JP2900957B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気力−効果を利用し
てレーザー光により情報の記録・再生を行う光磁気記録
媒体の製造方法に関するものであり、特に交換結合力を
利用した光磁気記録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、実用レベルにある光磁気記録媒体
は書き込み済み情報の有無にかかわらずに新たな情報を
その場で書き込むことができるいわゆるオーバーライト
機能は付加されていない。しかし、最近このオーバーラ
イト機能を付加した光磁気記録媒体が提案されている
（例えば、特開平２−１５８９３９）。このオーバーラ
イト可能な光磁気記録媒体は垂直磁化可能な記録層と垂
直磁化可能な補助層とを積層し、先行補助磁界により記
録層の磁化はそのままにして補助層の磁化のみを書き込
みの直前までに「Ａ向き」に揃えるものである。（層平
面に対して磁化の向きが「上向き」または「下向き」の
いずれか一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」と
定義する）。そして、情報に従い高レベルと低レベルの
間で変調されたレーザー光が記録層に照射された場合
に、（１）高レベルのレーザー光によって、室温に戻っ
た状態でいうと、補助層が「逆Ａ向き」の磁化であり、
記録層がＰタイプの場合には「逆Ａ向き」、Ａタイプの
場合には「Ａ向き」の磁化を有する記録マークが形成さ
れ、（２）低レベルのレーザー光によって、室温に戻っ
た状態でいうと、補助層が「Ａ向き」の磁化であり、記
録層がＰタイプの場合には「Ａ向き」、Ａタイプの場合
には「逆Ａ向き」の磁化を有する記録マークが形成され
る。ここで、Ｐタイプとは補助層の鉄族遷移金属（Ｔ
Ｍ）のスピンと希土類遷移金属（ＲＥ）のスピンとが全
体の磁化に対して優勢なほうの金属と記録層のそれとが
同じである場合であり、Ａタイプとは異なる場合であ
る。

【０００３】このオーバーライト可能な光磁気記録媒体
は光磁気層が記録層と補助層の２層から成るのに対し
て、前記記録層と前記補助層との間にそれらの間に働く
相互作用を制御するための制御層と呼ばれる光磁気層を
挿入した光磁気層が３層のオーバーライト可能な光磁気
記録媒体も提案されている。

【０００４】この従来のオーバーライト可能な光磁気記
録媒体およびその製造方法の１例を図３および図４を用
いて説明する。

【０００５】図４は光磁気記録媒体の概略断面図であ
る。図において、１は基板、２は透明干渉層、４１は第
１の光磁気層（記録層）、４２は第２の光磁気層（制御
層）、４３は第３の光磁気層（補助層）、４４は保護層
である。基板１としてはポリカーボネイト樹脂板などが
用いられ、透明干渉層２の材料としては窒化シリコンな
どが用いられる。第１の光磁気層（記録層）４１の材料
としてはＴｂＦｅＣｏなどが用いられ、第２の光磁気層
（制御層）４２の材料としてはＧｄＦｅＣｏなどが用い
られ、第３の光磁気層（補助層）４３の材料としてはＧ
ｄＴｂＦｅＣｏなどが用いられる。保護層４４としては
窒化シリコンなどが用いられる。このような光磁気記録
媒体の製造は図３のように行われる。各層の成膜には通
常スパッタ装置が用いられる。従来の光磁気記録媒体の
製造方法は、基板１をスパッタ装置内に装着し（ａ）、
真空排気し（ｂ）、透明干渉層２を成膜し（ｃ）、次に
第１の光磁気層（記録層）４１を成膜し（ｄ）、次に第
２の光磁気層（制御層）４２を成膜し（ｅ）、次に第３
の光磁気層（補助層）４３を成膜し（ｇ）、最後に保護
層４４を成膜する（ｈ）というものである。なお、透明
干渉層２を成膜する前に基板１と透明干渉層２との付着
力を強めるために基板１の表面をスパッタエッチングす
る場合もある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前述したオーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体の記録・再生装置には、第３の
光磁気層（補助層）の磁化のみを書き込み直前までに
「Ａ向き」に揃えるための先行補助磁界が必要であり、
この先行補助磁界は通常永久磁石や電磁石によって発生
されるが、記録・再生装置にとってはその永久磁石や電
磁石は小型であることが記録・再生装置の小型化や低価
格化の点で実用上必須である。

【０００７】そのためには、第３の光磁気層（補助層）
の室温（１０℃以上５０℃以下）における保磁力を小さ
くすることが必要である。

【０００８】しかしながら、室温における保磁力の小さ
い第３の光磁気層（補助層）を作製することは困難であ
ったので実用上問題であった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
の製造方法は、基板上に第１の光磁気層と第２の光磁気
層と第３の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レー
ザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して照
射することにより情報の書き込みを行い、レーザー光を
該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動させな
がら照射することにより情報の読みだしを行うようにし
た光磁気記録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄族
遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合
金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性
を示す垂直磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層は
鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶
質合金の膜であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属
と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ
少なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂
直磁化可能な膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向
きと前記第３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対し
て上向きまたは下向きのいずれか一方を「Ａ向き」と
し、他方を「逆Ａ向き」とするとき、前記第１の光磁気
層の磁化はそのままで前記第３の光磁気層の磁化のみが
書き込みの直前までに先行補助磁界により「Ａ向き」に
揃えられ、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパル
ス変調されたレーザー光が第１の光磁気層に照射された
場合、（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあ
るとき、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇しその
温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、または
前記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下
の温度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化で
あり前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記
録マークが形成され、（２）前記変調されたレーザー光
が低レベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は低
温に上昇しその温度状態では少なくとも前記第３の光磁
気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作用
しても、前記第３の光磁気層の残存磁化が作用すること
によるか、または前記レーザー光の照射がなくなって１
０℃以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調さ
れない記録磁界が作用することにより、結果として１０
℃以上５０℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が
「Ａ向き」磁化であり前記第１の光磁気層が「Ａ向き」
磁化を有する記録マークが形成されるように、前記第２
の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層
との相互作用を制御するようなレーザー光の変調だけで
オーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法であっ
て、前記第３の光磁気層は前記第２の光磁気層の表面を
スパッタエッチングして平坦化した後に成膜することに
より、第３の光磁気層の室温における保磁力を小さくす
ることを特徴としている。

【００１０】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に第１の光磁気層と第２の光磁気層と第３の
光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該
基板を通して該第１の光磁気層に集束して照射すること
により情報の書き込みを行い、レーザー光を該基板を通
して該第１の光磁気層に集束して移動させながら照射す
ることにより情報の読みだしを行うようにした光磁気記
録媒体であって、前記第１の光磁気層は鉄族遷移金属と
希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少
なくとも１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直
磁化可能な膜であり、前記第２の光磁気層は鉄族遷移金
属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金の膜
であり、前記第３の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷
移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも
１０℃以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能
な膜であり、前記第１の光磁気層の磁化の向きと前記第
３の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して上向きま
たは下向きのいずれか一方を「Ａ向き」とし、他方を
「逆Ａ向き」とするとき、前記第１の光磁気層の磁化は
そのままで前記第３の光磁気層の磁化のみが書き込みの
直前までに先行補助磁界により「Ａ向き」に揃えられ、
情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調され
たレーザー光が第１の光磁気層に照射された場合、
（１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇しその温度
状態で変調されない記録磁界が作用するか、または前記
レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり
前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有する記録マー
クが形成され、（２）前記変調されたレーザー光が低レ
ベルにあるとき、前記第１の光磁気層の温度は低温に上
昇しその温度状態では少なくとも前記第３の光磁気層の
磁化は残存しており変調されない記録磁界が作用して
も、前記第３の光磁気層の残存磁化が作用することによ
るか、または前記レーザー光の照射がなくなって１０℃
以上５０℃以下の温度範囲に低下する過程で変調されな
い記録磁界が作用することにより、結果として１０℃以
上５０℃以下の温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向
き」磁化であり前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化
を有する記録マークが形成されるように、前記第２の光
磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の光磁気層との
相互作用を制御するようなレーザー光の変調だけでオー
バーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法であって、
前記第３の光磁気層は前記第２の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化した後に成膜することによ
り、第３の光磁気層の室温における保磁力を小さくする
ことを特徴としている。

【００１１】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００１２】図２は本発明の実施例の製造方法により得
られる光磁気記録媒体の一例を示す概略断面図である。

【００１３】図において、１は基板、２は透明干渉層、
２１は第１の光磁気層（記録層）、２２は第２の光磁気
層（制御層）の膜を成膜した後その表面を少しスパッタ
エッチングすることによりある程度平坦化した第２の光
磁気層（制御層）、２３は第３の光磁気層（補助層）、
２４は保護層である。

【００１４】基板１としてはポリカーボネイト樹脂板、
フォトポリマーのついたガラス板、フォトポリマーのつ
いたアクリル樹脂板などを用いる。この基板１には、ト
ラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成して
おくことが望ましい。

【００１５】透明干渉層２の材料としては窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層２は多層膜で形成してもかまわない。

【００１６】第１の光磁気層２１の材料としては、Ｇｄ
ＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＣｒ、Ｇｄ
ＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＴａ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｂ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＴｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮ
ｉ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＴ
ａ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｂ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＰｔ、Ｔ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔが望まし
く、第２の光磁気層２２の材料としては、ＧｄＦｅＣ
ｏ、ＧｄＦｅＣｏＴｉ、ＧｄＦｅＣｏＰｔ、ＧｄＦｅＣ
ｏＣｒ、ＧｄＦｅＣｏＴａ、ＧｄＦｅＣｏＮｉ、ＧｄＦ
ｅＣｏＮｂ、ＮｄＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏＴｉ、ＮｄＦ
ｅＣｏＰｔ、ＮｄＦｅＣｏＴａ、ＮｄＦｅＣｏＮｉ、Ｎ
ｄＦｅＣｏＮｂ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ
Ｔｉ、ＮｄＧｄＦｅＣｏＣｒ、ＮｄＧｄＦｅＣｏＴａ、
ＮｄＧｄＦｅＣｏＮｉ、ＮｄＧｄＦｅＣｏＮｂが望まし
く、第３の光磁気層２３の材料としては、ＴｂＦｅ、Ｔ
ｂＦｅＴｉ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、ＴｂＦｅＮ
ｉＣｒ、ＴｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦｅＰｔ、
ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、
ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣ
ｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｃｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉＣ
ｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ、Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏＰｔが望ましい。

【００１７】保護層２４の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層２４は多層膜で形成してもかまわない。

【００１８】このような光磁気記録媒体の製造方法は図
１に示すように行われる。本発明の光磁気記録媒体の製
造方法は、基板をスパッタ装置内に装着し（ａ）、真空
排気し（ｂ）、透明干渉層を成膜し（ｃ）、第１の光磁
気層を成膜し（ｄ）、第２の光磁気層を成膜し（ｅ）、
しかる後第２の光磁気層の表面を少しスパッタエッチン
グし（ｆ）、その上に第３の光磁気層を成膜し（ｇ）、
最後に保護層を成膜する（ｈ）というものである。

【００１９】本発明は第３の光磁気層（補助層）の成膜
を、第２の光磁気層（制御層）の表面を少しスパッタエ
ッチングすることによりある程度平坦化した後に行うこ
とにより、第３の光磁気層（補助層）の室温における保
磁力が小さくなるという現象を見出し、本発明に到っ
た。

【００２０】膜表面をスパッタエッチングすると、本発
明者が行った実験の範囲では一般的に膜表面は平坦とな
るようである。この確認はレプリカ法により約２０万倍
の透過電子顕微鏡写真により行った。平坦となる理由
は、スパッタエッチングを行っているアルゴンイオンの
膜表面への入射角度が垂直入射以外にも種々の角度をも
っているためと思われる。

【００２１】第２の光磁気層（制御層）の表面をスパッ
タエッチングすることにより平坦化した後に第３の光磁
気層（補助層）を成膜する場合にスパッタエッチングし
ないときよりも第３の光磁気層（補助層）の室温におけ
る保磁力が小さくなる理由は定かではないが、第３の光
磁気層（補助層）の成長時に下地層表面の形状によって
誘導形成される膜の組織や構造が異なるためと思われ
る。

【００２２】以下に、本発明の実施例を具体的に説明す
る。

【００２３】案内溝が形成されている直径１３０mm、厚
さ１．２０mmのポリカーボネイトディスク基板１をスパ
ッタ装置内に装着し、３×１０^-7Torr以下に真空排気し
た後アルゴンガスを導入して基板を２オングストローム
程度スパッタエッチングし、引続きアルゴンと窒素との
混合ガスを導入してシリコンターゲットを反応性スパッ
タすることにより８００オングストローム厚の窒化シリ
コンの透明干渉層２を形成した。次に、アルゴンガスを
導入してＴｂＦｅＴｉターゲットをスパッタすることに
より４００オングストローム厚のＴｂＦｅＴｉの第１の
光磁気層２１を形成し、次にアルゴンガスを導入してＮ
ｄＧｄＦｅＣｏＴｉターゲットをスパッタすることによ
り５０オングストローム厚のＮｄＧｄＦｅＣｏＴｉ膜を
形成し、次にこの表面をアルゴンガスで１０オングスト
ローム程度スパッタエッチングしてＮｄＧｄＦｅＣｏＴ
ｉ膜の表面をある程度平坦にして第２の光磁気層２２と
し、しかる後アルゴンガスを導入してＧｄＴｂＦｅＣｏ
Ｔｉターゲットをスパッタすることにより６００オング
ストローム厚のＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの第３の光磁気層
２３を形成し、最後にアルゴンと窒素との混合ガスを導
入してシリコンターゲットを反応性スパッタすることに
より８００オングストローム厚の窒化シリコンの保護層
２４を形成した。

【００２４】このようにして作製した光磁気記録媒体に
おけるＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの第３の光磁気層３３の室
温における保磁力をカーヒステリシスループから求めた
ところ１．８キロエルステッドであった。

【００２５】比較のため、図４に示すようなＮｄＧｄＦ
ｅＣｏＴｉの第２の光磁気層４２の表面をスパッタエッ
チングせずにその上にＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの第３の光
磁気層４３を形成して作製した光磁気記録媒体における
ＧｄＴｂＦｅＣｏＴｉの第３の光磁気層４３の室温にお
ける保磁力をカーヒステリシスループから求めたところ
３．４キロエルステッドであった。

【００２６】上記実施例の光磁気記録媒体を記録・再生
における先行補助磁界を変化させてオーバーライト動作
確認を行ったところ、先行補助磁界の大きさが２．０キ
ロエルステッドまで良好な動作が行われたのに対して、
比較のために作製した光磁気記録媒体では４．０キロエ
ルステッドまでしか正常な動作が確認されず、２．０キ
ロエルステッドでは動作しないので実用的でなかった。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように本発明の光磁気記録
媒体の製造方法は、第２の光磁気層（制御層）の表面を
スパッタエッチングして平坦にし、その上に第３の光磁
気層（補助層）を形成することにより、第３の光磁気層
（補助層）の室温における保磁力を小さくできるので、
実用的な光磁気記録媒体を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の製造方法の一実施例
を示す工程図である。

【図２】それによって得られる光磁気記録媒体の概略断
面図である。

【図３】従来の光磁気記録媒体の製造方法を示す工程図
である。

【図４】それによって得られる光磁気記録媒体の概略断
面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 透明干渉層 ２１ 第１の光磁気層（記録層） ２２ 第２の光磁気層（制御層）の膜を成膜した後そ
の表面をスパッタエッチングすることにより平坦化した
第２の光磁気層（制御層） ２３ 第３の光磁気層（補助層） ２４，４４ 保護層 ４１ 第１の光磁気層（記録層） ４２ 第２の光磁気層（制御層） ４３ 第３の光磁気層（補助層）

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に第１の光磁気層と第２の光磁気
   層と第３の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レー
   ザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して照
   射することにより情報の書き込みを行い、レーザー光を
   該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動させな
   がら照射することにより情報の読みだしを行うようにし
   た光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は、鉄族遷移金属と希土類遷移金属
   とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃
   以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜で
   あり、 前記第２の光磁気層は、鉄族遷移金属と希土類遷移金属
   とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第３の
   光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくと
   も含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以
   下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、 前記第１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層
   の磁化の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの
   いずれか一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」と
   するとき、前記第１の光磁気層の磁化はそのままで前記
   第３の光磁気層の磁化のみが書き込みの直前までに先行
   補助磁界により「Ａ向き」に揃えられ、情報に従い高レ
   ベルと低レベルとの間でパルス変調されたレーザー光が
   第１の光磁気層に照射された場合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
   き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇しその温度
   状態で変調されない記録磁界が作用するか、または前記
   レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
   温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
   することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
   度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり
   前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録マ
   ークが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
   き、前記第１の光磁気層の温度は低温に上昇しその温度
   状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は残存し
   ており変調されない記録磁界が作用しても、前記第３の
   光磁気層の残存磁化が作用することによるか、または前
   記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下
   の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
   用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の
   温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり
   前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有する記録マー
   クが形成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
   光磁気層との相互作用を制御するようなレーザー光の変
   調だけでオーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方
   法において、 前記第３の光磁気層は前記第２の光磁気層の表面をスパ
   ッタエッチングして平坦化した後に成膜することによ
   り、第３の光磁気層の室温における保磁力を小さくする
   ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 基板上に第１の光磁気層と第２の光磁気
   層と第３の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レー
   ザー光を該基板を通して該第１の光磁気層に集束して照
   射することにより情報の書き込みを行い、レーザー光を
   該基板を通して該第１の光磁気層に集束して移動させな
   がら照射することにより情報の読みだしを行うようにし
   た光磁気記録媒体であって、 前記第１の光磁気層は、鉄族遷移金属と希土類遷移金属
   とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃
   以上５０℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜で
   あり、 前記第２の光磁気層は、鉄族遷移金属と希土類遷移金属
   とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第３の
   光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくと
   も含む非晶質合金でかつ少なくとも１０℃以上５０℃以
   下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、 前記第１の光磁気層の磁化の向きと前記第３の光磁気層
   の磁化の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの
   いずれか一方を「Ａ向き」とし、他方を「逆Ａ向き」と
   するとき、前記第１の光磁気層の磁化はそのままで前記
   第３の光磁気層の磁化のみが書き込みの直前までに先行
   補助磁界により「Ａ向き」に揃えられ、情報に従い高レ
   ベルと低レベルとの間でパルス変調されたレーザー光が
   第１の光磁気層に照射された場合、 （１）前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
   き、前記第１の光磁気層の温度は高温に上昇しその温度
   状態で変調されない記録磁界が作用するか、または前記
   レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下の
   温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
   することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の温
   度範囲で前記第３の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化であり
   前記第１の光磁気層が「Ａ向き」磁化を有する記録マー
   クが形成され、 （２）前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
   き、前記第１の光磁気層の温度は低温に上昇しその温度
   状態では少なくとも前記第３の光磁気層の磁化は残存し
   ており変調されない記録磁界が作用しても、前記第３の
   光磁気層の残存磁化が作用することによるか、または前
   記レーザー光の照射がなくなって１０℃以上５０℃以下
   の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
   用することにより、結果として１０℃以上５０℃以下の
   温度範囲で前記第３の光磁気層が「Ａ向き」磁化であり
   前記第１の光磁気層が「逆Ａ向き」磁化を有する記録マ
   ークが形成されるように、 前記第２の光磁気層が前記第１の光磁気層と前記第３の
   光磁気層との相互作用を制御するようなレーザー光の変
   調だけでオーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方
   法において、 前記第３の光磁気層は前記第２の光磁気層の表面をスパ
   ッタエッチングして平坦化した後に成膜することによ
   り、第３の光磁気層の室温における保磁力を小さくする
   ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。