）
のマーク長依存性を実施例５１として図２５に示す。

【０１６４】比較のため、実施例１と比較例１における
キャリアレベルのマーク長依存性、及び、実施例５１の
構成において、磁束調整層１７を設けていない光磁気デ
ィスクにおけるキャリアレベルを実施例５２として同図
に示す。ここで、実施例１と比較例１の記録再生パワー
は、第１の実施の形態と同じ条件で行い、実施例５２に
おいては、記録時のレーザパワーを６．０ｍＷとし、再
生時のレーザパワーを２．５ｍＷとしている。

【０１６５】比較例１と比較した場合、実施例５１及び
実施例５２ともに、実施例１とほぼ同程度のキャリアレ
ベルが得られており、実施例５１及び実施例５２におい
て、実施例１と同様な磁区拡大再生の実現が確認され
る。

【０１６６】次に、実施例１と実施例５２との媒体構成
は、全く同じであるが、実施例１の記録層３の補償温度
が５０℃であり、室温近傍の温度で記録層３からの漏洩
磁束が極めて小さくなっているため、良好な磁区拡大再
生が実現しているのに対して、実施例５２の記録層３の
補償温度は０℃であり、室温近傍の温度で記録層３から
漏洩磁束が発生し、良好な磁区拡大再生を阻害されるた
め、実施例５２のキャリアレベルは、実施例１のキャリ
アレベルよりも小さくなっている。

【０１６７】次に、実施例５１と実施例５２とを比較す
ると、磁束調整層１７を設けることにより、室温近傍の
温度における記録層３からの漏洩磁束が抑制されること
により、良好な磁区拡大再生が実現し、実施例５１のキ
ャリアレベルが実施例５２のキャリアレベルよりも高く
なっていることがわかかる。さらに、実施例５１のキャ
リアレベルは、実施例１のキャリアレベルよりも高くな
っていることがわかる。これは、実施例５１の記録層３
として、実施例１の記録層３よりも、より多くの遷移金
属元素を含有する希土類遷移金属合金薄膜を用いること
が可能となり、実施例５１において、結合温度領域で、
より強い漏洩磁束を発生させることにより、記録層３と
再生層１とがより強く静磁結合し、より安定した磁区拡
大再生が実現したことによるものである。

【０１６８】〔第６の実施の形態〕本発明の第６の実施
の形態について、図面に基づいて説明すれば以下の通り
である。本実施の形態では、光磁気記録媒体として光磁
気ディスクを適用した場合について説明する。

【０１６９】図２６及び図２７は、第６の実施の形態に
おける再生時の状態を示す平面図と断面図である。第６
の実施の形態は、図２０及び図２１に示す第５の実施の
形態における面内磁化層２と磁束調整層１７との間に非
磁性層１４が設けられている。

【０１７０】記録層３に形成された記録磁区８が、再生
層１へと拡大転写され、光ビーム４により再生される原
理は、第５の実施の形態と同じである。

【０１７１】第６の実施の形態においては、非磁性層１
４が形成されることにより、再生層１及び面内磁化層２
と磁束調整層１７及び記録層３との交換結合が完全に遮
断されることにより、面内磁化層２のキュリー温度以下
の領域において、より薄い膜厚の面内磁化層２を用い
て、再生層１における面内磁化状態をより安定して維持
することが可能となる。

【０１７２】本発明の光磁気記録媒体は、図２８に示す
ように、光磁気ディスク基板１１上に透明誘電体保護層
１２、再生層１、面内磁化層２、非磁性層１４、磁束調
整層１７、記録層３、保護層１３が順次形成された構成
を有している。

【０１７３】第６の実施の形態における透明誘電体保護
層１２、再生層１、面内磁化層２、磁束調整層１７、記
録層３、保護層１３は、第５の実施の形態と同じ材料を
用いることが可能である。但し、第６の実施の形態にお
いては、非磁性層１４により再生層１及び面内磁化層２
と磁束調整層１７及び記録層３との交換結合が遮断され
ているため、面内磁化層２の膜厚を第５の実施の形態よ
り薄くすることが可能となる。第６の実施の形態におい
ては、面内磁化層２の膜厚が５ｎｍ以上８０ｎｍ以下の
範囲に設定されていることが望ましい。面内磁化層２の
膜厚が５ｎｍより薄くなると、面内磁化層２が薄くなり
すぎることにより、再生層１の温度上昇していない部分
において、安定した面内磁化状態を維持することが困難
となり、再生信号品質が劣化してしまう。また、面内磁
化層２の膜厚が８０ｎｍより厚くなると、膜厚増加によ
る記録感度劣化が顕著となってくる。

【０１７４】また、非磁性層１４は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，
ＡｌＳｉＮ，Ｔａ₂Ｏ₃等の透明誘電体、または、Ａｌ，
Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｉ等の金属からなる非磁性金属合金から
なり、再生層１及び面内磁化層２と記録層３との交換結
合を遮断する目的で形成されるものであり、その膜厚が
０．５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲に設定されることが
望ましい。非磁性層１４の膜厚が０．５ｎｍより小さく
なると、再生層１及び面内磁化層２と記録層３との交換
結合を安定して遮断することが困難となり、再生信号品
質が劣化してしまう。また、非磁性層１４の膜厚が４０
ｎｍより大きくなると、再生層１と記録層３との間隔が
大きくなり過ぎることにより、再生層１と記録層３との
安定した静磁結合状態を維持することが困難となり、再
生信号品質が劣化してしまう。

【０１７５】また、この構成に、更に、Ａｌ、ＡｌＴ
ａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。更に、場合によっ
ては、保護層１３上、または、上記熱拡散層上に紫外線
硬化樹脂または熱硬化樹脂または潤滑層が形成されるこ
ともある。

【０１７６】また、低磁界記録を目的として、記録層３
に接して、記録層３の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層３のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有す
る垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記録補助
層を積層して形成しても良い。

【０１７７】（実施例６）次に、この構成の光磁気ディ
スクの形成方法及び記録再生方法の具体例を説明する。

【０１７８】（１） 光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。

【０１７９】まず、ＡｌＳｉ合金ターゲットとＧｄＦｅ
Ｃｏ合金ターゲットとＧｄＦｅＳｉ合金ターゲットとＴ
ｂＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットとＴｂＦｅＣｏ合金ター
ゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内に、案内溝を
有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板
１１を配置する。そして、スパッタ装置内を１×１０^-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガ
スを導入し、ＡｌＳｉ合金ターゲットに電力を供給し
て、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記基板１１
上にＡｌＳｉＮからなる透明誘電体保護層１２を膜厚８
０ｎｍで形成する。

【０１８０】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０^-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記透明誘電体保護
層１２上に、Ｇｄ_0.25（Ｆｅ_0.88Ｃｏ_0.12）_0.75からな
る再生層１を膜厚４０ｎｍで形成する。その再生層１
は、垂直磁化膜であり、その補償温度が０℃であり、そ
のキュリー温度が２８０℃であった。また、再生層１の
みを成膜して保護膜を形成して磁化状態を調べた結果、
室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対して垂
直方向に磁化を有する垂直磁化膜であった。

【０１８１】次に、引き続き、ＧｄＦｅＳｉ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記再生層１上に、（Ｇｄ_0.37Ｆｅ_0.63）_0.80Ｓ
ｉ_0.20からなる面内磁化層２を膜厚２０ｎｍで形成す
る。その面内磁化層２は、キュリー温度が８０℃であ
り、室温からそのキュリー温度まで、常に、膜面に対し
て水平方向に磁化を有する面内磁化膜であった。

【０１８２】次に、引き続き、ＡｌＳｉ合金ターゲット
に電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記面内磁化層２上にＡｌＳｉからなる非磁性層１
４を膜厚３ｎｍで形成する。

【０１８３】次に、引き続き、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金タ
ーゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒ
の条件で、上記非磁性層１４上に、（Ｔｂ_0.5Ｄｙ_0.5）
_0.29（Ｆｅ_0.84Ｃｏ_0.16）_0.71からなる磁束調整層１７
を膜厚３０ｎｍで形成する。その磁束調整層１７は、キ
ュリー温度が１４０℃であり、室温からそのキュリー温
度まで、常に、ＲＥｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜であっ
た。

【０１８４】次に、引き続き、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条
件で、上記磁束調整層１７上に、Ｔｂ_0.22（Ｆｅ_0.84Ｃ
ｏ_0.16）_0.78からなる記録層３を膜厚６０ｎｍで形成す
る。その記録層３は、補償温度が０℃であり、キュリー
温度が２８０℃であり、室温からそのキュリー温度ま
で、常に、ＴＭｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜であった。

【０１８５】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、ＡｌＳｉ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録層３上にＡｌＳ
ｉＮからなる保護層１３を膜厚２０ｎｍで形成する。

【０１８６】ここで、透明誘電体保護層１２、再生層
１、面内磁化層２、非磁性層１４、磁束調整層１７、記
録層３、保護層１３を積層した状態で再生層１の磁化状
態を調べた結果、室温からその面内磁化層２のキュリー
温度まで面内磁化状態であり、面内磁化層２のキュリー
温度以上の温度において垂直磁化状態となっていること
が確認された。

【０１８７】（２） 記録再生特性 上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条
件で評価した結果について説明する。

【０１８８】まず、記録再生用レーザを６．０ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより記録層３に、記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
記録磁界の変調周波数を変えることにより、０．１〜
０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを記録し
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。

【０１８９】次に、記録再生用レーザを２．６ｍＷで連
続照射して測定したキャリアレベル（信号強度レベル）
のマーク長依存性を実施例６１として図２９に示す。な
お、ここでは、比較のため、実施例２及び比較例１にお
けるキャリアレベルのマーク長依存性、及び、実施例６
１の構成において、磁束調整層１７を設けていない光磁
気ディスクにおけるキャリアレベルを実施例６２として
同図に示す。実施例２と比較例１の記録再生パワーは、
第２の実施の形態と同じ条件で行い、実施例６２におい
ては、記録時のレーザパワーを５．７ｍＷとし、再生時
のレーザパワーを２．４ｍＷとしている。

【０１９０】比較例１と比較した場合、実施例６１及び
実施例６２ともに、実施例２とほぼ同程度のキャリアレ
ベルが得られており、実施例６１及び実施例６２におい
て、実施例２と同様な磁区拡大再生の実現が確認され
る。次に、実施例２と実施例６２との媒体構成は、全く
同じであるが、実施例２の記録層３の補償温度が５０℃
であり、室温近傍の温度で記録層３からの漏洩磁束が極
めて小さくなっているため、良好な磁区拡大再生が実現
するのに対して、実施例６２の記録層３の補償温度は０
℃であり、室温近傍の温度で記録層３から漏洩磁束が発
生し、良好な磁区拡大再生を阻害するため、実施例６２
のキャリアレベルは、実施例２のキャリアレベルよりも
小さくなっている。次に、実施例６１と実施例６２とを
比較すると、磁束調整層１７を設けることにより、室温
近傍の温度における記録層３からの漏洩磁束が抑制さ
れ、良好な磁区拡大再生が実現し、実施例６１のキャリ
アレベルが実施例６２のキャリアレベルよりも高くなっ
ていることがわかかる。さらに、実施例６１のキャリア
レベルは、実施例２のキャリアレベルよりも高くなって
いることがわかる。これは、実施例６１の記録層３とし
て、実施例２の記録層３よりも、より多くの遷移金属元
素を含有する希土類遷移金属合金薄膜を用いることが可
能となり、実施例６１において、結合温度領域で、より
強い漏洩磁束を発生させることにより、記録層３と再生
層１とがより強く静磁結合し、より安定した磁区拡大再
生が実現したことによるものである。

【０１９１】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、記録層
に記録された磁化情報が再生層へと拡大転写されること
により、光の回折限界以下の周期の信号を記録層に記録
した場合においても、再生信号振幅を低下させることな
く再生することが可能となる。

【０１９２】また、記録層と再生層のトータル磁化の極
大値が面内磁化層のキュリー温度以上の温度で得られる
ようにすれば、円滑な拡大再生を実現できる。

【０１９３】面内磁化層と記録層との間に面内磁化層を
挿入することにより、非磁性層により面内磁化層と記録
層との交換結合が遮断され、面内磁化層の薄膜化が可能
となり、記録パワー及び再生パワーを低減することが可
能となる。

【０１９４】さらに、面内磁化層と記録層との間に第２
の面内磁化層または磁束調整層を設けることで、低温領
域において記録層から発生する漏洩磁束が抑制されるこ
とにより、より短いマーク長で記録層に記録された磁化
情報を安定して再生層へと拡大転写できる。さらに、非
磁性層により磁束選択層と記録層との交換結合を遮断す
ることで、磁束選択層の薄膜化が可能となり、記録パワ
ー及び再生パワーを低減することが可能となる。

【０１９５】また、本発明の再生装置によれば、本発明
の光磁気記録媒体を適切に再生でき、良好な再生信号品
質を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気媒体の再生原理を説明する平面
模式図である。

【図２】本発明の光磁気媒体の再生原理を説明する断面
模式図である。

【図３】図１の状態から光磁気媒体が移動した後におけ
る再生動作を説明する平面模式図である。

【図４】図１の状態から光磁気媒体が移動した後におけ
る再生動作を説明する断面模式図である。

【図５】第１の実施の形態の光磁気ディスクの構成を示
す断面図である。

【図６】実施例１の光磁気ディスクのトータル磁化の温
度依存性である。

【図７】実施例１の光磁気ディスクのキャリアレベルの
マーク長依存性を示す図である。

【図８】第２の実施の形態の光磁気記録媒体の再生原理
を説明する平面模式図である。

【図９】第２の実施の形態の光磁気記録媒体の再生原理
を説明する断面模式図である。

【図１０】第２の実施の形態の光磁気記録媒体の構成を
示す断面図である。

【図１１】実施例２の光磁気ディスクのキャリアレベル
のマーク長依存性を示す図である。

【図１２】第３の実施の形態の光磁気記録媒体の再生原
理を説明する平面模式図である。

【図１３】第３の実施の形態の光磁気記録媒体の再生原
理を説明する断面模式図である。

【図１４】第３の実施の形態の光磁気記録媒体の構成を
示す断面図である。

【図１５】実施例３の光磁気ディスクのキャリアレベル
のマーク長依存性を示す図である。

【図１６】第４の実施の形態の光磁気記録媒体の再生原
理を説明する平面模式図である。

【図１７】第４の実施の形態の光磁気記録媒体の再生原
理を説明する断面模式図である。

【図１８】第４の実施の形態の光磁気記録媒体の構成を
示す断面図である。

【図１９】実施例４の光磁気ディスクのキャリアレベル
のマーク長依存性を示す図である。

【図２０】第５の実施の形態の光磁気記録媒体の再生原
理を説明する平面模式図である。

【図２１】第５の実施の形態の光磁気記録媒体の再生原
理を説明する断面模式図である。

【図２２】第５の実施の形態の光磁気記録媒体の漏洩磁
束について説明する断面模式図である。

【図２３】第５の実施の形態の光磁気記録媒体のキャリ
アレベルのマーク長依存性を示す図である。

【図２４】実施例５の光磁気ディスクのトータル磁化の
温度依存性である。

【図２５】実施例５の光磁気ディスクのキャリアレベル
のマーク長依存性を示す図である。

【図２６】第６の実施の形態の光磁気記録媒体の再生原
理を説明する平面模式図である。

【図２７】第６の実施の形態の光磁気記録媒体の再生原
理を説明する断面模式図である。

【図２８】第６の実施の形態の光磁気記録媒体の構成を
示す断面図である。

【図２９】実施例６の光磁気ディスクのキャリアレベル
のマーク長依存性を示す図である。

【図３０】従来の光磁気ディスクの再生原理を説明する
平面模式図である。

【図３１】従来の光磁気ディスクの再生原理を説明する
断面模式図である。

【符号の説明】

１ 再生層 ２ 面内磁化層 ３ 記録層 ４ 光ビーム １２ 透明誘電体保護層 １３ 保護層 １４ 非磁性層 １５ 第２の面内磁化層 １６ 非磁性層 １７ 磁束調整層

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 単層においては室温からキュリー温度ま
   で垂直磁化を示す再生層と、室温からキュリー温度まで
   面内磁化を示す面内磁化層と、室温からキュリー温度ま
   で垂直磁化を示す記録層と、がこの順に形成されてお
   り、 前記再生層及び前記面内磁化層及び前記記録層のキュリ
   ー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３としたとき、 Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３ が成立し、 前記再生層は、温度がＴｃ２未満の領域においては、前
   記面内磁化層との交換結合により面内磁化を示し、Ｔｃ
   ２以上に加熱された領域においては、前記記録層の磁化
   情報が拡大転写されることにより、単磁区状態の垂直磁
   化を示すよう形成されてなることを特徴とする光磁気記
   録媒体。
2. 【請求項２】 単層においては室温からキュリー温度ま
   で垂直磁化を示す再生層と、室温からキュリー温度まで
   面内磁化を示す面内磁化層と、室温からキュリー温度ま
   で垂直磁化を示す記録層と、がこの順に形成されてお
   り、 前記再生層及び前記面内磁化層及び前記記録層のキュリ
   ー温度をそれぞれＴｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３としたとき、 Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３ が成立し、 Ｔｃ２より高い温度において、前記再生層及び前記記録
   層のトータル磁化の極大値が存在することを特徴とする
   光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の光磁気記録媒体におい
   て、 前記再生層及び前記記録層のトータル磁化の極大値が略
   等しいことを特徴とする光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
   の光磁気記録媒体において、 前記面内磁化層と前記記録層との間に非磁性層が設けら
   れていることを特徴とする光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
   の光磁気記録媒体において、 前記面内磁化層と前記記録層との間に、キュリー温度が
   Ｔｃ２より高くＴｃ１及びＴｃ３より低い面内磁化を示
   す第２の面内磁化層が設けられていることを特徴とする
   光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の光磁気記録媒体におい
   て、 第２の面内磁化層と前記記録層との間に非磁性層が設け
   られていることを特徴とする光磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
   の光磁気記録媒体において、 前記面内磁化層と前記記録層との間に、キュリー温度が
   Ｔｃ２より高くＴｃ１及びＴｃ３より低く、前記記録層
   の磁気的極性が異なる垂直磁化を示す磁束調整層が設け
   られていることを特徴とする光磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の光磁気記録媒体におい
   て、 前記磁束調整層と前記面内磁化層との間に非磁性層が設
   けられていることを特徴とする光磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 請求項１乃至請求項８のいずれかに記載
   の光磁気記録媒体の前記記録層に記録された磁化情報を
   再生する再生装置であって、 再生時に、前記光磁気記録媒体にレーザ光を照射して、
   前記面内磁化層をそのキュリー温度以上に加熱する手段
   を有してなることを特徴とする再生装置。
10. 【請求項１０】 請求項３に記載の光磁気記録媒体の前
    記記録層に記録された磁化情報を再生する再生装置であ
    って、 再生時に、前記光磁気記録媒体にレーザ光を照射して、
    前記再生層及び前記記録層を、それらのトータル磁化が
    極大となる温度近傍まで加熱する手段を有してなること
    を特徴とする再生装置。