JP2000339788A

JP2000339788A - 光磁気記録媒体及びその再生方法

Info

Publication number: JP2000339788A
Application number: JP11144632A
Authority: JP
Inventors: Toshifumi Kawano; 敏史川野; Akio Okamuro; 昭男岡室
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1999-05-25
Filing date: 1999-05-25
Publication date: 2000-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】再生信号の分解能を著しく高めることのでき
る光磁気記録媒体及びその再生方法並びに再生装置を提
供する。【解決手段】基板上に、ともに希土類金属と遷移金属
の合金よりなる記録層及び再生層を有し、記録層には情
報に応じた磁化方向が記録され、室温以上において記録
層の磁化方向が再生層に転写される温度領域が存在する
光磁気記録媒体であって、該記録層と該再生層のあいだ
に、室温以上の所定温度で記録層と再生層の交換結合を
実質的に遮断するか、或いは温度によらず常に記録層と
再生層の交換結合を実質的に遮断する切断層を設け、か
つ該記録層と該再生層のあいだに、記録層よりもキュリ
ー温度の低い制御層を設ける光磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は情報記録に用いる光
磁気記録媒体及びその再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体は、高密度、低コストの
書換え可能な情報記録媒体として実用化されている。特
に希土類元素と遷移金属のアモルファス合金の記録層を
用いた媒体は非常に優れた特性を示している。光磁気デ
ィスクは非常に大容量の記録媒体であるが、社会の情報
量の増大に伴いさらなる大容量化が望まれている。光デ
ィスクの記録密度の限界は通常の場合、その再生光のス
ポットの大きさで決まってしまう。スポットの大きさは
レーザーの波長が短いほど小さくすることができるた
め、レーザーの短波長化の検討が進められているが、困
難を伴っておりまた短波長レーザーの使用は高コストの
要因となる。

【０００３】一方、レーザーの波長によって決定される
以上の分解能を色々な工夫によって得ようとする、いわ
ゆる超解像技術の試みが近年行われている。そのひとつ
として、光磁気ディスクにおいて多層膜間の交換結合力
を用いた超解像(Magnetically induced super resoluti
on、以下ＭＳＲ)方式が報告されている。本方式は、基
本的に、情報を記録する層（記録層）と情報を再生する
層（再生層）とからなり、記録は記録層に対して行い、
再生時に記録層の磁化方向を再生層に転写して読み出
す。通常、媒体の加熱温度によって再生層への転写状態
がコントロールされる。

【０００４】本方式によれば、再生光スポット内に温度
分布があるのを利用し、この温度分布により再生層の磁
区を変形させることで再生信号の波形干渉を軽減できる
ため、高密度の記録情報を品質よく再生することができ
る。ＭＳＲ方式の形態としては様々なものあるが、その
ひとつとして本発明者らは特開平７−１４７０２９号に
おいて、保磁力の小さい再生層、キュリー温度の低い切
断層、さらにキュリー温度が高く保磁力が大きい記録層
の互いに交換結合した３層からなる媒体を用いる「反転
型ＭＳＲ」と呼ばれる方式を提案している。

【０００５】反転型ＭＳＲ方式では、再生光スポット内
の低温部で再生層と記録層とが切断層を通して交換結合
される。このとき再生層の副格子磁化の方向と記録層の
副格子磁化の方向が一致する。一方、高温部では切断層
の温度がキュリー温度を超えてしまうため再生層と記録
層との交換結合が切断される。このため再生層と記録層
の関係は静磁結合が支配的になり、再生層の磁化方向と
記録層の磁化方向とが一致する。

【０００６】従って、再生層と記録層がともに遷移金属
磁化優勢（ＴＭリッチ）であれば、再生層と記録層の磁
化方向は常に同じになる。しかし、再生層が希土類金属
磁化優勢（ＲＥリッチ）かつ記録層がＴＭリッチと相違
するときには、再生層と記録層の副格子磁化方向を一致
させた場合と、再生層と記録層の磁化方向を一致させた
場合とでは、再生層の磁化状態は逆になる。

【０００７】すなわち、再生光を照射し媒体が加熱され
るとまず低温部で記録層との交換結合により再生層の磁
化があらわれ、さらに加熱され高温になり交換結合が切
れると再生層の磁化は反転する。高密度の垂直磁気記録
においては、この反転した磁化が反転していない隣接マ
ークと信号を強め合う働きをするため、高い分解能が実
現できるのである。

【０００８】反転型ＭＳＲ方式ではさらに、磁気ディス
クと同様、マーク（磁区）の中心部ではなくマークの端
部（磁区の境界部）において信号強度が最大となるた
め、信号のピーク位置を検出することでマーク端部が容
易に検出できる。このため、安価な磁気ディスクの信号
検出系回路をそのまま利用してマーク長変調記録信号の
再生ができるというコスト的な長所がある。

【０００９】一方、ＭＳＲ方式のひとつとして、特開平
８−２２１８１８号のような、再生層として、低温では
面内磁化を有し高温になり磁化が低下するにつれて垂直
磁化膜となるような再生層を用い、記録層と再生層の間
に非磁性の遮断層を設け、静磁結合力だけで記録層の磁
化方向を再生層に転写する「静磁結合ＣＡＤ」と呼ばれ
る方式も提案されている。

【００１０】静磁結合ＣＡＤ方式では、高温でのみ記録
層の磁化が再生層に転写され信号が読み出せる。低温で
記録層磁化方向の転写が行われず面内磁化膜なので、い
わゆる低温マスクが生成され隣接トラックとの信号干渉
（クロストーク）を小さくすることができる点で優れ
る。さて、静磁結合を利用しないＭＳＲ方式として、再
生層として低温では面内磁化を有し高温になり磁化が低
下するにつれて垂直磁化膜となるような再生層を用い、
かつ、再生層と記録層とを交換結合させて磁化方向を再
生層に転写する「交換結合ＣＡＤ」と呼ばれる方式もあ
る。

【００１１】しかし交換結合ＣＡＤ方式では、再生層を
高温で垂直磁化膜になるような組成とした場合、記録層
との強い交換結合のため、低温で完全に面内磁化膜とす
ることが困難となってしまう。そして、面内磁化領域と
垂直磁化領域の境界がぼやけ、再生信号の分解能が低下
してしまう。どうしても再生層を低温で面内磁化膜にし
ようとすると膜厚をかなり厚くする必要があり、媒体製
造コストの上昇並びに記録感度の低下をもたらす。従っ
て、静磁結合を利用したＭＳＲ方式のほうが再生分解能
の点で優れている。しかしながら、上記「反転型ＭＳ
Ｒ」においても「静磁結合型ＣＡＤ」においても、かな
りの再生分解能の向上はあるが、さらなる高密度記録を
考えた場合には未だ不十分であり、分解能をより向上さ
せる必要があった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】分解能をより向上する
方法として、「ダブルマスク」という方式がある。この
方法は、再生層の磁化が一様に一方向を向き、情報を含
んだ信号が検出されない領域、即ちマスク領域を、再生
層が低温のときと高温のときの両方で発生させるように
するものである。すなわち、再生層が両マスク発生温度
の中間の温度領域にあるときのみ、情報を含んだ信号が
検出される。

【００１３】ダブルマスク方式では、アパーチャー、即
ち記録層の磁化が転写される領域を非常に小さくできる
ため、再生分解能の向上が著しい。具体的には、交換結
合した３層膜を用いた方式が知られている。しかし、従
来の方法ではこのマスクを得るのに３００Ｏｅを越える
大きな再生磁界を与えなければならず、ドライブにとっ
ては大きな負担となっていた。そこで、本発明では上記
問題点に鑑み、反転型ＭＳＲや静磁結合ＣＡＤ等の静磁
結合を用いたＭＳＲ媒体について、高温マスクを用いて
さらに分解能を向上させることを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板
に、ともに希土類金属と遷移金属の合金よりなる記録層
及び再生層を有し、記録層には情報に応じた磁化方向が
記録され、室温以上において記録層の磁化方向が再生層
に転写される温度領域が存在する光磁気記録媒体であっ
て、

【００１５】該記録層と該再生層のあいだに、室温以上
の所定温度で記録層と再生層の交換結合を実質的に遮断
するか、或いは温度によらず常に記録層と再生層の交換
結合を実質的に遮断する切断層を設け、かつ該記録層と
該切断層のあいだに、記録層よりもキュリー温度の低い
垂直磁化膜よりなる制御層を設けることを特徴とする光
磁気記録媒体に存する。なお、本願において室温とは代
表的には２５℃程度を言う。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明は、反転型ＭＳＲや静磁結
合ＣＡＤなど、静磁結合により再生層に磁化方向が転写
される媒体（以下、静磁結合型ＭＳＲと称する。）であ
って、再生光スポットの高温領域で静磁結合を切断する
ことによりマスクを生成し、前述のダブルマスクに近い
状態を形成させることで再生分解能を著しく向上させる
ものである。

【００１７】すなわち、再生光スポット内の所定温度以
上の領域で静磁結合によって再生層に磁区が転写されて
いる状態で、特に高温のスポット中心部で高温マスクを
生成させる。高温マスクは、記録層と再生層との静磁結
合力を極端に低下させるか、或いは静磁結合力の方向を
記録層の磁区によらない一方向に揃えることにより生成
させ、実質的に再生信号に影響しないようにする。

【００１８】このことにより再生スポット内の信号再生
領域を狭くして、再生分解能を著しく向上させることが
可能となる。上記高温マスク生成の原理は、従来からあ
る交換結合した３層膜を用いるフロントアパーチャーデ
ィテクション方式（ＦＡＤ方式）に一見似ているが、Ｆ
ＡＤ方式が交換結合力の温度変化を用いるのに対し、本
発明では静磁結合力の温度変化を用いるという特徴があ
る。

【００１９】そしてこの特徴によって、静磁結合型ＭＳ
Ｒ媒体の優れた特質と高い再生分解能を兼ね備えた媒体
が実現できる。本原理を反転型ＭＳＲ方式に用いた場合
は、前述した磁化反転に伴う信号の強め合いによる分解
能の向上と、本原理による高温マスクの生成の効果の複
合作用により、非常に高い分解能での再生が可能とな
る。さらに、前述した、マーク端の信号ピークによる検
出が可能という反転型ＭＳＲの特徴も維持される。ま
た本原理を静磁結合ＣＡＤに用いた場合は前述した面内
磁化膜による低温マスクと、本原理による高温マスクと
の複合作用によりダブルマスクとなるので、高温マスク
のみの単なるＦＡＤよりも分解能が上がる。さらに、低
クロストークというＣＡＤの特徴も維持される。

【００２０】さて、大きな再生信号を得るには、記録層
の磁化方向が転写される温度範囲（アパーチャーを生成
する温度範囲）においては静磁結合が充分に大きく、転
写されない温度範囲（マスクを生成する温度範囲）では
静磁結合が充分に小さいことが望ましい。すなわち、静
磁結合力の温度変化が急峻であることが望まれる。この
目的のために、本発明においては、切断層と記録層の間
に記録層より低キュリー温度の制御層を挿入するのであ
る。制御層はそのキュリー温度より充分に低温において
は比較的大きな磁化を有し、再生層との静磁結合により
磁化転写に支配的な役割を果たす。一方、制御層のキュ
リー温度近傍では、制御層の磁化は急激に減少するため
再生層への静磁結合力が低下する。このとき記録層の磁
化は残っているため記録層と再生層は静磁結合している
が、制御層の膜厚が充分厚ければ再生層との距離が遠い
ため、再生層に磁化方向の転写ができなくなる程度に静
磁結合を弱めることができる。また、この温度領域にお
いて記録層の磁化を制御層の磁化に比べ充分小さくして
おけば、より静磁結合力低下の効果が大きい。このよう
にして、再生層の磁区の収縮力によって、あるいは適当
な強度の再生磁界を印加することによって再生層の磁化
方向を一方向に向け高温マスクとすることが可能とな
る。

【００２１】以下、静磁結合ＣＡＤを例にして図面を用
いて本発明を説明する。従来の静磁結合ＣＡＤ用光磁気
記録媒体の構成は図２に示す通り、基本的に再生層１、
切断層２、記録層４よりなる。例えば、再生層を室温で
希土類金属磁化優勢（ＲＥリッチ）、切断層を非磁性層
又は常磁性層とし、記録層を室温で遷移金属磁化優勢
（ＴＭリッチ）あるいは補償組成付近の組成としてお
く。再生層と記録層の間の交換結合は、切断層の存在に
よって温度にかかわらず常に遮断されている。

【００２２】さて、室温において再生層１は、面内磁化
膜であり記録層の記録磁区を転写せず再生に寄与する信
号を発生しないが、再生光スポット１２が照射され昇温
されると再生層の磁化は減少し、ある遷移温度Ｔｐで垂
直磁化膜となり静磁結合力５によって、記録層４の磁化
方向が転写され、高温領域７では再生層１に記録磁区が
あらわれる。温度上昇にともない、ＴＭリッチである記
録層４の磁化が増大するため、昇温するほど強い静磁結
合が得られる。従って、高温領域７の全てにわたって再
生層１には、記録方向磁区６ａ、消去方向磁区６ｂ、記
録方向磁区６ｃの順に記録磁区があらわれる。例えば光
変調記録においては、記録時に、全ての磁化を一旦同一
方向に揃え（消去）、その後逆方向の磁化のみを記録す
るため、便宜上、前者の方向を消去方向磁区、後者の方
向を記録方向磁区と呼ぶ。図では、上向き矢印の磁区を
記録方向磁区、下向き矢印の磁区を消去方向磁区として
いる。再生光スポット１２内で記録磁区があらわれてい
る領域、即ちアパーチャー８の領域で再生信号が発生す
る。このため、記録方向磁区６ｃを再生しようとして
も、再生信号に消去方向磁区６ｂからの再生信号も含ま
れてしまう。同様に、消去方向磁区６ｂを再生するとき
にも、再生信号には記録方向磁区６ａからの再生信号が
含まれる。このため再生分解能が低くなってしまう。

【００２３】これに対して、本発明の光磁気記録媒体の
一実施形態である図１においては、記録層４と切断層２
のあいだに、記録層４よりもキュリー温度の低い制御層
３を設ける。記録層と制御層はともに垂直磁化膜であ
り、互いに静磁結合又は交換結合しており、制御層が記
録層の磁化方向を転写する。両者が結合力の強い交換結
合を行っていることが好ましい。この場合制御層は室温
でＴＭリッチあるいは補償組成付近の組成であることが
好ましく、より好ましくはＴＭリッチである。さらに、
より強い静磁結合力を得るためにＴＭリッチで室温で記
録層よりも大きな磁化を有していることが特に好まし
い。

【００２４】本媒体に再生光スポット１２が照射され昇
温されると、図１と同様に再生層の遷移温度Ｔｐ以上で
再生層に記録層の磁化方向が転写され、高温領域７では
再生層１に記録磁区があらわれる。しかし、温度がさら
に上がり、制御層のキュリー温度Ｔｃｃ付近に達する
と、制御層の磁化が急激に減少する。このため静磁結合
力５が減少して再生層に磁化方向を転写することが不可
能になる。このとき再生層の磁化が充分に小さければ、
磁区収縮によって再生層磁化は消去方向に揃い、高温マ
スク９を生成する。弱い再生磁界を消去方向に加えて磁
区収縮を補助することも可能である。このときアパーチ
ャー８を図のように非常に小さくすることができる。

【００２５】高温マスク９の領域は常に消去方向の磁区
であるため、記録方向磁区６ｃを再生しようとするとき
も、消去方向磁区６ｂを再生しようとするときもそれら
磁区からの再生信号に常に一定の大きさの消去方向磁区
の再生信号が加わるだけであるから、その影響は差し引
くことができる。従ってアパーチャー８からの再生信号
だけを得ることができ、分解能は大きく向上する。上記
のことから、再生層に記録層の磁化方向が転写される領
域（アパーチャー）を形成するためには下記式を満たす
ことが条件となる。Ｔｃｃ＞Ｔｐ（１）

【００２６】図から明らかなように、高温マスク９が形
成されない状態（図２）と比べ、高温マスクが形成され
た状態（図１）ではアパーチャー８の幅が著しく狭くな
り、高分解能が実現できることが分かる。なお、図２の
ように制御層がない従来の媒体でも、記録層はそのキュ
リー温度付近では磁化が著しく低下するため、記録層の
組成によっては、高温マスクを生成させることが原理的
に可能である。しかしこの場合は、再生時に記録層の温
度をキュリー温度付近まで上げてしまうため、わずかな
再生パワー変動あるいは環境温度変動によって媒体温度
は記録層のキュリー温度を越えてしまい、記録磁区自体
が消失してしまう。たとえキュリー温度を越えない場合
でも、連続再生耐久性が著しく悪化してしまう。

【００２７】本発明の構成によれば、記録層のキュリー
温度よりかなり低い温度で静磁結合力を変化させること
ができる。このため記録層の記録磁区の安定性を確保し
た上で高温マスクを生成することができ、広い再生パワ
ーマージンが得られるのである。さて、静磁結合は再生
層の磁化Ｍｒと記録層の磁化Ｍｗの積に比例する。そし
て、ＭｒとＭｗの積の値がある値以下になり、静磁結合
力が所定値以下になったときマスクが生成される。図１
に示す媒体は制御層のキュリー温度Ｔｃｃ付近で、ある
程度の温度範囲にわたって制御層の磁化が低下し、静磁
結合力が低下する。従って、キュリー温度より低い温度
で、再生層にマスクが生成される。ところで、記録層の
磁化Ｍｗは温度の他に組成中の希土類金属の量の変動に
より大きく変化する。ただし、Ｍｗが０となる温度、即
ちキュリー温度は組成が多少変動してもあまり変化しな
い。つまり、キュリー温度から離れるほど組成によるＭ
ｗ変動は大きくなる。従って図１に示す媒体は、制御層
の組成が変動したときにＭｗも変動し、マスクの生成温
度も変化しやすい傾向があり、媒体間あるいは同一媒体
内での再生光感度にばらつきが生じる可能性がある。

【００２８】本発明において好ましくは、制御層と切断
層の間にバイアス層を挿入することで、このばらつきを
抑えることができる。図３に本発明の光磁気記録媒体の
別の形態を示す。この場合、制御層３と切断層２の間に
さらにバイアス層１１が挿入されている。バイアス層１
１は制御層３と交換結合しており低保磁力、高キュリー
温度の膜である。媒体が制御層のキュリー温度付近に達
するとその交換結合が切れ、このとき磁区の縮小によ
り、あるいは再生磁界によりバイアス層１１の磁化は一
方向を向き高温マスクを形成する。この結果、磁化が一
方向に揃ったバイアス層との静磁結合力により、再生層
も同様に磁化が一方向に揃いマスクを生成する。

【００２９】本媒体は、制御層のキュリー温度Ｔｃｃに
ごく近い温度でマスクが生成される。前記説明のごと
く、キュリー温度付近では組成変動によるＭｗの変化は
あまりないため、マスクの生成温度も変化しにくい。こ
のため、再生光感度のばらつきが小さくマスクの形状変
動も小さいという利点がある。この場合再生層との静磁
結合はバイアス層の磁化により行われるため、バイアス
層は室温でＴＭリッチであることが好ましいが、制御層
に関してはＴＭリッチである必要は無い。

【００３０】こういった媒体に記録を行う方法として
は、磁界を一定とし光パルスに記録情報を載せる光変調
方式と光のパワーを一定とし磁界方向に記録情報を載せ
る磁界変調方式の二通りがある。本発明はいずれの記録
方式への適用も可能である。静磁結合型ＣＡＤの光磁気
記録媒体の再生信号波形の模式図を図４に示す。図４
（ａ）は本発明の媒体、図４（ｂ）は従来の媒体に関
し、いずれも波形の山側が記録方向磁区を再生したと
き、谷側が消去方向磁区を再生したときのものである。
従来の媒体は図４（ｂ）のように両者は対称の波形を示
すが、本発明の媒体による再生信号波形は、高温マスク
の生成により図４（ａ）のように非対称な形状となる。
ただし再生分解能限界付近では高調波がカットされて歪
みがとれるため、図４（ｂ）の波形に近づく。さて、本
発明の媒体に一見似たものとして、特開平１０−２５５
３４４に記録層、面内磁化層、中間層、及び再生層から
なり面内磁化層のキュリー温度が、再生層が面内磁化状
態から垂直磁化状態になる温度近傍にある媒体が記載さ
れている。しかし、この媒体は、面内磁化層により、低
温でマスクを生成するものであって本発明の高温マスク
を生成するという目的、マスク生成の過程とも全く異な
るものである。

【００３１】以下反転型ＭＳＲ、ならびに静磁結合ＣＡ
Ｄを例として媒体各層の特性についてさらに詳細に説明
する。ただし、これらに限らず静磁結合を用いる媒体で
あれば本発明を適用できる。本発明において再生層は希
土類金属磁化優勢の組成が好ましい。このとき、反転型
ＭＳＲにおいては、交換結合力による再生層磁化と静磁
結合力による再生層磁化の方向とが逆になる。また静磁
結合ＣＡＤにおいては、低温で面内磁化膜であり高温で
磁化の減少により垂直磁化膜に移行する。

【００３２】静磁結合により磁化方向が転写されるため
に、再生層の保磁力は少なくとも記録層より小さいこと
が好ましい。好ましい保磁力は室温において０〜５００
Ｏｅである。さらに好ましくは０〜３００Ｏｅである。
こういった再生層に用いられる物質としては、ＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＣ
ｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＣｏ、ＴｂＣ
ｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＣｏ等
の希土類と遷移金属の合金が挙げられる。

【００３３】中でも、Ｇｄを含有する合金を用いるのが
キュリー温度や保磁力の点から好ましい。特に好ましい
のはＧｄＦｅＣｏやＧｄＦｅである。キュリー温度は、
２５０℃以上であることが好ましい。さらに好ましくは
３００℃以上である。再生層の光入射側にＰｔＣｏや、
ＰｔとＣｏの超格子等の磁性体を再生層に積層させるこ
ともできる。再生層の垂直磁気異方性を大きくするに
は、磁性層にある程度の膜応力をもたせて逆磁歪効果に
よる異方性を発生させるのが好ましい。再生層の膜厚
は、薄い方が磁化が垂直に立ちやすく好ましい。

【００３４】しかし、膜厚が薄いと、漏洩磁束が小さく
なり、静磁結合力が減少したり、再生光が透過してしま
い再生信号が劣化するので、１０ｎｍ以上とし、１００
ｎｍ以下とするのが好ましい。さらに好ましくは、１５
ｎｍ以上とし、７０ｎｍ以下とする。特に好ましくは２
０ｎｍ以上とし、６０ｎｍ以下とする。静磁結合ＣＡＤ
の場合、低温マスク生成のため再生層の磁化が面内から
垂直に移行する温度Ｔｐは室温より充分高いことが望ま
しく、Ｔｐは１００℃以上が好ましい。さらに好ましく
は１２０℃以上である。ただし、先に述べたように制御
層のキュリー温度Ｔｃｃより低くする必要があるため、
好ましくは２５０℃以下である。さらに好ましくは２２
０℃以下である。ＧｄＦｅＣｏを再生層に用いる場合、
原子比で、Ｇｄ_x（Ｆｅ_YＣｏ_100-Y）_100-X としたとき、Ｘについて好ましくは２７≦Ｘ≦３５であ
り、さらに好ましくは２８≦Ｘ≦３３である。またＹに
ついて好ましくは７０≦Ｙ≦１００であり、さらに好ま
しくは７５≦Ｙ≦９５である。

【００３５】再生層と記録層の間には交換結合を切断す
るための切断層を設ける。切断層は媒体の温度上昇に伴
い、あるいは温度にかかわらず交換結合力を実質的に切
断するものである。反転型ＭＳＲにおいてはキュリー温
度が記録層、再生層より低い層であり、キュリー温度を
越える高温において交換結合を遮断する。静磁結合ＣＡ
Ｄでは全ての温度領域において交換結合を遮断するよう
に、主に非磁性ないし常磁性の膜を用いる。

【００３６】反転型ＭＳＲにおいて切断層は、キュリー
温度が再生層や記録層と比べて小さいものを用いる。切
断層のキュリー温度Ｔｃ２は、９０〜１８０℃程度が好
ましい。Ｔｃ２が低いと交換結合し磁区が転写された領
域からの信号が小さくなり、高いと高い再生パワーを必
要とし、またこのため、再生パワーで記録されないよう
感度を下げるので必然的に高い記録パワーを必要とする
ようになる。ある程度の大きさのアパーチャーを確保す
るためＴｃ２は制御層のキュリー温度Ｔｃｃより低いこ
とが好ましく、さらに好ましくは３０℃以上低いことで
ある。切断層は垂直磁気異方性が高く、再生層の磁化に
強い力を発生させるものが好ましい。

【００３７】切断層に用いられる物質としては、ＴｂＦ
ｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ、ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏ等の希土類と遷移金属の合金が好ましい。膜厚
は２ｎｍ以上とし、３０ｎｍ以下とすることが好まし
い。薄いと交換結合の遮断が十分に行われにくくなり、
厚いと静磁結合の磁束が届きにくくなる。静磁結合ＣＡ
Ｄにおいて、切断層は金属、誘電体等の少なくとも再生
層に磁化方向が転写される温度で非磁性又は常磁性のも
のが好ましく用いられる。例えばＡｌ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｓｉ₃
Ｎ ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、カーボン、水素化カーボン等で
ある。これらの混合物であってもかわまない。ただし透
磁率の高いもの、例えばＦｅ、Ｎｉ等は磁束を透過せ
ず、静磁結合を低下させるため好ましくない。

【００３８】膜厚は１ｎｍ以上とし、３０ｎｍ以下とす
ることが好ましい。さらに好ましくは２ｎｍ以上とし２
０ｎｍ以下とする。薄いと交換結合の遮断が十分に行わ
れにくくなり、厚いと静磁結合の磁束が届きにくくな
る。制御層は記録層よりもキュリー温度の低い層とす
る。ただし、先に述べたようにアパーチャーを確保する
ためにキュリー温度はある程度以上の高温であるのが望
ましい。好ましいキュリー温度Ｔｃｃは１４０℃以上で
ある。さらに好ましくは１６０℃以上である。アパーチ
ャーを充分確保するためＴｐとＴｃｃの温度差は２０℃
以上とすることが好ましい。さらに好ましくは３０℃以
上である。

【００３９】また、再生パワーマージンを広げるために
はＴｃｃと、記録層のキュリー温度Ｔｃｗの差を充分と
る必要があり、その差が２０℃以上であることが好まし
い。さらに好ましくは４０℃以上である。制御層は垂直
磁化膜であり、これを形成する物質としては、ＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ等の希
土類−遷移金属合金が好ましく用いられる。特に好まし
くはＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏまたはＧｄＦｅあるい
はこれらの合金である。中でもキュリー温度が低く調整
でき、大きな遷移金属磁化を有していても垂直磁気異方
性の高いＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、あるいはこれら
の合金が好ましい。バイアス層が無い場合、制御層は室
温でＴＭリッチであることが好ましい。

【００４０】制御層の膜厚は１０ｎｍ以上とし、１００
ｎｍ以下とすることが好ましく、さらに好ましくは２０
ｎｍ以上とし、７０ｎｍ以下とする。特に好ましくは２
５ｎｍ以上とし、６０ｎｍ以下とする。制御層は記録層
と交換結合していることが好ましい。制御層が厚いと記
録感度が悪くなりやすく、記録層から制御層への磁化方
向転写も行われにくくなる。一方、制御層が薄いと、制
御層の発生する静磁結合力が小さくなり、Ｔｃｃ近辺で
の静磁結合の変化が小さくなってしまう。

【００４１】制御層にＴｂＦｅＣｏを用いる場合、原子
比で、Ｔｂ_X（Ｆｅ_YＣｏ_100-Y）_100-X としたとき、Ｘについて好ましくは１８≦Ｘ≦２５であ
り、さらに好ましくは１９≦Ｘ≦２４である。またＹに
ついて好ましくは８０≦Ｙ≦１００であり、さらに好ま
しくは８５≦Ｙ≦９５である。

【００４２】制御層にＤｙＦｅＣｏを用いる場合、原子
比で、Ｄｙ_X（Ｆｅ_YＣｏ_100-Y）_100-X としたとき、Ｘについて好ましくは１８≦Ｘ≦２５であ
り、さらに好ましくは１９≦Ｘ≦２４である。またＹに
ついて好ましくは６０≦Ｙ≦９５であり、さらに好まし
くは７０≦Ｙ≦９０である。

【００４３】記録層は単独の膜でも良いし、複数の膜か
らなっていても良い。各記録膜は再生光による加熱で劣
化しない大きさのキュリー温度を有していることが必要
である。記録層が保磁力の低い膜（例えばＧｄＦｅＣ
ｏ）と保磁力の高い膜（例えばＴｂＦｅＣｏ）との組み
合わせである場合、高保磁力膜に記録すれば交換結合力
により低保磁力膜に転写される。記録層が高い垂直磁気
異方性を持つことも、安定に記録磁区を保持するために
好ましい。

【００４４】記録層は垂直磁化膜であり、これを形成す
る物質としては、少なくとも一つの記録膜が高い保磁力
を持ち、記録を安定に蓄え得ることが好ましい。この高
保磁力膜としてはＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ等が好ましく用いられる。中でもＴｂＦｅＣｏが垂直
磁気異方性が高く、保磁力が大きいので特に好ましい。
保磁力は５ｋＯｅ以上であることが好ましい。高保磁力
膜以外の膜は、高保磁力膜と交換結合していれば、単独
で保磁力が小さいものでもかまわない。例えばＧｄＦ
ｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＣｏである。

【００４５】記録層の膜厚は２０ｎｍ以上、１００ｎｍ
以下であることが好ましく、さらに好ましくは２５ｎｍ
以上、７０ｎｍ以下である。記録層が薄いと安定して制
御層に磁区方向を転写しにくくなる。また、厚いと感度
及び生産性が悪くなりやすい。記録層のキュリー温度が
低いと、再生のパワーマージンが狭くなるので、２００
℃以上であることが好ましい。さらに好ましくは２５０
℃以上である。ただし、高過ぎれば記録に要するレーザ
ーパワーが非常に大きくなってしまうので３５０℃以下
であることが好ましい。

【００４６】記録層にＴｂＦｅＣｏを用いる場合、原子
比で、Ｔｂ_X（Ｆｅ_YＣｏ_100-Y）_100-X としたとき、Ｘについて好ましくは２０≦Ｘ≦２６であ
り、さらに好ましくは２１≦Ｘ≦２５である。またＹに
ついて好ましくは６０≦Ｙ≦９０であり、さらに好まし
くは６５≦Ｙ≦８５である。

【００４７】高温マスクの形成には、制御層の磁化が低
下したとき、記録層からの再生層への静磁結合力が充分
弱くなる必要がある。このため、記録層が室温でほぼ補
償組成であるか、わずかにＲＥリッチである組成が好ま
しい。バイアス層を設ける場合、Ｔｃｃ以上でマスク生
成を行うためにバイアス層は保磁力を低くするのが望ま
しい。保磁力はＴｃｃにおいて３００Ｏｅ以下であるこ
とが好ましい。このため、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｇ
ｄＣｏ等が好ましく用いられる。キュリー温度は制御層
より高い必要がある。好ましくは２００℃以上、さらに
好ましくは２５０℃以上である。強い静磁結合力を発生
するためにバイアス層は室温でＴＭリッチであることが
好ましい。

【００４８】以上の磁性層は、希土類金属と遷移金属の
合金を用いた場合、非常に酸化しやすいため、磁性層の
両側に保護膜を着けた態様をとることが好ましい。保護
膜としては、酸化Ｓｉ、酸化Ａｌ、酸化Ｔａ、酸化Ｔ
ｉ、窒化Ｓｉ、窒化Ａｌ、炭化Ｓｉなどの単体あるいは
それらの混合物が好ましく用いられる。保護膜の膜厚は
５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度が好ましい。基板側の保護膜
を作製後、表面をプラズマエッチングすることで磁性層
の磁気異方性を向上させることができる。

【００４９】磁性層の記録層側に直接あるいは保護層を
介して、放熱層としてＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の単
体、あるいはそれを主体とした合金よりなる高熱伝導物
質を設けることは、再生時の熱分布を安定させるうえで
望ましい構成である。放熱層の膜厚は１０ｎｍ〜１００
ｎｍ程度が好ましい。静磁結合力をより確実に発生させ
るため、記録層の再生層とは反対の側に透磁率が記録層
よりも大きい層、例えばＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＮｉ、
ＡｌＳｉＦｅ等を直接あるいは非磁性層を介して１０〜
５０ｎｍ程度設けても良い。こういった層の効果により
記録層の漏洩磁束がより効率的に発生し再生層と結合す
る。記録層と直接接すると記録層の垂直磁気異方性が低
下するので非磁性層を介することが好ましい。

【００５０】本発明の媒体を再生するにあたっては、制
御層の温度がそのキュリー温度以上となるよう加熱しな
がら再生する。その際、再生磁界を高温マスク形成を補
助する方向に加えておくことが高温マスクを安定化する
上で好ましい。再生磁界の大きさは、弱過ぎれば効果が
無いが、強過ぎれば静磁結合力による転写を阻害してし
まう。好ましくは３００Ｏｅ以下であり、１０Ｏｅ以下
である。さらに好ましくは５０Ｏｅ以上、２５０Ｏｅ以
下である。

【００５１】光変調記録においては消去方向磁区に比べ
て記録方向磁区の面積が小さい。光変調記録では、通
常、一旦記録した磁区を消去する際には、ＤＣ光を照射
した記録方向磁区幅以上の消去を行うためである。従っ
て、記録方向磁区を消去側に反転させてマスクを生成す
るのが容易である。よって、消去方向に再生磁界を加え
ることが好ましい。磁界変調記録においてはいずれの方
向の磁区もほぼ同一面積であるため、再生磁界をどちら
側に加えても良い。本発明はランド記録及びグルーブ記
録のいずれに用いることも可能であるし、ランドとグル
ーブの両方に記録する方式に用いることも可能である。

【００５２】

【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。実施例１反転型ＭＳＲ方式の光磁気記録媒体を作製するためスパ
ッタリング装置に０．８５μｍのトラックピッチの案内
溝を持ったポリカーボネート基板を導入し、５×１０^-5
Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。この後、保護層と
して基板上に反応性スパッタリングを用い厚さ８０ｎｍ
の酸化Ｔａを形成した。次に酸化Ｔａ上に、Ｇｄ₃₃（Ｆ
ｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₆₇よりなる厚さ３０ｎｍの再生層、Ｔｂ₂₁
Ｆｅ₈₀よりなる厚さ１０ｎｍの切断層、Ｄｙ₂₁（Ｆｅ₈₀
Ｃｏ₂₀）₇₉よりなる厚さ３０ｎｍの制御層、Ｔｂ₂₂（Ｆ
ｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₆よりなる厚さ５０ｎｍの記録層を設け
た。最後にＳｉＮよりなる厚さ５０ｎｍの保護層を設け
た。

【００５３】再生層、切断層、制御層、記録層のキュリ
ー温度を測定したところ、各々３００℃以上、１２０
℃、１９０℃、２７０℃であった。再生層は室温におい
ては希土類金属磁化が優勢で保磁力はほぼ零であった。
切断層は室温において遷移金属磁化が優勢で保磁力は８
ｋＯｅであった。制御層は室温で遷移金属磁化優勢で保
磁力は４ｋＯｅであった。記録層は室温で遷移金属磁化
が優勢で、保磁力は１４ｋＯｅであった。

【００５４】このようにして作製したディスクを波長６
８０ｎｍのレーザー光源と、開口数０．５５のピックア
ップを有する評価機を用いてＣＮＲ（Ｃａｒｅｅｒｔ
ｏＮｏｉｓｅＲａｔｉｏ，ＣＮ比）を測定した。記録
条件は線速８ｍ／ｓにおいて周波数１０．５３ＭＨｚで
記録光を変調させて記録を行った。これは、各マーク長
０．３８μｍに相当する。記録前には８ｍＷの消去パワ
ーの光を照射しつつ消去方向に３００Ｏｅの磁界を加え
て予め消去を行った。再生時には再生磁界として１５０
Ｏｅを消去方向に加えながら、再生パワーを変化させて
再生した。

【００５５】図５にＣＮＲの再生パワー依存性のグラフ
を示す。再生パワーＰｒが１．２ｍＷまではＭＳＲでな
い通常の再生となり、１．４ｍＷ以上では超解像の効果
が現れＭＳＲ再生となった。さらに、Ｐｒを２．８ｍＷ
以上とすると高温マスクが現れ、ＣＮＲが急激に増加し
た。ＣＮＲは最大で４９．５ｄＢが得られた。この領域
では再生信号波形が図４（ａ）のように非対称になり、
高温マスクの生成が確認された。ＣＮＲが４５ｄＢ以上
となるパワーとして定義したパワーマージンＷは、３．
３ｍＷ±１５％と十分に広かった。

【００５６】実施例２静磁結合ＣＡＤ方式を用いた光磁気記録媒体を作製する
ためスパッタリング装置に０．８５μｍのトラックピッ
チの案内溝を持ったポリカーボネート基板を導入し、５
×１０^-5Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。この後、
保護層として基板上に反応性スパッタリングを用い厚さ
８０ｎｍの酸化Ｔａを形成した。次に酸化Ｔａ上に、Ｇ
ｄ₂₉（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₁よりなる厚さ３０ｎｍの再生
層、Ｇｄよりなる厚さ５ｎｍの切断層、Ｔｂ₂₀（Ｆｅ₉₀
Ｃｏ₁₀）₇₈よりなる厚さ３０ｎｍの制御層、Ｔｂ₂₃（Ｆ
ｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₇よりなる厚さ６０ｎｍの記録層を設け
た。次にＳｉ₃Ｎ₄よりなる厚さ３０ｎｍの保護層を設
け、最後にＡｌ₉₈Ｔａ₂による厚さ２０ｎｍの放熱層を
設けた。

【００５７】再生層、制御層、記録層のキュリー温度を
測定したところ、各々３００℃以上、２００℃、２７０
℃であった。再生層は室温においては希土類金属磁化が
優勢で面内磁化膜であった。制御層は室温で遷移金属磁
化優勢で保磁力は７ｋＯｅであった。記録層は室温で遷
移金属磁化が優勢で保磁力は１８ｋＯｅであった。再生
層が面内磁化膜から垂直磁化膜に移行する温度は１４０
℃であった。このようにして作製したディスクを、再生
磁界の大きさを１００Ｏｅとした以外は実施例１と同条
件で記録し評価した。

【００５８】図６にＣＮＲの再生パワー依存性のグラフ
を示す。再生パワーＰｒが低いところでは再生層が面内
磁化膜であるため信号がほとんど得られないが、Ｐｒの
増加とともに信号が増加し、Ｐｒを２．６ｍＷ以上とす
ると高温マスクが現れ、ＣＮＲが急激に増加した。ＣＮ
Ｒは最大で４７．５ｄＢが得られた。この領域では波形
が図４（ａ）と同様に非対称になり、高温マスクの生成
が確認された。再生パワーマージンＷは３．１ｍＷ±１
６％であった。また、このディスクを、Ｐｒを３．２ｍ
Ｗと固定し再生磁界を変化させながら再生した結果を図
７に示す。図７において正の磁界方向が消去磁界の方向
である。図から明らかなように、再生磁界が消去磁界方
向で３００Ｏｅ以下のときに特に高いＣＮＲが得られて
いる。

【００５９】比較例１制御層を設けない以外は実施例２と同様にディスクを作
製した。このディスクを実施例２と同様に光変調記録を
行い評価したところ、図６に示すように再生パワーＰｒ
が３．４ｍＷ以上で高温マスクによるＣＮＲの増加が観
察されたものの、Ｐｒ３．６ｍＷでは記録層の記録磁区
が劣化したことにより早くもＣＮＲが低下し、再生パワ
ーマージンが不十分であった。Ｐｒ３．４ｍＷにおいて
もディスク内での信号がやや不均一であった。最大のＣ
ＮＲは４６．０ｄＢであった。なお、Ｐｒが３．４ｍＷ
より低いところでは波形は対称のままであり、高温マス
クが生成されない通常のＣＡＤであった。再生パワーマ
ージンＷは３．５ｍＷ±３％と非常に狭かった。

【００６０】実施例３切断層を厚さ１０ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄、制御層を厚さ４０
ｎｍのＧｄ₂₀Ｆｅ₈₀とした以外は、実施例２にと同様に
してディスクを作製した。制御層のキュリー温度を測定
したところ、２１０℃であった。室温で遷移金属磁化優
勢で保磁力はほぼ零であった。このようにして作製した
ディスクを実施例２と同様に評価を行った。図８にＣＮ
Ｒの再生パワー依存性のグラフを示す。再生パワーＰｒ
が低いところでは再生層が面内磁化膜であるため信号が
ほとんど得られないが、Ｐｒの増加とともに信号が増加
し、Ｐｒを２．８ｍＷ以上とすると高温マスクが現れ、
ＣＮＲが急激に増加した。ＣＮＲは最大４６．５ｄＢが
得られた。この領域では波形が図４（ａ）と同様に非対
称になり、高温マスクの生成が確認された。再生パワー
マージンＷは３．４ｍＷ±１２％であった。

【００６１】実施例４静磁結合ＣＡＤ方式の光磁気記録媒体を作製するためス
パッタリング装置に０．８５μｍのトラックピッチの案
内溝を持ったポリカーボネート基板を導入し、５×１０
^-5Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。この後、保護層
として基板上に反応性スパッタリングを用い厚さ８０ｎ
ｍのＳｉ₃Ｎ₄を形成した。次にＳｉ₃Ｎ₄上に、Ｇｄ
₂₉（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₁よりなる厚さ３０ｎｍの再生層、
Ｇｄよりなる厚さ５ｎｍの切断層、Ｇｄ₂₀（Ｆｅ₈₀Ｃｏ
₂₀）₈₀よりなる厚さ３０ｎｍのバイアス層、Ｔｂ₂₃（Ｆ
ｅ₉₀Ｃｏ₁₀）₇₈よりなる厚さ５ｎｍの制御層、Ｔｂ
₂₃（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₇よりなる厚さ６０ｎｍの記録層を
設けた。次にＳｉ₃Ｎ₄よりなる厚さ３０ｎｍの保護層
を設け、最後にＡｌ₉₈Ｔａ₂による厚さ２０ｎｍの放熱
層を設けた。

【００６２】再生層、バイアス層、制御層、記録層のキ
ュリー温度を測定したところ、各々３００℃以上、３０
０℃以上、２００℃、２７０℃であった。再生層は室温
においては希土類金属磁化が優勢で面内磁化膜であっ
た。バイアス層は室温では遷移金属磁化が優勢で保磁力
は零であった。制御層は室温で遷移金属磁化優勢で保磁
力は７ｋＯｅであった。記録層は室温で遷移金属磁化が
優勢で保磁力は１８ｋＯｅであった。

【００６３】再生層が面内磁化膜から垂直磁化膜に移行
する温度は１４０℃であった。このようにして作製した
ディスクを、再生磁界の大きさを２００Ｏｅとした以外
は実施例１と同条件で記録し評価した。図９にＣＮＲの
再生パワー依存性のグラフを示す。再生パワーＰｒが低
いところでは再生層が面内磁化膜であるため信号がほと
んど得られないが、Ｐｒの増加とともに信号が増加し、
Ｐｒを２．８ｍＷ以上とすると高温マスクが現れ、ＣＮ
Ｒが急激に増加した。ＣＮＲは最大４８．８ｄＢが得ら
れた。この領域では波形が図４（ａ）と同様に非対称に
なり、高温マスクの生成が確認された。再生パワーマー
ジンは３．３ｍＷ±１５％であった。

【００６４】

【発明の効果】本発明によれば、静磁結合を用いた磁気
誘導超解像光磁気記録媒体において、記録層と再生層の
間に切断層を設け、さらに切断層と記録層の間に低キュ
リー温度の制御層を挿入することで、高温部の静磁結合
を遮断し、高温マスクの生成を行うことにより、反転型
ＭＳＲや静磁結合ＣＡＤ等の各々の特徴を損なわずに、
幅広い再生パワーにおいてＣＮＲを増加させ、分解能を
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一例の静磁結合超解像媒体の機構説明
図

【図２】従来の静磁結合超解像媒体の機構説明図

【図３】本発明の他の一例の静磁結合超解像媒体の機構
説明図

【図４】（ａ）本発明の媒体による再生信号波形と
（ｂ）従来の媒体による再生信号波形を示す模式図

【図５】実施例１におけるＣＮＲの再生パワー依存性

【図６】実施例２及び比較例１におけるＣＮＲの再生パ
ワー依存性

【図７】実施例２におけるＣＮＲの再生磁界依存性

【図８】実施例３におけるＣＮＲの再生パワー依存性

【図９】実施例４におけるＣＮＲの再生パワー依存性

【符号の説明】

１再生層２切断層３制御層４記録層５静磁結合力６記録磁区６ａ記録方向磁区６ｂ消去方向磁区６ｃ記録方向磁区７高温領域８アパーチャー９高温マスク１０外部磁界１１バイアス層１２再生光スポット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、ともに希土類金属と遷移金属
の合金よりなる記録層及び再生層を有し、記録層には情
報に応じた磁化方向が記録され、室温以上において記録
層の磁化方向が再生層に転写される温度領域が存在する
光磁気記録媒体であって、該記録層と該再生層のあいだに、室温以上の所定温度で
記録層と再生層の交換結合を実質的に遮断するか或いは
温度によらず常に記録層と再生層の交換結合を実質的に
遮断する切断層を設け、かつ該記録層と該切断層のあい
だに、記録層よりもキュリー温度の低い垂直磁化膜より
なる制御層を設けることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】室温以上の温度において、静磁結合によ
り該記録層の磁化方向が該再生層に転写される請求項１
に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】該制御層が室温において遷移金属磁化優
勢である請求項１又は２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】該再生層が室温において希土類金属磁化
優勢である請求項１乃至３のいずれかに記載の光磁気記
録媒体。
【請求項５】該切断層が非磁性体又は常磁性体よりな
る請求項１乃至４のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】該切断層が該制御層よりキュリー温度の
低い磁性体よりなる請求項１乃至５のいずれかに記載の
光磁気記録媒体。
【請求項７】該再生層が室温で面内磁化膜であり、室
温以上の所定の温度で垂直磁化膜となる請求項１乃至６
のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
【請求項８】該再生層が垂直磁化膜となる温度が該制
御層のキュリー温度より低い請求項１乃至７のいずれか
に記載の光磁気記録媒体。
【請求項９】該制御層と該切断層の間に制御層よりも
キュリー温度の高いバイアス層を設ける請求項１乃至８
のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
【請求項１０】該バイアス層が室温で遷移金属磁化優
勢である請求項９に記載の光磁気記録媒体。
【請求項１１】請求項１乃至１０のいずれかに記載の
光磁気記録媒体に光を照射して再生する方法であって、
制御層の温度がそのキュリー温度以上となるよう加熱し
ながら再生することを特徴とする光磁気記録媒体の再生
方法。
【請求項１２】３００Ｏｅ以下の磁界を加えながら再
生を行う請求項１１に記載の光磁気記録媒体の再生方
法。